TW410457B - Misergistration detecting marks for pattern formed on semiconductor substrate - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 41邪樹'508五、發明説明（> ) 是在晶圓平面上在持定位置上某—方向中所設置之尺寸 標記如第1圖所示β第1圖所示的是X尺寸.標記（此後 稱為X測徑器）11和在垂直於X之方向所形成之Υ尺寸 標記（此後稱為Υ測徑·器）12。在X標記11和Υ標記12中 ,11Α和12Α是在随後的過程中所形成之第一測徑器，UB 和12B是在先前過程中所形成之箄二測徑器。兩種測徑 器之尺寸標記具有稍為不同之間距（Pitch),通常之構成 方式是第一測徑器11A和12A之間距稍為大於第二測徑器 1 1 B和1 2 B之間距。 第二測徑器11B和12B是利用曝曬成測定器形狀之光阻 來對基體進行蝕刻過程所形成。在下一過程中，進行類 似之光罩過程以形成第一測徑器11 A和12A而重曼於先前 過程中所形成之第二测徑器11B各12B上。 第1圖顯示一種絕無欠對準之情況，.其中每一第二測 徑器11B和12B.之中央尺寸標記基本'上是位於每一第一測 徑器11A和12A之中央尺寸標記的中央。當發生欠對準時 ，可利用一種情況來表示，其中每一第二測徑器UB和 12B之非中央尺寸標記之尺寸標記幾乎是位於每一第一 測徑器11A和12A之非中央尺寸標記之尺寸標記的中央。 因此，可利用光學顯微鏡藉偵測方式來測量欠對準之量 ，每一第二測徑器11B各12B之尺寸標記茌考處各種測徑 器之間距尺寸時係位於每一第一測徑器11A和12A之尺寸 標記的中央。 使用X測徑器和Y測徑器之傳統式欠尉準偵測方法的 -4- 1.!-----©^I- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1Γ. -rs 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX：297公釐） 410457 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (' ) ! 1 I 明 領 域 1 1 I 本 發 明 係 關 於 一 種 半 導 體 元 件 » 持 別 是 關 於 半 等 體 元 1 1 I 件 之 製 造 過 程 中 用 於 偵 測 形 成 於 半 導 體 基 體 上 之 圖 型 定 請 先 1 1 位不 準 蠆 的 定 位 不 準 偵 測 標 記 〇 闻 讀 1 背 j 先前坊越夕描沭 面· 之 .Γ 在 半 導 體 元 件 之 製 造 過 程 中 * 在 晶 圓 中 形 成 導 線 9 接 ί王 意 1 1 觸 孔 1 離 子 植 入 區 或 類 物 件 像 在 各 光 罩 程 序 中 進 行 0 項 再 I 在 此 種 物 件 之 製 造 Α,η. 5¾ 程 中 * 較 後 之 過 程 中 所 形 成 之 圖 型 寫 本 曝 必 須 與 先 -> r. 刖 過 程 中 形 成 之 圖 型 高 準 確 性 地 對 齊 〇 因 此 i 頁 i 在 與 先 前 過 程 同 時 形 成 圖 型 時 > 當 事 先 在 晶 圓 上 形 成 對 i I 準 標 記 修 正 晶 圓 之 定 位 不 準 時 需 進 行 曝 光 * 且 使 用 先 1 I 月ϋ 過 程 中 之 對 準 標 記 在 隨 後 之 過 程 中 形 成 圖 型 時 進 行 對 1 訂 準 〇 I 然 而 * 在 簡 短 投 射、 之 重 複 曝 光 中 > 就 算 小 心 地 進 行 仍 1 1 有 某 種 機 率 會 發 現 所 形 成 之 圖 型 有 尚 未 正 確 對 準 之 單 元 1 I 〇 若 此 種 定 位 不 準 之 程 度 超 越 所 可 容 許 之 範 圍 1 則 整 個 1 半 導 體 晶 Η 由 於 例 如 導 線 曆 和 接 觸 孔 之 間 的 電 性 上 的 短 路 會 被 歸 類 為 有 缺 陷 之 單 元 0 因 此 在 研 發 產 品 之 後 需 I I 進 行 ”欠對準” 之 檢 査 > 且 依 據 其 结 果 * 已 發 琨 之 有 不 能 1 1 容 許 之 欠 對 準 的 晶 画 必 須 去 除 光 阻 層 且 進 行 其 它 光 罩 過 ii 程 • 或 取 出 而 丢 棄 〇 jl 為 了 藉 光 學 顯 微 鏡 在 光 罩 過 程 中 進 行 欠 對 準 1 1 (Π \ \ S a 1 1 8 n to e η t ) 之 檢 査 ， 已 建 議 使 用 所 m ”測徑专 ’作 為 t 1 定 位 不 準 之 偵 測 標 記 〇 測 徑 器 (( ：a 1 E > e r s ! 在 這 裡 的 意 義 I I 3 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準{ CNS ) Λ4規格（210X 297公釐）

修-1£本"^^更^"#容-否-予修正。 A7 B7 五、發明說明（9 ) 標記的間距和數目並不限於實施例中所描述者，可自由選 取。 如上所述，本發明之對準標記包括：測量X方向對準 度之X測徑器；測量Y方向對準度之Y測徑器；測童與 X方向及Y方向成特定角度之0方向中之不準度的θ測徑 器。因此，除了可藉光學顯微鏡在X方向中和Y方向中 觀察欠對準外，此系統亦可藉0測徑器之類似觀察以高準 確度快速地測量0方向中之欠對準，以此方式，對需要在 Θ方向有嚴格之對準精確度之半導體元件而言，可得到一種 高準確之對準，這樣可使0方向之設計邊緣降低，且有助 於改進半導體元件之積體密度。 雖然本發明已參考特定之實施例來描述，但這種描述並 不表示是一種限制。所揭示之實施例的各種修改方式對精 於此技藝之人仕是明顯而簡易的。因此，本案之申請專利 範圍可包含本發明範圍內之任何修改或實施例。 符號之說明： 1 2 3 4 1 Α,2Α,3Α,4Α 1Β,2Β,3Β,4Β -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —^---------------訂---------線' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 χ測徑器 γ測徑器 6» 1測徑器 0 2測徑器 第一標記 第二標記

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 41邪樹'508五、發明説明（> ) 是在晶圓平面上在持定位置上某—方向中所設置之尺寸 標記如第1圖所示β第1圖所示的是X尺寸.標記（此後 稱為X測徑器）11和在垂直於X之方向所形成之Υ尺寸 標記（此後稱為Υ測徑·器）12。在X標記11和Υ標記12中 ,11Α和12Α是在随後的過程中所形成之第一測徑器，UB 和12B是在先前過程中所形成之箄二測徑器。兩種測徑 器之尺寸標記具有稍為不同之間距（Pitch),通常之構成 方式是第一測徑器11A和12A之間距稍為大於第二測徑器 1 1 B和1 2 B之間距。 第二測徑器11B和12B是利用曝曬成測定器形狀之光阻 來對基體進行蝕刻過程所形成。在下一過程中，進行類 似之光罩過程以形成第一測徑器11 A和12A而重曼於先前 過程中所形成之第二测徑器11B各12B上。 第1圖顯示一種絕無欠對準之情況，.其中每一第二測 徑器11B和12B.之中央尺寸標記基本'上是位於每一第一測 徑器11A和12A之中央尺寸標記的中央。當發生欠對準時 ，可利用一種情況來表示，其中每一第二測徑器UB和 12B之非中央尺寸標記之尺寸標記幾乎是位於每一第一 測徑器11A和12A之非中央尺寸標記之尺寸標記的中央。 因此，可利用光學顯微鏡藉偵測方式來測量欠對準之量 ，每一第二測徑器11B各12B之尺寸標記茌考處各種測徑 器之間距尺寸時係位於每一第一測徑器11A和12A之尺寸 標記的中央。 使用X測徑器和Y測徑器之傳統式欠尉準偵測方法的 -4- 1.!-----©^I- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1Γ. -rs 本紙張尺度適用申國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX：297公釐） A7 B7 410457 五、發明説明（9 ) (請先閎讀背面之注意事頃再填寫本頁} 問題在於：使用光學顯微鏡観察對準情況時，在與X和γ 方向形成特定角之方向中（此後稱為0方向）要高精確地 測虽欠對準之量是困難的，雖然此時偵測每一X和Y方向 中之欠對準是可能的。例如，考®半導體靜態記憶體電 路之情況時，其中在Θ方向需要嚴格之對準，如第2(a) 画所示。在此圖中，字線WL，取出位元信號之接觸孔CH K及驅動電晶體之閘極電極G分別Μ間隔d 11 , d 1 2 , d 1 3 隔開而配置者，其中dll和dl2設計成具有相同之長度。 因為字線TOL閘極電極G和接觸孔CH分別形成在不同之 光罩過程中，若在0方向發生欠對準之現象，則在各間 隔之間會產生誤差。當欠對準之童足夠大時，相互間會 發生短路，則此記憶體電路將分類成有缺陷之單元。類 似地，第2(b)圖顯示電源線BL及儲存節點之接觸孔CH1 和CH2,其中若由於在Θ方向中有欠對準之現象而在間隔 d 2 1和d 2 2中產生差異，則各組件之間可能發生電性上之 短路現象。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 測量0方向中之欠對準亦可使用第1圖中所示之X測 徑器和Y測徑器來完成。例如，在與X方向和Y方向都 形成45°之方向中測量欠對準時，若假設欠對準之量在 X方向和Y方向都為O.lwm(微米）時，則傾斜成45°之 方向中的欠對準之量為tax厂2 = 0.14w m。在不是傾 斜成45°之Θ方向中的欠對準之量的情況中，其絕對值 之計算方式是各別至X方向和Y方向之測量值的平方之 和的平方根。 -5 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > Λ4現格（2丨0X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 4 ) 1 1 然 而 » 此 種 方 法 需 要 測 ,^3, 里 X 和 Y 方 向 之 欠 對 準 之 量 9 1 I 亦 需 使 用 這 值 來 計 算 9 這 樣 造 成 檢 査 欠 對 準 之 時 間 1 的 增 加 且 诰 成 大 量 生 産 半 導 髏 元 件 之 不 便 Ο 例 如 i 假 設 ^-V \ \ —k. 1 _r 在 上 述 例 子 中 欠 對 準 之 極 限 設 為 士 0 . 1 /z m > 則 X 測 徑 器 先 閱 ΐ 和 Y 測 徑 器 之 控 制 極 限 將 分 別 被 設 定 在 土 0 · 1 m 0 然 後 讀 背 -1, » 若 分 別 使 用 〇 然 後 f 若 分 別 使 用 X 方 向 和 Υ 方 向 之 欠 面 之 注 l 對 準 量 來 判 ύχ. m 欠 對 準 則 不 可 能 藉 顯 微 鏡 之 觀 察 立 即 判 意 ψ 斷 在 Θ (4 5。 )之方向 中 的 欠 對 準 是 0 . 1 4 Μ ffl (這 已 落 在 ± 項 再 1 0 - 1 μ Ί& 之 外 ), 因此必須再進行計算以作必要之判斷， 填1 寫’ ' 本 1 這 樣 曰 增 加 檢 査 時 間 〇 頁 1 I 發 明 簡 神 1 I 明 目的 1 1 i 因 此 本 發 明 之 巨 的 是 提 供 一 種 半 導 體 元 件 * 其 具 有 ΐ ! 定 位 不 準 用 之 標 記 ) 可 對 X 方 向 和 Y 方 向 以 及 Θ 方 m 中 訂 1 之 欠 SltLL 對 準 進 行 高 準 確 及 快 速 之 測 量 0 1 1 IT 明 槪 要 1 I 依 據 本 發 明 之 半 導 體 元 件 具 有 設 在 半 導 體 晶 片 四 周 1 1 定 位 不 準 偵 測 標 記 〇 定 位 不 準 偵 測 標 記 由 第 一 尺 寸 標 記 A 第 二 尺 寸 標 記 以 及 第 ZT 尺 寸 標 記 所 構 成 9 其 中 第 一 尺 1 寸 標 記 用 於 偵 m 第 一 方 向 中 之 定 位 不 準 J 第 二 尺 寸 標 記 1 1 用 於 偵 測 垂 直 於 第 一 方 向 之 第 二 方 向 中 之定位不 準 9 第 1 三 尺 寸 標 記 用 於 偵 測 分 別 與 第 一 方 向 和 第 二 方 向 成 特 定 ί 角 度 之 第 三 方 向 中 之 定 位 不 準 〇 .J 1L 式 簡 沭 1 I 本 發 明 之 上 述 以 及 其 它 巨 的 9 恃 徵 和 優 點 在 參 考 與 附 1 1 圖 相 關 之 詳 細 說 明 〇 1 ! 描 述 之 後 將 變 得 更 清 楚 〇 圖 式 簡 早 說 明 如 下 1 I 第 1 圖 顯 示 定 位 不 準 偵 測 標 6- 記 之 傳 統 tat 圖 型 〇 1 1 1 本纸張尺度適用中國國家標牟（CNS ) Λ4規格（210 X 297公釐） 410457 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ) 1 1 I 第 2(a) 画 和 第 2 ( b) 函 描 述 傅 統 技 術 中 之 問 題 所 用 之 接 1 1 I 媒 ISf 酬 〇 1 | 第 3 圓 是 依 據 本 發 明 在 定 位 不 準 偵 測 標 記 之 晶 片 上 的 請 先 1 L 聞 配 置 〇 讀 背 1 第 4 画 是 依 據 本 發 明 之 定 位 不 準 偵 測 標 記 的 第 一 實 施 面 之 注 | 例 〇 意 事 1 第 5 圖 是 依 據 本 發 明 之 定 位 不 準 偵 測 標 記 的 第 二 實 施 項 再 1 1 例 〇 ( 寫 本 第 6 rgT 圖 是 依 據 本 發 明 之 定 位 不 準 偵 測 標 記 的 第 三 實 施 頁 1 1 例 〇 / 1 I 本 發 明 詳 冊 沭 1 1 請 參 考 第 3 圖 ， 將 描 述 本 發 明 之 晶 Η 上 之 定 位 不 準 偵 1 訂 測 裝 置 的 m 置 方 式 〇 許 多 定 位 不 準 偵 測 標 記 11彤 成 在 半 1 1 導 PBB 體 晶 片 10 之 周 邊 部 份 中 〇 此 種 周 邊 部 份 是 和 電 路 形 成 1 1 區 12在 電 性 上 互 相 獨 立 之 區 域 電 路 形 成 區 12例 如 可 形 1 1 成 在 寫 人 區 S 1 中 〇 定 位 不 準 偵 測 標 記 11 係 對 應 於 光 罩 過 f > 程 而 形 成 〇 定 位 不 準 偵 測 標 記 11 由 許 多 尺 寸 標 記 所 構 成 這 在 稍 後 將 詳 细 説明 〇 定 位 不 準 偵 測 標 記 11 在 一 瞬 間 1 I 彤 成 於 —" 個 檢 査 區 域 中 換 言 之 形 成 在 光 學 顯 rax 微 鏡 之 i 1 可 見 領 域 中 之 區 域 中 卞 因 此 f 利 用 光 學 顯 微 鏡 檢 査 欠 對 準 時 » 不 需 檢 查 晶 片 之 其 它 部 份 〇 請 參 考 第 4 圖 將 描 述 本 發 明 之 定 位 不 準 偵 測 標 記 之 1 I 特 定 圖 型 〇 每 一 標 記 由 配 置 在 X 方 向 之 第 一 尺 寸 標 記 (X 1 i 測 徑 器 1 ) ,配置在垂直於X 方向之Y -7- 方向中之第二尺寸 1 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 410457 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（) 標記（Y測徑器2),與X方向及Y方向形成特定角（茌此例 中均為45° )之0 1方向中所配置的第三尺寸標記（0 1測 徑器3)。分別組成測徑器1,2和3之第一標記1A,2A和3A 由許多配置成特定間距之寛線所形成。另一方面，分別 組成測徑器1,2和3之第二標記1B,2B和3B由數目和第一 標記1A,2A和3/\之寬線相同之窄線所形成，但其間距 稍為小於第一標記中所用之間距。例如，第一標記1A, 2A和3A以間距為1μ π之方式形成，第二標記1B,2B和3B 即K間距0.95// m之方式彤成。 第一標記1A,2A和3A在前次之光罩過程中形成在晶圓 上，第二標記1B,2B和3B在下次光罩過程中形成在晶圓 上。以光學顯微鏡観察這些標記時，則可進行欠對準之 檢査。例如•在圖中，各第二標記1B,2B和3B之中央尺 寸標記分別位於第一標E1A,2A和3A之中央尺寸標記的 中央，這表示在第一和第二標記之間沒有欠對準之琨象 發生。 另一方面，雖然圖中未示出，當第二尺寸標記1Β·2Β 和3Β之非中央標記分別位於第一標記1Α,2Α和3Α之中央 尺寸標記的中央時，表示在第一和第二標記之間產生了 欠對準。欠對準之童可藉兩種標記中之間距大小之差異 來測量，例如，在此例中Μ單位1-0.95 = 0.05 wm來測 量。因此，可觀察兩種標記且當兩種標記之中央重蠡時 確認由每一標記之中央尺寸標記開始算之尺寸標記數來 決定此二種標記之間的欠對準量，其方式是以尺寸標記 本紙張尺度通用中國國家標準（CMS ) Α4規格（210X297公釐〉 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

A7 410457 五、發明説明（7 ) 之計算數及0.05wm之測量單位為基準。因為在此賁施例 中每一標記包含7個尺寸標記，在0.15wm範圍内之欠對 準可被測知。 在此筲施例中，在X方向中不只可利用X測徑器1來 測定兩種標記之間的欠對準，在Y方向中之欠對準亦可 利用Y測徑器2來測量，Θ1方向中之欠尉準亦可用01 測徑器來測垦。因為在每一方向中之欠對準可利用測徑 器M0.05wra之單位來測量，測可測量此二種標記之間 的欠對準，即，在前一次之光罩過程和下一次之光罩過 程之間在Χ,Υ和Θ 1方向之欠對準。以此種方式，即使在 Θ 1方向中需要嚴格之對筚精確度以製造半導體元件時， 仍可實琨一種高精確之對準。因此，可在0 1方向中降 低圖型之設計邊緣，這對達成高位準之積體半導體元件 是有利的。而且，藉光學顯微鏡來觀察Θ1方向之對準 可在一瞬間即可確定即達成快速之對準。 第5圖是本發明之第二實腌例，其中和第4圖相同之組 件Μ相同之符號來標示。.此實施例中，含有第一標記4Α 和第二標記4Β之0 2測徑器4沿Θ 2方向配置，Θ 2方向 對第4圖中之θ 1方向傾斜成相反方向。此一實施例之 組態除了 Θ2方向和第4圖之01方向不同外，其餘和第 —莨施例均相同。因此，在Θ 2方向中之欠對準可類似 於第4圖中之實施例Μ精细之測童單位快速地測量，使 快速之對準操作成為可能。 第6圖是本發明之第三實胞例，其組態方式是01測 -9 ^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (#'先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-ιτ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 410457 五、發明説明（2 ) 徑器3和Θ2测徑器4沿X測徑器1和Y測徑器2來配置 ,使在互相垂直之Θ1方向和Θ2方囱中能同時對準。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此實施例中，Θ1測徑器3和Θ2測徑器4之各尺 寸標記係將第4圖所示之各測徑器的尺寸標記餺移至Y 方向而得。因此，分別傾斜成Θ1方向和Θ2方向中尺 寸標記分別Μ特定之空間間距配置在X方向中。此實腌 例之欠對準偵測方法完全類似於第一和第二實施例之 法，且在Θ1方向和Θ2方向中之欠對準可Μ同樣方式 胛量。因此，在X方向，Υ方向，01方向Μ及02方 问十t欠對準可快速而高準確性地測得。而且，如上所 示在X方向中分別配置Θ1測徑器和Θ2測徑器之尺寸 標記時，整體上可降低Θ1测徑器和02測徑器在Y方 向中之長度K處理高積體化之半導體元件，使對準標記 所佔有之區域成為最小。另外，因為Θ1測徑器和Θ2 測徑器並排配置，可在Θ1方向中和02方向中對欠對 準進行比較性之観察，疸有助於改進此觀察之操作效率。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如上所述之實施例中，係Θ1方向和β2方向都與X 方向和Υ方向成45°之情況，但本發明同樣亦可應用至 其它不是45°角之情況，例如可應用至與X方向成30° 和60°之情況。另外，各測徑器之尺寸標記可配置成平 行於Υ方向。而且，X測徑器之尺寸標記可配置在沿Υ 方向之線上，Υ則徑器之尺寸標記可配置在沿X方向之 線上，依據可能之情況，可適當地修改組態使與晶圓上 可利用空間之大小及形狀一致。而且，各測徑器之尺寸 -1 0 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公楚：）

修-1£本"^^更^"#容-否-予修正。 A7 B7 五、發明說明（9 ) 標記的間距和數目並不限於實施例中所描述者，可自由選 取。 如上所述，本發明之對準標記包括：測量X方向對準 度之X測徑器；測量Y方向對準度之Y測徑器；測童與 X方向及Y方向成特定角度之0方向中之不準度的θ測徑 器。因此，除了可藉光學顯微鏡在X方向中和Y方向中 觀察欠對準外，此系統亦可藉0測徑器之類似觀察以高準 確度快速地測量0方向中之欠對準，以此方式，對需要在 Θ方向有嚴格之對準精確度之半導體元件而言，可得到一種 高準確之對準，這樣可使0方向之設計邊緣降低，且有助 於改進半導體元件之積體密度。 雖然本發明已參考特定之實施例來描述，但這種描述並 不表示是一種限制。所揭示之實施例的各種修改方式對精 於此技藝之人仕是明顯而簡易的。因此，本案之申請專利 範圍可包含本發明範圍內之任何修改或實施例。 符號之說明： 1 2 3 4 1 Α,2Α,3Α,4Α 1Β,2Β,3Β,4Β -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） —^---------------訂---------線' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 χ測徑器 γ測徑器 6» 1測徑器 0 2測徑器 第一標記 第二標記

Claims (1)

1. 410457 A8 B8 C8 D8 本路碎""月·^日

   竭皆务fa-rvr?年f月；^^ic.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 普-w^#t'^嘴f内容是否淮予'#⑽。 六、申請專利範圍 第85115508號「形成於半導體基體上之圖型所用之定位不 準偵測標記」專利案 (88年8月21日修正） A申請專利範圍： 1. 一種設置在半導體晶片周邊中之定位不準偵測標記，其 特徴包括：第一尺寸標記，用於在第一方向中偵測欠 對準；第二尺寸標記，用於在垂直於第—方向之第二 方向中偵測欠對準；第三尺寸標記，用於在分別與第 一方向及第二方向形成特定角度之第三方向中偵測欠 對準。 2 .如申請專利範圍第1項之定位不準偵測標記，其中第 一尺寸標記，第二尺寸標記及第三尺寸標記係形成在 光學顯微鏡之同一可視範圍內之區域中。 3. 如申請專利範圍第1項之定位不準偵測標記，其中第 一尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於第一方向設 置之線，第二尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於 第二方向設置之線，第三尺寸標記包含許多以特定間 隔而平行於第三方向設置之線° ./— 4. 如申請專利範圍第1,2或3項之定位不準偵測標記，其中又 包含第四尺寸標記，以用於在垂直第三方向之第四方 向中偵測欠對準。 5 .如申請專利範圍第1項之定位不準偵測標記，其中第 一尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於第—方向設 置之.線，第二尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 丨-r丨~：-----%|丨 (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. 410457 A8 B8 C8 D8 本路碎""月·^日

   竭皆务fa-rvr?年f月；^^ic.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 普-w^#t'^嘴f内容是否淮予'#⑽。 六、申請專利範圍 第85115508號「形成於半導體基體上之圖型所用之定位不 準偵測標記」專利案 (88年8月21日修正） A申請專利範圍： 1. 一種設置在半導體晶片周邊中之定位不準偵測標記，其 特徴包括：第一尺寸標記，用於在第一方向中偵測欠 對準；第二尺寸標記，用於在垂直於第—方向之第二 方向中偵測欠對準；第三尺寸標記，用於在分別與第 一方向及第二方向形成特定角度之第三方向中偵測欠 對準。 2 .如申請專利範圍第1項之定位不準偵測標記，其中第 一尺寸標記，第二尺寸標記及第三尺寸標記係形成在 光學顯微鏡之同一可視範圍內之區域中。 3. 如申請專利範圍第1項之定位不準偵測標記，其中第 一尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於第一方向設 置之線，第二尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於 第二方向設置之線，第三尺寸標記包含許多以特定間 隔而平行於第三方向設置之線° ./— 4. 如申請專利範圍第1,2或3項之定位不準偵測標記，其中又 包含第四尺寸標記，以用於在垂直第三方向之第四方 向中偵測欠對準。 5 .如申請專利範圍第1項之定位不準偵測標記，其中第 一尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於第—方向設 置之.線，第二尺寸標記包含許多以特定間隔而平行於 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210X297公釐） 丨-r丨~：-----%|丨 (諳先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂·. A8 B8 C8 D8 410457 π、申請專利範園 第二方向設置之線，第三尺寸標記包含許多以特定間 隔而平行於第三方向設置之線，第三方向則對第一方 向形成某種傾斜度a 6. 如申請專利範圍第5項之定位不準偵測標記，其中又 包括第四尺寸標記，其在與第三方向垂直之第四方向 中包含許多以特定間隔分開之線，第三方向則平行於 第一方向。 7. —種設置在半導體晶片周邊中之定位不準偵測標記， Γ 其特黴包括：第一尺.寸標記，含有許多以第一間隔而 平行於第一方向設置之第一種線；第二尺寸標記，含 有許多以第二間隔而平行於第二方向（其與第一方向垂 直）設置之第二種線；第三尺寸標記，含有許多以第 三間隔而平行於第三方向設置之第三種線，第三方向 分別與第一方向及第二方向形成特定角。 8. 如申諝專利範圍第7項之定位不準偵測標記，其中該 第一尺寸標記，第二尺寸標記及第三尺寸標記形成茌 光學顯微鏡之同一可視範圍內之區域中。 9. 一種設置在半導體晶片周邊中之定位不準偵測標記， 其特徴包括：第一尺寸標記，含有許多以第一間隔而 平行於第一方向設置之第一種線；第二尺寸標記，含 有許多以第二間隔而平行於第二方向（其與第一方向垂 直）設置之第二種線；第三尺寸標記，含有許多以平 行於第一方向之第三間隔而設置之第三種線，第三線 -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 410457 骂 D8 六、申請專利範圍 分別與第一方向及第二方向形成特定之角度。 10 _如申請專利範圍第9項之定位不準偵測標記，其中 更包含第四尺寸標記，其含有以平行於第一方向之第 四間隔而設置之第四種線，第四種線則設置在與第三 方向垂直之第四方向中"广 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）