TW396497B - Procedure for the manufacture of capacitor in a solid state arrangement - Google Patents

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A7 I 修 __Β7_i 姻.， _ 五、發明説明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化學一機械抛光或平面蝕刻，使其表面平面化。在隔離 層22中開有接點孔23,其接到基材21中的選擇電晶體之 --之源/洩區，且填有如鎢、鉅、钛或氮化鈦之導電材 料。 在隔離層22上加上由交錯且厚度為20nra之摻P+及{>~ 多晶矽層2 4 i及2 4 2 ,這些交錯層可用C V D方法在當場 長成。摻P+層24 i之一在隔離層22之表面上，而序列 層24之最上層亦由摻p+層24i之一所組成。 在序列層24中可用如CF<及SF6等非等向蝕刻法蝕出 層狀結構24’，在24’之外，隔離層之表面來覆蓋（見第 8圖）〇 再用當場之摻雜CVD沈積形成另一摻雜之多晶矽層25 ，其厚度為30-50ηιη且基本上為整合邊緣覆蓋（見第9圔）。 由如CF4及SP6之非等向性回蝕，在摻P+多晶矽層25 ’ 中可形成支架25’，其覆蓋層狀結構24’之側面（見第10 圖），且其形成時，隔離層22表面在支架25'及層狀結構 2 4 '之外並無覆蓋。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由罩幕配合如及SF6之非等向蝕刻，層狀結構可 形成兩個部份，且中間由一間隙分開，在間隙處，隔離 層22之表面未覆蓋。在間隔方向，這兩部份各有一側， 摻P-及p+多晶矽24_2及24i之表面並未覆蓋。 利用對於摻p +多晶矽及S i 0 2選擇性蝕刻，則可去除 摻P酧多晶矽之殘餘部份。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 五、發明説明（1 A7 B7 許多積體電路需要電容器，如動態記億體單元，類比 至數位，數位至類比轉換器及濾波器。用固態技術製造 電容器時，當積體化増说，晶片區域下降，隨之而來之 問題是如何製造有同樣電容值但體積較小之電容器。 在動態記億體元件中，由於積體化增加，單電晶體記 憶體之所 卩域下降，此問題更嚴重。同時，尚要維持 記億體， 舞之最小電容值。 在、單電晶體記億體中，包含 電

讀出-電晶體及一 在電容器中，用電荷形式儲存1之資料。 由一字線驅動讀取電晶體並由一位元線即可讀取資訊. 。電容一最小之電容值以便使資料讀出。至今，

經濟部中央標準局員工消費合作社印製 電容之下 在1 M b i t階謅取電晶體及電容器是平面元件。 在4Mb it階段，即V'已利用讀取電晶體及電容器之立體架 構降低記億體面積。一種方式是用槽（trench)來製作電 容器（見 K . Y a m a d a 等人在 P r 〇 c . I n t e r n . E 1 e c t r 〇 i n c s Devices and Material IEDM85,第 702 頁之文章）。在此 例中，記億體電容器之電極僳沿槽表面設置，這樣即可 增加電容器之有效表面積（與槽之剖面相較）。 另一方式是用多層之電容器，也就是”堆壘電容器”。 在字文線之上形成一由多晶矽之結構，例如多電路結構 或是一圓柱，該結構與基材連結。此多晶矽材料形成記 •億體節點，其具有一電容器介電質及板Η。此結構之優 點為與邏輯程序有高相容性。基材表面上之空間可作為 -3 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 ___ B7_:__ 五、發明説明（2 ) ' 記憶體電容。只要多晶矽俗在相鄰記億體單元中弧立， 即可用多晶矽蓋滿單元表面。 在EP0415530B1中公佈有堆叠電容器作為記億體電容 之一記億體簞元。此堆昼電容器由多數多晶矽層面組成 ，其互相上下平行且由側向支架連接。比多晶矽層類似 冷卻管之配置，配合在基材長面突起之多晶矽結構，即 可加大多晶矽結構面積。 此多晶矽結構由多晶矽層及Si02層交錯而成，這些 層可在基材之上選擇性蝕刻，以在層狀結構之至少一側 上形成側罩（多晶矽分隔）及選擇性蝕去Si02層。多晶 矽層接箸再摻砷。再用熱氣化形成作為電容器介電質之 二氧化矽，再於其上沈積有摻雜之多晶矽平板。 本發明之目的為提供一固態電容器之製程，尤其是DRAM 之製程，與現今方法相比，可増加積體密度並降低成本。 由本發明專利範圍第1項之程序即可達成上述目的。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 其它之實施例則説明於其它專利範圍（claim)中。在本 發明之製程中，在基材上形成一列層，包含交叠之第一 及第二材料。第一材料可導電。第二材料可用第一材料 來蝕刻。此結構可使至少一層直達基材形成處之側面。 有一可至少覆蓋層狀結構側面之導電支架（S u p p 〇 r t structure)形成。接著，在層狀結構中形成至少一開.口 ,在此處，由第一及第二材料所製成之層表面未覆蓋。 接箸用第一材料層及支架選擇性蝕去第二材料層。 第一材料及支架層之未覆蓋層設有一電容器介電質， -4 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（3 ) 在其表面上可形成一値反電極。 第二材料層蝕去後，支架設設在層狀結構之至少三面 上。此增加機械穩定度，在蝕去第二材料時，不致使餐 一材料連在一起。由於機械穩定增加，因此第一材料層 .之厚度不受其機械強度影氆。第一材料層厚度可為20至 5 On m。同時在不影響電容值下可降低電容器整體高度。 第一材料及支架材料最好為摻雜濃度大於20 cm 3之 摻p +矽，第二材料層則為濃度小於1 0 13 c m ?之摻p —矽 。袭P—矽可用摻P+砂來選擇性蝕刻之說明可於H . S e i d e 1 等人在 J, F 1 〇 h p m . . Vo」__1 37 (199-0X36 2¾ 之 文章。在摻硼大於ΙΟ20 1 〇 13 cm 3 ^ 蝕刻 率之比為1免0 0。 摻p_及P+矽可在同一反應器中沈積。因此只要切換 製程參數而不需切換糸統。 用摻雜矽所作之支架可用摻雜矽之選擇磊晶成長或是 ° 用當場（in situ)摻雑沈積及非等向回蝕摻雜多晶矽而 形成。這些製程可在低於800Ό之下進行，以防止摻P + 及P —之矽互相擴散。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在兩例中，支架傜在層狀結構之側面界定表面上形成 。使第二材料層可在第一材料層間均勻蝕刻。這可防止 在有些第二材料尚未蝕去時，有些支架即己作用而使第 一材料層塌落。在層狀結構中形成開口時，層狀結構及 支撑結構最好分成兩部份，由蝕至基材表面之間隙隔開 。可利用最小結構尺寸F來形成結構尺寸及距離，使密 -5 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（) 度提高。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在製程作為DRAM電容器之電容器時，最好是用一堆疊 電容器。此時，基材為一固態基材，其有一選擇電晶體 .位元線，字元線及隔離層，其上施加有序列層。隔離 層最好為平面器，使序列層在平面上形成。 下面將配合附圔及說明性實施例說明本發明。 圖式簡單說明如下： 第1圔是有第一及第二材料層交錯之基底。。 1 第2圖是有層狀結構之一基材。 第3圖是在形成覆蓋層狀結„構徽篮之支架後之基材。 . 一， .~~*—— -— — 第4圖是選擇性蝕1寧二材料後露出開口之一基材p 第5圖是形成電容器介電質—及一値i電極後之碁履。 第6圔是第5圖中沿基材V I-V I之部份。 第？圖是有第一及第二材料層交錯之序列層之基材。 第8圖是由序列層形成層狀結構之基材。 第9圔是弃層狀結構上沈積一個層之基材。 秦1iim向性回蝕以形成支撑結構之基材。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第11圖是選擇性蝕去茺二材料後#出開口之基材。 第121晕1成電容器介電質及反一電極後之基材。 f ............... '’:’ \第13圔是交疊形成之層狀結構。 第14圖是網成_之層_1結構。 --------------------— · . '在基材1上加上一隔離層2。基材1是一固態基材， 特別是一有選擇電晶體（有字元及位元線）之單晶矽圓。 -6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉Α4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 隔離層例如用S i 0 2形成，並用平面化方法平面化（見第 1圖）。在隔離層2中開有接點孔.13,其中填入導電材 料，如摻雜之多晶矽、_、鉅、鈦、氮化鈦物及矽化鎢 。接點孔3接到基材1中之選擇電晶體之一的源/洩區。 在隔離層2表面上加上一列層4 ,此列層有交錯之摻 P+及P-多晶矽層h及42 。其中摻P+層之摻雜濃 度例如為5X10 cm3 。摻層4z之濃度例如為10 cm3 。這兩層可用如CVD技術長成20ππι之厚度。 其在序列層中最上層者為慘P—酧多晶矽層4 2 。 接著再用罩幕經由非等向蝕刻以由序列層4形成層狀 結構4’。隔離層2表面在層狀結構間無覆蓋（見第2圔） 。非等向蝕刻例如可用CF*及SF8 。 接著用矽之選擇性磊晶來形成支架（見第3圖）。選擇 性磊晶可用SiCl2 H2 、HC1、Η2 、Β2 Ηβ為反應氣體 ，並在700至750¾之溫度下進行。此溫度可防止摻ρ~ 及Ρ+之多晶矽互擴散。在選擇性磊晶中，支架5在支 架4’以摻ρ+當場成長。但在隔離層2表面無矽之磊晶 成長。支架5會整個蓋住層狀結構之側面及表面。 接著，層狀結構4’用支架5覆蓋以形成結構，此種 支架結構5是由許多步驟製成，首先，在此種具有層結構 21之結構上藉由原處（in situ)摻雜之CVD沈積方法而 沈積一種P+ -摻雜之多晶矽層25。此種多晶矽層25具有 一種基本上是保形（conform)之邊緣覆蓋區，即，P + 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫t頁) 終| 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -摻雜之多晶矽層之配罝在層結構之垂直邊緣上之此部 份之厚度基本上是等於P+ -摻雜之多晶矽層之在水平邊 緣上之此部份之厚度。在非等向性（anisotropic)蝕刻 時P+ -摻雜之多晶矽層之水平部份會受到蝕刻，但層結 構之垂直邊緣上之部份則不會受到蝕刻。以此種方式， 則在去除上述多晶矽層之水平部份之後會在層結構之邊 緣上殘留一些P+ -摻雜之多晶矽層。此種蝕刻後之殘留 物稱為間隔層（spacer),其在本發明之方法中用作支架 結構25 ’。此種間隔層是P+ -摻雜的，此種摻雜是藉由 原處（in situ)摻雜之沈積方式而達成。然後使用一種 徽影術所産生之遮罩藉由一個開口而産生一種間隙， P--摻雜之多晶矽層和P+ -摻雜之多晶矽層則裸露於此 間隙中。上述之各層經由支架結構而在側面互相連接。 使用光蝕技術，及CF4與SF6之非等向蝕刻，可以形成 兩個部份。兩部份由一間隙分開。在間隙區，各有一部 份之側面上摻P-及P+之多晶矽“及42未覆蓋。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 接箸再用對摻P+多晶矽及S 1 0 2選擇性蝕刻，去除摻 p~多晶矽之殘餘部份。選擇性蝕刻液例如為有乙二胺 、鄰苯二酚、吡嗪及水之鹼金屬溶液。 蝕刻溶液之濃度在下列區域較佳：1公升乙二胺、160 公克鄰苯二酚、6公克毗ci、及133公克之水。此外加 入10至5 0重量百分比之K0H。此溶液對於p+及p-多晶矽 有1 : 500之蝕刻比例。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 未受蝕刻影響之摻P+層及支架5可以機械及電性 連接。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在摻P+層及支架5上設立一電容器介電質6，其 由Si〇2 、Si3 fU 、Si〇2之三層結構所形成（等效氧厚 度4nra)。此三層結構之形成過程請參閲“71^1-Technology” by S.M. Sze,第 6章。 由當場沈積摻P+多晶矽，可形成反電極7 (見第5圔 及第6圔）。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在第6圖之基材1剖面顯示選擇電晶體。摻P+層4i及 支架5形成用於一記憶體電容器之記億體節點，由下面 之接點3連至一選擇電晶體之源/洩區8。另一源/洩 區9由連接區10而連至相鄰選擇電晶體之一源/洩區9 。連接區10由一埋入位元線11連至一埋入位元線12。埋 入位元線12及位元線接點11由隔離層2包圍。在選擇電 晶體之源/洩區δ及9之間為一通道區1 3、一閘電極（未 圖示）及作為一字元線14之閘電極。字元線14及位元線 接點11由摻雜之多晶矽形成。位元線1 2由摻雜之多晶矽 ，砂化鎢或鎢形成。在源/洩區8遠離位元線1 2之那一 面上為一隔離結構，如填有隔離材料之線槽15,以分離 相鄰選擇電晶體對。 2 電 層擇 離選 隔之 一 數 上多 加含 上包！>0 21其如 材 ，用 基圓可 在晶層 ，矽離 中晶隔 例單 0 施一 線 實含元 性包位 明如及 說例元 二 2 字 第材 、 在基體 〇 晶 用 且 成 形 ¾ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） A7 I 修 __Β7_i 姻.， _ 五、發明説明（） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 化學一機械抛光或平面蝕刻，使其表面平面化。在隔離 層22中開有接點孔23,其接到基材21中的選擇電晶體之 --之源/洩區，且填有如鎢、鉅、钛或氮化鈦之導電材 料。 在隔離層22上加上由交錯且厚度為20nra之摻P+及{>~ 多晶矽層2 4 i及2 4 2 ,這些交錯層可用C V D方法在當場 長成。摻P+層24 i之一在隔離層22之表面上，而序列 層24之最上層亦由摻p+層24i之一所組成。 在序列層24中可用如CF<及SF6等非等向蝕刻法蝕出 層狀結構24’，在24’之外，隔離層之表面來覆蓋（見第 8圖）〇 再用當場之摻雜CVD沈積形成另一摻雜之多晶矽層25 ，其厚度為30-50ηιη且基本上為整合邊緣覆蓋（見第9圔）。 由如CF4及SP6之非等向性回蝕，在摻P+多晶矽層25 ’ 中可形成支架25’，其覆蓋層狀結構24’之側面（見第10 圖），且其形成時，隔離層22表面在支架25'及層狀結構 2 4 '之外並無覆蓋。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由罩幕配合如及SF6之非等向蝕刻，層狀結構可 形成兩個部份，且中間由一間隙分開，在間隙處，隔離 層22之表面未覆蓋。在間隔方向，這兩部份各有一側， 摻P-及p+多晶矽24_2及24i之表面並未覆蓋。 利用對於摻p +多晶矽及S i 0 2選擇性蝕刻，則可去除 摻P酧多晶矽之殘餘部份。 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 -----__________ 五、發明説明（） 此選擇性蝕刻例如可於一種含有乙二胺、鄰苯二酚、 吡哄及水之鹼金屬蝕刻溶液中進行。此溶液之濃度在 下列區域內較佳：1公升乙二胺、160公克鄰苯二酚、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 6公克吡畊、及133毫升之水；此外，含有10至50 重量百分比之KOH溶液亦可用作蝕刻溶液；此蝕刻 具有對於P +及P_多晶矽爲至少1:500之選擇性。因 此，在此蝕刻中，摻P'多晶矽層之殘餘部份和 支架25’皆不受影響（見第11圖）。未受蝕刻影響之摻 P +層2、以機械式及電位連接至對應的支架25'。 支架25’及摻P+多晶矽層24i .之上設立一電容器介電 質2 6,其為等效氧厚度4ηιη之Si〇2 、Si3 fU 、Si〇2 ( 以ΟΝΟ)為人所知之層結構。由沈積導電層，如摻p綫多 晶矽，可形成反電阻2 7。相鄰之摻p+多晶矽即由反電 極填補（見第12圖）。摻p+多晶矽與支架25’形成一記億 髖節點。在第12圖中之選擇電晶體與垂直於突起之記億 體電容器剖面相對應於第6圔之配置。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第13圔為依本發明製程製造之記億體電容之DRAM佈局 ,其中字元線及位元線BL彼此垂直。記億體電容器SP以 灰方塊表示。選擇電晶體對AT之位置由粗包絡線代表。 在製造時，兩個記憶體電容器由層狀結構4’或是24’形 成。在第13圖中，虛線7代表罩幕間隔，其將層狀結構 4'或24’分成對於記億體電容器SP之部份。在此佈局中 ,層狀結構4 '或24 '配置成行，相鄰行互相交錯配置在 其相鄰層结構4’，24’的中點之間的一半距離處。 -11- 本紙張;I度適用中國國家標準（CNS ) A4ft格（210X2.97公釐） A 7 B7 五、發明説明（） 為增加堆積密度，使層狀結構為邊長3 F之正方形剖面 為有利的，P是現今所論技術之可能的最小結構尺寸。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 相類層狀結構之距離為F。字元線WL及位元線BL寬度及 距離亦為F 。在此例子，一記億體單元之空間為8F2 。 為了達成最小電容值25fF, DRAM之結構尺寸為0.18 wm ，其為1Gb i t階级之設計，及12個摻p+多晶矽層4或24i 。如摻P+多晶矽層或24i及摻p~多晶矽層42或242 厚度為20nm,堆疊高度為0.4wm。 第14圖另一使用本發明製造之記億體電容器之DRAM佈 局，除了字元線WL、位元線BL、位元線BL、記憶體電容 器SP及選擇電晶體Η外，尚示出分隔間隙T。與前圖不 同者為層狀結構4 ’及24 '(被分開以形成用於記億體電容 器S Ρ之部份）僳以網格方式形成。相鄰行因此並未彼此 交錯配置，相鄰間隙Τ之距離為13圖者之兩倍。第13圖 之優點為有較寬之光蝕刻限制，但分離罩幕結構較細。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在分隔罩之分離間隙Τ最好用一 CARL漆所形成。使用 此漆，再加上二次化學處理，可使結構尺寸變化，分離 間隙T因此可小於所論技術之可能的最小尺寸F。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 主要 元件符 號 表 1 基 材 2 隔 離 層 3 接 點 孔 4 列 層 4 ! P + 摻雜之多晶 4 2 p- '摻雜之多晶 4 ' 層 狀 結 構 5 支 架 6 電 容 器 介電質 7 反 電 極 8 源 / 洩 區 9 源 / 洩 區 10 連 接 區 11 位 元 線 接點 12 埋 入 位 元線 13 通 道 區 14 字 元 線 15 淺 溝 渠 21 基 材 22 隔 離 層 23 接 點 孔 24 序 列 層 -13 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

1T 本紙張又度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 24ι P + 摻雜之多晶 24b P' 摻雜之多晶 24 ' 層 狀 結構 25 P + 摻雜之多晶 25 ' 支 架 26 電 容 器介電質 27 反 電 極 WL 字 元 線 BL 位 元 線 T 分 隔 間隙 SP 記 億 體電容器 AT 電 晶 體 14 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .©Ί.. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第85114013號「固態配置中電容器之製造方法」專利案 (89年2月修正） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 六、申請專利範圍： .1. 一種固態配置中電容器之製造方法甚..特....徵爲： -形成一序.列層（4) 包...含......由...第.一材料（4.1.)及第二材（42.) 所製成之交錯層、L-其〜中.第一並料爲導電性且可使第 二材.麗農選擇.....性蝕避.’ -序列層在形成結構後；生成有側面之少一、層狀結 構（4’) _; -形.成—由—導-霞J且―威之^支....架.(5—)—丄_該—支架..至夕覆蓋有側面 之至少一邏層狀結„盞.(4·); -在層狀結構至少..形....成一開口，其中.也.第一及—第.二..材 ...料_.嚴作成之層(4r_,42)表面開口未霉..里； -二第二材料層1〇4_2 )可依據第一.材料.層（h)及支架（5)來 選擇性去除； ..... -由第一材料（41)及支_m).製-成…的層..之未覆..蓋表—面設 ，有二r.電.....容..器，介電質..(..彡）； -在電容器介電質（6)表面上形成一閘電極(7)」_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -第一材料（h)及支架（5)之製成的層之摻雜濃度爲大 於102〇 cnT3之摻p +多晶矽，而第二材料則辱小於 1019cm_3之摻，多晶矽； -此選擇性蝕刻例如可於一種含有乙二胺、鄰苯二酌·_、 吡畊及水之鹼金屬蝕刻溶液中進行，此溶液之濃度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠）

   A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第85114013號「固態配置中電容器之製造方法」專利案 (89年2月修正） (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} 六、申請專利範圍： .1. 一種固態配置中電容器之製造方法甚..特....徵爲： -形成一序.列層（4) 包...含......由...第.一材料（4.1.)及第二材（42.) 所製成之交錯層、L-其〜中.第一並料爲導電性且可使第 二材.麗農選擇.....性蝕避.’ -序列層在形成結構後；生成有側面之少一、層狀結 構（4’) _; -形.成—由—導-霞J且―威之^支....架.(5—)—丄_該—支架..至夕覆蓋有側面 之至少一邏層狀結„盞.(4·); -在層狀結構至少..形....成一開口，其中.也.第一及—第.二..材 ...料_.嚴作成之層(4r_,42)表面開口未霉..里； -二第二材料層1〇4_2 )可依據第一.材料.層（h)及支架（5)來 選擇性去除； ..... -由第一材料（41)及支_m).製-成…的層..之未覆..蓋表—面設 ，有二r.電.....容..器，介電質..(..彡）； -在電容器介電質（6)表面上形成一閘電極(7)」_ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -第一材料（h)及支架（5)之製成的層之摻雜濃度爲大 於102〇 cnT3之摻p +多晶矽，而第二材料則辱小於 1019cm_3之摻，多晶矽； -此選擇性蝕刻例如可於一種含有乙二胺、鄰苯二酌·_、 吡畊及水之鹼金屬蝕刻溶液中進行，此溶液之濃度 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠） A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 在下列區域色較隹一升乙二胺、16〇公克鄰苯二 ’酣、6公克>壯哄Ί及一-1备3-..毫升之水；此外，含有1 〇 -至5()重量百分比之1^0丑.—溶液亦可甩作蝕刻溶液； 此'蝕刻具有對於p +及ρ·多晶矽爲至.，少1:5〇〇之選擇 性。

   積形 么如申請專利範圍第1項之方法，其中 -第一玉第料層乂 4 i)及（4 2)係由當多 成； -支架係由摻雜虼之選擇嘉晶成一長撤 3..如申請專利範圍第2項之方法，其 B2H6並在 (#先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 選擇磊晶成長辞利a^& i..CX2 Η 2 ' H c 1 ' lif 700 °C至750 °C之溫度範圍進行。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中 -第一及第二材料層（24D及（2 42)由多晶矽當場沈積而 形成； -支架（2 5’）係由當場沈積及一摻雜多晶矽層（25)回蝕而 形成。 5. 如申請專利範圍第1 „至...4項中任一項之方法，其中 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在層狀結構（4')內之開口，可將層狀結構分割，將支 9:". .... 架（5)分成間隙隔開之二部份。 6. 如申請專利範圍第1至4里中任一項之方法，其中 基材（1)包含一固態基材，其在序_列層（4)表面上見有 選擇電晶體（AT)、位元線（BL)、字元線（WL)及一隔離 層（2)。 -2- 本紙張Λ度適用中國國家標準（CNS ) A4^格（210X297公釐） 申請專利範圍 7.如申請專利範圍第5項之方法，其中 基材（1)包含一固態基材厂其在序—列-層（4)表面上見有 選擇電晶體4AT)、位元線（BL)、字元線（WL)及一隔* 離層（2)。 請 先 閱 讀 背 1¾ 之 注 意 事 項 再 1(1f 頁

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