TW321766B - - Google Patents

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321766五、發明説明（7 ) A7 B7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裂 N 該

發 經 係 在 存 的 4 1 層 基 鉻 該 上 加 2 1 層 底 P 發明說明 發明背景 1 ·發明領域 本發明係概括地有關磁記錄介質，且更特別言之，有 關具有經由雷射燒蝕碳底層所形成的離散伺服磁軌之磁記 錄碟片。 薄膜型磁記錄碟片通常包含磁碟基材及在其上沈積的 磁層和許多底層與叠層。每一層的本質和組成係經選擇K 提供所欲的磁記錄特性，如工業中所一般認定者。圖1閘 示一示範性今日的薄膜磁碟，其包含一非磁性碟片基材 1 0，典型地係由_IS_合金構成者。於磁磲基材1 0的每一 表面上形成一韭( N i - P )屬I 1 2，典型地係 Μ電鍍方式及隨後打光而形成且有時候在沈横其他膜之前 予Κ組織化。該N i _Ρ層係堅硬者，賦與該鋁基材劂性 。另外，在今日也有用玻璃和其他非金靥材料來形成高度 剛性的磁碟基材。在該N i —Ρ層1 2上形成一鉻基層( Chromium ground layer) 1 4形式的第二底層，典型地係 經由濺鍍方式形成的，且在該基層1 4之上形成一 JU1 1 6。該磁層包含一鐵磁性物質薄膜，例如磁性氧化物或 磁性金屬合金的薄膜。通常於該磁性層1 6之上形成一 Ui 1 8，例如碳膜並在該保謂層之上形成一潤滑層2 0 〇 本紙择尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） I 訂 ^ I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7

經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 Λ'發明説明（>) 現可改良磁層1 6的記錄特性者。特別者*在該N i — P 層上面形成的鉻基層可提供增進的矯頑磁力和減低的雜訊 特性。當該N i —P底層經由櫬械组嫌化處理Μ造成粗糙 表面後再形成該鉻基層時，這些種改良有時候會更為增進 。該組織化可為沿圓周者或交叉者*其較佳的幾何決定於 含鈷磁層的特殊組成。 外面的碳保護層18具有非常不同的目的。該保護層 業經發現可經由滅低磁碟耗損而大幅地延長磁性記錄介質 的壽命。在隨後施加一薄涠滑層2 0時，碳經證明可提供 高度的耗損保護作用。 這種磁記錄碟片構造已是非常成功者可用於高記錄密 度。雖然有所有的成功性，不過，在目前却有需要提出具 有甚至更高記錄密度的磁記錄碟片。在剛性磁碟上增加面 積密度的一種方法包括將薄膜磁碟的表面圖案化Κ形成離 散數據磁軌。這種”離散磁軌介質”典型地包括可被硬式 磁碟驅動伺服機構所利用的表面幾何數據，使指定的記錄 磁軌被鑑別出並提供回饋以改良讀/寫頭追踪的正確性。 不過，這種離散磁軌却受制於其本身所具缺點。離散 磁軌介質的表面圖案通常是使用標準的技潘（ 1 i t h 〇 g r a p li i c t e c h n i q u e s) _從磁記錄層脫除物質或在沈積 磁性物質之前在基材中造成凹區或谷等方式施加上去的。 於前一情況中，磁性記錄物質係經由H罩触刻或象子I 而留下一糸統沒有磁性物質的谷道。而於後一情況中， -4 * 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 29*7公釐） t'訂-ilI (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ' 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 3^1766 五、發明説明（3 ) 於随後施加的磁性膜距記錄頭足夠遠使得該頭不能夠充分 地”寫”該磁性介質。經由在增高的圖案與谷道之間的逢 界上之磁通量差異可κ輸送伺服磁軌資訊。不過*該邊界 訊號最多只具有依傳統方式記錄所得數據大小的5 0%。 此外，離散磁軌介質產量的創造也仍然有問題，其原因部 份來自於需蝕刻程序之耗費。 最近已有提出經由使用預浮刻過的剛性前一磁碟片來 製造離散磁軌磁記錄介質。其表面圖案係用法直接 印刻在基材上。然後在該經圖案化的基材表面上濺鍍薄膜 磁記錄餍，因而產生在增髙區和凹下區或谷兩者上面都有 延展連鑛性磁層之離散磁軌介質。可惜地是，該壓印方法 本身内稟地需要高溫和高壓*且易於彎翹。此外，該錯鋳 圖案必須先正確地印刻在壓印模版之上，否則該壓印方法 會複製出壓印模版上所含任何瑕疵或雜染處。使用這種懕 印方法的離散磁軌介質之發展特別有問題，因為每一試驗 圖案都需要製造出昂貴的壓印工具之故。 基於這些理由，有需要提出一種改良方法以製造用於 雜散磁軌介質的離散磁軌伺服圖案。特別佳者這種方法能 提供蝕刻術的準確性和可複製性，而不包含壓印所铺的多 重程序步驟或複雜，專注的工具製造。且最佳者這種方法 可使得對於使用傳統高密度磁記錄介質所含底層，磁記錄 層和叠層可得到的磁記錄特性之改良獲得增進。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------f------ΐτ------^. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局属工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（屮） 2 *背景技藝之說明

離散磁軌介質和具有經圖案化的表面之其他磁記錄介 質之製造載於 S. E. Lambert et al., "Beyond Discrete Tracks: Other Aspects of Patterned aedia", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, Vol. 69, 8:4724-26, Arril 15, 1991。其中所述每一種經圖案化的介霣都是经由使用ϋ _罩進行或SLilLJS磁記錄層而製成者。該光阻罩 係用電子束予Μ寫成，如蝕刻技藝中所知悉者。 經由使用預浮刻剛性1碟製造離散磁軌介質的方法截 於 D· Dericotte, et a 1. , in Advancements in the Development of Plastic Hard Disks With Pre-enbossed Servo Patterns, CORPORATE RESEARCH LABORATORIES, SONY CORPORATION.之中。磁碟係採用在兩片壓印板之間進 程序而製成者。具有介質表面圈案的壓印板係 用蝕刻技術製成的。 具有經選擇性雷射組绻化的表面之記錄介質及其製造 方法分別載於美國專利第5，062，021和5，10 8，78 1號之中。其中亦揭示用來將基材，N i — P層 ，或磁記錄層ϋ 的雷射系統。 發明概述 於第一部份中，根據本發明原理的磁記錄介質包含一 具有實質平坦表面的硬質基材，及在該基材的平坦表面上 -6 - 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） "'1 訂 線 、 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) „ 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（<) 配置的具有離散伺服磁軌圔案之底層。在該底層上面配置 —磁記錄層，藉此反射該底層所具離散磁軌圖案。所以， 可以在不必求助於蝕刻術複製出圖案及在每一磁碟上蝕刻 磁記錄層之情況下加上離散磁軌圖案。 較佳者，該離散伺服磁軌圖案至少有一部份係經由選 擇性雷射燒蝕而施加在該底層之上者。如此，該圈案可κ 直接施加在底層之上，避免因單一有缺陷或被雜染的模板 而產生大量有缺陷磁磲之危險。此外，對於每一圖案不需 要昂貴的專門工具，因為只要改變雷射燒蝕臞案即可施加 取代圖案，使得本發明磁記錄介質特別非常適合於專業化 的短製造流程，例如，用於製造供®案開發試驗用的磁碟 0 可用於本發明記錄介霣中作為底層的特別有利材料包 括碳*理想上係從含有至少9 9 · 9%鈍碳的濺射源濺射 出者。這種碳底層經發現可提供給後的磁記錄層改良的訊 雜比。 槪括而言，該離型磁軌圖案包含凹下區和凸起區。典 型地，該凸起區係用於數據貯存。伺服磁軌資訊可視情況 Μ在概括凹下的伺服數據區内之離散凸起部份處輸送，或 另外可Κ用磁方式貯存在該凹下區内。較佳者，該底層含 有在凹下區内厚度在0Α與400Α之間*理想者50Α 與4 Ο 0Α之間的碳Κ使伺服數據的磁記錄特性最佳化。 這種碳底層於配置在一非金屬基材之上時，其用途特別有 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 裝 訂 線 i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印製 766 Α7 Β7 五、發明説明（L) 利。 於另一部份，本發明提出含有一基材及配置在該基材 上的碳底層之磁記錄介質。該底層包含一個具有離散伺服 磁軌圖案的表面，該圖案至少有一部份係經由將該底層選 擇性雷射燒蝕而施加上者。在該底層的表面上配置一磁記 錄層。通常在該底層之上及該磁層之下配置一含有鉻或路 合金的層以改良磁記錄特性。類似地，常在磁層上配置一 保護外層以改良耐用性。該保護層可經由類似於用來製造 該底層的方法予Μ形，典型地係經由濺射沈積而形成的。 如此可Κ免除掉另加薄膜沈積設備或技術之需要。 製造根據本發明原理的磁記錄介質之方法包括在一基 材的表面沈積一底層及將該底層選擇性地雷射燒蝕。於該 底層表面上沈積一磁記錄層。通常該燒蝕步驟包括產生具 有離散伺服磁軌圖案的表面，較佳者是經由將碳底層選擇 性地燒蝕。有利者，該雷射類型可至少部份根據底層材料 的吸收兄譜而指定。 視情況選用者，該燒蝕步嫌包括將底層表面姐雄化Μ 改良記錄頭滑移特性，理想地係組继化一個接觸起動/停 止區，其具有大於數據區的表面粗糙度。本發明方法可藉 此利用雷射燒蝕的伸缩性使磁記錄介質的表面拓模達到最 佳化。特定言之，磁記錄介質的表面粗撻度係由下述兩種 矛盾限制所妥協指定的：數據貯存，其通常受益於低表面 粗糙，與耐用性，其需要相當高的表面粗糖度以減少靜摩 -8 - 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -轚. -1Τ Α7 Β7 經濟部中央揉準局貝工消費合作 五、發明説明 擦並在頭升起和降落期間提供充分的空氣承載。笛射燒触 提供一種受高度控制的姐嫌化方法，因而有肋於在磁記錄 介質的不同部份形成分開的數據區和接觸起動/停止區以 解決這些彼此矛盾的表面組孅限制。 繪圖之簡略說明 圖1為示範性先前技S磁記錄磲片的横斷面圖，如前 文背景段中所說明者。 圖2以圖解閭示根據本發明原理具有離散伺服磁軌和 接觸起動/停止區的磁記錄碟片。 圖3為一投影圖，顯示出在圖2的磁記錄碟片所含離 散伺服磁軌團案內的伺服數據匾。 圖4為顯示出圖3離型伺服磁軌圖案的層结構之横斷 面圖0 圖5Μ圈解閫示圜2磁記錄磲片所含接觸起動/停止 區和數據區之表面姐继。 特殊實施例之詳细說明 至此參看圖2，根據本發明的磁記錄介霣通常呈具有 —接觸起動/停止區3 2和一數據區34的磁記錄碟片 3 0之形式。這些區係用表面組嫌予Μ區別的，如在共同 申請中的美國專利申請序（代理人擋號1 4089 — 1 8 0中更完整地說明者，該申請案的完整揭示内容併於 國國家標準（CNS ) A4优格（210X297公釐） r訂 良1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) # 經濟部中央揉準局員工消費合作杜印製 321766 _B7_ 五、發明説明（名） 本文κ為參考。 在該數據區3 4的表面上施加一離散伺服磁軌圔案 40。雔散伺服磁軌圖案4 0包含許多被眾多伺服追踪區 3 6分隔開的數據磁軌區38。磁碟30所具數摟貯存功 能典型地侷限在數據磁軌區3 8 ·而伺服追综區3 6則提 供資訊給磁碟驅動器使諝/寫保持對準在個別，龙碼逾籌 1邀^@_軌之上。 雖然在此閫示出相當低數目的伺服追踪區，但必須了 解者該離散磁軌介質圈案可包括數百個伺胆區K在每一旋 轉期間改良頭的追踪。此外，該伺服追踪區不需要一定是 所示的直徑向區，而可包括弧形間斷區，或甚至於不規則 地分隔區以分開個別的數據磁軌。 至此請參看画3，其中顯示在記錄介質層構造4 1上 施加離散伺服磁軌圖案4 0的放大部份，該記錄介質層構 造41本身則係配置在離散磁軌介質基材42之上。圓案 4 0的元件通常是由凹下區44與凸起區4 6之間的高度 差異所界定。圖案40包括被伺服追踪區3 6所分開的雄 散磁軌區3 8。 個別數據磁軌4 8包含凸起區，於其上以磁方式記錄 數據。這種離散數據磁軌比連續的表面介質更具許多優點 ，包括訊離比的減低，特別是經由降低在物理分隔的磁軌 之間的邊緣雜訊而達到者。此外，離散磁軌也可用來將具 有與個別數據磁軌永久配合的伺服追踪數據之伺服追踪區 -1 0- 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) A4規格（210X：297公釐） I —^1 訂 II 表、 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) . A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裂 五、發明説明（ 1 ) 1 1 1 包 含 進 去 0 1 1 | 伺 服 追 踪 區 3 6 通 常 包 括 磁 軌 I D 條 ( trac :k ID t >ar s 請 1 | ) 5 0 和 追 综 位 置 條 5 2 0 I D 條 5 0 提 供 對 於 離 敗 磁 軌 先 閱 S 1 1 IBFI 圖 案 4 0 所 含 每 一 離 散 磁 軌 4 8 之 鑑 別 0 視 情 況 該 I D 條 背 1 I 之 1 5 0 包 含 對 每 — 數 據 磁 軌 4 8 具 有 特 定 數 百 和 位 置 的 凸 起 意 1 1 事 1 區 ) 使 得 磁 軌 I D 數 據 與 該 圖 案 永 久 地 施 加 著 〇 在 磁 軌 項 再 1 I I D 與 圖 案 一 起 施 加 上 時 ， 需 要 比 圖 3 所 示 者 遠 為 較 大 數 f 本 1 r 的 雄 散 磁 軌 條 〇 另 外 的 方 式 係 將 磁 軌 鑑 別 資 訊 磁 方 式 頁 1 1 記 錄 在 如 所 示 的 有 限 數 巨 之 離 散 凸 起 磁 軌 條 之 上 » 或 » 另 1 I 外 地 9 完 全 記 錄 在 凸 起 區 4 4 之 内 0 在 磁 軌 鑑 別 係 磁 方 1 I 式 記 錄 時 需 要 有 限 數 百 的 I D 條 5 0 如 rai 画 3 中 所 示 者 1 訂 〇 I D 條 可 Μ 經 由 將 數 據 Κ 磁 方 式 貯 存 在 凸 起 區 4 4 之 内 1 1 而 完 整 地 消 除 掉 〇 1 I 追 踪 條 5 2 提 供 給 磁 碟 驅 動 器 的 是 諝 / 寫 頭 追 踪 個 別 1 I 離 散 磁 軌 4 8 的 正 確 性 之 回 饌 0 典 型 地 追 踪 條 5 2 大 約 1 旅 延 展 到 每 一 磁 軌 4 8 所 界 定 的 途 徑 之 中 央 0 追 踪 條 5 2 係 1 1 間 隔 配 置 的 9 使 得 每 — 離 散 磁 軌 包 含 至 少 —_- 個 從 磁 軌 途 徑 1 I 的 中 央 向 磁 碟 軸 延 展 的 追 踪 條 t 及 一 個 從 磁 軌 途 徑 中 央 徑 1 1 向 地 向 外 延 展 之 追 踪 條 〇 經 由 權 衡 向 内 和 向 外 間 隔 佈 置 的 1 1 追 综 條 之 訊 虢 長 度 t 可 Μ 使 謂 / 寫 頭 正 確 地 安 放 在 離 散 磁 1 1 軌 途 徑 的 中 心 之 内 0 典 型 地 ， 在 每 一 伺 服 數 據 區 内 包 含 多 1 I 個 間 隔 配 置 的 追 踪 條 Μ 改 良 追 踪 正 確 性 0 1 1 如 上 文 所 述 者 1 該 追 踪 條 不 需 要 是 物 理 凸 起 區 f 取 而 1 1 - 11 - 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公嫠) 經濟部中央標準局貝工消费合作社印裝 Α7 Β7 五、發明説明（, 代之者可包含在凸起區4 4内經永久且正確地磁記錄過之 部位。I D條和追踪條的使用在S . E. Lanbert, in Beyond Discrete Tracks: Other Aspects of Patterned Media, JOURNAL OF APPLIED PHYSICS , 6 9:4 7 2 4- 2 6 ,

April 15，1991 ,之中有更完整的說明•其整個揭示內容 併於本文K為參考。 至此請參看圈4，磁碟3 0的構造概括地包括基材 42和结構層4 1 。該结構層4 1轉而典型地包含一配置 在基材42之上的N i — P層60，一碳底層62，一鉻 基層64，一磁記錄層66，一保護性碳外層68，和一 潤滑層7 0。 N i - P層的加入係視情況而為的，部份決定於基材 4 2所用的材料。在選用傳統鋁基材之情況中，補強性N i — P層提供上文有鼷圖1所說明過的優點。而在使用坡 璃或其他非金靥性基材之情況中，即可免除掉該N i - P 層。不拘地，基材42的外表面或N i —P層60可視情 況使用習用的技術予Μ組鏃化，如上文說明通者。雖然該 外表面可包括组嫌化所增加的表面粗糙度，不過，圈案則 尚未施加上去。因此，該外表面仍保留”實施地平面”， 如該詞在本文所用的意義者。另外，在該中間表面上可加 上該圖案的某些部份。例如，可在非金屬基材中壓印凹下 的徑向伺服追踪區，而在底層上可Κ使用本發明方法施加 維散磁軌。 -12- 本紙伕尺度適用中圉國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) r 訂 321766 A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明説明（ //) 1 1 1 | 碳 底 層 6 2 通 常 是不用 電偏壓 而 測 射 者 » 不 過 對 該 基 1 1 材 最 好 予 Μ 加 熱 Ο 於 濺射之 後，該 底 層 典 型 地 具 有 實 質 平 S 1 1 請 I 面 的 外 表 面 0 也 就 是 這個碳 底層表 面 接 受 離 型 磁 軌 圖 案 0 先 1 I 讀 1 1 要 將 圖 案 施 加 在 該底層 表面之 上 時 > 係 用 雷 射 選 擇 地 背 1 1 之 1 燒 蝕 該 底 層 材 料 0 該 雷射係 用類似 於 在 打 光 過 的 N i — P 注 意 1 1 表 面 造 成 凸 起 9> 隆 突 ”形成 ”雷射 區 組 绷 ,， ( 1 a LS € ϊ Γ 2 one 事 項 1 | 再 I t e X t u r e) 或如在電子束蝕刻術中導引電子束等所用的系統 填 寫 本 r | 予 Η 電 腦 控 制 的 〇 適 合經修 改後用 來 製 造 本 發 明 記 錄 介 質 頁 V-^ 1 | 的 雷 射 區 組 撖 化 糸 統 載於美 國專利 第 5 9 0 6 2 » 0 2 1 1 I 和 5 > 1 0 8 7 8 1號及 已公開 的 歐 洲 專 利 串 請 第 9 4 1 1 I 3 0 8 0 3 4 1 號 之中* 彼等的 完 整 揭 示 内 容 併 於 本 文 1 訂 Μ 為 參 考 0 有 利 者 9 該_案 係直接 寫 在 底 層 材 料 上 而 免 1 1 除 掉 顯 像 蝕 刻 和 其他中 間蝕刻 程 序 步 驟 之 需 要 〇 視 情 I 況 更 將 雷 射 導 引 在 凸起區 4 6或 凹 下 區 4 4 的 表 面 上 ( 1 1 I 參 看 圖 3 ) Μ 提 供 最 適化的 组織， 如 下 文 所 說 明 者 0 1 錄- 雷 射 類 別 的 選 擇 最好是 決定於 底 層 的 吸 收 光 譜 〇 例 如 1 1 若 在 1 0 • 6 U m ( 紅外光 波長） 有 能 量 吸 收 的 碳 底 層 膜 1 I 為 可 接 受 者 之 時 % 則 C ο z 雷射即 為 適 當 的 選 擇 0 不 過 > 1 1 若 其 能 量 吸 收 係 在 紫 外光範 圍内明 顯 地 較 為 好 時 » 則 必 須 1 1 選 用 紫 外 光 雷 射 0 類 似地， 這種能 量 吸 收 光 譜 可 促 進 取 代 1 1 層 材 料 的 使 用 0 例 如 ，在共 同申請 中 的 美 國 專 利 申 諌 序 號 1 1 0 8 / 4 3 5 9 4 4 〇 (代 理人檔 案 1 4 〇 8 9 — 1 7 ) 1 1 1 — 一 其 整 個 揭 示 內 容 併於本 文Μ為 參 考 — — 之 中 提 出 矽 底 1 1 - 13- 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 經濟部中央揉率局貝工消費合作社印製 321766 五、發明説明（/>) 層可提供類似於碳底層所提供之訊雜比改良。因此，若對 於可用到的雷射波長，矽的吸收光譜可提供比碳的吸收光 譜明顯有利處之時，則矽雷射燒蝕的製造優點即促進矽底 層的使用Μ在圈案的施加過程中使選擇性底層材料脫除的 速度最適化。 基層6 4典型地係在碳底層6 2的圖案表面上激射成 的。然後在該基層64的表面上猫射磁記錄層6 6，其典 型地含有鈷合金。必須提及者，該磁層係從凸起區4 6連 續地延展到凹下區44。與此相異者，經由蝕刻磁層所形 成的離散磁軌介質一般不具有殘留在凹下區内的任何磁物 質。如 D· Dericotte et al.，在 Advancements in the Developaent of Plastic Hard Disks With Pre-eebossed Servo Patterns, CORPORATE RESEARCH LABORATORIES, SONY CORPORATION.中所述及者，這種不連鑛性離散磁軌介 質在單一 DC抹除程序之後，於凹下區與凸起區之間的介 面處只提供大約一半強度的訊號。而具有連續磁層的離散 磁軌介質需要兩步驟的抹除程序，但在凸起區與凹下區之 間的介面處提供的是一完整強度的訊號。 保護性碳層6 8同樣地也是猫射形成的，類似於碳底 層6 2的沈積中所用的方法。然後在保護性碳層6 8的表 面上施加一薄的潤滑層7 0，如典型磁記錄介霣的情況。 基層64，磁層66，保護性碳層68，和潤滑層70的 厚度和组成皆為高密度磁記錄介質所一般具有的° -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )入4^格（210X297公釐） 訂— 像 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) _ ~ kl B7 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印裝 五、發明説明（0) 1 1 1 至 此參看 圖 5 9 磁 碟3 0 表 面 拓僕 的 輪應器 掃 描 圖 ( 1 1 1 ΡΓ 〇 f i ] er scan) 8 3閫示出數據區34相對於接觸起動/ 1 1 請 1 停 止 區 的表面 粗 糙 度 差 異。 表 面 拓 撲通 常 是用表 面 粗 m 度 先 閱 1 1 讀 1 1 ( R a )來測 量 9 其 為 在瑄 種 輪 郾 器掃 描 圈中的 峰 和 谷 之 背 ij 1 1 之 I 絕 對 高 度和深 度 的 算 術 平均 值 0 如 在共 同 申請中 的 美 國 專 i 1 1 利 申 請 序號一 一 一 ( 代 理人 檔 號 1 4 0 8 9-1 8 _ 1 ) 事 項 1 | 再 1 一 — 其 完整揭 示 内 容 已 併於 本 文 Μ 為參 考 —一 中 更 完 整 地 填 寫 本 1 f 1 解 釋 Ss 者，記 錄 密 度 通 常受 益 於 與 在磁 頭 著落在 磁 碟 表 面 頁 1 1 上 之 處 具有低 表 面 粗 键 度的 平 滑 記 錄表 面 相闞瞄 的 低 滑 移 1 I 高 度 0 而相反 地 磁 記 錄糸 铳 的 可 靠性 通 常受益 於 增 加 的 1 1 表 面 粗 糙度。 將 磁 碟 3 0物 理 分 隔 成接 觸 起動/ 停 止 區 3 1 訂 2 和 數 據區3 4 可 Μ 避 免損 及 磁 頭 作用 表 面整個 的 拓 撲 學 1 | 特 性 並可促 使 著 落 組 雄8 2 和 數 據组 嫌 (data text ure 1 I ) 8 4 分別地 最 適 化 〇 1 1 本 發明底 層 雷 射 m 蝕法 對 於 在 经區 段 組嫌化 m 的 磁 碟 1 0 上 施 加 個別的 组 雄 提 供 一强 性 方 法 。視 情 況而定 9 著 落 組 \ I 織 8 2 和數據 组 嫌 8 4 兩者 都 可 Μ 用上 文 所說明 的 選 擇 性 1 I 雷 射 燒 蝕予K 施 加 〇 數 據姐 織 8 4 可視 情 況同時 施 加 在 離 1 1 散 磁 軌 圈案的 凸 起 區 4 6， 和 凹 下 區4 6 上面K 改 良 區 段 1 1 追 踪 數 據的磁 記 錄 ( 參 看圔 3 ) 〇 要特 別 提起者 * 數 據 區 1 | 组 继 8 4所指 的 只 是 實 質水 平 的 凹 下區 和 凸起區 的 表 面 拓 1 | 撲 9 而 不是與 離 散 磁 軌 圈案 相 闢 聪 的大 幅 高度變 化 〇 1 1 視 情況可 Μ 使 用 選 擇性 雷 射 m 蝕來 施 加著落 組 雄 8 2 1 1 - 15 - 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公藿） 經濟部中央標準局員工消費合作社印*. A7 B7 _ 五、發明説明（、十） 和數據组绷84中之一而已，較佳者為前者。通常，最好 是先施加著落姐继82，接著將數據區84組镟化。該數 據區組继化程序可促進相當粗撻的著落組雄之尾端（ trailing end) 8 5抛光掉，藉此提供一光滑的轉變组雄 (transition texture) 8 6 K確保耐用性。另外，選擇 性雷射燒蝕的伸縮性也應該可用來在數據組嫌已施加上之 後於後觸靼動/停止區3 2之上加上著落组織8 2。由霄 腦控制雷射燒蝕所提供的精確定義顯然可用來直接施加具 有表面粗糙度而在接觸起動/停止區3 2與數據區34之 間平滑地變異之轉變區8 8。如此，在施加離散磁軌圖案 之前可視情況施加數據組继，即使是在配置於碳底層6 2 έ下的層上面也可Μ。 顯然已經由閫釋和買施例Κ某種詳细度說明過示範性 實施例，但為了濟晰和了解之目的，某些修飾之處對於諸 於此技者係顯而易知者。例如，該離散伺服磁軌圆案可Μ 部份使用碳底層笛射燒蝕*而部份使用已知的蝕刻術或壓 印法予Κ施加，這些都在本發明範_之内。因此之故，本 發明範圍只受限於後附申請專利範面。 _ 1 6 _ 本紙張尺度適为中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） 麥 訂 絲 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) < ‘

Claims (1)

1. 經濟部中央橾準局月工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 專利範圍 ：-i 1 . 一種磁記錄介質，其包含： : 一硬質基材，其具有實質平坦的表面； 一庙層，其係配置在該基材的平坦表面上且具有一離 ^ A iir‘伺脶磁軌圖_案，該圖案至少部份是經由將該底.層選擇性 .；'； 雷射燒蝕而施加上者；及 q 一盟記錄、曆，其係配置在該底層之上。 '^1 2·如申請專利範圍第1項之磁記錄介質，其中該底 層含有碳。 3 *如申請專利範圍第2項之磁記錄介質，其中該碳 底層係從含有至少9 9 * 9 %礙的濺射源濺射沈積而成的 0 4 ·如申請專利範圍第2項之磁記錄介質，其中該 多含有凹下區和凸起區，且其中該碳底層在凹下區的厚度 係在’Ο A與4 Ο Ο A之間。 5 ·如申請專利範圍第2項之磁記錄介質，其中該i j含有非金屬材料。 6 ·如申請專利範園第1項之磁記錄介質，其中該基 材係！§„碟~片，且在該基材之上與該底層之下更含有一 N i -P層。 <7 ·如申請專利範圍第1項£*磁記錄介質*其更包含 -包括趙L據·^和接_觸起動/停止區的磁頭.介面）其中該離 散磁軌圖案係配置在該數據區内，且其中該接觸起動）/停 止區$具有相對於該數據區的粗糙表面組織。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) . 訂 321766 !l D8 六、申請專利範圍 8 ·如申請專利範圍第7項之磁記錄介質，其中該接 觸起動/停止區組織至少部份是經由將.底層選擇性地雷射 燒、蝕而施加上者。 9 · 一種磁記錄介質，其包含： 一基材； 一碳底層，其係配置在該基材之上，該底層具有一有 離_1磁<軌伺服圖案的_壶面，其中該圖案至少部份是經由將 該產層華擇性地雷射燒蝕而施加上者；及 一磁J2錄層，其係配置在該底層的表面之上。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之磁記錄介W *其中該 圖案包含凹下區和凸起區，且其中該碳底層在該凹下區的 厚度係在Ο A至4 ◦ Ο A之間。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之磁記錄介質*其更包 含配置在該眉層之上和該磁層之下的复盖__層。 1 2 *如申請專利範圍第1 1項之磁記錄介質，其更 包含一配置在該_磁„層_之上的慑J1性外碳層。 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 (請先閲^c面之注意事項再填寫本頁) 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之磁記錄介質*其中 該底層和該保護層係經撒而成的。 1 4 * 一種製造磁記錄介質之方法，其包括： 在一棊.表面上沈積一底層； 將該底層選擇性地雷射燒蝕，產生有灕敗伺服磁軌圖 寨之表面； 在該底層上積一磁記嚴.層。 -2 - 本紙張尺度適用中國國家椟準（CNS > A4規格（210X297公釐） 321766 經濟部中央揉隼局貝工消費合作社印裝 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 1 5 *如申請專利範圍第1 4項之方法，其中該底層 沈積步驟包括屬.鍍碳_。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該碳底 層沈積步驟包括用具有至少9 9 · 9%鈍碳的濺射源進行 濺鍍。 1 7 *如申請專利範圍第1 5項之方法，其更包括想 據碳的吸收光譜選擇雷射類型。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5項之方法，其中該燒蝕 步驟包括產生一具有包含凹下區和凸起區的離散伺服磁軌 圖案之表面，其中該碳底層在該凹下區的厚度係在0A至 400A範園之内。 1 9 ·如申請專利範圍第1 4項之方法，其中該燒蝕 步驟包括將該底層表面組織化K改良記錄頭滑移特性。 20 ·如申請專利範圍第1 4項之方法，其中該燒蝕 步驟包括將該接觸起動/停止區组織化，其中該接觸起動 /停止區具有大於該數據區之表面粗糙度。 2 1 · —種磁記錄介質，其具有利用如申請專利範圍 第1 4項所述方法形成的離散伺服磁軌圖案。 表紙張尺度適用中困國家標率（CNS >八4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂