TW391064B - Self-aligned multiple crown storage capacitor and method of formation - Google Patents

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TW391064B
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conductive
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TW087111629A
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Robert Yung-His Tsu
Jing Shu
Jeffrey Alan Mckee
Isamu Asano
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Texas Instruments Inc
Hitachi Ltd
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Description

眭濟部中央嘌阜马員工消资合作祍印裝 A7 B7 五、發明説明（） 發明之接術嶺迪 β 、 本發明一般與半導體裝置及製造方法有關，且更特別 的’與使用於記憶體裝置中之自對準多冠儲存胞元，及形 成自對準多冠儲存胞元之方法有關。 發明眢畺 減少半導艘裝置的大小為半導體製造上一般需求的目 標。對半導體記憶體裝置諸如動態隨機存取記憶體(DRAM) 裝-置尤是。著半導體記憶體裝置的尺寸縮減，以及相關 密度以4X的倍率成長，儲存胞元變得更小而仍維持相同 之需要儲存電荷。傳統之氮氧化物(N/〇或〇/N/0)介電質 有相對低的單位面積電容(對實際為4.5奈米之氧化物厚 度約為〜7.7fF/um2)，因為潛在高的透納（随道）漏電限制儲 存容量。為克服此問題，提出了各種區域雒化终術，包括 多元粗硬半球顆粒(HSG)、圓盤、翼狀、及波狀圓柱體胞 元(CCCj。但是這些技術有先天的限制。 HSG技術需要在一狹窄的溫度窗口中作複雜的沉積處 理。結合圓盤、翼狀、及CCC形成的儲存胞元主要的是 由多個平行翼组成。由於儲存胞元的尺寸更為減小，這些 翼所增加的表面積較垂直邊牆為小。況且，典型的翼狀結 構的製造不是費力的處理，而所造成的儲存胞元機械穩定 度較小’特別在水平翼間氧化物的移除及粒子的移除期間 尤甚。另一企圖克服傳統氮氧化物介電質限制的高介電質' 常數材料，包括 Ta2〇5、Bai xSrxTi〇3(BST)、SrxTi〇3、及 pbi-xZrxTi〇3(pzT)，由於它們的單位面積高電容量，被建 本紙張尺度適用中國國家榡準（CNS > A4規格（2丨0X297公釐） (請先閲讀背面之注^|^項再填寫本頁) -**
經濟部中央標準局貝工消费合作社印絜 A7 -- -____ B7 五、發明説明（^ -- 議用作儲存介電質》理論上單位面積高電容量可用作單純 、 堆疊胞元儲存胞元結構。但是 * 質數材料為新的，且在半導體製造上存在幾個障礙，包 括對電晶體的污染、費力的％積處理顯像、新材料的蝕刻、 整合的經驗和可靠度等。 畳明輟逋 本發明提供一半導體記憶體裝置儲存胞元系統及製造 方法’可實:質的免除或減少與傳統儲存胞元系統及製造方 法相關的缺點和問題。 更特別的，本發明提供一種使用於半導體記憶體裝置 中自對準多冠儲存胞元結構，及形成自對準多冠儲存胞元 結構以提供增加電容量的儲存電容器之方法。一實施例中 儲存胞元結構可經由樣式化一觸通路至a平面化絕緣層 /蝕刻停止層Λ硬式光罩層堆疊及沉積一第一導電層來形成 〇第7導電層及硬式光罩層蝕刻以形成第一冠和相關的 第一冠基底。一第二導電層沉積至導電材料塗層樣式化 通路及蝕刻停止層，且一氧化層沉積至第二導電層上。 氧化層蝕刻，並沉積一第三導電層。可導電層蝕刻以 曝露蝕刻停止層，並留下之氧化物層蝕刻在儲存胞元結 構的雙冠實施例上形成第二冠。 經由重覆上述沉積一第二導電層至導電材料塗層樣式 化通路及蝕刻停止層、一氧化層沉積至第二導電層上、 姓刻氧化層、沉積第三導電層、餘刻導電層以曝露姓刻停 止層、及蝕刻留下之氧化物層之步驟，可形成更多的冠以 __—_ _ 4 _ 本紙張从適用中國國家標华（CNS) Α4規格（210x 297公釐) --- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
五、發明説明（ A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印^ 提供三冠或更多冠的儲存胞元結構。 . 本發明之自對準半導體儲存胞元在製造處理中形成多 冠以提供增加表面積的技術優點。與相當大小之傳統儲存 胞元相較，增加的表面積使得儲存電容量增加。 ¥ 本發明提供幾個製造上的優點。經由形成一通路，儲 存胞元多冠之形成實際上為自對準的，因此免除了在形成 儲存胞元的一個光罩步驟》由一起始通路形成冠之簡化處 理·^程也節··省多元矽通路的形成。本發明之形成處理也與 單純冠處理及粗硬多元形成處理相容。這些製造上之優點 減少了製造儲存胞元的複雜度及成本。 依據本發明教義形成之多冠儲存胞元，結合了在通路 中所包含之每一冠具有冠基底的結構。此結構在製造期間 和最終形成時均提供機械穩定度之改良。此結巧也很容易 的擴展使得在湘對小的胞元結構令增加冠的數量。圈例«fit 為了更完整的瞭解本發明及其錢，現參考下舰明配合 相關附囷，圖中相同的參考編號表示相同的特性且其中· -絕圖緣1 層關停止層/硬式光罩層的平面沉積堆養在 :=圖™刻停一罩 節點y路料在Μ 2結射崎式一儲存 圖 4顯示在一導電材料蝕刻後如圖3的結構 表紙張尺度適财®國家標率（CNS ) ( 210X297公釐 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁}
經濟部中央標準局貝Η消費合作社印袈 A7 B7 ---—---------- 五、發明説明（） 圖5顯示依據本發明在一硬式光罩蝕刻以形成一多•冠 儲存胞元之一第一冠後如圖4的結構； Λ 圖6顯示在如圖5結構上生長之第二導電層； 圖7顯示沉積一氧化層奇如圖6的結構上； 圈8顯示在一氧化物蝕刻後如圖7的結構； 圖9顯示沉積一導電層在如圖8的結構上； 圖10顯示在一導電層蝕刻後如圖9的結構； .--圖11勝示依據本發明多冠儲存胞元實施例中選擇性氧 化物蝕刻的結果；以及 圖12顯示依據本發明教義結合兩個雙冠儲存電容器 之一 DRAM胞元。 瞽明之雠I»說明 本發明之自對準多冠儲存胞元使用一芊導體裝置使用 * 於 * 之介電質，包括256佰萬位元(Mb)及10億位元（1Gb)的 DRAM:多冠儲存胞元可以諸如N/0、0/N/0、Ta205、BST、 PZT等介電質常數材料以及其它相對高的介電質常數材料 來形成。本發明之自對準多冠儲存胞元形成方法在免除一 光樣式化（SN樣式化）步称下’形成一定義大小的自對準 館存胞元〃本發明提供一較為強健形成儲存胞元的方法及 具優良穩定度的儲存胞元結構。 圏1-11說明一雙冠儲存胞元結構之自對準多冠儲存胞 元形成處理流程。但是應瞭解，本發明形成方法可提供一 乂 具有三冠或更多冠的儲存胞元。經由縮減通路大小、多元 石夕厚度及冠間隔，可在約為相同的記憶體陣列表面區域内 ) A4^ ( 21GX297公羞） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部中决標率局員Η消費合作社印絜 A7 ________B7 _ 五、發明説明（） 構成具三冠或更多冠的儲存胞元。更應瞭解本發明製造處 、 理自對準儲存胞元可經由修正處理流程免除儲存節點（SN) 樣式化步驟來形成一單冠胞元。 圖1顯示一記憶體胞元平面化層12，可包括一絕緣材 料諸如一由分解tetraethyloxylance(TEOS氧化物）氧化物 或硼磷酸硅鹽玻璃(BPSG)，具有相對薄的蝕刻停止看14 沉積至平面化層12,及一相對厚的硬式光罩層16沉積 在滋刻停土層14上。硬式光罩層16為第一犧牲層。钱刻 停止14及硬式光罩層16可使用喷濺或化學蒸氣沉積(CVD) 處理來沉積。當蝕刻硬式光罩層16時，蝕刻停止層14用 來停止姓刻。姓刻停止層14可包括不同的絕緣材料包括 SisN4’而硬式光罩層16可包括不同的光罩材料包括氧化 物(例如摻質或未摻質的Si02)、TiN及旋稼上$璃(spg)。 圖1-6顯示多冠儲存電容器及形成方法之範例，姓刻停止 層Η良含Si3N4及硬式光罩層Ιό包括TEOS氧化物。 如圓2所示，將一儲存節點通路18樣式化在半導體 層1〇曝露一接點。為了在自對準胞元形成之後符合儲存 節點(SN)的外形，依據不同的平面化高度、蝕刻步称及硬 式光罩層16，大致為圓柱的橫截面通路18具有一不同的 尚度。硬式光罩層16及蝕刻停止層14的合併厚度係依據 所希望之儲存胞元冠高度而定。一組多冠儲存胞元形成參 數不於表一。 本紙張尺度適用中國國家標準< CNS ) A4規格（210X297公釐） — <請先聞讀背面之注f項再填寫本頁)
、1T A7 B7 五、發明説明（） 表1.自對準多冠胞元電容量計算 SN 寬=0· 38 μ m . 256MDRAM儲存胞元尺寸SN長=0.92Vm (垂直尺寸） ，SN間隔=0.24/zm __(在光樣式化及蝕刻後) 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 _ 犁作儲存胞元之設定參數(單位=//m) SN-SN水平分隔 = SNH = 0.1 SN —SN垂直分隔 = SNV = 0.1 SN通路樣式化寬度 = pw = 0.24 SN通路樣式化長度 = pi .= 0.78 SN寬度 r = SNW = 0.52 SN長度 = SNL = 1.06 導電材料厚度 = t = 0.05 冠間隔 = cs = 0.04 SN高 = h (低) 通路深 = pd = 0.6 通路寬 = pw - 0.24 通路長 = pi = 0.78 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） A7 B7 五、發明説明（） 無介電質Teff 4.5 nm 3.0 nm SN 高 表面積 (/m2) Cs(fF) ¥ 0.20 2.38 18.25 27.38 0.30 一 一· 3.16 24.27 36. 41 0.40 〆 3.94 30.29 45. 44 0.50 4.73 36.31 54.46 0.60 卜I 一 5.51 42.33 .63. 49 0.70 一 1 一 6.30 48.35 72.52 0.80 7.08 54.37 81.55 0.90 ,7.86 60.39 * 90.58 1.00 8.65 66.40 99.61 (請先聞讀背面之注意ί項再填寫本頁) 訂 經滴部中央標隼局貝Η消资合作社印製 其中， 表面積=n(pw+2cs+2t)(pw/4+cs/2+t/2+h)+ Π (pw-2t)(h+pd-t)+2 Π (h-2t)(pw+cs)+ (pl-pw)(pw+2cs+8h+2pd-8t). 由於本發明縮減之通路寬度與一般環形通道相較，使 用一自對準通路蝕刻步驟應較為佳。因為導電層蝕刻將定 義並隔絕儲存節點，自對準SN蝕刻不需要光樣式化步称。 在通路18樣式化及各向異性蝕刻之後，將一導電村_ 本紙張尺度顧巾關家轉（CNs) A4^ (21Gx297公董） 經滴部中央標準局貝丁ί消費合作社印¾ A7 _______B7 五、發明説明（) 諸如P-摻質狀況（ISD)多元石夕，沿著通路18的内部表面及 硬式光軍層16的表面沉積以形成第一導電層2〇，如圖3所 示。第一導電層20覆蓋通路18的邊牆往下延伸至通路18中 ，如圖3所示《本發明處理，描述的鎂每一連續導電層形 成一多冠儲存胞元結構可包括一使用CVj)或電漿CVD沉積處 理的ISD多元矽沉積。 使用如圖4適當的蝕刻將第一導電層2〇蝕回造成導電 層_20留在通路18的垂直邊牆上。接著為蝕刻移去硬式光罩 層16如圖5所示。圖3、4、及5所示的處理步驟造成儲存胞 元第一冠22及第一冠基底23的形成。在圖5中，.第一冠基 底23在通路18區域中形成第一冠，約為圓柱狀的延伸是由 在通路18之上的第一冠基底23所延伸出。在通路π中形成 第一冠基底23使得第一冠22的穩定度增加1 _ t- % 如圓6所示/ 一第二導電層24沿著曝露的蝕刻停止層14 、通路18、第一冠22邊牆表面及第一冠基底23沉積以提供 通路18底部、第一冠22及第二冠30間的接觸。一第二犧牲 層26，或間隔層26，在第二導電層24上生長以田填充通路 18並作為連續冠間的間隔器。間隔層26可包含使用一Gyp 或CVD電漿沉積處理的摻雜或未摻雜的Si〇2沉積β接著將 間隔層26蝕回以曝露如圖·8所示特別區域的第二導電層24 及間隔層26。 接著沿著間隔層26及第二導電層24的曝露部分沉積以-死^成如圖9所示的第二冠30。接著施行一姓回處理至圖9的 結構以餘去在儲存胞元頂部的第三導電層28接點，及在儲 ______ _ 10 - 本紙張尺度^--—— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
A7 B7 五、發明説明（） ' 存胞7C間的底部導電層（多元矽）接點以定義第二冠3〇及多 、冠儲存胞元10如囷10所示。依據本發明教義，接著蝕回留 下的氧化物間隔層26以提供一自對準雙冠儲存胞元結構1〇 ，如圖11所示。在另一實施例中，可在第三導電層28執行 一導電層蝕回處理直到間隔層26及在第二導電層24曝露為 止。接著可將氧化物間隔層26蚀回，隨後一第二導電層24 的蝕回及移去留下的蝕刻停止層以提供一雙冠儲存胞元結 構i〇。圏6至11所敘述的處理可重覆多次以生長其它冠。 類似於第一冠22,第三導電層28在通路18及通路18中 的第二冠基底33形成第二冠30。第二冠30在第一'冠22週圍 形成，且與第一冠22分隔一個由間隔層26所定義距離。第 二冠基底33在在通路18中形成以在製造期間及製造之後均 提供第二冠30—增強機械穩定度的結構。^ • 沪 · 經滴部中央標率局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 所製造雙冠4存胞元結構10如圖11之實施例具有較 前所發暴之256佰萬儲存胞元為大之胞元大小，因為自對 準雙冠儲存胞元結構10可有較前所建議具一通路及一 SN 樣式之儲存胞元為小的胞元分隔。例如圖11雙冠儲存胞 元結構10之總表面積可有其SN高約0.5从m之簡單堆整 胞元(STC)約為3.2倍大。 在一實施例中，用來蚀刻每一導電層的導電層蝕回處 理可包括使用一 AMAT P-5000蝕刻器來粗糙多元矽層的 表面，與平滑雙冠胞元相較且進一步增加雙冠儲存胞元結 構10*的表面積。甚至，可能擴展使用此自對準多冠儲存 胞元10至10億位元組（1Gb)的DRAM，如果多冠儲存胞 -11- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------— B7 五、發明说明（） 元10的總表面積因使用一較小的通路及較窄的間隔器形 成三冠胞元而增加，或如果導電層（例如多元矽)蝕刻處理 造成一關連於雙冠胞元之粗糙多元矽表面》本發明之儲存 胞元結構10在沉積一適當•介電質及形成一頂部平面時形 成一多冠電容器。 圖12顯示本發明一 DRAM胞元結合兩假雙冠儲存胞元 結構實施例。在圖12中，記憶體胞元平面化層12已在半 筹j睹基底L00上形成，在其上形成一對電晶鱧。每一電晶 體有一源極區域140及一閘極電極180 ’在其時共同使用 一汲極區域160及連接的位元線200。位元線200及汲極 區域160在被場氧化物120區分為活性及隔絕區域之半導 體基底100的一活性區域上形成。一絕緣層19〇可在結果 結構之整個表面上形成以隔絕電晶體。平宙化身12可提 供一絕緣層190的功能。接著以圖l-ii及相關連文中所 敘述之赛理’在結果結構上形成多冠儲存胞元結構1〇 β 電晶雜搞合儲存節點連接至位元線200。介電質材料210， 諸如0/Ν/0,接著沉積在多冠儲存胞元結構1〇的整個表 面上。一頂部平面材料，諸如將一不純-掺雜多元發沉積 在介電材料210上以形成一頂部平面220。此造成之])RAM 胞元結構結合兩個雙冠儲存電容器240及250。 總結來說，本發明提供一種使用於半導趙記憶艎裝置 中的自對準多冠儲存胞元結構及提供增加電容量的儲存電 容器之形成方法。在一實施例中，一雙冠儲存胞元結構實 施例中可經由樣式化一接觸通路至一平面化絕緣層/蝕刻 ___ -12- 本紙張尺度適^^家料（CNS )八4祕（训心祕羞） A7 "· --- β 7 五、發明説明（） 停止層/硬式光罩層堆疊、沉積一第一導電層、蝕刻第一 、導電層、餘刻硬式光軍層、將一第二導電層沉積至導電 料塗層樣式化通路及蝕刻停止層、沉積一氧化層至第二 電層上、蝕刻氧化層、沉積一第三導電層、蝕刻導電層（ 諸如多元矽）以曝露蝕刻停止層，及蝕刻留下之氧化物層 。最後的幾個步驟可重覆以形成三冠或更多冠的儲存胞元 結構。本發明之自對準半導體儲存胞元提供一増加表面積 的屬存胞元，技術優點。與相當大小之傳統儲存胞元相棱 ’增加的表面積使得在一設定的記憶體陣列表面區域電荷 儲存容量增加。本發明形成方法免除了一個光罩.步驟且提 供一更為強健的形成處理及增加機械穩定度之儲存胞元。 雖然本發明已在此詳細敘述，應暸解可對本發明作各 種的改變、取代及變更而不會偏離本發明後附斧利申請項 目之精神與範。圍。 c請先閲讀背面之注意事頊再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局貝-T消资合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨0><297公釐）

Claims (1)

  1. g71 11 6 2 9 AX Β8 CS D8 六、申請專利範圍 1. 一種半導體儲存胞元結構，包括： . 一基底層； • V (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 在基底層内形成之通路； 一第一導電層，包括：， 在通路内形成之第一冠基底；以及 鄰近第一冠基底之第一冠及形成於通路上之一約 為圓柱狀的延伸；以及 -在通路肉_至少一週邊導電層，包括： 在通路内至少形成一週邊冠基底且被覆此冠基 底；以及 至少一週邊冠連接到此至少一週邊冠基底，週邊冠 在基底層頂部形成一約為圓柱狀的延伸與第一冠隔開 且圍繞第一冠。 , ' 一 2. 如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，其中此至 少一*週邊導電層包括一第二導電層包含： 在通路内形成一第二冠基底且被覆此第一冠基底；以 及 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 一第二週邊冠連接到此第二冠基底，第二週邊冠在基 底層頂部形成一約為圓柱狀的延伸與第一冠隔開且圍 繞.第一冠& 3. 如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，其中此至 少一週邊導電層包括一第二導電層及一第三導電層， 此弟二導電層包括： 在通路内形成一第二冠基底且被覆此第一冠基 14 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） Λ8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 底；以及 · 一第二冠連接到此第二冠基底，第二冠在基底層 V 頂部形成一約為圓柱狀的延伸與第一冠隔開直圍繞第 一冠在通路内形成之第了冠基底；以及 此第三導電層包括： 在通路内形成一第三冠基底且被覆此第二冠基 底；以及 -- 一第·三冠連接到此第三冠基底，第三冠在基底層 頂部形成一約為圓枉狀的延伸與第二冠隔開且圍繞第 二冠。 4.如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，其中該第 一冠及第一冠基底是由下列所形成： 樣式化一接觸通路至一平面化絕緣層ί蚀到停止層/硬 ， t· 式光罩層堆疊； 在欲式化通路及硬式光罩層上沉積一第一導電層； 蚀刻此第一導電層以曝露硬式光罩層；以及 蝕刻此硬式光罩層以曝露蝕刻停止層。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 5·如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，其中基底 層_包括由一種氧化物形成之一絕緣層。 6. 如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，其中每一 導電層由多元矽組成。 7. 如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，其中每一 導喋層包含使用化學蒸氣沉積法沉積之多元矽。 8. 如申請專利範圍第1項所述之儲存胞元結構，更包括： _15_ 本&張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） AS B8 C8 D8 經濟部中央橾率局員X消費合怍tt%t 六、申請專利範圍 沉積在多冠之上的介電質；以及 ’儿積在介電質及儲存胞元結構上的一頂部平面層以形 成一多冠儲存電容。 9. 二種使祕-半賴轉料置中自對準多冠儲存胞 元結構形成的方法，包括： 供應一平面基底層； 在基底層内樣式化一接觸通路； -在基底層上形成一第一犧牲層； 在樣式化通路及第一犧牲層上沉積第一導電層； 蝕刻第一導電層以曝露第一犧牲層； 移去第一犧牲層； 在導電材料塗層樣式化的通路及基底層上沉積一第 導電層； r: ' * 在第二導電層上沉積一第二犧牲層以填充通路； 钱处第二犧牲層以曝露部分的第 二 導電層； 在第二導電層的曝露部分及留下的第二犧牲層沉積一 第三導電層；以及 執行一導電層蝕刻以曝露部分的基底層；以及 移去留下部分的弟二犧牲層以形成一雙冠储存胞元結 構:。 10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中第一犧牲層以 及第二犧牲層均包含一氧化物。 U·如冲請專利範圍第9項所述之方法，其中基底層更包括 一蝕刻停止層》 -16 國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297^) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) ·'.裝· 訂- 六、申請專利範圍 ΛΚ Βδ C8 D8 12·如申請專利範圍第9項所述之方法，更勹括 在導電材料塗層樣式化的通路及基底 導電層； ^ 在第四導電層上沉積一竿三犧牲層； 钱刻第二犧牲層以曝露部分的第四導電層. m電層賴部分及留下的第:犧牲層沉積一 第五等電層， 、-執行一導電層蝕刻以曝露部分的基底層.γ 移去留下部分的第三犧牲層，因而形成 元結構。 13.如申請專利範圍第9項所述之方法，更包括 在第四導電層上沉積一第三犧牲層； 蝕刻第四犧牲層以曝露部分的第四導電•省. 在第四導電i的曝露部分及留下的第四犧牲層 第五導電層； 蝕刻導電材料以曝露基底層；以及 蝕刻留下的第四犧牲層； 在導電材料塗層樣式化的通路及蝕刻停止 第六導電層； ' 儿積— 在第六導電層上沉積一第五犧牲層； 蝕刻第五犧牲層以曝露部分的第六導電層； 在第六導電層的曝露部分及留下的第五犧牲層沉 第七導電層； ^ — 蝕刻導電材料以曝露基底層；以及 沉積一第四 冠儲存胞 I I I I I —I — I 裝I (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 線 17 本紙張从咖t®®緖準（CNS ) 44祕（ 210X297公着 申請專利範圍 ΛΚ B8 C8 D8 經濟部中央梯率局貝工消費合作社印裝 银刻留下的第五犧牲層，因而形成 構。 14.如申請專利範圍第9項所述之方法， 以曝露基底層更包括：:刻Si電層以唤露留下之第二犧牲層及 第二導電層；以及 蝕刻第二導電層的曝露部分以曝露基底層· lilt:: 9項所述之方法，其中基底層更包括 由氧化物所形成的一絕緣層及沉積在 Si3N4的餘刻停止層》 16.如申請專利範圍第9項所述之方法’ 含使用化學蒸氣沉積法沉積之多元矽' 匕 * ’其中第二犧牲層包 含使用化學蒸氣沉積法沉積之Si〇2。 18.如申Jf專利範圍第9項所述之方法2,更包括在儲存胞元 結構上沉積一介電質及在介電質上沉積一頂部平面以 形成一多冠儲存電容器》 19· 一種用於半導體記憶裝置上的多冠儲存電容器，包括 一棊底層’包括由一氧化物所形成之平面化絕緣層； 一第一摻質導電層，包括： 形成於通路内的一第一冠基底；以及 0鄰近於第一冠基底的第一冠及形成一通路上約為 圓柱形的延伸與第一冠隔開且圍繞第一冠； 四冠儲存胞元結 其中蝕刻導電材料 部分的 絕緣層上包含 (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 18-
    經濟部中央橾準局貝工消費合作枉甲楚 AK B8 C8 D8 ________ 六、申請專利範圍 沉積在冠表面及冠基底表面的介電質； * 在介電質上被覆一頂部平面導電層以形成一雙冠儲存 電容器。 20·如申請專利範圍第19項$述之多冠儲存電容器，更包 括： 一第三p-摻質導電層，包括： 形成於通路内的一第三冠基底及被覆第二冠基 .-底； 連接至第三冠基底的一第三冠，此第三冠在基底 層的頂部形成一約為圓柱形的延伸與第二冠隔開且圍 繞第二冠；以及 在第三冠及第三冠基底沉積介電質以形成一三冠儲存 電容器》 = . % 21，一種記憶雜成置，包括： 一气導體層； 在半導體層的面上沉積一電晶體，此電晶體包括第一 及第二源極/汲極區域及一閘極； 一位元線電氣的耦合至第一源極/汲極區域； 在記愫體裝置上沉積一絕緣區域，此絕緣區域包括一 在第二源極/汲極區域之上的通路； 一儲存節點結構接觸第二源極/汲極區域，此儲存節點 結構包括一第一冠沿著通路的内牆並延伸過絕緣區域 離開通路，此儲存節點結構更包括一第二冠由絕緣區 域延伸離開且與第一冠分隔開； 一 一 張( CNS > 从祕(210X297公釐 j ' (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 391064 g 六、申請專利範圍 在儲存節點結構上沉積之一介電質層；以及 * 在介電質層上沉積之頂部平面導電體層。 .V 22. 如申請專利範圍第21項所述之記憶體裝置，.其中儲存 節點結構更包括一第三P由絕緣區域延伸離開且與第 二冠分隔開。 23. 如申請專利範圍第21項所述之記憶體裝置，其中儲存 節點結構更包括多個額外的冠由絕緣區域延伸離開， 、-且其中每一冠且與其它冠相互分隔開。 24. 如申請專利範圍第21項所述之記憶體裝置，其中這些 冠包含一導電材料。 25. 如申請專利範圍第21項所述之記憶體裝置，其中這些 冠包含多元碎。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -20 - ^紙張尺度適用中國國家榇準（匚阳）八4規格（210父297公釐）
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