JP2009048745A - リニア記録型磁気ヘッドアセンブリ、およびそれを用いた磁気テープ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電磁変換素子を含む複数のヘッド素子部Eと、磁気テープと当接する摺動部S1,S2とを備えたヘッドレール102を有するリニア記録型磁気ヘッドアセンブリであって、ヘッド素子部Eと摺動部S1,S2とにおける磁気テープ摺動面に保護膜12を備え、保護膜12は、ヘッドレール102の磁気テープ走行方向の両端部近傍以外の部分に形成され、磁気テープが摺動可能な最表面が平坦に形成されている。
【選択図】図1
Description
5μm≦L≦W/4
の関係を成している構成とすることができる。このような構成とすることで、ヘッドレールの幅方向両端部が好ましい形状に磨耗し、走行に伴う磁気テープへのダメージを低減することができる。また、エラーレートの増加を抑えることができる。
[1.磁気ヘッドアセンブリの構成]
図1(a)は、本実施の形態における磁気ヘッドアセンブリの平面図を示す。図1(b)は、図1(a)におけるY1−Y1部分の断面図である。図1に示す磁気ヘッドは、前述の図4Aにおけるヘッドチップ群のうちにおける一つの磁気ヘッドアセンブリ(データヘッド)を示す。
5μm≦L≦W/4
の関係を満たすことが好ましい。幅Lの値をこの範囲とすることが好ましい理由は、幅Lが5μm未満であると、ヘッドレール102の幅方向両端部が好ましい形状に磨耗する(適度に丸みを帯びる)ことが妨げられるためである。ヘッドレール102の幅方向両端部が摩耗しない場合、ヘッドレール102のエッジが角張ったままとなるため、磁気テープを磁気ヘッドに摺接させた際に磁気テープに大きなダメージを与えてしまい、エラーレートが増加するなどの問題が発生する。
図2A〜図2Eを参照して、保護膜12の具体的な作製方法について説明する。
以上のように本実施の形態によれば、PTRが形成された磁気ヘッドアセンブリにおいて、ヘッド素子部E及び摺動部S1,S2に例えばDLC膜で構成された保護膜12を形成し、その保護膜12の表面(磁気テープ摺動面)を平坦とすることにより、ヘッド素子部Eの摩耗やステインの付着によるスペーシングの増加を少なくすることができる。したがって、磁気ヘッドにおける出力の低下を防止することができる。また、このような磁気ヘッドアセンブリを磁気テープ装置に搭載することで、エラーレートを低下させることができる。
<磁気テープの作製方法>
針状非磁性酸化鉄粉末、カーボンブラックをバインダ中に分散させた非磁性下層塗料と粒状窒化鉄磁性粉末、アルミナ粉末をバインダに分散させた磁性塗料とを常法により作製し、前記非磁性下層塗料を厚さ6μmのポリエチレンナフタレートフィルムからなる非磁性支持体の一方の主面上に乾燥、カレンダ後の厚さが0.9μmになるように塗布し、この非磁性下層上に、上記の磁性塗料をエクストルージョン型コータにてウエット・オン・ウエットで、乾燥、カレンダ後の厚さが0.08μmになるように塗布し、磁場配向(N−N対向磁石(398kA/m)+ソレノイドコイル(398kA/m))処理後、ドライヤおよび遠赤外線を用いて乾燥し、磁気シートを作製した。
まず、図5に示すような形状の磁気ヘッドアセンブリを作成した。ここで前述のアルカリ系研磨スラリーを用いて加工し、d1=5nmとした。
上記の各磁気ヘッドアセンブリを、それぞれLTO3ドライブに搭載して組立て、調整を行った。そして、25℃/50%RHの環境下で、LTO3ドライブを用いて耐久性試験(Green Tape Test:1巻当たりのテープ長が650mの磁気テープを44往復走行させる工程を、磁気テープ100巻に対して順次行う試験)を行い、2T(記録波長0.38μm)の初期再生出力(各再生チャンネルヘッド出力の平均値)および50巻走行後(走行距離2860km)の再生出力、100巻走行後(走行距離5720km)の再生出力および再生出力の変化を調べた。
2 絶縁層(アルミナガラス)
3 磁気シールド層(センダスト等)
4 磁気抵抗素子
5 磁気シールド層
6 磁極層(Ni−Fe等)
7 ギャップ部(絶縁層:アルミナガラス)
8 磁極層(Ni−Fe等)
9 導電コイル
11 基体(アルチック)
12 保護膜
Claims (6)
- 電磁変換素子を含む複数のヘッド素子部と磁気テープと当接する摺動部とを備えたヘッドレールを有するリニア記録型磁気ヘッドアセンブリであって、
前記ヘッド素子部と前記摺動部とにおける磁気テープ摺動面に保護膜を備え、
前記保護膜は、
前記ヘッドレールにおける磁気テープ走行方向の両端部近傍以外の部分に形成され、
前記磁気テープが摺動可能な最表面が平坦に形成されている、リニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。 - 前記保護膜は、
その最表層がダイヤモンド・ライク・カーボン膜で構成された、請求項1に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。 - 前記保護膜は、
その厚さが、前記ヘッド素子部の前記電磁変換素子に対向する位置において、2nm以上、20nm以下である、請求項1または2に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。 - 前記保護膜は、
前記ヘッド素子部と前記摺動部とに接する部分とダイヤモンド・ライク・カーボン膜との間に更にシリコン含有保護膜を備えた、請求項2に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。 - 前記ヘッドレールのテープ走行方向の両端部における前記保護膜が形成されていない部分のテープ走行方向の幅をLとし、前記ヘッドレールのレール幅をWとした時、
5μm≦L≦W/4
の関係を成している、請求項1ないし3に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリ。 - 請求項1ないし5に記載のリニア記録型磁気ヘッドアセンブリを搭載した、リニア記録型磁気テープ装置。
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