TW400432B - Analytical apparatus - Google Patents

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TW400432B TW086117667A TW86117667A TW400432B TW 400432 B TW400432 B TW 400432B TW 086117667 A TW086117667 A TW 086117667A TW 86117667 A TW86117667 A TW 86117667A TW 400432 B TW400432 B TW 400432B
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Description

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(1 ) 技術私辞 本發明係關於一種偵測分析物之裝置,更特別地關於採 用此裝置之方法。 背景#爇
使用表面卵胞體漿遺傳因子共振(s p R)以偵測可溶小分 析物已廣為人知(凊見如"Advances in Bi〇sens〇rs_A
Research Annual Vol 1· 1991” Ed. A P F Turner, Pub. Jai
Press Ltd,London)。 簡單地說,SPR裝置一般包括一產生偏光之光源;一感 應器,其外部有金屬塗層,並可與一樣本溶液接觸,及用 以偵測自内感應器表面加以内部反射之光線裝置。 右我結合之分析物出現,光線完全以樣本溶液與感應器 之折射率(RI)的入射角特徵進行内部折射,一特定内射角 (•SPR角|)上,由.偏光之内部反射引起之消散波與金屬之 互相作用’造成所反射光線強度之降低,此降低現象可使 用光偵測器加以觀察。 消散波區内分析物對偵測器表面之結合,改變了感應器 之折射率’且這將微優到S P R角,此微擾可使用光感應器 加以觀察,並與分析物之表面濃度相關。 文獻中之S P R偵測’ 一般限於配合可溶分子尺寸分析物 使用’例如使用適當配位體特定結合消散區内之核酸與蛋 白質等之生化分子。 PCT專利申請案第w〇9,005,295號,美國專利第 5,485,277號及由?^以1丨112等人所著作且刊登於1996年 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(21〇χ 297公釐) ---------1----^---..訂------^ {讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(2 ) 1〇月 1 曰之光學通訊(Optics Communications)"第 130 卷4/06號第260-266頁之"用以決定使用SPR光譜學之薄 膜之厚度及介電常數之雙色方法"敘述了不同種類之SPr裝 置,美國專利第5,43 7,840號則敘述—裝置,其並非基於 S P R且藉由偵測折射率或共振頻率之變化而決定分析物之 含量。 然而’上述這些裝置及技術,並不適合以該處中乏可溶 及不可溶分析物精確地偵測樣本材料,尤其是,由於較受 限制I方式’其中(如)數微米直徑之大致呈球面細胞與消 散區相互作用,使用S p R僅能測出相當高之濃度(如丨〇7_ 1 〇8/毫升)’因此’為了偵測出細胞,相對於(如)蛋白質 抗原’需要有進一步之裝置,因此亦需要更高成本'時 間、及實驗,譬如細胞經常利用培養物技術,接著用特定 之偵測法加以偵測。 本發明之描示 本發明揭示了 一表面卵胞體漿遗傳因子共振裝置,用以 偵測單一顆粒分析物,該裝置包括: (a) —感應器,提供一能夠結合該分析物之金屬化表面; (b ) —光源,能夠在感應器表面上產生一消散波; (c ) 一债測器,用以偵測由結合於感應器表面上之單一顆 粒分析物所散射之光線。 孩偵測器較佳係位於該光源所發出光可射至之該感應器 表面之相反侧上。適宜的感應器為載玻片(s丨i d e s )。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公整) (讀先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(3 可能之分析物可包括了含有或由生化分子組成之顆粒或 不可溶分析物,如細菌或其他細胞、抱子、病毒或病毒粒 I等’或如蛋白質或多核甞酸等生化分子本身可能之細 菌目標包括Cryptosporidium、大腸桿菌、沙門氏菌等。 該裝置較佳係包括-第二偵測器,能夠偵測自該感應器 表面内部反射之光源的光線。 該裝置可因此配合廣泛疑似或已知含有分析物之樣本使 用,譬如水或生物樣本等環境樣本。 廣義而言,該裝置以下列方式作業:使料,第二侦測 器係以偵測自感應器表面内部反射之光強度變化,測得可 =分析物結合至感應器表面,而第_偵測器係藉由偵測該 處結5之分析物所散射或射出之光線,對於顆粒分析物缺 合至感應器表面加以偵測,本發明之裳置因而能夠敏銳地 偵測可溶及顆粒分析物’並因此提供了一更快更經濟或更 敏銳地相對本技藝中目前使用方法與裝置之替代方〆 務必強調該裝置中偵測器之不同功能,第二偵 =器之配 置必須能偵測從感應器表面加以内部 | ^人剛光線,此夹總 之強度依據當分析物(尤其是可溶分析物)結合 表 面上改變了感應器/樣本介面之折射率時,所發 效應’偵測器可為-如下例中詳述之2_D陣列僧叫器 相反地,第-嫌將偵測從分析物散射或二: 之光線(視需要可藉由螢光),其與於咸 ”、、為射出 場相互作,,這可能比起純粹用對與= SR所獲得之結果,提供了 —高出數次方量值之 -6 本紙張尺度適财關家鮮(CNS) M規格(21GX297公楚j〜 ----_____ ^^ --IT------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 顯然所使用第一偵測器之本質將決定該偵測之敏感度及敏 銳度,但較佳實施例中,結合至消散區内之單細胞可利用 第一偵測器加以偵測及分析’同時可溶分子之大量妹人咬 應可用第一偵測器加以偵測。 第一偵測器較佳為一攝影機(如一充電聯結偵測器[c c D ] 攝影機)’但任意種類適用於偵測從分析物散射或射出光線 之光偵測器皆可使用,如2 - D二極體陣列、倍光器等。 於一實施例中,第一偵測器位於與光源相同侧上,以能 夠當該處結合一分析物時’偵測反散射或射出之光線。 此處使用之"光源"代表任意之幅射光源,包括當情沉適 合時,附接至一遠幅射源之一光纖。 另一不同實施例中,第一偵測器位於與光源偵測器相反 側上,以能夠當該處結合一分析物時,偵測散射或射出之 光線。 % 兩情況其中任一者中,可能需要令第一偵測器之位置能 夠測得以一預定角度散射或射出之光線,例如常見情^
下,射至感應器表面,這將使從表面内部反射光線之干平 達到最小。 V 通常感應器組將包括一稜鏡或半圓柱,如S p R技藝中所 熟知,感應器组適可接收提供金屬化表面之可脫離=感應 器,該適用裝配方式可簡易地,以提供一般區域以安ϋ' 滑板等足感應器而加以構成,或該滑板可具有特殊形狀或 構造,以將其接收,如槽中或適當尺寸之井中。 3 該組或感應器可另外適可形成所有或部分之流通道之一 ( CNS~Ta4^ ( ζΓ〇Χ297^ ) 'I I ; 訂 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(5 ) 壁,通過該處之-液體樣本可與金屬化表面液體接觸,包 含此一流通道之裝置形成了本發明之第—型態之一實施 例。 金屬化感應器表面較佳加以適用裝配或不然則加以功炉 化,以有助於特別使生化分子結合至該處之高分子固^ 化二譬如該感應器可具有一親水性右旋糖酐表面,抗體可 接著固定化至該處,以特別結合抗原分析物,另一^式 為,可固定化-多核芬酸探針以特別結合一多核芬酸分: 如抗體等較佳僅結合至表面之斷續部,以方便偵測當分 析物結^至該處時所教射或射出之光線,當將斷續亮區二 於未有子結合至其之表面暗部加以對比時,這些部分 可能接著以第二偵測器觀视(及可能進一步加以解像)。刀 該表面可有多於-型之高分子固定化至該處,以特別結 合多於-型之抗原,如抗體之不同型可結合於已知之斷: 區域中,以方便地判別特定結合之抗原為何者。 本發明之另-實施财,該裝置包括—第二光源,告八 析物結合至該處時’可用此舉增加從感應器表面散射= 出之光線強度,雖然此實施例需要額外之组件,對於光散 射及或螢光,亦具有光源可加以最佳化之優點(如波長 對感應器表面之入射角、強度)。 可能需要將第二光源定位,以使葬忐筮 以便猎由罘一偵測器加以偵 、自該處射出之漫射光量達到最小化。 ’、 此舉之達成可藉由將第二m位,使該處射出之 A7 B7 五、發明説明(6 ) 麵濟部中失樣隼局員工消費合作.杜印製 沿相同光徑行進,但與自感應器表面加以内部 一 偵測器之第一光源為相反方向,如下列附圖所示。 /悉本技藝者可選擇使用之單一或多數光源而不帶有不 負擔,為了使強度且因此之敏感度盡量達到最大化, 孩所有或各光源可為—雷射光源或光射二極體。 本發明之第二型態中 掘 ^ ,^ 宁揭777 了一於樣本中偵測分析物之 万法’包έ將-裝置之感應器表面如上述曝露至該 邊刀析物可接著藉由第一或第二偵測器加以偵測。 譬如,藉由從感應器表面加以内部反射之 ^可制樣本中之-可溶分析物,藉由從結合至咸應器 表面分析物所散射或射出光線之㈣,可_樣本^之: :分,物’該裝置之配置方式較佳使其可同時偵測可溶 或顆粒分析物。 適可固定Κ貞測器之裝置可包含—夾或钳,定位接收 及或其尺寸得以接收如一攝影機及相關光學器材,使立可 偵測從感應器表面散射或射出之光線,該夾或鉗可以1預 ^万式移動,以當位於適當位置時,便利第二偵測器之功 月匕,以如使其得以對焦。 該裝置較佳適可固定第一偵測器,使其得以债測以預定 角度如大致垂直一射出至感應器表面之光線。 孩裝置之第二偵測器亦可適用以譬如接收第二光源,該 ,用万式使第二光源於適當位置時,將其設定為藉由自立 ,而'第二偵測器之干涉達到最小化,如上述。 罘五型態為—設有金屬化I面並適用於上述裝置之感應 請 先 閲 % 背 面 之 注 意 事 項 再 会 裝 訂 線 9 >><297 公釐) A7 B7 五、發明説明(7 ) 器,並特別使光線得以傳送至第—偵測器, 尔1貝剩器,如上述,該感 應器可包含-載玻片,且該表面可於斷續段中加以功能 化。 附圖 圖1顯示將於範例1中詳述、用以偵測—可溶或顆粒分析 物之表面卵胞體漿遗傳因子共振裝置之一示意圖。、刀 圖2顯示範例1中完整儀器之一方塊圖。 圖3顯示可如何使用該裝置以偵測多重分析物,圖與 3 (b)以示意方式顯示光源、半圓柱(加上偵測表面)、及 C C D陣列偵測器,圖3 ( c )顯示C C D陣列之細部。 圖4顯示將光線自半圓柱感應器之金屬化偵測表面散射之 結合粒子,該光線可由一攝影機(未圖示)加以偵測。 圖5顯示來自於銀表面上之細菌粒子之散射;光點表示來 自Erwinia herbicola之散射光線。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 、-=5 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 元件符號說明 10 C C D攝影機 28 可見雷射二極體 12 聚進透鏡 3 0 C C D陣列 14 半圓柱 32 攝影機 16 聚進透鏡 34 監視器 18 視準透鏡 3 6 樣本 20 光束分相器 3 8 光源 22 偏光透鏡 4 0 聚焦透鏡 24 光源 42 半圓柱 26 參考偵測器 4 4 視準透鏡 -10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 五、發明説明(8 經濟部中央標隼局員工消費合作社印裝 46 C CD陣列 48 多重偵測點 50 偵測表面 5 2 光源 54 偵測器 範例 葱用以偵測一可^析物夕 搜子共振跫冒 圖1顯示用以偵測一可溶或顆乒八4 义稍釦为析物足表面卵胞體漿遺 傳因子共振裝置之一示意圖,可由熟悉本技藝者加以建造 (根據本揭示),圖2顯示該裝置之組件之—方塊圖。 若需要時可重新配置此系統,譬如若需要時,可將偏光 透鏡配置於半圓柱之後方。 現印考量圖1,到第一偵測器之光徑(,c C D,)從左方上之 光源通過光束分相器(其將一部分分相至該參考偵測器), 通過一偏光透鏡及聚焦透鏡,離開半圓柱之内表面,通過 视準透鏡並進入c C D陣列。 该光技以示意方式顯示於圖3 (a)中,可使用一延伸视準 源以在入射角範圍上連續照亮半圓柱表面,如圖3 (b)所 示’該C C D陣列由個別光源感應器之一格點化陣列组成, 如圖3 ( c )所示,各偵測一不同反射角或用以偵測一不同樣 本分析物(此情況中為4不同樣本),這使其得以快速監视而 不必移動元件。 現請考量圖1,到第二偵測器之光徑(· C C D ’攝影機)從左 56 58 60 62 64 C C D陣列 樣本區域 抗體 金屬表面 光線散射 _面卵胞體荦播 抽衣----.---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐〉 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 f上之光源通過光束分相器(其將一部分分相至該參考偵測 器),通過一偏光透鏡及聚焦透鏡,並到達半圓柱上。 此實施例中,藉由來自右侧可見雷射二極體之光線增補 強度,其行進離開c c D陣列並通過右侧視準透鏡到達半圓 柱上,半圓柱上金屬化表面上產生之消散場造成該處結合 之顆粒如圖4所示般散射光線,所散射光線透過—透鏡聚 焦並由該c C D攝影機加以偵測。 當然粒子若使用熟悉本技藝者所知之試劑(如螢光黃)及 方向,以螢光方式加以標示,則當消散場激發粒子時,該 C C D攝影機可偵測所射出之光線。 建造根據範例1之裝置可依照既有SPR機器,但同時設有 上述之額外组件,其中機器及舨件可為目前市售之項目, 譬如光源可有利地為如光纖通訊中所用之緣射L E D (如 EG&G類型S86018),可使用一穩定化電源供應器以盡量 減少人工製品。 感應器可為金屬塗層顯微鏡滑板(或相似厚度介電),其 以相似折射率之流體分度配合到半圓柱上,可磨去一部分 半圓柱以容納滑板。 该C C D陣列(具有約2 0平方微米之,格點,)可為一發展用 表攝W機之類型’藉由將一樣本區域列傳到一讀取計或列 記錄器達成自CCD之讀取,可使用相關雙抽樣(CDS)以消 除雜訊,類比輸出可藉由ADC通到一數位訊號處理器,適 嘉之處理器為一類比裝置ADSP-2105,這樣可透過一雙向 性平行埠與一外部個人電腦主機溝通。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2I0X297公釐) I n n tn n tn n I n I n I d n i— T n I— n I n II U3 ·-卩 备 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _____ B7 i、發明説明i 1〇) ' ~~~ CCD攝影機可為一傳統市售如(曰本)Hamamatsu銷隹 者。 範_例2 :表面卻胞體f i青傳固共振奘g乏祛m 士1 使用時,為了修正沿视準光束之源強度的差異,實驗前 可進行一校準,感應器表面接著曝露至單一或多數樣本,* 主機透過使用反射率相對角度掃瞄加以選擇監视角,接著 對一設定時間長度獲取資料’並由個人電腦主機加以= 示。 範例3 :使用第二俏測器偵測顆耘公畔物 為了顯示光線散射技術,—玻璃顯微鏡載玻片塗有銀, 以達到最佳表面卵胞體漿遣傳因子共振(4 8毫微米),接著 該滑板安裝至一玻璃半圓柱棱鏡上,並以3毫瓦氦_氖雷射 照射,該滑板覆蓋一層於磷酸鹽緩衝鹽溶液中之1 χ 1 〇 6/ 毫升濃度細菌(Erwinia herbicola)之薄膜。 接著細菌得以吸進銀顯微鏡滑板之表面上,S p R表面上 方來自CCD陣列之輸出為一具有256階亮度之正常攝影機 輸出’銀表面上方之觀察顯示了開始時,C C D攝影機上之 所有格點出現一低讀數(1-2〇),且該表面顯得黑暗,當細 菌迫近表面時’特別與表面上帶有細菌區域校準之格點之 cTc度增加’由表面上細菌所散射光線加以記錄之最大亮度 值為2 3 0表面之外觀為一具有與表面上細菌相關之亮點 其一暗背景(請見圖5 )。 作為控制之用,使用一層不具有細菌之磷酸鹽緩衝鹽之 薄膜’以覆蓋相似顯微鏡滑板之銀表面,此時,未觀察到 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(21〇x 297公釐) 奸衣------1T------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明(11) 來自表面之散射。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ !訂 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

  1. 4004S2 A8 B8 C8 D8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 夂、申請專利範圍 h —種表面卵胞體漿遗傳因子共振裝置,用以偵測—單一 顆粒分析物,該裝置包含:(a)—感應器,用以提供一能 夠結合該分析物之金屬化表面;(b)一光源,能夠在感應 器表面上產生一消散波;(c) 一偵測器,用以偵測由結合 於m感應器表面之單一顆粒分析物所散射之光線。 2. 如申請專利範園第1項之裝置,其中該偵測器係位於該 光源所發出光可射至之該感應器表面之相反侧上。 3. 如申請專利範圍第丨項之裝置,其中該感應器包括光學 聚焦裝置。 4·如申請專利範園1或2項之裝置,包括一第二偵測器,能 夠债測自該金屬化表面内部反射之光源的光線。 5. 如申請專利範圍第i或2項之裝置,其中該偵測器為一攝 影機。 6. 如申请專利範園第丨或2項之裝置,其中該偵測器係定位 以使其能偵測散射或以一預定角度射至感應器表面之光 線。 7_申請專利範園第丨項之裝置,其進一步特徵為其包含一 第二光源,用以增加自結合至感應器表面分析物所散射 或射出之光線強度。 8. 如申請專利範圍第丨項之裝置,其中該第二光源係定位 以使自該處傳送之光線沿相同光徑行進,但與來自第— 光源從感應器表面内部反射至第一偵測器之光線反向。 9. 如申請專利範圍第7或8項之裝置,其中該第二光源將不 同波長之光線傳送至第一光源。 ---------^-------1T------.ii (#先閱讀背面之注意事矽再填寫本頁)
    400432 AS B8 C8 D8 7、申請專利範圍 ίο.種偵測單一顆粒分析物之方法,包含: (a)將該分析物結合至一感應器,該感應器包含一能夠 結合該分析物之金屬化表面; (b )提供一能夠在感應器表面上產生一消散波之光源; (c)偵測由該分析物散射或射出之光線,該偵測係於光 射入之感應器表面之相反侧上進行。 11.如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中該分析物係自下列 中選擇.一原核的(prokaryotic)細胞;一真核. (eukaryotic)細胞;一病毒或病毒粒子蛋白質;核酸。 (請先閲讀背面之注意事項真填寫本貫) -----装· ·"·* 線. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐)
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