JPH01283357A - 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 - Google Patents
酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法Info
- Publication number
- JPH01283357A JPH01283357A JP116089A JP116089A JPH01283357A JP H01283357 A JPH01283357 A JP H01283357A JP 116089 A JP116089 A JP 116089A JP 116089 A JP116089 A JP 116089A JP H01283357 A JPH01283357 A JP H01283357A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal oxide
- sheet resistance
- light transmittance
- argon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 238000001675 atomic spectrum Methods 0.000 claims abstract description 22
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 41
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 28
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 23
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 5
- 238000001637 plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 7
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 8
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 3
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 3
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はフィルム上に光線透過率、シート抵抗値および
密着力の均一な酸化金属薄膜を被覆したフィルムの製造
方法に関するものである。
密着力の均一な酸化金属薄膜を被覆したフィルムの製造
方法に関するものである。
〔従来の技術]
帯状フィルムに半連続的に反応性スパッタ蒸着が可能な
装置を用いた酸化金属薄膜被覆フィルムの製造方法は、
大面積薄膜を有するフィルムが容易に得られることを特
長としており、工業的に非常に有効であるが、カソード
、アノード電流、フィルム温度、酸素流量、アルゴン流
量を一定に保ってもターゲットの表面状態が逐次変化す
る。
装置を用いた酸化金属薄膜被覆フィルムの製造方法は、
大面積薄膜を有するフィルムが容易に得られることを特
長としており、工業的に非常に有効であるが、カソード
、アノード電流、フィルム温度、酸素流量、アルゴン流
量を一定に保ってもターゲットの表面状態が逐次変化す
る。
その結果蒸着速度、被着金属の酸化度、すなわち、光線
透過率、密着力、シート抵抗値が変動する。
透過率、密着力、シート抵抗値が変動する。
そこで、カソード電流、アノード電流、あるいは酸素流
量を、シート抵抗値、密着力、光線透過率が一定になる
ように常時調節ことか必要になる。
量を、シート抵抗値、密着力、光線透過率が一定になる
ように常時調節ことか必要になる。
しかし、成膜時において、光線透過率、シート抵抗値、
及び密着力の均一な連続帯状フィルムを作成するために
、蒸着速度、被着金属の酸化度を高精度で一定にするよ
うに酸素あるいは、カッ−I・、及びアノード電流を常
時最適値に合せることは困難であった。
及び密着力の均一な連続帯状フィルムを作成するために
、蒸着速度、被着金属の酸化度を高精度で一定にするよ
うに酸素あるいは、カッ−I・、及びアノード電流を常
時最適値に合せることは困難であった。
(発明が解決しようとする課題〕
半連続的に操作可能なスパッタ装置を用いて酸化金属被
覆フィルムを生産する際、ンート抵抗値、光線透過率お
よび密着力を均一にすることである。この目的を達成す
るために、本発明者はターゲットに一定電流が流れるよ
うにした状態で酸素の手動調節を行なう方法にかわる自
動調節法の研究をした結果、成膜中ターゲット付近で発
生するプラズマ光中のターゲットの構成物質とアルゴン
の原子スペクトル強度の測定値あるいは、それらの演算
結果が一定になるように酸素流量あるいは、カソード電
流を調節するという手法を応用し、さらにアルゴンの原
子スペクトル光強度が一定範囲内となるようにアノード
電流を調節すれば、光線透過率あるいは、シーI・抵抗
値及び密着力の均一な連続した酸化金属薄膜被覆透明導
電性フィルムを容易に製造できるという知見を得、更に
この知見に基づき種々の研究を進めて本発明を完成する
に至ったものである。
覆フィルムを生産する際、ンート抵抗値、光線透過率お
よび密着力を均一にすることである。この目的を達成す
るために、本発明者はターゲットに一定電流が流れるよ
うにした状態で酸素の手動調節を行なう方法にかわる自
動調節法の研究をした結果、成膜中ターゲット付近で発
生するプラズマ光中のターゲットの構成物質とアルゴン
の原子スペクトル強度の測定値あるいは、それらの演算
結果が一定になるように酸素流量あるいは、カソード電
流を調節するという手法を応用し、さらにアルゴンの原
子スペクトル光強度が一定範囲内となるようにアノード
電流を調節すれば、光線透過率あるいは、シーI・抵抗
値及び密着力の均一な連続した酸化金属薄膜被覆透明導
電性フィルムを容易に製造できるという知見を得、更に
この知見に基づき種々の研究を進めて本発明を完成する
に至ったものである。
本発明は、プラズマ発光分光分析システム、光線透過率
及びシート抵抗測定システムとこれらのシステムから測
定結果を供給酸素量、放電電流、又は放電電力にフィー
トハ、りするシステムを有するロールトウロールの半連
続式フィルム基板用スパッタ装置を用いて、光線透過率
、シート抵抗値およびターゲット表面付近におけるター
ゲラ1−の構成物質及びアルゴンの原子スペクトル強度
を測定し、光線透過率及びシート抵抗値が設定範囲内に
入るようターゲットの構成物質及びアルゴンの原子スペ
クトル強度の測定値あるいはそれらの演算結果を一定に
保つよう酸素流量、放電電力、又は放電電流を調節する
と同時に、アルゴンの原子スペクトル強度が一定範囲に
なるようにアノード電流を調節することにより光線透過
率、シート抵抗値及び密着力を均一にすることを特徴と
する酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルムの製造方法で
ある。
及びシート抵抗測定システムとこれらのシステムから測
定結果を供給酸素量、放電電流、又は放電電力にフィー
トハ、りするシステムを有するロールトウロールの半連
続式フィルム基板用スパッタ装置を用いて、光線透過率
、シート抵抗値およびターゲット表面付近におけるター
ゲラ1−の構成物質及びアルゴンの原子スペクトル強度
を測定し、光線透過率及びシート抵抗値が設定範囲内に
入るようターゲットの構成物質及びアルゴンの原子スペ
クトル強度の測定値あるいはそれらの演算結果を一定に
保つよう酸素流量、放電電力、又は放電電流を調節する
と同時に、アルゴンの原子スペクトル強度が一定範囲に
なるようにアノード電流を調節することにより光線透過
率、シート抵抗値及び密着力を均一にすることを特徴と
する酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルムの製造方法で
ある。
本発明は、フィルム上に酸化金属薄膜を半連続的に成膜
する際、その薄膜の光線透過率あるいはシート抵抗値、
密着性を一定に維持する方法であるが、図面を参照しな
がら本発明を具体的に説明すると、本発明は、真空度1
0−5〜10−’(Toor)に維持可能な排気系を有
する密閉容器(1)、フィルム(2)の巻き出しロール
(15)、巻き取りロール(16L成膜時におけるフィ
ルムの温度の調整を目的とする温調ドラム(3)、Fi
膜膜の原料となるターゲットと呼ばれる金属板(5)、
その表面に磁場を印加する磁石、スパッタのためのカソ
ード電源(IQ)、成膜する際、酸化を促進するアノー
ド(4)、密閉容器(1)内に酸素及びアルゴンを流入
ずマスフローコントローラー(6)、ターゲット表面の
アルゴン及びインジウムの原子スペク1−ル強度を測定
するプラズマモニター(13) 、成膜された後、巻き
取られる前にフィル1、の性能を測定する透過率計(1
2)、抵抗計(11)を有するスバ、り装置を用いて成
膜中、巻き取りロール(16)、フィルム温度調節ロー
ル(3)間で光線透過率あるいはシート抵抗値を測定し
、ターゲット(5)の表面におけるクーゲット(5)の
構成物質とアルゴンの原子スペクトル強度を測定し、光
線透過率又はシート抵抗値が設定範囲内に入るようにタ
ーゲットの構成物質及びアルゴンの原子スペク]・ル強
度の測定値あるいは、それらの演算結果を一定に保つよ
うに酸素流量又はカソード電流を調節し、それに加えて
、アノード源流を調節することにより均一な光線透過率
、シート抵抗値、および密着性を有する酸化金属膜付フ
ィルムの製造方法である。
する際、その薄膜の光線透過率あるいはシート抵抗値、
密着性を一定に維持する方法であるが、図面を参照しな
がら本発明を具体的に説明すると、本発明は、真空度1
0−5〜10−’(Toor)に維持可能な排気系を有
する密閉容器(1)、フィルム(2)の巻き出しロール
(15)、巻き取りロール(16L成膜時におけるフィ
ルムの温度の調整を目的とする温調ドラム(3)、Fi
膜膜の原料となるターゲットと呼ばれる金属板(5)、
その表面に磁場を印加する磁石、スパッタのためのカソ
ード電源(IQ)、成膜する際、酸化を促進するアノー
ド(4)、密閉容器(1)内に酸素及びアルゴンを流入
ずマスフローコントローラー(6)、ターゲット表面の
アルゴン及びインジウムの原子スペク1−ル強度を測定
するプラズマモニター(13) 、成膜された後、巻き
取られる前にフィル1、の性能を測定する透過率計(1
2)、抵抗計(11)を有するスバ、り装置を用いて成
膜中、巻き取りロール(16)、フィルム温度調節ロー
ル(3)間で光線透過率あるいはシート抵抗値を測定し
、ターゲット(5)の表面におけるクーゲット(5)の
構成物質とアルゴンの原子スペクトル強度を測定し、光
線透過率又はシート抵抗値が設定範囲内に入るようにタ
ーゲットの構成物質及びアルゴンの原子スペク]・ル強
度の測定値あるいは、それらの演算結果を一定に保つよ
うに酸素流量又はカソード電流を調節し、それに加えて
、アノード源流を調節することにより均一な光線透過率
、シート抵抗値、および密着性を有する酸化金属膜付フ
ィルムの製造方法である。
基板フィルムとしてはポリエーテルサルフォオン(PE
S)、ポリエチレンテレフタレー1−(PET) 、ポ
リイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PET)、ポ
リカーボネー1−(PC)等を用いることができる。
S)、ポリエチレンテレフタレー1−(PET) 、ポ
リイミド(PI)、ポリエーテルイミド(PET)、ポ
リカーボネー1−(PC)等を用いることができる。
クーゲットの構成物質としては、インジウム(I n)
、スズ(Sn)、インジウム・スズ合金(IT)シリ
コン(Si)、チタン(T i ) 、セリウム(Ce
)、亜鉛(Zn)などがある。
、スズ(Sn)、インジウム・スズ合金(IT)シリ
コン(Si)、チタン(T i ) 、セリウム(Ce
)、亜鉛(Zn)などがある。
反応性スパッタリングにおいて典型的なものは励起され
、正イオン化されたアルゴンによるターゲット表面に対
する衝撃によって起動される。
、正イオン化されたアルゴンによるターゲット表面に対
する衝撃によって起動される。
その衝撃がターゲットの構成物質をたたき出し、その物
質はアルゴンと同時に流入された酸素と反応し、反応生
成物は被覆されるべき対象物に被着する。スパッタリン
グ途中、ターゲットは酸素にさらされ、酸化されること
により、その表面状態は変化する。その結果、酸素流量
を一定にしていても被着速度、蒸着膜質が変化する。
質はアルゴンと同時に流入された酸素と反応し、反応生
成物は被覆されるべき対象物に被着する。スパッタリン
グ途中、ターゲットは酸素にさらされ、酸化されること
により、その表面状態は変化する。その結果、酸素流量
を一定にしていても被着速度、蒸着膜質が変化する。
アノード電流はターゲット表面に衝突するアルゴンのエ
ネルギーと相関がある。当然アノード電流は飛散したク
ーゲットの構成物質のエネルギー、被着後の残留応力、
すなわち密着力に大きく影響し、低くすることが好まし
い。しかし、低くするに従い、光線透過率は低く、シー
ト抵抗値は高くなる。故に酸素ならびにアノード電流の
調節が必要になる。
ネルギーと相関がある。当然アノード電流は飛散したク
ーゲットの構成物質のエネルギー、被着後の残留応力、
すなわち密着力に大きく影響し、低くすることが好まし
い。しかし、低くするに従い、光線透過率は低く、シー
ト抵抗値は高くなる。故に酸素ならびにアノード電流の
調節が必要になる。
スパンタリングによる成膜プロセスにおいてはプラズマ
が発生する。プラズマ光中のアルゴン及びクーゲット構
成物質の原子スペクトル強度はプラズマ中のそれぞれの
量に対応する。
が発生する。プラズマ光中のアルゴン及びクーゲット構
成物質の原子スペクトル強度はプラズマ中のそれぞれの
量に対応する。
アルゴン量に対するターゲットの構成物質の割り合はク
ーゲソ!・の表面状態を示す。例えば、酸素を多く入れ
ればターゲット表面の酸化がすすみアルゴンの衝撃に対
してもターゲットの構成物質は飛散しなくなる。その結
果、アルゴン量に対するターゲットの構成物質の割り合
は減少する。ターゲット表面の酸化状態はプラズマ中に
おけるターゲットの構成物質の量の変化に対応している
。
ーゲソ!・の表面状態を示す。例えば、酸素を多く入れ
ればターゲット表面の酸化がすすみアルゴンの衝撃に対
してもターゲットの構成物質は飛散しなくなる。その結
果、アルゴン量に対するターゲットの構成物質の割り合
は減少する。ターゲット表面の酸化状態はプラズマ中に
おけるターゲットの構成物質の量の変化に対応している
。
シート抵抗値及び光線透過率は基板の表面状態が一定で
あると仮定すれば被着速度、被着金属酸化物の酸化度に
よって決定される。故に、シート抵抗値及び光線透過率
を均一にすることは、酸素流量の調節によりターゲット
の構成物質とアルゴンの原子スペクトル強度の測定値あ
るいは、それらの演算結果を一定にすることによって可
能である。
あると仮定すれば被着速度、被着金属酸化物の酸化度に
よって決定される。故に、シート抵抗値及び光線透過率
を均一にすることは、酸素流量の調節によりターゲット
の構成物質とアルゴンの原子スペクトル強度の測定値あ
るいは、それらの演算結果を一定にすることによって可
能である。
それに加えて、アルゴンの原子スペクトル強度がある一
定範囲内に入るようにアノード電流を調節してやると一
定した密着力をもつ酸化金属皮膜の成膜が可能である。
定範囲内に入るようにアノード電流を調節してやると一
定した密着力をもつ酸化金属皮膜の成膜が可能である。
この手法を半連続的に酸化金属被覆フィルムの製造が可
能な反応性スパッタ装置に応用すれば連続的に原子スペ
クトル、シート抵抗値、光線透過率及びアノード電流の
相関を成膜中に追跡できるため、より精度のよいシート
抵抗値、光線透過率及び密着力の制御が可能となる。
能な反応性スパッタ装置に応用すれば連続的に原子スペ
クトル、シート抵抗値、光線透過率及びアノード電流の
相関を成膜中に追跡できるため、より精度のよいシート
抵抗値、光線透過率及び密着力の制御が可能となる。
例として、インジウム・スズ酸化物(ITO)被覆透明
導電性フィルムの製造が上げられる。
導電性フィルムの製造が上げられる。
従来成膜プロセス中において、フィルムの長手−8=
方向の抵抗変化を±15(%)巾方向の抵抗変化を±1
0(%)とするには常時熟練者による酸素流量の調節が
必要となり抵抗値又は光線透過率の測定からはコンピュ
ータによる自動化は不可能であった。加えて、密着力の
制御は全く不可能であった。
0(%)とするには常時熟練者による酸素流量の調節が
必要となり抵抗値又は光線透過率の測定からはコンピュ
ータによる自動化は不可能であった。加えて、密着力の
制御は全く不可能であった。
本発明に従えば、成膜プロセスにおいて、プラズマモニ
ターソステム、フィードバックシステムを組み合せるこ
とにより、第2図に示す図中、最もシート抵抗値が低く
、光線透過率の高いインジウム対アルゴンの比の値に5
%の精度で合せることができ、フィルムの長手方向に対
して±5(%)以内、1]方向に±5%以内の抵抗変化
にすることが可能である。同時に、アルゴンの原子スペ
クトル強度の絶対値の振れ巾を5(%)以内にするとほ
ぼ均一な密着力を有する膜の形成が可能である。
ターソステム、フィードバックシステムを組み合せるこ
とにより、第2図に示す図中、最もシート抵抗値が低く
、光線透過率の高いインジウム対アルゴンの比の値に5
%の精度で合せることができ、フィルムの長手方向に対
して±5(%)以内、1]方向に±5%以内の抵抗変化
にすることが可能である。同時に、アルゴンの原子スペ
クトル強度の絶対値の振れ巾を5(%)以内にするとほ
ぼ均一な密着力を有する膜の形成が可能である。
さらにプラズマのその場観察によるため、デガスによる
状態の象、峻な変化にも対応でき不良品の発生を防止で
きる。
状態の象、峻な変化にも対応でき不良品の発生を防止で
きる。
(実施例]
例として、ITO透明導電性フィルムの製造を説明する
。第1図に製造装置を示す。密閉容器(1)内の真空度
を10−5〜I 0−7(Toor)とし、フィルム(
2)を0.1〜3.0m/minで定速走行させ、/M
調ドラム(3)を50〜200’Cに合せ]0−4〜1
0−2Toorとなるまでアルゴンを流入し、ターゲッ
ト(5)にターゲット(5)の面積に対する電流密度が
20〜30A/n?となるよう電圧を印加し、経験によ
り最適と思われる流量の415〜5/6の酸素を0□ガ
スボンへ(7)より流入する。酸素流量をマスフローコ
ントローラー(6)でi化させることにより、PES基
板の場合シー;・抵抗値又は光線透過率(600nmの
場合)とアルゴンに対するインジウムの原子スペクトル
の比との関係を求めれば第2図のようになる。第2図に
おいて、最適な状態になるようにインジうム及びアルゴ
ンの原子スペクトルの値を演算器(8)を用いて酸素を
流入するマスフローコン1−ローラ(6)4mフィード
バックしてその比を一定に保てば手動での酸素調節の際
フィルムの長手方向に±15(%)rll回向±10%
以上あったバラツキが5%以内になり合せて密着力とア
ルコンの原子スペク)・生強度を把握しておきアノード
電流を調節してやれば密着力のばらつきが従来の半分に
まで改善された。
。第1図に製造装置を示す。密閉容器(1)内の真空度
を10−5〜I 0−7(Toor)とし、フィルム(
2)を0.1〜3.0m/minで定速走行させ、/M
調ドラム(3)を50〜200’Cに合せ]0−4〜1
0−2Toorとなるまでアルゴンを流入し、ターゲッ
ト(5)にターゲット(5)の面積に対する電流密度が
20〜30A/n?となるよう電圧を印加し、経験によ
り最適と思われる流量の415〜5/6の酸素を0□ガ
スボンへ(7)より流入する。酸素流量をマスフローコ
ントローラー(6)でi化させることにより、PES基
板の場合シー;・抵抗値又は光線透過率(600nmの
場合)とアルゴンに対するインジウムの原子スペクトル
の比との関係を求めれば第2図のようになる。第2図に
おいて、最適な状態になるようにインジうム及びアルゴ
ンの原子スペクトルの値を演算器(8)を用いて酸素を
流入するマスフローコン1−ローラ(6)4mフィード
バックしてその比を一定に保てば手動での酸素調節の際
フィルムの長手方向に±15(%)rll回向±10%
以上あったバラツキが5%以内になり合せて密着力とア
ルコンの原子スペク)・生強度を把握しておきアノード
電流を調節してやれば密着力のばらつきが従来の半分に
まで改善された。
ただし第2図もこ示す関係は微妙に経時変化する可能性
があり、均一・性を追求するなら常にアルゴンに対する
インジウムの原子スペクトルの比とシート抵抗値、光線
透過率の関係を把握する必要がある。その場合、第2図
の関係の変化に応してアルゴン、インジウムの原子スペ
クトル強度の比の設定をかえるという動作が必要となる
。本発明で用いる装置においては生産と同時に微妙な変
化をI巴1屋しテ゛イジタルコンピューター(14)に
より判定し追跡補正が可能となった。
があり、均一・性を追求するなら常にアルゴンに対する
インジウムの原子スペクトルの比とシート抵抗値、光線
透過率の関係を把握する必要がある。その場合、第2図
の関係の変化に応してアルゴン、インジウムの原子スペ
クトル強度の比の設定をかえるという動作が必要となる
。本発明で用いる装置においては生産と同時に微妙な変
化をI巴1屋しテ゛イジタルコンピューター(14)に
より判定し追跡補正が可能となった。
第1図は半連続式ITO透明導電性フィルムの製造装置
の概略図、第2図は酸素流量を変化さゼた時のインジウ
ム対アルゴンの原子スペクトルる。 特許出願人 住友ヘークライト株式会社=12=
の概略図、第2図は酸素流量を変化さゼた時のインジウ
ム対アルゴンの原子スペクトルる。 特許出願人 住友ヘークライト株式会社=12=
Claims (1)
- (1)プラズマ発光分光分析システム、光線透過率、及
びシート抵抗測定システムとこれらのシステムから測定
結果を供給酸素量、放電電流、又は放電電力にフィード
バックするシステムを有するロールトウロールの半連続
式フィルム基板用スパッタ装置を用いて、光線透過率、
シート抵抗値およびターゲット表面付近におけるターゲ
ットの構成物質及びアルゴンの原子スペクトル強度を測
定し、光線透過率及びシート抵抗値が設定範囲内に入る
ようターゲットの構成物質及びアルゴンの原子スペクト
ル強度の測定値あるいはそれらの演算結果を一定に保つ
よう酸素流量、放電電力、又は放電電流を調節すると同
時に、アルゴンの原子スペクトル強度が一定範囲になる
ようにアノード電流を調節することにより光線透過率、
シート抵抗値及び基板フィルムと薄膜との密着力を均一
にすることを特徴とする半連続的な酸化金属薄膜被覆透
明導電性フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP116089A JP2771208B2 (ja) | 1988-01-09 | 1989-01-09 | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP181788 | 1988-01-09 | ||
JP63-1817 | 1988-01-09 | ||
JP116089A JP2771208B2 (ja) | 1988-01-09 | 1989-01-09 | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01283357A true JPH01283357A (ja) | 1989-11-14 |
JP2771208B2 JP2771208B2 (ja) | 1998-07-02 |
Family
ID=26334334
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP116089A Expired - Lifetime JP2771208B2 (ja) | 1988-01-09 | 1989-01-09 | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2771208B2 (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0413859A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Stec Kk | 装飾用反応性スパッタ装置 |
JPH0794045A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
JPH09195035A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-29 | Teijin Ltd | 透明導電性フィルムの製造装置 |
JPH1129863A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Canon Inc | 堆積膜製造方法 |
JP2003201562A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 成膜モニタリング方法 |
JP2006131955A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
JP2006219753A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
JP2009235488A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置及び真空成膜方法並びに導電性フィルム |
JP2020033646A (ja) * | 2019-10-23 | 2020-03-05 | デクセリアルズ株式会社 | 薄膜形成装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002275628A (ja) * | 2001-03-21 | 2002-09-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | スパッタリング成膜方法 |
-
1989
- 1989-01-09 JP JP116089A patent/JP2771208B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0413859A (ja) * | 1990-05-01 | 1992-01-17 | Stec Kk | 装飾用反応性スパッタ装置 |
JPH0794045A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
JPH09195035A (ja) * | 1996-01-10 | 1997-07-29 | Teijin Ltd | 透明導電性フィルムの製造装置 |
JPH1129863A (ja) * | 1997-07-10 | 1999-02-02 | Canon Inc | 堆積膜製造方法 |
JP2003201562A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-18 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 成膜モニタリング方法 |
JP2006131955A (ja) * | 2004-11-05 | 2006-05-25 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 透明導電膜の製造方法 |
JP2006219753A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Shincron:Kk | 薄膜形成装置 |
JP2009235488A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置及び真空成膜方法並びに導電性フィルム |
JP2020033646A (ja) * | 2019-10-23 | 2020-03-05 | デクセリアルズ株式会社 | 薄膜形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2771208B2 (ja) | 1998-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6537428B1 (en) | Stable high rate reactive sputtering | |
US5292417A (en) | Method for reactive sputter coating at least one article | |
US4936964A (en) | Process for producing film coated with transparent conductive metal oxide thin film | |
US6106676A (en) | Method and apparatus for reactive sputtering employing two control loops | |
EP2003225B1 (en) | Ion gun system, vapor deposition apparatus and process for producing lens | |
JP2007138193A (ja) | 真空蒸着装置の運転方法および真空蒸着装置 | |
JPH1129863A (ja) | 堆積膜製造方法 | |
JPH01283357A (ja) | 酸化金属薄膜被覆透明導電性フィルム製造方法 | |
US9758855B2 (en) | Closed loop control | |
RU2352683C2 (ru) | Способ напыления на ленточные подложки прозрачного барьерного покрытия из оксида алюминия | |
US20120255855A1 (en) | Method of controlling lithium uniformity | |
US6783641B2 (en) | Vacuum treatment system and process for manufacturing workpieces | |
KR20180105070A (ko) | 반응성 스퍼터링 장치 및 반응성 스퍼터링 방법 | |
BR112015000350B1 (pt) | método de revestimento por pulsos de alta potência | |
US6740210B2 (en) | Sputtering method for forming film and apparatus therefor | |
JP2002212720A (ja) | スパッタリング方法およびスパッタリング装置 | |
Czternastek et al. | Voltage-controlled DC reactive magnetron sputtering of indium-doped zinc oxide films | |
JP2003017039A (ja) | リチウム二次電池用電極の形成装置および形成方法 | |
JP2002180247A (ja) | 透明導電積層体の製造方法および製造装置 | |
JP2607091B2 (ja) | 長尺のフィルム基板に金属酸化物被膜を連続的に付着させる方法及びその装置 | |
US20120193219A1 (en) | Method for determining process-specific data of a vacuum deposition process | |
JP2004063271A (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
JP3528930B2 (ja) | 透明導電膜の製造方法 | |
JPS596376A (ja) | スパツタ装置 | |
JPH05156439A (ja) | 透明導電膜の製造方法及び測定装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090417 Year of fee payment: 11 |