JP2013247138A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細化に伴い、ガードリングレスのセルマット領域端部では、クラウン形状のキャパシタ下部電極が、下部電極を梁状に支える支持体の応力により変形し、デバイスの特性や信頼性が低下する。
【解決手段】基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜7と、複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜5と、支持膜5に接触して配置された膜であって、第1の導電膜7にもたらす応力が支持膜5とは逆方向である応力作用膜6と、第1の導電膜7の内外壁を覆う誘電膜11と、誘電膜11を覆う第2の導電膜12とを有することを特徴とする。
【選択図】図3
【解決手段】基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜7と、複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜5と、支持膜5に接触して配置された膜であって、第1の導電膜7にもたらす応力が支持膜5とは逆方向である応力作用膜6と、第1の導電膜7の内外壁を覆う誘電膜11と、誘電膜11を覆う第2の導電膜12とを有することを特徴とする。
【選択図】図3
Description
本発明は、DRAM(Dynamic Random Access Memory)等のキャパシタを備えた半導体装置に関し、詳しくはクラウン型キャパシタの下部電極を支持する支持体構造に関する。
半導体装置の微細化の進展に伴い、DRAM(Dynamic Random Access Memory)素子を構成するメモリセルの面積も縮小している。メモリセルを構成するキャパシタにおいて十分な静電容量を確保するために、キャパシタを立体形状に形成することが一般に行われている。具体的にはキャパシタの下部電極をシリンダー型(円筒型)またはピラー型(柱型)として、下部電極の側壁をキャパシタとして利用することで表面積を拡大することが可能となる。メモリセルの面積縮小に伴い、キャパシタの下部電極の底部の面積も縮小しており、キャパシタの下部電極の側壁を露出させる製造工程において、下部電極が倒れて隣接する下部電極と短絡する現象(倒壊)が起き易くなっている。この電極の倒壊を防止するために、下部電極間に支えとなる支持体を配置する技術が提案されている。
例えば、特許文献1には、クラウン型のシリンダー構造を下部電極とするキャパシタにおいて、シリンダー倒れを防止するために支持体(サポート膜)が用いられている。サポート膜は、シリンダーの上部を連結することでシリンダー倒れを互いに支え合うものである。
現在、シリンダーコア絶縁膜として酸化シリコン膜が用いられていることから、シリンダーコア絶縁膜除去時にエッチング選択比の得られる窒化シリコン膜(SiN膜)がサポート膜として用いられている。サポート膜として用いられるSiN膜としては、その成膜法により下部電極に作用する応力が異なる。例えば、原子層堆積法(Atomic Layer Deposition: ALD法)で成膜されたSiN膜(以下、ALD−SiN膜という)は引っ張りストレスを有し、一方、高密度プラズマCVD法(High-Density Plasma CVD法)で成膜されたSiN膜(以下、HDP−SiN膜という)は圧縮ストレスを有する。
従来、メモリセル領域と周辺回路領域との境界部にはガードリングと呼ばれるシリンダーの導電材料と同材料で形成される構造を形成しており、ガードリングで応力を引き受けることで、内部のシリンダーへの影響を少なくすることができていた。しかしながら、微細化の要求からガードリングを設ける領域の確保が困難になりつつある。ガードリングを設けない構造では、メモリセルのマット端で、シリンダー上部がマットの内側(サポート膜が引っ張りストレスを有する場合)或いは外側(サポート膜が圧縮ストレスを有する場合)によれる現象が発生し、キャパシタの形成不良や隣接シリンダーとのショート等の不良が発生する場合がある。
このように、得られるデバイスの特性や信頼性の観点から、さらなる改善の余地があることがわかった。
本発明の一実施形態によれば、
基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜と、
前記支持膜に接触して配置された膜であって、前記複数の第1の導電膜にもたらす応力が前記支持膜とは逆方向である応力作用膜と、
前記複数の第1の導電膜の内外壁を覆う誘電膜と、
前記誘電膜を覆う第2の導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜と、
前記支持膜に接触して配置された膜であって、前記複数の第1の導電膜にもたらす応力が前記支持膜とは逆方向である応力作用膜と、
前記複数の第1の導電膜の内外壁を覆う誘電膜と、
前記誘電膜を覆う第2の導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
また、本発明の一実施形態によれば、
基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜と、
前記支持膜に接触して配置された膜であって、前記支持膜が前記複数の第1の導電膜にもたらす応力を緩和する方向に作用する応力作用膜と、
前記複数の第1の導電膜の内外壁を覆う誘電膜と、
前記誘電膜を覆う第2の導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜と、
前記支持膜に接触して配置された膜であって、前記支持膜が前記複数の第1の導電膜にもたらす応力を緩和する方向に作用する応力作用膜と、
前記複数の第1の導電膜の内外壁を覆う誘電膜と、
前記誘電膜を覆う第2の導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置が提供される。
筒状(シリンダー状)の第1の導電膜(下部電極)に作用する応力が、支持体を主として構成する支持膜にこの支持膜と逆方向の膜(応力作用膜)を接触させて配置することで、シリンダー状下部電極に作用する応力が緩和される。これにより、シリンダー状下部電極に発生する問題、特にマット端でのよれが低減され、下部電極の形状不良が減少する。また、下部電極同士のショートが起こりにくくなる。結果として、クラウン型キャパシタを有する半導体装置の信頼性を向上できる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明するが、本発明はこれらの実施形態例のみに限定されるものではない。
〔共通事項〕
図1は、本発明を適用する半導体装置に係るDRAMのレイアウトの一例を示す図であり、複数のメモリセル領域が並設され、各メモリセル領域の外周に周辺回路領域が形成される。各メモリセル領域には、複数のメモリセルがアレイ状に形成されており(マットという)、周辺回路領域には、デコーダー回路や電源回路などが形成される。キャパシタを用いたメモリセルでは1Tr=1ビットの記憶動作が行われ、メモリセルマットの大きさは、所望のビット数となるように選択される。
図1は、本発明を適用する半導体装置に係るDRAMのレイアウトの一例を示す図であり、複数のメモリセル領域が並設され、各メモリセル領域の外周に周辺回路領域が形成される。各メモリセル領域には、複数のメモリセルがアレイ状に形成されており(マットという)、周辺回路領域には、デコーダー回路や電源回路などが形成される。キャパシタを用いたメモリセルでは1Tr=1ビットの記憶動作が行われ、メモリセルマットの大きさは、所望のビット数となるように選択される。
〔実施形態例1〕
図2は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。支持体には、複数の開口部8が設けられている。なお、開口部8及びキャパシタ下部電極の数や配置は、概念的に示したもので、実際の装置構成を示すものではない。
図2は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。支持体には、複数の開口部8が設けられている。なお、開口部8及びキャパシタ下部電極の数や配置は、概念的に示したもので、実際の装置構成を示すものではない。
図3は、図2のA−A線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。半導体基板上にトランジスタ1が形成されており、トランジスタの一方の拡散層に電気的に接続された容量コンタクトパッド2と容量コンタクトパッド2を覆うストップ窒化膜3が形成される。容量コンタクトパッドには、キャパシタの下部電極7がそれぞれ配置され、支持体として支持膜5と応力作用膜6との積層構造が設けられている。下部電極7の内壁及び外壁には誘電膜11を介してキャパシタの上部電極となる窒化チタンなどの第2の導電膜12、ギャップを埋める不純物(P型)ドープポリシリコン膜13、プレート電極14が形成される。ここで、支持膜5と応力作用膜6の一方は、例えば、1.2GPa程度の引っ張り応力を有するALD−SiN膜であり、他方は、例えば、1.2GPa程度の圧縮応力を有するHDP−SiN膜である。支持膜5と応力作用膜6の膜厚を調整することで、下部電極7(第1の導電膜)に作用する応力を緩和して下部電極7のよれを抑制することができる。この例では、応力方向が逆方向で応力強度がほぼ同等であり、ほぼ同等の膜厚で支持膜5と応力作用膜6を形成すると、応力はほぼ相殺される。応力は必ずしも相殺される必要は無く、下部電極7のよれが生じない程度に応力が緩和されればよい。
なお、本明細書において支持膜5とは、下部電極7に接して支持体を構成するものであり、応力作用膜6は後述する実施形態例に示すように必ずしも支持体を構成しない場合があるものを指す。但し、本実施形態例では、どちらもセルマット領域全面に支持体を構成していることから相互に置換可能である。便宜上、引っ張り応力を有する絶縁膜(ALD−SiN膜)を支持膜、圧縮応力を有する絶縁膜(HDP−SiN膜)を応力作用膜ということがある。また、支持膜5と応力作用膜6は、後述する製造工程に示す犠牲絶縁膜(酸化シリコン膜)の除去時にエッチング耐性を有する絶縁膜であればよく、応力方向及び応力強度により酸窒化膜や炭窒化膜なども使用できる。また、支持体としての積層膜の厚みは、厚くなるほど、キャパシタ下部電極の外壁面積の減少となるため、適宜最適な膜厚となるように調整される。
次に、図4〜図10を参照して本実施形態例の製造方法について説明する。
まず、図4に示すように、従来公知の方法で半導体基板上にトランジスタ1(この例ではプレーナ型)から容量コンタクトパッド2までを形成する。
まず、図4に示すように、従来公知の方法で半導体基板上にトランジスタ1(この例ではプレーナ型)から容量コンタクトパッド2までを形成する。
次に、ストッパ窒化膜3と犠牲絶縁膜4(酸化シリコン膜)を形成し(図5)、犠牲絶縁膜4上にALD−SiN膜(支持膜5)とHDP−SiN膜(応力作用膜6)を積層する(図6)。
次に、応力作用膜6上に図示しないレジストを塗布し、リソグラフィ法により下部電極の鋳型となるホールパターンを形成し、これをマスクに応力作用膜6、支持膜5、犠牲絶縁膜4、ストッパ窒化膜3を順次エッチングして容量コンタクトパッド2を露出するホール4Aを形成する(図7)。
次に、キャパシタ下部電極となるTiN等の第1の導電膜7を成膜した後(図8)、応力作用膜6上の第1の導電膜7をエッチバックにより除去する。なお、その際、ホール4A内の第1の導電膜内壁を保護する保護膜を形成する。保護膜としては、レジスト等の有機塗布膜やSOD等の無機塗布膜などを用いることができる。さらに、支持体(支持膜5及び応力作用膜6)に図2に示したような開口部8を形成するための酸化シリコンからなるハードマスク層9とレジストパターン10を形成し、ドライエッチングにより開口部8を形成する(図9)。レジストパターン10を除去後、フッ酸を用いたウェットエッチングにより犠牲絶縁膜4及びハードマスク層9を除去する(図10)。
その後、誘電膜11、上部電極膜12、ポリシリコン膜13をALD法やCVD法等のカバレジの良好な成膜法で形成し、最後にタングステン等の金属材料によりプレート電極14を形成することで、図3に示す構造が完成する。さらに、プレート電極14上に図示しない層間絶縁膜、上層配線(周辺回路部の配線を含む)、上層配線とプレート電極14とを接続するコンタクトプラグ(周辺回路部のコンタクトプラグを含む)等を形成することで本実施形態例に係る半導体装置が完成する。
(実施形態例1の変形例)
図11,12に第1の実施形態例の変形例を示す。図11,12は図3(b)に相当する拡大図である。図11では、支持膜5として、応力強度の異なる2層の膜5−a、5−bの積層構造としたもので、図12では、支持膜5と応力作用膜6を交互に積層した状態を示している。いずれの場合も支持膜5(5−a、5−b)と応力作用膜6の膜厚を適宜下部電極7(第1の導電膜)に及ぼす応力を緩和するように調整すればよい。なお、前述の通り、支持膜5と応力作用膜6とは相互に置換可能であることから、図11では、応力作用膜6を、応力強度の異なる2層の膜としてもよい。また、積層数は2層に限定されるものではないが、積層数が増加することで、工程が煩雑となる場合があり、必要に応じて積層数を選択すればよい。
図11,12に第1の実施形態例の変形例を示す。図11,12は図3(b)に相当する拡大図である。図11では、支持膜5として、応力強度の異なる2層の膜5−a、5−bの積層構造としたもので、図12では、支持膜5と応力作用膜6を交互に積層した状態を示している。いずれの場合も支持膜5(5−a、5−b)と応力作用膜6の膜厚を適宜下部電極7(第1の導電膜)に及ぼす応力を緩和するように調整すればよい。なお、前述の通り、支持膜5と応力作用膜6とは相互に置換可能であることから、図11では、応力作用膜6を、応力強度の異なる2層の膜としてもよい。また、積層数は2層に限定されるものではないが、積層数が増加することで、工程が煩雑となる場合があり、必要に応じて積層数を選択すればよい。
(実施形態例2)
次に、本発明の別の実施形態例について説明する。図13は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(支持膜5と応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図14は、図13のA−A線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。この例では、応力作用膜6はセルマット端部に形成され、中央部側には形成されていない。下部電極のよれはセルマット端に発生しやすいことから、セルマット端側のみに対して応力を緩和する対策を施した場合であっても十分な効果を奏する。
次に、本発明の別の実施形態例について説明する。図13は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(支持膜5と応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図14は、図13のA−A線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。この例では、応力作用膜6はセルマット端部に形成され、中央部側には形成されていない。下部電極のよれはセルマット端に発生しやすいことから、セルマット端側のみに対して応力を緩和する対策を施した場合であっても十分な効果を奏する。
図15及び図16は、本実施形態例に係る製造方法、特に支持体部分の製造工程を示す。図6工程まで実施形態例1と同様にして、支持膜5と応力作用膜6まで形成した後、図15に示すように、中心側の応力作用膜6を除去する。なお、中心側の応力作用膜6は完全に除去する必要は無く、薄く残っていてもよい。これは、中心側の応力作用膜6を完全に除去しようとすると支持膜5も少なからずエッチングされ、膜厚が薄くなることがあるためである。また、後工程の犠牲絶縁膜4のウェットエッチングの際に、薄膜化した応力作用膜6もエッチングされて除去される場合もある。また、後工程の犠牲絶縁膜4のウェットエッチング後に薄膜化した応力作用膜6が残存していたとしても実施形態例1に示すように何ら問題はない。つまり、本実施形態例の主旨は、セルマット端での応力緩和率を高めることにある。その後、図16に示すように下部電極膜7を成膜し、実施形態例1と同様に、開口部形成、犠牲絶縁膜除去、誘電膜及び上部電極形成等を経て、図14に示す構造が得られる。本実施形態例では、セルマットの中心側では支持膜5が支持体として機能し、セルマット端部では支持膜5と応力作用膜6とが支持体として機能している。本実施形態例では、支持膜5と応力作用膜6とは明確に機能区別することが可能となり、支持膜5は、全ての下部電極7に対する支持体であり、応力作用膜6は枠状として一部の下部電極7に接しているのみである。
このように、本実施形態例ではよれが発生しやすいセルマット端の下部電極に対して応力を緩和する対策を施すことで、セルマットの大部分を占める中心部では支持膜5の単層或いは支持膜5にわずかに応力作用膜6が積層されている構成であるため、実施形態例1のように単純に積層する場合と比較してホール4A加工時のドライエッチング加工性が向上する。
(実施形態例2の変形例)
上記したように、ホール4A加工時のドライエッチング加工性という点では、全てのホールが同条件で加工されることが好ましい。本変形例では、枠状に加工する応力作用膜6をさらにホール4A加工部よりも外側、すなわち、応力作用膜6が厚膜の状態で下部電極7に接触しないように加工する。図17は、本変形例に係る1セルマットの支持膜5(支持体)と応力作用膜6とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図18は、図17のB−B線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。本変形例に示すように、ホール4A加工時のドライエッチングは支持膜5に対してのみ或いは薄膜化した応力作用膜6が積層されている構成に対して実施され、ドライエッチング加工性がより向上する。面積減少に伴う応力緩和率の減少は、応力作用膜6が下部電極形成用のホール加工に影響しないことから、応力作用膜6の膜厚を増大して抑制することが可能である。
上記したように、ホール4A加工時のドライエッチング加工性という点では、全てのホールが同条件で加工されることが好ましい。本変形例では、枠状に加工する応力作用膜6をさらにホール4A加工部よりも外側、すなわち、応力作用膜6が厚膜の状態で下部電極7に接触しないように加工する。図17は、本変形例に係る1セルマットの支持膜5(支持体)と応力作用膜6とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図18は、図17のB−B線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。本変形例に示すように、ホール4A加工時のドライエッチングは支持膜5に対してのみ或いは薄膜化した応力作用膜6が積層されている構成に対して実施され、ドライエッチング加工性がより向上する。面積減少に伴う応力緩和率の減少は、応力作用膜6が下部電極形成用のホール加工に影響しないことから、応力作用膜6の膜厚を増大して抑制することが可能である。
(実施形態例3)
実施形態例3では、実施形態例2と支持膜5と応力作用膜6との積層順序が逆となり、応力作用膜6を下に、支持膜5を上に形成する。図19は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(支持膜5と応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図20は、図19のA−A線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。
実施形態例3では、実施形態例2と支持膜5と応力作用膜6との積層順序が逆となり、応力作用膜6を下に、支持膜5を上に形成する。図19は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(支持膜5と応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図20は、図19のA−A線での断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。
まず、実施形態例1の図5に示すように犠牲絶縁膜4まで形成する。次に、応力作用膜6として、引っ張り応力又は圧縮応力を有する窒化シリコン膜を形成し、マット端部を残して中央部の応力作用膜6を除去する。この場合、支持膜5は形成していないことから実施形態例2で説明したようなオーバーエッチングによる支持膜の膜厚減少を考慮する必要は無い。
続いて、枠状に残した応力作用膜6上に、応力作用膜6は逆方向の応力を有する支持膜5を成膜する。その後は、実施形態例1と同様に、下部電極形成、犠牲絶縁膜除去、誘電膜及び上部電極形成等を経て、図20の構造が得られる。
本実施形態においても、実施形態例2の変形例と同様に、下部電極と接触しない領域まで応力作用膜6を除去することができる。
本実施形態においても、実施形態例2の変形例と同様に、下部電極と接触しない領域まで応力作用膜6を除去することができる。
(実施形態例4)
上記したように、ホール4Aの加工性の点では、応力作用膜6と支持膜5の積層よりも単層構造とすることが有利である。本実施形態例では、応力作用膜6と支持膜5とを単層膜として配置する構造について説明する。
上記したように、ホール4Aの加工性の点では、応力作用膜6と支持膜5の積層よりも単層構造とすることが有利である。本実施形態例では、応力作用膜6と支持膜5とを単層膜として配置する構造について説明する。
図23は、本実施形態例に係る1セルマットの支持体(支持膜5と応力作用膜6)とキャパシタ下部電極7との関係を示す概略平断面図である。図24は、図23のB−B線での断面図を示す。本実施形態例では、支持膜5と応力作用膜6とを横方向に接合して1層の支持体とする。図23に示す例では、縦縞パターンに支持膜5と応力作用膜6とを交互に配置した例を示している。
図25〜図30を参照して、本実施形態例に係る支持体の製造方法について説明する。
まず、犠牲絶縁膜4までは実施形態例1と同様に形成した後、支持膜5のみを成膜し、図25に示すようにレジスト15にラインアンドスペースパターンを形成し、レジスト15をマスクに支持膜5をエッチングする。
まず、犠牲絶縁膜4までは実施形態例1と同様に形成した後、支持膜5のみを成膜し、図25に示すようにレジスト15にラインアンドスペースパターンを形成し、レジスト15をマスクに支持膜5をエッチングする。
次に、図26に示すように応力作用膜6を形成する。応力作用膜6は、支持膜5の厚み以上の膜厚に形成することが好ましい。応力作用膜6を極端に厚く形成すると、次工程のCMP研磨量が増加するだけであり、無駄となる。
続いて、図27に示すようにCMPにより表面を平坦化して支持膜5と応力作用膜6とが側面で相互に接合された単層構造の支持体を形成する。なお、この時、前述の実施形態例2で説明したように、支持膜5上に応力作用膜6の薄層が残存していてもよい。
その後、図28に示すように、ホール4Aの加工を行い、第1の導電膜7を成膜し、図29に示すように、開口部8を形成した後、犠牲絶縁膜4を除去することで、図30に示す支持体構造が得られる。以降は、他の実施形態例と同様に誘電膜、上部電極形成等を行うことで、図24に示す構造が完成する。
本実施形態例として例示した上記構造における支持膜5と応力作用膜6は、いずれも下部電極(第1の導電膜7)に接する支持体を構成することから、相互に置換可能である。また、支持膜5と応力作用膜6は、例示した縦縞状の配置に限定されず、横縞状、斜めパターン、格子パターンなどさまざまなパターンで形成することができる。また、応力作用膜6が下部電極(第1の導電膜7)に接しないよう、つまり、ホール4Aの加工部に支持膜5のみが配置されるパターンに形成することもでき、その場合、ホール4Aの加工性はさらに向上する。そのようにパターン形成すると支持膜5と応力作用膜6との区別は明確となる。
(実施形態例5)
以上の実施形態例1〜4では、支持体は下部電極上端を支持するように形成していたが、これに限定されず、下部電極の高さの中間部分を支持するようにしても良い。図31は、本実施形態例に係る半導体装置の概略断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。支持体の構造は、実施形態例1で説明した支持膜5と応力作用膜6の積層構造を採用している。
以上の実施形態例1〜4では、支持体は下部電極上端を支持するように形成していたが、これに限定されず、下部電極の高さの中間部分を支持するようにしても良い。図31は、本実施形態例に係る半導体装置の概略断面図(a)とその一部の拡大図(b)を示す。支持体の構造は、実施形態例1で説明した支持膜5と応力作用膜6の積層構造を採用している。
図32〜図36を参照して、本実施形態例に係る支持体の製造方法について説明する。
まず、図32に示すように、形成する下部電極の高さの中間程度となる膜厚の第1の犠牲絶縁膜4a上に、実施形態例1と同様に支持膜5と応力作用膜6の積層を形成する。
まず、図32に示すように、形成する下部電極の高さの中間程度となる膜厚の第1の犠牲絶縁膜4a上に、実施形態例1と同様に支持膜5と応力作用膜6の積層を形成する。
次に図33に示すように、レジスト15をマスクに支持膜5と応力作用膜6の積層に開口部8を形成する。
開口部8の形成後、第2の犠牲絶縁膜4bを形成する下部電極の高さまで形成する(図34)。さらに、第2の犠牲絶縁膜4b、第1の犠牲絶縁膜4a、ストッパ膜3を貫通するホール4Aを形成し、下部電極7となる導体膜を成膜する(図35)。第2の犠牲絶縁膜4b上の導体膜を除去した後、さらに第2の犠牲絶縁膜4b、第1の犠牲絶縁膜4aをウェットエッチングにて除去することで、図36に示す構造が完成する。
本実施形態例における支持体は、その他の実施形態例に示した構造とすることも可能である。図37は、実施形態例2に示した支持体構造を採用したもので、セルマット周辺部では支持膜5と応力作用膜6の積層構造であり、セルマット中央部では支持膜5の単層構造である。また、図38は、実施形態例3と同様に枠状の応力作用膜6上に支持膜5を形成した構造であり、セルマット中央部では支持膜5の単層構造である。さらに、図39は、実施形態例4と同様に支持膜5と応力作用膜6とを横方向に接合して単層膜としたものである。これらの形成方法は、上記と同様であり、支持体構造の形成工程はそれぞれの実施形態例を参照して実施することができる。
1 トランジスタ
2 容量コンタクトパッド
3 ストップ窒化膜
4 犠牲絶縁膜
4a 第1の犠牲絶縁膜
4b 第2の犠牲絶縁膜
4A ホール
5 支持膜
6 応力作用膜
7 下部電極
8 開口部
9 ハードマスク層
10 レジストパターン
11 誘電膜
12 上部電極膜
13 ポリシリコン膜
14 プレート電極
2 容量コンタクトパッド
3 ストップ窒化膜
4 犠牲絶縁膜
4a 第1の犠牲絶縁膜
4b 第2の犠牲絶縁膜
4A ホール
5 支持膜
6 応力作用膜
7 下部電極
8 開口部
9 ハードマスク層
10 レジストパターン
11 誘電膜
12 上部電極膜
13 ポリシリコン膜
14 プレート電極
Claims (20)
- 基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜と、
前記支持膜に接触して配置された膜であって、前記複数の第1の導電膜にもたらす応力が前記支持膜とは逆方向である応力作用膜と、
前記複数の第1の導電膜の内外壁を覆う誘電膜と、
前記誘電膜を覆う第2の導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 基板の主面に立設配置された筒状の複数の第1の導電膜と、
前記複数の第1の導電膜に接触する梁状に配置された支持膜と、
前記支持膜に接触して配置された膜であって、前記支持膜が前記複数の第1の導電膜にもたらす応力を緩和する方向に作用する応力作用膜と、
前記複数の第1の導電膜の内外壁を覆う誘電膜と、
前記誘電膜を覆う第2の導電膜と、
を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記支持膜と前記応力作用膜の一方が引っ張り応力を有する膜であり、他方が圧縮応力を有する膜である請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記応力作用膜は、前記支持膜と積層構造を成し、該積層構造は前記複数の第1の導電膜を梁状に支持する支持体を構成する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持膜及び応力作用膜の少なくとも一方は、応力強度の異なる少なくとも2層の膜の積層である請求項4に記載の半導体装置。
- 前記支持体は、前記支持膜と前記応力作用膜とが交互にそれぞれ2層以上積層された積層構造を有する請求項4に記載の半導体装置。
- 前記応力作用膜は、前記筒状の複数の第1の導電膜の形成領域の端部側で、中央側より少なくとも厚い膜厚を有する請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記応力作用膜は、前記筒状の複数の第1の導電膜の形成領域の中央側において前記第1の導電膜と接触していない請求項7に記載の半導体装置。
- 前記応力作用膜は、前記筒状の複数の第1の導電膜のいずれとも接触していない請求項7に記載の半導体装置。
- 前記応力作用膜は、前記支持膜の上面に接触している請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記応力作用膜は、前記支持膜の下面に接触している請求項7乃至9のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持膜と前記応力作用膜とは、側面で接触して一層の支持体を構成している請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持膜と前記応力作用膜とが交互に配置される請求項12に記載の半導体装置。
- 前記支持膜、若しくは前記支持膜と前記応力作用膜とを含む支持体は、上面から下面に貫通する開口部を有する請求項1乃至13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持膜、若しくは前記支持膜と前記応力作用膜とを含む支持体は、前記第1の導電膜の上端部に接触して配置される請求項1乃至14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記支持膜、若しくは前記支持膜と前記応力作用膜とを含む支持体は、前記第1の導電膜の高さ方向の中間部に接触して配置される請求項1乃至14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記筒状の複数の第1の導電膜はキャパシタの下部電極であり、前記下部電極の内壁及び外壁に接する誘電膜を介してキャパシタの上部電極となる第2の導電膜を有する請求項1乃至16のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に形成された複数の能動素子と、前記複数の能動素子を覆う層間絶縁膜とを有し、前記層間絶縁膜上に前記キャパシタが配置され、前記能動素子の1つと前記第1の導電膜の1つとが電気的に接続された請求項17に記載の半導体装置。
- 前記層間絶縁膜は、その表面に前記支持膜又は前記応力作用膜と同種の膜を有する請求項18に記載に半導体装置。
- 前記層間絶縁膜表面の前記支持膜又は前記応力作用膜と同種の膜は、前記第1の導電膜を底部で保持する底部保持部材として機能する請求項19に記載の半導体装置。
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JP2012117537A JP2013247138A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 半導体装置 |
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JP2012117537A JP2013247138A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 半導体装置 |
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JP2012117537A Pending JP2013247138A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 半導体装置 |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108183097A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 三星电子株式会社 | 半导体器件 |
CN110957304A (zh) * | 2018-09-27 | 2020-04-03 | 长鑫存储技术有限公司 | 一种电容器结构及其制造方法 |
US10804219B2 (en) | 2018-11-12 | 2020-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
2012
- 2012-05-23 JP JP2012117537A patent/JP2013247138A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN108183097A (zh) * | 2016-12-08 | 2018-06-19 | 三星电子株式会社 | 半导体器件 |
CN108183097B (zh) * | 2016-12-08 | 2022-10-14 | 三星电子株式会社 | 半导体器件 |
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