TW322630B - - Google Patents

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A7 3^263〇 B7 五、發明説明（J ) 發明背景 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於一種用Μ製造半導體装置之方法，且尤 指一種用Κ對準半導體装置之微圖案的方法，其能夠降低 在圖案形成過程中具有不良品質之晶粒數，藉Κ達成於半 導體裝置動作可靠度上之改良。 先前技藝描述 在半導體装置（尤其是高度積體半導體裝置）之製造 上，通常係用到一種使用複數個重疊曝光光罩之複雜製程 。用於製造過程個別步驟之介於曝光光罩間的層對層對準 ，係針對具有特定形狀之標記而進行。 此一標記係稱為”對準鍵”或者”對準標記”。 此標記係用於不同光罩間之層對層對準，或用於具有 一光罩的晶粒之對準。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 分步光刻機（s t e ρ ρ e r )，其係一種用於半導體裝置 製造過程中之步進重複類型的照明裝置，於此種装置中係 在其台級（s t a g e )沿著X — Y軸方向移動以重複執行一 晶圓之對準時進行曝光。該台级可關於一對準標記Μ自動 或手動地進行晶圓之對準。 由於該台级係機械性地動作，可能在重複性地實陁製 程時產生於對準之一誤差。當此一對準誤差超過其容許範 園時，最终所得到之半導體裝置可能具有不良的品質。 -4 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（>) 1 1 基 於 誤 對 準 之 重 疊 ( 0 V e 1 1 3 iy) 準確度 ，可f κ據半等體 1 1 装 置 之 設 計 法 則 而 作 調 整 〇 此 調 整 範 圍 係 由 一 般 設 計 法 1 1 則 之 0 至 3 0 % 0 請 先 閱 背 1 1 該 重 疊 準 確 度 量 測 標 記 或 者 重 疊 J5i. 里 測 標 記 1 係 Μ 如 同 1 1 對 準 標 記 -V 相 同 方 式 而 作 運 用 1 Μ 撿 查 疊 積 於 一 半 導 體 基 面 之 1 注 1 板 上 之 諸 層 彼 此 之 間 是 否 係 準 確 地 對 準 - 意 事 1 項 | 習 用 上 此 一 對 準 標 記 或 重 疊 量 測 標 記 係 形 成 於 一 晶 再 圓 之 切 割 線 上 該 處 並 Λ 設 置 晶 片 寫 本 頁 裝 1 運 用 對 準 標 記 之 誤 對 準 量 測 係 根 據 一 種 使 用 游 標 尺 '—^ 1 | 對 準 標 記 之 視 覺 檢 查 方 法 或 者 一 種使用 ” 盒 對 盒 ( b 〇 X - in- 1 I b 〇 X) ” 或” 盒對條 (b 0 X -i π - bar) ” 對準標記之自動檢查 1 1 方 法 而 實 行 0 該 誤 對 準 係 針 對 且 基 於 量 測 结 果 而 作 補 償 0 訂 1 於 — 高 度 積 體 半 導 體 装 置 的 情 況 中 其 晶 片 具 有 大 約 1 1 為 其 每 一 邊 1 5 至 2 5 m m 的 尺 寸 0 1 I 對 於 一 半 導 體 裝 置 之 製 造 須 進 行 數 十 次 之 光 罩 處 理 1 4 0 為 此 緣 ik 於 切 割 線 上 形 成 之 重 疊 準 確 度 量 測 標 記 > 隨 1 著 數 個 後 續 製 造 之 進 行 而 可 能 具 有 不 清 的 輪 廓 〇 於 厫 重 1 1 的 情 況 時 j 可 能 損 m 該 重 疊 準 確 度 旦 里 測 標 記 其 @ 身 结 果 1 | J 可 能 施 行 出 不 準 確 的 量 測 ° 1 I 對 於 需 用 到 多 個 曝 光 光 罩 -y 高 度 積 體 導 體 装 置 而 言 1 1 > 必 須 量 測 介 於 疊 層 之 間 的 重 # 準 確 度 〇 於 此 情 況 下 ί 複 1 1 數 個 重 疊 量 測 標 記 係 形 成 於 切 Μ 線 上 G 該 等 重 疊 量 測 標 記 1 1 具 有 大 约 為 2 0 X 2 〇 U m Ζ 之 一 尺 寸 0 對 於 2 5 6 Μ e 1 I - 5- 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 I a 之 D R A Μ 的 製 造 而 言 ， 係 需 要 至 少 3 0 個 具 有 前 述 1 1 尺 寸 之 重 疊 量 測 標 記 0 1 1 於 此 m 聯 > 一 種 用 以 對 準 半 導 體 裝 置 誤 對 準 m 圖 莖 >·» V 請 先 1 1 的 習 用 方 法 ♦ 將 结 合 第 1 m 〇 圖 而 描 述 於 后 C 閱 讀 1 背 1 第 1 圖 係 解 釋 用 以 對 準 半 導 體 装 置 卞 il 圖 寨 的 一 種 習 面 之 1 1 用 方 法 之 示 意 圖 0 第 2 圖 係 一 放 大 平 面 圖 t 其 顯 示 出 根 據 意 1 項 I 該 種 習 用 方 法 之 第 1 圖 之 半 導 體 装 置 的 一 晶 粒 上 形 成 之 量 -S- 填 1 \ I 測 標 記 0 寫 本 頁 裝 1 如 第 1 圖 中 所 示 圖 案 係 形 成 於 一 半 導 體 晶 圓 1 之 部 '—^ 1 1 分 上 其 各 § 定 義 為 預 定 之 晶 fcz 2 係 藉 著 使 用 一 分 步 光 1 I 刻 機 Μ ft 步 進 及 重 覆 ( S t ep -a nd -Γ ep e a t ) ，， 方 式 對 於 該 1 1 訂 等 晶 粒 進 行 —* 曝 光 製 程 0 1 各 白 形 成 於 晶 m 2 之 部 分 ( 界 定 為 於 半 導 體 晶 圓 1 上 1 1 之 切 割 線 ) 上 的 對 準 標 記 係 由 分 步 光 刻 機 所 讀 取 基 於 1 I 該 讀 取 之 结 果 用 於 曝 光 製 程 之 一 曝 光 光 罩 係 與 半 導 體 晶 1 —-v| 点 圓 1 作 對 準 j 1 於 此 情 況 下 該 等 對 準 標 記 具 有 Μ 大 約 為 4 U rn 之 尺 1 1 寸 的 正 方 形 狀 0 1 I 當 一 誤 對 準 發 生 於 將 形 成 — 圖 寨 的 晶 粒 2 A 與 已 形 成 1 | 該 圖 案 的 晶 粒 2 Β 兩 者 之 間 時 1 其 係 藉 用 __‘ 個 形 成 於 有 關 1 1 對 準 標 記 一 邊 之 重 疊 對 準 標 記 ( 未 顯 示 ) 而 作 m. m 測 0 該 電 1 1 叠 量 測 標 記 由 兩 者 均 具 有 一 正 方 形 狀 之 一 内 部 量 測 標 記 與 1 I 一 外 部 量 測 標 記 所 組 成 0 該 内 部 量 測 標 記 具 有 於 其 每 邊 為 1 I - 6- i 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 82-〇3〇 Α7 Β7 五、發明説明（}) 1〇Zi m之尺寸，而該外部量測標記具有於其每逷為2 0 w m之尺寸。 之後，介於該内部與外部量測標記之距離谣於其面對 邊緣作量測。即，距離X 1 、X 2 、Y 1與Y 2係作量測 。基於此等量測距離，沿著X與Y軸之誤對準度除作計算 。沿著X蚰之誤對準度δ X ί系Μ式子：δ X = X 2 — X 1 作計算，而沿著Υ軸之誤對準度δ Υ係Μ式子：5 Y = Υ 2 — Υ 1作計算。 各自形成於每一晶粒之四個邊緣的該等重疊量測標記 之量測值，係作平均Κ計算介於該半導體晶圓與曝光光罩 之間的一誤對準角度Θ。 該等内部與外部量測標記係各自對應於諸光罩。 具有某一波長之光係照射於該等量測標記上。由該等 置測標記各自反射之光媒係由一個光影像感測器板所感测 ，該光影像感測器板上係Κ 一矩陣陣列方式設置有複數個 光感測器。 該感測得之光係接著由一量測装置所量測及分析，該 量測装置包括一画光訊號檢測器及一個重疊準確度資料分 析器。 基於分析之结果，沿著X與Υ铀之誤對準度<5 X以及 <5 Υ 係作計算（<5 X = X 2 - X 1 ，且 <5 Y = Υ 2 — Υ 1 )，藉Μ得到用於X蚰與Υ軸之校正值。 於此情況下，對於每一標記之角落部分所得到之資料 -7 - 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） --------_「坤衣------ΐτ------ (請先閏讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（<) 係未作運用，Μ遛免介於資料之間的混淆。由此觀之，僅 有對於每一標記之相對側邊所得到的資料偽用作為一量測 值。 然而，前述之習用方法係有許多問題。 拫據該種習用方法，當於半導體晶圓上之對準標記係 觀測到時，該製程能夠正常地進行。然而，在該等量測標 記歸因於在諸如薄膜沈積或蝕刻製程進行時所發生的誤差 而損壤或喪失之情況下，量測標記之讀取係在整画半導體 晶圓均無法致能。於此情況下，於該半導體晶圓上形成的 所有晶粒均係視作為具有不良的品質。於一個6英吋晶圓 之情況下，即使當只有一個量測標記未被觀測到時，將大 約有3 0至4 0個晶粒係視作為具有不良的品質 / 由於此種具有歸因於所用到製程中之誤差而損壞或喪 \ 失對準標記之半導體晶圓，根據前述習用方法係視作為具 有不良的品質，將造成於製程生產量之降低。 因為對於係視作為一不良品質之產品須進行數種製程 ，於製程成本上之增加亦將發生。 尤其是，造成對準標記之攢壞的製程誤差主要除於進 行一金屬接線製程時產生，該金屬接錢製程除半導體装置 之製造過程中的一最後製程。结果，該製程生產量係大為 降低。 發明概論 -8- i 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） --------J丨裝------訂-----Η線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（V) 1 1 疋 Μ » 本 發 明 之 一 個 百 的 係 在 於 解 決 前 述 習 用 方 法 中 1 1 涉 及 -y 問 題 j 且 在 於 提 供 — 種 用 Μ 對 準 一 半 導 體 裝 盘 微 1 1 圖 案 的 方 法 f 其 能 夠 降 低 在 圖 案 形 成 過 程 中 具 有 不 良 品 質 請 先 1 1 之 晶 粒 數 i 藉 ΡΛ 達 成 於 半 導 裝 置 動 作 可 靠 度 上 之 改 良 Λ 閱 背 1 1 根 據 本 發 明 y 此 巨 的 係 班 由 ___ 種 用 Μ 對 準 半 導 體 壯 农 置 面 之 1 1 之 圖 案 的 方 法 而 達 成 j 該 方 法 包 含 有 步 驟 • 準 備 一 個 半 意 事 1 項 導 體 晶 圓 其 設 有 複 數 個 晶 粒 及 重 疊 量 測 標 記 之 選 取 標 記 ώ. I 部 分 於 該 半 導 體 晶 圓 上 形 成 一 第 一 可 蝕 刻 層 用 Μ 提 供 寫 本 頁 裝 1 所 需 的 圖 案 > 於 各 自 設 置 於 選 取 晶 粒 之 第 一 可 蝕 刻 層 的 部 •>W^ 1 I 分 上 形 成 第 一 光 阻 膜 圖 案 作 為 用 於 將 由 第 — 可 蝕 刻 層 1 1 1 所 提 供 之 圖 案 的 一 蝕 刻 光 罩 藉 用 作 為 __. 光 罩 之 該 等 第 一 1 1 訂 1 光 阻 膜 圖 案 選 擇 性 地 移 除 第 一 可 羡虫 刻 層 藉 以 形 成 第 一 可 蝕 刻 層 之 圖 案 其 提 供 該 等 重 疊 旦 里 測 標 記 之 其 餘 標 記 部 1 I 分 及 設 置 於 該 等 重 疊 量 測 標 記 之 一 邊 的 對 準 標 記 移 除 該 1 I 等 第 一 光 阻 膜 圖 案 藉 用 其 包 括 由 選 取 與 其 餘 標 記 部 分 所 1 -—V1 提 供 之 內 部 與 外 部 標 記 的 重 疊 量 測 標 記 j 量測對於選取晶 線 1 粒 -V 誤 對 準 度 於 在 該 等 第 一 光 阻 膜 圖 寨 移 除 後 所 得 生 成 1 1 结 搆 之 整 個 上 部 表 面 上 j 形 成 一 第 二 可 蝕 刻 層 藉 用 於 該 1 I 等 第 一 光 阻 膜 圖 寨 之 形 成 過 程 中 所 用 的 相 同 曝 光 光 罩 形 1 1 | 成 其 係 δ又 置 於 並 非 選 取 晶 粒 之 一 般 晶 粒 上 的 第 二 可 蝕 刻 層 1 1 之 郜 分 上 的 第 二 光 阻 膜 圖 案 ί 此 ί系 在 一 介 於 半 導 體 圓 及 1 1 曝 光 光 罩 之 間 的 誤 對 準 基 於 儲 存 對 準 標 記 位 置 於 其 工 作 檔 1 I 案 之 由 分 步 光 刻 機 董 測 誤 對 準 度 而 作 校 正 的 情 況 下 > 及 J 1 I - 9- 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合 A7 B7 五、發明説明（丫） 藉用作為一光罩之該等第二光阻膜圖案，蝕刻第二可蝕刻 層，藉K肜成第二可鈾刻層之圖案。 圖式簡單說明 由關於附圖之實施例的隨後說明，本發明之其他目的 與特點均將變得明白，其中： 第1圖係一示意圖，解釋一種用以對準半導體裝置之 微圖案的習用方法； 第2圖係一放大平面圖，顯示出根據習用方法之第1 圖的半導體裝置之一晶粒上形成的量測標記； 第3圖係一示意圖，解釋一種根據本發明之用K對準 半導體裝置之微圖案的方法；及 第4圖係一放大平面圖，顯示出根據本發明之第3圖 的半導體裝置上形成的量測標記。 較佳實施例詳细說明 第3圖係一示意圖，解釋根據本發明之一種用以對準 一半導體装置之微圖案的方法。另一方面，第4圖係一放 大平面圖，顯示出根據本發明之第3圖的半導體裝置上所 形成的量測標記。 根據本發明，一可蝕刻層（未顯示）及一光阻膜（未 顯示）偽依序地形成於一半導體晶圓1 1之上。如第3圖 所示，半導體晶圓1 1具有複數個晶粒1 2 ，其設有包 -1 0- I用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I--------------1T------!線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3^2630 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 1 1 括 元 件 隔 離 氧 化 膜 字 組 線 、 位 元 線 與 電 容 器 之 所 需 的 下 1 1 级 结 構 1 1 半 導 體 晶 圓 1 1 於 其 對 應 至 切 割 線 1 4 丄/ 部 分 > 亦 七Π- a又 /·—n 請 先 1 1 有對準標記與重疊量測標記 0 於 第 4 圖 中 圖 號 1 5 A 表 閱 讀 背 1 1 示 的 該 等 對 準 標 記 * 係 在 例 如 用 形 成 元 件 隔 離 氧 化 膜 之 面 之 1 1 一 初 始 製 程 前 的 一 製 程 步 驟 形 成 C 該 等 對 準 標 記 1 5 A 可 意 華 1 項 具 有 —* 可 選 擇 的 尺 寸 t 例 如 大 約 為 4 X 4 U m Z 6 X 6 真 ύ. | U m 2 或 4 X 1 2 U m Z 0 另 一 方 面 t 該 等 重 叠 量 測 標 記 寫 本 頁 裝 1 係 在 諸 等 初 始 製 程 步 驟 所 形 成 〇 參 考 第 4 圖 顯 示 出 該 V--✓ 1 1 等 重 疊 里 測 標 記 之 外 部 標 記 部 分 1 6 r, 1 1 | 由 於 該 等 對 準 標 記 1 5 A 具 有 一 小 的 尺 寸 其 可 能 歸 1 1 訂 1 因 於 薄 膜 形 成 或 蝕 刻 過 程 中 發 生 的 一 誤 差 而 受 損 壞 0 於 此 情 況 時 欲 覲 測 該 等 對 準 標 記 係 不 可 能 的 0 配 合 如 前 所 述 1 I 該 等 對 準 標 記 係 受 損 壞 的 情 況 將 +曰 出 說 明 如 后 1 I - 根 據 本 發 明 具 有 前 述 结 構 之 半 導 體 晶 圓 1 1 係 載 入 1 1 於 一 分 步 光 刻 機 中 使 其 係 能 作 曝 光 0 線 1 該 等 對 準 標 記 1 5 A 係 在 進 行 曝 光 製 程 時 受 損 壞 t 致 1 1 使 係 Μ 法 觀 測 0 1 1 拫 據 本 發 明 之 方 法 9 數 個 ( 1 0 或 少 於 1 0 個 ) 晶 粒 1 1 | 1 2 A 係 首 先 由 半 導 體 晶 圓 1 1 取 樣 作 為 觀 測 晶 粒 0 對 於 1 1 該 等 取 漾 晶 粒 1 2 A i 在 半 導 體 晶 圓 1 1 係 與 一 曝 光 光 罩 1 1 ( 未 顯 示 ) K 0 * 1 至 5 U ΙΏ 距 離 而 誤 對 準 的 情 況 下 i 即 1 | Μ 一 個 大 約 為 0 〇 5 U m 的 容 許 對 準 誤 差 -V 大 約 2 至 2 1 I - 11 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Μ Β7 五、發明説明（f ) ◦倍的情況下，簧施曝光以形成光阻膜圖寨。因為無法觀 測該等對準標記，此製程偽無須觀測對準標記1 5 A而作 進行。 之後，已形成於半導體晶圓1 1之上的可蝕刻層，涤 運用光阻膜圖案而作蝕刻，藉Μ形成可蝕刻層圖案。接著 ，移除該光阻膜圖案。 與該等可蝕刻層圖案之形成的同時，對準標記1 5 Β 及重疊量測標記之内部標記部分1 7均係形成於該切割線 1 4上。該等對準標記1 5 Β係Κ大約為1 0 0 a m或更 大之一距雛而與該等内部標記1 7相隔開。 雖然該等可蝕刻層圖案係在Μ大於容許對準誤差的一 誤差之誤對準時而形成，因為分步光刻機本身係相對於半 導體晶圓1 1之切割面而實施一基本的對準，該誤對準度 係可限制至某一個階層（程度）。其間，如先前所形成的 該等外部標記1 6具有大約為2 Ο X 2 0 u m 2之一大尺 寸，而該等内部標記1 7則具有大約為1 Ο X 1 0 w m 2 之一小尺寸。是Μ，即使當誤對準度之範圍係於X — Y軸 方向之土 5 w m，該等内部標記1 7係形成於相關的外部 標記1 6之内側。 該等外部標記1 6能夠作觀測，因為其係在初始製程 步驟形成Μ具有一非常大的尺寸。 之後，介於該等外部與内部標記1 6與1 7之間的距 離，係於其等對邊作量測。SP，量測X 1 、X 2 、Y 1與 -1 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） ----：----J —裝------訂-----叫線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 1。 ) 1 1 Y 2 等 距 離 0 基 於 該 等 里 測 得 之 距 離 計 算 介 於 半 m 體 晶 1 1 圓 與 曝 光 光 罩 之 沿 著 X 與 Υ 铀 的 誤 對 準 度 0 沿 著 X 釉 之 誤 1 1 對 準 度 δ X 係 Μ 式 子 : δ X = X 2 — X 1 而 計 算 t 而 沿 著 /-V 請 先 1 1 Y 軸 之 誤 對 準 度 δ Υ 係 以 式 子 : δ Υ — Υ 2 — Υ 1 而 計 算 閱 讀 1 背 1 0 此 時 » 亦 可 計 葺 介 於 半 導 體 晶 圓 與 曝 光 光 罩 之 間 的 個 面 之 1 1 誤 對 準 角 度 Θ 0 意 1 項 在 具 有 前 述 结 構 之 半 導 體 晶 圓 1 1 上 係 接 著 依 序 形 再 Μ I 成 一 個 可 蝕 刻 層 ( 未 顯 示 ) 與 一 個 光 阻 膜 ( 未 顯 示 ) 0 之 寫 本 頁 裝 1 後 該 誤 對 準 度 係 基 於 前 述 計 算 结 果 而 作 校 正 0 於 此 狀 況 1 1 下 並 非 該 等 觀 測 晶 粒 1 2 A 之 一 般 晶 1 2 Β 係 選 擇 性 1 I 曝 光 藉 Μ 形 成 光 阻 膜 圖 案 C 於 此 情 形 時 分 步 光 刻 機 使 1 1 訂 用 了 如 先 前 之 曝 光 製 程 所 用 的 相 同 曝 光 光 罩 0 分 步 先 刻 機 1 亦 儲 存 了 先 前 形 成 的 對 準 標 記 1 5 Β 之 位 置 於 其 工 作 檔 案 1 1 中 0 m 當 Μ 如 計 算 之 誤 對 準 度 來 校 正 該 等 對 準 標 記 1 5 1 I B 之 位 置 時 9 分 步 光 刻 機 係 進 行 其 曝 光 操 作 0 1 Ί 線 使 用 該 等 光 阻 膜 圖 案 作 為 —. 光 罩 該 可 蝕 刻 層 係 接 著 1 於 其 未 覆 蓋 光 胆 膜 圖 案 的 部 分 作 蝕 刻 > 藉 以 形 成 可 蝕 刻 1 1 層 圖 案 0 1 I 該 等 可 蝕 刻 層 圖 案 9 正 常 下 係 已 對 準 的 圖 案 0 是 以 f 1 1 | 該 等 一 般 之 晶 粒 1 2 Β 係 在 未 涉 及 任 何 誤 差 下 而 作 出 圖 案 1 1 1 由 前 述 說 明 可 清 疋 看 出 1 本 發 明 之 方 法 提 烘 了 不 同 的 1 1 | 效 能 0 1 I - 13 - 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（\丨） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之方法運用了 K下的事踅：即使在一半導體晶 圓具有歸因於薄膜形成或蝕刻過程中發生的一誤差而損壞 之對準標記的情況下，其重疊量測標記之外部標記部分仍 能夠觀測出。對於由半導體晶圓取樣出作為觀測晶粒之數 個晶粒，係在半導體晶圓與曝光光罩誤對準的情況下，實 施曝光以形成光阻膜圖案。之後，係形成對準標記與重疊 量測標記之内部標記部分。一個介於半導體晶圓與曝光光 罩之間的誤對準角度Θ亦作計算。於分步光刻機，該誤對 準度係基於計算结果而接著作校正。於此狀況下，後續的 製程係對於並非觀測晶粒之一般的晶粒而進行。是Μ，欲 降低該等被視為具有不良品質之晶粒數係可能的，藉Μ達 成於半導體裝置動作可靠度上之一改良。 雖然本發明之較佳實施例已經Μ說明之目的而作揭示 ，熟習此項技藝者將可理解的是，在未偏離如隨附之申請 專利範圍中所揭示的本發明之精神與範疇下，不同的修改 、添加及替代均係可能的。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

1. Α8 Β8 C8 D8 32263〇 六、申請專利範圍 1 *一種用K對準半導體裝置之微圖案的方法，其包 含有步驟： 準備一個半導體晶圓，其設有複數個晶粒及重叠量測 標記之選取標記部分； 於該半導體晶圓之上，形成一第一可蝕刻層以提供所 需的圖案； 於該等選取晶粒部分上各自設置之第一可蝕刻層的部 分上，形成第一光阻膜圖案，作為一個用於將由第一可蝕 刻層所提供之圖案的蝕刻光罩； 藉用作為一光罩之該等第一光阻膜圖案，選擇性地移 除第一可蝕刻層，藉Μ形成第一可蝕刻層之圖案，其提供 該等重疊量測標記之其餘標記部分Μ及設置於該等重叠量 測標記之一邊的對準標記； 移除該等第一光阻膜圖案； 藉用該等重叠量測標記，量測對於選取晶粒之誤對準 度，而該等重叠量測標記包括由該等選取與其餘摞記部分 所提供的内部與外部標記； 在該等第一光阻膜圖案之移除後，於所得之產生结構 的整個上部表面上*形成一第二可蝕刻層； 藉用於該等第一光阻膜圖案之形成中所用到的相同曝 光光罩，於並非該等選取晶粒之一般晶粒部分上所設置的 第二可蝕刻層部分上，形成第二光阻膜圖案’此係在一個 介於該半導體晶圓與曝光光罩之間的誤對準係基於由一分 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) i. 訂· 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 申請專利範圍 步光機所量測誤對準度K作校正的情況下，該分步光刻機 係儲存該等對準標記之位置於其工作檔案；及 藉用作為一光罩之該等第二光阻膜圖案，蝕刻第二可 蝕刻層*藉Μ形成第二可蝕刻層之圖案。 2 *如申譆專利範圍第丨項之方法，其中該等對準標 記與重叠量測標記係形成於每一晶粒之一切割線上。 3 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該等對準標 記具有一個範圍由4X4«m2至5x5/Urn2的尺寸。 4 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該等對準標 記具有一個大約為6X6 «m2的尺寸。 5 ·如申請專利範圔第1項之方法，其中該等對準標 記具有一個大約為4X 1 2ϋΐη2的尺寸。 6 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該等重叠量 測標記之外部標記部分具有一個大約為2 〇 X 2 0 w m 2 的尺寸。 7 ·如申請專利範圍第1項之方法，其中該等重叠量 測標記之內部標記部分具有一個大約為1 〇x 1 0wmZ 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 的尺寸。 8 ·如申請專利範園第1項之方法，其中該等第一光 阻膜圖案之形成係在一情況下實施，即在該等1 0個或少 於10個之選取晶粒係具有相當於一容許對準誤差之2至 2 0倍的一誤對準度之情況下。 9 .如申請專利範圍第1項之方法，其中該等對準標 -2- ^紙張纽適用中國國家標準（CNS ) ( 21GX297公著） 扣 2β3〇 Β8 C8 D8 六、申請專利範圍 記係Μ—大約為1〇〇wm或更大的距離而與該等重叠量 測標記相隔開。 1 ◦，如申請專利範圍第1項之方法，其中該誤對準 度之範圍於X — Y軸方向係土 5 wm。 1 1 ♦如申請專利範圍第1項之方法，其中該於X軸 方向之誤對準度與於Y軸方向之誤對準度，係藉著計算介 於每一重叠量測標記之該等內部與外部標記部分在X與Y 軸方向的距離而作量測。 1 2 *如申請專利範圍第1項之方法，其中該誤對準 度包括一個介於半導體晶圓與曝光光罩之間的誤對準角度 ，其係藉著將形成於每一晶粒之四邊上的重叠量測標記之 量測值作平均所得到。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -3- 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210Χ297公釐〉