TW409409B - Dram-cells arrangement and its production method - Google Patents

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A7 409409 B7 五、發明説明) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明像闋於一種DRAM單胞配置，其中有一個記憶體 電容器是連接在選擇電晶體和位元線之間，本發明亦涉 及此種DRAM單胞配置之製法方法。 在DHAM單胞配置（即，動態隨機存取之記憶體單胞配 置）中，幾乎只使用所諝單一電晶體-記億體單胞。單一 電晶體-記億體單胞包括一個選擇電晶體和一個記億體 電容器。資訊以電荷的形式儲存在記憶體電容器中。資 訊之值是邏輯值0或1。藉由字線來控制上述之選擇電 晶體，則可由位元線讀出資訊。 通常，選擇電晶體之第一源極/汲極區是與記億體電 容器相連接且選擇電晶體之第二源極/汲極區是與位元 線相建接。選擇電晶體之閘極電極是與字線相連接（例 $口，齡青 tb 較 S,M,Sze Semiconductor Devices, AT & T Bell Laboratories , Hurray Hill, New Jersey 1985 ，第487頁，第18a圖）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於記憶體由一個時代至另一痼時代密度逐漸增加， 則單一電晶體-記億體單胞所需之面積必須由一個時代 至另一値時代而逐漸變小。由於只減少記憶體單胞之尺 寸是藉由以當時技術所可製成之最小結構大小F來限制 ,因此這亦和記億體單胞之變化有關。直至1 Mbit時代 選擇電晶體和記憶體電容器都是以平面式組件製成。由 4 M b i t記億體時代開始必須藉由選澤電晶體和記憶體電 容器之三度空間配置來使面積進一步降低。 有一種可能是記憶體電容器不以平面方式製成，而是 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 409409 A7 B7 五、發明説明（> ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 製作在溝渠中（例如，請參閲K. Yamada et al.,”A deep trenched Capacitor technology for 4 Mbit DRAMs", Proc. Intern. Electronic Devices and Materials I E D H 8 5 ,第 7 G 2 頁）。 但此種埋入式記億體電容器之産生方式是昂貴的。亦 可不使用此種含有高介電常數之電容器介電質，因為此 種介電質之沈積只有在賁質上是平坦之平面上才可能。 在德國專利文件195 19 160 C1中已描述一種DRAH單 胞配置，其中記憶體電容器是經由選擇電晶體而産生且 位元線是埋入基體中。由於記億體電容器是産生於基體 之表面上，則可使用高介電常數之電容器介電質。此種 DRAM單胞配置之缺點是：位元線埋置於基體中。一方面 是不容易以較低之電阻來製成一種埋入式位元線，另一 方面是會形成cr檝粒，這些cr徹粒是産生於基體中。位 元線之電荷亦會改變，這會造成資訊之失真。 經濟部智慧財產局W工消費合作社印製 在US 463G088中之設計方式是使記憶體電容器連接在 位元線及選擇電晶體之第一源極/汲極區之間》以此種 方式，則位元線以及記憶體電容器可製作在基體之表面 上。每一個記億體單胞包含一個突出式半導體結構，其 是由閘極電極以琛形方式圍繞著。記億體單胞相對於字 線方向而言是沿對角線而互相偏移（offset)地配置著。 記憶體電容器包括第一源極/汲極區，整面沈積之電容 器介電質之一部份以及位元線之一部份。選擇電晶體之 第一源極/汲極區，通道區和第二源極/汲極區是以層 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4094G9 a? B7 五、發明説明（4 ) 之形式而重叠地配置箸。 本發明之目的是提供一種DRAM單胞配置，其中記億體 電容器是連接在選擇電晶體和位元線之間且能以較先前 技藝還高之封裝密度製成。此外，本發明亦提供此種 DRAM單胞配置之製造方法。 上述目的是藉由申請專利範圍第1項之DRAM單胞配置 以及第10項之製造方法來達成。本發明之其它構成方式 則敘逑在其餘之申請專利範圍中。 本發明之DRAM單胞配置之記憶體單胞包括一値垂直式 選擇電晶體，其形成在突起式半導體結構之第一邊緣上 。此種半導體結構包括至少一個第一源極/汲極匾以及 選擇電晶體之配置於此區域下方之通道區。至少有通道 區中此種半導體結構之第一遴緣設有閘極介電質，閘極 電極鄰接於閛極介電質。閘極電極在電性上是與第一字 線相建接。在通道區和第二字線之間配置一個元件，此 元件可防止上述選擇電晶體受到第二字線所控制。此元 件（其可防止此選擇電晶體受到此元件上所配置之字線 之控制）鄰接於半導體結構之面對第一邊緣之第二邊緣 的至少一部份。藉由此元件，則DRAM單胞配置可達到較 高之封裝密度，這是因為第二字線（其並不控制上述之 選擇電晶體）是配置於此種設有該元件之半導體結構上 。第一源極/汲極區在電性上是與記億體電容器之第一 電極相連接。電容器之第二電極（其配置於第一電極上 方）是與位元線（其垂直於第一字線而延伸）在電性上相 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） i if ^^^1 1 ^^^1 ϋ— ^^^1 n^t »^—^1 \ Ί 牙 、\ls (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4〇9伽 Α7 Β7 五、發明説明（4 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 介之 極一體此 器 2 電第億於 容4F極之記颶 電以 閘構之種 置能 ：結同此 配胞 是體相制 間單 式導於控 之體 方半接可 極億 的箸鄰條 電記 利沿別一 二之 有線分中 第置 則字線其 和配 ，一字有。 極胞 度第之只體 電單 密，鄰中晶 一AM之份相線電 第DR上部條字擇 器之 裝一二條選 容明 封之 。二之 電發。高線伸此胞 在本成提字延但單 ο 。製 了一 而-體 接質積為第緣胞憶 連電面 是邊單記 ---------装-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 此元件（其可防止此選擇電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）（在半導體結構内部可形成通道-停止區 。由於此一件（其可防止此選擇電晶體受到此元件上所 配置之字線之控制）是半導體結構之一部份，則封裝密 度可持別大。通道-停止區是以和通道區相同之導電型 式來摻雜，但具有較高之摻雜物質濃度，其産生方式可 藉由半導體結構之傾斜式植入來逹成。另一方式是此種 通道-停止區可藉由輔助性材料（其隨後須再去除）之摻雜 物質往外擴散來産生。通道-停止區亦可以是半導體結構 之摻雜層的一部份。若此層是以第一導電型來摻雜，則 在此情況下通道區是以由第二導電型（其和第一導電型 相反）所摻雜之離子例如藉由揍雜層之傾斜式植入而産 生β這樣可使摻雜層之一部份受到反摻雜，其所産生之 作用是：此部份之第一導電型之摻雜物質濃度是較此摻 雜層之其餘部份還低。摻雜層之此部份因此是用作通道 區，而其餘部份則用作通道-停止區。 -6 -本紙張疋度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 409409 B7 五、發明説明（r) m i - - n^i —^ϋ 1 - - ... , _ ^~^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 此一件（其可防止此選擇電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）亦可含有絶緣材料，絶緣材料是藉由沈 積和蝕刻而以間隔層（spacer)形式被結構化或藉由半導 體結構之第二邊緣之一部份之熱氧化作用而産生。 為了提高封裝上之密度，則有利之方式是：此種元件 (其可防止此選擇電晶體受到此元件上所配置之字線之 控制）之垂直於半導體結構之第二邊緣之尺寸在數值上 是小於F。 形成此種具有折昼式（folded)位元線之DRAM單胞配置 是有利的。在折蠱式位元線中為了讀出選擇電晶體之資 訊，則所屬位元線之信號須與相鄰位元線之信號比較。 控制此選擇電晶體所用之此條字線不可和此種與相鄰位 元線相連接之選擇電晶體相連接。由於使用此種折叠式 位元線，刖幾乎可消除干擾現象以及信號蹯蔽現象，此 二種現象對非常密集而相鄰配置之位元線而言是很相似 的。上述方式是非常有利的，這是因為此種必須在位元 線上被評估之信號總是會隨著結構大小之降低而變小。 經濟部智慧財產局員4消費合作社印製 為了産生此種折叠式位元線，須産生一些基本上互相 平行而延伸之字線-溝渠，這些溝渠使半導體結構互相 隔離。二條不同之字線分別沿著字線-溝渠而延伸。閘 棰電極是字線之一部份。沿著第一字線-溝渠而相鄰之 這些記憶體單胞之這些元件（其可防止此選擇電晶體受 到這些元件上所配置之字線之控制）交替地與第一字線 -溝渠之第一邊緣以及相鄰之第二宇線-溝渠之第二邊緣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 4094G9 A7 B7 五、發明説明（t ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 相鄰接。這些沿著第一字線-溝渠而相鄰之記憶體單胞 之每第二個單胞是與第一字線相連接，而這些沿箸第一 字線-溝渠而相鄰之記憶體單胞之其餘之單胞則與第二 字線相連接。於是第一字線（其可控制）此種與位元線相 連接之選擇電晶體）不與此種與此條位元線相鄰之一條 位元線相連接之選擇電晶體相建接。 若使用此種藉由傾斜式植入而産生之通道-停止區作為 上述之元件，則可藉肋於遮罩首先在某一方面中且然後 在另一方面中進行植入。 沿著位元線而相鄰之記億體單胞之這些元件（其可防 止此選擇電晶體受到這些元件上所配置之字線之控制） 可以全部鄰接於字線-溝渠之第一邊緣或全部鄰接於第 二邊緣而産生》 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了産生字線，則本發明之範圍亦包括：藉肋於條形 之遮罩來産生字線。於是須選擇性地對遮罩而對基體進 行蝕刻。字線-溝渠之各面設有閘極介電質。這例如可 藉熱氣化作用或藉由絶緣材料之沈積而達成。藉由導電 性材料（其隨後須選擇性地對遮罩所需被回（back)蝕刻} 之保形（conform)沈積而在字線-記億體之邊緣處産生間 隔層（s p a c e r )形式之字線。以此種方式則能以自動校準 (即，不需使用一種可校準之遮罩）之方式而在鄰接於每 一字線-溝渠之邊緣處産生二條字線。此種遮罩可在回 蝕刻時防止基體受到侵蝕。只要産生上述之間隔層卽可 結束此蝕刻過程，遮罩則可在字線産生之前去除。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） 409409 A7 B7 五、發明説明（） 為了使過程簡化，則本發明之範圍亦包括：設置一些 在比 。號 線信 元之 位線 式元 ® 位 折鄰 之相 述與 上須 用不 使號 不信 而之 線線 元元 位位 \J/ ηο pe下 (0況 式情 開種 敞此 成 形 只 別 分 渠 溝 元 些 這 的 胞 單 體 憶 記 線些 字這 著之 沿鄰 〇 相 較而 條 件 線擇 元選 δ 比 箸止 沿防 0 線m 字丨 Μ -- 控第 之於 接 線J 一兀 {子J位置β同 Ε ^ ^ 所罾與 Λ此ΙΑ 第it 元第： 之 此一二帛 afi確 溝 到-S可 受線樣 體字這 晶於 。 電接生 鄰産 部而 全緣 可邊 接 JW1- 連 目 本 線 制 體則 憶 ， 記化 之簡 程 製 使 了 為 極 nfJT 擇 選 此 止 防 可 掊 ί 其 "{ 線件 字元 之有 同所 不 ： 由是 riy C S 式 分方 可之 胞利 單有 生 産 而 制緣 控邊 之二 線第 字於 之接 置鄰 配部 所全 上或 件緣 元邊 些 一 這第 到之 受渠 於 接 鄰 可 體 晶 電字 使 若 溝通 - 甩 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 某 在 須 只 則 件 元 g— 種 此 為 作 區 止 停 入 植 式 道斜 另 是 式 方 線 字 一 第 著 沿 傾之 行鄰 進相 中而 向渠 方溝 之 件線 元字 些之 這置 之配 胞所 單上 體件 憶元 記些 些這 這到 可 其 制 控 受所 體於 晶接 電鄰 擇地 選意 」^壬 止？ 防丨 線 字 〇 第 生著 産沿 而些 緣這 邊 ， 二 中 第置 或配 緣胞 邊單 一 體 笫憶 之記 構之 結明 體發 導本 半在 屬 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 。毎 離且 隔 . 相部 互出 而突 構之 結體 離基 隔此 由成 藉形 是會 胞構 單結 0 蘀 憶導 記半 之 ， 鄰下 相況 而情 渠此 溝在 在之 或伸 中延 體而 基行 在平 是相 於互 。上 構體 結基 體些 導 一 半生 此産 括會 包中 都層 胞之 單置 體配 憶所 記上 一 其 由能 藉可 〇 由 渠或 溝/_ 及 線體 字Λ 産而 目ΜΛ 謂之- 二-種 - 此線於字直和 垂渠 。溝 渠離 溝隔翮種 隔此 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 409409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 1 配 置 在 基 amt 髖 上 之 逼 層 而 産 生 半 導體 結 構。上述之隔離 1 1 I 結 構 曰 疋 配 置 在 隔 離 溝 渠 中 〇 於 是 在字 線 -溝渠産生之前 1 1 I 可 在 隔 離 溝 渠 中 沈 積 一 種 絶 緣 材 料且 將 之整平。使隔離 請 1 溝 渠 中 能 填 入 —^- 種 絶 緣 材 料 〇 在 産生 字 線-溝渠時，須 聞 1 背 1 對 此 基 體 以 及 絶 緣 材 料 進 行 蝕 刻 ，使 字 線-溝渠之底部 之 1 注 I 基 本 上 可 平 坦 地 延 伸 0 若 不 在 隔 離溝 渠 中進行，則這些 意 拳 I 隔 離 結 構 可 在 記 憶 體 早 胞 (其是沿著第- -字線-溝渠而相 再 ! ά 鄰 )之間所配置之凹口中産生。 寫 本 裝 沿 着 第 一 字 線 -溝渠而相鄰之這些記憶體單胞亦可藉 頁 1 1 助 於 其 它 元 件 (其可防止此選擇電晶體受到這些元件所 1 I 配 置 之 字 線 之 JSc. 制 )而互相隔離。 在此情況下即可不必 1 1 産 生 上 述 之 隔 m a® 溝 渠 或 凹 P 0 此 種半 導 體結構即坷由基 1 訂 體 或 由 基 體 上 所 配 置 之 層 以 條 形 之形 式 藉由字線-溝渠 1 I 之 産 生 而 産 生 ο 此 種 半 導 體 結 構 配置 於 這些沿著第一字 1 1 線 -溝渠而相鄰之記億體單胞。 其它元件（其可防止DRAM 1 | 電 晶 體 受 到 此 元 件 上 所 配 置 之 宁 線之 控 制）則産生於第 1 一 字 線 溝渠之第- -邊緣- 以 及 相 鄰之 第 二字線-溝渠之 Γ 第 二 邊 緣 這 些 部 份 上 » 其 中 m 些 部份 是 存在於這些沿著 1 | 第 一 字 線 -溝渠而相鄰之記憶體單胞之間。以此種方式 1 t 可 防 止 各 記 億 體 tact 早 胞 之 沿 著 第 一 宇線 -溝渠而相鄰之第 1 1 源 椟 / 汲 極 區 之 間 之 通 道 的 形 成 。若 不 設置上述這些其 1 I 它 元 件 ) 則 第 一 字 線 和 第 二 字 線 的這 些 部份（其並非用 • 1 1 作 這 沿 箸 第 一 字 線 -溝渠而相鄰之記憶體單胞之選擇 1 1 電 晶 體 之 閘 極 電 極 )即成為寄生性電晶體（其含有二値相 1 I -1 0 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS )八4規格（2丨OX 297公釐） 4094G9 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（9 ) 鄰之第一源極/汲極）之閘極電極。 藉肋於條形之遮罩來進行一種植人過程旦隨後垂直於 此遮罩之條形而産生字線-溝渠是有利的。以此種方式 而在條形之半導體結構中産生各別之第一源極/汲極區 。選擇電晶體之第二源極/汲極區可配置於通道區下方 或柑對於通道區而依據對角線往下偏移（offset)而配置 箸。 這些第二源極/汲極區可在電性上互相連接。 使第二源極/汲極區在電性上互相連接的第一種可能 性是：首先産生一種由第一導電型所摻雜之第一層。在 此種第一摻雜層上方或其中産生一種由第二導電型（其 與第一導電型相反）所摻雜之第二層。 第一摻雜層和第二摻雜層可藉由植入或磊晶法（Epitaxy) 而産生。藉由植入或磊晶法而在第二摻雜層中或其上産 生此選擇電晶髏之第一源極/汲極區。在産生字線-溝 渠時須對第二摻雜層進行切割《字線-溝渠延伸至第一 摻雜層中方第一摻雜層之存在於半導體結構内部之此一 部份是用作第二源極/汲極區。由於第一摻雜層未被切 割，則所有之第二源極/汲極區在電性上是互相連接的 。此種經由第一摻雜層所形成之電性連接是有利的，因 為所有第二源極/汲極區都連接至唯一之電位。且第一 摻雜層所具有之横切面較各別已摻雜之條形區者還大， 因此所具有之電阻較小。 在應用上述之隔離溝渠時第二種可能性是；在沈積一 -11- —^np ^^^1 UK - I -I Frp^v \ * (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 409409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 0 〇 ) I 1 I 種 絶 緣 材 料 之 前 藉 由 植 入 而 在 隔 離 溝 渠 之 底 部 上 産 生 條 1 1 | 形 之 摻 雜 區 〇 在 産 生 字 線 -溝渠之後， 藉由植入而同樣 1 I 對 字 線 -溝渠之底部進行植入過程， 這樣可使柵形之摻 請· A 1 1 雜 區 與 隔 離 溝 渠 下 方 之 條 形 之 摻 雜 區 起 産 生 〇 柵 形 之 閱 讀· 1 背 ! 摻 雜 區 之 與 半 導 體 結 構 之 邊 緣 相 鄰 接 之 此 部 份 是 用 作 第 面 之 1 注 | 二 源 極 / 汲 極 區 0 第 二 源 極 / 汲 極 是 相 對 於 通 道 區 而 意 事 1 依 據 對 角 線 往 下 偏 移 〇 第 一 源 極 / 汲 極 區 可 同 時 由 柵 形 項 再 1 1 之 摻 雜 區 所 産 生 0 柵 形 之 摻 雜 區 所 具 有 之 有 效 橫 切 面 較 寫 本 装 I 各 別 之 條 形 摻 雜 區 者 還 大 因 此 電 阻 較 低 〇 頁 1 1 在 應 用 折 叠 式 位 元 線 時 産 生 第 二 種 可 能 性 沿 著 字 線 1 I -溝渠之底部而産生之第二源極/汲極區經由埋入式接 1 1 觸 區 而 與 通 道 區 相 建 接 〇 通 道 區 是 配 置 在 基 體 之 盆 形 區 1 訂 中 > 盆 形 區 是 以 和 基 體 相 同 之 導 電 型 來 摻 雜 〇 這 樣 可 使 1 I 第 二 源 極 / 汲 極 區 經 由 基 a曲 藤 而 連 通 至 上 述 之 雷 位 處 〇 這 1 1 樣 所 具 有 之 優 點 是 通 道 區 亦 與 基 PHlr 體 相 連 接 9 因 此 保 持 1 1 在 一 固 定 之 電 位 處 〇 為 了 産 生 上 逑 之 埋 入 式 接 觸 區 1 須 ! 柱 字 線 -溝渠内部産生狹窄之溝渠， 這些溝渠切割了第 Γ —! 源 極 / 汲 極 區 且 達 到 盆 形 區 中 〇 m 些 狹 窄 之 溝 渠 中 以 I i 導 電 性 材 料 填 入 至 少 至 第 二 源 極 / 汲 極 區 鄰 接 於 導 電 性 1 I 材 料 為 止 〇 這 些 以 導 電 性 材 料 填 入 之 狹 窄 溝 渠 形 成 了 一 1 1 埋 入 式 接 觸 區 0 有 利 的 方 式 是 ； 鄰 接 於 這 些 狹 窄 之 溝 1 | 渠 而 産 生 一 些 摻 雜 之 終 區 9 以 便 在 此 種 埋 入 式 接 觸 區 • 1 I 和 盆 形 區 之 間 防 止 Sc ho 11 k y -接面之産生。 這可藉由植 1 I 入 來 達 成 〇 另 一 方 式 是 可 使 用 旦 稱 材 料 作 為 導 電 Jjl- 性 材 料 1 1 -1 2- \ \ 1 1 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 409409 A7 B7 五、發明説明（U ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ，摻雜物質可由此種材料往外擴散。在此種情況下藉由 退火步驟可使導電型式和基體相同之此種接雜物質往外 擴散。 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 本發明範圍亦包括：在即將産生之半導體結構上方（即 ，基體上方）或第一源極/汲極區上方由第一種材料産生 第一輔助層且在其上由第二種材料産生第二輔助層，其 中第二種材料可選擇性地對第一種材料而被蝕刻。字線 -溝渠以及隔離溝渠（若有設置時）對第一輔肋層和第二 輔助層産生切割作用。第二源極/汲極區藉由字線-溝 渠底部之植入作用而産生。閘極介電質（其可選擇性地 對第二種材料而被蝕刻）産生於字線-溝渠之各面上。在 産生宇線之後，閛極介電質之裸露的部份須選擇性地對 第二輔助層而被去除，這樣可使字線-溝渠之底部的一 部份裸露出來，第二輔肋層於是可保護第一輔助層。然 後藉由選擇性地對第一種材料而對基體進行蝕刻以便 産生狹窄之溝渠。於是去除第二輔肋層，且第一輔助層 可保護基體或第一源極/汲極區。在沈積導電性材料且 對其進行回蝕刻以便産生埋入式接觸區時，則第一輔肋 層可保護半導體結構之位於第一輔助層下方之此一部 份。為了在埋入式接觸區和字線之間避免短路之發生， 則有利之方式是：在字線産生之後以保形（conform)方 式沈積一種絶緣材料且對其進行回蝕刻，其中此閘極介 電質之一部份亦會被去除，直至字線-溝渠底部之一部份 裸露為止。以此種方式，則可鄰接於字線而産生一種由 -1 3-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X 297公釐） A7 4094G9 B7 五、發明説明（θ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 絶緣材料所構成之小的保護間隔層。第一源極/汲極區 最好是在第一輔肋層産生之前即已産生^另一方式是其 亦可在第一輔助層去除之後才産生。 本發明之範圍亦包括：第一源極/汲極用作記億體電 容器之第一電極。 為了提高電容器之電容，則有利之方式是：電容器第 一電極是由導電性較第一源極/汲極區更好之材料所産 生。在此種情況下電容器第一電極直接鄰接於第源極/ 汲極區或經由接觸區而與第一源極/汲極區相連接。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 為了提高封裝上之密度且降低製程上之費用> 則有利 之方式是：第一源極/汲極區之接觸區是以自動校準（ 即，不霈使用可校準之遮罩）之方式鄰接於第一源極/ 汲極區而産生。於是可在第一源極/汲極區上方且在字 線-溝渠産生之前由绝綠材料産生第一層且由第三種材 料産生第二層，其中第三種材料可選擇性地對絶緣材料 而被蝕刻。在産生閘極電極之後須沈積一種絶緣材料且 將之整平直至第二層裸露為止。第二層之裸蕗部份藉助 於一種條形之遮罩（其條形區垂直於字線-溝渠而延伸且 覆蓋記憶體單胞）而被去除。若設有上述之隔離結構且 這些隔離結構是在第二層産生之後才産生t則第二層之 裸露部份不需遮罩即可去除。然後沈積其它之絶緣材料 旦將之整平直至第二層裸露為止。在此種步驟之後可存 在一種平坦之表面，絶緣材料以及第二層之其餘仍保存 之部份都與此平坦之表面相鄰接。第二層之其餘仍保存 -1 4-本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 409409 A7 B7

五、發明説明（A 之部份 地對絶 除。這 這呰凹 蝕刻， 沈積， 這些第 第一源極/汲極區上方。然後以選擇性 方式使第二層之其餘仍保存之部份被去 是配置於 緣材料之 樣就可在第一源棰/汲極區上方産生一些凹口 口往下偏 直至第一 整平以及 一源極/ 若設置上述自 第一輔助層可産 為了使製程簡 線之一部份。為 位元線是由導電 産生。在此情況 份，而是鄰接於 本發明顯示在 圖式簡單説明： 第l··. _ 在産 代 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 遮罩以 在産 源極/ 之後於第1 第»« * — —II* 雩·；· jr , ,Η·^ -^； · 第3圖 在産 ，字線，第二隔 移（Verlagert),其中須對絶緣材料進行 源極/汲極裸露為止。藉由絶緣材料之 蝕刻而以自動校準之方式在凹口中産生 汲極區之接觸區。 動校準之接觭區以及埋入式接觸區，則 生於第二層上。 化，則有利的是電容器第二電極是位元 了使位元線之電阻減小，則有利的是： 性較電容器第二電極者還優良之材料所 中此電容器第二電極並不是單胞之一部 位元線或經由接觸區而與位元線相連接。 各圖式中之實施例以下將詳細描逑。 生第一摻雜層，第二摻雜層，第三摻雜 及隔離溝渠之後第一基體之横切面β 生第二遮罩，字線-溝渠，第一隔離結 汲極區，通道區以及第二源極/汲極區 圖所示橫切面之横切面。 之各製程步驟之後第 生通道-停止區，閘極介 離結構以及接觸區之後第 -I 5 -

之横切面。 閘極電極 之橫切面β ^ϋ· 1^^—i k^i— I ^^^1 i { n^i 1^1 TJ. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X W7公釐） 4094G9 A7 B7 五、發明説明（W ):ΐ ff: 第在容器第一電極，電容電質，電 容器電槿立元線之後第3圖之橫。 1¾)在氟之各製程步驟之後第之横切面 一 ‘ 顯示），字 線-溝渠半導體,第一源極/汲極區道區和第 第 第5蘭 在 第一遮罩，隔離溝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 二源極/汲極區産生第一摻雜層，第二摻雜層（未顯示） ，第三摻雜層（未顯示），第一層，第二層之後第二基體 之橫切面，此橫切面平行於隔離溝渠而延伸。 第6圖 在産生通道-停止區，閘極介電質，閘棰電 極，字線，第二隔離結構，接觸區，電容器第一電極， 電容器介電質，電容器第二電極和位元線之後第5圖之 横切面。 第7圖 藉助於第一遮罩，隔離溝渠（未顯示），第二 遮罩，字線-溝渠，第一隔離結構（未顯示），半導體結構 ，第一源極/汲極區，通道區，第二源極/汲極區，通 道-停止區，閘楢介電質，閘極電極和字線而産生第一摻 雜層之後第三基體之橫切面，此横切面平行於隔離溝渠 而延伸。 第8圖 在産生第一摻雜層，第二摻雜層和條形之摻 雜區 ，第四基體之橫切面，此橫切面垂直於條形區 之條 延伸

第在産生遮罩，字線-溝渠，通道-停止區，閘mM 極介燿續，閘極電極，字線，隔離結構，接觸區，電容 :.¾ '1 器第一-亀1極電容器介電質，電容器第二電極以及位元線 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） -- ^^1 m - —^1 - - I I Ml/ ml _ - -I — In ^~w 3. T卩 I * (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4094G9 A7 B7 五、發明説明（β 之後'與第8圖所示之橫切面相垂直之横切面。 第確避费之各步驟之後第3圖之横切面。 第10圖 在條形摻雜區，第一輔助層，第二輔肋層， 遮罩，字線-溝渠，半導體結構，第一源極/汲極區， 通道區以及第二源極/汲極區産生之後第五基體之横切 面，此橫切面是平行於條形區而延伸。 第11圔 在産生通道-停止區，閘極介電質，閘極電極 ,字線和間隔層，遮罩去除且字線-溝渠底部之一部份 裸餺之後第10圖之橫切面。 第12圖 在産生狹窄之溝渠，埋入式接觸區以及摻雜 之终端區之後第11圖之横切面圖。 第13圖 在産生一種隔離結構，接觸區，電容器第一 電極，電容器介電質，電容器第二電極和位元~線之後第 1 2圖之横切面。 声^ 第14圖 在産生一種摻雜層，隔離結構， 衫區之第 一部份，第二遮罩，字線-溝渠（顯示在第 導體結構，第一源極/汲搔區，通道區，

mi,中），半 4言顧極/汲 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 極區， 區之第二部份以及第一隔離結構έ後第六基 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 體之横，此橫切面是平行於字線-溝渠而延伸。 第在産生通道-停止區，閘極介電質，閛極電 極，第二隔離結構}接觸區，電容器第一電極， 電容電質，電容器第二電極以及位元線之後與第14 圖所示之橫切面相垂直之横切面。 第1丨缚囉之各步驟之後第i 4圖之橫切面。 -17" 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（a ) 這些圖式未依比例繪出。 在第一實施例中，原始材料包括第一基體la, p -摻雜 之矽&其摻雜物質濃度是大約10 15 cm·3。在第一基體la 上藉由磊晶法而産生一種大約500n in厚之第一 η-摻雜層 Sla,大約30QHB1厚度之第二ρ-接雜層S2a以及大約150nm 厚之第三η -摻雜屬S3a(第1圖）β第一摻雜層Sla和第三 摻雜層S3a之摻雜物質濃度大約是Sxit^cir3。第二摻 雜層S2 a之摻雜物質濃度大約是3X10 « c nr3。 為了産生第一遮罩Mia,須沈積厚度大約是2ϋ0ηΐΒ之 Si02且藉由檝影術而以條形方式被結構化（參看第1圖） 。例如C H F 3 + 0 2適合作為結構化所用之蝕刻劑，然後 例如以HBr + tSF3 +He + 02來對矽進行蝕刻至大約7DGnm深 ,這樣就可産生一些隔離溝渠GIa(參閲第1圖）。這些 隔離溝渠大約50Qnni寛且相互間之距離大約是500ηπι。 為了使隔離溝渠G I a中填人一種絶緣材料，則須以T E 0 S 方法沈積厚度大約是50Qnm之Si02且藉由化學機構式抛 光法而整平直至第三摻雜層S3 a裸露為止。於是去除第 一遮罩Mlae為了産生第二遮罩M2a,則須沈積厚度大約 是IGOnni之Si02且藉由徹影術而以條形方式被結構化。 第二遮罩M2a之條形區垂直於第一遮罩Mia之條形區而延 伸。在結構化過程中例如以C H F 3 + 0 2來對S i 0 2進行蝕 刻至大約60Qnm深，這樣就可使隔離溝渠Gla之一部份中 之Si02被去除。隔離溝渠Gla中剩下之Si02形成第一 隔離結構Ila^然後對矽進行蝕刻至大約60ϋηβ!深，這樣 -1 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、·=β 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 409409 A7 B7 五、發明説明（7 )

t請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 就可産生字線-溝渠GWa(參閲離溝渠Gla 較字線溝渠GWa還深。字線-溝渠GWa大約5QGnm寬且相互 間之距離大約是750nnu藉由隔離溝渠Gla和字線-溝渠 GWa之産生，則可由第一基體la産生長方六面體形式之 半導體結構STa。第三摻雜層S3 a之其餘部份是配置在半 導體結構STa中且用作第一源極/汲極區S/Dla0第二摻 雜層S2a之其餘部份配置在半導體結構STa中且用作通道 區KAa。第一摻雑層Sla之位於通道區KAa下方之部份用 作第二源搔/汲極區S/D2a。每一半導體結構STa是垂直 式選擇電晶體之一部份。 藉肋於條形之由光漆（未顯示）所構成之第三遮罩（其 條形區覆蓋著至少每一第二個位於相鄰隔離溝渠61&之 間的區域），則藉由傾斜式植入而在鄰接於字線-溝渠 GWa之第一邊緣之一部份處産生通道-悸止區Ca(第3圖） 。藉肋於與第三遮罩互補之由光漆（未顯示）所構成之第 四遮罩，則亦可在字線-溝渠GWa之第二邊緣之一部份中 産生通道-停止區。通道-停止區Ca之靡雜物質濃度大約 是lDaem3且是p -摻雜的。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 然後藉由熱氧化作用而産生大約lQnm厚之閘極介電質 GDae為了産生字線，則須沈積厚度大約是150ntB之原處 (in situ)摻雜之多晶矽且例如以C2 FS +02來進行回 蝕刻至大約20〇!111!深。於是字線以間隔層（Spacer)之形 式鄰接於字線-溝渠WGa之第一邊緣和第二邊緣而産生。 字線之此一部份（其在通道區KAa中是鄰接於字線-溝渠 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2】0X297公釐） A7 B7 409409 五、發明説明（

GWa之第一邊緣和第二邊緣之一部份，但通道-停止區Ca 不鄰接於此一部份）是用作選擇電晶體之閘極電極G A a (參閲第3圖）D 為了保護上逑之選擇電晶體，須産生第二隔離結構I2a (其覆蓋該選擇電晶體），其中須沈積厚度大約是50Qnm 之Si02且藉由化學機械式拋光法而整平。轄由撤影術 而使第一源極/汲極區S/Dla裸露。例如CHF3 +02適合 作為蝕刻劑。為了産生接觸區K a ,則須沈積厚度大約是 4 Ο n m之鎢且例如以S F e進行回蝕刻.(參閲第3圖）。

為了産生一種擴散位障（未顯示 則須沈稹厚度大約 是2Gnii之氮化鈦，然後沈積厚度大約是2(ί0ηιιι之鉑。為 了産生一呰互相隔離之電容器第一電極Pla,須藉由微 影術而例如以C 1 2 + 0 2來對鉑夢器第一電 極Pla重纒於接觸區Ka上方（比/ί D 為了産生電容器介電質KD a,須沈積厚度是20 nm之 Ba0 5 St〇 s Ti03。然後沈積厚度是lOOnw之鉑，其上 再沈積厚度是5G0nm之AlSiCu。藉助於類似於第一遮罩 之條形之第五遮罩（未顯示），則例如以BC13 +C12 +CH4 來對A 1 S i C u進行蝕刻以及以C 1 2和0 2來對鉑進行蝕刻 以便産生位元線Ba以及電容器第二電極P2eu第五遮罩 之條形區是配置在隔離溝渠G I a之間。位元線B a則配置 於電容器第二電極P2a上方。 每一記憶體單胞包括一個半導體结構ST a以及一個配 置於其上之記憶體電容器，電容器包括電容器第一電極 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 409409 A7 B7 五、發明説明（β )

Pla，電容器介電質KDa之一部份以及電容器第二電搔 P 2 a之一部份。沿著字線-溝渠S3 Wa而相鄰之記億體單胞 通道-停止區Ca交替地配置在字線-溝渠GWa之第一邊綠 以及相鄰之字線-溝渠G W a之第二邊緣。沿著位元線B a而 相鄰之記憶體單胞之各通道-停止區Ca都鄰接於字線-溝 渠GWa之第一邊緣或第二邊線而配置箸。 在第二實施例中，暸始材料包括第二基體lb, p -摻雜 之矽且其摻雜物質濃度是大約10 15 cm-3。類似於第一實 施例之方式，第一摻雜層Sib和第二摻雜層（未顯示）， 第三摻雜層（未顯示）是藉肋於第一遮罩（未顯示）和隔離 溝渠（未顯示）而産生。就像第一實施例一樣，隔離溝渠 中槙人S i0 2。 在第三摻雜層上藉由Si02之沈積而産生厚度大約是 ΙΟΟηιη之第一層SI,其上則藉由原處（in situ)摻雜之多 晶矽之沈積而産生厚度大約是3t)()nni之第二層SU就像 第一實施例一樣，為了産生條形之第二遮罩M2b,須沈 積厚度大約是lOOntn之Si02且藉由微影術來進行結構化 。但第二遮罩Μ 2 b之條形區之間的間距不是7 5 0 nm而只有 5 0 0 n di。例如以C 2 F b + 〇 2 來對多晶砂進行蝕刻且例如 以CHF3來對Si02進行蝕刻，則第二層SL和第一層SI可 類似於第二遮罩Μ 2 b而被結構化（第5圖）。就像第一實 施例一樣，須産生字線-溝渠GWb,這樣就可産生第一隔 離結構（未顯示），半導體結構STb,第一源極/汲極區 S/Dlb，通道區KA6以及第二源極/汲極區S/D2b(第5圖）。 _ 2 1 ™ 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 409409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 五、發明説明 ( ) ί 1 I 就 像 第 一 實 施 例 一 樣 ,須産 生通道 -停止區Cb , 閘極介 1 1 I 電 層 GDb， 閘棰電極C Ab和字線 。然後 沈積 厚度大 約 5 0 0 n m 1 I 之 S ί 0 z且藉由化學機械式抛光法而整平直至第二層SL 請 1 1 裸 藉 為 止 以 便 産 生 第 —* 隔離結 構 I2bc 然後去除第二遮 閱 讀 ί 背 1 罩 M 2b〇 藉助於條形之遮罩（未 顯示， 其未 覆蓋上 述之隔 面 之 1 注 1 離 溝 渠 )， 則例如以C % F e + 0 ； i選擇性地對SiO 2 來對多 意 事 1 晶 矽 進 行 蝕 刻 〇 直 至 第 二層SL之配置 於隔 離溝渠 上方之 項 再 ! 填 此 部 份 被 去 除 為 止 0 第二層 SL之身 價部 份則配 置在第 寫 本 策 I 一 源 極 / 汲 極 區 S /D 1 b上方。 頁 >« 1 1 然 後 沈 積 厚 度 大 約 是 500nni之 SiO 2 且藉 由化學 機械抛 1 1 光 法 而 整 平 直 至 第 二 層 S1裸露 為止。 藉由 選擇性 地對SiO 2 1 1 I 來 對 多 晶 矽 進 行 蝕 刻 而 去除第 二層SL β於 是在第 一源槿 1 訂 / 汲 極 區 S /D 1 b上方産生一些凹口。 1 1 妖 後 例 如 以 CH F Ξ 3 + 0 ： _來對S i〇 2進 行蝕 刻。直 至第一 1 1 層 SI 之 部 份 厥 去 除 且 第一源 極/汲 極區 S/D 1 裸 露為止 1 α 由 於 此 步 驟 t 則 位 於 第一源 極/汲 極區 S/Dlb上方之 1 凹 □ 往 下 偏 移 〇 這 凹 口中須 填入材 料， 其中須 沈積厚 1 度 大 約 是 5 0 0之原處（in S i t U )摻雜之多晶矽且藉由化學 1 1 機 械 式 抛 光 法 而 整 平 9 直至第 二隔離 結構 I 2b裸露為止 1 ί 〇 於 是 可 在 凹 中 産 生 一些由 多晶矽 所構 成之接 觸區K b 1 1 (第6 圖）。 産 生 此 接 hsaa 觸 區Kb時 不需遮 罩〇 接觸區 Kb以自 1 I 動 校 準 之 方 式 郯 接 於 第 一源極 /汲極 區S/D lb而産生。 1 | 就 像 Mr 第 一 實 施 例 一 樣 ,須産 生電容 器第 一電極 P 1 b , 1 1 電 容 器 介 電 質 RBb , 電容器第二電極P 2 b以 及位元 線Bb 1 | -22- 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X29?公釐） 4094G9 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( Η ) 1 1 | {第C 圖） 〇 1 1 I 在 第 三 flft* 實 施 例 中 t 原 始 材 料 包 括 第三基體 1c, P-摻雜 1 之 矽 且 其 摻 雜 物 質 遞 m 度 大 約 曰 疋 1 0 5 c nr3 0 就 像第一實施 請 先 1 例 一 樣 > 須 産 生 第 —- 摻 雜 層 S 1 c , 第二摻雜層，第三摻 閱 讀 1 背 雜 層 9 其 係 藉 肋 於 第 一 罩 7 隔 離 溝渠（未顯示），第二 面 之 1 I 遮 罩 M2 C , 字線溝渠G Wc ί 半 導 體 結 構STc，第一源極/ 意 拳 1 汲 極 區 S/D 1 C , 通道區κ A c ， 第 二 源 極/汲極 區S/D2C以 再 1 1 及 第 __- 隔 離 結 構 (未顯示） 而 産 生 〇 #具 寫 本 蒗 在 不 需 遮 罩 之 情 況 下 藉 由 傾 斜 式 植入而在 磷接於字線 頁 S_»· 1 1 -溝渠6WC 之 第 一 邊 緣 處 産 生 通 道 -停止區c c。 通道-停止 1 I C c 之 摻 雜 物 質 濃 度 大 約 是 10 19 c m _3且是P- 摻雜的。 1 1 然 後 藉 由 熱 氣 化 作 用 而 産 生 大 約 1 0 nm厚之 閘極介電質 1 訂 G D C 0 藉由沈積厚度大約是4 0 0 n in 之 原處（in s i t q ) 11 -摻 1 I 雜 之 多 晶 矽 且 進 行 回 (b a c k) 蝕 刻 而 在字線-溝渠GWc中産 1 1 生 字 線 0 這 字 線 (其在通道區KAC)之區域中鄰接於字 1 1 線 -溝渠G W c 之 第 一 邊 緣 )之- -部份是用作選擇電晶體之 1 閘 極 電 極 G A C ( 第 7 圖 )。 1 然 後 類 似 於 第 一 Μ Μ 施 例 而 産 生 第 二隔離結 構，接觸區. 1 | 9 電 容 器 第 一 電 極 ， 電 容 器 介 電 質 ,電容器 第二電極以 1 I 及 位 元 線 0 1 1 在 第 四 實 施 例 中 » 原 始 材 料 包 括 第四基體 Id, p-摻雜 ! 1 之 矽 且 其 摻 雜 之 層 SI d , 其上又藉由磊晶法而産生大約 1 I 4 5 On 1D厚度之第二 二 Ρ -摻雜之層s 2d 0 第一摻雜 層S 1 d之摻 1 雜 物 質 i/m 濃 度 大 n* .J 是 5 X ：1 O20 c ΠΓ3 0 第二摻雜層S2d之摻雜 1 1 -2 3 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） A7 B7 4094G9 五、發明説明 物質濃度大約是5 X 1 0 17 c nr3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 藉肋於條形之由光漆所構成之第一遮睪（未顯示），則 藉由植入法而在第二摻雜層S2d中産生條形之摻雜區GEd (第8圖此種條形區GEd大約是lOOnm深且其摻雜物質 濃度大約是5xiD2Dcrr3。此種條形區GEd是η -揍雜的。 藉由退火步驟來活化此種條形摻雜區GEd之摻雜物質。 然後類似於第一實施例而産生一種類似於第二遮罩M2a 之遮罩M2d以及字線-溝渠由於不需産生上述之隔 離溝渠，則須在字線-溝渠G W d之間産生條形之半導體結 構STd。字線-溝渠GWd垂直於條形之摻雜區GEd而延伸。 字線-溝渠6 Wd切割此種條形區GEd。於是可由此種條形 摻雜區GEd産生第一源極/汲極區S/Dld(其具有矩形之 橫切而>。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 藉肋於條形之由光漆（未顯示）所構成之第二遮罩（其 條形區平行於條形區GEd而延伸且其覆蓋每第二個條形 之摻雜區G E d )，則藉由傾斜式植入於鄰接於字線-溝渠 GWd之第一邊緣處産生通道-停止區Cde去除此種由光漆 所構成之第二遮罩。藉助於條形之由光漆（未顯示）所構 成之第二遮罩（其覆蓋每第二個條形區GEd(此條形區GEd 不被光漆所構成之第二遮罩所覆蓋）），則在鄰接於字線 -溝渠Gifd之第二邊緣處産生通道-停止區Cd。通道-停止 區Cd之一部份是與字線-溝渠G¥d之第一邊緣和第二邊緣 之此一部份（其是配置在沿著字線-溝渠GWd而相鄰之第 一源極/汲極區S / D 1 (]之間）相鄰接。通道-停止區C d之 -24-本紙張尺度適用中國國家榇準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） 4094G9 A7 B7 五、發明説明（㈠ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此一部份可防止：沿著字線-溝渠6Wd而相鄰之第一源極 /汲極區S/Did之間形成通道。每一半導體結構STd包括 這些沿箸字線-溝渠GWci而相鄰之記憶體單胞。這些沿著 字線-溝渠GWd而相鄰之記億體單胞是藉由通道-停止區 C d之上逑部份而互相隔離。第二摻雜層S 2 d之配置於第 —源極/汲極區S / D1下方之此一部份是用作通道區K A d 。在通道區KAd中通道-停止區Cd交替地鄰接於字線-溝 渠GWd之第一邊緣或第二邊緣。 然後類似於第一實施例而産生閘搔介電質6Dd,閘極 電極GAd字線，隔離结構I2d，接觸區Kd，電容器第一 電iiPld，®容，容器第二電極P2d以及 位元線B d (比較)。 在第五實施例中，原始材料包含第五基體le,.p -摻雜 之矽且其摻雜拗質濃度大約是1〇5 cur3。藉由植人作用 而鹿生大約1# m深之P -摻雜之盆形區We(第1(1圖盆形 區We之摻雜物質濃度大約是10 17 car3 ^就像第四實施例 一樣，須産生條形之摻雜區。 藉由沈積厚度大約lOOnro之Si02而産生第一輔助層H1 。藉由沈積厚度大約是lflOnm之原處（in situ}摻雜之多 晶矽而産生第二輔助層H2就像第一實施例一樣，為了産 生類似於第二遮罩M2a之遮罩M2e,須沈積厚大約是lOGnm 之S i 0 2且進行結構。類似於遮罩Μ 2 e ,第一輔肋層Η 1和 第二輔肋層Η 2亦須被結構化。 藉由選擇性地對S i 0 2而對矽進行蝕刻，則藉助於遮 ~ 2 5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29?公釐） 4094 G 9 a?B7五、發明説明（W ) 渠 溝 1 線 字 生 産 而 樣 一 例 施 實 1 第 像 就 0 2 Μ 罩 第 圖 區 極 汲 \ 極 源 ! 第 生 産 而 區 雜 摻 之 形 條 由 是 於 字 線條 字了 在為 溝 線 β 是 t S 約 構大 結度 體厚 導積 半沈 之須 形 * 條緣 生邊 産之 間we 之G e渠 6W溝 渠- S 生 之産 刻 0 回 -7 /ii 進 且 稗 層 隔 間 護 線示 字顯 在未 可 ， -1 Γ 是 e ΛΖ C J a 差間 之護 d保 w i CB 種 渠此 溝 〇 後 隨 層線 渠 溝 保 可 時 程 過線 入字 植於 行接 進鄰 部在 底 會 之是 G 3= 於 G 0 h 溝緣 ?邊 線之 Θ 字 W rj 在 渠 溝 字底 護之 生 産 處 部 極 源 二 第 大

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X 區cm 極20 汲10 0 ο 化 舌 被 而 0 程除 過去 火層 退隔 由間 藉護 質保 物此 tttt fee 摻而 其劑 ο 亥 的蝕 雜為 摻作 I F Ώ Η 是於 且肋 例 施 實 四e, 第GD 像質 就電 介 樣 極 lyml 極 閘 二 閘 度 e. 厚 卩積 沈 後 然 道 〇 通線 生字 産及 須以 區 止 停 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 除 - ^J4W^ 大 iwe 至曰疋G ^ ^ 0J 。溝κΡ _I11S線 層 Μ 字 .隔 2 於 ο 間 ί i 置 S4配 之産1 m £之 η 所 e o D 5 線 G 是字質 於 接 鄰 可 樣 這 深 電被 介亦 極份 間部 使一 且 此 e -2 之 彳上 部 底 罩 遮 圏 1 第 經濟部智慧財產局8工消費合作社印製 第對 。地 >性 擇 選 由 除藉 去 0 1 第 護 保 可 是 於 2 Η 層 助 輔 線 字 在 而 刻 蝕 -TJ /11 進 矽 對 而 劑 刻 Π .5 ο 韵 3 為 約作 大合 生適 産 2 中+0 0 份 Η 部+ 3 露 F 裸 + r - 之 部 底 之 B f Η 層 如助 例輔 Ο 二 S * «. G 第 H1渠 層溝 肋- 渠 溝 之 窄 狹 之 深 構 結 體 導 半 護 保 il Η 層 肋 輔 除藉 去 0 6 是 Τ 於3 雜 摻 — 其 溝 窄Α, 狹區 於端 接終 鄰之 可雜 則慘 。生 入産 植中 行部 進内 來we 子區 離形 之盆 雜在 摻而 pgr 由底 渠 之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2ί〇Χ297公釐） 409409 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( ) 1 ! | 物 質 擴 度 大 約 是 5 X 1 0 13 c nr 3。為了産生埋入式接 觸區 1 1 | f (其使終端區ί t與第二源極/汲極區S / D 2 e相連），須 1 | 沈 積 厚 度 大 約 是 5 0 n iti 之鈦 且 進行退火以便産生矽化鈦。 請 先 1 其 餘 之 鈦 隨 後 例 如以 NH 3 + B 2 〇2去除。藉由此種 選擇 閱 讀 1 背 1 性 之 矽 化過 程 使 字線 之一 部 份被矽化。此一部份形成導 面 之 1 注 | 電 性 結 構 (第1 2圖）。 意 事 1 然 後 就 像 第 —- 實施 例一 樣 産生一種隔離結構I2e .接 項 再 ί 填 ftw 胸 區 K e , 電 容 器 第一 電極 P 1 e,電容器介電質KDe， 電容 本 袈 I 器 第 二 電 極 P 2 e以及位元線B e(第13圖）。盆形區Ve 之位 頁 1 1 於 第 源 極 / 汲 極區 3 /D 1 e下方之此一部份是用作 通道 [ I 區 K A e 〇 J 1 在 第 _1_L 實 施 例 中， 原始 材 料包括第六基體1 f , P -摻雜 1 訂 之 矽 目. 其 摻 雜 物 質濃 度是 大 約〗0 5 cr3。就像第五實施 I I 例 —^1 樣 須 産 生 盆 形區 Wf 0 1 1 Μ 由 η - 摻 雜 之 離子 栾進 行 植入而在整面上産生- *層大 1 1 約 10 On m深之摻雜層。 此摻雜層之摻雜物質濃度大 約是 1 5X1 0 C r: 〇 此摻雜層之摻雜物質是藉由退火過 程而 1 被 活 化 〇 1 | 就 像 第 一 實 施 例一 樣須 藉 助於第一遮罩（未顯示 )而産 1 I 生 —*. 些 m 離 溝 渠 Gif。 藉由沈積厚度大約是50nm之 S i0 2 1 1 且 進 行 回 蝕 刻 ) 則可 在隔 離 溝渠Gif之邊緣上産生 一種 1 | 保 護 間 隔 層 (未顯示） 。保 護 間隔層隨後在以η-摻雜之離 1 子 進 行 植 入 時 可 保護 此隔 離 溝渠Gif之邊緣。於是 可沿 1 箸 隔 離 溝 渠 G I f之底部而産生柵形摻雜區GGf之第- -部份 1 I ~ 2 7 - 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0X 297公釐） 4094G9 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7五、發明説明（4 ) 榈形摻雜區G G f之第一部份是條形的且其垂直尺寸大約 是lOOnra(第14圖）。其摻雜物質濃度大約是5x 10mcnr3 。柵形區GGf之第一部份之摻雜物質是藉由退火步驟而 被活化^ 就像第一實施例一樣，隔離溝渠Gif中須填入Si02& 字線-溝渠（3Wf是籍助於第二遮罩M2 f而産生，其中在隔 離溝渠Gif中産生第一隔離結構Ilf。由摻雜層而産生第 —源楝/汲極區S/Dlf(其是長方體半導體結構STf之一 部份）。盆形區W f之配置於第一源極/汲極區/ S 1 f下方 之此一部份是用作通道區K A f。為了産生上述之保護間 隔層，須沈積厚度大約是50nm之Si02且進行回蝕刻。 此種保護間隔層隨後在以η -摻雜之離子進行植入時可保 護字線-溝渠GWf之邊緣^於是可沿著字線-溝渠GWf之底 部産生柵形區GGf之第二部份，其摻雜物質是藉由退火 過程而被活化β柵形摻雜區GGf之摻雜物質濃度大約是 5xi0=〇cnr3。橺形摻雜區GGf之配置於通道區KAf下方 之此一部份是用作第二源極/汲極區S / D 2 f。然後去除 此保護間隔層。 就像第一實施例一樣，須産生通道-停止區Cf，閘極 介電質O f，閘極電極S A f，字線，第二隔離結構I 2 f， 接觸區Kf,電容器第一電極Plf，電電 容器第二電極P2f以及位元線Bf(比較)。 這些.酋施例可以有許多變型，其同樣在本發明之範圍 中，特別是上述之各層，溝渠，遮罩，間隔層，區域和 -2 8 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） A7_4094G9_b7五、發明説明（β) 適 述例 亦 所施 況中實 情例五 樣 施第。 同 實在層 α 二用助 整 第應辅 調 〇 可一 而 合亦第 求組式生 需。相方産 之度互生方 別濃可産上 各質徵之層 據物特式二 依雜之準第 可摻例校在 小之施動須 大議實自必 之建德之是 等所六區於 構於此觸 。 結用 接中 ^^1. -- t- -- i^i m - -1 - I - 一~y J3. *T (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210 X 297公釐） 409409 A7 B7 五、發明説明（） 元件符號對照表 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 la，lb，lc，Id，le，If A Ba，Bb，Bd，Be - Bf Ca，Cb，Cc，Cd，Ce ' Ci GAa , GAb ’ GAc，GAd , GAe i Gaf Gda , GDb，GDc，GDd ’ GDe，GDf GGf Gla，Gif Ged GWa ’ GWb , GWc，GWd , GWe , GWf HI > H2 Ila，I2a，12b，I2d i I2e，Ilf，I2f KAa * KAb * KAc - KAd > KAe > Kaf KDa，KDb，KDd，KDe，KDf Ka - Kb > Kd - Ke - Kf Kv L Mia · M2a * M2b，M2c，M2d ' M2f Pla - P2a - Plb - P2b - Pld > P2d - Pie -P2e · Plf - P2f Sla * S2a - S3a - Sib » Sic - Sid > S2d S/Dla，S/D2a，S/Dlb τ S/D2b，S/Dlc S/D2c，S/Dld，S/D2d，S/Dle，S/D2e - S/Dlf，S/D2f SI SL Sp STa，STb，STc，STd，STe，STf We - Wf 基體 終端區 位元線 通道-停止-區 閘極電極 閘極介電質 柵形摻雜區 隔離溝渠 條形之摻雜區 字線-溝渠 輔肋層 隔離結構 通道區 電容器介電質 接觸區 埋入式接觸區 導電性結構 遮罩 電容器電極 摻雜層 源極/汲極區 第一層 第二層 間隔層 半導體結構 盆形區 -------------装------ΐτ------0 (背先閲请背面之注意事項再填寫本頁) -29-1- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8

   申請專利範園第88104172號F DRAM單胞配匿及f製赶方法^ f7 A 1.—種dram單胞配置，其待徵為： (請先閱讀背'面之注意事項再填寫本頁) -設有突起式之半導髏結構（STa),其在侧面是與至 少一第一邊綠及一第二邊緣相鄰接，第二邊綠則與 第一邊緣相面對， -在半導體結構<STa)中配置記億體單胞之至少一垂直 式HOS電晶體之第一源極/汲極區（S/Dla)及位於其 下之通道區（KAa)，這些區域至少鄰接於半導體結構 (STa)之第一邊線， -至少半導體結構（STa)之第一邊緣至少在HOS電晶體 之通道區（KAa)中設置閘極介電質^,閛極電極 (GAa)鄰接於閘極介電質（GDa)且在電性上是與第一 字線相連接， -在通道區（KAa)和第二字線之間配置一個元件，此 元件可防止HOS電晶體受到第二字線所控制且鄰接 於半導體結構（STa)之第二邊緙， -HOS電晶體之源極/汲極區（S/Dla)在電性上是與電 容器之第一電極（Pla)相建接， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -在電容器第一電極（P la)上方配置電容器介電質（KD a) 旦其上配置著電容器第二電棰（P2a),第二電極（P2a) 在電性上是與位元線（Ba)相連接，位元線（Ba)垂直 於第一字線而延伸β 2.如申諳專利範圍第1項DRAM單胞配置，其中 •此元件（其可防止MOS電晶體受到此元件上所配置之 第二字線之控制）是一種通道-停止區（Ca),其導電 30 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A8 B8 C8 D8

   申請專利範園第88104172號F DRAM單胞配匿及f製赶方法^ f7 A 1.—種dram單胞配置，其待徵為： (請先閱讀背'面之注意事項再填寫本頁) -設有突起式之半導髏結構（STa),其在侧面是與至 少一第一邊綠及一第二邊緣相鄰接，第二邊綠則與 第一邊緣相面對， -在半導體結構<STa)中配置記億體單胞之至少一垂直 式HOS電晶體之第一源極/汲極區（S/Dla)及位於其 下之通道區（KAa)，這些區域至少鄰接於半導體結構 (STa)之第一邊線， -至少半導體結構（STa)之第一邊緣至少在HOS電晶體 之通道區（KAa)中設置閘極介電質^,閛極電極 (GAa)鄰接於閘極介電質（GDa)且在電性上是與第一 字線相連接， -在通道區（KAa)和第二字線之間配置一個元件，此 元件可防止HOS電晶體受到第二字線所控制且鄰接 於半導體結構（STa)之第二邊緙， -HOS電晶體之源極/汲極區（S/Dla)在電性上是與電 容器之第一電極（Pla)相建接， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -在電容器第一電極（P la)上方配置電容器介電質（KD a) 旦其上配置著電容器第二電棰（P2a),第二電極（P2a) 在電性上是與位元線（Ba)相連接，位元線（Ba)垂直 於第一字線而延伸β 2.如申諳專利範圍第1項DRAM單胞配置，其中 •此元件（其可防止MOS電晶體受到此元件上所配置之 第二字線之控制）是一種通道-停止區（Ca),其導電 30 -本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 型 式 和 通 道 區UAa )者相同，但其摻雜物質濃度較 1 1 通 道 區 (K Aa)者還高。 1 1 3 .如 申 請 專 利 範 圍第1 或苐2項DRAM單胞 配置 其 中 請 1 先 1 — 在 二 個 相 鄰 之半導 體結構（STa)之間配置- -値字線 閱 讀 1 -溝渠（ G 2a ) 1 背 I 之 I - 字 線 -溝渠（ G2a> 之 二個邊緣是平行於 半導 體 結 構 1 | (S Ta )之第- -邊緣及第二邊緣而延伸， 事 項 1 I 再 I 宇 線 之 —* 分 別沿著 字線-溝渠（G2a)之 二値 邊 緣 的毎 填 寫 本 1 裝 __· 個 邊 緣 而 延伸， 頁 1 | - 沿 箸 字 線 _溝渠（G Ϊ a )中之一而相鄱之 記億 體 tatr 早 胞之 1 1 這 元 件 (其可防止HOS電晶體受到此 元件 上 所 配置 1 1 之 字 線 之 控 制）交替地是與字線-溝渠 (GWa )之第二 1 訂 邊 緣 和 相 鄰 之字線 -溝渠（GWa)之第一 邊緣 相 鄰 接. i - 沿 箸 字 線 -溝渠（GVia)而相鄰之記億體 單胞 之 每 第二 1 I 锢 之 HOS電晶體之閘極電極（GAa)是與 第一 字 線 相連 1 1 接 » 1 1 - 閘 極 電 極 (GAa)是字線之一部份。 線 I 4 .如 串 請 專 利 範 圍第3 項DRAM單胞配置， 其中 1 1 - 沿 著 位 元 線 (Ba )而 相鄰之記億體單胞 之這 些 元 件 1 1 (其可防止MOS電晶 體受到此元件上所 配置 之 字 線之 1 I 控 制 )全部鄱接於字線-溝渠（GWa)之第一邊緣或第 1 1 二 邊 m 而 配 置笔。 1 I 5 如 甲 請 專 利 範 圍第1 或第2項DRAH單胞 配置 S 其 中 - I | 宇 線 是 配 置 在宇線 -溝渠（GWc)中，這 些溝 渠 (GWc ) 1 1 "31- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 1 1 型 式 和 通 道 區UAa )者相同，但其摻雜物質濃度較 1 1 通 道 區 (K Aa)者還高。 1 1 3 .如 申 請 專 利 範 圍第1 或苐2項DRAM單胞 配置 其 中 請 1 先 1 — 在 二 個 相 鄰 之半導 體結構（STa)之間配置- -値字線 閱 讀 1 -溝渠（ G 2a ) 1 背 I 之 I - 字 線 -溝渠（ G2a> 之 二個邊緣是平行於 半導 體 結 構 1 | (S Ta )之第- -邊緣及第二邊緣而延伸， 事 項 1 I 再 I 宇 線 之 —* 分 別沿著 字線-溝渠（G2a)之 二値 邊 緣 的毎 填 寫 本 1 裝 __· 個 邊 緣 而 延伸， 頁 1 | - 沿 箸 字 線 _溝渠（G Ϊ a )中之一而相鄱之 記億 體 tatr 早 胞之 1 1 這 元 件 (其可防止HOS電晶體受到此 元件 上 所 配置 1 1 之 字 線 之 控 制）交替地是與字線-溝渠 (GWa )之第二 1 訂 邊 緣 和 相 鄰 之字線 -溝渠（GWa)之第一 邊緣 相 鄰 接. i - 沿 箸 字 線 -溝渠（GVia)而相鄰之記億體 單胞 之 每 第二 1 I 锢 之 HOS電晶體之閘極電極（GAa)是與 第一 字 線 相連 1 1 接 » 1 1 - 閘 極 電 極 (GAa)是字線之一部份。 線 I 4 .如 串 請 專 利 範 圍第3 項DRAM單胞配置， 其中 1 1 - 沿 著 位 元 線 (Ba )而 相鄰之記億體單胞 之這 些 元 件 1 1 (其可防止MOS電晶 體受到此元件上所 配置 之 字 線之 1 I 控 制 )全部鄱接於字線-溝渠（GWa)之第一邊緣或第 1 1 二 邊 m 而 配 置笔。 1 I 5 如 甲 請 專 利 範 圍第1 或第2項DRAH單胞 配置 S 其 中 - I | 宇 線 是 配 置 在宇線 -溝渠（GWc)中，這 些溝 渠 (GWc ) 1 1 "31- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 使半導體結構（STc)互相隔離， -字線沿箸字線-溝渠（GWc)而延伸， -沿著位元線而相鄰之記億體單胞之這些元件（其可 防止Μ 0 S電晶體受到此元件上所配置之字線之控制） 全部郯接於字線-溝渠（GWc)之第一邊緣或第二溝渠， -沿著字線-溝渠（Gtfc)之一相鄰之記億體單胞之HOS 電晶體之閘極電極（GAC)在電性上是與第一字線相 連接， -閘極電極（GAc)是字線之一部份。 6 .如申請專利範圍第5項DRAM單胞配置，其中 -這些元件（其可防止HOS電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）全部鄰接於字線-溝渠（Gtfc)之第一 邊緣或第二邊緣。 7·如申請專利範圍第1或2項之DRAM單胞配置•其中 -記憶體單胞含有半導體結構（STa), -半導體結構（ST〇構成基體（la)之突起部， -在沿著第一字線而相鄰之半導體結構（STa)之間配 置一些隔離結構（STa),這些隔離結構可在第一源 極/汲極區（S/Dla)(其是配置在上述之半導體結構 (STa)中）之間防止通道之形成。 8.如申請專利範圍第1或2項之DRAM單胞配置，其中 -半導體結構（STd)基本上是條形的且是此種沿著第一 -3 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ------：---------ΐτ------^ (請先閲讀背缸之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 使半導體結構（STc)互相隔離， -字線沿箸字線-溝渠（GWc)而延伸， -沿著位元線而相鄰之記億體單胞之這些元件（其可 防止Μ 0 S電晶體受到此元件上所配置之字線之控制） 全部郯接於字線-溝渠（GWc)之第一邊緣或第二溝渠， -沿著字線-溝渠（Gtfc)之一相鄰之記億體單胞之HOS 電晶體之閘極電極（GAC)在電性上是與第一字線相 連接， -閘極電極（GAc)是字線之一部份。 6 .如申請專利範圍第5項DRAM單胞配置，其中 -這些元件（其可防止HOS電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）全部鄰接於字線-溝渠（Gtfc)之第一 邊緣或第二邊緣。 7·如申請專利範圍第1或2項之DRAM單胞配置•其中 -記憶體單胞含有半導體結構（STa), -半導體結構（ST〇構成基體（la)之突起部， -在沿著第一字線而相鄰之半導體結構（STa)之間配 置一些隔離結構（STa),這些隔離結構可在第一源 極/汲極區（S/Dla)(其是配置在上述之半導體結構 (STa)中）之間防止通道之形成。 8.如申請專利範圍第1或2項之DRAM單胞配置，其中 -半導體結構（STd)基本上是條形的且是此種沿著第一 -3 2 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） ------：---------ΐτ------^ (請先閲讀背缸之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 字線而相鄰之記憶體單胞之一部份， -其它元件（其可防止Μ 0 S電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）鄰接於此半導體結構（STd)之第一邊 緣和第二邊緣的一部份，此一部份是位於這些沿箸 第一宇線而相鄰之記億體單胞之間。 9.如申請専利範圍第1或2項之DRAM單胞配置，其中 -第二源極/汲極區（S/D2a)配置於通道區（KAa)下方 -第二源極/汲極區（S/D2a)是摻雑層（Sla)之一部份。 10· -種DRAM單胞配置之製造方法，其特徽為： -須産生一種突起式半導體結構（STa),其在倒面是 與至少一第一邊緣和一第一邊緣相鄰接，第二邊緣 則與第一邊緣相面對， -在半導體結構（STa>中須形成記憶體單胞之至少一 個Μ 0 S電晶體之至少一個源極/汲極區（S T a)以及位 於其下之通道區（KAa),使這些區域至少鄰接於半 導體結構（STa)之第一邊緣， -此半導體結構（STa)之至少第一邊緣至少在M0S電晶 體之通道區（KAa)中設置閘極介電質（GDa), -鄰接於閛極介電質（GDa)而産生閘極電極（GAa>, -須産生第一字線，使其在電性上是與閛極電極（GAa) 相連接， -須産生第二字線及一種元件（其可防止M0S電晶體受 到第二字線所控制），使此種元件鄰接於半導體結構 -3 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----1--'---裝------訂------線 (請先閱讀f.面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 字線而相鄰之記憶體單胞之一部份， -其它元件（其可防止Μ 0 S電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）鄰接於此半導體結構（STd)之第一邊 緣和第二邊緣的一部份，此一部份是位於這些沿箸 第一宇線而相鄰之記億體單胞之間。 9.如申請専利範圍第1或2項之DRAM單胞配置，其中 -第二源極/汲極區（S/D2a)配置於通道區（KAa)下方 -第二源極/汲極區（S/D2a)是摻雑層（Sla)之一部份。 10· -種DRAM單胞配置之製造方法，其特徽為： -須産生一種突起式半導體結構（STa),其在倒面是 與至少一第一邊緣和一第一邊緣相鄰接，第二邊緣 則與第一邊緣相面對， -在半導體結構（STa>中須形成記憶體單胞之至少一 個Μ 0 S電晶體之至少一個源極/汲極區（S T a)以及位 於其下之通道區（KAa),使這些區域至少鄰接於半 導體結構（STa)之第一邊緣， -此半導體結構（STa)之至少第一邊緣至少在M0S電晶 體之通道區（KAa)中設置閘極介電質（GDa), -鄰接於閛極介電質（GDa)而産生閘極電極（GAa>, -須産生第一字線，使其在電性上是與閛極電極（GAa) 相連接， -須産生第二字線及一種元件（其可防止M0S電晶體受 到第二字線所控制），使此種元件鄰接於半導體結構 -3 3 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----1--'---裝------訂------線 (請先閱讀f.面之注意事項再填寫本頁) Αδ Β8 C8 D8 字線 申請專利範圍 (STa)之第二邊緣且配置於通道E UAa)和第二字線 之間， -須産生第一源極/汲極區（S/Dla)和電容器第一電掻 (P 1 a ),使它們在電性上互相連接， -在電容器第一電極（Pla)上産生電容器介電質（KDa) 且在其上産生電容器第g霍極（P2a), 須産生電容器第二電極以及垂直於第 之位元線（B a ),使它們上互相連接。 11. 如申請專利範圍第10項其中 -須産生字線-溝渠（6Wa )i 可切割半導體結構（STa) ,使字線-溝渠（GWa)之二値邊線平行於半導體結構 (STa)之第一邊線和苐二邊緣而延伸， -沿箸字線-溝渠（GWa)之二個邊緣中之每一個邊緣而 産生一條宇線， -沿着宇線-溝渠（GWa)而相鄰之記憶體單胞之這些元 件（其可防止HOS電晶體受到此元件上所配置之字線 之控制）交替地鄰接於字線-溝渠（GWa)之第一邊緣 以及相鄰之字線-溝渠（G¥ a)之第二邊緣而形成， -沿著字線-溝渠（GWa)而I®..雛之記億體配置之每第二 丨电$ 個之Μ 0 S電晶體之閘極GAa)在電性上是與第一 ㈣之-部份。鲁 12. 如申請專利範圍第11項，其中 -沿著位元線（B a )而相鄰之結億體單胞之這些元件 (其可防止MOS電晶體受到此元件上所配置之字線之 -3 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------訂------,ii (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Αδ Β8 C8 D8 字線 申請專利範圍 (STa)之第二邊緣且配置於通道E UAa)和第二字線 之間， -須産生第一源極/汲極區（S/Dla)和電容器第一電掻 (P 1 a ),使它們在電性上互相連接， -在電容器第一電極（Pla)上産生電容器介電質（KDa) 且在其上産生電容器第g霍極（P2a), 須産生電容器第二電極以及垂直於第 之位元線（B a ),使它們上互相連接。 11. 如申請專利範圍第10項其中 -須産生字線-溝渠（6Wa )i 可切割半導體結構（STa) ,使字線-溝渠（GWa)之二値邊線平行於半導體結構 (STa)之第一邊線和苐二邊緣而延伸， -沿箸字線-溝渠（GWa)之二個邊緣中之每一個邊緣而 産生一條宇線， -沿着宇線-溝渠（GWa)而相鄰之記憶體單胞之這些元 件（其可防止HOS電晶體受到此元件上所配置之字線 之控制）交替地鄰接於字線-溝渠（GWa)之第一邊緣 以及相鄰之字線-溝渠（G¥ a)之第二邊緣而形成， -沿著字線-溝渠（GWa)而I®..雛之記億體配置之每第二 丨电$ 個之Μ 0 S電晶體之閘極GAa)在電性上是與第一 ㈣之-部份。鲁 12. 如申請專利範圍第11項，其中 -沿著位元線（B a )而相鄰之結億體單胞之這些元件 (其可防止MOS電晶體受到此元件上所配置之字線之 -3 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------^------訂------,ii (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請專利範圍 二邊緣而形成。 1 3 .如申請專利範圍第 A8 B8 C8 D8 控制）全部鄰接於宇線- 1項

   < GWa)之第一邊緣或第 法，其中 在産生字線-溝渠（(5»&)^：_至少字線-溝渠（GWa)之 各面須設置閘極介電質（G D a ), -須以保形（c ο n f o r* m )方镇導電性材料且進行回 r-'.'j 蝕刻，使産生間隔層形式之字線。 1 4 .如申請專利範圍第10項，其中 ίϊί-ώ 須産生字線-溝渠（GWc)#6M 沿替各字線-溝渠（G2c)y|f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 切割半導體結構（STc), 形成一條字線， -沿箸位元線而相鄰之記億體單胞之這些元件（其可 防止MOS電晶體受到此元件上所配置之字線之控制） 全部鄰接字線-溝渠（GWc)之第一逄緣和第二邊緣而 産生， -沿箸字線-溝渠（G¥c)之一而相鄰之記億體單胞之選 擇電晶體之所有的閑，極.暴棰（GAc)在電性上是與第- ^ ,¾ 字線相連接， :令 -閘極電極（GAc>構成一部扮。 15. 如申請專利範圍第其中 -這些元件（其可防止晶體受到上所配置 之字線之控制）全部鄰接於字線-溝)之第一 邊緣或第二邊緣而形成。 16. 如申諳專利範圍第10至15項中任一項法，其中 -此些元件（其可防止M0S電晶體受到上所配置 35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X2!?7公釐） 裝 訂 線 (請t閲讀"面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 二邊緣而形成。 1 3 .如申請專利範圍第 A8 B8 C8 D8 控制）全部鄰接於宇線- 1項

   < GWa)之第一邊緣或第 法，其中 在産生字線-溝渠（(5»&)^：_至少字線-溝渠（GWa)之 各面須設置閘極介電質（G D a ), -須以保形（c ο n f o r* m )方镇導電性材料且進行回 r-'.'j 蝕刻，使産生間隔層形式之字線。 1 4 .如申請專利範圍第10項，其中 ίϊί-ώ 須産生字線-溝渠（GWc)#6M 沿替各字線-溝渠（G2c)y|f 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 切割半導體結構（STc), 形成一條字線， -沿箸位元線而相鄰之記億體單胞之這些元件（其可 防止MOS電晶體受到此元件上所配置之字線之控制） 全部鄰接字線-溝渠（GWc)之第一逄緣和第二邊緣而 産生， -沿箸字線-溝渠（G¥c)之一而相鄰之記億體單胞之選 擇電晶體之所有的閑，極.暴棰（GAc)在電性上是與第- ^ ,¾ 字線相連接， :令 -閘極電極（GAc>構成一部扮。 15. 如申請專利範圍第其中 -這些元件（其可防止晶體受到上所配置 之字線之控制）全部鄰接於字線-溝)之第一 邊緣或第二邊緣而形成。 16. 如申諳專利範圍第10至15項中任一項法，其中 -此些元件（其可防止M0S電晶體受到上所配置 35- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X2!?7公釐） 裝 訂 線 (請t閲讀"面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 ABCD 之字線之控制）形成一種通道-停止區（Ca)、.其導電 型式和通道區（KA a)相同但摻雜物質濃 (KAa)者還高。 滷道區

   霧 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 .如申請專利範圍第1 1至1 5項中任一項法，其中 -在半導體結構（la)中或其上産生一種由i!-：導電型 所摻雜之第一層（Sla), -在第一摻雜層（Sla)上方産生一種由第二導電型（其 和第一導電型相反）所摻雜之第二層（S2a), -須在第二摻雜層（S2a)中或其上産生第一 極區（S/Dla>，使其是由第一導電型所摻 -字線-溝渠（GWa)可抵逹第一摻雜層（S1 18·如申請專利範圍第1 1至1 5項中任一項 -須産生一些基本上互相平行而延伸之隔4 -字線-溝集（Glia)是垂直於隔離溝渠（Gla)而産生， -藉由隔離溝渠（Gla)和字線-溝渠（GWa)之産生而産 生半導體结構（STa),此半導體結構（STa)是分別配 靥於記億體單胞， -在沿箸字線-溝渠（GWa)而相鄰之半導體結構（STa) 之間以及隔離溝渠（Gla)中産生第一隔離結構（Ila: ,這些第 汲極區（S/Dla)(其配置在： 中）之間形成通道 19.如申請專利範圍第18項乏 -在至高無上上迷之隔離 -36-

   隔離結構（I 巧防止相鄰之第一源極/1專 _^逑之半導體結構（STa)

   ,其中 Ulf)之後其七賢一部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------------ΐτ------.ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 ABCD 之字線之控制）形成一種通道-停止區（Ca)、.其導電 型式和通道區（KA a)相同但摻雜物質濃 (KAa)者還高。 滷道區

   霧 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 7 .如申請專利範圍第1 1至1 5項中任一項法，其中 -在半導體結構（la)中或其上産生一種由i!-：導電型 所摻雜之第一層（Sla), -在第一摻雜層（Sla)上方産生一種由第二導電型（其 和第一導電型相反）所摻雜之第二層（S2a), -須在第二摻雜層（S2a)中或其上産生第一 極區（S/Dla>，使其是由第一導電型所摻 -字線-溝渠（GWa)可抵逹第一摻雜層（S1 18·如申請專利範圍第1 1至1 5項中任一項 -須産生一些基本上互相平行而延伸之隔4 -字線-溝集（Glia)是垂直於隔離溝渠（Gla)而産生， -藉由隔離溝渠（Gla)和字線-溝渠（GWa)之産生而産 生半導體结構（STa),此半導體結構（STa)是分別配 靥於記億體單胞， -在沿箸字線-溝渠（GWa)而相鄰之半導體結構（STa) 之間以及隔離溝渠（Gla)中産生第一隔離結構（Ila: ,這些第 汲極區（S/Dla)(其配置在： 中）之間形成通道 19.如申請專利範圍第18項乏 -在至高無上上迷之隔離 -36-

   隔離結構（I 巧防止相鄰之第一源極/1專 _^逑之半導體結構（STa)

   ,其中 Ulf)之後其七賢一部 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------------ΐτ------.ii (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 藉由埴入方式而以第一導電型所摻雜之離子來摻雜， -在産生字線-溝渠（GWf)之後其底部藉由植人方式而 由第一導電型所摻雜之離子來進行摻雜 -藉由上述之植人方式而産生柵形之擦(f |g f ), 其一部份是用作第二源極/汲極區（s /ki 2 ο 如申請專利範圍第1 1至1 5項中任一項1¾方P，其中 -藉由字線-溝渠（GWd)之産生而産生條4¾半I導贐結 Uj:. ΐ 構（STd),此種半導體結構（STd)配靥沿著字 線-溝渠（GWd)而相鄰之記憶體單胞， -其它元件（其可防止HOS電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）是鄰接於半導體結構（S 緣和第二邊緣之這些部份（其是位於沿 GWd)而相鄰之記億體單胞之間）而産生 21.如申請專利範圍第1 1至1 3項中任一項 φ -在可産生之半導體結構（STe)上方産生一種由第一 材料所構成之輔助層（H1)且其上産生由第二材料所 構成之第二輔肋層（H2),其中第二材料可選擇性地 對第一材料而被蝕刻， -字線-溝渠（GWe)切割第一輔助層（H1)和第二輔助層 (H2 )， -字線-溝渠（GWe)之各面設有閘極介電質（GDe),其 可選擇性地對第二材料而被蝕刻， -在字線-溝渠（GWe)之底部上産生第二源極/汲極區 -37- 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----;---.---1------ΐτ------ii (請先閱讀势面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8

   申請專利範圍 藉由埴入方式而以第一導電型所摻雜之離子來摻雜， -在産生字線-溝渠（GWf)之後其底部藉由植人方式而 由第一導電型所摻雜之離子來進行摻雜 -藉由上述之植人方式而産生柵形之擦(f |g f ), 其一部份是用作第二源極/汲極區（s /ki 2 ο 如申請專利範圍第1 1至1 5項中任一項1¾方P，其中 -藉由字線-溝渠（GWd)之産生而産生條4¾半I導贐結 Uj:. ΐ 構（STd),此種半導體結構（STd)配靥沿著字 線-溝渠（GWd)而相鄰之記憶體單胞， -其它元件（其可防止HOS電晶體受到此元件上所配置 之字線之控制）是鄰接於半導體結構（S 緣和第二邊緣之這些部份（其是位於沿 GWd)而相鄰之記億體單胞之間）而産生 21.如申請專利範圍第1 1至1 3項中任一項 φ -在可産生之半導體結構（STe)上方産生一種由第一 材料所構成之輔助層（H1)且其上産生由第二材料所 構成之第二輔肋層（H2),其中第二材料可選擇性地 對第一材料而被蝕刻， -字線-溝渠（GWe)切割第一輔助層（H1)和第二輔助層 (H2 )， -字線-溝渠（GWe)之各面設有閘極介電質（GDe),其 可選擇性地對第二材料而被蝕刻， -在字線-溝渠（GWe)之底部上産生第二源極/汲極區 -37- 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ----;---.---1------ΐτ------ii (請先閱讀势面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (S/D2e), -在産生字線之後字線-溝渠（GWe)之以閘極介電質 (GDe)覆蓋之底部之這些部份須裸露出來， -須在字線-溝渠（GWe)之底部中産生狹窄之溝渠（Gs) (其切割了第二源極/汲極區（S / D 2 e )),於此去除 第二輔肋層（H2)， -須沈積一種導電性材料且選澤性地對第一材料而被 回蝕刻直至這些狹窄之溝_fGs)中至少被填充至第 二源極/汲極區（S/D2e)i§(於上述之導電性材料 為止。 暴 2 2 .如申請專利範圍第1 7項，其中 -在可産生之半導體結構上方産生一種由第一 材料所構成之輔助層（H1)且其上産生由第二材料所 構成之第二輔助層（H2)，其中第二材料可選擇性地 對第一材料而被蝕刻， -字線-溝渠（GWe)切割第一輔肋層（H1)和第二輔助層 (H2), -字综-溝渠（GWe)之各面設有閘極介電質（GDe),其 可選擇性地對第二材料而被蝕刻， -在字線-溝渠（GWe)之底部上産生第二源極/汲極區 (S/D2e ), -在産生字線之後字線-溝渠（GWe>之以閘極介電質 (GDe)覆蓋之底部之這些部份須裸露出來， -須在字線-溝渠（Gtfe)之底部中産生狹窄之溝渠（Gs) -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )入4规^格（210 X 297公釐） ---------^------ΪΤ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (S/D2e), -在産生字線之後字線-溝渠（GWe)之以閘極介電質 (GDe)覆蓋之底部之這些部份須裸露出來， -須在字線-溝渠（GWe)之底部中産生狹窄之溝渠（Gs) (其切割了第二源極/汲極區（S / D 2 e )),於此去除 第二輔肋層（H2)， -須沈積一種導電性材料且選澤性地對第一材料而被 回蝕刻直至這些狹窄之溝_fGs)中至少被填充至第 二源極/汲極區（S/D2e)i§(於上述之導電性材料 為止。 暴 2 2 .如申請專利範圍第1 7項，其中 -在可産生之半導體結構上方産生一種由第一 材料所構成之輔助層（H1)且其上産生由第二材料所 構成之第二輔助層（H2)，其中第二材料可選擇性地 對第一材料而被蝕刻， -字線-溝渠（GWe)切割第一輔肋層（H1)和第二輔助層 (H2), -字综-溝渠（GWe)之各面設有閘極介電質（GDe),其 可選擇性地對第二材料而被蝕刻， -在字線-溝渠（GWe)之底部上産生第二源極/汲極區 (S/D2e ), -在産生字線之後字線-溝渠（GWe>之以閘極介電質 (GDe)覆蓋之底部之這些部份須裸露出來， -須在字線-溝渠（Gtfe)之底部中産生狹窄之溝渠（Gs) -38- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )入4规^格（210 X 297公釐） ---------^------ΪΤ------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8

   申请專利範圍 (其切割了第二源極/汲極區（s / D 2 e )),於此去除 胃1:1輔助層（Η 2 )， -ί頁沈積—種導電性材料且選擇性地對第一材料而被 回独刻直至這些狹窄之溝渠（Gs)中至少 ~蹿極/汲極匾（S/D2e)鄰接於上述之導 為止。 23.如申請專利範圍第1 1至I 5項中任一項識衝砝，其中 ίπρ- —在第一源極/汲極區（S/Dib)上方産生i d絶縴 材料所構成之第一層（SI>以及由一種材料所構成之 第二層（SL),此種材料可選擇性地對絶緣材料而彼 蝕刻， -接觭區（Kb)以自動對準第一源極/汲搔（/Dib)之方 式而被産生，其中在閛極電極（GAb)産生之後， a) 須産生第二隔離結構（I2b),其中須沈積一種絶緣 材料且將之整平直至第二層（SL)裸露為止。 b) 藉助於條形之遮罩（其條形區垂直於字線-溝渠（GWb) 而延伸且覆蓋記億體單胞）而使第二層（SL)之裸露 部份的一部份去除， c) 須沈積其它之絶錄材料且將之整平直至第二層（SL) 裸猱為止， d) 去除第二層（SL),其中半導體材料須選擇性地對絶 緣材料而被蝕刻， e )須對絶緣材料進行蝕刻直至第一層（S 1}之裸露部份 被去除且第一源極/汲桎匾（S/Dlb>裸露為止， f)須沈稹導電性材料且進行蝕刻，這樣可産生一些接 瞄區（Kb)。 3 9 ----^---1---裝------訂------線 (锖f閲讀f-面之注項-S-填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印M 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠） A8 B8 C8 D8

   申请專利範圍 (其切割了第二源極/汲極區（s / D 2 e )),於此去除 胃1:1輔助層（Η 2 )， -ί頁沈積—種導電性材料且選擇性地對第一材料而被 回独刻直至這些狹窄之溝渠（Gs)中至少 ~蹿極/汲極匾（S/D2e)鄰接於上述之導 為止。 23.如申請專利範圍第1 1至I 5項中任一項識衝砝，其中 ίπρ- —在第一源極/汲極區（S/Dib)上方産生i d絶縴 材料所構成之第一層（SI>以及由一種材料所構成之 第二層（SL),此種材料可選擇性地對絶緣材料而彼 蝕刻， -接觭區（Kb)以自動對準第一源極/汲搔（/Dib)之方 式而被産生，其中在閛極電極（GAb)産生之後， a) 須産生第二隔離結構（I2b),其中須沈積一種絶緣 材料且將之整平直至第二層（SL)裸露為止。 b) 藉助於條形之遮罩（其條形區垂直於字線-溝渠（GWb) 而延伸且覆蓋記億體單胞）而使第二層（SL)之裸露 部份的一部份去除， c) 須沈積其它之絶錄材料且將之整平直至第二層（SL) 裸猱為止， d) 去除第二層（SL),其中半導體材料須選擇性地對絶 緣材料而被蝕刻， e )須對絶緣材料進行蝕刻直至第一層（S 1}之裸露部份 被去除且第一源極/汲桎匾（S/Dlb>裸露為止， f)須沈稹導電性材料且進行蝕刻，這樣可産生一些接 瞄區（Kb)。 3 9 ----^---1---裝------訂------線 (锖f閲讀f-面之注項-S-填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印M 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210 X 297公嫠）

   销ί’其中 (s 上方産生一種由絶緣 A8 ' B8 C8 tDSr. 六、申請專利範圍 如申請專利範圍第1 7項 -在第一源極/汲極區 材料所構成之第一層（S I )以及由一種材料所構成之 第二層（SL),此種材料可選擇性地對絶緣材料而披 独刻， -接觸區Ub)以自動對準第一源極/汲極（/Dlb)之方 式而被産生，其中在閘極電極（GAb)産生之後， a>須産生第二隔離結構（I2b),其中須沈積一種絶線 材料且將之整平直至第二層（SL)裸露為止。 b) 藉助於條形之遮罩（其條形區垂直於字線-溝渠（GWb) 而延伸且覆篕記億體單胞）而使第二層（SL)之裸露 部份的一部份去除， c) 須沈積其它之絶緣材料且將之整平直至第二層（SL) 裸露為止， d) 去除第二層（SL>,其中半導體材料須選擇性地對絶 緣材料而被蝕刻， e )須對絶緣材料進行蝕刻直至第一層（S I )之裸露部份 被去除且第一源極/汲極區（S/Dlb)裸露為止， f)須沈積導電性材料且進行蝕刻，這樣可産生一些接 觸區（Kb)。 -40- 本紙?民尺度適用令国國家標卒（<：犯>八4说格（2丨0>< 297公釐> „ 4 裝 I ^ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局負工消費合作社印裝

   销ί’其中 (s 上方産生一種由絶緣 A8 ' B8 C8 tDSr. 六、申請專利範圍 如申請專利範圍第1 7項 -在第一源極/汲極區 材料所構成之第一層（S I )以及由一種材料所構成之 第二層（SL),此種材料可選擇性地對絶緣材料而披 独刻， -接觸區Ub)以自動對準第一源極/汲極（/Dlb)之方 式而被産生，其中在閘極電極（GAb)産生之後， a>須産生第二隔離結構（I2b),其中須沈積一種絶線 材料且將之整平直至第二層（SL)裸露為止。 b) 藉助於條形之遮罩（其條形區垂直於字線-溝渠（GWb) 而延伸且覆篕記億體單胞）而使第二層（SL)之裸露 部份的一部份去除， c) 須沈積其它之絶緣材料且將之整平直至第二層（SL) 裸露為止， d) 去除第二層（SL>,其中半導體材料須選擇性地對絶 緣材料而被蝕刻， e )須對絶緣材料進行蝕刻直至第一層（S I )之裸露部份 被去除且第一源極/汲極區（S/Dlb)裸露為止， f)須沈積導電性材料且進行蝕刻，這樣可産生一些接 觸區（Kb)。 -40- 本紙?民尺度適用令国國家標卒（<：犯>八4说格（2丨0>< 297公釐> „ 4 裝 I ^ 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央榡準局負工消費合作社印裝