經濟部中央掠準局員工消费合作社印紫 413813 A7 B7五、發明説明（1 ) 玆明背畏 發明頜娀 本發明有IS —種输入第一级電路.且較特別地·有關 一種當半導體裝置於等待狀態時用於輪入第一扱電路之 電滾消耗減少之方法。 祖技說1 大致地，半導體裝置之輸入第一级電路係由一差動放 大器及若干開關所組成，且當該半導體裝置於等待狀態 時具有輸入信號之差動放大動作及電流消耗減少之動作。 習知輸入第一鈒電路之一貿例顯示於第1(a)圖中，所 顯示之輸入第一级電路含有一差動放大器23用从比較一 輸入信號Vin與一參考電壓Vref及放大其間之電壓差， 一第一開關電路8用K控制供應至差動放大器2a之電流 ,K及一第二開關電路9用以設定差動玫大器2a之输出 V 〇 u t ° 、 差動放大器2a係一 CMOS (互補型金鼷氧化物半専體）其 含有H通道H0S (金屬氧化物半導體）電晶體（下文中稱 為NM0S(N型金蹰氧化物半導體））N1及H2,輪入信號VU 及參考電壓V「ef分別地供應至H1及H2, P通道H0S電晶 體PMOS P1及P2其形成一電流鏡電路，Μ及一 NMOS H4其 作業為一恆常電流源而具備有一恆常電壓供應於偏壓 其閘極。 第一開關電路8含有PMOS (Ρ型金臛氧化物半導體）Ρδ 及Ρ 9附加地連接於差動放大器2a用Μ當一激活信號ΕΒ供 -3- 讀先閱讀背而之注意事項再磺寫本頁) 訂 ^ 本紙乐尺度適用中國围家標率（CNS ) Λ4規格（2Η)Χ 297公楚） 經濟部中央標卑局員工消费合作社印裝 413813 A7 · 87五、發明説明（2 ) 應於其閘極時停止電源供應於差動放大器2a。第二開關 電路9含有一 KMOS N8用Μ固定輸出Vout之準位於一低 準位而供應於差動放大器2a之電流保持停止。進一步地 ，第1(a)圖中之信號S1代表一至PM0S電流鏡之閘極控制 信號，信號S4代表差動放大器2a之一共用之接點信號， Μ及信號S9及S10代表至差動放大器2a之電源供應信號。 描繪於第1(b)圖中之輪入電壓/電流消耗特性指出當 輪入第一级電路係活化及非活化時相對於輪入信號之電 壓V ί η的常態化之電流消耗，此處，V c c表、示一電源供 應電壓，Vtn表示HM0S之臨限電壓，而Vtp表示PM0S之 臨限電壓。進一步地，當輸入信號之電壓Vi η低於Vtn 或落在一高於電源供應電壓Vcc與PM0S之臨限電壓Vtp 之差值（Vcc-Vtp)之範圍内但等於或低於Vcc時之狀態 在下文中稱為等待狀態，也就是CMOS等待狀態。在習知 上，CMOS之等待狀態係熟知為一種技術用以降低半専體 裝置之輸入第一级電路之電流消耗及用Μ控制整個半専 體裝置之電流消耗於一低值，且例如，廣泛地被利用來 增加手提式裝置及類似物中之電池的支援時間。 當激活信號ΕΒ係於指示激活之低準位時，第一開關電 路8顯示出専通（on)狀態，且若輸入信號Vin之準位高 於參考電壓V r e f時則輪出高準位之輸出信號V 〇 u t，相反 地，若輪入信號Vin之準位低於參考電®V「ef時則輪出 低準位。於此例中之電流消耗係根據輸入信號Vin之準 位而定，如第1(b)画之所示。較特別地，當輸人信號 -4- (請先閱讀背而之注意事項再填」ϊξ本頁) 413813 經濟部中央標準局員工消费合作社印奴 A7 B7五、發明説明（3 ) V ί η 之準位低於H HO S之臨限值Vtn時，電流消耗為零 ，但是當輸人信號Vin之準位高於NM0S之臨限值Vtn時 ，則電滾消耗具有一等於或低於HMOS N4作用為一恆常 電流源之穩態電流值la之電流值。 另一方面，當激活信號EB係於指示补激活之高準位 時，第一開闞電路8顯示關閉（off)狀態而第二開關電 路9顯示導通狀態（on)。因灶，輸出Vout顯示出低準位 而無闞輸入信號Vin之準位。於此例中之電流消耗為零 ，如第1(b)圃之非活化特性之所示。 以上述此一方式所操作之輪入第一级電路中，當輸人 準位係低準位時，在CMOS等特狀態中之電流消耗為零， 而當輸人準位係高準位時，則在C Μ 0 S等待狀態中之電流 消耗為I a。為了減少電流消耗，激活信號Ε Β被控制為非 活化。然而，使激活信號EB為非活化並不根據輸入信號 VU而是根據不同的信號，·.質際上，該不同的信號像由 一電路其作業及時地超前於輸入第一级電路而予K產生 的0 K如上述之此一等待狀態之一電流消耗減少之方法的 具體實例，將描述一種用於半導體記憶裝置之通用性 DRAM所形成之第一级電路。 第2(a)及2(b)圖分別係輸入第一鈒電路之電路圖K及 詳细顯示第1U)及第1(b)圖之輸入第一级電路之若干信 號之時序圖。如第2(a)圖中所示，該通用型DRAM含有： 一第一鈒電路10,用於一反相之行位址選通信號（下文 -5 - 讀先閱讀背'&之注意事項再填寫本頁) 訂 —坡 本紙张尺度適川中阀阈家標準（ms) λ4規格（川aw·?公穿） 413813 A7 B7 ^濟部中火標隼局員工消费合作社印" 五、發明説明 ( 4 ) i 1 中 稱 為 RASB 信 號 ); κ及- -第- 一 Ϊ 及電路1 1， 用於- -反相 ! 1 之 列 位 址 選 通 信 號 (下文中稱為CASB) 〇 該 RASB 第 —_- 级 電 1 1 路 10係 由 * 相 對 應 於 上 文 中 所 述 之 第 1 a) 圖 之 差 動 放 大 請 1 先 1 器 2a 之 差 動 放 大 器 所 形 成 〇 同 時 1 CASB 第 ---- 级 電 路 1 1 相 間 讀 1 對 應 於 第 1 ( a ) 圖 之 等 待 狀 態 中 用 於 電 流 消 耗 減 少 之 整 個 背 而 1 之 i 輪 入 第 —·* 級 電 路 〇 然 而 t R A S B 係 輸 人 來 取 代 上 述 之 激 活 1 事 i 信 號 ΕΒ 項 1 再 I 如 第 2(b) 圖 中 所 示 t 含 有 ft 方 式 中 之 RASB 第 级 電 路 填 寫 本 1 1 0 及 CASB 第 鈒 電 路 1 1 之 通 用 型 DEAM 表 琨 一 等 待 之 狀 態 頁 1 I 而 R ASB 信 號 係 高 準 位 f CASB 信 號 則 在 RASB 信 號 具 有 低 準 ί| 位 之 期 間 内 變 化 至 低 準 位 Μ 執 行 寫 人 / m 取 之 作 業 〇 在 ί 1 R ASB 信 號 為 高 準 位 之 期 間 之 週 期 第 —^* 级 電 路 11 無 需 作 1 訂 業 且 由 R A S Β 信 號 而 成 為 非 活 化 P 使 得 等 待 狀 態 中 之 電 流 1 消 耗 減 少 〇 另 ™. 方 面 t 由 於 RASB 信 號 成 為 整 涸 第 — 级 電 1 1 路 10之 參 考 9 故 RASB 第 一 级 電 路 10不 具 有 控 制 第 ^· 级 電 ! 1 路 1 0本 臼 之 活 化 / 非 活 化 之 另 一 信 號 > 因 而 ， 在 等 待 狀 1 態 中 之 第 ___1 级 電 路 10 之 電 流 消 耗 無 法 減 少 0 β. 上 述 第 1 ( a ) 圖 之 輪 入 第 一 级 電 路 具 有 一 問 題 其 中 需 要 i I 激 活 信 號 EBM 及 若 干 之 由 該 激 活 信 號 EB所 控 制 之 開 關 電 1 1 路 Η 便 減 少 等 待 狀 態 之 電 流 消 耗 及 其 中 同 時 必 須 準 镅項· 1 ! 用 以 控 制 該 激 活 信 號 之 另 一 信 號 〇 ί 1 另 方 面 1 第 2(a) 圖 之 輸 入 第 一 級 電 路' t 特 別 係 RASB 1 第 一 级 電 路 10 具 有 一 問 題 9 其 中 由 於 RASB 信 號 係 使 用 為 1 一 參 考 信 號 > 故 用 以 控 制 第 一 级 電 路 10 為 活 化 / 非 活 化 1 1 -6 1 1 1 1 本纸张尺度適/ί]中WW'df卞<:_ (·、、 \4R怵I 210X297公犛） 413813 A7 B7 五、發明説明（5 ) 之信號無法獲自另外電路，因而，參考第1(a)及1(b)圖 之上述之在等待狀態中減少電流消耗之此一第一级電路 無法被採用。同時，CASB第一级電路11係不佳的，其中 需要諸如RASB信號之外激活信號Μ用於活化/非活化之 控制，且其中為了取得方才所述之激活信號，必須準確 地設計控制該CASB第一级電路之活化週期及非活化週期 之時序，使CASB第一级電路之本身複雜化。 發明粧沭 本發明之目的在於提供一種輸人第一级電路其可排除 上述問題可以以一簡單之電路構成來減少等待狀態中之 電流消竓而不必利用到與輸入信號無Μ之另一激活信號。 根據本發明，一種用於半導體裝置之輸入第一级電路 包含：一差動放大器，用Κ比較一輸人信號與一參考電 壓及用Μ放大該輸入信號與該參考電壓間之電騮差；Κ 及一準位檢測電路，用Κ檢出該輪入信號之一預定電壓 準位Μ產生一電源供應斷接信號用於該微分放大器.當 該準位檢測電路產生電源供應斷接信號時，會停止電源 供應於該差動放大器。 經濟部令央標準局貝工消费合作社印聚 (請先間讀背'&之注意事項再填寫本頁) 進一步地，本發明之輸入第一趿電路之差動放大器含 有：差動配對電晶體，用Μ比較該輪入信號與參考電壓 ;Μ及一開關電晶體.用Μ接收該電源供應斷接信號Μ 控制該電源供應，且該差動故大器係根據該輪入信號而 開關於活化與非活化之間。 再者，本發明之輸入第一级電路之準位檢測電路含有 -7- 本紙張尺度適用中國阁家標準（CNS ) Λ4規格（2KiX2y7公；^ )
經濟部中次標率局負工消费合作社印W 413813 A7 B7五、發明説明（) 一低準位等待檢測器用W檢出g輸入信號之一低準位及 一高準位等待檢測器用以檢出該輸入信號之一高準位， 各該低準位等待檢測器及該高準位等待檢测器含有一輸 入级電晶體輸入該輸入信號，且當該低準位等待檢測器 檢出該輸入信號係一低於輸入級電晶體之臨限電壓之低 準位而該高準位等待檢測器檢出該綸入信號之準位係高 於該輸人鈒電晶體與電源供應電壓間之電壓差之準位時 ,而該等準位之一被檢出畤，停止電源供應於該差動放 大器。 進一步地，本發明中之該準位檢測電路根據一 K該输 入级電晶體之臨限電壓為主之電壓值而產生一電源供應 斷接信號。 本發明之輸入第一级電路具有一功效，其中藉由上逑 裝置及方法.可控制輸入第一级電路本身之活化與非活 化之狀態，且即使當輸入信號係於一等待狀態時，諸如 一通用型DRAM之RASB信號其為堅個裝置之參考信號被拖 加為一第一鈒電路之信號時，可滅少電源濟耗。 進一步地，由於控制輸入第一级電路於活化與非活化 間之信號係由準位檢測電路所產生，故可簡單地執行活 化與非活化間之開翮控制。 本發明之上述與其他目的，特性及優點將從下文說明 且參照描繪之附圖及本發明較佳實施例而'呈更明顯。 第1(a)圖係習知輸入第一级電路之一形式之電路圖， _ 8 一 (讀先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中阁國家標津（CNS } Λ4^枯.. 413813 A7 B7 五、發明説明（ 第 及 號 信 入 輪 之 路 電 级 - 第 人 輸 該 繪 描 式 圖 - 係 圖 性 特 之 耗 消 流 電 之 知路 習電 之該 示述 所描 中 , 圖圖 a)序 1(時 第一 示係 顯圖 V).- » b 圖 2 路第 電及 1 * 係例 圖踅 3)细 2 詳 第之 路 之一 例第 施人 實輸 1 之 第圖 之a) 路3( 電第 级繪 一 描 第式 入圖 輸一 之係 明圖 ;發b) 序本 3 時係第 之圖及 號a)-信3{_ 干第路 若 電 性 特 之 耗 消 流 電 之一 例第 施入 實输 二 之 第圃 之a) 路4( 電第 级繪 一 描 第式 入圖 輸一 之係 I 明圖 號發丨 信本 人係第 輸圖及 之a), 路 4 圖 電第路 级 電 之 號明 信發 入本 輸像 之圖 路 5 電第 级 性 特 之 耗 消 滾 電 sa 之 例 施 實三 第 之 路 電 级 一 第 入 輸 第及第 入M人 輸 .， 輸。 之圃之圖 明路明路 發電發電 本之本之 係路係路 圖電圖電 ; 6 測 7 _ 圖第檢第檢 路位位 準 之 例 胞 實 四 第 之 路 電 级 準 之 例 拖 實 五 第 之 路 電 级 (請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁)
Jas_ 螋! 經濟部中央標隼局U貝工消费合作社印褽 含 包 例 施 實i 第 之 路 電 级1 第 入 输 之 明 M發 本 據 根 考及 參以 1 , 與ut ο η V Vi號 號信 信出 入輸 輸一 一 生 較產 比 Μ 互差 相之 Μ.間 用其 ，大 2 放 器及 大ef 放vr 動壓 差電 號 '信之 信接態 人躇狀 輸應化 之供活 處源非 該電與 至生化 應產活 供以於 否中 2 是態器 測狀大 檢待放 M等動 用0S差 3 C 該 路於闞 電係開 測位來 檢 ms6 位之及 準 CS5 一VI號 冬，>:嗖岣州中闺国士標卑（CNS ) Λ4規格（21(】x：2y7公楚） 413813 經濟部中火榡隼局貨工消fr合作社印裝 A7五、發明説明（β ) 間。 本發明具有下述结構。 差動放大器2含有：N通道電晶體（NMOS)Hl及N2形成 —差動配對·· P通道電晶體（PMOS)iM及P2形成一電流鏡 電路；電源供應開關電晶髖P3及N3分別地由電源供懕斷 接信號S5及S6所控制；不同之電源供®E1及E2用Μ分別 地供應一偏壓電壓V偏壓及一參考電壓V「ef供微分比較 之用；以及一 NMOS N4由來自dc(直流）電源供應E1之偏 壓電壓V b i a s所控制。 準位檢測電路3含有：一低準位等待檢測器4 ,肜成 自一高電阻器！Π及一 NMOS H5,其接收供應至其閘極之 輸入信號VU而串聪連接於一電源供應Vcc與接地電位 GND之間，Μ便產生電源供應斷接信號S5; K及一高準 位等待檢測器5 ,形成自一-高電姐器R2及一 PMOS Ρ4 , 其接收供應至其閛極之輸入信號V丨η而同樣地串瞄連接 於一電源供應Vcc與接地電位GHD之間，Μ便產生電源 供應斷接信號S 6。 準位檢測電路3區分是否輸入信號V in之準位表規一 使用電晶體之臨限電壓之CH0S等待狀態，而當輸入信號 VU表現等待狀態時則產生電源供應斷接信號S5及S6之 停止電源供應至差動放大器2 。 具有上述結構之輸入第一级電路1之電流消耗含有如 第3(b)圖中所繪之特性。特別地，在輸人信號Vi η之高 準位輸入週期内，也就是說，當輸入信號Vin之準位高 -10- _ . 方 訂 Ί 0,, I {請先閱讀背而之注意事項再填寫本頁) 本纸张尺度適川中囤阐家標卑（CNS ) Λ4規格（' 21〇〆297公势） 經漭部中决標隼扃員工消费合作社印^ 413813 A7 B7五、發明説明（y ) 於PMOS之臨限電壓Vtp與電源供應電MVcc之電壓差之 值（Vcc-Vtp)但等於或低於電源供應電壓Vcc時，該輸 入第一级電路1之電流消耗表現出電源供應斷接信號S5 及S6之一極低之電流Is。 當輸人信號Vin之準位低於（Vcc-VtP)而為高準位與 低準位間之中間值但高於H H 0 S之臨限電壓V t η時.只消 耗一為該極低電流Is與恆常電流筚和之穩態電流。 另一方面，在輸入信號VU之低準位輸入週期内，也 就是說，當輸入信號Vin之準位高於接地電位GND但低 於NMOS之臨限電壓Vtn時，電流消耗為電源供應斷接信 號S5及S6之極低電流。 將較詳细地解說上述之作業，首先，當輸入信號Vin 之準位具有高於（Vcc-Vtp)之高準位時，高準位等待檢 測器5之PMOS P4係於一關閉之狀態中，而電源供應斷 接信號S6係由高電阻器R2控、制為接地電位（GHD);同時 ，低準位等待檢測器4之NMOS N5係於一導通狀態中， 且足Μ高於由高電胆器R1所供應電流之電流偽透過NMOS Ν5來供應以控制電源供應斷接信號S5於接地電位（GND) 。於此例中，由於差動放大器2之PMOS Ρ3係控制於一 導通（on)之狀態而NMOS Η3係控制於一關閉（off)之狀態 ，故將由差動放大器2所消耗之電流由NM0S Ο所中斷 且因而控制為零。 因此，輸出電壓Vout之準位藉由NMOS N4-N3-H2之路 徑而圼低準位。所M,只由高準位等待檢測器5所消蚝 -Ϊ 1 一
請先閱讀背而之注意事項再填寫本I sn 本紙认尺度屮KNV （（NS ) Λ4^格{ 2】0/ 297公聲-) 413813 A7 B7 經浐部中"標準局負工消费合竹社印^-
五、發明説明 ( 1C ) 1 1 之 電 流 而 取 得 之 輪 人 第 一 级 電 路 1 所 消 耗 之 電 流， 而 在 I ! 此 例 中 之 電 流 消 耗 係 槿 低 之 根 據 高 電 阻 器 R2的 電流 Is » 0 1 1 另 一 方 面 t 當 輸 人 信 號 ν i η 準 位 係 一 中 間 準 位時 * 也 讀 1 先 1 就 是 說 9 當 輸 人 信 號 vi η 之 準 位 低 於 (V C C -V tp)但 高 於 間 讀 1 vt η 時 » 高 準 位 等 待 檢 測 器 5 之 PH0S P 4係於- ^専通（ ,ο η ) 背 \ 之 \ 之 狀 態 中 » 旦 足 Η 高 於 由 差 動 放 大 器 2 所 供 應 電滾 之 電 意 1 1 事 流 被 供 應 1 使 得 電 源 供 應 斷 接 信 號 S6 等 於 電 源 供應 電 m 項 再 填 寫 1 〇 同 時 t 低 準 位 等 待 檢 測 器 4 之 NM0S N5顯示導通（on) 1 本 狀 態 * 由 於 電 流 之 供 應 充 分 地 高 於 由 高 電 阻 器 R1所 供 應 頁 •— 1 I 之 電 流 * 故 電 源 供 應 斷 接 信 號 S5被 控 制 於 接 地 電位 GHD 1 ! 〇 於 此 例 中 由 於 差 動 放 大 器 2 之 PH0S 與 RH0S 二者 皆 顯 1 1 示 導 通 狀 態 » 差 動 放 大 器 2 會 輸 出 一 相 對 應 於 輸入 信 號 1 訂 V i η 之 準 位 的 輸 出 信 號 Vo u t » 換 之 若 輸 人 信號 Vi η 1 之 準 位 高 於 參 考 電 壓 Vr ef時 * 則 輸 出 高 準 位 為 輸出 信 號 1 Vo u t f 若 輸 人 信 號 V i η 之 準 位 低 於 參 考 電 壓 Vr ef時 » 則 1 | 輸 出 低 準 位 為 輸 出 信 號 Vo u t 〇 1 於 此 例 中 之 電 流 消 耗 係 一 預 定 電 流 值 la (=I s x2+N4) 之 β m 態 電 流 其 係 輪 滾 消 耗 於 準 位 檢 測 電 路 3 之 低 準位 等 待 1 I 檢 測 器 4 及 高 準 位 等 待 檢 測 器 5 之 兩 掻 低 電 流 Is與 紈 行 1 1 — 恆 常 電 流 源 作 業 之 NH0S N4之稱態電流之和。 1 1 此 處 要 注 意 的 是 • 為 簡 化 說 明 起 見 而 假 設 R1 =R2 且 各 1 1 極 低 電 流 I s保 實 質 地 等 於 Vc C / R 1 =V C C /R2 時 • 但髙 電 胆 1 R 1 及 R2之 值 並 不 需 要 彼 此 相 等 0 I 接 著 t 當 輪 人 信 號 Vi η 之 準 位 顧 示 一 低 於 V t η 之 低 準 1 1 -1 2- 1 1 1 I 木紙乐尺度i4川中阎网家標卑（CMS ) Λ4現格（210κ297公势） 嫂"部屮央標^局員工消费合作社印製 413813 A7 _ B7__ 五、發明説明（11 ) 位時，則高準位等待檢測器5之PMOS P4顯示一専通狀 態，則足K高於由高電阻器R 2所供應電流之電流被竓供 應*使得電源供應斷接信號S6圼等於電源供懕電壓Vcc 之值。同時，低準位等待檢測器4之NMOS H5係於關閉 之狀態中，而電源供應斷接信號S5係由高電阻U控制於 電源供應電壓Vcc之值。於此例中，由差動放大器2所 消耗之電滾為零係因為，由於PMOS P3係關閉（of f )而 HMOS N3係専通（on),故所烘應之電流由PHOS P3所中斷。 因為用於開關之PHOS P3及NMOS N3係提供於差動放大 器，而檢測一等待電壓準位Μ產生電源供應斷接信號S5 及S6來控制ph〇S Ρ3及NMOS Ν3之準位檢測電路在此方式 中係配置於PMOS Ρ3及NMOS Ν3之前的電路鈒中，故電流 消耗之減少及活化與非活化間之開關控制可簡單地予以 實現。 接著，將說明本發明之第、二實施例。 參考第4(a)圃本發明之輸人第一鈒電路包含一差動 放大器2 ，以及一準位檢測電路6用Μ檢測是否輸入信 號Vin之準位侥一代表CMOS等待狀態之準位>乂產生電源 供應撕接信號S7及S8供開闞該差動放大器2於活化與非 活化之間。與第一實施例中之準位檢測電路3之结構相 較，該準位檢測電路6具有一簡化之结構，且包含一 PMOS P4·—高電阻器R3及一 NMOS N5串聯連接於電源供 應Vcc與接地GHD之間使得電源供應斷接信號S7及58可 抽取自择態電流R3之兩端。如第4<b)圖中所示，本發明 - 1 3 - 本紙乐尺度適用中®闽家標羊（（'NS 1 : 公年） ： J--------訂-------梭 ·· (請尤閱讀背而之注意事項再填·"'?本頁) A7 413813 B7 五、發明説明（12 ) 電路1之輸人信號-電流之消耗特性係實質地相類似於 第3(b)圖之特性，但相異的是其中本電路1消除了極低 電流Is。 本發明電路之作業將說明如下。 首先，當輸人信號Vin之準位高於（Vcc-Vtp)時，準 位檢測電路6之PMOS P4顯示一關閉狀態而NMOS H5顯示 一導通Un)狀態。因此，電源供應斷接信號S7被控制於 接地（GND),且同時，電源供應斷接信號S8由高電胆器 R3控制於接地（GND)。所Μ ,雖然於此例中之作業作係相 同於上述之準位檢測電路3 ,但PHOS Ρ 4惊於關閉（off) 之狀態中，故電流消耗滅少到零。 當輸入信號V U之準位低於Vtn時，因為PMOS P4顯 示一導通吠態而NMOS N5顯示一關閉狀態，故電源供應 斷接信號S8被控制於Vcc ,且同時，電源供應斷接信號 S7由高電阻R3控制於Vcc 。所M,雖在此例中之作業亦 像相同於上述之準位檢測電路3之作業，由於PMOS P4 係於一關閉狀態，故電流之消耗減少至零。 當輸人信號VU之準位係於（Vcc-Vtp)與Vtn之間的 中間準位時，由於準位檢測電路6之PHOS P4及HMOS N5 二者顯示一導通狀態，故電源供應斷接信號S8賴由流經 高電姐R3之電流而控制於Vcc ,而電源供應斷接信號S7 被控制於G K D 。所Μ，雖然於此例中之作業亦相同於準 位檢測電路之作業，此例中之電流消耗係一預定電流la 其係流經高電阻R3及由準位檢測電路6所消耗之極低電 ~ 1 4 _ 本纸乐尺度適川中阈W家標卑（t'NS ) Λ4坭格（2Ι〇κ297公楚） I------訂-------ή‘ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 轉來.部屮央標準局Μ-χ消贽合作社印繁 413813 A7 B7 ®濟部中央標準局員工消"合作社印" 五、發明説明 ( 14 ) I 1 電 流 之 消 耗 為 電 « 類 U 於 第 4(b) 圖 之 所 示 〇 1 ! 當 輪 入 信 號 Vi Π 之 準 位 具 有 中 間 準 位 時 f 也 就 是 說 1 1 ， 當 輸 人 信 號 vi Ω 具 有 準 位 於 (V C C -V t P ) 與 V t η 之 間 讀 1 先 1 時 9 準 位 檢 測 電 路 6 之 電 源 供 應 斷 接 信 號 S7 具 有 GND (接 間 讀 1 地 ) 之 準 位 而 電 源 供 m 斷 接 信 號 S8具 有 Vc C 之 準 位 0 於 背 1 1 之 1 此 例 中 * 由 於 差 動 放 大 器 7 之 PH0S P3及H H0S Ν3 二 者 像 注 意 1 J 於 導 通 (on) 之 狀 態 中 * 差 動 放 大 器 7 輸 出 —- 輸 出 信 號 項 再 I Vo u t 來 響 gtff 懕 輸 人 信 號 V i η 之 準 位 0 尤 其 » 若 輸 人 信 號 填 % 本 1 vi η 之 準 位 高 於 參 考 電 壓 Vr 0 f 時 ， 則 輸 出 信 號 Vo u t 顯 示 買 1 1 高 準 位 * 但 若 輸 人 信 號 V i n 低 於 參 考 電 壓 V r e f時 * 則 輸 1 1 出 信 號 Vo u t 顯 示 低 準 位 〇 因 而 t 電 流 消 耗 為 — 預 定 電 流 1 I 值 la其 係 由 準 位 檢 測 電 路 6 之 高 電 阻 R3所 消 竓 之 極 低 電 ! 訂 流 與 供 PM0S P 5之恆常電流作業用之穩態電流之總和， 1 類 U 於 第 4(b) 圖 中 所 示 〇 1 因 為 本 發 明 第 三 實 施 例 ps 取 代 第 二 實 施 例 中 形 成 微 分 1 放 大 器 之 PH0S 及 KH0S 所 以 可 取 得 第 實 腌 例 之 结 果 〇 1 ί 接 著 » 參 照 第 6 圖 說 明 其 中 修 飾 了 第 ^— 實 施 例 中 之 準 位 檢 測 電 路 3 之 第 四 實 施 例 〇 1 1 本 發 明 之 準 位 檢 測 電 路 3 包 含 了 對 於 第 —- 質 胞 例 中 之 1 ! 低 準 位 等 持檢测益· 4 及 高 準 位 等 待 檢 測 器 5 之 修 飾 » 1 I Μ 及 採 用 了 PH0S P6及N H0S K 6 其 接 收 供 應 至 其 閘 極 之 1 1 G Ν D 及 Vc C 而 分 別 地 取 代 了 高 電 阻 器 R 1 R' R2 〇 具 有 相 類 1 1 似 於 高 電 m 器 R 1 反 R2 之 小 電 流 容 量 之 電 晶 體 被 利 用 於 1 I PM0S P6及N M0S N6 Ο 1 1 -1 6- 1 1 1 1 本紙仿尺度漣用中闽因家標苹（（'NS ) 格（2!(>χπ7公;ί ) 413813 A7 B7 五、發明説明（17 ) 當輸入信號V i ti之準位係一中間準位時，也就是說， 當輸人信號Vin之準位高於（Vcc-Vtp)但低於Vtn時， 準位檢剷電路6之PMOS P4及HHOS N5二者顯示一導通 (on)狀態。所以，PHOS P7及NMOS N7之電源供應相互取 消，及電源供應斷接信號S8被控制於Vcc而電源供應斷 接信號S 7則控制於G H D (接地）。因而，準位檢測電路6 之作業類似於第二實施例中之檢測電路之作業。於此例 中之電流消耗偽一預定電流值la其係由準位檢測電路6 之PMOS P7及NMOS N7所消耗之極低電流與差動放大器2 之NMOS K4之S態電流之縴和，類似於第4(b)圖中所示。 應理解的是，本文中所揭示之"半導體裝置用輸人第 一级電路”之寒化及修飾將呈明顯於精於此項之技術者 ,所有此等修飾及變化均含於附錄之申請專利範圍之範 噶之内。 主要元件符號說明 2 差動放大器 3 準位檢測電路 4 低準位等待檢測器 經满部中决標準局日Ϊ;消贽合作社印^ (誚先間讀背而之注意事項再填.K.本頁) K; 5 高準位等待檢測器 6 準位檢測電路 7 差動放大器 -19- 本紙张及度過川中闷丨句象標卑（rNS ) 你（21() X 2町公楚）