TW384515B - Electronic device and its manufacturing method - Google Patents

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TW384515B
TW384515B TW085116146A TW85116146A TW384515B TW 384515 B TW384515 B TW 384515B TW 085116146 A TW085116146 A TW 085116146A TW 85116146 A TW85116146 A TW 85116146A TW 384515 B TW384515 B TW 384515B
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insulating film
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nitrogen
silicon
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Masanori Miyazaki
Koichi Fukuda
Masaru Kubota
Tadahiro Ohmi
Osamu Yoshida
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Frontec Inc
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A7 £7___—_ 五、發明説明（1 ) (產業上之利用領域） 本發明係有關於一種電子元件及其製造方法，更詳細 地說係有關於在被形成在絕緣性基底之表面的導電性構件 上形成有氮化矽系之絕緣膜之電子元件及其製造方法。 (習知技術） 電子元件則以使用在驅動圖9所示之主動矩陣液晶.顯 示元件之薄膜電晶體（以下稱爲「TFT」）爲習知技術 的例來加以說明。 圖10係表圖9之沿著X—X線之斷面圖，而概念式 地表示TFT陣列部分。此外，圖1 〇係一概念式表示者 ，其尺寸與實際之元件完全不同。 在圖1 0中，1 0 9係被圖案形成在基板1 0 5上之 閘電極（配線圖案），110係閘配線（配線圖案）， 103係絕緣膜，其中，103a係閘絕緣膜，103b 係配線交叉部之層間絕緣膜。 111係源極、112係源極配線、1 1 3係汲極· 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該閘絕緣膜1 0 3 a或TFT陣列之多層金屬配線之 交叉部103b大多使用氮化矽薄膜。 該氮化矽薄膜之組成，其中矽：氮的原子比約爲3 : 4，爲了要使膜的品質能夠穩定化，則最好含有微量的氫 。該絕緣膜主要是以電漿CVD法（化學'h相澱積法）來 形成膜，而一般之原料氣體係使用矽烷-氮系、矽烷一氨 一氮系、砂院一氨一氫系、砍焼—氮一氫系，更者砂院一 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ 4 - A7 B7_ 五、發明説明（2 ) 氨一氮一氫系。 然而，使用該氮化矽絕緣膜作爲閘絕緣膜1 0 3 a或 多層配線之交叉部之層間絕緣膜1 0 3 b之以TFT爲代 表的電子元件，在閘極1 0 9、閘極配線11 0以及經由 絕緣膜而形成之配線（源極配線1 12、源極1 1 1等） 之間會有產生電性短路的情形。特別是對髙積體化之大面 積基板而言發生上述短路的機率非常高。上述短路係在使 用最終產品之時或是製造過程中產生。當爲最終產品時， 則具有會導致製品之可靠性降低的缺點，又在製造過程時 ，則具有導致良品率降低的缺點·例如在形成源極配線 1 1 2等後，爲了要形成接觸孔（contact hole)乃實施 光蝕刻過程，而在此過程中，在源極配線1 1 2與閘極配 線1 10或是閘極1 0 9之間會產生絕緣破壞。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁). 根據該缺點係起因於在絕緣膜中存在有針孔（pin hole)而在日本國專利特開昭58 -190042號公報 ，乃採用非滲雜（nondope)之非晶政（amorphous silioon)層11 5疊層在閘極配線1 1 0與源極配線 112之交叉部上之所謂多層絕緣膜構造而意圖解決上述 缺點。伹是，該技術，究竟絕緣層不是一層構造，既然必 須是多層絕緣膜構造，則難免製造過程會變得複雜。 爲此，期待即使是一層的絕緣層構造，亦具有優越的 絕緣特性，且容易製造之以T F T爲代表的電子元件。 特別是現在由於電子元件在過於嚴苛之環境下使用之 頻率爲高，因此期待絕緣膜之絕緣耐壓有1 〇 〇 V以上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（3 ) 又，由電子元件之微細化的觀點來看’則期待絕緣膜之膜 厚在50〇nm以下，最好是抑制在200〜400nm 。因此，即使是2 0 0 nm左右之薄的厚度’仍期待具有 1 〇 〇 V以上之絕緣耐壓之絕緣膜。 而現在足以滿足上述要求之電子元件仍未被開發出。 又以往之電子元件之絕緣膜，使用在驅動例如圖9及 圖1 0所示之主動矩陣液晶顯示元件之T F T陣列之多層 金屬配線之交叉部的絕緣膜1 〇 3則大多使用氮化矽薄膜 。該膜係主要由CVD法來形成，而原料氣體系則使用周 知之矽烷一氮系、矽烷-氨一氮系、矽烷一氨一氫系、矽 烷一氮一氫更者矽烷一氬一氮-氫系。此時爲了使膜的品 質能夠穩定化，乃在3 0 0 °C以上之溫度下來成膜，該溫 度係一較被使用在電子元件爲多之非晶矽之成膜溫度有高 大約數+ °C的溫度•又，當藉噴濺法來形成同樣的絕緣膜 時，則將氬元素放在0.50Pa以上之環境下進行》 (本發明所欲解決的課題） 但是，由使用上述混合氣體系之c VD法或是噴濺法 而成膜之氮化矽薄膜，則與由矽之髙溫氧化所形成之氧化 膜不同，其中由於針孔多，而絕緣耐壓變爲不好，當使用 在電子元件時，只以1層時很難得到所必要的絕緣耐壓。 因此，如圖9及圖1 0所示，在TFT陣列中，將其他的 膜疊層在多層金靥配線間之交叉部，以作爲多層膜來獲取 所必要的絕緣耐壓。爲此，會有製造過程變得複雜的問題 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -----------0¾.------訂·----一I-Q (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) ~ 6 — 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 s_____B7___ 五、發明説明（4 ) ο 又，由於絕緣膜在CVD法下之成膜溫度高，因此在 成膜時，異物會大量自成膜裝置之內壁放出，而有對膜之 品質帶來惡劣影響的情形。 更者，對於具有直接與絕緣膜相接之非晶矽膜之 T F T的電子元件而言，由於上述絕緣膜與上述非晶矽膜 之成膜溫度不同，因此在第一層膜成膜後，爲了要達到下 一個膜的成膜溫度必須將基板之溫度冷卻或是加熱，使之 對於該溫度調節過程有需要花費長時間。 本發明係擬提供即使膜厚薄如0 . 2 左右之單層 絕緣膜構造，亦具有絕緣耐壓爲1 0 0 V以上之優異之絕 緣耐壓特性之絕緣膜之T F T爲代表之電子元件，以及能 使之有效率且確實地製造之製造方法。 (解決課題的手段） 爲了要解決上述課題，本發明之電子元件，主要係在 至少表面爲絕緣性之基底的該表面形成有導電性配線圖案 ，而以覆蓋上述基底以及上述配線圖案之一部分或是全部 來形成絕緣膜，其特徵爲：上述絕緣膜之主要成分爲矽以 及氮，上述矽：氮的比約爲3 : 4 ’而上述絕緣膜之稀有 氣體元素的含有率爲0.0 1〜3 atm%。 上述電子元件爲薄膜電晶體爲其理想。 稀有氣體元素爲氫元素爲其理想。 又有關本發明之電子元件之製造方法’主要係在至少 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
-7 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 ____B7___ 五、發明説明（5 ) 表面爲絕緣性之基底的該表面形成導電性之配線圖案，而 以覆蓋上述基底以及上述配線圖案之一部分或是全部來形 成主要成分爲矽與氮的絕緣膜，其特徵爲：用於藉電漿 CVD法而形成上述絕緣膜的氣體組成，係一至少含有矽 烷，氨，氮及稀有氣體元素的混合氣體，而上述稀有氣體 元素與氮氣之莫耳比爲稀有氣體元素/氮氣=0 · 1〜 1 0的範圍》 上述絕緣膜是在2 2 0 °C〜2 8 0乞之範圍下來成膜 〇 本發明方法中之電子元件係一具有直接接觸於上述絕 緣膜之非晶矽膜的電子元件，而上述絕緣膜與上述非晶矽 膜係在幾乎相同的溫度下製成。 再者，有關本發明之電子元件之另一製造方法，主要 係在至少表面爲絕緣性之基底的該表面形成導電性之配線 圖案，而以覆蓋上述基底以及上述配線圖案之一部分或是 全部來形成主要成分爲矽與氮的絕緣膜，其特徵爲：用於 藉噴濺法形成上述絕緣膜的靶體至少含有矽，而在噴濺成 膜時之環境氣體係一至少爲稀有元素氣體，氫氣，氮氣或 是氨氣的混合體系，而該些氣體的分壓爲稀有氣體元素分 壓爲0 . 20 — 0 · 40Pa ，氫氣分壓爲〇 . 02〜 0 . 1 5 P a。 稀有氣體元素爲氬元素爲其理想。 (作用） 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（210 X 297公釐） (#先聞讀背面之注意事項再填寫本貰) '裝. 訂 ~ 8 - A7 £7_ 五、發明説明（6 ) 以下則就實施本發明時所得到之見識來說明本發明之 作用。 本發明人乃對以往之電子元件重新進行探討。使電子 元件之耐壓惡化之原因乃有許多。例如氮化矽絕緣膜之膜 厚、膜的品質。 本發明人首先考慮氮化矽絕緣膜之膜的品質是否成爲 最大的原因。其中一者，在日本國特開昭 5 8 - 1 9 0 0 4 2號公報中乃舉出原因是絕緣膜中之針 孔，然而爲了要確認上述針孔是否爲導致絕緣膜特性惡化' 的唯一原因。爲此，乃形成針孔被減少之氮化膜，亦即， 利用電漿CVD法，控制基板溫度、RF電力、原料氣體 之組成來形成氮化矽絕緣膜，並確認有無針孔形成，以形 成幾乎沒有針孔之氮化矽絕緣膜》而察明即使是如此形成 之幾乎無針孔的氮化矽絕緣膜，亦無法確保充分的絕緣特 性* 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 根據本發明之電子元件，作爲絕緣膜之氮化矽薄膜的 絕緣耐壓乃可大幅地提升，且使用該薄膜之電子元件的絕 緣耐壓亦提升•本來因會成爲雜質而理應不受歡迎之稀有 氣體元素雖是微量狀，惟以包含有一定範圍之時會顯示令 人滿意的理由，雖然並不十分的了解，但是與矽或氮相比 ，在膜中可導入適量之惰性且穩定的元素，而想必是由於 一種楔塊效應而導致膜的穩定化。另一方面，當稀有氣體 元素過多時，則認爲氮化矽所擁有之優越的特性會被減低 而絕緣耐壓會惡化。 ^紙張尺度適用中國國家標芈（CNS ) A4規格（210X297公釐） ' -9 - A7 B7 五、發明説明（7 .) 前述電子元件係TFT之時，上述絕緣膜就形成可當 作T F T之閘極絕緣膜以及多層配線之交叉部的絕緣膜來 產生功能。因此，T F T之閘極上之絕緣膜的特性可以穩 定，而增進閘極耐壓或是多層配線間的絕緣耐壓。 前述稀有元素若使用與其他之稀有元素相比可以便宜 且穩定地獲得的氬元素之時，就能以便宜且穩定地來提供 上述電子元件。.而此乙事對於產業上非常有用。 根據本發明之電子元件之製造方法，在製造以c V D 法形成主要成分爲矽與氮之絕緣膜的電子元件時，用於形 成上述絕緣膜之稀釋氣體則使用氮與稀有元素，由於氮與 稀有元素之混合比係設在稀有元素/氮=0 . 1〜10之 範圍，因此可將一定量之稀有氣體元素導入絕緣膜中，而 增進電子元件之絕緣耐壓。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 {讀先M讀背面之注意事項再填寫本頁) 由於稀有氣體元素氣體，其中表示電離容易度之特性 的電離特性與氮不同，因此藉在稀釋氣體中添加稀有氣體 元素而控制混合氣體的組成，就能夠獨立地控制CVD成 膜中之電漿密度與電漿之電位（potential )。根據發明 人等之實驗，當稀釋氣體之氮含有率增加時，則電漿之電 位會增加。亦即，有適度的氮含率’雖然可以得到緻密且 良質的絕緣膜，但是若氮之成分過度增加時，則會對成膜 中的膜帶來損傷。另一方面’稀有氣體元素組成’則與電 漿密度的控制有關，當稀有氣體含有率少择’雖然電漿密 度之分布良好，但是密度低，相反地’當稀有氣體含有率 過多時，則電槳密度之分布會變差，而在基板端部容易產 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央標準扃員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（8 ) 生異常放電。因此，在稀釋氣體中之氮與稀有氣體元素的 組成比乃存在最佳範圍，若是在上述之組成範圍內，則不 會對成膜中的膜造成損傷又不會產生異常放電，並可得到 緻密且絕緣耐壓高之良質的絕緣膜。 倘若上述絕緣膜之成膜溫度低到2 2 0 °C〜2 8 0°C ，就在成膜時，異物較少自成膜裝置之內壁放出· 在本發明方法之電子元件之製造方法，由於絕緣膜與 上述非晶矽膜幾乎是以相同之溫度來成膜，因此在形成第 一層的膜後，不需要對基板實施冷卻或是加熱，即可立即 地形成下一個膜，在溫度調節過程不需要花費長時間。 再者，根據有關本發明之電子元件之另一製造方法， 可以導入較以往以噴濺法所形成之絕緣膜較少之一定量的 稀有氣體元素，由於膜的構造可以穩定化，因此可增進電 子元件的絕緣耐壓。又由於含有適量的氫氣，因此氫原子 可與在所形成之膜中之矽原子之未結合鍵結合而減少膜中 之缺陷，同時可增進電子元件之絕緣耐性。 又，由於對象目檩係使用矽結晶或是氮化矽之燒結體 ，因此亦可不使用危險且必須慎重處理之矽烷氣體、 有關上述本發明之電子元件之另一製造方法，做爲稀 有氣體元素，若使用與其他之稀有氣體元素相比可以便宜 且穩定地獲得的氬元素時，就能以便宜且穩定地來提供上 述電子元件，而該一點對於工業上非常有用。 (實施態樣例） 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐] „ ； 裝 ϋ I 訂—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -11 - 經濟部中央樣準局員工消費合作杜印製 A7 ___B7 ___ 五、發明説明（9 ) 以下，就本發明之構成與實施態樣例分別說明。 (電子元件） 在本發明中作爲對象的電子元件，係一在至少表面爲 :絕緣性之基座的該表面形成導電性的配線圖案，而以覆蓋 上述基底以及上述配線圖案之一部分或是全部來形成氮化 矽絕緣膜的電子元件。 上述電子元件可例如爲T F T元件、電容元件、發光 元件、光感測器、太陽電池等。 此外，基底亦可直接使用只要至少其表面爲絕緣性， 而其本身爲絕緣性的基底（例如、玻璃等之陶瓷基板）、 又亦可使用導電性基底、在半導體基底之表面上形成絕緣 膜（例如S i 02膜、s i3N4等）者。可依電子元件的 種類來適當選擇。 又*本發明雖然對於絕緣膜層爲一層構造時特別有效 ，但是對於多層構造時，絕緣耐壓可以更加提升’而該場 合亦包含於本發明之範圍內。 導電線之配線圖案，其材料雖未特別限定’但是亦可 適當使用例如C r，A)2，Cu ’其他之金靥或是合金。 又，配線圖案之線寬，在閘電極最好是在1 〇 以下’ 而7 以下更佳，5 爲最佳。又，厚度最好是 1 0 0〜2 0 0 nm。當在該範圍內時’則可以減少 T F T陣列上之配向膜表面的段差，而可以改善L C D之 顯示性能* 本紙張尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（210X297公釐） .----------裝------訂------ώ ..—\ - is (讀先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) -12 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（10 ) (絕緣膜膜厚） 在本發明中，絕緣膜的厚度最好是在5 Ο Ο n m以下 ，又更好是在2 0 0〜4 0 0 nm ·即使是如2 0 0 nm 之薄的情況，亦顯示可以得到1 〇 〇 V以上之絕緣耐壓之 處，具有大的特徵。 (實施例） 以下舉出本發明之實施例加以詳細說明。此外當然本 發明之範圍並未限定於以下之實施例。 (實施例1 ) 本發明之電子元件爲電容元件之實施例則利用圖1來 說明。圖1(A)係表示電容元件127之俯視概略圖。 圖1(B)係沿著圓1 (A)之線的斷面概略 圖。電容元件1 2 7之構成係在縱橫各1 cm之基板 1 0 5表面經由絕緣膜1 2 5形成有下側配線端子1 2 8 以及被連接在此之下側配線1 2 1、與上側配線端子 1 2 9以及被連接在此之上側配線1 2 3。而上側配線 1 2 1與上側配線1 2 3之交叉處在1 〇行X 1 〇列中共 有1 0 0處，而各配線係由C r所形成’其膜厚以及線寬 設成0 . 1/zm以及又’絕緣膜125則是依後 述之CVD法來形成，其膜厚爲〇·2μιη· 膜之主要成分爲矽與氮，係一元素比約爲3 : 4的氣 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） .—'1 -------;裝------tT------lj ,' /.V (#先閱讀背面之注意事項再填寫本萸) A7 B7 五、發明説明（11 ) 化矽薄膜，使用膜中之氬元素含有率自0 a t m% (以往 之絕緣膜）到超過3 a t m%爲止之絕緣膜1 2 5 *此外 ，氬元素之定量分析則是使用巴津耶魯馬公司製的S I Μ 6 6 0 0而進行。在該電容元件1 2 7，電荷係被保存在 下側配線1 2 1與上側配線1 2 3之1 〇 〇處的交叉部。 使用該電容元件1 2 7，利用休魯特巴卡德公司製之 # 4 1 4 2 Β來測量下側配線端子1 2 8與上側配線端子 1 2 9之間的絕緣耐壓。 結果則表示在圓2。在圖2中，縱軸表絕緣耐壓，橫 軸表膜中之氬元素含有率，絕緣耐壓一般必須要在1 〇 〇 V以上，由圖2可知，當電容元件1 2 7之絕緣膜1 2 5 之氬元素的含有率不到0 . 0 1 a t m%時，則絕緣耐壓 會成1 0 0 V以下。相反地，當氬元素之含有率即使是超 過3a tm%，則絕緣耐壓亦成爲100V以下。氬元素 的含有率最好是0 . 0 1 a tm%〜3 a tm%，更者， 則確認最好爲1 a tm%〜2a tm%。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 利用福雷庫薩斯公司製的基板應力測量裝置來測量上 述絕緣膜1 2 5之內部應力的結果則表示在圚3中◊在圖 3中，縱軸表內部應力，橫軸表膜中之氬含有率。內部應 力一般而言，絕對值小者爲好，而必須在±4 x 1 〇β d y n/Crri以內。由圖3可知，當電容元件12 7之絕 緣膜1 2 5之氬元素的含有率不到0 . 0 l a t m%時， 則內部應力超過4X 1 〇edy n/cma，相反地，即使 氬元素之含有率超過3 a tm% ’內部應力則在 本紙張尺度遑用中國國家標準（CNS ) A4規格（210x297公釐） A7 B7 五、發明説明（12 ) ~4 X 1 Oed y n/ciri以下，而氬元素之含有率則最 好是0 . 0 1 a tm%〜3 a tm%，更者，則確認最好 爲 latm% 〜2atm%e 如以上所詳述，若是一使用氣元素之含有率在 0 · 〇 1 a tm%〜3 a tm%之範圍的氮化矽薄膜當作 絕緣膜之本實施例所記載之電容元件時，則可確認即使是 單層的絕緣膜，亦具有充分的絕緣耐壓》 其次，則詳述本實施例中所使用之絕緣膜125的成 膜方法。絕緣膜1 2 5係利用阿鎳爾巴公司製之平行平板 型的一字型之成膜裝置並由從表1所示之成膜條件No . 7到成膜條件No.12爲止之各種條件的CVD法來形 成膜。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 i紙張尺度it财國S( 21 OX297公釐) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（13 ) 〔表1〕 氣化矽薄膜成膜條件 成膜條件 No. 7 No. 8 No. 9 No. 10 No. 11 No. 12 導 入 氣 體 條 件 *1 矽烷 30 30 30 30 30 30 氨 60 60 60 60 60 60 氮 1000 900 750 250 90 0 氬 0 90 250 750 900 1000 壓力 100 Pa 激發頻率 13.56 MHz 高頻電力 0· 11 ff/cra2 成膜溫度 220 °C 注*1 導入氣體單位爲S c c m (討先閔讀背面之注意事項再稹寫本頁) 裝. -6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（14 ) 由以表1所示之成膜條件所形成之絕緣性1 2 5的膜 特性則表示在表2。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 準 標 家 國 國 中 用 .適 度 尺 張 -紙 本 I釐 公 7 9 2 :ml— (n m^i ^^1 ^^^1 ml ^^^1 m (詩先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 0: 17
7 7 A B 五、發明説明（15 ) 〔表2〕 依據成膜條件之膜持件 成膜條件 No. 7 No. 8 No. 9 No. 10 No. 11 No. 12 膜元素組成 矽=氮 3:4 3:4 3:4 3:4 3:4 3:4 M a t m % 0 0. 01 1 2 3 3. 5 絕緣耐壓（V) 20 100 175 200 100 20 內部應力*1 4.2 2 0 -2 -3.8 -5. 6 注*1內部應力，正者爲拉伸應力，負者爲壓縮應力。 又，單位爲1 09d y n/ciri ,-----------1,裝------訂------Q (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（21〇Χ297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（16 ) 由表2可知，主要成分，在所有的條件皆爲矽與氮， 該元素組成比，根據X線光電子分光分析裝置（巴金耶爾 馬製pHl 5 5 0 0 )之測定的結果約爲3 : 4。膜中之 氬元素含有率，在氣體組成中未含有氬氣體之習知成膜方 法的情況下（成膜條件No .7)當然爲0 a tm%，而 在氣體組成之稀釋氣體（氮與氬）全部皆做爲氬氣體時（ 成膜條件No . 12)，則爲3 . 5a tm%。當將該稀 釋氣體之組成設成氮1 0 0%或是氬1 0 0%時，則絕緣 耐壓低到20V。相對於此，如成膜條件No.8到成膜 條件No · 1 1所示，在稀釋氣體之氬/氮的值在〇 . 1 (成膜條件N 〇 . 8 )〜1 0 (成膜條件No. 11)的範 圍時，.則在絕緣膜中放入0 . 0 1 a tm%〜3 a tm% 的氬元素，如圖2所示，分別顯示有1 0 0V以上之良好 的絕緣耐壓。更者，如成膜條件No.9以及成膜條件 No . 10所示，在稀釋氣體之氬/氮的值爲〇 . 33 ( 成膜條件No . 9)〜3 (成膜條件No · 10)的範圍 時，則在絕緣膜中放入1 a tm%〜2a tm%的氬元素 ’而分別爲3 0 0 V以上，顯示更佳之絕緣耐壓。 又，如表2所示，當藉成膜條件改變內部壓力，而將 稀釋氣體之組成設成氮100%(成膜條件No.7)或 是氬100% (成膜條件No . 12)時，則顯示內部應 力分別爲 4 . 2xl〇edyn/ciri 以及一 5 . 6x 1 09d y n/Cma之大的絕對值。在該些元件中，內部 應力必須要在±4 X 1 〇ed y n/ciri以內。相對於此 本紙張尺度適用中國國家標毕（CNS ) A4規格（21〇X297公釐） (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 -19 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 17 ) 1 I 9 如 成 膜 條 件 N 0 .8到成膜條件Ν ο . 1 1所 示，在稀 1 釋 氣 體 之 Μ / 氮 的 值在0 . 1 (成膜條件 No . 8 )〜 1 1 0 ( 成 膜 條 件 N o.ll) 之範圍下， 如圖3 所示，則 許 1 ] 顯 示 內 部 應 力 分 別 爲 2 X 1 0 0 d y η / (. :iri 至- -3.8 先 Μ 讀 X 1 0 9d y n/ciri之小的絕對值。更者，如成膜條件 背 面 1 之 1 I N 0 8 至 成 膜 條 件 Ν 〇 . 1 0所示，在 稀釋氣 體之氬/ >主 意 1 I 事 1 氮 的值 爲 0 . 1 ( 成膜條件N 〇 . 8 )〜 3 (成 膜條件 項 再 1 / 、 填 ν ； 裝 N 0 • 1 0 ) 之 範 圍下，內部 應力則在於 ± 2 X 1 0 9 本 頁 d y η / C πί 之 範 圍內，而顯 示更良好之 內部應 力的特性 1 1 | 更 者 在 表 1 所示之成膜 條件中，僅 將成膜 溫度設成 1 1 1 訂 1 2 8 0 °C 來 形 成 絕 緣膜1 2 5 。結果，膜 元素組 成以及絕 緣 耐 壓 則 顯 示 與 表 2所示之特 性相等，只 有內部 應力移位 1 1 約 2 X 1 0 9 d y r 1 / c rri到拉伸應力側 亦即 .當將稀 1 | 釋 氣 體 之 組 成 設 成 氮 1 0 0 % (成膜條件 No. 7 )或是 6 氬 1 0 0 % ( 成 膜 條件N 0 . 1 2 )時， 則顯示 內部應力 1 I 分 別 爲 7 X 1 0 0 d y n / c η [ί 以及一 4 X 1 0 β άγη/ 1 1 I C nf 之 大 的 絕 對 值 ，而如成膜 條件Ν 〇 . 8至成 膜條件 1 1 N 0 1 1 所 示 在稀釋氣體 之氬./氮的 值爲0 .1 (成 膜 條 件 N 0 • 8 ) 〜1 0 (成 膜條件Ν 〇 • 1 1 )之範圍 | 下 如 圖 3 所 示 顯示內部應 力分別爲4 X 1 0 9 d y η 1 I / C πί — 2 X 1 〇 0 d y n / C πί之小的絕對值。更者 1 1 1 如 成 膜 條 件 N 0 .9至成膜 條件Ν 〇 . 1 1所 示，在稀 1 1 I 釋 氣 體 之 Μ / 氮 的 值爲1 (成 膜條件Ν 〇 • 9 ) 〜1 0 ( 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4C格（210X297公釐） A7 B7___ 五、發明説明（19 ) 施例1中所使用之絕緣膜的實施例。此外’圖5係表示沿 著圖4之V — V —線的斷面概略圖。 T F Τ之基本構造如以往所知，係一反向交錯構造， 在一面上形成有作爲像素電極之一定形狀之透明電極 107之玻璃基板（康寧# 7 059) 105的表面形成 C r膜之膜厚爲0 . 1 ，而寬度爲7 em之閘極配線 1 1 0以及與此呈連續之寬度爲15 jwm的閘極1 〇 9。 在基板1 0 5以及閘極配線1 1 0之上則由膜厚爲0 . 2 之氮化矽形成絕緣膜1 0 3。在該絕.緣膜1 0 3之表 面則疊層有由藉氫而被穩定化之非晶矽所構成的半導體層 115 (膜厚0 .2/zm)，更者，則經由通道部疊層有 由添加有磷之非晶矽所構成的歐姆接觸層117(膜厚 0.02#111)以及由（：1*所形成，寬度爲12从111的源 極1 11與汲極1 1 3。在源極1 1 1連接有寬度爲7 以m的源極配線1 1 2，在汲極1 1 3則經由接觸孔連接 有透明電極107。該TFT 101之通道長度爲7 从m、通道寬度爲12μπι。 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 對該TFT，當與實施例1同樣地對閘極配線1 1 〇 與源極配線1 1 2之間的絕緣耐壓進行評價時，則根據絕 緣膜中之氬元素的含有率，可以得到與電容元件所得到之 圖2同樣的耐壓特性，當將氬元素之含有率在〇 . 〇 1 a t m%〜3 a t m%之範圍的氮化矽薄膜當作絕緣膜使 用之T F T時，確認即使是單層的絕緣膜，亦具有充分的 絕緣耐.壓。此外，該些TFT之閾值（臨限傖> 、ON電 _本紙張认適用中國國家標準（〇則八4胁（21〇><297公釐)' -22 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（20 ) 流、Ο F F電流則全部與使用以往未含有氬元素之氮化矽 之絕緣膜的T F T的特性同等而完全沒有問題。 在本實施例中所使用之絕緣膜1 0 3的成膜方法，則 與上述實施例1相同，而依上述表1所示之成膜條件 No . 7到成膜條件No . ΐέ的各種條件以及與上述實 施例1同樣地改變成膜溫度、原料氣體組成、稀釋氣體相 對於原料氣體流量的流量等特性之C VD法來成膜。其結 果所獲得之絕緣膜1 0 3之膜特性爲與前述表2所示之膜 特性相同，而對於主要成分，所有的條件均爲矽與氮，其 元素組成比約爲3 : 4，膜中之氬元素含有率則根據成膜 時之氣體組成中之稀釋氣體的氬氣含有率而爲0 a tm% 〜3 . 5a tm%。又，絕緣耐壓，內部應力均如上述實 施例1所示。 如上所述，藉使用與實施例1所說明之絕緣膜同等的 絕緣膜，可以使絕緣膜1 0 3之絕緣耐壓在1 〇 〇 V以上 ，而內部應力則在於±4元素X 1 〇9d y n/cm*的範 圍內，並確認使用該些絕緣膜之TFT較使用以往之絕緣 膜者爲佳。 (實施例3 ) 本實施例與實施例2之不同點僅在於所使用之絕緣膜 1 0 3的成膜方法’以下將對於使用在成形之噴濺法加以 詳述。絕緣膜1 0 3係根據表3所示之成膜條件N 〇 . 13到成膜條件No.18之各種條件的噴濺法來成膜。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0^^着） ----- ,__Γ-----r)裝----,—訂------ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 23 A7 B7 五、發明説明（21 ) 在表3中同時記載所形成之絕緣膜103的膜特性 L---„------裝！ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4C格（210X297公釐） 24
B 五、發明説明（22 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 〔表3〕 喳濺成膜條件以及膜特性 成膜條件 No. 13 No. 14 No. 15 No. 16 No. 17 No. 18 對象 矽 氮化砂 環境氣體條件（P a) Μ 0.10 0.20 〜0.40 0.50 0. 10 0.20 〜0.40 0.50 氫 0.02 〜0.15 0.02 〜0· 15 0.02 〜0.15 0. 02 〜0· 15 0.02 〜0· 15 0. 02 〜0· 15 全壓力 2.0 激發頻率 13.56 MHz 高頻電力 35 W/cm2 成膜溫度 280°C 〜320°C 膜元素組成 矽：氮 - 3:4 3:4 - 3:4 3:4 氬 a t m% - 0.01 〜3 5 - 0.01 〜3 5 絕緣耐壓（V) - 100〜 180 20 - 100〜 150 20 內部應力 - -2 〜-3 -6 - -2 〜-3 -6 注1 :內部應力，正者爲拉伸應力，負者爲壓縮應力。 又，單位爲109dyn/cma 2 :當氬分壓爲0 . 1 P a時，則幾乎無法形成膜。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、vs Γ -25 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（23 ) 由表3可知，所形成之膜的主要成分，所有的條件皆 爲矽與氮，其元素組成比與實施例1同樣地約爲3 : 4 » 在環境氣體之氬氣分壓爲0.10Pa (成膜條件No. 13以及成膜條件No.16)下，則不管目標對象之種 類，氫分壓，成膜溫度如何，電漿均無法穩定，而幾乎不 能形成膜。此外，環境氣體亦使用了氮氣或是氨氣（在對 象使用矽之成膜條件No.13至成膜條件No.15時 ，氮元素被放入膜中當作一部分之反應氣體）。相對於此 ，隨著環境氣體組成中之氬氣分壓增加到0 . 2 0 P a〜 0 . 40Pa (成膜條件No . 14以及成膜條件No . 1 7 )之範圍，電漿會變得穩定，而可穩定地形成膜，膜 中之氬元素含有率則增加到0 . 0 1 a t m %〜3 a t m %。對於在以往含有0 . 50Pa (成膜條件No . 15 以及成膜條件Ν ο . 1 8 )左右之氬氣之環境氣體下的成 膜，則膜中之氬含有率爲5 atm%» 所成膜之氮化矽薄膜之絕緣耐壓以及內部壓力，則如 表3所示，在成膜條件No.14以及成膜條件No. 1 7中顯示有良好的結果，顯示具有可適合作爲TFT之 絕緣膜的特性。相對於此，在以往大量使用氬氣之噴濺法 (成膜條件Ν 〇 . 1 5以及成膜條件Ν 〇 . 1 8 )，則絕 緣耐壓爲2 0V左右，內部應力爲一 6 X 1 0ed y η/ cni左右，並不適合作爲TFT之絕緣膜使用。 如上所述，在成膜條件No . 14以及成膜條件 No . 17下，絕緣膜103之絕緣耐壓在100 V以上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210χ297公着） ---Γ------: )裝-- (诗先聞讀背由之注意事項再填寫本X) -3 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A 7 B7 五、發明説明（24 ) ，而內部應力則在於±4 X 1 Oed y n/cm*的範圍內 ，可確認使用該些絕緣膜之T F T較使用以往之絕緣膜者 爲佳》 本實施例之環境氣體組成中的氬分壓爲〇.02〜 0 . 1 5P a。在該範圍內可以得到大致同等的膜特性。 該氫元素被認爲對氮化矽膜中之未結合鍵的終端處理極有 貢獻。又，在表3中雖然是表示全部壓力爲2.OPa之 條件，但是全部壓力約爲1·OPa〜7.OPa時，亦 可得到大約同等的膜特性*又，根據本實施例，由於對象 係使用矽結晶或是氮化矽的燒結體*而具有可不使用危險 且需慎重處理之矽烷氣體的效果。 (實施例4 ) 本實施例與實施例1之不同點僅在於絕緣膜12 5之 形成方法，以下將對於用於形成之離子注入法加以詳述。 對於在上述成膜條件No.7所得到之絕緣膜，藉離 子注入法將氬元素摻雜。氬元素之摻雜係使用巴里昂公司 製之具有熱陰極放電型之離子源的裝置來進行，加速電壓 爲1 5 OkV、離子電流爲8 0 0 μΑ。依各種處理時間 所得到之膜中之氬元素含有量則使用上述巴金耶爾馬公司 製的S ΙΜ 6600來進行，結果，則與上述表2所示 之結果同樣地，可以得到氬元素之含有率在〇 . 0 1 a tm%〜3a tm%之範圍內’且100V以上之良好 的絕緣耐壓。 本紙張尺度通用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -27 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _：_^_ B7_____ 五、發明説明（25 ) 如上所述，當使用一將氬元素之含有率在〇 . 〇 1 a tm%〜3 a tm%之範圍的氮化矽薄膜當作絕緣膜使 用之本實施例記載的電容元件時，可確認即使是單層的絕 緣膜，亦具有充分的絕緣耐壓。 如上所述，氮化矽之絕緣膜，不管CVD法，噴濺法 或是離子注入法等之絕緣膜的製法爲如何，藉在膜中含有 0 . 0 1 a t m%〜3 a tm%的氬元素，就可成爲具有 良好絕緣耐壓的膜。因此，使用該絕緣膜的電子元件，即 使是單層的絕緣膜，亦可得到充分的絕緣耐壓。 (實施例5 ) 將說明本發明之電子元件爲MO S型電晶體的實施例 •做爲Μ 0 S型電晶體鈍化（passivation)膜則使用依 上述表1所記載之成膜方法所成膜之氮化矽的絕緣膜。在 本實施例中，MO S型電晶體之各種特性乃形成穩定《其 中，對於鈍化膜之特性則有敏感的關係，有關鈉離子之浸 透性，則使用圖6來詳細說明。圖6係表示膜中之氬元素 含有率與浸透在鈍化膜中之鈉離子之峰值濃度的關係。鈉 離子之浸透試驗係將作爲試件之MO S型電晶體在一般室 內之大氣環境中加熱2 0小時到5 5 0 °C而進行。此外， 對於鈉離子之峰值濃度的測量’則是使用上述巴金耶魯馬 公司製的S IMS 6600，邊將膜噴濺於深度方向而 邊進行者。 由圖6可知，當MOS電晶體之鈍化膜之氬元素的含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ill·-------一裝------訂------Q (#先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -28 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（26 ) 有率爲0 . Ol a tm%〜3a tm%時，則可確認鈉離 子之浸透量非常少。結果顯示氬元素之含有率在0 . 01 a t m%〜3 a t m%之鈍化膜係一非常緻密的膜，又， MO S電晶體之絕緣耐壓亦可由上述表2之結果所預測般 的良好。 以上，稀有氣體元素雖是說明氬元素的實施例，但是 本發明之效果並不爲其所限定，其亦可使用氦元素、氖元 素、氪元素或是氙元素等之稀有氣體元素，只是與其他元 素相比較，使用便宜且容易穩定得到之氬元素，對於產業 上最爲適合。 (實施例6 ) 在本實施例中，與實施例2同樣的TFT陣列電子元 件的絕緣膜103、由非晶矽所構成之半導體層1 1 5， 更者，由添加磷之非晶矽所構成的歐姆接觸層1 1 7全部 在2 5 0 °C下成膜。絕緣膜1 0 3之其他的成膜條件則如 表1所示，其他之各條件則與實施例2相同。 本實施例之絕緣膜1 〇 3、由非晶矽所構成的半導體 層1 1 5，更者由添加有磷之非晶矽所構成的歐姆接觸層 1 1 7，在成膜時的溫度曲線則在圖7中以實線來表示· 比較例則是以藉以往未含有稀有氣體元素之CV D法來形 成絕緣膜時之一般成膜溫度（3 2 0 °C)來形成絕緣膜， 在冷卻到2 5 0 t後’由非晶矽所構成之半導體層1 1 5 以及由添加磷之非晶矽所構成之歐姆接觸層1 1 7，在成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） —2 9 _ (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 _ B7____ 五、發明説明（27 ) 膜時之溫度曲線在圖7中係以虛線來表示。 在圖7中，A及B分別係將基板投入本實施例以及比 較例之成膜裝置，而形成上述三層直至拿出基板爲止的時 間。其中，A 1 ，B 1爲形成絕緣膜所需的時間（1小時 )，A2，B 2爲形成由非晶矽所構成之半導體層所要的 時間（30分鐘），更者，A3，B3爲形成由添加有磷 之非晶矽所構成之歐姆接觸層所要的時間（1 0分鐘）。 本實施例與比較例相等。形成三層膜所需的時間，雖如上 所述爲1小時4 0分鐘，但是自投入基板到拿出爲止的時 間則有顯著差異，而此是由於溫度控制之時間有顯著差異 使然。 到達絕緣層成膜溫度爲止之時間，在比較例要3 0分 鐘，而在本實施例則大約爲2 0分鐘。又，爲了要形成由 非晶矽所構成之半導體層，在比較例需要1小時3 0分鐘 冷卻到2 5 0 °C，在本實施例，由於係在與絕緣膜成膜溫 度同溫下來成膜，因此在形成絕緣膜後，立即開始形成半 導體層。結果，自投入基板到完成所有之成膜，將基板冷 卻到室溫而自成膜裝置取出爲止所需的時間，比較例需要 4小時3 0分，而本實施例則需2小時5 0分，本實施例 所用之時間縮短1小時4 0分（約3成）。在本實施例中 ，成膜所用的時間可大幅地被縮短，且成膜裝置並不需要 設置一在形成絕緣膜後用於調節溫度的機構，因此變得更 輕巧，且清潔室（clean room)內之設置面積可以較小， 而非常的經濟。 本紙張尺度埠用中國國家標準（CNS > A4規格（21 Οχ297公釐）^ · 一 -30 - ^IL------Γ 裝-------訂------ο (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（28 ) (實施例7 ) 本實施例係在將成膜溫度設成3 2 0 °C、3 0 〇°C、 280 °C、250 °C以及220，而與上述實施例6同樣 地以相同的溫度來形成絕緣膜1 〇 3以及由非晶矽所構成 之半導體層1 1 5 ,其他之各條件則與實施例2相同。 對如此所形成之由非晶矽所構成之半導體層1 1 5中 之異物的個數加以計數，其結果顯示在圖8 ·橫軸乃表示 2層之連續成膜溫度，縱軸乃表示在同一條件下所形成之 10 0個lcnf基板之表面所能認出之異物的個數。由圖 8可知，很明顯地，成膜溫度低者，異物的個數少，特別 是當成膜溫度下在2 8 0 °C以下時，該傾向特別明顯》 (發明之效果） 如上所述，本發明之電子元件，由於所使用之絕緣膜 的絕緣耐壓高，因此即使絕緣膜爲單層構造，亦可得到必 要的絕緣耐壓。因此，在製造本發明之電子元件時，不需 要將絕緣層設成多層構造之手續（工時）·該效果，在T F T中亦能發揮。 根據本發明之電子元件的製造方法，由於所得到之電 子元件之絕緣膜的絕緣耐壓高，因此即使絕緣膜爲單層構 造，亦可得到必要的絕緣耐壓。因而不需要將電子元件之 絕緣膜設成多層構造的手續，能以單純的過程加以製造。 更者，若根據藉噴濺法而得到絕緣膜之電子元件的製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） hi!卜-----()裝—------ 訂----—Q (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -31 - A7 _B7__ 五、發明説明（29 ) 造方法，在形成絕緣膜時，不必要使用危險且需慎重處理 之矽烷氣體。 又，當稀有氣體元素使用氬元素時，則可穩定且經濟 地實施本發明。 更者，可以將絕緣膜之成膜溫度設得低，而能抑制成 膜中產生異物，因此可以形成沒有異物附著之良好的膜。 又，由於可在與作爲半導體層之非晶矽相同的溫度下 來形成絕緣膜，因此，本發明之電子元件之製造方法，除 了可以大幅地縮短成膜所需的時間外，亦可將用於製造之 成膜裝置設得輕巧，且能以藉便宜的裝置來製造，能夠使 昂貴環境之清潔室有效地活用。 圖面之簡單說明： 圖1， （A)係表本發明之實施例之容量元件的平面 概略圖、（B )係表示（A )之沿I B- I - B線的斷面圖 〇 圖2係表示使用在本發明之實施例之絕緣膜中之氬元 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) $含有率與絕緣耐壓之關係的說明圖· ® 3係表示使用在本發明之實施例之電子元件之絕緣 胃的氬元素含有率與內部應力之關係的說明圖。 圖4係表示使用本發明之實施例之T F Τ之主動矩陣 基板之一部分的平面概略圖。 圖5係表示圖4之沿V — v —線的斷面概略圖。 圖6係表示膜中之氬元素含有率與膜中之鈉離子之峰 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS 規格（21〇χ297公 五、發明説明（30 ) A7 B7 說 的 面 剖 度 溫 之 膜 成 層 三 之 例 較 。 比 圖與 明例 說施 的實 係表 關係 之 7 度圖 濃 值 圖 明 圖圖 圖 係 關 的 數 生 產 物 異 與 度 溫 膜 成 示 表 係 明 說 的 列 陣 T F T 用 板 基 .131 矩 nxsn 主 之 知 習 示 表 係 圖 圖 略 概 面 斷 的 線 - X' - X 沿 之 9 圖 示 表 係 ο r-H 圖 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 -

Claims (1)

  1. 六. * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 附件一： 第85116146號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國88年5月修正 1 . 一種電子元件，主要爲具備有絕緣膜，其特徵爲 :上述絕緣膜之主要成分爲矽以及氮，上述矽：氮的元素 比例約爲3 : 4，而上述絕緣膜之稀有氣體元素的含有率 爲 0 . .0 1 至 3 a t m 2 .如申請專利範圍第1項所述之電子元件，其中上 述電子元件爲薄膜電晶體· 3.如申請專利範圍第1項所述之電子元件，其中上 述稀有氣體元素爲氬元素。 4 . 一種電子元件之製造方法，主要具備有主要成分 爲矽與氮的絕緣膜，其特徵爲：用於藉電漿CVD法而形 成上述絕緣膜的氣體組成，係一至少含有矽烷、氨、氮及 稀有氣體元素的混合氣體，而上述稀有氣體元素與氮氣之 莫耳比（molar ratio)爲稀有氣體元素/氮氣=0 . 1 至1 0的範圍。 5. 如申請專利範圍第4項之電子元件之製造方法， 其中上述絕緣膜是在2 2 0 °C至2 8 0 °C之範圍下而成膜 〇 6. 如申請專利範圍第4項之電子元件之製造方法， 其中上述電子元件係一具有直接接觸於上述絕緣膜之非晶 砂膜的電子元件，而上述絕緣膜與上述非晶矽膜係在幾乎 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T
    六. * 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 附件一： 第85116146號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國88年5月修正 1 . 一種電子元件，主要爲具備有絕緣膜，其特徵爲 :上述絕緣膜之主要成分爲矽以及氮，上述矽：氮的元素 比例約爲3 : 4，而上述絕緣膜之稀有氣體元素的含有率 爲 0 . .0 1 至 3 a t m 2 .如申請專利範圍第1項所述之電子元件，其中上 述電子元件爲薄膜電晶體· 3.如申請專利範圍第1項所述之電子元件，其中上 述稀有氣體元素爲氬元素。 4 . 一種電子元件之製造方法，主要具備有主要成分 爲矽與氮的絕緣膜，其特徵爲：用於藉電漿CVD法而形 成上述絕緣膜的氣體組成，係一至少含有矽烷、氨、氮及 稀有氣體元素的混合氣體，而上述稀有氣體元素與氮氣之 莫耳比（molar ratio)爲稀有氣體元素/氮氣=0 . 1 至1 0的範圍。 5. 如申請專利範圍第4項之電子元件之製造方法， 其中上述絕緣膜是在2 2 0 °C至2 8 0 °C之範圍下而成膜 〇 6. 如申請專利範圍第4項之電子元件之製造方法， 其中上述電子元件係一具有直接接觸於上述絕緣膜之非晶 砂膜的電子元件，而上述絕緣膜與上述非晶矽膜係在幾乎 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1T 々、申請專利範圍 相同的溫度下被成膜· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 .如申請專利範圍第4項之電子元件之製造方法， 其中上述稀有氣體爲氬元素· 8 . —種電子元件之製造方法，主要具備有主要成分 爲矽與氮的絕緣膜，其特徵爲：用於藉噴濺法形成上述絕 緣膜的靶體（target)至少含有矽，而在噴濺成膜時之環 境氣體係一至少爲稀有氣體元素之氣體、氫氣及氮氣或是 氨氣的混合體系，而該些氣體的分壓爲稀有氣體元素分壓 爲0 . 20至0 . 40Pa ，氫氣分壓爲0 . 02至 0 . 1 5 P a。 9 .如申請專利範圍第8之電子元件之製造方法’其 中前述稀有氣體元素爲氬元素· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）
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