TW413831B - Equipment for coating a substrate in vacuum - Google Patents

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Description

413831 A7 B7 五、發明説明() 本發明是關於一種在真空中將基體塗靥之裝置,由交 流電源與設置於可被抽真空之塗層室中兩個陰極連接而 成與靶塊發生電性作用,使自靶塊産生粉粒而沉積於基 體上。在該塗層室中可以輸入作業氣體。在交流電源與 —對陰極之間設一電路,由一變壓器,線圈和電容器組 成,作為濾波器之用。 已知有一種南於製作薄膜之微粉化裝置(DD 252 205) •由一磁鐵糸統和至少兩俩裝置於其間之電極所組成, 電極則由將予微粉化之材料構成。當電極通電之後,在 陰極和陽極交互發生氣體放電。用於此項目的時,電極 是連接至正弦波形之交流電壓,以5ΘΗΖ為佳。 此種Q知之徹粉裝置特別適合於藉由反應性徹粒化而 沉積導電層。經由此種裝置以約50 Η Z作業則應避免莅陽 極b形成閃光現象,或在金屬鍍層之狀況下發生短路( 所謂弧光現象)。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再4.窝本頁) 另一習知噴積薄膜之設備,可依不同材料而調節薄層 沉稹之速度(DE 3912572)。為求製得極薄之驀層組合, 必須以至少兩値不同種類的相反電極設於陰極側。 此外,有一種以罨性絕緣材料例如二氧化砂(SiO)在 基體上進行反應性塗層之方法與設備(DOS 4106770), ,其是以交流電源設於一塗層室中,與包含磁鐵之陰極 連接,陰極與靶塊共同作用,其間交流電源之兩_未接 地的輸出端各與一載有靶塊之陰極連接,兩個陰極相鄰 3 * 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4规格(210 X 297公釐.) 413831_^_ 五、發明説明() Μ設置於塗層室中電漿空間之中,與相對放置之基體間有 大致相間之空間距離。放電電壓之有效值是由一經由導 線而連接至陰極之電壓有效值測量器來景测並以直流電 壓方式經由導線而傳送至一調整器,調整器經由調整閥而 控制容器中反躔氣體在分配線路中之流景,使測得之電 壓與額定電壓相符合。 經濟部中央摞率爲員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 最後為用於在基體上作反應桂塗靥之習知設備 (DOS 41 36 655.7),這種設備中陰極與真空室在電性上是 分離的,是由兩値在電性上互相分離的部份所組成而作為 磁控管陰極。在陰極中靶塊本體和軛架與磁鐵成為一部 份,一在一電容中間電路之下,一在直流電壓供應源的 負極上;而靶塊成為另一部份•在一抗流線圈以及一個 與之並聯設置的電胆間的中間電路之下,於電路中與電 流電源結合,其間靶塊越過另一電容而與電流電源的正 極和陽極連接,此一電容.經由電胆而接地。其間為弱感應 的電容而將一電感接於電胆和抗流線圈的分歧電路上, 且該電阻值正常為2仟歐姆和10仟歐姆之間。此一比較 老舊的設備就是如此構成,其大多數荏安全的作業上® 止了電弧之出現,降低電弧能景,並改善電漿對電弧的 再點燃。 噴鍍方法之可行性是基於程序的穩定性。這表示所作 處置必須有長時間(超過3Θ0小時)穩定而不産生弧光的電 性上之數據(陰極電流,功率)和塗層的光學數據(折射 —4 ** 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 413831 A7 B7 五、發明説明() 率層塗厚度,塗層厚度分佈)予以保證。 若陰極的長度愈大,則所需功率愈大,也愈難滿足穩 定性的要求。這是有其物理背景*施颳的電壓,氣體種 類和靶塊表面狀況如予固定,則電流隨與長度成正比而 增加。靶塊表面狀況的改變小則電壓的改變也小,由於 陰極長度大而引起倍增的高電流,導致高的功率變化, 以至於可能使陰極局部性熔化。 特殊的間題是在高功率時保持沉積塗層的氣化程度, 疸個問題是出於建築用玻璃的大表面塗層以及其他氣化 物塗層的沉積,在其中是用金靥靶塊和氣、氬混合氣體 噴鍍以獲得預定的氣化物變化。這種氣化物變化必須將 例如塗層条統的顔色或耐腐蝕性列入考慮。 在定值之功率中如要提高氣成份,則「陰棰在氧化物 模式中須成傾斜狀J 。提高氯的成份只能稍徹超過「傾 斜點J,所以陰極可以藉由功率之再提高而回復至金靥 模式。 已知陰極有兩項原則性的行為方式: 第1塑:陰極的電阻隨反應氣體成份的增加而降低。 第2型:陰極的電阻隨反應氣體成份的増加而上昇。 存在那一種型式?則侬據材料和反應氣體的種類而定。 在實際廳用上大部份利用氣成份與功率間之關偽作為 「工作點」,此點即在r傾斜點」附近。這是因為在此 範圍之内可以得到最高的氧化物塗層率。就工廠操控而 -5 ** 本紙最尺度適用中國國家標準(〇呢)六4規格(2丨0父297公釐) (諳先閱讀背面之注#Wk項再填t本頁)
413831 at B7 五、發明説明() 言這種工作點是非常不利的•因為功率*氧或陰極環境 之少量波動會使模式驟變,因而造成不良品。 基於上述各節,變成較大的陰極會大大地增加功率上 之波動,使陰極的穩.定蓮作空間—直很小 < 因而在嚴格 要求的材料(如Si/SiiU )時大型陰極如果沒有其它 元件則在技術上將完令無法蓮作。 本發明之目的是藉由自動穩定的方法而能保證可靠作 業達到最高效率。 此項問題可由本發明適當予以解決,其為於塗層室中 可以輸人作業氣體,在交流電源和陰極對之間設置一電 路作為濾波之用,此電路由一變壓器和若干線圈與電容 器構成,而a交流電源的頻率是與濾波器之每一待定頻 率不同,並以陰極功率的大小作為陰極電阻的函數交流 電流所造成之氣體放電可形成陰極功率且具有,須選擇 最大功率時之電阻,使陰極電阻在工作點時和此一最大電 阻不同,而且電路的阻抗須限制程序狀態不致變成另一 種。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 其他特徽與細節均於後述申請專利範圍中作更詳細之 說明。 本發明可有多種實施方式,其中之一以圖式詳細表示 〇 圆式簡單説明: 第1圖陰極對(pair)之電源電路圔。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 413831 五、發明説明() 第2圖電功率對電阻之圖解。 能量從中間頻率産生器2中的振盪線路發出〇因為振 通線圈是與供電電路接通而設計,所以必須在電路1中 設一分隔變饜器3 變壓器3在電路1中應設於何處* 對其他考慮並不重要° 在實施例中,電容器4和線匿15設於變®器的振鐘線 圈倒,而其他元件在陰極6,7之一御。另若將變歷器3直 接接於振盪線路2 ,而全部電容器與線圈裝在陰極惻, 經過試驗也很成功。 電容器8如選擇較大者*對霄路的頻率變化影響很小1 電容器8可保護變壓器3使不會有直流電進人*由於兩陰極 6,7的特性不同而會有直流電流流動*可能對變壓器3 的作用有所損害。 假如將變壓器直接連接振盪線路*電容器4之功能可由 電容器8所承擔。 電容器9和10是用於排除無線電干擾*其中電流以很 高的頼率被引導而接地。這些極高頻電流可以在電漿中 藉甶切換過程而産生。 自動穩定所賴之基本特勸是藉由電容器4和U以及線 圈5, 12和13來調整。12和13也可以組合成為一個線圈。 須分佈成兩個等大之線圈12和13,目的在使整個裝置儘 可能有對稱的結構。 1.計算用的參考值是噴鍍距離X 1的等效電阻,此後 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先聞讀背面之注$項再填寫本頁) 訂
I A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 413831 五、發明説明() 以r表示,此電阻r是瞬間功率畤陰極6, 7間的電壓之 有效值除以在此功率時陰極電流的有效值所得之商, r=Ukat/Ikat〇 2,陰極如依第1型之特性可獲得自動穩定,其條件為 低電阻r時使陰極6, 7中的功率上舁〇為求妥切保持生産 程序穩定性所需之足夠的蓮作空間,須選取選電阻價,其 可逹到最大值,因此亦可達到自動穗定之結果,此最大 值為1^33{ = 0.5,,.0.75¥1'(茌所期望之額定功率時)。 參考圖2中Rkat時之工作點。 3 .對於工作頻率必須在陰極惻以感應方式量測電路1 的輸入電阻。 4. 電路1的輸人電阻Re在頻率小畤較Rnax還大,一直 降至頻率低於工作頻率時之最小值(第1零位)。 5. 在工作頻率中,輸入電阻Re之值達到1.414X Rinax, 這表示輸人電阻Re的虛部和實部都是等於Rmast。 6. 隨著繼續昇高的頻率,輸入電阻Re上升至一最大偾 後再下降至第2最低值(第2零位)。此第2零位的頻率 大約三倍於工作頻率。 各構件的實際數值為:
工作率頻U0KHZ
C1=0.6«F, C2=18uF, C3=108nF, C4=8nF, C5=8nF
Ll=16uH, L2=L3=23uH 變壓器的變換比為1:2。 -8- 本紙張A度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再4,·寫本頁)
413831 A7 B7 五、發明説明( 噴鍍距離的等效電阻r是在12 5KW之情況中。 在實施例(圖2)中之額定負載2Ω。 最大負載Rraax時之電阻1 Ω。 符號對照表 1…電路 3…變壓器 5,12, 13…線圏 14…基體 2…交流電源 4, 8, 9, 10, 12…電容器 6, 7…陰極 15…塗層室 請 閲 讀 背 之 注 意 事 項 再 本 頁 詐 _ 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 ‘紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)

Claims (1)

  1. 4138
    A8 BS α D8 六、申請專利範圍 第85108121號「將真空中之基體塗層(Coating)之裝置」 專利案 (88年2月修正) 巧申請專利範圍: 1. 一種將真空中之基髏塗層之裝置,此裝置之特徴是包 括! 一個可抽成真 氣體之元件,此 之基髏; 空之塗層室,其具 塗靥室支撺箸二個 有可引入一種作業 陰極及一個待塗層 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ....,-7衣_ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 JBH, -訂- 一傾交流電源 一俩電輅,其 ,此電路將來自 具有一俩或多値 率是和來自交流 陰極在電性上 沈積茌基體上, 作業氣體及陰 R cat > ,其提供某種頻率 與交流電源相連接 交流電流之功率傳 自然頻率,此電路 電源之交流電流之 是和靶共同作用使 作業氣體則供應至 極功率在陰極之間 之交流電流; 且可接收交流電流 送至陰極,此電路 之所有這唣自然頻 頻率不同的; 靶之已噴鍍之粒子 塗層室中; 形成一種陰極電阻 在沈積期間,陰極具有可供利用之最大功率|在此 一最大功率位準時有一相對應之電阻Rmax存在於陰極 之間; 上述電路在某一功率位準之工作點處傳送陰極功率 ,此功率位準之選取方式是使此時之工作點處之陰極 -1 - 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 4138
    A8 BS α D8 六、申請專利範圍 第85108121號「將真空中之基體塗層(Coating)之裝置」 專利案 (88年2月修正) 巧申請專利範圍: 1. 一種將真空中之基髏塗層之裝置,此裝置之特徴是包 括! 一個可抽成真 氣體之元件,此 之基髏; 空之塗層室,其具 塗靥室支撺箸二個 有可引入一種作業 陰極及一個待塗層 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ....,-7衣_ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 JBH, -訂- 一傾交流電源 一俩電輅,其 ,此電路將來自 具有一俩或多値 率是和來自交流 陰極在電性上 沈積茌基體上, 作業氣體及陰 R cat > ,其提供某種頻率 與交流電源相連接 交流電流之功率傳 自然頻率,此電路 電源之交流電流之 是和靶共同作用使 作業氣體則供應至 極功率在陰極之間 之交流電流; 且可接收交流電流 送至陰極,此電路 之所有這唣自然頻 頻率不同的; 靶之已噴鍍之粒子 塗層室中; 形成一種陰極電阻 在沈積期間,陰極具有可供利用之最大功率|在此 一最大功率位準時有一相對應之電阻Rmax存在於陰極 之間; 上述電路在某一功率位準之工作點處傳送陰極功率 ,此功率位準之選取方式是使此時之工作點處之陰極 -1 - 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 413831 A8 Βδ C8 D8 ίτ、申請專利範園 電阻R cat和最大功率位準時之陰極電阻“ax ,不同, 上述電路具有一種阻抗*其變化方式是和陰極功率 由工作點處之功率位準偏離時之變化方式相反。 2. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中陰極功率和陰極 電阻R|cat之闊僳是陰極功率=Reat2 )其 中b。和ba是常數。 3. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中在工作點位準處 之陰極電阻R Cat大約是電阻Rmax之二倍。 4. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中該電路之阻抗由 陰極側測得者是電感性的。 5. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中在陰極之所有作 業狀態中此陰極電阻較最大功率位準時之電阻^ax還 大。 6. 如申請專利範圍第1項之裝置,其中須選取上述之工 作點功率位準,使1:作點功率位準處之陰極電阻R<^t 較最大功率位準處之陰極電阻Rmax還大,陰極功率大 於工作點功率位準時上述電路之阻抗會抑制陰極功率 之增加。 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) ΪΤ------厂,#:-----^----
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19605932A1 (de) * 1996-02-17 1997-08-21 Leybold Systems Gmbh Verfahren zum Ablagern einer optisch transparenten und elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat aus durchscheinendem Werkstoff
DE19651615C1 (de) * 1996-12-12 1997-07-10 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern
DE19651811B4 (de) * 1996-12-13 2006-08-31 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten
DE19956733A1 (de) 1999-11-25 2001-06-28 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Regelung von Sputterprozessen
DE10154229B4 (de) * 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
US7298091B2 (en) * 2002-02-01 2007-11-20 The Regents Of The University Of California Matching network for RF plasma source
DE10306347A1 (de) * 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
US6967305B2 (en) * 2003-08-18 2005-11-22 Mks Instruments, Inc. Control of plasma transitions in sputter processing systems
JP4658506B2 (ja) * 2004-03-31 2011-03-23 浩史 滝川 パルスアークプラズマ生成用電源回路及びパルスアークプラズマ処理装置
EP1720195B1 (de) * 2005-05-06 2012-12-12 HÜTTINGER Elektronik GmbH + Co. KG Arcunterdrückungsanordnung
EP2326151A1 (fr) 2009-11-24 2011-05-25 AGC Glass Europe Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode DBD
JP6595002B2 (ja) 2017-06-27 2019-10-23 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置
EP4017223A1 (en) * 2017-06-27 2022-06-22 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
KR102361377B1 (ko) * 2017-06-27 2022-02-10 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치
JP6280677B1 (ja) * 2017-06-27 2018-02-14 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
CN112136201B (zh) * 2018-05-06 2024-04-16 先进工程解决方案全球控股私人有限公司 减少裂纹的装置、系统和方法
KR102439024B1 (ko) * 2018-06-26 2022-09-02 캐논 아네르바 가부시키가이샤 플라스마 처리 장치, 플라스마 처리 방법, 프로그램, 및 메모리 매체

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4887005A (en) * 1987-09-15 1989-12-12 Rough J Kirkwood H Multiple electrode plasma reactor power distribution system
JPH01268869A (ja) * 1988-04-20 1989-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd スパッタリング装置
DE3923661A1 (de) * 1989-07-18 1991-01-24 Leybold Ag Schaltungsanordnung fuer die anpassung der impedanz einer plasmastrecke an einen hochfrequenzgenerator
DE4042287C2 (de) * 1990-12-31 1999-10-28 Leybold Ag Vorrichtung zum reaktiven Aufstäuben von elektrisch isolierendem Werkstoff
DE4106770C2 (de) * 1991-03-04 1996-10-17 Leybold Ag Verrichtung zum reaktiven Beschichten eines Substrats
US5281321A (en) * 1991-08-20 1994-01-25 Leybold Aktiengesellschaft Device for the suppression of arcs
US5240584A (en) * 1991-11-07 1993-08-31 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for the reactive coating of a substrate
DE4138794A1 (de) * 1991-11-26 1993-05-27 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden schichten
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
US5512164A (en) * 1993-06-03 1996-04-30 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Method for sputtering with low frequency alternating current

Also Published As

Publication number Publication date
CA2184432C (en) 2006-01-24
SG40883A1 (en) 1997-06-14
DE59602601D1 (de) 1999-09-09
KR970023537A (ko) 1997-05-30
US5807470A (en) 1998-09-15
EP0767483A1 (de) 1997-04-09
EP0767483B1 (de) 1999-08-04
CN1074582C (zh) 2001-11-07
JP3442589B2 (ja) 2003-09-02
CN1155748A (zh) 1997-07-30
JPH09111449A (ja) 1997-04-28
ATE183019T1 (de) 1999-08-15
DE19537212A1 (de) 1996-04-11
ES2134538T3 (es) 1999-10-01
BR9605001A (pt) 1998-06-23
CA2184432A1 (en) 1997-04-07
KR100235573B1 (ko) 1999-12-15

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