TW410396B - Apparatus for electrochemical mechanical planarization - Google Patents

Description

__41Q3Q6 ；；_ 五、發明説明（！） 相關申請案的交互參考 本申請案是有關於由Cyprian E. Uzoh和James M. Harper 所同時提出申請而爲本案申請人所同時擁有並在審查中之 名稱爲 Method of Electrochemical Mechanical Planarization 的專利申請案’其代理人案號是第FI9-97-040號。 發明背景 1.發明範畴 本發明是有關於工件的平面化處理作業，特別是有關於 應用來製造半導體晶片之工件的平面化處理作業。 2 習用技鹌的韻明 在製造半導體晶片（積體電路）的製程中，金屬導體常用 來連接設置在一工件一例如諸如矽之類的半導體材料基體 上的許多微電子组件。一般而言，其係將一個通常爲圓形 的薄而大致上扁平的半導體材料加以處理，以供在該等諸 如互補式金屬氧化物半導體（CM0S)元件之類的微電子組 件之外再加入多層金屬導體、絕緣體和金屬襯裡等的薄 層。 圖1 A顯示出習用製做過程的一個中間步驟時的典型半 導體晶圓W。此晶圓W具有二個主要侧邊i 〇和多個次 要侧邊1 2。如圖1B中所示’這些次要侧邊1 2可以構成 例如一個圍繞著晶圓W的大致上連續的圓形侧邊s 。此 晶圓包括有例如一個S i基體1 4，其具有一絕緣體1 6 (例 如一層8丨02層）、一導體18(例如一層Cu層）.和一個微電 予组件2 0 (例如一 CMOS元件）設置在其上。組件2〇是設 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) μ規格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消f合作社印聚 410396 A7 ____... B7 五、發明説明（2 ) 置在例如基體14或絕緣體16内，導體層18構成一個主 要側邊1 0的全部’並構成次要侧邊12的_部份。層18 是例如Cu、Al、Ti、Ta、Fe、Ag、Au等的合金，其或 是磁性薄膜。 隨著半導體晶片内的配線密度的增加，其需要使用多層 的導體1 8才能達到组件2 0間的連接狀況。因此，每一 層導體層18和每一層絕緣體或電介質層16的平面化處 理作業是晶片製造程序中的—個重要步驟。 有多種的平面化處理方法和装置是已爲人知的。化學機 械式平面化處理作業（CMP)包括有固持、旋轉及推壓一晶 圓，以使得該旋轉的導體（例如Cu金屬）層1 8能夠在受 控制的化學、壓力和溫度等的條件下壓迫在一個濕的平面 化處理/抛光表面上。電化學平面化處理或加工件業（ECM ) 是利用電化學蚀刻作業爲之的—藉著在通電的情形下將一 材料和一種鹽類的水溶液混合而將該材料（例如導體層1 8 之一部份）加以溶解。 圖2顯示出一種習用的CMP裝置30。此裝置30包括 有一個可旋轉的抛光平台32，固定在一根可旋轉軸38 上’一片抛光整34 ，設置在該平台32上，一個可旋轉 的工件托架36 ，設置在平台32旁邊處，並可使得一個 適當的力量（箭號F)能夠施加至放置在托架3 6上之_凹 入部（未顯示）内的工件W上。此力量F是由例如已知的 機械式、電機械式或氣壓裝置等來加以產生的。裝置30 進一步包括有一個抛光漿液供應系統，其包括有一個貯筒 -5- 本紙張尺度適用中國國家標季（CNS ) Α4规格（210X297公釐） ---------裝-- ί & (辣先閱讀r面之注意事項V填寫本頁) 訂 經濟部中央摞準局員工消費合作社印农 410396 五、發明説明（3 ) 或容器40(例如受到溫控的）、一個和該容器40和墊34 做流體連通的導管42和容納在容器40内的化學抛光漿 液44。漿液44是經於導管42施用至藝34上。 圖3顯示出一個習用的電化學電池。陽極A中的金屬原 子會被來自電位來源B (例如電池或其它的電壓源）的電力 加以離子化，並被迫進入容納在桶T内的電解液E内。 根據法拉定律，金屬陽極A是以正比於電流的速率溶解 至溶液E内。來自陽極金屬離子會依金屬和溶液的化學特 性而鍍在陰極C上、沉澱出來成爲沉澱物或是停留在溶 液内。 參見在美國專利案第4,793,895號、第4,934，102號、第 5,225,034 號、第 5,534,106 號 '第 5,543,032 號、第 5,567,300號和第5,575,706號内所討論的CMP、ECM和 其它已知的平面化處理方法和裝置，這些專利案均係以它 們的案號來加以引述於此的。在西元1996年1 1月1 9日 授予Tsai等人的美國專利案第5,575,706號中，名稱爲 CHEMICAL/MECHANICAL PLANARIZATION (CMP) APPARATUS AND POLISH METHOD，討論到藉由在晶圓托架和抛光平台 之間施加二電場來控制晶圓和墊之間的漿液濃度。 本案發明人相信，由於平面化處理過程中的工件彎曲情 形或對於設置在工件上的CM〇s元件或其它組件的損傷等 所造成的工件產量上的限制之故，這些已知的方法和裝置 並非是完全另人滿意的。 ·： -6 - 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS) A4規格（21 〇 X297公釐） I-: : -Ί—— (诔先聞讀r面之注意事項-r填寫本頁) 訂

P __410396__ 五、發明説明（4 ) 發明概述 本發明之主要目的是要增加對於諸如半導體晶圓之類的 工件的平面化處理作業的產能β 本發明的另一目的是要能在減低對於位在晶圓上之微電 子組件造成的傷害的情形下平面化處理一半導體晶圓。 根據本發明，化學機械式平面化作業和電化學平面化作 業二者的方法和裝置中的某些元件可配合於其它另外的元 件和結構特點來得到一種新穎而非顯而易知的電化機械式 平面化處理（ECMP )的方法和裝置。 因此一種用來平面化處一個理具有要加以平面化處理之 層的工件的方法包括有至少同時執行下列步驟之每一者的 一部份：旋轉該層；將該層推壓於—種電解抛光漿液上； 以及將電流流通過該漿液，並且僅通過該工件的一個主要 側邊和多個次要侧邊，以供以電化學和機械式的方式來將 該層的一部加以移除。在此方法的勒始階段中，電流是 控制成能以電化學的方式來達到最高的移除速率。而在最 終階段，電流則是.控制成能以機械式或化學機械式的方式 來達到最高的移除速率。 經濟部中央椋準局負工消費合作社印繁 —種平面化處理一工件的裝置，包括有—個工件托架， —個可旋轉平台，一個設置在該可旋轉平台上的抛光墊， 以及多個設置在該工件托架上的工件電極。在一種具體實 施例中，該等工件電極的配置方式及尺寸係可使得該等工 件電極僅會在工件的次要侧邊上;接觸到該層。在另—種具 體實施例中，該等工件電極僅會在工件的次要側邊和—個 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） A7 B7 410396 五、發明説明（5 ) 主要侧邊上接觸到該層。該一主要側邊上不具有可能會被 在該層的電化學移除過程中流通過的電流所損傷到的微電 予組件。 本案發明人相信本發明可以大幅度地減低工件受損的可 能性。晶圓的彎曲可以減少，且電流的流動是控制成能避 免流經任何通過微電子組件的路徑' 在閲讀下面的詳細説明，並配合所附圖式，其將可輕易 地瞭解到本發明進一步的目的及其它的目的，而在圖式 中： 圖式之簡單説明 圖1 A是一個要利用本發明之裝置來根據本發明之方法 加以處理的工件（例如一片半導體晶圓W)的示意側视 圖。 ' 圖1B是圖1A中所示之晶圓的頂視平面圖。 圖2是習知的CMP裝置的示意侧視圖。 圖3是習知的ECM裝置的示意侧視圖。 圖4是一高階流程圖，顯示出根據本發明之 Α 々故的一徊

較佳具體實施·例。 U 經濟部中央標率局貝工消費合作社印製 圖5是一放大的侧視圖，部份爲剖面，顯示出圖1 a 1B中之晶圓在以本發明的方法和裝置加以處理之1 和 細情形。 則的詳 圖6是一放大的侧視圖，部份爲剖面，顯示出圖. 1 B中之晶圓在以本發明的方法、和裝置加以處理 A和 細情形。 °设的部 -8 - 各纸張尺度適用中國國家標準（CNS >八4規格（2]0><297公釐 410396 a? r________ B7 五、發明説明（6 ) 圖7是根據本發明之ECMP裝置6〇的一個較隹具體實 施例的示意側視圖。 圖8是圖7中之工件托架6 6的放大示意側視圖，顯示 出晶圓W放置在一個凹入部尺内，並顯示出多個工件電 極67和導體層18做電接觸。 圖9疋圖8中圏起來的區域的放大示意侧視圖，顯示出 彈簧65以機械方式將電極67的一個導電部份67E推壓 至和導體（例如Cu)層18.相接觸；此部份67E係由電導 體8 2電連接至電位供應源8 〇上。 圖10是連接至電極67上之供應源80的更詳細的示意 圖式。 圖11 a-lid是示意圖式’顯示出本發明的各個元件中的 墊64和平台62的數種不同具體實施例β 圖12是一示意圖’顯示出一種用來將正電位施加至工 件W之適當部位上的電容耦合式裝置， 圖1 3是本發明另外其它的結構特點的示意圖式，顯示 出供應源80之電路81連接至一個控制器上，其具有適 當的軟體’可使供應源80能夠根據所需要輪廓來改變電 化學電流i。 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 圖1 4顯示出電蝕刻電流i的四種不同電流對時間曲線 (波形）的曲線圖。 圖1 5本發明的另一不同具體實施例的示意圖，顯示出 晶圓W固定在托架檯CT上而使得其層18面對著一個可 移動的抛光頭MPH ，並顯示出一終點债測器，其包括有 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) ' 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 410396 A7 __—____B7 五、發明説明（7 ) 一個光源LS (例如雷射）、一個可移動的鏡子MM和一個 能以在晶圓上之位置的函數關係來測量光強度的位置敏感 偵測器PSD 。當偵測器接收到—個偵測器信號，指示出 層18的厚度是相當的薄，或者是已經被移除掉了，則控 制器將解讀此偵測器信號，以控制供應源8 〇來減少由供 應源8 0所供應的電位大小。 圖1 6是再另一種不同的具體實施例的示意侧視圖，其 具有電容式或渦流偵測器D固定在抛光頭μ P Η上，並和 一控制器與電源供應系統8 Ο Α相連接，其可根據有關於 所偵測到之仍然殘留在晶圓W上的層1 8的厚度的信號來 控制陽極和陰極電位。 圖17A和17B顯示出電極裝置67的再另一種具體實施 例，其在晶圓是由例如習用的眞空裝置加以固定在習用的 托架6 6 A上而使得侧邊S是大致上和托架6 6 A之外侧表 面成爲共線狀時是特別有用。此裝置67包括有一個硬質 的絕緣套筒或軸環67S，環繞著托架66A，並固定至電 極67上，而使得電極部份67E能在正常作業時與侧邊δ 做電接觸。電極6 7是由一種彈性的回火BeCu、Ta、欽 或alpha-Ta所製成的。此裝置67可在圖17A中的箭號方 向上移動。 較佳具體實施例和最佳樓式的詳細説明 現在參閱圖式，特別是圖4-14 ，其中顯示出本發明之 方法的高階邏辑流程圖（圖4 )，，以及可在一個具有要加以 平面化處理（圖6)之層18(圖5)的晶圓W上實施該方法 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） ' ~ {蝽先閱讀t;面之注項r·^寫本頁〕 •裝·

•IT tor 410396 A7 B7 五、發明説明（8 ) 的本發明裝置60(圖7-14)的各種具體實施例和結構特 點。在圖4的方法中，流通 '旋轉和推壓等步驟的每—者 的至少一部份是會同時發生的。在此方法的初始和中間階 ^中’當層18(例如Cu)上具有例如大量的多餘材料時， 要將相當大的電化學電流i (在圖9-11、13中顯示出傳統 的電流方向）流通過層1 8上的適當部份（例如該等次要侧 邊或表面和主要侧邊或表面的一者）。此電流i的大小可 以是例如能產生約15-60 mA/(cm 2)之電流密度者。在電流 i流通的同時’晶圓是在25 -1 〇〇 rpm的範圍内旋轉，平台 是在25-90 rpni的範圍内旋轉，而施加在晶圓上來擠壓適 當的電解拋光漿液74(圖7)的壓力是在錐半（c〇ne_ Half)(0.5)-八（8)psi 的範圍。 因此，層18的第一部份18A(圖5)基本上是以電化學 的方式加以移除的。適合於勒始和中間階段的漿液7 4包 括有例如體積 H2S04(. 1 %-2°/。）、H202(. 1 % - ；1 %)、苯耕 4 ♦聚體（BTA濃度-200 ppra至7%)和非離子界面活性 劑，例如E.I.Dupont公司所發售的Alkanol ACN，再配合 於水和矽石（或礬土）。這些漿液是相當具侵蝕性的。在層 1 8的厚度減少後，電流i就減小或中止，而漿液74在旋 轉的層18上的化學機械式反應就會變成主導的因素來移 除其餘的部份。因此第二部份18B(圖5)主要是以化學機 械式來加以移除的e此方法最終階段中所用的合適的溫和 漿液 7 4 包括有例如 CuS04 ( 3 % )、H2 S04 ( . 1 % )、

Alkanol ACN、BTA，並配合水和矽石（礬土）。此方法的 -11" 本紙張尺度適用中國.国家操準（CNS )八4規格（2⑴X 297公釐） % ; 一 — (來先閲讀#:面之注意事項|^#寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝工消费合作社印來 410396 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 A7 B7 五、發明説明（9 ) 初始、中間和最終階段的邊界主要是例如依層1 8的成份 由經驗決定之《任何適當的平面化作業終點偵測裝置均可 加以使用，例如前面所引述之美國專利案第4,793,895號 中所揭露的裝置β 圖1 4顯示出電蝕刻電流i的多種電流對時間的波形， 其等係由一個適當的電位供應源8 0 (例如圖9、圖1 3中 的電源供應器）來加以產生的。波形：是脈波式直流 電’單向正極性；當然也可以穩定的直流信號來代替之； (b)是具有交錯極性的脈波式直流電；（c)是具有交錯極 性的三角波或鋸齒波；（d)具有不同強度和單向或交錯極 性者。當然’具有不同之電流對時間波形的信號可以由供 應源8 0供應至晶圓.W上，以使電蚀刻的相對強度、去極 化和純化學機械式平面化等的效果達到最佳程度^任務循 環是例如1 0 % - 7 5 %。 最好電位供應源8 0是電腦控制的一圖13。在圖1 3中 電位供應源80包括有或是連接到一個具有中央處理器（例 如微處理器）、記憶體、匯流排、輸出入埠的控制器，這 些元件均是適當地連接至信號接收電路81上，並連接至 終點偵測裝置上，以便根據例如圖1 4中的波形來控制電 流i。軟體指令和資料可以編碼並儲存在記憶體内，以使 該控制器可以產生適當的信號給供應源8 〇來控制電流 1 ° 圖6顯示出在根據例如圖4之、平面化作業剛完成之後的 層18。晶圓W包括有一層種源層SL9(例如Cu)和一層 -12 - 本紙張尺度適财關家標率（CNS ) A4赌（2丨以297公釐) ~ {旅先聞讀";面之注意事項{^'寫本頁}

410396 A7 B7 五、發明説明（10 ) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 金屬襯裡層 LL(例如 Ta、TaN ' alpha-Ta、路、TiN)。 層ll可以做爲額外的導體來將電流丨導入或沿著層i8導 引，特別是在層1 8中和電極6 7直接接觸的末端被移除 之後。可用來實施本發明方法的裝置60的較佳具體實施 例是顯示在圖7-10中。此裝置6〇包括有一個可旋轉的工 件托架66、多個設置在托架66之凹入部R内的工件電 極67、一個結合至—根可旋轉軸68上的可旋轉平台、 個結合至平台6 2上（例如設置在其内）的平台電極 63、一個固定至平台62上的抛光墊64、一種用來將托 架推壓在墊64上的裝置（例如力量箭號〇和一個和墊 64做流體連通的漿液供應系統。此漿液供應系統包括有 一個容器70 ’結合至一導管72上，其安排方式及尺寸 係可在裝置60的正常作業中將電解抛光漿液74喷灑至 蟄64上◊至少在該作業過程的一部份中，該等電極 67(和層18)是做爲陽極，而電極63和平台62則是陰 極。托架6 6和平台6 2是例如不銹鋼，而墊6 4則是例如 習用的柔軟纺織物或是硬質的保利生（P〇lyUrethane)，只 要墊64具有充份的多孔性，使得離子流能夠流過該墊而 到達漿液上，並到達層1 8 。參見例如先前所引述的美國 專利案第5,534,106號13如前面所討論的，漿液是一種包 含有諸如矽石或礬土之類的磨耗性顆粒的適當水性電解 液。 最妤導電電極67的安排方式> 尺寸係使其可位於凹入 部R内’以使得其一個電極部份6 7 E (例如Cu、A1、 -13 - 本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4現格（210X297公釐） 410396 A7 B7 經濟部中央榡準局負工消费合作社印製 五、發明説明（11 ) Ag ' Au、Sn、Fe或其等旳適當混合物或合金）係僅在工 件或層的次要側邊S處和廣18相接觸。參見圖8-1〇。 彈簧65以機械方式將每一個部份67E推壓至侧邊S上。 電極67是由導電線82加以連接至供應源80上，而電極 6 7和電線8 2係由任何適當的電絕緣材料，例如合成橡 膠，加以和托架電絕緣隔離開。電流i會流經該部份6 7 E 而在接觸區域進入至層18内。 圖lla-lld顯示出本發明另外的不同具體實施例及其特 點。在圖1 1 a中，墊64是由絕緣體641加以在電氣上分 隔成多個部位64S 。絕緣體641是適當的絕緣實心物體 (例如一至五公楚厚及深者）’或者是適當的空氣間隙β在 墊64上和平台62相接觸的侧邊上，該墊包括有例如導 電片部位64C和絕緣片部位641。軸68包括有一個絕緣 體6 8 I，使其可以不必要將導電性的平台6 2加以電連接 至地面上<圖lib、llb_l和llb，2顯示出可拆除式陰極 (例如銅網），設置在形成於墊64内之通遒62内。電極 63和平台62可以疋各別的零件’或者可以形成爲一體。 圖11c和lid顯示出導電網64C由集電環（未顯示）和電 線8 3連接至供應源8 〇的負極端點上。 圖12顯示出一種電容耦合式的裝置，用以將一正電位 =加至晶圓w上，其在需要將電介質的層18，而不是導 電材料者，加以移除上是最爲有用的。圖15和圖16顯 示出再另外的具體實施例，其等:具有面.對者可移動之抛光 頭邮Η的層18。圖17A、17B顯示出電極”的不同配 -14 本’紙張尺度適用中國國家標準（CNS) Α4規格（210X297公楚）

UU 請 先 閲 讀 背: ιέ 項 裝 !. 訂 A7 B7 410396 五、發明説明（12 ) 置方式，可配合習用的托架66A使用。 雖然本文中顯示並描述出目前被認爲是本發明的較佳具 體實施例者，但是對於熟知此技藝之人士而言，其當可知 曉在不脱離由下文所述之申請專利範園所界定之本發明精 神及範疇的情形下，其仍可有多種的變化和修改。例如， 平台62和托架66可以由諸如陽極處理過的鋁之類的絕 緣材料來製做，而在此種情形下，陰椏則將適當地連接至 電源和漿液上。另一種方式是陰極電極（例如6 4 c )可以 位在漿液容器70内》另外’當然本發明的方法和裝置可 以配合晶圓中要加以平面化處理的層18基本上是内凹狀 而不是大致上平坦者來使用。 ί~； I--7 _)ί装—— (I先閱讀r面之注意事項f樣寫本頁}

LT •訂_ 經濟部中央桴準局貝工消費合作社印繁 -15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐）

Claims (1)

1. € 祕;18/ /-=窣 L· 二恃修In 修 曰^群 第中

   年 月 8 8 88 ABCD 煩請委員明示^^年^乃^::^^所凝之 經濟部中央標隼局男工消f合作社印褽 ^'正本有無^^實賀内容是否^手修正。 六、申請專利範圍 1. 一種平面化處理一工件的_裝置，該工件具有，多個次要 倒__邊，部份地構成一層要加以平面化處理的層，該裝 置包含有= 一工件一抵; 一可裨轉_平台，設置在該工件托架的旁邊； —拋光墊，設置在該可旋轉平台上； .多假極，設置在該工件托架上，該等工件電 極的配置方式及尺寸係可使得在該裝置的正常作業過 程中，在該.工件放置在該工件托架上時，該等工件重 極僅會在工件的次要侧邊上接觸里丨..兹層； 一 5:合-ϋ，與該可旋轉平台—連接；以及 一搬光漿液，設置於該拋光身上。 2. 根據申請專利範園第1項之裝置，進一步包含有一個容 器，以及一種裝置，用來提供該容器與該拋光墊之間 的流體連通。 ;.“.今 3. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該平台電極設置 在該可旋轉平台内= 4. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該可旋轉平台係 電連接至地面上的。 5. 根據申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含有連接至 該等工件電極上的t導體-，以及具有能設置在該等電 導體和該等工件電極上的配置方式及尺寸的電絕緣 體，使得該等電導體和該等工件電極可以自該工件托 架上電絕緣隔離開。 本紙乐尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) € 祕;18/ /-=窣 L· 二恃修In 修 曰^群 第中

   年 月 8 8 88 ABCD 煩請委員明示^^年^乃^::^^所凝之 經濟部中央標隼局男工消f合作社印褽 ^'正本有無^^實賀内容是否^手修正。 六、申請專利範圍 1. 一種平面化處理一工件的_裝置，該工件具有，多個次要 倒__邊，部份地構成一層要加以平面化處理的層，該裝 置包含有= 一工件一抵; 一可裨轉_平台，設置在該工件托架的旁邊； —拋光墊，設置在該可旋轉平台上； .多假極，設置在該工件托架上，該等工件電 極的配置方式及尺寸係可使得在該裝置的正常作業過 程中，在該.工件放置在該工件托架上時，該等工件重 極僅會在工件的次要侧邊上接觸里丨..兹層； 一 5:合-ϋ，與該可旋轉平台—連接；以及 一搬光漿液，設置於該拋光身上。 2. 根據申請專利範園第1項之裝置，進一步包含有一個容 器，以及一種裝置，用來提供該容器與該拋光墊之間 的流體連通。 ;.“.今 3. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該平台電極設置 在該可旋轉平台内= 4. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該可旋轉平台係 電連接至地面上的。 5. 根據申請專利範圍第1項之裝置，進一步包含有連接至 該等工件電極上的t導體-，以及具有能設置在該等電 導體和該等工件電極上的配置方式及尺寸的電絕緣 體，使得該等電導體和該等工件電極可以自該工件托 架上電絕緣隔離開。 本紙乐尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   月 8888 ABCD 申請專利範圍 經濟部中央橾牟局貝工消費合作社t製 6. 根據申請專利範圍第L項之裝置，其中該工件托架係由 —種非導電性材料所製成的β 7. 根據_請專利範園第1項之裝置，進—步包含有—個連 接至該等j;並重板上的正電位供應源和一個連接至該 H轉ΐ__金上的負電位供應源。 8_根據申請專利範圍第〖項之裝置，其中該拋光墊形成有 多個通道，而該裝置進一步包含有導電材料設置在該 等通道内β 9. 根據申請專利範圍第}項之裝置，其中該n衆液包括 有一種電解液。 10. 根據申請專利範圍第1項之裝置’其中該等工件電極係 由一種自基本上包含有銅、铭、銀、金、錫、鎳和錯 之族群中選出的導電材料所製成的。 11. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該工件鬼包含 有壁部’其構成一個凹入部，可容納工件於其内，其 進一步包含有彈簧’設置在該等壁部和該等電極之 間’該等彈簧的配置方式及尺寸係可使該等彈簧能夠 在該工件放置在工件托架上之時’機械式地推壓並電 連接該等電極至該工件的該層上。 12‘根據f 專利範圍第1項之裝置，進一步包含有—種裝

   該工件托架加以朝向該拋光整 係用來史理一個具有

   推壓 货擬^用以部份 J:的么的半導體晶裳1吉咕 ^ ^ I -2 私紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > Α4規格（210x297公嫠） (請九閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂 泉

   月 8888 ABCD 申請專利範圍 經濟部中央橾牟局貝工消費合作社t製 6. 根據申請專利範圍第L項之裝置，其中該工件托架係由 —種非導電性材料所製成的β 7. 根據_請專利範園第1項之裝置，進—步包含有—個連 接至該等j;並重板上的正電位供應源和一個連接至該 H轉ΐ__金上的負電位供應源。 8_根據申請專利範圍第〖項之裝置，其中該拋光墊形成有 多個通道，而該裝置進一步包含有導電材料設置在該 等通道内β 9. 根據申請專利範圍第}項之裝置，其中該n衆液包括 有一種電解液。 10. 根據申請專利範圍第1項之裝置’其中該等工件電極係 由一種自基本上包含有銅、铭、銀、金、錫、鎳和錯 之族群中選出的導電材料所製成的。 11. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中該工件鬼包含 有壁部’其構成一個凹入部，可容納工件於其内，其 進一步包含有彈簧’設置在該等壁部和該等電極之 間’該等彈簧的配置方式及尺寸係可使該等彈簧能夠 在該工件放置在工件托架上之時’機械式地推壓並電 連接該等電極至該工件的該層上。 12‘根據f 專利範圍第1項之裝置，進一步包含有—種裝

   該工件托架加以朝向該拋光整 係用來史理一個具有

   推壓 货擬^用以部份 J:的么的半導體晶裳1吉咕 ^ ^ I -2 私紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS > Α4規格（210x297公嫠） (請九閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .訂 泉

   月γ日修正/史ie/補光·410396 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 一可iil,..,晶...圓托架； 一可旋.，辕.是.台； 二拋光蟄，設置在該可旋轉平台上； —種裝置，用來將該晶圓托架加以推薇_至該拋光墊 上； -一種.電解拋光漿虚，設置在該拋光墊上； 一第一電極，係與該電解拋光漿浚做SL接觸； 多個第二I極，其等的配置方式和尺寸係可設置在 該晶圓托架上，而使得在該裝置的正常作業過程中， 在該晶.圓放置在該晶圓托架上時，該等t二電極 _篮童 H盟邊上ilJUMl生t 層。 14. 根據申請專利範圍第1 3項之裝置，進一步包含有一 I 隹_坚_應源，係連接至該第一電極和該等第二電極上， 使得該等第二電極至少在該裝置的正常作業過程的一 部份中相對於該漿液具有正電位。 經濟部中央標準局員工消_合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本X ) 15. 根據申請專利範圍第1 3項之裝置，其中該撤光巷.包括 有長形的絕緣體，其等可將該拋光墊分成數個部位， 該等部位係互相電絕緣隔離開，該裝置進一步包含有 一扁平的絕緣體，設置在該可旋轉平台和該等部位的 至少一個之間。 16. 根據申請專利耗圍第13項之裝置，進一步包含有一 軸，具有·第一和第二末端，並具有一個軸絕緣體位在 該等末端之間，該第一末端係結合至該可旋轉平台 上，使得該軸絕緣體可將該可旋轉平台自該第二末端 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）

   月γ日修正/史ie/補光·410396 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 一可iil,..,晶...圓托架； 一可旋.，辕.是.台； 二拋光蟄，設置在該可旋轉平台上； —種裝置，用來將該晶圓托架加以推薇_至該拋光墊 上； -一種.電解拋光漿虚，設置在該拋光墊上； 一第一電極，係與該電解拋光漿浚做SL接觸； 多個第二I極，其等的配置方式和尺寸係可設置在 該晶圓托架上，而使得在該裝置的正常作業過程中， 在該晶.圓放置在該晶圓托架上時，該等t二電極 _篮童 H盟邊上ilJUMl生t 層。 14. 根據申請專利範圍第1 3項之裝置，進一步包含有一 I 隹_坚_應源，係連接至該第一電極和該等第二電極上， 使得該等第二電極至少在該裝置的正常作業過程的一 部份中相對於該漿液具有正電位。 經濟部中央標準局員工消_合作社印製 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本X ) 15. 根據申請專利範圍第1 3項之裝置，其中該撤光巷.包括 有長形的絕緣體，其等可將該拋光墊分成數個部位， 該等部位係互相電絕緣隔離開，該裝置進一步包含有 一扁平的絕緣體，設置在該可旋轉平台和該等部位的 至少一個之間。 16. 根據申請專利耗圍第13項之裝置，進一步包含有一 軸，具有·第一和第二末端，並具有一個軸絕緣體位在 該等末端之間，該第一末端係結合至該可旋轉平台 上，使得該軸絕緣體可將該可旋轉平台自該第二末端 -3- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐）

   ϊ 7 ϋ丨::«039 'ι /相 β Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 上電絕緣隔離開。 Π.根據申請專利範圍第i 3項之装置，進一步包含有—導 電網’設置在該拋光墊和該吁旋轉平台之間。 18_根據申請專利範圍第ι 3項之装置’進一步包含有—德 iL發，連接至該電位供應源上，該控制器包祛 . ^ —個 處理器，連接至一個記憶體，該記憶體包含有指令和 貧料，可使該！位1能夠在該裝置的正常作業過程中 改-變_該等立二電極的電.位。 19. 根據申請專利範圍第ι 3項之裝置’其中該可旋轉平台 是由鋼所製成的。 20. 根據申請專利範圍第ι 3項之裝置’其中該等第二雷撞 包括有多種自基本上包含有銅、鋁、銀、金、錫、鎳 和铑之族群中選出的材料。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局負工消費合作社印笨 準 標 I固 國 中 一用 適 尺 t張 -紙 本 釐一祕 9 2 ----------装------、1τ--r----- -----;----

   ϊ 7 ϋ丨::«039 'ι /相 β Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍 上電絕緣隔離開。 Π.根據申請專利範圍第i 3項之装置，進一步包含有—導 電網’設置在該拋光墊和該吁旋轉平台之間。 18_根據申請專利範圍第ι 3項之装置’進一步包含有—德 iL發，連接至該電位供應源上，該控制器包祛 . ^ —個 處理器，連接至一個記憶體，該記憶體包含有指令和 貧料，可使該！位1能夠在該裝置的正常作業過程中 改-變_該等立二電極的電.位。 19. 根據申請專利範圍第ι 3項之裝置’其中該可旋轉平台 是由鋼所製成的。 20. 根據申請專利範圍第ι 3項之裝置’其中該等第二雷撞 包括有多種自基本上包含有銅、鋁、銀、金、錫、鎳 和铑之族群中選出的材料。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局負工消費合作社印笨 準 標 I固 國 中 一用 適 尺 t張 -紙 本 釐一祕 9 2 ----------装------、1τ--r----- -----;----