A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明昔鲁 發明領城 本發明有關用Μ增加與動態記憶體裝置结合之資料頻 寬之成本效益之方法及裝置，且較特別地有W用Κ增加 與諸如動態隨櫬存取記憶體（DRAM)裝置結合之資料頻寬 之方法及裝置，以達成管線型尼（管媒型半拜）（pipelined nibble i^de, PNM)之作業，同時，此種方法及裝置可 應用於同步動態隨櫬存取記憶體（SDRAM)或其記憶體裝 置之實行中。 恝知抟街說明 大致地皆知，在諸如DRAMs及SDRAMsM及相81之控制 電路之記憶體裝置之設計中之目的在於提供增加之記憶 輸出量，亦即，增加資料頻寬。同時，大致地習知，藉 由並行記憶體存取之遇期透過同時地操作諸管線鈒數之 執行，可實質地取得資料頻寬中之增加。然而在過去， 由於額外之控制缠輯器/暫存器造成較大之晶片大小， 故此僅可行於具有相當大之成本之中。 經濟部中央標準局員工消費合作社印聚 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於DRAM裝置之技術中，諸如高速頁（Hyper-page)及 EDO (擴增之資料輸出）之作業模式已實行於使記憶體 存取遇期最適化及藉此增加資料頻寬之官試中，主要地 ，高速頁及EDO模式之作業在観念上係相同且均由一經 解碼之單一行位址而啟動一稱為”頁（pa gk)"之共用行予 Μ特激化。頁之啟動使其中之記憶體位置能藉由解瑪相 對應於讀處不同之列位址而俚別地予Μ隨機地存取（謓取 -3- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（ 2 ) 1 1 白 或 寫 入 於 ) 〇 1 1 I 首 先 參 閲 第 1 圆 » 一 時序圖描繪EDP 模 式 之 作 業 的 一 1 實 例 〇 特 別 地 $ 在 一 行 位 址 選 通 (RAS) 信 號 白 —* 高 理 輯 --- 請 先 準 位 ( 例 如 9 .3伏特） 轉 變 至 __. 低 埋 輯 準 位 ( 例 如 9 閱 讀 1 0 伏 特 ) 時 f 解 碼 一 單 一 之 行 位 址 且 藉 此 啟 動 該 行 ( 頁） 背 1 I 之 1 » 接 著 * 在 一 列 位 址 m 通 (CAS) 信 號 白 一 高 m 輯 準 位 轉 注 意 1 事 1 變 至 —· 低 理 輯 準 位 時 9 解 碼 該 第 —· 列 而 在 該 特 別 啟 動 之 項 再. 1 行 ( 頁 ) 中 相 對 應 於 該 列 位 址 之 資 料 被 讀 取 白 該 記 憧 體 填ί 寫 本 1 裝 位 置 且 置於DRAM裝置之 外 部 資 料 输 入 / 输 出 (DQ)線之上 ΐ 、， 1 I 0 若 正 執 行 一 寫 入 作 業 時 9 則 所 選 取 之 記 億 體 位 置 被 提 1 1 供Μ存在於該記憶體裝置之DQ線上 之 資 料 0 然 而 會 收 1 1 到 下 列 之 存 取 ( 亦 即 » 下 ——* 次CAS 白 —. 高 理 輯 準 位 至 • 1 訂 . 低 理 輯 準 位 之 轉 變 ) 而 下 . 記 憶 體 位 置 會 存 取 於 該 特 - 1 別 之 行 ( 頁 ) 之 中 f 然 後 9 資 料 會 Μ 相 類 似 於 上 述 式 1 1 讀 取 或 寫 入 於 所 選 取 之 記 憶 體 位 置 〇 此 一 記 億 體 存 取 之 1 I 程 序 持 饋 於 每 次 新 的 列 位 址 之 出 現 ( 亦 即 * 低 理 輯 準 位 1 '1 Λ | 之 CAS ) Ο 一 時 間 間 隔 1 AA 係 顯 示 於 第 1 圖 中 且 界 定 為 量 度 i 一 1 | 列 位 址 之 轉 變 之 開 始 到 當 資 料 係 有 效 於 白 外 部 讀 取 於 DQ 1 1 镍 上 之 時 間 的 時 間 間 隔 > 此 時 間 間 隔 t AA 於 此 等 作 業 模 1 | 式 中 係 重 要 的 ， 因 為 ， 如 第 1 圖 中 所 示 » 該 資 料 必 須 有 1 效 地 在 此 時 間 間 隔 終 了 時 加 Μ 謓 取 » 否 貝丨ί 下 一 列 之 存 取 - 1 將 發 生 因 而 破 壤 了 前 一 列 之 存 取 〇 快 速 頁 (f as 卜 pa g e ) 1 I 與 高 速 頁 (hyp e r -p a g e)棋式 (EDO) 之 作 業 間 之 主 要 差 異 1 1 1 -4 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家栋準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印褽 五、發明説明 ( 5 ) 1 1 係 9 在 刖 者 中 t 结 合 於 JUU 刖 一 列 之 存 取 的 資 料 會 在 當 CAS 1 1 轉 變 至 一 高 理 輯 準 位 時 被 破 壊 而 在 後 者 中 來 e 前 一 1 ;I 遇 期 之 資 料 並 不 會 被 破 壊 直 到 CAS 開 始 再 次 轉 變 白 一 高 /·-V 請 1 先 1 邇 輯 準 位 至 _ 低 理 輯 準 位 時 為 止 〇 然 而 9 將 理 解 的 是 f 閱 讀 時 間 間 隔 t AA 係 限 制 增 加 CAS 發 生 頻 率 ( 亦 即 ， CAS 頻 背 1 | 之 1 率 ) 之 能 力 的 時 間 參 數 » 因 而 限 制 了 可 實 行 於 該 等 特 殊 注 意 1 I 模 式 作 業 之 資 料 頻 寬 〇 事 項 1 I 再f 最 近 地 » — 替 換 模 式 之 作 業 已 發 展 出 9 其 係 周 知 為 管 填' 寫 本 1 裝 線 型 尼 模 式 ( 本 文 中 稱 為 PHM) ，亦稱為叢發式EDO 之 頁 ^—· 1 I ΡΝΗ 作 業 係 一 作 業 模 式 其 有 關 —" 特 殊 DRAM 裝 置 之 管 線 謓 1 1 取 9 在 快 速 頁 模 式 或 高 速 頁 模 式 與 PNM 之 間 的 主 要 差 異 1 1 係 * 在 前 者 中 9 於 下 — 列 之 存 取 之 刖 ( 即 * 在 下 一 CAS ψ 1 訂 轉 變 至 —. 低 理 輯 準 位 之 發 生 之 前 ) 9 資 料 係 有 有 效 於 DQ - 1 媒 上 ( 或 可 檢 索 白 該 等 Dim ) t 而 在 NPM 或 叢 發 式 EDO 1 1 横 式 中 費 存 在 有 一 潛 性 m 期 (1 at e η c y P e r i 〇 d) 其 命 令 資 1 I 料 並 不 提 供 白 外 部 謓 取 ( 白 DQ線 ) 直 到 在 第 二 低 m 輯 準 1 1 位 CAS 之 後 » 例 如 在 第 二 CAS 低 準 位 發 生 之 a·*» 刖 的 某 一 時 旅 I 間 為 止 9 此 一 CAS 之 潛 性 允 許 管 線 流 通喊極 高 之 CAS 頻 1 I 率 ( 亦 即 9 大 於 約 100 百 萬 赫 ) 〇 1 1 參 閲 第 2 圖 • 一 時 序 圈 描 繪 PNH 作 業 之 一 實 例 特 別 1 I 地 9 相 類 似 於 EDO 模 式 之 作 業 9 在 RAS 白 一 高 理 輯 準 位 1 1 轉 移 至 一 低 邏 輯 準 位 時 9 解 碼 一 單 一 之 位 址 且 藉 此 放 1 動 該 行 之 記 憶 艚 位 置 » 接 著 提 供 一 第 一 列 位 址 且 根 據 第 1 1 —· 個 發 生 之 CAS 之 低 理 輯 準 位 轉 變 予 以 解 碼 • 然 而 ， 不 1 1 1 -5 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（2Ϊ0Χ 297公釐〉 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 五、發明説明（ 4 ) 1 1 似EDO 横 式 t 該 資 料 並不放置於外部DQ線之上 直 到 第 二 I 1 m CAS 發 生 為 止 〇 進 一步 地 » 如 第 2 屬 中 所 示 該 資 料 1 J 並 未 破 壊 於 ( 亦 即 * 損失 自 ) 該等DQ線上 直 m cas 之 第 請 1 先 1 二 個 轉 變 至 —* 低 理 輯 準位 為 止 9 且 之 後 • 資 料 會 連 續 地 閲 請 1 提 供 —- 固 定 數 百 之CAS週 期 ( 亦 即 $ 若 干 資 料 字 元 之 叢 背 ft 1 I 之 1 發 ) 0 將 理 解 的 是 9 PNH 將 支 援 每 一 叢 發 有 高 數 量 之 字 注 意 1 I 元 ( 例 如 » 4 9 8 等 ), 而 在 第 2 匾 中 只 描 述 兩 資 料 字 事 項 再 1 1 元 之 叢 發 〇 同 時 f 在 η字元之叢發之後 » 一 新 的 ( 随 機 的） 填 % 本 ( 袭 列 位 址 必 須 在 第 η 個CAS 發 生 處 提 供 該 装 置 〇 頁 '—^ 1 1 若 干 優 點 圼 規 g 此PNM 作 業 > 首 先 9 如 第 2 圖 中 所 示 1 1 » 一 列 存 取 (CAS 轉 變至 低 埋 輯 準 位 ) 會 產 生 多 字 元 叢 1 1 發 f 然 而 t 重要的是因為資料並未要求在外部之DQ線上 訂 直 到 在 第 二 CAS 發 生 為止 > 故 此 允 許 — 有 效 之 較 長 時 間 間 隔 t AA 於 操 作 中 9 而較 長 之 時 間 間 隔 t AA 之 结 杲 9 可 1 1 形成諸管線级來增加CAS 頻 率 0 1 I 另 一 方 面 t SDRAM 裝置 之 技 術 亦 企 m 使 記 憶 體 之 存 取 1 1 通 期 最 佳 化 而 工 作 於 由一 提 供 記 憶 體 存 取 同 步 之 条 統 時 1 1 脈 所 界 定 之 均 勻 之 時 鼷週 期 之 範 圍 内 〇 其 中 SDR AH 装 置 1 | 操 作 之 典 型 方 式 係 如 下所 述 » 提 供 一 列 位 址 且 在 第 一 時 1 1 脈 遇 期 中 加 Μ 解 碼 • 在下 —* 時 脈 邇 期 內 9 使 用 所 解 碼 之 1 | 位 址 來 帶 出 ( 啟 動 ) 遘當 之 列 選 取 線 及 感 知 所 定 址 之 記 I 憶 體 位 置 5 於 第 三 時 脈週 期 内 > 利用所_碼 之 位 址 實 際 1 地從適當之記憶體位置檢索資料且置此資料於DQ線之上。 1 I 在 SDRAM 裝 置 输 出 資料 之 前 箱 有 三 個 時 脈 遇 期 • 其 後 1 1 I -6 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（2I0X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標率局員工消費合作社印聚 五、發明説明 ( 5 ) 1 i • 各 週 期 產 生 資 料 所 Η » 提 供 一 連 續 的 資 料 輪 出 〇 相 1 1 類 似 在 DRAM 裝 置 中 之 PHM 作 業 i 一 較 長 之 時 間 間 隔 t ▲ AA 1 將 為 可 行 的 » 其 將 允 許 管 線 作 桊 便 在 第 — 記 憶 體 存 取 y—\ 請 1 先 傳 過 該 記 憶 體 裝 置 之 後 取 得 連 鑛 的 ( 叢 發 的 ) 資 料 出0 閏 讀 然 而 » 為 取 得 上 述 有 關 结 合 在 二 或 多 個 CAS 週 期 之 後 背 1 I 之 1 之 資 料 (DQ) 之 潛 性 ( 下 文 中 稱 為 CAS 潛 性 ) 之 使 記 憶 體 注 意 1 I 存 取 週 期 最 佳 化 之 優 點 » 將 須 含 有 額 外 之 管 線 级 之 電 路 事 項 再 1 1 » 閂 鎖 器 及 其 他 之 DRAM 及 SDRAM 之 特 定 控 制 埵 輯 器 於 該 $ ! 寫 本 裝 記 憶 體 裝 置 本 身 > 及 / 或 相 閫 之 控 制 電 路 9 例 如 9 相 對 頁 s_- 1 I 於 SDRAM 裝 置 9 理 想 上 , 各 管 線 级 將 必 須 是 相 同 之 持 績 1 1 時 間 的 t 且 進 一 步 地 ， 個 別 之 暫 存 器 將 必 須 配 置 於 該 過 1 1 程 之 各 級 之 間 Μ 便 儲 存 各 级 相 關 之 结 果 0 將 理 解 的 是 9 - 1 訂 此 添 加 至 DRAM 或 SDRAM 裝 置 之 額 外 電 路 將 具 有 增 加 晶 片 - 1 大 小 之 相 反 效 果 且 因 此 增 加 動 態 記 憶 體 裝 置 之 成 本 〇 1 1 所 以 » 在 習 知 技 術 中 存 在 一 種 對 於 用 Η 增 加 記 憶 體 裝 1 I 置 之 賁 料 頻 寬 的 方 法 及 裝 置 之 需 求 » 特 別 地 9 能 利 用 到 1 CAS 潛 性 之 優 點 且 其 可 Μ Μ 少 許 的 或 無 需 額 外 之 電 路 來 旅 1 執 行 之 〇 1 I 發 明 槪 沭 1 1 本 發 明 之 巨 的 在 於 提 供 有 效 之 PNM 作 業 之 執 行 於 EDO 1 I DRAM S 百 ,w. 刖 之 技 術 中 » 同 時 » 所 揭 示 之 方 法 可 達 成 應 用 | 在 SDRAMs 之 有 效 實 施 中 〇 1 本 發 明 之 另 一 百 的 在 於 提 供 用 藉 使 用 一 位 址 轉 變 之 1 | 檢 測 m 波 來 形 成 一 管 線 级 Μ m 加 記 憶 體 裝 置 之 資 料 頻 寬 1 -7 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消费合作社印繁 五、發明説明（ 6 ) 1 1 之 方 法 及 裝 置 〇 1 1 本 發 明 之 再 一 百 的 在 於 提 供 用 Μ 藉 使 用 現 有 之 理 輯 電 1 i 路 及 信 號 ( 例 如 9 已 使 用 之 閂 鎖 器 ) 來 形 成 —^ 管 線 级 請 先 增 加 記 億 體 裝 置 之 資 料 頻 寬 之 方 法 及 裝 置 〇 閲 讀 T 本 發 明 之 又 的 在 於 提 供 用 Μ 藉 暫 時 地 交 疊 諸 管 線 背 面 1 | 之 1 级 來 提 供 一 波 形 管 之 作 業 以 增 加 記 憶 體 裝 置 之 資 料 頻 寬 注 意 1 事 1 之 方 法 及 裝 置 〇 項 再 ! 本 發 明 之 仍 __. 0 的 在 於 提 供 用 Μ 藉 由 提 供 用 於 列 位 址 填 寫 本 裝 之 最 低 有 效 位 元 之 分 段 列 解 碼 法 itk 增 加 記 億 體 裝 置 之 資 頁 1 I 料 頻 寬 及降低其功率消耗 〇 1 1 根 據 本 發 明 之 一 形 式 » 提 供 — 種 實 質 地 增 加 記 憶 體 裝 1 1 置 之 資 料 頻 寬 之 方 法 > 其 中 該 記 憶 體 裝 置 具 有 至 少 — 儲 訂 存 單 元 9 — 列 解 碼 器 及 內 部 謓 取 / 寫 入 之 資 料 匯 流 排 時 9 其 中 該 列 解 碼 器 所 接 收 之 一 列 位 址 t 使 得 齡 存 在 相 1 1 對 應 於 該 解 碣 之 列 位 址 之 至 少 一 醏 存 單 元 中 之 資 料 放 置 1 於 内 部 謓 取 / 寫 入 之 資 料 匯 流 排 之 上 f 響 m 於 一 由 該 1 1 動 態 記 憶 體 裝 置 所 產 生 之 一 位址轉變檢满 (ATD) 脈 波 之 .'永 I 接 收 ， 該方法包含暫時地抑制該ATD 脈 波 之 產 生 9 使 得 1 | 堪 取 白 該 至 少 一 儲 存 單 元 之 資 料 不 會 置 放 在 該 內 部 m 取 1 1 / 寫 入 之 資 料 匯 流 排 之 上 t 直到在該ATD m 波 之 一 延 遲 1 | 產 生 之 後 為 止 之 步 驟 〇 於 此 方 式 中 9 一 第 一 管 線 級 係 有 I 利 地 形 成 » 其 主 要 地 含 有 列 位 址 之 提 供 其 解 碼 法 0 較 1 I 佳 地 • 該 延 遲 之 ATD 脈 波 係 產 生 響 應 於 一 列 位 址 選 通 1 I (CAS) 信 號 之 下 降 緣 〇 1 1 I -8 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 五、發明説明 (7 ) 1 1 而 且 較 佳 地 • 該 動 態 記 憶 體 裝 置 尚 含 有 输 出 資 料 餘 1 1 存 裝 置 9 藉 此 9 输 出 資 料 係 儲 存 於 該 输 出 資 料 齡 存 裝 置 1 中 * Μ 響 應 一 轉 移 脈 波 » 且 其 中 本 發 明 之 方 法 尚 含 有 Ρ乂 請 先 V 實 質 地 非 常 接 近 於 該 延 m 之 ATD m 波 產 生 之 時 間 產 生 該 閱 讀 1 轉 移 脈 波 Μ 便 儲 存 已 存 在 於 該 内 部 m 取 / 寫 入 之 資 料 匯 背 1 | 之 1 流 排 上 之 來 白 先 前 所 提 供 之 列 位 址 之 資 料 於 該 輸 出 資 料 注 意 1 I 儲 存 裝 置 中 〇 於 此 方 式 中 t 一 第 二 管 線 鈒 有 利 地 形 成 » 事 項 再 1 1 其 含 有 產 生 該 轉 移 脈 波 及 儲 存 該 内 部 讀 取 / 寫 入 之 資 料 填 寫 本 i ‘ 裝 匯 潦 排 上 之 資 料 於 該 输 出 資 料 儲 存 裝 置 中 〇 於 _ 實 施 例 頁 1 I 中 » 該 轉 移 脈 波 係 產 生 來 響 應 CAS 信 號 之 下 一 個 下 降 緣 1 1 ( 亦 即 » CAS 之 下 一 届 下 降 緣 緊 嫌 著 產 生 該 延 遲 之 ATD 1 1 脈 波 之 CAS 之 下 降 緣 ) 且 更 進 一 步 地 t 該 输 出 資 料 儲 訂 存 裝 置 係 一 晶 片 外 之 驅 動 器 (0CD ) 之 閂 鎖 器 〇 同 時 Λ 較 佳 地 » 各 轉 移 脈 波 係 相 對 於 各 延 遲 之 ATD 脈 波 之 產 生 而 1 1 延 遲 Μ 便 實 施 上 述 之 第 — 與 第 二 管 線 鈒 之 交 叠 一 時 間 缠 1 I 期 〇 此 種 管 線 鈒 之 交 叠 法 稱 為 波 形 管 之 行 為 〇 1 1 於 另 一 實 施 例 中 • 該 動 態 記 憧 體 裝 置 係 一 DRAM 裝 置 » X 1 其 初 始 地 建 構 為 操 作 於 一 擴 增 之 資 料 輪 出 (EDO) 模 式 中 1 I 〇 因 此 9 上 述 之 方 式 9 藉 由 暫 時 地 抑 制 該 ATD 脈 波 之 1 1 產 生 及 藉 由 產 生 該 轉 移 脈 波 » 使 得 該 第 一 管 線 鈒 係 界 定 1 I 為 在 該 延 遅 之 ATD 脈 波 之 產 生 之 前 解 碼 第 一 列 位 址 以 1« | 及 使 得 該 第 二 管 線 级 係 界 定 為 產 生 該 轉 脈 波 及 儲 存 相 1 | * 對 應 於 該 第 一 列 位 址 之 第 一 管 線 資 料 1 將 理 解 的 是 9 管 1 | 線 型 尼 模 式 之 作 桊 係 實 質 地 在 EDO DRAM 裝 置 中 實 現 〇 1 I -9 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 8 ) 1 1 同 時 9 本 發 明 提 供 產 生 — 單 一 之 I/O 致 能 信 號 於 動 態 1 1 記 憶 照 裝 置 中 K 共 用 地 致 能 / 使 失 能 該 曰 抑 片 外 之 驅 動 器 1 (0DC s)而不論該記憶體裝置係操作於EDO 或PNM 模 式 中 請 ! 先 , > 〇 更 進 —* 步 地 t 本 發 明 提 供 _. 種 列 解 碼 技 術 9 其 中 該 列 閲 解 碼 器 含 有 段 m 取 線 之 列 預 解 碼 器 • 位 於 很 接 近 下 解 背 面 之 碼 級 之 處 f 使 得 該 列 位 址 之 兩 連 續 之 位 址 位 元 提 供 於 該 注 意 事 等 預 解 碼 器 〇 較 佳 地 由 於在PNM 作 業 中 $ -- 列 位 址 之 項 再 第 一 個 之 二 最 低 有 效 位 元 之 頻 繁 變 換 f 使 得 該 列 位 址 之 填 % 本 裝 第 . 涸 之 最 低 有 效 係 提 供 至 該 段 m 取 線 之 列 解 碼 器 用 以 頁 1 I 分 段 預 解 碼 0 於 it 方 式 t 由 於 該 段 選 取 線 之 列 預 解 碼 器 1 1 1 係 很 接 近 於 其 相 對 應 之 下 —· 解 碼 级 參 較 短 的 列 預 解 碼 之 1 1 位 址 線 配 置 於 其 間 而 造 成 較 低 電 容 於 該 等 線 之 上 * 因 而 訂 > 取 得 該 動 態 記 億 體 裝 置 在 功 率 消 耗 上 之 降 低 〇 所 » 本 發 明 揭 示 了 用 藉 形 成 分 離 之 管 線 級 於 現 有 1 1 之 摞 準 動 態 記 憶 體 裝 置 中 » Η 採 用 現 有 之 控 制 信 號 ， 時 1 1 序 行 為 及 控 制 電 路 來 增 加 動 態 記 憶 體 裝 置 之 資 料 頻 寬 〇 1 1 Λ 1 於 此 方 式 • 將 理 解 的 是 $ 僅 需 要 很 少 或 並 不 需 要 額 外 電 路 來 執 行 本 發 明 之 揭 示 f 因 而 9 本 發 明 提 供 了 增 大 之 1 I CAS 頻 率 其 有 利 地 在 相 闞 於 動 態 記 憶 體 裝 置 中 產 生 一 實 1 1 質 坩 加 之 資 料 頻 寬 〇 1 1 本 發 明 之 該 等 與 其 他 @ 的 9 特 性 及 優 點 將 從 下 文 描 | 繪 之 實 施 例 的 詳 细 說 明 结 合 附 圖 而 呈更时顯 〇 1 HL 式 簡 單 說 明 1 第 1 圖 係 一 時 序 圓 9 描 繪 高 速 頁 模 式 (EDO 棋式）之作 1 1 | -10- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央樣準局員工消費合作社印聚 A7 B7 五、發明説明（9 ) 業； 第2圖係一時序圖，描繪管線型尼横式之作業； 第3圖係一時序圖，描繪CAS之下降緣處所產生之 ATD脈波； 第4圖係一時序麵，描繪CAS之下降緣處所產生之轉 移觝波； 第5園係一時序國，描繪根據本發明所產生之ATD脈 波及轉移脈波所造成之時序行為； 第6 A圈係習知列解碼器之簡化方塊圖； 第6B圖係根據本發明之提供分段解碼之一分段選取線 之列解碼器之方塊圖；K及 第6C圖係根據本發明之一代表性之分段選取線之列解 碼器之部分示意圖。 链明夕詳拥說职 本發明有鼷具有一促成平行記億艚存取逓期之管線來 增加資料頻寬之記憶體裝置。如上述，諸如在CAS潛性 期間實行於習知之PNM DRAMs之管線，需要額外之閂鎖 器及實際控制電路。然而，根據本發明，操縱現有之控 制信號，該管線係實胞K極少之硬髖或並沒有額外之硬 體，此有效地導致晶片面積之補救，因而降低了製造成 本。雖然本發明係就EDP及PN M DRAMs予W說明，但本 發明具有較為廣泛之應用，例如，本發#可利用一管線 應用於其他記憶體之建構而增進及達成高的資料頻寬。 為較佳地理解本發明，將提供使用於習知DRAMs中之 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '.裝 -55 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印袈 五、發明説明 (10 ) 1 1 位 址 轉 移 檢 測 (ATD) 脈 波 之 說 明 * 大 致 地 » 該 ATD 脈 波 1 1 1 係 在 諸 如 讀 取 或 寫 入 之 記 憶 體 存 取 期 間 產 生 來 響 應 之 1 DR AM裝 置 中 之 —«* 列 位 址 之 改 變 » 而 提 供 習 知 EDO DRAM 之 '—、 請 ·!♦ 先 1 描 搶 性 之 記 憶 體 讀 取 埋 期 來 說 明 ATD 脈 波 之 產 生 〇 閲 ^|« 1 在 初 始 化 —· 謓 取 之 存 取 週 期 之 後 9 行 位 址 放 置 於 位 址 之 1 匯 流 排 之 上 9 例 如 9 當 R AS 白 一 高 缠 輯 準 位 轉 變 至 — 低 意 本 1 I 襄 輯 準 位 時 > 則 解 碼 該 行 位 址 且 啟 動 相 SI 於 該 特 定 行 位 項 再 1 填 ,1 址 ( 即 • 頁 ) 之 諸 實 際 記 憶 體 單 元 該 行 之 啟 動 係 由 致 寫 本 装 能 相 對 應 於 所 m 取 之 頁 的 初 始 感 知 放 大 器 而 達 成 f 同 時 頁 1 | 致 能 該 等 初 级 感 知 放 大 器 會 再 新 諸 記 憶 體 單 元 所 選 取 1 I 之 行 〇 1 1 列 位 址 係 置 於 位 址 線 上 在 該 行 位 址 之 後 « 接 著 解 碼 該 訂 列 位 址 9 在 所 取 之 頁 内 與 該 所 解 碼 之 列 位 址 相 闞 之 記 億 1 | η 單 元 選 取 e 初 始 感 知 放 大 器 且 再 由 次 级 感 知 放 大 器 予 1 1 Κ 放 大 〇 1 I 位 址 之 轉 變 係 指 當 一 位 址 在 位 址 線 上 改 變 時 9 任 何 在 1 λ 1 一 RAS 轉 變 白 高 至 低 準 位 之 後 所 發 生 之 位 址 轉 變 係 一 列 位 址 轉 變 〇 無 論 何 時 檢 出 一 列 位 址 之 轉 變 時 9 則 產 生 一 1 I 位 址 轉 變 之 檢 測 (ATD) m 波 該 ATD 脈 波 啟 動 次 級 感 知 1 放 大 器 其 係 用 來 進 一 步 地 放 大 由 初 级 感 知 放 大 器 所 感 知 1 1 之 信 號 於 内 都 謓 取 / 寫 入 之 資 料 匯 滾 排 上 » 晶 片 外 之 驅 |. I 動 器 (0CD) 係 用 來 驅 動 白 該 内 部 讀 取 / 窝 入 之 資 料 匯 流 排 之 資 料 於 EQ線 上 0 1 1 自 第 1 圔 可 見 到 列 位 址 轉 變 係 發 生 在 C AS 白 高 轉 變 至 1 1 -12- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS) A4規格（210X 297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作杜印聚 A7 B7 五、發明説明（11 )
低準位。就此而言，該ATD脈波在CAS轉變自高至低準 位之前啟動次级感知放大器，因此，列位址之轉變存取 該列資料且轉移其該内部讀取/寫入之資料匯流排，自 高至低準位之C AS轉變驅動所選取之列資料之該外部DQ 線之上。 根據本發明，一管線型之列存取路徑造成較短之CAS «期時間而增加頻寬。本發明利用現有之信號而有效地 產生一管媒。 於一實施例中，管線级係藉操作ATD脈波而建立，第 3圖顯示該ATD脈波閫聯於其他信虢之時序圖。如所示 ,ATD脈波320係響應於一自非活化至活化準位之CAS 之轉變310而產生。如圖繪地，該CAS之轉變係自一高 至一低*輯準位（下降緣））。 直到在檢出該CAS之下降緣於習知DRAMs (描述以虚 線380 )上延遲ATD信號之產生為時間td之後為止才產 生ATD脈波，該延遲td有利地形成一管線级。該管線级 係從列位址轉變至CAS之下降緣，其造成ATD脈波產生 。如稍早所述，該ATD脈波藉由存取相對應於所解瑪之 列位址之一區段之頁及藉由啟動該等驅動資料於内部讃 取/寫入之資料匯流排之次级感知放大器而初始一列存 取。同時，ATDK波產生之延遲會延遲次级感知放大器 之啟動，结果，該管線级解碼一列位址3 έ〇而不會提供 相闢瞄之資料於該内部讚取/寫入之資料匯流排。 於一實施例中，抑制ATD脈波之產生直到CAS之下降 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） ；--^-------装-- ":. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 B7 五、發明説明（12 ) 緣為止，可藉使用簡單之閛控邏輯器來執行，例如，用 以檢出一列位址轉變及產生相對應於該處之ATD脈波之 習知電路可取代性地利用來檢出C AS之下降緣310 ,藉 由修飾現有之電路Μ檢出及響應取代列位址轉變之CAS 之下降緣，只需少許或並不需要額外之電路。 與所解碼之列位址350相结合之資料360並未置於内 部鱭取/寫入之資料匯流排，直到產生ATD脈波320後 為止，亦即其係在CAS之下降緣之後。從第3圖可知， 資料係在ATD過後某時間存在該内部讀取/寫入之資料 匯流排之上。根據ΡΝΜ ,此資料係在CAS之下降緣312 之後驅動於DQ線之上，然而，同時，該CAS解碼器312 造成另一 ATD脈波351產生，該ATD脈波351初始了預 充電所有内部匯流排之下一個列存取。 該等匯滾排之預充電會破壊其上之所有資料，含有在 該内部讀取/寫入之資枓匯流排上栢對應於前一列存取 之資料360 。為避免該資料在寫入外部之DQ匯流排之前 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 被破壤，該資料必須予Μ儲存。於習知之EDO DRAMs中 ，該晶片外之驅動器（0CD)包含一閂鎖器或暫存器用K 維持來自該内部纊取/寫入之資料匯流排之資料直到下 一個CAS之下降緣為止，一轉移信號（TRF)控制資料轉 移至該0CD閂鎖器之内且在預充電該內部資料匯流排之 後控制連鑛之DQ信虢之驅動。 ' 根據本發明，提供有一管線级Μ維持來自内部鱭取/ 寫入之資料匯流排之資料供晶片外之連鑛驅動用。於一 -14- 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4说格（2丨0X 297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印褽 五、發明説明 (15 ) 1 1 實 施 例 中 該 管 線 级 係 藉 操縱 TRF 信 號 而 建 構 此 管 線 1 1 级 使 相 翮 聪 於 刖 — 記 憶 暖 位址 之 資 料 能 儲 存 於 一 閂 鎖 器 1 • J 之 中 直 到 它 即 將 置 於 外 部 DQ匯 流 排 上 為 止 〇 請 1 先 第 4 圈 顧 示 —· TRF 闢 聪 於其 他 信 號 之 時 序 面 國 〇 如 圓 示 閱 i姜 • ** 地 9 該 實 施 例 含 有 一 ATD 信號 > 係 由 CAS 之 下 降 緣 所 觸 背 1¾ 1 | 之 1 發 » 如 第 3 圖 之 所 述 0 如 圖所 示 » 該 等 TRF 振 波 係 由 意 1 1 CAS 之 下 降 緣 所 觭 發 〇 事 項 1 I 再 1 1 一第— -ATD 脈 波 450 係 產 生響 應 於 —* 第 CAS 下 降 緣 填 寫 本 裝 440 9 使 相 藺 聪 於 該 第 __· 列位 址 43 1 之 資 料 460 被 置 於 頁 1 I 內 部 請 取 / 寫 入 之 資 料 匯 流排 9 資 料 460 出 現 在 該 内 都 1 1 讀 取 / 寫 入 之 資 料 m 滾 排 約於 一 第 二 C AS 下 降 緣 441 發 1 I 生 之 時 〇 C AS 之 第 二 下 降 緣分 別 地 觭 發 ATD 及 TRF 鼯 波 訂 451 及 471 9 該 ATD 脈 波 451 初 始 化 下 —. 列 位 址 之 列 存 取 〇 約 於 相 同 之 時 間 9 該 TRF 脈 波 使 資 料 460 轉 移 至 1 I 0CD 閂 鎖 器 • 防 止 其 毀 損 於當 該 内 部 讀 取 / 寫 入 之 資 料 i 1 匯 流 排 因 為 ATD 脈 波 而 預 充電 時 之 後 9 資 料 460 被 驅 1 1 動 於 DQ線 之 上 〇 •.泉 | 如 所 述 f 該 管 線 级 係 在 TRF 脈 波 471 與 前 — ATD m 波 1 I 451 之 間 9 儲 存 來 白 刖 一 列位 址 之 資 料 460 於 0CD 閂 鎖 1 1 器 之 中 9 防 止 資 料 460 在 驅動 於 DQ線 上 之 前 及 之 後 遭 受 1 1 rrfz 败 m 〇 此 種 作 業 其 根 據 ΡΗΜ在 CAS 之 第 二 下 降 揉 之 後 提 1 1 I 供 了 〇 1 根 據 本 發 明 f 在 CAS 之 緣上 觸 發 該 TRF 脈 波 可 藉 採 用 1 I 簡 單 之 閘 控 理 m 器 予 Μ 實 現， 例 如 » 習 知 之 使 用 來 m 發 1 1 -15- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX 297公惫） B7 五、發明説明（14 ) 該TRF脈波之電路可予以修飾Μ»發其在CAS之下降緣 之上，藉修飾現有之EDO電路W觸發該TRF脈波於CAS 之下降緣處，只需少許或不需額外之電路。 如先前所述，PHM指定資料之相鄰區塊係Μ —叢發予 Μ存取，習知之PNM DRAMs採用一計數器或諸計數器來 增量由C AS所選通之列位址K便選取實際相鄰之記憶體 位置，亦即，叢發多重相鄰之資料字元而不會在資料叢 發之期間提供進一步之外部列位址於DRAM。為了有效地 提供PNM之叢發功能，利用一計數器來增量第一列位址 之位址使得顒序之列位址由該DRAM處理，Μ完成該叢發。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印繁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於另一實施例中，根據第3及4圖之諸管線级係结合 Μ有效地反復ΡΝΜ之功能，第5圓顯示在記憶體存取期 間與其他信號相關之ATD及TRF信號之時序圖。如圓示 ,ATD及TRF脈波係由CAS之下降緣來觸發Μ產生該等 管線級，該記憶體存取係Μ — RAS下降緣510開始，使 一行位址531解碼，所解碼之行位址啟動一行相闞瞄之 記憶體單元，接著，一第一级之管線解碼一列位址535 。由第一 CAS下降緣521所觸發之ATD脈波541開始管 線之第二級，於該第二管線鈒之中，與列位址53 5相闞 聯之資料5 60係讀取及驅動於内部謓取/寫入之資料匯 流排之上，如圖示，該資料出現在該内部讀取/寫入之 資料匯流排約於下一 CAS下降緣522之發生時，CAS下 降緣522產生TRF脈波552 ,初始化該管線之第二级， 該管線之第二级資料儲存56 0於例如一 0CD閂鎖器之中。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印黎 五、發明説明 ( 15 ) 1 1 例 如 > 增 量 一 計 數 器 Μ 提 供 列 位 址 供 該 第 二 列 存 取 之 1 1 用 » 使 第 一 管 線 级 再 開 始 9 此 外 9 該 CAS 下 降 緣 522 觸 1 發 ATD 脈 波 542 9 初 始 化 該 叢 發 之 第 二 列 存 取 〇 該 等 資 請 .1* 先 料 匯 滾 排 會 在 第 二 列 存 取 之 结 果 時 被 預 充 電 而 破 壊 其 上 閱 小 之 所 有 資 料 然 而 9 TRF 脈 波 552 會 在 第 二 列 存 取 之 结 背 1 1 之 1 果 時 於 被 Trt 股 壊 之 前 儲 存 該 資 料 560 ， 然 而 ， 儲 存 在 0CD 1 事 1 閂 鎖 器 中 之 資 料 驅 動 於 外 部 D£ 睹 流 排 之 上 所 Μ 在 DQ匯 項 I 再 流 排 上 之 資 料 580 相 對 應 於 列 位 址 535 〇 資 料 580 有 時 填 寫 本 4 * 裝 候 會 在 第 二 CAS 下 降 緣 之 後 但在 第 三 CAS 下 降 緣 之 前 確 頁 1 I 認 9 其 係 與 PKH — 致 〇 其 後 之 計 數 器 增 量 且 ATD 及 TRF 1 1 脈 波 再 開 始 第 一 Λ 第 二 Λ 及 第 三 管 線 级 直 到 該 ΡΝΜ 之 叢 1 1 發 完 成 為 止 〇 訂 大 致 地 ， 存 在 有 延 遲 ( 例 如 > 約 1 至 2 奈 秒 ) 於 當 ATD m 波 產 生 來 造 成 一 列 存 取 時 與 當 内 部 謓 取 / 寫 人 之 1 1 資 料 匯 流 排 上 之 前 一 資 料 係 實 際 地 摧 毀 時 之 間 t 此 係 因 1 I 需 要 若 干 時 間 來 預 充 電 該 資 料 匯 流 排 至 一 足 夠 之 準 位 Μ 1 1 覆 寫 (0 v e Γ W Γ 1 t e ) 該 資 料 於 其 上 • 此 延 遲 稱 為 tW ( 資 1 I 料 毀 損 ) 〇 此 延 遲 可 有 利 地 用 來 啟 動 第 二 管 線 级 供 下 一 1 | 資 料 之 存 取 用 9 而 刖 一 存 取 仍 活 化 〇 此 事 實 可 用 來 使 1 1 D R A Μ 能 以 較 短 之 CAS 週 期 時 間 來 作 業 « 而 造 成 較 快 之 操 1 | 作 速 率 及 增 大 之 資 枓 頻 寬 〇 1 . | 於 本 發 明 之 另 一 實 胞 例 中 9 該 延 m t I)D' 係 有 利 地 使 用 1 增 進 CAS 遇 期 時 間 $ 特 別 地 該 TRF m 波 係 產 生 響 應 一 1 I 自 高 至 低 準 位 於 CAS 轉 變 加 上 — 延 遲 t p » 如第5 圓中 1 1 -17- 1 1 1 1 本纸張尺度適用t國國家橾準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標率局貝工消費合作社印衆 A7 B7 五、發明説明（I6 ) 所示，此造成相對於ATD脈波延3gtP之TRF脈波之產 生，該延遲tP係小於tDD ,於又一實施例中，該延遲 tP係小於等於約95S!之t dd ,較佳地，該延遲tP係小 於等於約9〇χ之tDD ,較佳地，tP係在約20-90S：之 tDD之間，最佳地，tP係在約50-85¾之tpD之間，極 佳的，tP係在約70-80¾之tDD之間。延遲TRF之產生 造成第二管線级1^之重叠作業。如第5圖中所示，ATD 脈波542在TRF脈波552產生之前釋放第二列存取K终 止第一列存取，就此而言，第一列與第二列存取係同時 地活化，至少直到TRF脈波552被觸發為止。一具有兩 個相同管線级重叠之管線（亦即，活化於相同時間）稱 為波管線，此方法有利地允許CAS遇期時間進一步地減 少（亦即，增加C AS頻率）而不會有額外控制電路相闞 聯之額外時序及複雜性之不利。 於PNM或叢發之EDO模式之作業Μ及在其他諸如 SDRAMs, SLDRAMs,或RAM BUS裝置之高性能記憶體之中 ，列位址之二最低有效位元ADD<0>及ADD(l)會頻K地變 換，此係由於在一初始之列位址被收到後，其後之諸列 位址係經由一計數器或諸計數器來增量地增加該列位址 而產生。於此方式中，選取連績之實際記億體位置，且 因而，存取毗鄰儲存之資料K產生所要之資料叢發。然 而，若相W聯於諸變換位元之信號線上之'電容係實際地 高時，則會造成相當大的功率消耗。 參閲第6圈，顯示一習知之列解碼器10,該列解薅器 一 1 8 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） --^---------^------ΐτ-------..A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明 ( 17 ) 1 1 10係 作 業 性 地 耦 合 於 一 全 盤 位 址 匯 流 排 40 〇 圔 示 地 該 1 1 列 位 址 解 碼 器 10係 一 四 位 元 解 碼 器 t 且 因 此 列 解 碼 器 1 20 30等 係 用 來 完 全 地 解 碼 一 整 體 之 列 位 址 » 然 而 * 大 請 先 玫 地 » 列 位 址 之 最 低 4 位 元 係 提 供 至 該 列 解 碼 器 10之 閱 ik 內 之 預 解 碼 器 14 ί ° 預 解 碼 器 14分 離 該 等 最 低 之 4 位 元 為 背 ιέ 1 I 之 1 8 條 信 號 線 ( 4 信 號 供 各 2 位 元 之 群 用 ) » 二 最 低 有 效 意 1 I 位 元 ( ADD<0> ADD< 1 > ) 係 分 離 為 預 解 碼 之 位 址 線 16 至 事 項 1 I 再 \ 22 該 等 提 供 至 下 —. 解 碼 级 之 解 碼 器 24供 進 步 解 碼 用 填 % 本 之 位 址 線 實 質 地延 m 該 列 解 碼 器 區 之 長 度 9 在 習 知 解 碼 頁 1 I 器 内 之 預 解 碼 之 位 址 線 係 相 當 長 且 因 此 具 有 高 的 電 容 t 1 1 高 電 容 線 之 頻 m 變 換 當 然 會 消 耗 功 率 〇 1 1 第 6 圖 顯 示 根 據 本 發 明 之 具 有 分 段 預 解 碼 器 之 一 解 碼 訂 器 5 〇 如 圖 示 » 解 碼 器 50之 區 段 堪 取 線 之 預 解 碼 器 52 -58 係 作 業 性 地 連 接 於 該 全 盤 位 址 匯 流 排 40 9 各 分 段 選 取 線 1 1 之 預 解 碼 器 52 - 5 8 係 配 置 Μ 該 列 位 址 之 二 最 低 有 效 位 元 1 I 9 應 理 解 的 是 任 何 數 之 相 闞 聯 於 該 列 位 址 之 位 元 可 Μ 1 1 此 方 式 分 段 以 便 降 低 功 率 消 耗 然 而 9 至 少本 發 明 .A I 提 供 二 最 低 有 效 位 元 Μ 此 方 式 預 解 碼 〇 此 係 所 欲 的 t 因 1 1 為 在 PHM 中 此 第 一 之 二 最 低 有 效 位 元 將 較 頻 繁 地 變 換 1 1 » 應 理 解 的 是 如 第 6 圖 中 所 示 » 如 比 較 於 習 知 解 碼 器 10 1 I 時 » 則 本 發 明 之 列 解 碼 器 10中 之 主 要 差 異 係 » 相 對 應 於 I - I 最 低 有 效 之 位 址 位 元 ADD<0>及 ADD<1> 之 預、 解 碼 之 列 位 元 1 線 62 -68 並 未 實 質 地 擴 增 該 解 碼 器 50之 長 度 0 反 而 9 該 1 I 等 分 段 選 取 線 之 預 解 碼 器 必 須 只 在 其 區 段 内 驅 動 預 解 碼 1 1 I -19- 1 1 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4说格（210X297公釐） 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 A7 _B7______ 五、發明説明（18 ) 之位址資訊，因此，預解碼之位元線係實質地短，而短 的線會降低電容性負荷，其將減少功率消耗。 第7C圖係較詳细地顯示該等分段解碼器之預解碼器， 如圖示地，預解碼器52-58係内部地建構來下述方式 預解碼二最低有效列位址位元ADD<0>及ADD<1>,預解碼 器52偽響應於ADD<0>-0, ADD〈l>-0之位址事件，於此情 形中，根據第6C圖中所示之理輯地建構之預解碼器52, 預解碼之列位址線62呈活化（高理輯準位）且因此啟動 下一（例如，最後）解碼级之解碼器24之四解碼器（亦 即，區段 > 。預解碼器54係響應於位址事件ADD<0> = 1, ADD<1> = 0，其作用為啟動相關聯於預解碼之列位址線64 之區段。預解碼器56及56係分別地響應於位址事件 ADD<0> = 0, ADD<1> = 1 及 ADD<0> = 1, ADD<1> = 1,其分別地 啟動分別地相闞聯於列位址線66及68之預解碼之列位址 ，接著，於下一解碼鈒中之特定區段之解碼器24之四解 碼器之一係由未分段之預解碼器60所選取，該預解碼器 60並不會在ADD<0>及ADD<〗> 内之叢發之期間變換，所K 如上述，預解碼器52-58只需在其本身之區段内驅動預 解碼之位址資訊，因此，縮短了預解碼之位址線，降低 了電容，且對應地，降低了該記憶體晶片之功率消耗。 雖所描繪之本發明實施例已參照附圖而解說於本文中 ,但應理解的是，本發明並未受限於該等'精確之實施例 ，而是種種其他改變及修飾可由精於本技藝者予K完成 而不會背離本發明之範疇。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2]0X 297公釐） --；-------裝------ΪΤ------J -*- - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（19 ) 參考符號說明 10 列解碼器 14 預解碼器 16 預解碼之位址線 18 預解碼之位址線 20 列解碼器 22 預解碼之位址線 24 解碼器 30 列解碼器 40 全盤位址匯流排 50 解碼器 52 區段堪取線解碼器（預解碼器） 54 區段選取線解碼器（預解碼器） 56 區段理[取線解碼器（預解碼器） 58 區段選取線解碼器（預解碼器） 62 預解碼之列位址線 64 預解碼之列位址線 66 預解碼之列位址線 68 預解碼之列位址線 經濟部中央標準局員工消费合作社印聚 --J-------装! (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 310 CAS下降緣 312 CAS下降緣 320 ATD脈波 350 列位址 351 ATD脈波 -21- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（2〇 ) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印¾ 360 資料 380 ATD m 波 431 第一 列 位 址 440 第一 CAS 下 降 緣 441 CAS 下 降 緣 450 第一 ATD 赈 波 451 ATD 脈 波 460 資料 470 TRF 脈 波 471 TRF 脈 波 480 資料 510 R AS 下 降 緣 521 第一 CAS 下 降 緣 522 CAS 下 降 緣 523 CAS 下 降 緣 524 CAS 下 降 緣 531 行位 址 535 列位 址 541 ATD 脈 波 543 ATD 脈 波 551 TRF m 波 552 TRF 脈 波 553 TRF 脈 波 560 資料 ^^1 - 1^1 n nn 1. ^^^1 1^1 Jn ^1J (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 五、發明説明（21 ) 565 賁 料 570 資 料 580 資 料 585 資 料 ^ .裝 ^訂I n — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本K ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -23- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）