JPH032366A - 透明導電膜形成装置および透明導電膜形成方法 - Google Patents
透明導電膜形成装置および透明導電膜形成方法Info
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- JPH032366A JPH032366A JP13346389A JP13346389A JPH032366A JP H032366 A JPH032366 A JP H032366A JP 13346389 A JP13346389 A JP 13346389A JP 13346389 A JP13346389 A JP 13346389A JP H032366 A JPH032366 A JP H032366A
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、最近の映像機器、ＯＡ機器等に用いられるＩ
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）の透明
導電膜を形成する装置および形成方法に関するものであ
る。そして、液晶デイスプレィに用いられるカラーフィ
ルタ用のＩＴＯＩＩの形成に特に有効な形成装置および
形成方法に関するものである。
ＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ ０ｘｉｄｅ）の透明
導電膜を形成する装置および形成方法に関するものであ
る。そして、液晶デイスプレィに用いられるカラーフィ
ルタ用のＩＴＯＩＩの形成に特に有効な形成装置および
形成方法に関するものである。
従来の技術
ＩＴＯの透明導電膜の形成に関しては、種々の方法があ
るが、製膜速度が大きく、低温で膜形成が可能なスパッ
タ法が主流である。スパッタ法を用いたＩＴＯ透明導電
膜の従来の形成装置および形成方法について、以下に簡
単に説明する。
るが、製膜速度が大きく、低温で膜形成が可能なスパッ
タ法が主流である。スパッタ法を用いたＩＴＯ透明導電
膜の従来の形成装置および形成方法について、以下に簡
単に説明する。
第４図に示した従来の形成装置の概略図において、真空
チャンバ１にはスパッタターゲット２を取り付けたカソ
ード３が電気絶縁物４を介して設置されている。
チャンバ１にはスパッタターゲット２を取り付けたカソ
ード３が電気絶縁物４を介して設置されている。
被処理基板５はスパッタターゲット２に対向した状態で
基板ホルダ６に設置されている。スパッタ用の作動ガス
は作動ガス導入系８から真空チャンバ１内に導入される
。放電用電源９からは放電に必要な電力がカソード３に
供給される。ここで、ＩＴＯ薄膜を形成する場合、スパ
ッタターゲット２にＩＴＯターゲットを用いる場合と、
インジウムとスズの合金ターゲットを用いる場合の２通
りがあり、ターゲット材料の違いにより、放電用電源か
らの供給電力が直流または交流、作動ガスの主成分のア
ルゴンガス中に添加する酸素ガスの比率等が変化するが
、装置構成には大きな違いはない。
基板ホルダ６に設置されている。スパッタ用の作動ガス
は作動ガス導入系８から真空チャンバ１内に導入される
。放電用電源９からは放電に必要な電力がカソード３に
供給される。ここで、ＩＴＯ薄膜を形成する場合、スパ
ッタターゲット２にＩＴＯターゲットを用いる場合と、
インジウムとスズの合金ターゲットを用いる場合の２通
りがあり、ターゲット材料の違いにより、放電用電源か
らの供給電力が直流または交流、作動ガスの主成分のア
ルゴンガス中に添加する酸素ガスの比率等が変化するが
、装置構成には大きな違いはない。
発明が解決しようとする課題
ＩＴＯ透明導電膜は、電気抵抗が低く、光透過率が大き
いことが必要である。また、これを用いた製品の低コス
ト化および生産性の向上のために、製膜速度が大きいこ
とも望まれる。それゆえに、放電時の供給電力を太きく
シ、スパッタ圧力と作動ガスの成分を最適化して製膜を
行ってきた。ところが、液晶デイスプレィのカラーフィ
ルタ用のＩＴＯ膜は、主に結合エネルギの小さい有機物
のフィルタ上に形成されるので、■ＴＯ製膜時のプラズ
マの作用で、有機物の結合が破壊され、カラーフィルタ
としての機能（色の再現性等）低下を引き起こすと共に
ＩＴＯ膜の割れ、剥離等を発生させる原因となっていた
。そこで、カラーフィルタの損傷を防ぐためにカラーフ
ィルタ上にプラズマに耐性をもつ保護膜を塗布し、その
上にＩＴＯ膜を形成する手法があるが、これはカラーフ
ィルタの製造工程数を増加させ、製造コストの増加につ
ながる。さらに、この保護膜も有機物で形成される場合
が多く、保護膜表面が局所的に損傷を受け、これによる
ＩＴＯＨの割れ、剥離等の問題点は解決されていない。
いことが必要である。また、これを用いた製品の低コス
ト化および生産性の向上のために、製膜速度が大きいこ
とも望まれる。それゆえに、放電時の供給電力を太きく
シ、スパッタ圧力と作動ガスの成分を最適化して製膜を
行ってきた。ところが、液晶デイスプレィのカラーフィ
ルタ用のＩＴＯ膜は、主に結合エネルギの小さい有機物
のフィルタ上に形成されるので、■ＴＯ製膜時のプラズ
マの作用で、有機物の結合が破壊され、カラーフィルタ
としての機能（色の再現性等）低下を引き起こすと共に
ＩＴＯ膜の割れ、剥離等を発生させる原因となっていた
。そこで、カラーフィルタの損傷を防ぐためにカラーフ
ィルタ上にプラズマに耐性をもつ保護膜を塗布し、その
上にＩＴＯ膜を形成する手法があるが、これはカラーフ
ィルタの製造工程数を増加させ、製造コストの増加につ
ながる。さらに、この保護膜も有機物で形成される場合
が多く、保護膜表面が局所的に損傷を受け、これによる
ＩＴＯＨの割れ、剥離等の問題点は解決されていない。
本発明は上記課題に鑑み、被処理基板に損傷を与えずに
、電気抵抗が低く、光透過率の高いＩＴＯ膜を高い歩留
りで形成することを目的とする。
、電気抵抗が低く、光透過率の高いＩＴＯ膜を高い歩留
りで形成することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明の透明導電膜形成装置は、真空チャンバ、真空排
気系、ガス導入系、ＩＴＯまたはインジウムとスズの合
金のスパッタリングターゲットおよび放電用電源等を具
備したスパッタリング装置において、真空チャンバ内に
プラズマ発光分析器、被処理基板の表面近傍にプラズマ
状態計測プローブを設置し、プラズマ発光分析器とプラ
ズマ状態計測プローブに接続した製膜制御装置からの信
号で真空チャンバ内の真空度、放電用電源からの供給電
力およびガス導入系からの作動ガスを制御するものであ
る。また、本発明の透明導電膜形成方法は、上記のスパ
ッタリング装置において、被処理基板の表面近傍に設置
したプラズマ計測用プローブで検出したプラズマの電子
ｚ温度を被処理基板材料の解離エネルギ以下に制御する
もので、プラズマの電子温度をスパッタ圧力およびター
ゲット平均電流密度で制御し、スパッタ圧力を１５ｍＴ
ｏｒｒ以下、ターゲット平均電流密度を１．８ｍＡ／Ｃ
ｍ２以上の範囲において製膜を行うものである。
気系、ガス導入系、ＩＴＯまたはインジウムとスズの合
金のスパッタリングターゲットおよび放電用電源等を具
備したスパッタリング装置において、真空チャンバ内に
プラズマ発光分析器、被処理基板の表面近傍にプラズマ
状態計測プローブを設置し、プラズマ発光分析器とプラ
ズマ状態計測プローブに接続した製膜制御装置からの信
号で真空チャンバ内の真空度、放電用電源からの供給電
力およびガス導入系からの作動ガスを制御するものであ
る。また、本発明の透明導電膜形成方法は、上記のスパ
ッタリング装置において、被処理基板の表面近傍に設置
したプラズマ計測用プローブで検出したプラズマの電子
ｚ温度を被処理基板材料の解離エネルギ以下に制御する
もので、プラズマの電子温度をスパッタ圧力およびター
ゲット平均電流密度で制御し、スパッタ圧力を１５ｍＴ
ｏｒｒ以下、ターゲット平均電流密度を１．８ｍＡ／Ｃ
ｍ２以上の範囲において製膜を行うものである。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の透明導電膜形成装置の概略構成図であ
り、真空チャンバ１にはスパッタターゲット２を取り付
けたカソード３が電気絶縁物４を介して設置されている
。被処理基板５はスパッタターゲット２に対向した状態
で基板ホルダ６に設置されている。そして、この基板ホ
ルダ６は絶縁スペーサ１０により真空チャンバ１と電気
的に絶縁されており、被処理基板５がプラズマの空間電
位に置かれるようにしである。真空チャンバ１内には放
電時のプラズマ計測用の２つの機器が設置されている。
り、真空チャンバ１にはスパッタターゲット２を取り付
けたカソード３が電気絶縁物４を介して設置されている
。被処理基板５はスパッタターゲット２に対向した状態
で基板ホルダ６に設置されている。そして、この基板ホ
ルダ６は絶縁スペーサ１０により真空チャンバ１と電気
的に絶縁されており、被処理基板５がプラズマの空間電
位に置かれるようにしである。真空チャンバ１内には放
電時のプラズマ計測用の２つの機器が設置されている。
１つ目は、プラズマ発光分析器１１であり、２つ目は基
板ホルダ６に固定され、被処理基板５の近傍に設置され
たプラズマ状態計ホ１１用プローブである。これらの２
つの機器にはそれぞれ、発光データ処理装置１３、プロ
ーブデータ処理装置１４が接続されている。これらの２
つの機器からのプラズマ状態に関するデータは、製膜制
御装置１５で製膜条件の制御信号に変換され、その制御
信号にしたがって、放電用電源９の供給電力制御、真空
排気系７によるスパッタ圧力制御、ガス導入系１６のア
ルゴンガス流量制御機１７、酸素ガス流量制御機１８に
よるアルゴンガスと酸素ガスの流量比および流量の総量
制御が行われる。
板ホルダ６に固定され、被処理基板５の近傍に設置され
たプラズマ状態計ホ１１用プローブである。これらの２
つの機器にはそれぞれ、発光データ処理装置１３、プロ
ーブデータ処理装置１４が接続されている。これらの２
つの機器からのプラズマ状態に関するデータは、製膜制
御装置１５で製膜条件の制御信号に変換され、その制御
信号にしたがって、放電用電源９の供給電力制御、真空
排気系７によるスパッタ圧力制御、ガス導入系１６のア
ルゴンガス流量制御機１７、酸素ガス流量制御機１８に
よるアルゴンガスと酸素ガスの流量比および流量の総量
制御が行われる。
ここで、ＩＴＯ薄膜を形成する場合、スパッタターゲッ
ト２にＩＴＯターゲットを用いる場合と、インジウムと
スズの合金ターゲットを用いる場合の２通りがあり、タ
ーゲット材料の違いにより、放電用電源からの供給電力
が直流または交流、作動ガスの主成分のアルゴンガス中
に添加する酸素ガスの比率等が変化するが、装置構成に
は大きな違いはない。
ト２にＩＴＯターゲットを用いる場合と、インジウムと
スズの合金ターゲットを用いる場合の２通りがあり、タ
ーゲット材料の違いにより、放電用電源からの供給電力
が直流または交流、作動ガスの主成分のアルゴンガス中
に添加する酸素ガスの比率等が変化するが、装置構成に
は大きな違いはない。
上記の装置構成による作用を、本発明の透明導電膜形成
方法の説明と共に、以下に記述する。第２図（ａ）は、
ターゲット平均電流密度と製膜したＩＴＯ膜のシート抵
抗の関係、第２図（ｂ）はスパッタ圧力とＩＴＯ膜のシ
ート抵抗の関係、第３図はスパッタターゲット２から被
処理基板５までのプラズマの電子温度の分布を示す図で
、（ａ）はスパッタ圧力を変化させた場合のもの、 （
ｂ）はターゲット平均電流密度を変化させた場合のもの
である。
方法の説明と共に、以下に記述する。第２図（ａ）は、
ターゲット平均電流密度と製膜したＩＴＯ膜のシート抵
抗の関係、第２図（ｂ）はスパッタ圧力とＩＴＯ膜のシ
ート抵抗の関係、第３図はスパッタターゲット２から被
処理基板５までのプラズマの電子温度の分布を示す図で
、（ａ）はスパッタ圧力を変化させた場合のもの、 （
ｂ）はターゲット平均電流密度を変化させた場合のもの
である。
シート抵抗は第２図（ａ）に示すように、ターゲット平
均電流密度Ｉの増加に伴って、減少し、ある値Ｉｓ以上
でほぼ一定値になり、そのＩ９の値は１．８ｍＡ／ｃｍ
”であった。また、第２図（ｂ）に示すように、スパッ
タ圧力Ｐがある値Ｐｅ以上で大きく増加し、Ｐ＠の値は
１５ｍＴｏｒｒであった。
均電流密度Ｉの増加に伴って、減少し、ある値Ｉｓ以上
でほぼ一定値になり、そのＩ９の値は１．８ｍＡ／ｃｍ
”であった。また、第２図（ｂ）に示すように、スパッ
タ圧力Ｐがある値Ｐｅ以上で大きく増加し、Ｐ＠の値は
１５ｍＴｏｒｒであった。
＜ｃＬ）＜ｂ）
次に、第３図に示したように、プラズマの電子温度はス
パッタターゲット２から離れる（被処理基板５に近ずく
）はど、減少する傾向があることがわかっている。そし
て、スパッタ圧力Ｐが小さいほど、ターゲット平均電流
密度Ｉが大きいほど、電子温度Ｔｅは太き（なる。
パッタターゲット２から離れる（被処理基板５に近ずく
）はど、減少する傾向があることがわかっている。そし
て、スパッタ圧力Ｐが小さいほど、ターゲット平均電流
密度Ｉが大きいほど、電子温度Ｔｅは太き（なる。
ここで、このような放電特性を持つスパッタ法を用いて
、液晶デイスプレィのカラーフィルタ上にＩＴＯ膜を製
膜する場合、■ＴＯ製膜時のプラズマ状態を制御する必
要がある。すなわち、カラーフィルタ材料は主にを機器
であり、その結合エネルギは比較的小さい。−例として
、カラーフィルタ材料の一つであるアクリル樹脂の最小
結合解離エネルギは８８ｋｃ ａ ｌ／ｍｏ １程度で
あり、電子ボルト単位で表すと、約４ｅＶである。した
がって、カラーフィルタ上に照射するプラズマの電子温
度が４ｅＶ以上になると、有機物が結合解離し、その結
果、カラーフィルタの色再現性等の重要な機能を低下さ
せると共に、カラーフィルタ表面の荒れの発生によるＩ
ＴＯ膜の割れ、剥離を引き起こす原因になる。
、液晶デイスプレィのカラーフィルタ上にＩＴＯ膜を製
膜する場合、■ＴＯ製膜時のプラズマ状態を制御する必
要がある。すなわち、カラーフィルタ材料は主にを機器
であり、その結合エネルギは比較的小さい。−例として
、カラーフィルタ材料の一つであるアクリル樹脂の最小
結合解離エネルギは８８ｋｃ ａ ｌ／ｍｏ １程度で
あり、電子ボルト単位で表すと、約４ｅＶである。した
がって、カラーフィルタ上に照射するプラズマの電子温
度が４ｅＶ以上になると、有機物が結合解離し、その結
果、カラーフィルタの色再現性等の重要な機能を低下さ
せると共に、カラーフィルタ表面の荒れの発生によるＩ
ＴＯ膜の割れ、剥離を引き起こす原因になる。
そこで、 ｒ’ｒｏｇの製膜条件としては、ＩＴＯ膜の
機能（電気抵抗、光透過率）を溝足する条件と、上記の
解離エネルギ以下になる条件の２条件を満たす条件が最
適製膜条件となる。具体的に述べると、ＩＴＯ膜の機能
は通常±１０％は許容されるので、ターゲット平均電流
密度Ｉおよびスパッタ圧力Ｐの条件は、第２図に示した
ように、Ｉ＞ Ｉ ＋ 、Ｐ ＜ Ｐ ＋ になる。そ
して、解離エネルギからの条件は、第３図に示したよう
に、被処理基板５表面の近傍に設置したプラズマ状態計
測プローブでの電子温度が、被処理基板５の解離エネル
ギに相当する電子温度の値Ｔ ｅ ａ以下になる条件、
すなわち、Ｉ＜Ｌｈ Ｐ＞Ｐｓのようになる。以上の条
件を重ね合わせた条件、ターゲット平均電流密度Ｉは、
ＩＩ＜Ｉ＜Ｉ２、スパッタ圧力Ｐは、Ｐ ａ ＜ Ｐ
＜ Ｐ ＋が最適製膜条件になる。
機能（電気抵抗、光透過率）を溝足する条件と、上記の
解離エネルギ以下になる条件の２条件を満たす条件が最
適製膜条件となる。具体的に述べると、ＩＴＯ膜の機能
は通常±１０％は許容されるので、ターゲット平均電流
密度Ｉおよびスパッタ圧力Ｐの条件は、第２図に示した
ように、Ｉ＞ Ｉ ＋ 、Ｐ ＜ Ｐ ＋ になる。そ
して、解離エネルギからの条件は、第３図に示したよう
に、被処理基板５表面の近傍に設置したプラズマ状態計
測プローブでの電子温度が、被処理基板５の解離エネル
ギに相当する電子温度の値Ｔ ｅ ａ以下になる条件、
すなわち、Ｉ＜Ｌｈ Ｐ＞Ｐｓのようになる。以上の条
件を重ね合わせた条件、ターゲット平均電流密度Ｉは、
ＩＩ＜Ｉ＜Ｉ２、スパッタ圧力Ｐは、Ｐ ａ ＜ Ｐ
＜ Ｐ ＋が最適製膜条件になる。
上記のような最適製膜条件を常に瀾足させるために、プ
ラズマ状態計測プローブ１２で、被処理基板５近傍のプ
ラズマの電子温度を測定し、上記の条件を溝だすように
製膜制御装置１８が、放電用電源９からの供給電力、真
空チャンバ１内に供給するアルゴンガスと酸素ガスの流
量および真空排気系７の排気能力を制御している。さら
に、■Ｔｏ膜の機能（電気抵抗、光透過率）および製膜
速度は、製膜時のアルゴンガスと酸素ガスの比率で影響
を受けるので、プラズマ発光分析器１１で検出し、発光
データ処理装置１３で得たアルゴンとインジウムの強度
比、アルゴンと酸素の強度比が所定の値になるように、
製膜制御装置工５で製膜条件制御を行っている。
ラズマ状態計測プローブ１２で、被処理基板５近傍のプ
ラズマの電子温度を測定し、上記の条件を溝だすように
製膜制御装置１８が、放電用電源９からの供給電力、真
空チャンバ１内に供給するアルゴンガスと酸素ガスの流
量および真空排気系７の排気能力を制御している。さら
に、■Ｔｏ膜の機能（電気抵抗、光透過率）および製膜
速度は、製膜時のアルゴンガスと酸素ガスの比率で影響
を受けるので、プラズマ発光分析器１１で検出し、発光
データ処理装置１３で得たアルゴンとインジウムの強度
比、アルゴンと酸素の強度比が所定の値になるように、
製膜制御装置工５で製膜条件制御を行っている。
このような作用により、被処理基板５に損傷を与えず、
低抵抗、高透過率のＩＴＯ膜を安定に形成することがで
きる。
低抵抗、高透過率のＩＴＯ膜を安定に形成することがで
きる。
発明の効果
本発明の透明導電膜形成装置および透明導電膜形成方法
は、いかなる材料の被処理基板にも低抵抗、高透過率の
ＩＴＯ膜を、基板損傷を起こさず安定に形成できる。そ
のため、製品の歩留り向上に効果が大きい。また、被処
理基板材料の適応範囲が拡大され、従来、ＩＴＯ膜をス
パッタ法で形成できないために使用できなかった材料も
使用可能になる。
は、いかなる材料の被処理基板にも低抵抗、高透過率の
ＩＴＯ膜を、基板損傷を起こさず安定に形成できる。そ
のため、製品の歩留り向上に効果が大きい。また、被処
理基板材料の適応範囲が拡大され、従来、ＩＴＯ膜をス
パッタ法で形成できないために使用できなかった材料も
使用可能になる。
第１図は本発明の透明導電膜形成装置の概略構成図、第
２図および第３図は本発明の透明導電膜形成方法の原理
を示す作用説明図、第４図は従来の透明導電膜形成装置
の概略構成図である。 １０・・絶縁スペーサ、１１・・プラズマ発光分析器、
１２・・プラズマ状態針ｉ１？Ｉ＋プローブ、１３・・
発光データ処理装置、１４・・プローブデータ処理装置
、１５・・製膜制御装置、１６・・ガス導入系、１７・
・アルゴンガス流量調整機、１８・・酸素ガス流量調整
機。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 １３ ・− ４−一 ６−−一 １７ ・・− １８・・− １！ シＩ ス ペ − “ワ′プラズマ発光
分灯品 プラズマ状譬計？ｌブローづ 発光ナータ処Ｍ装置 プｏ−−ブ乎−タ！２１１理表置 ＊ｌｌ１１！蝉曜１１“１□ｇ□！ 乃ス導入系 アルゴンカス陵を講整微 酸素カズ濠量Ｏ１整升 第２図 （Ｃ） ズパヮ９圧カ 第 あ （へ） （ｂン 第 図
２図および第３図は本発明の透明導電膜形成方法の原理
を示す作用説明図、第４図は従来の透明導電膜形成装置
の概略構成図である。 １０・・絶縁スペーサ、１１・・プラズマ発光分析器、
１２・・プラズマ状態針ｉ１？Ｉ＋プローブ、１３・・
発光データ処理装置、１４・・プローブデータ処理装置
、１５・・製膜制御装置、１６・・ガス導入系、１７・
・アルゴンガス流量調整機、１８・・酸素ガス流量調整
機。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 １３ ・− ４−一 ６−−一 １７ ・・− １８・・− １！ シＩ ス ペ − “ワ′プラズマ発光
分灯品 プラズマ状譬計？ｌブローづ 発光ナータ処Ｍ装置 プｏ−−ブ乎−タ！２１１理表置 ＊ｌｌ１１！蝉曜１１“１□ｇ□！ 乃ス導入系 アルゴンカス陵を講整微 酸素カズ濠量Ｏ１整升 第２図 （Ｃ） ズパヮ９圧カ 第 あ （へ） （ｂン 第 図
Claims (4)
- （１）真空チャンバ、真空排気系、ガス導入系、ＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）またはインジウ
ムとスズの合金のスパッタリングターゲットおよび放電
用電源等を具備し、前記真空チャンバ内にプラズマ発光
分析器およびプラズマ状態計測プローブを設置し、前記
プラズマ発光分析器と前記プラズマ状態計測プローブに
接続した製膜制御装置からの信号で前記真空チャンバ内
の真空度、前記放電用電源からの供給電力および前記ガ
ス導入系からの作動ガスを制御する透明導電膜形成装置
。 - （２）被処理基板を設置する基板ホルダを真空チャンバ
と電気的に絶縁し、プラズマ状態計測プローブを前記被
処理基板の表面近傍に設置した請求項１記載の透明導電
膜形成装置。 - （３）真空チャンバ、真空排気系、ガス導入系、ＩＴＯ
またはインジウムとスズの合金のスパッタリングターゲ
ットおよび放電用電源等を具備したスパッタリング装置
において、被処理基板の表面近傍に設置したプラズマ計
測用プローブで検出したプラズマの電子温度が被処理基
板材料の解離エネルギ以下に制御する透明導電膜形成方
法。 - （４）プラズマの電子温度をスパッタ圧力およびターゲ
ット平均電流密度で制御し、前記スパッタ圧力を１５ｍ
Ｔｏｒｒ以下、前記ターゲット平均電流密度を１．８ｍ
Ａ／ｃｍ＾２以上の範囲において製膜を行う請求項３記
載の透明導電膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133463A JP2584058B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 透明導電膜形成装置および透明導電膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1133463A JP2584058B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 透明導電膜形成装置および透明導電膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH032366A true JPH032366A (ja) | 1991-01-08 |
| JP2584058B2 JP2584058B2 (ja) | 1997-02-19 |
Family
ID=15105372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1133463A Expired - Fee Related JP2584058B2 (ja) | 1989-05-26 | 1989-05-26 | 透明導電膜形成装置および透明導電膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2584058B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004285431A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
| JP2008121034A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置 |
| JP2012153976A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | 真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータを求めるための方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161063A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method and device for sticking metallic oxide film on substrate |
-
1989
- 1989-05-26 JP JP1133463A patent/JP2584058B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57161063A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | Method and device for sticking metallic oxide film on substrate |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004285431A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法およびスパッタリング装置 |
| JP2008121034A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Kochi Prefecture Sangyo Shinko Center | 酸化亜鉛薄膜の成膜方法及び成膜装置 |
| JP2012153976A (ja) * | 2011-01-27 | 2012-08-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | 真空析出プロセスのプロセス的に重要なデータを求めるための方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2584058B2 (ja) | 1997-02-19 |
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