JPH09111449A - 真空中で基板を被覆する装置 - Google Patents
真空中で基板を被覆する装置Info
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- JPH09111449A JPH09111449A JP8264524A JP26452496A JPH09111449A JP H09111449 A JPH09111449 A JP H09111449A JP 8264524 A JP8264524 A JP 8264524A JP 26452496 A JP26452496 A JP 26452496A JP H09111449 A JPH09111449 A JP H09111449A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空中で基板を被覆する装置において、最大
電力でも自己安定化によって信頼性のある動作を保証
し、安定した被覆プロセスを可能にする。 【解決手段】 真空排気可能な被覆槽１５内に配置され
た２つのカソード６，７と接続された交流電流源２が設
けられている。カソード６，７は電気的にターゲットと
共働し、ガス放電においてスパッタリングされ、スパッ
タされたそれらの粒子が基板１４上に堆積する。被覆槽
１５へプロセスガスを供給可能であり、交流電流源２と
カソード対６，７との間にフィルタとしてはたらく回路
１が配置されている。この回路１はトランス３およびコ
イル５，１２，１３ならびにコンデンサ４，８，９，１
０，１１から成る。
電力でも自己安定化によって信頼性のある動作を保証
し、安定した被覆プロセスを可能にする。 【解決手段】 真空排気可能な被覆槽１５内に配置され
た２つのカソード６，７と接続された交流電流源２が設
けられている。カソード６，７は電気的にターゲットと
共働し、ガス放電においてスパッタリングされ、スパッ
タされたそれらの粒子が基板１４上に堆積する。被覆槽
１５へプロセスガスを供給可能であり、交流電流源２と
カソード対６，７との間にフィルタとしてはたらく回路
１が配置されている。この回路１はトランス３およびコ
イル５，１２，１３ならびにコンデンサ４，８，９，１
０，１１から成る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空中で基板を被
覆する装置に関する。
覆する装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜を形成するためのスパッタリング装
置はすでに公知である（ＤＤ２５２２０５）。このスパ
ッタリング装置は、磁石システムとこのシステムの上に
配置されスパッタさせるすべき物質から成る少なくとも
２つの電極とにより構成されており、その際、これらの
電極は交互にガス放電部のカソードとアノードとなるよ
う電気的に構成されている。このためそれらの電極は、
有利には５０Ｈｚの正弦波交流電圧源と接続されてい
る。
置はすでに公知である（ＤＤ２５２２０５）。このスパ
ッタリング装置は、磁石システムとこのシステムの上に
配置されスパッタさせるすべき物質から成る少なくとも
２つの電極とにより構成されており、その際、これらの
電極は交互にガス放電部のカソードとアノードとなるよ
う電気的に構成されている。このためそれらの電極は、
有利には５０Ｈｚの正弦波交流電圧源と接続されてい
る。
【０００３】この公知のスパッタリング装置は、反応性
スパッタリングによる誘電層の析出に殊に適している。
そして約５０Ｈｚで装置を作動させることにより、アノ
ードにむらが形成されて金属被覆の場合には電気的な短
絡（いわゆるアーク）に至ることが防止される。
スパッタリングによる誘電層の析出に殊に適している。
そして約５０Ｈｚで装置を作動させることにより、アノ
ードにむらが形成されて金属被覆の場合には電気的な短
絡（いわゆるアーク）に至ることが防止される。
【０００４】薄膜をスパッタリングするための別のすで
に公知の装置によれば、種々異なる物質の層の堆積速度
を制御可能である（ドイツ連邦共和国特許出願第３９１
２５７２号明細書）。極度に薄い層のパケットを得る目
的で、少なくとも２つの異なる形式の対向電極がカソー
ド側に設けられている。
に公知の装置によれば、種々異なる物質の層の堆積速度
を制御可能である（ドイツ連邦共和国特許出願第３９１
２５７２号明細書）。極度に薄い層のパケットを得る目
的で、少なくとも２つの異なる形式の対向電極がカソー
ド側に設けられている。
【０００５】さらに、電気的に絶縁を行う材料たとえば
２酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いた基板の反応性被覆
のための方法および装置が知られており（ドイツ連邦共
和国特許出願公開第４１０６７７０号公報）、これは次
のように構成されている。すなわち、被覆槽内に配置さ
れ磁石を取り囲むカソードと接続された交流電流源が設
けられており、このカソードはターゲットと共働する。
その際、交流電流源におけるアースされていない２つの
出力側がターゲットを担持するそれぞれ１つのカソード
と接続されていて、両方のカソードは被覆槽内で互いに
隣り合ってプラズマ空間内に設けられており、それらは
対向する基板に対しそれぞれほぼ等しい空間距離を有し
ている。この場合、放電電圧の実効値が導線を介してカ
ソードと接続されている電圧実効値捕捉部により測定さ
れ、直流電圧として導線を介して調整器へ導かれ、この
調整器によって、測定された電圧が目標電圧と一致する
よう、容器から分配導管へ流れる反応性ガスが調整弁を
介して制御される。
２酸化シリコン（ＳｉＯ２）を用いた基板の反応性被覆
のための方法および装置が知られており（ドイツ連邦共
和国特許出願公開第４１０６７７０号公報）、これは次
のように構成されている。すなわち、被覆槽内に配置さ
れ磁石を取り囲むカソードと接続された交流電流源が設
けられており、このカソードはターゲットと共働する。
その際、交流電流源におけるアースされていない２つの
出力側がターゲットを担持するそれぞれ１つのカソード
と接続されていて、両方のカソードは被覆槽内で互いに
隣り合ってプラズマ空間内に設けられており、それらは
対向する基板に対しそれぞれほぼ等しい空間距離を有し
ている。この場合、放電電圧の実効値が導線を介してカ
ソードと接続されている電圧実効値捕捉部により測定さ
れ、直流電圧として導線を介して調整器へ導かれ、この
調整器によって、測定された電圧が目標電圧と一致する
よう、容器から分配導管へ流れる反応性ガスが調整弁を
介して制御される。
【０００６】さらに、基板の反応性被覆のための次のよ
うな装置が知られている（ドイツ連邦共和国特許出願公
開第４１３６６６５．７号公報）。すなわち、真空槽か
ら電気的に分離されマグネトロンカソードとして構成さ
れたカソードが設けられており、これは電気的に互いに
分離された２つの部分から成る。この場合、一方の部分
としてヨークと磁石を備えたターゲット基体がキャパシ
タンスを介して直流電圧供給部のマイナス極と接続され
ており、他方の部分としてターゲットが線路およびチョ
ークならびにこれと並列に設けられた抵抗を介して電流
供給部と接続されている。その際、ターゲットは別のキ
ャパシタンスを介して電流供給部のプラス極およびアノ
ードと接続されていて、さらにアノード自体は抵抗を介
してアースに接続されている。さらにこの場合、インダ
クタンスの僅かなキャパシタンスに対し直列に、抵抗と
チョークへの分岐路中にインダクタンスが挿入接続され
ており、抵抗の値は典型的には２ｋΩ〜１０ｋΩの間に
ある。この従来の装置はすでに、被覆プロセス中に生じ
るアークの大部分を抑圧しアークのエネルギーを低減し
て、アーク後のプラズマの再点弧を改善するように構成
されている。
うな装置が知られている（ドイツ連邦共和国特許出願公
開第４１３６６６５．７号公報）。すなわち、真空槽か
ら電気的に分離されマグネトロンカソードとして構成さ
れたカソードが設けられており、これは電気的に互いに
分離された２つの部分から成る。この場合、一方の部分
としてヨークと磁石を備えたターゲット基体がキャパシ
タンスを介して直流電圧供給部のマイナス極と接続され
ており、他方の部分としてターゲットが線路およびチョ
ークならびにこれと並列に設けられた抵抗を介して電流
供給部と接続されている。その際、ターゲットは別のキ
ャパシタンスを介して電流供給部のプラス極およびアノ
ードと接続されていて、さらにアノード自体は抵抗を介
してアースに接続されている。さらにこの場合、インダ
クタンスの僅かなキャパシタンスに対し直列に、抵抗と
チョークへの分岐路中にインダクタンスが挿入接続され
ており、抵抗の値は典型的には２ｋΩ〜１０ｋΩの間に
ある。この従来の装置はすでに、被覆プロセス中に生じ
るアークの大部分を抑圧しアークのエネルギーを低減し
て、アーク後のプラズマの再点弧を改善するように構成
されている。
【０００７】あるスパッタリングプロセスを使えるか否
かはプロセスの安定度によって決まる。つまり、装置は
長期間（３００時間）にわたって安定していなければな
らず、アークが生じることなく電気的データ（カソード
電流、電力）および層の光学的データ（屈折率、層厚、
層厚分布）が保証されなければならない。
かはプロセスの安定度によって決まる。つまり、装置は
長期間（３００時間）にわたって安定していなければな
らず、アークが生じることなく電気的データ（カソード
電流、電力）および層の光学的データ（屈折率、層厚、
層厚分布）が保証されなければならない。
【０００８】カソードの長さが長くなればなるほど所要
電力が大きくなり、安定性の要求を満たすのが困難にな
る。これには物理的な背景があって、電圧は圧力、ガス
の種類およびターゲット表面の性状により定まるのに対
し、電流は長さに比例して上昇するからである。ターゲ
ット表面の性状における小さな変化により小さな電圧変
化が引き起こされるが、この電圧変化が長いカソード長
の結果として生じる大きな電流と乗算されると大きな電
力変化が引き起こされ、このことはターゲットが局部的
に溶融するまで生じる可能性がある。
電力が大きくなり、安定性の要求を満たすのが困難にな
る。これには物理的な背景があって、電圧は圧力、ガス
の種類およびターゲット表面の性状により定まるのに対
し、電流は長さに比例して上昇するからである。ターゲ
ット表面の性状における小さな変化により小さな電圧変
化が引き起こされるが、この電圧変化が長いカソード長
の結果として生じる大きな電流と乗算されると大きな電
力変化が引き起こされ、このことはターゲットが局部的
に溶融するまで生じる可能性がある。
【０００９】殊に問題となるのは、大きな電力において
析出される層の酸化度を保持することである。この問題
点は、造形用ないし建築用ガラスの大きな面積の被覆に
対し殊に酸化物を析出させることで生じ、これは所定の
酸化物変性を得るため金属のターゲットにより酸素−ア
ルゴン混合物を用いてスパッタリングすることで行われ
るものである。このような酸化物変性はたとえば、層系
のカラーまたは耐食性を生じさせるために必要である。
析出される層の酸化度を保持することである。この問題
点は、造形用ないし建築用ガラスの大きな面積の被覆に
対し殊に酸化物を析出させることで生じ、これは所定の
酸化物変性を得るため金属のターゲットにより酸素−ア
ルゴン混合物を用いてスパッタリングすることで行われ
るものである。このような酸化物変性はたとえば、層系
のカラーまたは耐食性を生じさせるために必要である。
【００１０】電力が一定のときに酸素成分が増加する
と、”カソードは酸化モードに転移する”。酸素成分
が”転移点”をわずかに超えて増加したとき、電力を高
めることでカソードを再び金属モードに戻すことができ
る。
と、”カソードは酸化モードに転移する”。酸素成分
が”転移点”をわずかに超えて増加したとき、電力を高
めることでカソードを再び金属モードに戻すことができ
る。
【００１１】この場合、カソードの２つの基本的な特性
状態が知られている： タイプ１：カソードの抵抗値は反応性ガス成分が増大す
るにつれて低下する。
状態が知られている： タイプ１：カソードの抵抗値は反応性ガス成分が増大す
るにつれて低下する。
【００１２】タイプ２：カソードの抵抗値は反応性ガス
成分が増大するにつれて上昇する。
成分が増大するにつれて上昇する。
【００１３】いずれのタイプであるかは、物質と反応性
ガスの種類とに依存する。
ガスの種類とに依存する。
【００１４】たいていの適用事例では”動作点”とし
て、”転移点”の近くにある酸素成分と電力との比が用
いられる。その理由は、この領域で最大の酸化被覆率が
得られるからである。装置の制御にとってはこの動作点
は著しく不利なものであり、それというのは電力、酸素
またはカソード周囲の環境における僅かな変動によって
もモードが急変し、そのことで粗悪物の生成されるおそ
れがあるからである。
て、”転移点”の近くにある酸素成分と電力との比が用
いられる。その理由は、この領域で最大の酸化被覆率が
得られるからである。装置の制御にとってはこの動作点
は著しく不利なものであり、それというのは電力、酸素
またはカソード周囲の環境における僅かな変動によって
もモードが急変し、そのことで粗悪物の生成されるおそ
れがあるからである。
【００１５】カソードが大きくなると電力変動が著しく
増えるという上述の関連から、カソードの安定動作のた
めのゆとりがいっそう小さくなり、その結果、付加的な
手段を設けなければＳｉ／ＳｉＯ２のような要求の高い
物質において大きなカソードを作動させるのは技術的に
全く不可能である。
増えるという上述の関連から、カソードの安定動作のた
めのゆとりがいっそう小さくなり、その結果、付加的な
手段を設けなければＳｉ／ＳｉＯ２のような要求の高い
物質において大きなカソードを作動させるのは技術的に
全く不可能である。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の課
題は、最大電力でも自己安定化によって信頼性のある動
作を保証できるようにすることにある。
題は、最大電力でも自己安定化によって信頼性のある動
作を保証できるようにすることにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明によればこの課題
は、交流電流源が設けられており、該交流電流源は、真
空排気可能な被覆槽内に配置された２つのカソードと接
続されており、該カソードはガス放電においてスパッタ
リングされるターゲットと電気的に共働し、該カソード
のスパッタリングされる粒子が基板上に堆積し、前記被
覆槽内にプロセスガスを導入可能であり、前記交流電流
源とカソード対との間にフィルタとしてはたらく回路が
配置されており、該回路はトランスとコイルおよびコン
デンサにより構成されており、前記交流電流源の周波数
はフィルタのいかなる固有周波数とも異なっており、ガ
ス放電により交流電流に対し形成されるカソード抵抗値
の関数であるカソード電力の経過特性は最大値を有して
おり、前記抵抗値の最大値は、動作点におけるカソード
抵抗値が最大値（Ｍ）における抵抗値と異なるように、
かつ前記回路のインピーダンスが１つのプロセス状態か
ら別のプロセス状態への移り変わりを妨げるように選定
されていることにより解決される。
は、交流電流源が設けられており、該交流電流源は、真
空排気可能な被覆槽内に配置された２つのカソードと接
続されており、該カソードはガス放電においてスパッタ
リングされるターゲットと電気的に共働し、該カソード
のスパッタリングされる粒子が基板上に堆積し、前記被
覆槽内にプロセスガスを導入可能であり、前記交流電流
源とカソード対との間にフィルタとしてはたらく回路が
配置されており、該回路はトランスとコイルおよびコン
デンサにより構成されており、前記交流電流源の周波数
はフィルタのいかなる固有周波数とも異なっており、ガ
ス放電により交流電流に対し形成されるカソード抵抗値
の関数であるカソード電力の経過特性は最大値を有して
おり、前記抵抗値の最大値は、動作点におけるカソード
抵抗値が最大値（Ｍ）における抵抗値と異なるように、
かつ前記回路のインピーダンスが１つのプロセス状態か
ら別のプロセス状態への移り変わりを妨げるように選定
されていることにより解決される。
【００１８】従属請求項には別の特徴ならびに詳細な構
成が示されている。本発明によれば種々の実施形態が可
能であり、次に図面を参照しながらそのうちの１つにつ
いて詳細に説明する。
成が示されている。本発明によれば種々の実施形態が可
能であり、次に図面を参照しながらそのうちの１つにつ
いて詳細に説明する。
【００１９】
【発明の実施の形態】中間周波数発生器２からその振動
回路におけるエネルギーが取り出される。この振動回路
は構造形態ゆえに電源と電気的に接続されているので、
分離トランス３を回路１中に組み込む必要がある。回路
１のどの位置にトランス３を組み込むかは、以下の考察
では重要ではない。
回路におけるエネルギーが取り出される。この振動回路
は構造形態ゆえに電源と電気的に接続されているので、
分離トランス３を回路１中に組み込む必要がある。回路
１のどの位置にトランス３を組み込むかは、以下の考察
では重要ではない。
【００２０】この実施例の場合、コンデンサ４とコイル
５がトランスの振動回路側に配置されており、その他の
素子はカソード６，７の側に配置されている。その際、
トランス３を振動回路２とダイレクトに接続し、コンデ
ンサとコイルすべてをカソード側に配置した回路でもう
まく動作することが試された。
５がトランスの振動回路側に配置されており、その他の
素子はカソード６，７の側に配置されている。その際、
トランス３を振動回路２とダイレクトに接続し、コンデ
ンサとコイルすべてをカソード側に配置した回路でもう
まく動作することが試された。
【００２１】コンデンサ８は、これによっても回路の周
波数特性にほとんど影響が及ぼされないような大きさに
選定されている。このコンデンサはトランス３を直流電
流から保護する役割を果たす。この直流電流は２つのカ
ソード６，７の特性曲線における差異に起因して流れ、
トランス３の機能を損なうおそれがある。
波数特性にほとんど影響が及ぼされないような大きさに
選定されている。このコンデンサはトランス３を直流電
流から保護する役割を果たす。この直流電流は２つのカ
ソード６，７の特性曲線における差異に起因して流れ、
トランス３の機能を損なうおそれがある。
【００２２】トランスを振動回路とダイレクトに接続し
た場合には、コンデンサ４にコンデンサ８の機能を受け
持たせることができる。
た場合には、コンデンサ４にコンデンサ８の機能を受け
持たせることができる。
【００２３】コンデンサ９と１０はノイズ防止のために
用いられ、これらのコンデンサによって著しく高い周波
数の電流がアースへ流される。このような著しく高い周
波数の電流は、プラズマのスイッチングプロセスによっ
て生じる可能性がある。
用いられ、これらのコンデンサによって著しく高い周波
数の電流がアースへ流される。このような著しく高い周
波数の電流は、プラズマのスイッチングプロセスによっ
て生じる可能性がある。
【００２４】安定化を可能にする本来の特徴は、コンデ
ンサ４，１１ならびにコイル５，１２，１３により行わ
れる。外形的に１２，１３を１つのコイルにまとめるこ
とができる。この場合、装置全体でできるかぎり対称な
構造を得るために、同じ大きさの２つのコイル１２およ
び１３への分割が行われる。
ンサ４，１１ならびにコイル５，１２，１３により行わ
れる。外形的に１２，１３を１つのコイルにまとめるこ
とができる。この場合、装置全体でできるかぎり対称な
構造を得るために、同じ大きさの２つのコイル１２およ
び１３への分割が行われる。
【００２５】１．計算のための基準値はスパッタリング
区間ｘ１における等価抵抗であり、以下ではｒと称す
る。この抵抗値は、目下の電力におけるカソード６，７
間の電圧実効値とその時点でのカソード電流実効値の商
ｒ＝Ｕｋａｔ／Ｉｋａｔとして得られる。
区間ｘ１における等価抵抗であり、以下ではｒと称す
る。この抵抗値は、目下の電力におけるカソード６，７
間の電圧実効値とその時点でのカソード電流実効値の商
ｒ＝Ｕｋａｔ／Ｉｋａｔとして得られる。
【００２６】２．抵抗値ｒが低下したときにカソード
６，７における電力が上昇する場合、タイプ１による特
性をもつカソードにおいて自己安定化が行われる。製造
プロセスにおいて安定化のために十分なゆとりが得られ
るようにしておくため、最大値つまりは自己安定化の目
的が達成される抵抗値を Ｒｍａｘ＝０．５．．．０．
７５ ｘ 所望の定格出力でのｒ に選定する。これにつ
いては図２のＲｋａｔにおける動作点を参照のこと。
６，７における電力が上昇する場合、タイプ１による特
性をもつカソードにおいて自己安定化が行われる。製造
プロセスにおいて安定化のために十分なゆとりが得られ
るようにしておくため、最大値つまりは自己安定化の目
的が達成される抵抗値を Ｒｍａｘ＝０．５．．．０．
７５ ｘ 所望の定格出力でのｒ に選定する。これにつ
いては図２のＲｋａｔにおける動作点を参照のこと。
【００２７】３．動作周波数において、カソード側から
みた回路１の入力インピーダンスを誘導性でなければな
らない。
みた回路１の入力インピーダンスを誘導性でなければな
らない。
【００２８】４．回路１の入力インピーダンスＲｅは周
波数が小さいときにはＲｍａｘよりも大きく、周波数が
動作周波数よりも小さければ最小値（第１のゼロ位置）
まで低下する。
波数が小さいときにはＲｍａｘよりも大きく、周波数が
動作周波数よりも小さければ最小値（第１のゼロ位置）
まで低下する。
【００２９】５．動作周波数において入力インピーダン
スＲｅの値は１．４１４ ｘ Ｒｍａｘとなり、つまり入
力インピーダンスＲｅの虚数部と実数部はＲｍａｘと等
しくなる。
スＲｅの値は１．４１４ ｘ Ｒｍａｘとなり、つまり入
力インピーダンスＲｅの虚数部と実数部はＲｍａｘと等
しくなる。
【００３０】６．周波数がさらに上昇すると入力インピ
ーダンスＲｅは最大値まで高まり、その後、第２の最小
値（第２のゼロ位置）まで下がる。この第２のゼロ位置
における周波数は動作周波数のほぼ３倍である。
ーダンスＲｅは最大値まで高まり、その後、第２の最小
値（第２のゼロ位置）まで下がる。この第２のゼロ位置
における周波数は動作周波数のほぼ３倍である。
【００３１】各構成素子に関する実際の値は以下のとお
りである： 動作周波数：４０ｋＨｚ Ｃ１＝０．６μＦ Ｃ２＝１８μＦ Ｃ３＝１０８ｎＦ Ｃ４＝８ｎＦ Ｃ５＝８ｎＦ Ｌ１＝１６μＨ Ｌ２＝Ｌ３＝２３μＨ トランスの変圧比１：２ １２５ｋＷの定格電力におけるスパッタリング区間の等
価抵抗ｒは実施例（図２）では２Ω、最大電力における
抵抗Ｒｍａｘは１Ω
りである： 動作周波数：４０ｋＨｚ Ｃ１＝０．６μＦ Ｃ２＝１８μＦ Ｃ３＝１０８ｎＦ Ｃ４＝８ｎＦ Ｃ５＝８ｎＦ Ｌ１＝１６μＨ Ｌ２＝Ｌ３＝２３μＨ トランスの変圧比１：２ １２５ｋＷの定格電力におけるスパッタリング区間の等
価抵抗ｒは実施例（図２）では２Ω、最大電力における
抵抗Ｒｍａｘは１Ω
【図１】一対のカソードのための電流給電の電流回路図
である。
である。
【図２】電力と抵抗値ｒの関係を示すダイアグラムであ
る。
る。
２ 振動回路 ６，７ カソード １４ 基板 １５ 被覆槽
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨアヒム シュチュルボフスキー ドイツ連邦共和国 ゴルトバッハ リング オーフェンシュトラーセ ５ (72)発明者 ゲッツ テシュナー ドイツ連邦共和国 ゲルンハウゼン アム フェルゼンケラー ２
Claims (5)
- 【請求項１】 真空中で基板を被覆する装置において、 交流電流源（２）が設けられており、該交流電流源
（２）は、真空排気可能な被覆槽（１５）内に配置され
た２つのカソード（６，７）と接続されており、 該カソード（６，７）はガス放電においてスパッタリン
グされるターゲットと電気的に共働し、該カソードのス
パッタリングされる粒子が基板（１４）上に堆積し、 前記被覆槽（１５）内にプロセスガスを導入可能であ
り、 前記交流電流源（２）とカソード対（６、７）との間に
フィルタとしてはたらく回路（１）が配置されており、
該回路はトランス（３）とコイルおよびコンデンサによ
り構成されており、 前記交流電流源（２）の周波数はフィルタのいかなる固
有周波数とも異なっており、 ガス放電により交流電流に対し形成されるカソード抵抗
値（ｒ）の関数であるカソード電力（Ｐ）の経過特性は
最大値を有しており、 前記抵抗値の最大値は、動作点（Ａ）におけるカソード
抵抗値が最大値（Ｍ）における抵抗値と異なるように、
かつ前記回路（１）のインピーダンスが１つのプロセス
状態から別のプロセス状態への移り変わりを妨げるよう
に選定されていることを特徴とする、 真空中で基板を被覆する装置。 - 【請求項２】 カソード電力とカソード抵抗値の関係は
式 Ｐ＝ｒ／（ｂ0 ＋ ｂ2 ｒ2 ） により記述される、請求項１記載の装置。 - 【請求項３】 電力最大値（Ｍ）における抵抗は、動作
点（Ａ）でのカソード抵抗値がほぼ２倍の大きさになる
よう選定されている、請求項１または２記載の装置。 - 【請求項４】 カソード側から回路（１）に向かってみ
たインピーダンスは誘導性である、請求項１〜３のいず
れか１項記載の装置。 - 【請求項５】 カソード（６，７）におけるすべてのプ
ロセス状態でのカソード抵抗値は電力最大値（Ｍ）にお
ける抵抗値よりも大きいかないしは小さい、請求項１〜
４のいずれか１項記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19537212A DE19537212A1 (de) | 1994-10-06 | 1995-10-06 | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum |
| DE19537212.3 | 1995-10-06 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09111449A true JPH09111449A (ja) | 1997-04-28 |
| JP3442589B2 JP3442589B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=7774164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26452496A Expired - Lifetime JP3442589B2 (ja) | 1995-10-06 | 1996-10-04 | 基板を被覆する装置 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5807470A (ja) |
| EP (1) | EP0767483B1 (ja) |
| JP (1) | JP3442589B2 (ja) |
| KR (1) | KR100235573B1 (ja) |
| CN (1) | CN1074582C (ja) |
| AT (1) | ATE183019T1 (ja) |
| BR (1) | BR9605001A (ja) |
| CA (1) | CA2184432C (ja) |
| DE (2) | DE19537212A1 (ja) |
| ES (1) | ES2134538T3 (ja) |
| SG (1) | SG40883A1 (ja) |
| TW (1) | TW413831B (ja) |
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| JP2013511816A (ja) * | 2009-11-24 | 2013-04-04 | エージーシー グラス ユーロップ | Ｄｂｄ電極を分極するための方法及び装置 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| DE19605932A1 (de) * | 1996-02-17 | 1997-08-21 | Leybold Systems Gmbh | Verfahren zum Ablagern einer optisch transparenten und elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat aus durchscheinendem Werkstoff |
| DE19651615C1 (de) * | 1996-12-12 | 1997-07-10 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Aufbringen von Kohlenstoffschichten durch reaktives Magnetron-Sputtern |
| DE19651811B4 (de) * | 1996-12-13 | 2006-08-31 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Vorrichtung zum Belegen eines Substrats mit dünnen Schichten |
| DE19956733A1 (de) | 1999-11-25 | 2001-06-28 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Regelung von Sputterprozessen |
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| TWI693860B (zh) * | 2017-06-27 | 2020-05-11 | 日商佳能安內華股份有限公司 | 電漿處理裝置 |
| WO2019003309A1 (ja) | 2017-06-27 | 2019-01-03 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4887005A (en) * | 1987-09-15 | 1989-12-12 | Rough J Kirkwood H | Multiple electrode plasma reactor power distribution system |
| JPH01268869A (ja) * | 1988-04-20 | 1989-10-26 | Fuji Photo Film Co Ltd | スパッタリング装置 |
| DE3923661A1 (de) * | 1989-07-18 | 1991-01-24 | Leybold Ag | Schaltungsanordnung fuer die anpassung der impedanz einer plasmastrecke an einen hochfrequenzgenerator |
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1995
- 1995-10-06 DE DE19537212A patent/DE19537212A1/de not_active Withdrawn
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1996
- 1996-06-27 AT AT96110337T patent/ATE183019T1/de active
- 1996-06-27 DE DE59602601T patent/DE59602601D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-27 EP EP96110337A patent/EP0767483B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1996-06-27 ES ES96110337T patent/ES2134538T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1996-07-05 TW TW085108121A patent/TW413831B/zh active
- 1996-07-24 SG SG1996010302A patent/SG40883A1/en unknown
- 1996-08-01 US US08/690,835 patent/US5807470A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-08 KR KR1019960032951A patent/KR100235573B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1996-08-29 CA CA002184432A patent/CA2184432C/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-28 CN CN96122829A patent/CN1074582C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1996-10-04 BR BR9605001A patent/BR9605001A/pt not_active IP Right Cessation
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| US9401265B2 (en) | 2009-11-24 | 2016-07-26 | Agc Glass Europe | Method and device for polarizing a DBD electrode |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19537212A1 (de) | 1996-04-11 |
| SG40883A1 (en) | 1997-06-14 |
| US5807470A (en) | 1998-09-15 |
| ES2134538T3 (es) | 1999-10-01 |
| EP0767483B1 (de) | 1999-08-04 |
| CA2184432A1 (en) | 1997-04-07 |
| EP0767483A1 (de) | 1997-04-09 |
| BR9605001A (pt) | 1998-06-23 |
| KR100235573B1 (ko) | 1999-12-15 |
| CA2184432C (en) | 2006-01-24 |
| KR970023537A (ko) | 1997-05-30 |
| DE59602601D1 (de) | 1999-09-09 |
| CN1074582C (zh) | 2001-11-07 |
| JP3442589B2 (ja) | 2003-09-02 |
| CN1155748A (zh) | 1997-07-30 |
| TW413831B (en) | 2000-12-01 |
| ATE183019T1 (de) | 1999-08-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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