TW403727B - Glass coating method and glass coated thereby - Google Patents

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經濟部中央梯準局員工消費合作社印裝 A740372^_E五、發明説明（） 兹昍背署 1.兹明铕域 本發明係有鼷於玻璃施用塗層之方法，特別有關施用 氧化矽塗層至玻璃基材之連績化學蒸氣沈積法，俗名CVD 方法。 1生前枋術：>説明 氧化矽塗層常單獨施於玻璃基材或與各棰修改玻璃用 於汽車和建築用途之特擞之多棰其它塗層一起施用於玻瑰 基材。典型地，塗層玻瑰係於藉後面玻瓖方法製造玻璃基 材遇程中連續塗覆玻璃基材生產。根據此棰方法，熔融玻 瑰沈積於熔融錫之密閉細長浴中，錫上方維持非氧化氣氛 Μ防止氧化。熔融玻瑰於控制條件下展開而形成具有預定 宽度及厚度之帶，帶拉過浴供於浴出口端之舉升送出辊呈 連嫌帶移出時緩慢冷卻。隨後連績帶蠄送通過吡鄰密閉退 火爐之一条列排齊輥上供根據預定退火用途樣式緩慢冷卻 。退火帶或薄片又冷卻至周溫，同時於周画氣氛下於輥上 _送，然後切成所需尺寸的薄片或坯料。欲利用來自帶成 形過程的殘熱，當然較佳於浮面玻璃方法中於玻瑰基材成 形過程中將所需塗層沈積於玻璃基材表面上。 1(&1^1^(^等之美國專利4,019,889揭示經由使用含單 矽烷之非氧化性氣體連繙化學處理熱玻璃基材而Μ矽或氧 化矽複合物層塗層玻璃。Kirkbride等之方法之非氧化性 氣體中含乙烯可改良氧化矽複合物層被齡性化合物攻擊的 抗性，述於Landau之美國專利4,188,444。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 -象- 本紙張尺度適用中國國家棣準（CNS ) A4规格（210X2.97公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 40372Y_^_ 五、發明説明（） 如前述，高度希望能於浮面玻璃浴中連同玻璃帶之生 產施用多棰塗層包含氧化矽塗層。經由引進呈控制比例的 晃和氫維持熔融玻谪浴包圍醱内之邇原氣氛Μ防熔融金羼 浴氧化。如此若氧化成分引進熔融玻璃包匾體，則須小心 Μ減少還原氣氛的污染。於浮面玻璃浴沈積氧化矽塗層之 一棰先前技術方法提示由矽烷（Si Η* Η構成矽來源〉及電子 給予者化合物如烯属化合物之混合物作為前驅物氣體。至 於可舆來自矽烷分解的矽原子結合的唯一氧來源，此棰方 法仰賴玻瓖基材之氧原子有某棰比例擴散至表面。擴散可 籍於玻璃表面吸附電子給予者而促進。但擴散能力極有限 ，所得薄膜對許多用途而言不夠厚。 美國專利5,304,394掲示一種僅使用矽烷和乙烯化合 物播得基於矽，氧及硪之塗層且具有满意的厚度無需利用 補充氧原子方法。特別提示經由延長前驅物氣體與玻璃間 之接觸時間可放大氧擴散通過玻瑰厚度，及提供足夠最小 小比例之矽烷及乙烯俾利用此種氧形成具有所需較高厚度 的塗層。經過適當選擇沈積區段長度及玻璃基材移動通過 區段的速度可達成所需接觸時間。由於逹成所需接觭時間 的需求，此棰程序不適合用於習知塗層設備之浮面玻璃生 產線速度。 發明概沭 根據本發明提供一棰Μ熱解方式於升溫於玻瑱基材上 形成氣化矽塗層之改良方法。該方法特別適合連續浮面玻 璃帶於浮面玻璃浴包围體中形成過程中形成此棰塗層，俥 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210 X 297公釐） r -5 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 良. 經濟部中央樣準局貝工消费合作杜印製 A740372?_b7_五、發明説明（） 利用玻璃基材之殘餘溫度和純淨條件等因素。反而該方法 於玻璃帶退火中於退火觼内或個別玻璃薄片再度加熱至適 當溫度。 前驅物料包括單矽烷，基團清除劑，氧和載氣於配送 器梁裝置內組合，混合物導引朝向通過下方的玻璘基材表 面。存在有基團清除劑可使引火性的矽烷預先與氧混合而 不會進行過早點火。單矽烷氧化顯然係經由生成中間物棰 基丽，存在有基團清除剤化合物可防止氣體混合物於某種 溫度低限值Μ下發生反應。使用前驅物生產線及塗層機表 面維持於250Τ進行試驗，使用各組件類似地雒持於200Τ 之線上試驗，指示不會發生過早燃燒。存在有基團清除雨 之又一優點為可控制玻璃上的化學蒸氣沈積CVD反應動力 學並使其最適化。雖然前驅物料之較佳組合包含單矽烷 (SiH*〉，乙烯（CeH*〉及氧（乙烯作為基圈清除劑 >，但預期 其它及不同物料可與基ffl清除劑組合。 _式之簡里說明 附画中類似的编號表示類似的部件： 第1圖為根據本發明之實施浮面玻璃方法裝置之示意 縱向垂直剖面圖，且包含氣體配送器梁供施用塗層物料； 第2圖為根據本發明生產的塗層玻璃件之片斷剖面圖 :及 第3圖為適合實施本發明之氣體配送器梁之放大示意 端視圖。 較佯县鵲例説明 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 訂 良 私紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 403727_^_ 五、發明説明（） 現在參考附圖第1圖中概略Μ 10表示實施本發明方法 之浮面玻瓖具體設備。設備更特別包括管道區段12,沿管 道區段熔融玻瑰14由熔觼（未顯示出送至浮面浴區段16 ，於其中根據眾所周知的浮面方法形成連鏞玻璃帶18,玻 璃帶由浮面區段前進通過ife鄭¥爐20及冷郤區段22。浮 面區段16包含底區段24，其熔融錫浴26。頂28，兩 相對俩壁30及端壁32頂，_壁及端壁於錫浴26。上方界定 包圍體34於其中維持非氧化氣氛Μ防熔融錫氧化。 作業中，熔融玻璃14流過調節twee 1 38之管道36，且 以控制量向下流至錫浴26表面。於錫浴上熔融玻璃於重力 和表面張力以及某些機械影罌下向外側展開，前進橫跨錫 浴而形成帶18。帶由舉升锟40移出隨後輸送通過退火爐20 及吡鄰锟42上的冷卻區段22。 適當非氧化氣氛，通常為氮或氮與氫混合物（気佔大 多數）維持於浴包圍醱34M防錫浴氧化。氣氛氣體通遇導 管44滾進，導管44M作業方式偁聯於配送枝管46。非氧化 氣體Μ足夠彌補正常損失並維持略為正壓的速率引進，約 高於周围大氣壓0.001至約0.01氣壓Μ防外部氣氛滲入。 維持錫浴26及包圍體34之所需溫度計晝的熱量係由包圍體 内部輻射熱加熱器48提供。退火爐20內部氣氛典型為大氣 氧，冷郤區段22未密封，玻瓖帶開放至周園大氣。周圍空 氣可藉冷卻區段之風扇50導引至玻璃帶。於退火爐中也可 設有加熱器（未顯示）使玻璃帶翰送通過其中根據預定計塞 ，玻璃帶溫度缓慢降低。 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS > Α4规格（210X297公釐） ------1----^------1Τ------1 _ /f.i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) r 7 A7 403727_ 五、發明説明（） 如前述，根據本發明之玻瑰件可含包括氧化矽複合物 單層的塗層，或可提供多層塗層，其中氧化矽複合物包括 任一層或多層，第2圖舉例說明本發明之玻璃件具體例， 概略Μ 52棲示且包括玻璃基材54有多層塗層56沈積於其表 面上。舉例言之多層塗層包括底層，中層和頂層58, 60及 62,其中根據本發明形成的氧化矽複合物塗層可構成任一 層。預期多層塗層包括至多t層或更多層，其中塗層設計 爲可獲得特殊光學效果。如先前技術揭示，各層包含矽， 金羼氧化物，金羼氮化物，金颶碳化物，氧化矽複合物等 之各種組合及其它塗層。由於氧化矽塗層之生成並未利用 來自玻璃的氧，故塗層可於多層堆叠物之任何期望位置形 成。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 欲依次舖設各塗層，習知於浮面浴區段16及/或退火 爐20内設有多根氣體配送器梁。舉例說明於第1画，塗靥 第2圖舉例說明之三層塗層之典型条統。特別概略Μ 64及 66顯示的氣髏配送器梁横向伸過浮浴區段16,氣體配送器 梁68横向伸過退火爐20之輪送通過退火爐的玻璃帶18上方 。於浮面浴及退火爐內可設有額外配送器梁Μ供視需要施 用額外層。 根據本發明適合供應前驅物料之配送器梁64 , 66及68 之習知構造示意示於第3圖。由互相隔開的内壁及外壁72 及74形成的架構70界定包圍穴70,適當熱交換介質循環通 過包画穴俥維持配送器梁於所需溫度。供應通遇延伸於配 送器梁之流體冷卻供應導管80的前驅物料，通過沿著供應 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210X297公釐） B7 403727 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 導管互枏隔開的落下管路82容納至由架構70蓮載的管集箱 86的輪送室84。經由落下管路82容納的前驅物氣體經由通 路88由幢送室84沿第3圃筋頭方向排放至玻璃表面。綸送 室內可設有播板90俥平衡前驅物料播跨配送器梁之流俥確 保前驅物料Μ檐跨梁全羅爲平順、層流、均勻流方式排放 至玻璃上。用過的前驅物料及梁周圍某種數鼉之周圍氣氛 收集並通過沿箸配送器梁側壁的廢氣室92排放。多棰類型 化學沈稹之適當配送器裝置於先前技術概略已知，例如掲 示於美國専利第4,504,526及5,065，696。 發現經由Μ選擇性控制量組合適當基麵清除劑化合物 及氧與含矽烷氣體，不僅可避免前驅物料點火，同時可使 氧化矽沈積反應動力學最適化。適當基國清除爾化合物之 範例為特選垤，特別丙烯和乙烯。經由併用基圃清除_與 矽烷及分子氧可防止潛在爆炸性混合物於反應所需溫度點 火，反應速率可控制在反應於氣醱配送器梁下方之整値塗 層面積展開。結果可«得最高沈積速率及塗層均勻性。矽 烷轉化效率也大增，因此可減少化學品消耗及粉末產生， 结果可使停機淸潔設備中間的蓮轉時間延長。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 因此欲形成氧化矽塗層供抑制玻瑰上塗層結構的色彩 ，習知使用二氯矽烷/氧条統或矽烷/乙烯/丙酮糸統。 欲逹成低混濁及低發射性，先決條件為目前正在開發的塗 \壤之色彩抑制構造，高度希望使用不含氮的前驅物。 ' 明之矽烷/基園清除劑/氧前驅物不僅代表此棰不含 氯前驅物，同時也提供大涯[高於二氯矽烷/氧前驅物之矽 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 403727_E_ 五、發明説明（） 烷轉化效率。本發明之前驅物也提供具有比較矽烷/乙烯 /丙酮糸統更均勻，更低折射指數，對玻璃溫度較不敏感 且具較高矽烷轉化效率之塗層。 根據本發明Μ氧化矽塗層之塗層玻璃範例將說明於後 文。須了解所述特定具體例僅供舉例說明之用，除特別舉 例說明及描述之外可Μ其它方式實施本發明而未悖離其精 黼及範圍。 有待塗覆以氧化矽塗磨之玻瑰基材，習知市售納-鈣-矽型玻璃基材，係Μ第1圖装置於熔融金屬浴上呈帶形生 產。基材玻瑰之真正組成及厚度於構造或化學上不會影湛 沈積塗層之組成或沈積程序。玻瓖組成當然後影響終產品 性能，原因為吸收特性不同。預期本發明可Μ多棰不同組 成的玻瑰實施，包含透明玻璃，藍玻璃，綠玻璃，灰玻璃 及青鏑玻璃。 有鼸三層堆叠物構造之試驗舉例說明於第2圓，底層 和頂層58和62為習知生產的氧化錫層。採用三層堆叠物構 造Μ輔助澜量氧化矽塗層60厚度，原因為單獨測量玻璃上 的氧化矽耗時，且於塗層厚度小於500埃時不精確。沈積 基層58用的氣體配送器梁60前方玻瑰溫度約為1290Τ (699 Ό )。 乙烯（CaH4)用作基團清除劑氣體，而單矽烷（Si H4)用 作含矽氣體。預期其它垤類特別烯烴可作為基團清除削化 合物，只要可抑制前驅物料的過早點火，控制玻璃上CVD 反應動力學且不會產生對浮面玻瓖環境或構造有害的副產 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·

、1T -10 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 403727 Β7 五、發明説明（） 物即可。發現就此方面而言，乙烯特別適合。雖然含矽烷 之其它氣體也可使用，只要其反應生成所需氧化矽塗層且 未產生不期望的副產物卽可。但單矽烷為目前較佳前驅物 料，原因爲可K合理成本方便取得。 純氧可用作前驅物成分。但大氣氧成分通常輿配送器 梁瓌境及浮面浴氣氛舆所需量相容，如此爲經濟理由故使 用空氣為氧源。前驅物之惰性載劑較佳為気，或気與氦之 混合物侔逹到前驅物氣體密度。 試驗中，前驅物氣釀包括氮及某棰比例的氦作載氣， 及至多約3.0%矽烷及9.0%氧（體積比>，基圃淸除剤氣鱧 對矽烷之比高達17比1。前驅物氣體至配送器梁之滾速高 達每米配送器梁每分鐘約215檫準升。預期滚速適合約70 至215，榧準升/分鐘/米梁長，矽烷濃度體積比約0.05 %至3.0%。氧濃度體積比適合約0.15%至9%，基團淸除 劑（較佳乙烯）對矽烷比為約3: 1至17: 1。較佳氧對矽烷 比爲約3:1而乙烯對矽烷比為約9:1。 前驅物氣體經混合並饋送通過供應導管80及落下管路 82至氣髏配送器梁66的鑰送室84。由蠄送室，氣體通過管 路88排放流過玻瑰表面。錫氧化物層Μ習知方式於退火爐 20内的第三氣體配送器梁68施於氧化矽上。 第一糸列試驗中，進行18次電腦設計試驗。製程變數 和對應濃度係由先前實驗室試驗衍生而得，且選擇涵蓋管 線速率每分鐘550吋（13.97米）所需沈積速率範圍俾生產250 埃氧化矽層（其適合壓製色彩）。製程變數係以下列水平操 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐） -------Γ--—裝-- - vv·,1' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 403727 A7 B7 五7發明説明（） 作： 滾速（每米梁長每分鐘檷準升） 矽垸灌度 乙烯/矽烷比 氧濃度 116-138-159 0.896 - 0.996 -1.096 3-6-9 396 -596 -796 對各組試驗參數，以5分鐘間隔由玻璃帶上切下兩條 横長條，長條上3個位置（左側，中央及右侧）測量性質。 測砂厚度，頂鍚氧化物厚度，發射率及混濁度。各 長位置測定性質，性質係以六次測量值的平均值 報告。 此外，目澜檢査長條均勻度根據如下計盡評级外觀： 不良·· 0 普通-:1 普通：2 普通+ : 3 良好-:4 良好：5 18次資驗的製程變數及結果列舉於表I : (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 裝 訂 象 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 12 - 403^27 A7B7 五、發明説明（ 貢驗 编Μ 矽烷 濃度 (%ϊ 深速 (SLPM/ 每米長 度） 乙烯/ 矽烷比 氧禳度 (%) eio2 厚度 (A) 發射率 混 漘 度 頂錫氧 化物層 厚度山 目測 外觀 0.90 138 6.0 5 281 0.20 0.40 2294 0 1.00 138 6.0 5 324 0.19 0.40 2352 1 0.80 159 6.0 3 31S 0.18 0.40 2416 5 4 1.00 159 9.0 7 453 0.19 0.40 2386 2 5 1.00 159 9.0 3 384 0.19 0.43 2387 5 6 1.00 ΙΧβ 9.0 3 321 0.19 0.43 2360 S 7 1.00 116 9.0 7 296 0.21 0.38 223S 3 8 0.90 116 6.0 7 227 0.24 0.35 2237 0 9 0.Θ0 1X6 9.0 5 212 0.25 0.40 2205 〇 10 0.90 13β 9.0 3 309 0.19 0.47 2362 5 11 0.80 138 3.0 7 192 0.27 0..40 2211 0 12 0.80 159 9.0 7 297 0.20 0.43 2315 * 13 1.00 159 3.0 7 294 0.21 0.42 2269 3 14 1 1.00 159 3.0 3 294 0.20 0,43 2322 5 15 1 0.90 159 3.0 5 252 0.24 0.43 2237 0 16 1 1.00 116 3.0 3 249 0.21 0.42 2296 1 1 17 1 1.00 116 3.0 7 212 0.28 0.42 223β 〇 1 m I o.9〇 13Θ 6.0 5 287 0.22 0.40 22«β Μ 請先·聞 面 之 注意 事 項再 f寫本頁 裝 第二糸列實驗中進行22次實驗，裂程變數為如下水平 流速（每米梁長每分鐘檷準升） 矽烷濃度 乙烯/矽烷比 氧濃度 訂 116-138-159 0.696 - 0.796 - 0.896 6_9~ 12 296 -496-696 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 13 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公董） A7 B7 403727 五、發明説明（） 22次實驗之製程變數及結果列舉於表I : 表H 實驗 编狭 Τι 流速 (SLPM/ 每米長 度） 氧蕖度 (%) ΒΙΟ, 厚ά (A) 混 灌 度, 頂錫霉 化物i 厚度又 關 0 70 13β 9 0 4 187 0 27 0 50 2252 0 0 80 138 9 0 A 240 0 19 0 55 2412 0 f ^ 0 60 15 9 0 2 204 0 18 0 SB 2519 4 22 0 βο 15 12 0 6 291 0 19 0 55 2460 2 23 0 BO 1$ 12 0 2 274 0 Χ8 0 53 2522 5 24 0 80 11 12 0 2 239 0 1Β 0 5β 2516 4 29 0 eo 11 12 0 6 222 0 23 0 58 2367 0 2« 0 70 11 9 0 β 163 0 29 0 S3 2263 2 27 0 60 11 12 0 4 15β 0 30 0 53 2274 3 2· 0 70 13 12 0 2 226 0 1β 0 53 2503 4 29 0 <0 13 6 0 β 16S 0 29 0 55 2298 2 30 0 «0 IS 12 0 € l€7 0 25 0 57 2340 0 3X 0 80 15 € 0 β 257 0 21 0 57 2408 1 32 0 80 15 6 0 2 291 0 17 0 ¢0 2538 S 33 0 70 IS 6 0 4 21β 0 29 0 so 2355 S 34 0 BO 11 β 0 2 249 0 1β 0 57 2518 5 3» 0 80 11 6 0 6 212 0 25 0 57 2327 0 1 36 0 70 13β 9 0 4 202 0 25 0 53 2326 1 1 37 0 90 13& 9 0 3 282 0 17 0 63 2549 5 Li®_|_ι 65 159 5 8 2 220 0 17 0 βο 2535 4 Li!_Li 69 159 5 5 2 243 0 17 0 63 254$ 5 1 4。丨 0 80 11« 16 6 2 229 0 18 0.53 2497 3_.. 1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 當乙烯/矽烷比等於約9: 1時可得最佳厚度。於較低 乙烯濃度，反應快速而可直接在前驅物氣體排放的通道88 下方進行。雖然反應快速發生，但利用小部分塗層面積無 法逹成最大氧化矽層厚度。於高乙烯澳度時反醮減慢，因 此朝向®氣室92延伸，而若干前驅物料可在反應前被排放 。如此塗層面積的利用不足而氧化矽沈積速率下降。於中 間乙烯濃度，反應於整痼氣體配送梁下方的塗層面稹發生 ，因此可獲得最高沈積速率，如此獲得最大氧化矽層厚度 。例如利用包括1.8%矽烷，16.2乙烯及5.4%氧之前驅物 可於生產線速度為每分鐘466英吋（11.8米）生產含矽塗層 約 600A。 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS > A4規格（210X297公嫠） 象. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -14 403727 % 五、發明説明（） 一条列實驗結果也顯示需要乙烯來逹到可接受的塗層 均勻度。於低乙烯濃度，矽烷/氧混合物於熱基材上反應 性遇高，結果導致流干擬和塗層瑕疵如條紋、污點等。乙 烯不僅可防止前驅物混合物點燃，同時於控制塗層匾段之 沈積反應動力學上也扮演要角。如此又促進成最佳沈稹速 率及塗層均勻度。氧化矽塗層厚度輿矽烷濃度直接成比例 ，但乙烯和氧濃度據此調整，而可播得比較先前更厚的氧 化矽塗雇。矽烷轉化效率達30%，比較過去採用二氣矽烷 /氧組合所能達成的效率高約20%。結果可減少沈積物沈 積於設備上，兩次停機進行清潔間的作桊時間延長，特別 於較高生產線速度時尤為如此。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ，r -15 一 403727 A7 B7 五、發明説明（ 元件檷號對照 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 10.. ..浮面玻璃設備 46., ...配送枝管 12.. ..管道區段 48. ' ...加熱器 14.. ..熔融玻璃 50.. ...風扇 16.. ..浮面浴區段 52.. ...玻瑰件 18.. ..玻璃帶 54.. ..玻璃基材 20.. ..退火爐 56 * 58，60 » 62 22.. ..冷卻區段 64 » 66 » 68.... 24.. ..底區段 70. _ ..架構 26.. • •浴 72， 74·…壁 28.. •.頂 76， 78____穴 30.. ..側壁 80. · ..導管 32.. ..端壁 82. ..落下管路 34.. ..包圍體 84.. ..輸送室 36.. ..管道 86. _ ..管集箱 38.. ..調節 twee 1 88.. ..通路 40.. ..舉升棍 90.. ..擋板 42.. ..排齊輥 92.. ..廢氣室 44.. ..導管 ——塗層 氣體配送器梁 請 先. 閲 讀 背 I 事 項 再 p 本 頁 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16

Claims (1)

1. 403727申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 1. 一棰於玻璃基材上沈積含氧化矽塗層之方法，包括下 列步驟： 3>於升溫提基材具有一面，塗層邸將沈積\續 於該面上； b) 導引包含矽清除爾氣體，氧和惰性載氣 的前驅物混合物朝向ft箸有待塗覆的表面並使混合 物反應，於表面或接近表面處形成含矽塗層，基團清 除劑之存在量係足夠防止前驅物氣體點燃並調節混合 物之反應速率； 及 c) 塗層所得玻璃基材冷卻至周溫。 2. 如申請專利範圍第1項之於玻璃基材上沈積含氧化矽 塗層之方法，包含： d〉於步驟b)前於表面上沈積矽，金羼氧化物或金 羼氣化物塗層。 3. 如申誚專利範圍第1項之於玻璃基材上沈積含氧化矽 塗層之方法，包含： d) 於步驟b)後於表面上沈積矽，金羼氧化物或金 *気化物塗層。 4. 如申請專利範圍第2項之於玻瑰基材上沈積含氧化矽 塗層之方法，包含： e>於步驟d)後於表面上沈稹矽，金羼氧化物或金 羼気化物塗層。 5. 如申請專利範圍第3項之沈積含氧化矽塗層之方法： (請先H*讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度逋用中國國家揉準（CNS ) Α4^格（210X297公釐） 17 403727 ------申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 包含： Ο於步驟d>後於表面上沈積矽，金羼氧化物或金 羼気化物塗層，重複步驟而於矽金屬氧化物或金應 気化物層上方沈積第二含矽塗層之步驟。 6. 如申請專利範園第丨項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中於前驅物混合物之矽烷為單矽烷（Si Μ。 7. 如申請專利範圍第1項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中該前驅物混合物内之基_淸除劑氣體係選自乙烯 及丙烯。 8. 如申請專利範圍第7項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中該基團清除劑氣體爲乙烯。 9·如申請專利範圍第丨項之沈稹含氧化矽塗層之方法， 其中該矽烷為單矽烷（Si Η*)及基画清除薄為乙烯 (CaH*) 〇 10.如申請専利範圍第9項之沈積含氣化矽塗層之方法》 其中該前驅物混合物之矽烷濃度爲約0.05%至3.0% 醴稹比。 11·如申請專利範圍第9項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中該乙烯/矽烷比為約3 : 1至17 : 1。 12.如申請專利範圍第9項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中該前驅物混合物之氧濃度為約0.15%至9%體積 比0 t 13·如申請專利範圍第10項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中該乙烯/矽烷比為約3: 1至17: 1，及氧濃度為 本紙張尺度逋用中國國家標準CNS ) A4规格（21〇χ297公兼） 18 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 袭· 、11 ▼良 403727申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 約0.15%至9%體積比。 14. 如申謓專利範圍第13項之沈積含氧化矽塗層之方法， 其中該乙烯/矽烷比為約9: 1。 15. —種生產於其一面上具有含氧化矽塗層之玻瑰片基材 之方法，其一面上具有含氧化矽塗層之玻璃片基材之 方法，包括下列步 a>於非氧化氣^_維持約1050T (5661 >溫度； ! - ' - I •、. -.· ' 5' b>導引包含團清除劑氣體，氧和惰性載氣 的氣態前驅物混合向並沿著有待塗覆的表面並使 混合物於表面或接近表面處反應形成含矽塗層，基園 清除劑之存在量係足夠防止前驅物氣體點燃並選擇性 調節混合物之反應速率； c)由非氧化氣氛下移出塗覆妥的玻璃基材並將塗 覆妥的基材冷卻至周溫。 16. 如申請專利範圍第15項之生產於其一面上具有含氧化 矽塗層之玻璃片基材之方法，包含於a)之後及b〉之前 於該表面上沈積選自矽，金羼氧化物及金羼気化物之 任一種塗層之步驟。 17_如申請專利範圍第15項之生產於其一面上具有含氧化 矽塗層之玻璃片基材之方法，包含於b>之後於該表面 上沈積選自矽，金屬氧化物及金屬氮化物之任一種塗 層之步驟。 18.如申請專利範圍第15項之生產於其一面上具有含氧化 矽塗層之玻瑰片基材之方法，其中該非氧化矽氣氛包 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) f 訂 本紙張尺度適用中國國家槺準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 19 403727六、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 經濟部中央棣準局貝工消費合作社印裂 括氮與氫之混合物其中氮占大多數，矽烷包括單矽烷 ，基團清除劑包括乙烯及惰性載氣包括気。 19. 如申請專利範围生產於其一面上具有含氧化 矽塗層之玻璘Η基法，其中該單矽烷濃度係佔 前驅物氣體之約0.05%至3.0%體積比，氧濃度係佔 前驅物氣體之0. 15%至9%體積比*及乙烯/矽烷比 為約3 : 1至17 : 1。 20. 如申請專利範圍第之生產於其一面上具有含氧化 矽塗層之玻璃片基材ί方法，其中該單矽烷灌度爲約 〇 · 6¾至1.0%，氧濃度約1.0%至7%及乙烯/矽烷比 為約3 : 1至12 : 1。 21. —棰於其一面上具有含氧化矽塗層之玻璃基材，其係 經由下列步朦形成： a>將該玻璃基材維持於升溫； b〉將包括矽烷，基團清除劑氣體，氧及惰性載氣 之前匾物混合導引朝向並順著基材表面而混合物於表 面或接近表面反應而於表面上形成含矽塗層；及 c)將基材及其上方的含矽塗層溫度降至周溫。 22·如申請專利範圍第21項之具有含氧化矽塗層之玻瑰基 材，其中該含矽塗層為多層塗層彼此重疊沈積於該表 面上。 23.如申請專利範圍第22項之具有含氧化矽塗層之玻璃基 材，其中該多曆塗層包含選自矽，金颶氧化物及金羼 気化物中之至少一層。 本紙張尺度逋用中國國家榇牟（CNS ) 格（210X297公釐） 20 請 先 M' Λ 之 注 項 再%( 本 頁 裝 訂 % 403727^、申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 24 ·如申請專利範圍第22項之具有含氧化矽塗層之玻璃基 材，其中該含氧化矽塗層包括多層塗層中之一層。 25. 如申請專利範圍第23項之具有含氧化矽塗層之玻璃基 材，包含至少兩層含矽塗層且由至少一層矽金屬氧化 物或金羼氣化物隔開。 26. 如申請專利範圍第21項之具有含氧化矽塗層之玻璃基 材，其中該升溫至少約爲600T (3161C )。 27. 如申請專利範圍第22項之具有含氧化矽塗層之玻璃基 材，其中該升溫至少約為1050T (566Ό )。 請 先 聞' 背 1¾ 之 注 意 事 項 再t' 本 頁 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 21