TW320591B - - Google Patents

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TW320591B TW085104957A TW85104957A TW320591B TW 320591 B TW320591 B TW 320591B TW 085104957 A TW085104957 A TW 085104957A TW 85104957 A TW85104957 A TW 85104957A TW 320591 B TW320591 B TW 320591B
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Description

3^0591 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印装 A7 B7五、發明説明(1 ) 太發眼:> 背醫 1. 本發明之領域 本發明係有闢一棰抛光裝置及一種抛光方法,更詳細 而言*一種用於使半導體設置中的絕緣膜、導電膜平坦化 之抛光装置及抛光方法。 2, 習知技術之說明 半導體設置如半導體記憶設置之積髏密度近來年一直 逐漸增加,而且在其内部電路互相連接的多層結構亦曰益 進展。在該連接區域上形成的間層絕緣膜可藉由化學動力 抛光(M下稱爲“CMP”)方式平坦化而產生這種在連接區 域的多層結構。然而CMP技術會造成太多的終點偵拥及拋 光自動化,亦即費時及髙成太。 因為拋光速率會由於如硏磨布的磨損等諸多原因而不 能保持固定,因此即使控制抛光時間亦很難嚴格決定抛光 的終點。由於逭锢原因,直到現在一直都在重覆逭棰工作 步驟,先是在較短的時間内拋光,然後中止以檢査該物釀 的抛光狀態,直到得到可用的平坦表面。因為這些步驟很 花時間及努力,因此並不實用。 就CMP的終點偵澜的方法而言,現有一種達到逭一時 間的方法是先偵測用於使一表面平板(K下稱為“頭部”) 轉動的馬達的力矩變化,然後依據該偵測到的變化監測該 物體拋光表面的摩擦抗力。但這這棰方法的茧敏度很低, 原因是其並不能偵測离頻率的部份,因此只能偵測該物體 與該頭部的抛光表面之間位置及時間平均的滑動摩擦。而 (請先閱讀背面之注#^項心裱寫本I) 訂 線 r 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) _ K - 320591 A7 B7 經濟部中央橾準局肩工消費合作社印裝 發明说明(2 ) 且由於逭棰頭部的結構使得造棰方法並適用於某些情形。 例如,在空氣背援式条統中,該頭部舆其封套係使用彈性 材料互相結合,因此很難將由抛光表面引起的摩擦影«傳 送到轉動軸,因此偵測靈敏度會極端降低。因此逭棰空氣 背援式条統並不適於實用。 現在的另一種方法是«由使用光學厚度儀測量該抛光 物髏而偵測到拋光終點。但是逭棰方法並不能即時偵測終 點。而且在具有氮化矽膜及Si 0«膜的情形下須同時抛光時 *則光學厚度儀並不能精確測抛光膜的厚度。 因此,在專利申請案公告(KOKAIs)第6-320416號及第 6-45299號中即有提出依據馬達轉動力矩的變化及表面平 板的振動以偵測拋光的終點。但是,在逭些公告(KOKAIs〉 中,當抛光的表面只作簡單的平坦化時,則並不能偵測其 終點,伹是當抛光表面對不同的材料進行抛光時,因此在 抛光表面會產生摩擦抗力的改變以及振動改變,則可以偵 測其終點。 在專利申請案公告(KOKAIs)第6-320416號中敘述有一 種方法,係利用失真感測器測量由於抛光表面與硏磨布之 間的摩擦所產生的表面平板失真。 但是,因爲在採用失真感測器的抛光裝置中由拋光所 引起的振動非常榭弱,所Μ由該失真感測器所抓到的機械 拫動(轚音如在該拋光裝置中的馬逹振動,係爲基線的 雜訊。因此逋棰抛光裝置並不能得到足夠的靈敏度。結果 是,這棰裝置很難精確偵測到抛光表面的所有區域的拋光 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS〉人4規格(210X297公釐〉 、二、 ( (請先閲注意事項寫本頁 •裝· 訂 線 r —f\ — 經濟部中央搮準局肩工消費合作社印製 «059j A7 ___B7_ 五、發明説明(3 ) 條件或是偵測到抛光終點,因此在完成該初级的抛光之後 還需要進一步抛光。 如果是利用失真感測器測量抛光表面與硏磨布之間的 摩擦所引起的頭部失真時,這棰失真情形並不是如該失真 感測器所抓取的情形那樣明顯。再者,在真實的情況中, 即使是在抛光裝置本身的振動藉由濾器予以減低之情形, 失真感測器並不能偵測到晶圖主面凹凸性的改變,原因是 失真感測器對高頻振動不具靈敏性。 在傳統的抛光裝置中,因為並沒有建立有ra硏磨布的 設定及時間更換之客觀指數,所μ這些工作執行起來常常 很浪賨。 再者,如果在拋光遇程中抛光表面已經被灰塵(外來 的物質)刮損時,造棰刮損必須等到拋光完之後拿出抛光 物饑利用顯撤鏡戡察或檢査該抛光表面*才偵拥到。就CMP 而言,並沒有對策以對付灰塵在表面抛光過程中產生或跑 入。該抛光表面僅能利用顯撤鏡觀察其上所形成的刮損之 間接方式予Μ評價。 同時在習知技術酋中*係在完成拋光之後才評價拋光 的條件。因此*即使在批量(通常是25個晶圖)抛光的初始 階段時灰鏖已進入拋光表面而開始刮損該抛光物證的抛光 表面,此時並不能夠發現灰麈混合物,必須等到完成該批 置的抛光過程。由於逭傾原因,被抛光的物體在灰鏖進入 而對抛光表面產生刮損作用之後,括損即成事實,如此抛 光的物體如半導體晶國即被丢索。再者*由於刮損的表面 (請先閲请背舟‘之注^^項寫本頁) -装. 訂 線 本紙張尺度適用中圃國家揉準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 7 經濟部中央橾準局男工消費合作社印裂 A7 . B7__五、發明説明(4 ) 產生的灰塵會使已破損的抛光表面部份因灰塵增加而更大 〇 再者,灰塵在抛光表面的位置並不能確認,雖然灰鏖 確實存在於拋光表面,因此在有些情形必須換掉完整的硏 磨布K除去灰麝。在這種情形,將會花很多時間及勞力來 更換硏磨布。 再者,在前逑的專利申請案公告UOKAIs)中亦已敘述 有将表面平板振動的偵測訊號從該表面平板傳送到放大器 。在該情形中其意圈在於利用無線電条統傅送訊號*該無 線霣訊號會被用於轉動該表面平板的馬達軸暫時中止。 同時,抛光Λ係依圔案的高度而定*另外亦廣泛地隨 著如施加的壓力、轉數、硏磨液的滾速、及硏磨布的表面 條件之抛光條件而改變。因此,如果抛光董係依據一段時 間來控制*則每一次批量均可能進行一次拋光測試以確定 其抛光速率。然而這棰抛光測試補要大量的時間及勞力。 再者,在這種情形中,當很多棰其中包括不同圖案的批量 要抛光時,則在全部抛光時間中會增加拋光測試所襦的時 間,因此使產率降低。 太珐明:> 概蓉 本發明的一個目檷是提供一種抛光裝置及一種抛光方 • · . . ..... — - , -· 连,係能夠藉由具高δ歎性的方式偵踱抛光時的振f而即. 時且精確地偵測到抛光時的變化Μ縮短抛光時間,幫助確 認灰塵的存在,適酋地«由無線電糸統傳送表面平板的振 動,以及改善用Μ檢査拋光條件的拋光適當振動之偵測能 (請先閲水^-面^注意事項一!^ "寫本頁) 裝. .1Τ r r 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -8 - W: r;^'五、發明説明(5 ) Α7 Β7 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 力0 依據本發明的一個面向,因為係藉由一訊號分析設置 停止抛光,該訊號分析設置係分析由該振動偵測器經由頻 率分析所偵測到的振動強度、由其他非拋光的因素所引起 的振動成扮(亦即該抛光装置的固有振動成份)之振動強被 對時間作積分、以及當結果對時間的積分值之變化低於一 第一參考值時或當該結果的積分值低於一第二參考值時, 則傳送一拋光停止訊號以停止抛光運作,所Μ可Μ很容易 偵測到抛光終點。 在該訊號分析設置中,因為當從開始抛光到停止抛光 的時間係少於一預定的時間時或當該結果對時間的積分值 降低超過一設定值時,則會_出一指示該硏磨布磨損的訊 號,所Μ很容易決定該硏磨布的磨損或抛光終點,而且可 Μ得到最佳的抛光運作。 因爲現已由實驗證實如果某一特別拫動頻率的振動強 度之減低因數係大於其他振動頻率的拫動強度之減低因數 時,則抛光情形進行並不均勻,所以藉由偵測逭棰表滅的 拫動強度來你改抛光條件而得到均勻的抛光表現,因此得 到最佳的抛光結果。 在一具有其中結構係一用以支持的第一表面平板舆一 轉動力傳送機制係藉由彈性物質連接的抛光裝置中,因爲 拫動偵拥器係接觸於該第一表面平板,所Μ該轉動力傳送 機制的適當振動可Μ被該彈性物質吸收,因此可Μ改善在 偵測該抛光物體的振動時之S/N比。如此,可以很快且精
訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) 物59】 Α7 Β7 經濟部中央梂準局身工消费合作社印裝 五、發明説明(6 ) 確地抓到抛光終點。 因爲用Μ在抛光時引發振動的機制是由硏磨布構成, 所以在拋光時所產生的振動強度會增強,而且由該振動偵 測器所偵測到的振動頻寬會變寬。因此,有助於抛光條件 的細撤控制以及拋光時的終點偵測。 在逭一情形中,如果在該硏磨布及該表面平板中形成 空穴,則在抛光時所引發的拫動會增大,因此可以很容易 抓到搌動強度的變化。 藉由M RMS值計算在抛光時由該振動偵測器偵測到的 拫動衮減量,而且在每一時間間隔測量該RMS值的變化, 當一設定的時間間隔的變化或變化置之稹分值變成零或更 大時,則該時間點可Μ視為抛光偵測的終點。 在逭一情形中,如果該第一表面平板係在硏磨布上作 移動蓮作而且加上轉動運作,則AC成份會太大而不能決定 抛光的終點。在造棰情形下,如果該偵測訊號係箱由該RMS 值除Μ—包括有該第一表面平板的位置資訊的函數予Μ你 正,則可以很快且準確地偵澜到該抛光終點。 依據本發明的另一面向,如果該用Μ偵測拫動的振動 偵拥器之_出係藉由無線霣傅送到外界,則可Μ完成檯定 的傳送-接收,即使天線遭到轉動或搖動*原因是傅送的 天嫌舆接收的天線係以共_的方式安排。 爲了供應霣源至該振動偵測器及該與表面平板接觸的 傅送部份,因為在軸的周園係使用環形導體用Κ轉動該表 面平板,然後經由一與該琢形導體接味的刷狀物供臁《源 (請先_
.^1^1 ^^—^1 k^nB 聞K面4>注意事項iC ‘寫本頁) .裝.
、1T Γ 線 本紙張尺度適用中國圏家梂準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -1Π - 五、發明説明(7 ) A7 B7 經濟部中央樣準局貞工消費合作社印装 ,所以可κ避免例如更換m池的時間及勞力、由於電猓短 路所造成的運作停止、等等之狀況。市售的滑動環可以用 作該環形導體。 依據本發明之又另一面向,因為係使用自動式頻率控 制機制,當同時進行多健拋光而且係藉由無線電傅送及接 收抛光訊息時,即使傳送頻率會由於溫度改變而變動*但 一樣可以保持穩定的接收狀態。 依據本發明之又另一面向,在由接觸於表面平板的振 動偵潮器在抛光時偵测到不規則的振動強度之後,如果不 規則拫動強度的偵測時間係少於該表面平板的轉動遇期, 則指示存有灰麋的訊號將從一訊號分析部份_出。因此, 接序的拋光物《的抛光表面可μ事先防止被灰鏖括損。 如果不規則的振動強度係比該表面平板的轉動通期為 長,則表示該抛光物醱的表面係由於不是埴種刮損的原因 所擞壞。因此,拋光立即停止,而且可以很容易偵測到並 非由灰*的原因所造成該抛光裝置不規則的蓮作。 依據本發明之又另一面向,在一使用氣背式上表面平 板的結構中,係可免於受到該具有內氣密空穴的封套之振 動,而且在該上表面平板上設有一用Μ偵測周圍振動的振 動偵測器,然後依據由該振動偵測器得到的振動強度訊號 變化或振動頻譜訊铖幘出而決定拋光終點、等等。因此, 藉由偵測該氣背式上表面平板的轉動方向上振動強度變化 或振動頻譜》則可Μ幫助對抛光條件變化的決定。 如果來自該振動偵測器的訊號係籍由頻段通過的濾器 先 閲
IN 面:I 意 事 項 訂 η 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) 3^〇59i A7 B7 五、發明説明(8 ) _出至該控制器,則可Μ除去在該拋光裝置中依據固有頻 率振動的振動成份Μ配合該抛光裝置及抛光條件,因此可 Μ只選擇由實際抛光所產生的振動。 如果由該振動偵測器所偵測到的振動訊號係藉由無線 電傳送至控制器,則該振動訊號的調幅範圍可以藉由對數 放大器予以擴展,然該搌動訊號被接收後係藉由反轉對數 放大器予Μ恢復,因此改菩了 S/N比。 如果由該拫動偵測器Ml出的訊號很小,則該《I出的訊 號可以藉由連接多個拫動偵測器予Μ放大。而且,因爲不 應被造些偵測器偵測到的非必要拫動成份係會增加,所以 由非必要振動成份產生的雜訊可Μ»由S擇這些偵拥器的 方向及安排予以降低,如此這棰非必要成份會互相抵消* 而必要的成份會增加,因此增高了 S/N比。 依據本發明之又另一面向,如果隨著抛光進展而改變 的抛光物嫌支持平板之振動會被偵測器偵測到,則由於在 該振動偵測器的周園安置防音的材料,所Μ可以抑制背景 雜訊如馬逹聲音進入該振劻偵測器中,因此提高了S/N比 0 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印| 如果随著抛光進展而改變的抛光物醱支持平板之拫動 會被偵測器偵測到,則由於被偵拥到的振動頻率會被轉換 成該偵測器的最大δ敏度頻率,所以提高了 S/N[:b。 如果随箸拋光進展而改變的抛光物髑支持平板之振動 會被偵測器偵拥到,則由於有一振動平板其固有振動振頻 率與所偵測到的振動頻率相同,係置於該抛光物鼸支持平 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) 3^〇59i 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 A7 B7五、發明説明(9 ) 板與該振動偵測器之間*所以翰入該搌動偵测器中的偵測 振動可以藉由共拫而放大,因此提离了 S/Nl:b。 如果随箸抛光進展而改變的抛光物II支持平板之振動 會被偵測器偵測到,則由於有一同時與該振動偵簡器及該 拋光物體接«的振動傳送物質係作成經過該拋光物體支持 平板,所Μ可以提高從該抛光物體至該振動偵測器之振動 傅送效率,因此提高了 S/N比。 如果隨著拋光進展而改變的抛光物體支持平板之振動 會被偵_器偵測到,則由於用Κ驅動該抛光物《支持平板 的電源供應會在偵測時暫時停止,所Κ顯著抑制背景雜訊 ,因此提离了 S/Nl:b。 如果随著抛光進展而改變的抛光物饅支持平板之振動 會被偵測器偵測到,則由於被偵測到的拫動頻率係在該背 景雑訊的振動頻率處作徹分而且設成與該抛光物鼸支持平 板的固有拫動頻率相同,所Μ可以提高S/N比。 如果随著抛光進展而改變的抛光物匾支持平板之振動 會被偵測器偵澜到*則由於有一振動相與該背景雜訊相反 的振動板係置於該抛光物《支持平板與該振動偵測器之間 ,所Μ可Μ消除輸入該振動偵測器中的背景雑訊,因此提 高了 S/N比。 如果随著抛光進展而改變的抛光物體支持平板之振動 會被偵满器偵測到,則由於有多個振動偵測器係設於所S .擇的抛光物體支持平板上,所Μ可Μ減少由於振動偵拥器 的失靈而更換拫動偵測器所需的時間及努力。 (讀先閱^背面么注意事項和^寫本頁) -裝. -訂 f 本紙張尺度適用中國國家榇準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 一 13 一 4Γ" ψ' 4Γ" ψ' Α7 Β7 〇59χ 五、發明説明(10 ) 依據本發明之又另一面向,由於設有一用Μ在抛为時 偵拥I該拋光物體支持平板的位置之位移偵測器,而且在該 硏磨布與該拋光物體之間的摩擦力會隨箸抛光進展而改變 ,因而移動了該拋光物體支持平板的位置,因此可Μ依據 該位移的改變量來偵測抛光的終點、等等。在這一情形中 ,由於該抛光物體支持平板的位移改變量係不同於背景雜 訊的振動頻寬,所Κ可Μ偵測到優越的S/N比,而不受到 馬逹搌動的影鬱。 , 在本發明中,由於有許多方法用Μ放大在抛光時的固 有振動、提高S/N比、等等,所以它變成很容易決定晶圓 抛光的終點,並不補要不同的材料用Μ偵拥抛光終點,及 類似情形。 圔式之籣要説明 第1_係示出依據本發明之一第一實施例的抛光裝置 結構之示意圖; 第2Α及2Β係出示依據本發明之該第一實施例的抛光裝 置中所施用的硏磨布溝槽之平面圈; 第3圔係示出依據本發明之該第一實施例的拋光裝置 中所使用的頭部之透視圓,部分截面; 第4Α圖係顯示依據本發明之該第一實施例的抛光裝置 Μ其拋光方式藉由一振動偵測設置所偵辦到的振動_頻率與 -据動強度的矚係之作_ ; 第4B圈係依據本發明之該第一實施例的流程圈; 第5A及5B圖係示出裂作半導醱設置之一部分步®的截 本紙張尺度逋用中國國家樣準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ----,----裝-- S丨A , (請先閱讀背面、5-注意事項^^寫本頁)
1T 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印裝 ί 3^〇59ι ·* Α7 Β7 五、發明説明(11) 面圔; 第6A及6B圏係示出一第一實例之截面圖,其中一半導 醱設置的絕緒膜係《由依據本發明之該第一實施例的拋光 裝置之方式予以抛光; 第7A及7B_係示出一第二實例之截面圖,其中該半導 «設置的絕緒膜係藉由依據本發明之該第一實施例的抛光 f 装置之方式予Μ抛光; 第8Α至8C圈係示出一第一實例之截面圈,說明如何藉 由依據本發明之該第一實施例的抛光裝置之方式進行一半 導饈設置的絕緣謨之抛光遇程; 第9Α至9C圖係示出一第二實例之截面圖,說明如何藉 由依據本發明之該第一實施例的抛光装置之方進行一半導 體設置的絕緣膜之抛光遇程; 第10圈係示出在依據本發明之該第一實施例的抛光裝 置中的振動偵測設置所轅出的波形變化圔; 第11圈係示出依據本發明之一第二賁施例的抛光裝置 之頭部的倒面圖; 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印装 第12圖係示出依據本發明之一第三實施例的抛光裝置 之頭部的铕面匾; 第13圖係示出依攄本發明之一第四實施例的拋光裝置 之頭部的俩面圈; 第14圈係示出依據本發明之一第五賁施例的抛光裝置 之頭部的側面匾; 第15Α圏係示出依據本發明之一第六買施例的抛光裝 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公釐) 15 經濟部中央橾率局只工消费合作社印装 A7 B7 五、發明^明(12 ) 置之側面圖; 第15B圖傜示出在依據本發明之該第六實施例的拋光 裝置中一傳送天線與一接收天線之間的安排闊傜之透視圖 第16圖偽示出依據本發明之一第七實施例的抛光裝置 之電路组態的方塊圖; 第17圖#示出依據本發明之一第八實施例的抛光裝置 之側面圖; 第18画傜示出在依據本發明之該第八實施例的拋光裝 置中之上表面平板的底面圖; 笫19圖係示出在依據本發明之該第八實施例的抛光裝 置中之訊號条統的方塊圃; 第20圖僳說明多値施用於依據本發明之該第八實施例 的抛光裝置中之頻段通過濾器的通過頻率與訊號傳送率之 間鬨偽的實例圖; 一―第21圖偽示出藉由在依據本發明之該第八實施例的抛 光裝置中之振動偵測設置所偵測到的振動頻率與振動強度 之間闢係的頻譜說明圓; 第22 A圖偽示出在本發明之第九實施例的抛光裝置之 侧面圖; 第22 B圖偽示出在依據本發明之該第九實施例的抛光 裝置中之上表面平板的底面圖; 第23A及23B圖傜示出在依據本發明之該第九實施例的 拋光裝置中之上表面平板的垂直振動之一第一實例的側面 圖; 第24A及24B圖俗示出在依據本發明之該第九實施例的 -16 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐)
Mr —,:Ί, . 訂 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 五、發明説明(13 ) A7 B7 經濟部中央揉準局員工消費合作社印装 抛光裝置中之上表面平板的垂直振動之一第二實例的側面 圔: 第25A及25B圖係示出施用於依據本發明之該第九實施 例的拋光裝置中之訊號糸統實例的個別方塊圖; 第26A及26B圖係分別示出依據本發明之一第十實施例 的抛光裝置之镅面圈及平面圖; 第27 A及27B圖係分別說明依據本發明之該第十實施例 的振動頻率與振動強度之間關係的作圖; 第28圖係示出在依據本發明之該第十實施例的抛光裝 置中由任何非灰鏖引起的及由灰塵引起的不規則訊號之頻 譜說明圈; 第29圖係示出一實例之部份截面画的供面圖,其中在依 據本發明之一第十一實施例的拋光裝置中之頭部中設有一 雜訊吸收材料; 第30圖係示出一實例之部份截面的侧面圖,其中在依 據本發明之第十一實施例的抛光裝置中有一振動器係接觸 於振動偵拥設置的底部; 第31醒係示出一實例之部份截面的側面画,其中在依 據本發明之該第十一資施例的抛光装置中該拫動器係接觭 於振動偵澜設置的底部; 第32匾係示出一實例之部份截面的側面圖,其中在依 據本發明之第十一實施例的抛光裝置中有一振動傅送針係 置於該振動偵測設置與該被偵測的物《之間; 第33鼸係示出一實例之部份截面的側面圖,其中在依 請 先 閱 r 之) 注 項
訂 線 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 17 五、發明説明(14 ) A7 B7 經濟部中央梂準局員工消费合作社印裝 據本發明之該第十一實施例的拋光裝置中設有一用Μ除去 進入該振動偵測設置中的雜訊振動之電路; 第34圖係示出一實例之部份截面的側面圖,其中在依 據本發明之該第十一貢施例的抛光裝置中設有一用Μ改變 進入該振動偵测設置中的振動頻率之甯路; 第35圔係示出一實例之部份截面的镅面圖,其中在依 據本發明之該第十一實施例的拋光裝置中設有多傾振動偵 測設置及分別接解於其等底部的多個振動平板; ,第36匯係說明施用於依據本發明之該第十一實施例的 抛光裝置中之振動偵測設置的振動頻率與链敏度之間的特 性關係圖; 第37圖係示出在依據本發明之該第十一實施例的抛光 裝置中所偵測到的固有抛光振動頻率與振動強度之間的關 係作圖; 第38圖係說明在依據本發明之該第十一實施例的抛光 裝置中画有拋光振動對拋光時間的稹分頻譜值之變化量; 第39Α圖係示出依據本發明之一第十二實施例的抛光 裝置之钿面画; 第39Β圔係示出在第39Α圖中的下表面平板及硏磨布之 平面圈; 第40_係示出在依據本發明之該第十二實施例的拋光 裝置中之一訊號糸統的方塊圖; 第41圖係說明在依據本發明之該第十二實施例的抛光 請 先 閲-讀 背| 之, 注 項
頁 訂 Λ 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0乂297公釐) 18 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消资合作社印笨 五、發明説明(15) 裝置中霄腦訊號處理步驟的流程圖; 第42A圖係示出在依據本發明之該第十二實施例的抛 光裝置中在校正前平均取樣數據的振動強度曲線及在校正 後的振動強度曲線; 第42B矚係示出在依據本發明之該第十二實施例的抛 光裝置中在校正前及後的撤分振動強度曲線; 第43A圔係示出在依據本發明之該第十二實施例的抛 光裝置中當上表面平板在硏磨布的直徑方向匍離時在該上 表面平板的轉動中心與該硏磨布的轉動中心之間的距離r 變化之波形圔; 第43B麵係示出在第43A圖中的距離Γ所表示的校正因 子的波形圈; 第44A至44D圔係示出在依據本發明之該第十二實施例 的拋光裝置中所使用的硏磨布不同的平面圈; 第45A圈係示出在依據本發明之該第十二實施例的抛 光装置中該上表面平板的軌跡之一第二實例的平面颺; 第45B_係說明在第45A圔中的軌跡上在該上表面平板 的轉動中心與該硏磨布的轉動中心之間距離r變化的波形 圖 第46A圈係示出在依據本發明之該第十二實施例的抛 光裝置中該上表面平板的軌跡之一第三實例的平面圈; 第46B圔係說明在第46A_中的軌跡上在該上表面平板 的轉動中心與該硏磨布的轉動中心之間距離r變化的波形 圈 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS M4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) -裝. 訂 r _線. 19 320 320
A7 B7 五、發明説明(16 ) 第47A圖傜示出在依據本發明之該第十二實施例的抛 光裝置中當上表面平板在研磨布上未偏移時振動強度對抛 光時間的曲線圖; - 第47B圖係示出在第47A圖中該振動強度曲線的徹分曲 線圖; 第48 A及48B圖傜分別示出依據本發明之一第十三實施 例的拋光裝置適當部份的截面圖及底面圃; .第49A至49C画偽示出依據本發明之該第十三實施例的 抛光裝置之頭部的底表面之抛光狀況的底面圖; 第50圖傜示出依據本發明之該第十三實施例的拋光裝 置之拋光進展的位移變化置; 第51圖係示出依據本發明之該第十三實施例的抛光裝 置之拋光進展與一參考訊號比較之位移變化置; 第52A及52B圖偽示出在依據本發明之該第十三實施例 的抛光裝置中之一頭部在振動偵測面積上所投影的個別部 份截面的倒面圖。 圓式元件搮號斟照弄 1 研磨布 11 噴嘴 2 下表面平板 12 諝置器 2a 空洞 13、 13A 輸送器 3 上表面平板 14 接收器 3a 空洞 15 訊號分析部份 4 第一溝槽 16 顯示部份 5 第二溝槽 17 驅動控制器 6 第二溝槽(空洞) -20 - 本紙法尺度適用中困國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁)
T 訂 經濟部中央揉準局貝工消費合作.杜印裝
Α7 Β7 五、發明説明(16_今 經 濟 部 中 央 橾 準 貝 工 消 费 合 作 社 印 製 7 彈性物質. 1 1 8 封套 1 9 軸 請 先1 10、 10A、10B 振動偵測設置 閲 | 讀 •Λ 1 背叫 面 | 之 21 軸驅動部份 31 合成器 注 意— 22 彈性物質 32 輸入接收器 事1 項 1 23 .擺動裝置 33 訊號分析部份 寫] 本个 I 1 24 帶 34 積體電路, 25 輸送天線 34a 、34d、34e第一放大器 s—^ I 1 26 接收天線 34b 濾器 Ί 27 訊號線 34c 第二放大器 1 T 27a 遮蔽線 34B FM輸送裝置 1 訂 28 環形導體 35 處理部份 1 1 29 電刷 36 追加器 1 1 30 佈線 38 扣減器 1 1 41 上表面平板 51 褢片 1 I 42 加速偵測設置 52 共振板 1 43 下表面平板 53 放大器 1 | 44 研磨布 54 穿孔 1 I 45 對位器 55 振動輸送針 1 "Ψ rt 46 對位器位置偵測器 56 振動板 50 防音/吸音材料 57 振動偵測設置 1 I 58 振動控制裝置 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐)
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五、發明説明(16-2) 61 位置偵測器 71 高頻通過濾器 61a 光發射設置 72 第一放大器 61b 光接收設置 73 整流器 62 偵測板 74 低頻過濾器 63 整流器 75 第二放大器 64 電容器 76 A/ D轉換器 65 .放大器 77 電腦 66 低頻通過濾器 77d 影像顔示部份 67 高頻通過濾器 80 偵監器’ 69 FM輸送器 70 記錄單元 81 第一位移偵監器 91 半圓凸物 82 第一位移偵監器 92 半圓凸物 83 第一位移偵監器 較侏奮掄例:>説明 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 'H-今 訂 經濟部中央揉準局員工消费合作社印製 在下面本發明的較佳實施例將參考所附的圖式予以解 說。 (第一實施例) 第1圖偽示出依據本發明之一第一實施例的拋光装置 之組態的適當部份。 該抛光裝置包含有一環形碟式下表面平板2,傜由馬 逹Μ驅動,及一環形碟式上表面平板3,傜用以藉由一吸 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ2?7公釐) 五、發明説明(17 ) A7 B7 經濟部中央揉準局具工消費合作社印製 收墊(未示出〉支持一抛光物鳢W。由一或多痼空穴所構成 的共振部份2a、3a係分別在該下表面平板2及該上表面平 板3中形成。與抛光物醱W相對且與其接觸的硏磨布1係 黏箸於該下表面平板2上。 該硏磨布1依由例如細胞狀胺基甲酸乙酯所作成,並 具有兩層的結構。 如在第2A及2B画中所示,深度約2Bia的第一溝槽4係 於該硏磨布1的上層部份之多個區域上形成。多傾被該第 一溝槽4所圍嬈的方形區域係分別形成例如寬度20mm的方 形*而且其等可Μ作為共振部份5 »用Μ當與該抛光物» W接«時在作抛光時引發拫動。重叠在該共振部份5上的 第二溝槽(空穴〉係在該硏磨布1的下1中形成》Μ使其與 該共振部份5的振動產生共振。 該第一溝槽4的形成區域並不特別予以限制,其等可 Μ是在第2Α及2Β圈中所示的例子。在第2Α顯中,該第一溝 槽4値別有一方形平面形狀,而且多個該第一溝榷4係在 十字形方向上形成。在第2Β圈中,多傾該第一溝槽係Μ直 線方式在垂直及水平方向上形成。 如在第3圈中所示,該上表面平板3係利用内部空穴 的封套8藉由如橡皮、彈簧、等等之彈性物質7予Μ支持 ,而使其與該封套8作不同的蓮動。該封套8的上部份係 固定於軸9的下端,該軸9係藉由軸驅動部份21予以轉動 及作上下移動。該封套8、該上表面平板3及該揮性物質 7整髏稱為“頭部” ^在該頭部内部空間的内部壓力係保 請 先 閲★讀, 背 ft 之、~ 注- I 項
頁 訂 本紙張尺度適用中國國家棣準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 21 五、發明説明(I8 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 持使該上表面平板3推至該硏磨布1。 振動偵测設置(以下亦稱為“加速器設置”)10係接觸 於該上表面平板3的上面或側邊部份。該振動偵測設置1〇 的輸出端係連接於輿該封套8接嫌的轅送器13。列如,該 振動偵測設置10可Μ使用壓霣加速感測器。 該頭部所具有的結構是在該封套8、該上表面平板3 及該彈性物質7之間繞成一個空間,係保持在設定的壓力 ,稱為氣背式頭部。在該氣背式頭部中,如果該上表面平 板3向上位移*則會有向下的Ε力施加於該上表面平板 3上而使其回到原來的位置;如果該上表面平板3向下位 移,則會有一向上的壓力施加於該上表面平板3上而使其 回到原來的位置,然後保持住該向下或向上的壓力。該向 下或向上的壓力係來自外面經由在該軸9中的空穴予以供 應。 該幢送器13係將來自該搌動偵測設置10的振動頻率及 振動強度之振動訊息藉由無線霣訊號蠄送至接收器14。訊 號分析部份15係分析來自該接收器14的振動訊息,然後從 振動頻率與振動強度的結果頻譜滅去由多種非抛光的原因 (例如該抛光裝置的固有振動成份 > 所產生的固有振動成份 。顯示部份16係顯示該減去的結果。驅動控制器17係移動 、驅動及停止該軸9及調置器12,或控制經由噴嘴11供應 的抛光液黼供應量。 該硏磨布1的表面係藉由該調置器12予Μ設定。該調 置器12的垂直移動及轉動移動係由驅動控制器17予以控制 請 先 閱 讀 背 之 注 項 η 訂 本紙张尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 22 00 _ 五、發明説明(B ) A7 B7 用K轉動該下表面平板2的馬達Μ之轉動數目亦係藉 由該驅動控制器17予Μ控制。 為了說明的目的,在上述的拋光裝置中係Μ由矽、緒 、及複合半導«、等等所作成的晶圓當作拋光物蠖W*其 上有導電膜、絕綠膜、金屬膜。 在該硏磨布1中的第一及第二溝樓之位置可Μ形成多 镝撖孔。 在下面將以該半導體晶圈當作例子來解釋該抛光裝置 的拋光運作。 首先該半導體晶_界係黏著於該上表面平板3的下表 面上當拋光物«W,然後依據由該驅動控制器17供應的訊 號使該下表面平板2轉動。該賴9係依據由該驅動控制器 17供應的訊號轉動及放下Κ推動該半導醱晶蹰W至該硏磨 布1。抛光液體係於抛光時經由該哦嘴11供應至該硏磨布 (請先閲讀背面之注 裝-- :寫本頁) 訂 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印裝 在開始抛光之後,由在該半導體晶圔W與該硏磨布1 之間的磨擦所引起該半導醱晶圖W的振動會引起該硏磨布 1的搌動部份5產生振動。該振動部份5的拫動係藉由在 第二溝槽6中的共振及分別在該下表面平板2及該上表面 平板3中的共振部份2a、3a中的共拫予以放大,然後_送 至該拫動偵測設置10。 當振動被_進該拫動偵測設置10時,在該因摩擦所引 起的振動成份中係加上由用以驅動該軸9的軸驅動部份21 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210Χ297公釐) 23 320591 A7 B7 五、發明説明(2〇 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印繁 傳來的振動部份。該軸驅動部份21的固有振動係作為該用 Μ偵測摩擦搌動的振動偵測設置10的雜訊。然而,因為該 振動偵測設置10係接觭於該上表面平板3,所Μ由該軸驅 動部份21傳送到該軸9及該封套8的固有振動會由於該彈 性物質7的振動吸收而減弱。結果,因為由該軸驅動部份 21傅送至該上表面平板3的固有振動會減弱,所Μ可以減 低輪進該振動偵測設置10中的雜訊。 由該振動偵拥設置10偵測到的振動訊息如振動頻率及 振動強度係藉由_送器13、接收器14、及訊號分析部份15 傅送到顯示部份16,然後在該.顯示部份16上顯示。例如, 在第4圖中所示的振動強度頻譜係顯示於該顯示部份16上 。該強度頻譜可以藉由訊號分析部份15減去由非抛光因索 所產生的固有振動成份而衍生得到。 在抛光的初始狀態中在全部已抛光的表面上仍然留有 凹凸不平的狀態下,逭可以看到從低頻率到高頻率的整掴 振動寬頻中會出現增強的振動強度。當一部分的抛光表面 隨著抛光的進展而作局部平坦化時,不但會使所有振動頻 率範園的振動強度減低,而且例如在約500Hz的低拫動頻 率的振動強度之衮減亦變得顯著。在該低頻率範圍衮減的 特殊現象表示該抛光表面的部分已被抛光成平坦。相反的 ,如果全部拋光表面已被拋光成很均勻,則在約1000Hz的 高頻率範園的振動強度會減低。如果係使抛光表面的一部 分平坦化,則該上表面平板3及該下表面平板2的轉動數 目Μ及供應給該上表面平板3的壓力係由該驅動控制器17 丨丨.*1丨-^---•「裝丨丨 (請先閲背面h注意Ϋ項-^¾寫本頁) f 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 24 五、發明説明(21 A7 B7 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 予Μ控制,因此可以減低抛光時的變化。 當全部的抛光表面已被均勻平坦化時,則不會產生振 動,因此,如第4Α圖中所示,振動強度在所有振動頻寬中 幾乎為零。 如前述,因為振動頻寬增寬而且由硏磨布1中的撖發 部份5所引起的振動而使拫動強度增強,所Μ不但可Μ增 高δ敏度,而且藉由該硏磨布1的第二溝槽6之共拫作用 Μ及在下表面平板2及上表面平板3中的共拫部份2a、3a 之共振作用使該振動放大。 因此*可Μ很容易偵拥到抛光表面上的撤小凹凸並且 予Μ放大。抛光狀筋係小於O.OWm的抛光表面上的撖小凹 凸可Μ依據振動的變化而偵測到《而且在該抛光表面上抛 光時改變的情況可Μ取得良好的精確度。藉由改變拋光時 的壓力或改變上表面平板3或下表面平板2的轉動數目而 使變化減低,則抛光時變化可Μ»由自動修正方式予以校 正。因此,可Μ偵測到很髙精確度的拋光條件,亦即很容 易決定拋光终點,而且可Κ省略補充的抛光。因此,可Κ 增高產率。 如果利用訊號分析部份15作振動強度的頻譜對振動頻 率稹分時,則該積分值會随抛光的進展而逐渐減低。因此 ,當該稹分值的變化相對於時間變為零時*即決定完成抛 光。在此時,該訊號分析部份15會輪送一抛光結束訊號至 驅動控制器17。該驅動控制器17會藉由停止軸9的轉動或 抬起該軸9而使半導髏晶圖W與硏磨布1分離,並且結束 請 先 閲 * 面 之. - 項
頁 訂 線 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) -- 25 五、發明説明(22 A7 B7 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印装 抛光蓮作。 在道一情形中,可以採用一設定的頻寬内的振動強度 之平均值當作該稹分值。 酋抛光運作已結束時而該稹分值並不完全變為零之倩 形下,則可Μ依據箪該積分值到達一設定的參考值或該對 時間的稹分值變化小於一設定的參考值時而決定結束拋光 運作,如第4Β圖中所示。 另一方面,如果硏磨布1在结束拋光之前已被磨損時 «則在抛光物髏W與瀲發部份5之間的摩擦力會滅低至使 振動消失,因而使振動強度急速衮滅,因此產生實質上與 結速拋光相同的特性。逭棰拫動強度急速衮減的情形係藉 由振動偵拥器10、輪送器13、及接收器14輪送至訊號分析 部份15,然後藉由該訊號分析部份15決定視為降级。在造 一情形下,該訊號分析部份15會使驅動控制器17停止抛光 *然後驅動調置器12Μ調置該硏磨布1。在完成該硏磨布 1的調置之後會開始對該抛光物鱅W作抛光。 當硏磨布1的表面變為平滑時,則振動強度會在幾儕 dB的级數中出現〇至數百Hz的拫動頻率範圍。因此可Μ瞭 解的是該硏磨布1的硏磨情形可Μ依據當逭種振動頻率範 園的振動強度出現時的訊息Μ及振動強度的變化予以偵測 0 當抛光從開始到終點的時間係少於設定的時間時或當 該對時間的積分值變化係減低超過設定值時,則均可採用 當作該硏磨布1降级的檷準。 .裝-- (請先閲背面之,注意事項^¾寫本頁) 訂 Γ 線 本紙張尺度適用中國®家橾隼(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐> -26 - 五、發明説明(23 A7 B7 經濟部中央梂準局負工消費合作社印— 接下來將說明如何藉由上述的抛光裝置對一覆蓋該半 導髓設置的連線區域的絕緣膜作抛光。 如在第5A困中所示,係先在半導鱧基材t上形成第一 絕绪膜Wa,然後在該第一絕逢膜W«上形成金颶膜,又在第 5B匾中所示,藉由使該金羼膜圖案化而形成連線區域的圔 案W3。之後,如在第6A_中所示,使第二絕续誤W*形成K 保謂該連線逛域園案W3。在該連線區域圈案W3與該第一絕 緣膜W·之間形成的高度差異會在該第二絕緣膜W*的表面上 顯現凹凸不平。該第二絕緣膜W*的表面係被抛光至由上述 抛光裝置偵測到終點。結果,如在第6B圓中所示,該抛光 表面會變爲平坦。 如果該第二絕縑膜W*係由例如使用TE0S的Si 0*膜作成 ,則拋光率會很高。因此,如在第7A圈中所示*在有些情 形中會在該第二絕緣膜W*上藉由CVD方法形成保化矽膜We 。該氮化矽膜We的表面並不平坦。該第二絕续膜W4及該氣 化矽膜We的表面係被抛光至由本發明的抛光裝置偵拥到终 點。結果,如在第7B圓中所示,該抛光表面會變成平坦。 因爲氱化矽比Si〇β硬很多,所Μ當使用該免化矽膜We時所 逹到的拋光量會比當沒有使用該氮化矽膜We時所達到的拋 光覺爲少。 如果只有該第二絕緣膜W4須要拋光,則該拋光的表面 變化情形係如在第8A至8C_中所示。在逭一情形中*輸進 振動偵澜設置10中的振動波形,如在第10圖中所示,會隨 著抛光進展而減低。 (請先閲讀背面之注意事項\^寫本頁) r -裝i λ Λ 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 27
經濟部中央梂準局員工消費合作社印$L 3^〇59i A7 B7 五、發明説明(24 ) 另一方面*該第二絕鋒膜W«及該氮化矽膜We均被抛光 ,如在第9A及9B圔中所示,該覆蓋著初始狀態之全部表面 的氮化矽膜We會隨著拋光進展而部分磨失,因而曝露出該 第二絕緣膜W«。如果使該第二絕续膜VU及該《化矽膜、進 一步抛光*則會在該抛光表面已平坦化之時偵測到抛光的 終點,並在此時停止該抛光表面的拋光動作。只有該第一 絕鎵睽W«在抛光表面上曝露出來*如在第9C圈中所示,或 有部分的氮化矽膜We留在該拋光表面。 在逭些抛光動作中,如在第10圏中所示*拫動波形係 被_進振動偵测設置10中。 因此,如在專利申請案公告(Κ0ΚΑΙ)第6-320416號所 述*上述的抛光裝置並不會偵測依據膜性質的變化而使捩 幅增高的情況 > 而是偵測依據隨抛光表面平坦度的增离而 依比例使振動強度減低的情況。因此,該抛光裝置的結構 係作成振動減低至一設定的棟準之階段時決定議拋光終酤 ,然後停止抛光蓮作。 可Μ使用多値上述的振動偵測設置10接觸於上表面平 板3。例如》可Μ藉由分別偵測在垂直及钿续圓周的方向 上的變化而偵測到更細橄的拋光狀況。在這一情形中,可 Μ依據由多傾振動偵測設置10所衍生的平均值Μ偵拥該振 動強度的頻譜積分值。該振動偵測設置10的振動訊號可Μ 不是在垂直方向上的振動*而是在側邊或圖周方向上的拫 動。該圔周方向上的振動會在第八及第九實施例中作詳細 的說明。振動偵拥設置10可Μ接觸於下表面平板2,替代 —叫—,—-1丨丨 (請先閲i背面,<-.注意事項一1-¾寫本頁) 訂 f 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 28 五、發明説明(25 A7 B7 經濟部中央揉準局負工消費合作社印装 上表面平板3。相同的情形,這在下面的實施例中亦爲可 行0 (第二實施例) 第11圈係示出依據本發明之一第二實施例的抛光裝置 之頭部的側面圈。 在該第二實施例中,如在第11圖中所示,由Em材料 如陶瓷或晶餿所作成的振動偵測設置(加速設置)10係置於 上表面平板3的中間層中。因此不但可以偵拥到相對於抛 光物體W的抛光表面之垂直振動,而且可Μ偵拥(到在杻轉 方向上沿著抛光表面所引起的摩擦力,亦即“滑動摩擦” 。因為該滑動摩擦力在一部分的拋光表面被局部平坦化時 會思速的減低,所Μ如果必須均勻抛光全部抛光表面,則 可Κ藉由調整抛光條件(例如抛光壓力、抛光速率、等等> Μ不致急速減低該滑動摩擦力而除去抛光時的變化。 舆第一資施例相似,在該第二實施例中,拫動偵拥設 置18係連接於_送器13。該拫動偵拥器18可Μ施用於其中 撖發部份5不是在硏磨布1中形成的抛光装置中。 (第三實施例> 第12圈係示出依據本發明之一第三實施例的抛光裝置 之頭部側面圈。 在該第三實施例中*如在第12圖中所示,膜狀壓力感 測器19如應變儀表係置於抛光物體W與上表面平板3之間 。因此,在垂直於抛光表面的方向上所施加的壓力變化可 以藉由霣阻變化的形式予Μ偵測,所以可Μ偵測到該垂直 丨丨.Ί丨-^---裝丨丨(請先閲^背面6注意事項^%'寫,本1) 、1Τ f 本紙張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) A4規格(21 OX 297公釐) 29 fr 經濟部中央梯準局貝工消费合作社印裝 A7 B7 五、發明説明(26 ) 方向上的振動頻率及振動強度。造棰用Μ偵測懕力分佈的 想拥器可以笛作該壓力感拥器19。 在該第三賁施例中振動偵拥設置18係連接於_送器13 ,與第一實施例相似,可Μ施用於其中撖發部份不是在硏 _布中形成的抛光裝置中。 (第四實施例) 在上面的實施例中,抛光物《係接«於上表面平板, 同時硏磨布係黏替於下表面平板。相反的*如在第13圈中 所示,抛光物釀W可以接觸於下表面平板2,同時硏磨布 可以黏著於上表面平板3。 在該第四實施例中,激發部份5亦在硏磨布1中形成 ,而振動偵測設置10及幘送器13亦接觸於上表面平板3。 在該第四實施例中,第二溝槽6可以在硏磨布1中形 成,而共振部份2a、3a可以是空穴的形式在上表面平板3 及下表面平板2中形成,與第一實施例相似。 (第五實施例) 在上面的實施例中設有藉由軸使上表面平板轉動的機 制。但是,如在第14圓中所示,拫動偵测設置10及_送器 13可Μ接«於上表面平板20,縱使係使用包括有不具轉動 機制的上表面平板20之所謂的靜重類型的拋光裝置。在逭 棰情形中,激發部份5可Κ在下表面平板2上的硏磨布1 中形成*而共拫部份可Μ是空穴的形式在上表面平板3及 下表面平板2中形成。 醮予注意的是在第14圖中相似竹參考符號係相同於或 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) ---;---;----^-- (請先閱讀背面.-C.注意事項一C填寫本頁) r 線 -30 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明(27 ) 對應於在第1圖中的部分。 (第六實施例〉 雖然在上面的抛光裝置中可以使用電池當作繪送器的 霣源,但是如果在該抛光裝置驅動期間該電池的霣源供應 能力逐漸減低時,則使拋光動作受阻。在該第六實施例中 ,所揭示的抛光裝置係包括有不是使用«池以供應電源给 轅送器之結構及藉由無線電使該輪送器與接收器連接之结 構。第15A圄係示出依據本發明之一第六實施例的抛光裝 置儸面圈。在第15圏中相似的參考符號係相同於或對應於 在第1圖中的部分。依據第15A圔,包括有馬逹的軸驅動 部份21係設於軸9上。該軸驅動部份2丨係藉由揮性物質22 與振動裝置23結合。該播動裝置23係連接於帶24而且俤安 排成能在垂直及水平方向上沿著硏磨布la的上表面移動。 該振動偵測設置(例如加速感測器)10係固定於上表面 平板3上,位於遠離該上表面平板3的中心有該平板3半 徑1/4至3/4倍長的距離。至少有一連接於输送器13的_送 天線25的線圑係纏繞在與該Ml送器13接觸的封套8外圓周 上。再者,至系有一接收天線26的線圈係纏撓在該旋轉裝 置的外圓周上,而且如在第1園中所示,然後該接收天線 26係藉由一安排成沿著該彈性物質22及該帶24的訊號線27 與該接收器14連接。該接收天線26係利用接地的遮蔽線 27a予以圃繞。 舆該表面分離的環形導«28係在軸9周圍形成。一連 接於向外延伸的霣源供應佈線的導霣刷29係接腾於該環形 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )以規格(210X297公釐) (诗先閲讀背面之注意事項+4'寫本頁) -裝 f 31 五、發明説明(28 ) A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印裝 導醱28。佈線30係從該環形導體28沿著該軸9的内部或内 部表面延伸,而且'連接於該_送器13的锺源供應端。該佈 線30係使用絕緒物質予Μ包覆。 如果該用以固定上表面平板3在封套8上的揮性物質 7係由絕緣物質作成,則該由導電材料或金颶作成的上表 面平板3必須與接地線連接Μ使在該上表面平板3與輪送 器13之間的電位保持在地面霣位。如此,只有一傾佈線将 足Κ成為在地面電位的軸9之縱長方向上延伸的佈線30。 依據上面的拋光裝置,縱使當上表面平板3係藉由軸 9轉動時,由蠄送器25輪出的訊號係藉由無線霣經由在該 上表面平板3的周圍形成的幾乎環形的_送天線25予 送。因為該無線電訊號,如在第1圈中所示*係經由在軸 驅動部份21周圍形成的幾乎環形的接收天線26予以輪送進 入接收器14,所Μ該無線電訊號不會受到軸9的干播。在 這一情形中,如果擺動装置23振動時,則該鴒送天線25及 該接收天線26亦同時搌動,而該輪送天線25亦轉動。該接 收天線一點都不轉動。 如果該«I送天線25及該接收天線26其中之一係以實» 上環形的方式安排在》9的周圍,則均能進行輪送及接收 。但為了避免由於軸9的摒動而使輸送及接收的條件不穩 定,所Μ較佳的是該輸送天線25及該接收天線26兩者係分 別作成環形,而且是Μ共軸的方式形成。 因爲該鍮送器13的霣力消耗係S由沿著軸9安排的佈 線30供應,所以可Μ省去更換用Μ供應霣力給該_送器的 ---^---.----裝-- (請先閏讀背面t注意事項寫本頁)
、1T f 線· 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) 32 經濟部中央揉準局爲工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(29 ) 霉池之勞力*而且可以避免由於電力不足而使抛光中止, 因此使產率增高。 可Μ使用與第一實施例相似其中有形成激發部份的硏 磨布la。再者,亦可採用在第一實施例中所示並非電源供 應条统及訊號_送条统之結構。 (第七實施例) 如果,如在第一及第六實施例中所示,有多傾抛光物 贐係藉由使用多個抛光装置以平行排列方式予Μ拋光,則 需要安排用以處理多値抛光裝置的糸統。因此,用以實施 該處理条統的本發明之一第t實施例係Κ第16圖予Μ說明 0 在第16圈中*用以轜送不同頻率的訊號匕至匕的輸送 器13係接«於多籲抛光裝置·,至^,每偁均具有上逑的結 構。上述的振動偵測設置10係分別連接於該等轜送器13。 該等轅送器13係作成只藉由經濾器過濾的傾別振動頻寬來 _送訊號。 由個別轅送器13轜出的訊號係經由鳊送天線25及接收 天線26藉由無線霣予以傳送。幘入在該_送天線25的上游 的接收天線26之不同頻率的訊號匕至匕係藉由合成器31輪 入接收器32。每次當訊號分析部份33要求抓取一固定曼的 接收資料時,該接收器32會以一時間間隔步8[依序調準由 該多傾輪送器13供應的訊號。至丨„。該接收器32係備有一 自動調準(自動頻率控制)機制。該自動調準機制會自動抓 住在一參考頻寬内調準訊號的頻率變化,因此可Μ避免不 (請先閲讀背面之注意事項IV"'寫本頁) .装. 訂 f 線 本紙張尺度適用中國阐家橾牟(CNS ) Α4規格(2丨0'〆297公釐) -33 - 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印褽 Α7 Β7 五、發明説明(30 ) 可能接收的非便利性,縱使個別訊號1^至“的頻率由於溫 度變化或類似情形而稍撖镰移。因此,偁別訊號匕至^结 是可Μ在最佳的接收條件下被接收,縱使該等_送器13的 W送頻率會由於租度改變或類似情形而改變。 該接收器32係将與調準的訊號柑同或幾乎接近的不同 頻率的訊Sth至fn_送到訊«分析部份33。因此,可Κ在 該訊號分析部份33中正常執行訊號處理。 該訊號分析部份33係控制驅勘控制器17,其係設在依 據Μ時間間隔步驟處理的訊號fl至f n之傾別抛光裝置至 »«中,Μ使表面平板驅動/懸浮、控制壓力、調整表面平 板的轉劻數目、或使調置器驅動/懸浮。 調準動作係依頬率大小级數之順序進行*而且重複許 多次。 使用上述的程序,可Κ有效處理多健拋光裝置而且得 到最佳狀況。 (第八實施例) 在該第八實施例中,將說明一抛光裝置,其係依據抛 光表面的圖周方向(轉動方向)上的振動來控制抛光動作。 第17圏係示出依據本發明之該第八實施例的抛光裝置钿面 圔。第18圆係示出在依據該第實施例八的拋光裝置中之上 表面平板的底面圔。在第17圖中相似時參考符號係相同於 或對應於第1及15圖中的部分,而在第17圖中未出示的部 分係與第1及15·中任何對應的部份具有相同的結構。 在該第八實施钒中,用Μ使氣背式封套8與上表面平 本紙張尺度遙用中國國家標準(CNS ) A4規格(210XW7公釐) I. I ^---------裝-- • · A (請先閲讀背面之注意事項命埃寫本頁)
-1T Γ 34 r A7 B7 五、發明説明(31 ) 經濟部中央搮準局爲工消費合作社印装 板3連接的撣性物質7之材料並未特別限制*但是如果係 使用其中夾有布片的多層結構之橡膠片或多偏堆叠的橡膠 片,則可以增高該撣性物質7的機械強度。 如在第18圖中所示,振動偵測設置10A係接觸於上表 面平板3 >而且被指向可K在該上表面平板3的國周方向 上偵測到撤細的振動。該振動偵測設置10A係作成可Μ藉 由改變其方向而選擇想要偵測的振動方向。在上述的第一 至第七實施例中的振動偵测設置10係被指向為偵澜垂直振 動。 該振動偵測設置10Α係藉由訊號線與在封套8上的鑰 送器13Α連接。該幢送器13Α的訊號_出端係連接於在封套 8的外躅周表面上形成的環形輪送天線25。該_送器13Α 的霣源供應端係連接於在第15圓中所示的環形導體28。用 以接收由該瓌形_送天線25_出的無線電訊號之檐制係作 成包括有在第15圖中所示的環形接收天線26。 在第17圈中•參考數宇34係指包括有第一放大器34a 、濾器34b、及第二放大器34c的積路,逭將在下面說 明。, 第19圓係示出在依據該第八實施例的拋光裝置中的_ 送糸統及接收糸統之霣路組態。 該拫動偵測設置10A係藉由一電線經由該第一放大器 34a、濾器34b、及第二放大器34c與該蠄送器13A連接。逭 種振動設置10A之®敏度相酋於50HV/G (約50kV/Gal)或更 离,而其雜訊水平相笛於IbG (約IGal)或更低。如果係使 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 35 3^〇59χ Α7 Β7 經濟部中央揉準局J工消費合作社印袈 五、發明説明(32 ) 加速感測器當作該振動偵測設置10A,則其共拫頻率係离 於20KHz,或該感拥器的拫動係與振動強度隨抛光進展而 改變的頻率共振。 該第一放大器34a具有放大因數爲500 ,該濾器34b是 10Hz至30KHz的頻段通過濾器,而該第二放大器34c具有放 大因數爲1/50。例如,係使用FM_送器當作該輪送器13A 〇 可以使用市埸上隨逸的放大器當作該第一放大器34a 及該第二放大器34c。該濾器34b可Μ藉由組合多鵪頻段通 過的《器如具不同中心頻率的圏型均衡器作成,使其能夠 立即對由於抛光條件的改變、拋光物體的更換、或該抛光 裝置的重組之振動棋式的改變作反應,或者該濾器34b可 Mil由使用可程式的頻段通過濾器作成,使其能夠依值別 的振動頻宽以修飾其_送度。一藉由圖型均衡器所«得的 濾器特性實例係示於第20圖。較佳是使用其衮減率高於34 dB/oct及其頻寬相當於中心頻率或更低或約ΙΚΗζ之頻段通 遇濾器。 同時,在該接收糸统中,該連接於接收天線26的接收 器14係包含有一具有訊號分析部份15的處理部份35、及驅 動控制器17,如在第1圖中所示。該處理部份35係包含有 PFT分析器、CPU板》或所諝的個人電腦。該處理部份35係 作成可Μ接收從約10Hz至約30KHz的振動頻率的頻譜。 雖然該用Μ測量固有拋光振動的組態在上面已有說明 ,其他由,例如,該用Μ使下表面平板2及上表面平板3 (請先閲讀背面之注$項护仏寫本頁) η •裝· f 線 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 36 五、發明説明(33 A7 B7 經.濟部中央標準局員工消費合作社印装 轉動的馬連所引起的振動實際上亦蠄進該振動偵測設置10A 。因此*較佳的是該抛光裝置係作成使由該抛光裝置本身 所引起的上表面平板3振動可Μ逹到50bG(約50Gal〉。作 為決定振動是否低於500iiG的方法,如果係使用平坦的晶 圖當作該抛光物饈W »則可Μ測量到使該上表面平板3受 影«的抛光振動。 接下來将藉由使用上述的抛光裝置來說明抛光的終點 偵測。 首先,該抛光物體W的拋光動作係藉由使下表面平板 2及上表面平板3轉動並使該黏箸於下表面平板2的下表 面之抛光物髏W推向硏磨布1而開始。如在第一實施例中 所說明的,該硏磨布1包括有晶格狀的溝榷4及振動部份 5 〇 現已有探討在該上表面平板3的躓周方向上0至25Hz 的振動頻率與振動強度之間如何随拋光時間而改變。結果 係示於第21圖中。可K看出振動強度係隨箸抛光的進展在 所有的振動頻寬中均減低。 然後*由該拫動偵測設置10A偵测到的拫動訊號係經 由輪送器13A及接收器14輸入處理部份35中。該處理部份 35係使該測置時的振動訊號與當作參考值的參考頻譜作比 較,並在一特別頻宽内的振動強度積分值對該參考頻譜的 積分值之比係減低至低於一設定的底限值之時或在一特別 頻寬内的搌動強度積分值之時間變化量減低至低於一設定 的底限值之時*則決定停止拋光動作。 (請先閲讀背面之注^^¥ 裝-- -"寫本頁)
,1T f 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS.) A4規格(210 X 297公釐) -37 _ 37 r A7 B7 五、發明説明(34 ) 無線電蠄送器13A的表現會受到振動訊號的偵測精確 度後大影«。該第一放大器34a、第二放大器34c及濾器34b 及蠄送的振動訊號之特性係藉由進行下面的步驟而決定。 首先,該上表面平板3的搌動強度係由霜線予K測置 。接著,該第一放大器34a的放大因數係藉由使放大該振 動強度訊號所得到的電壓不超過該濾器34b所可接受的_ 入電S而決定。再者,該第二放大器34c的放大因數係藉 由使放大該經過濾器34b的振動強度訊號所得到的霣壓不 超過該輪送器13A所可接受的蠄入II壓而決定。 接著,偽決定該濾器34b在拫動強度的頻率内之轅送 頻寬。首先,在實際進行拋光動作的同時,振動頻率係藉 由無線《予以輪送,然後後使在抛光動作進行中亦檢查不 會改變拫動強度的振動頻率。因此,不會輪送該振動頻率 的輪送頻寬《得決定。縱使在抛光動作進行中搌動強度不 會改變的振動成份是由該拋光裝置本身所引起的振動雜訊 (請先聞讀背面之注意事項ΐ 裝-- π寫本頁) 訂 f 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 該硏磨布1的降级及該抛光液體的密度改變可Μ藉由 事先測量到的頻譜之一剖面與真實頻譜之剖面比較而得知 。如果並不需要這些訊息而只偵測抛光終點,則該在一特 別頻率範圍内的振動強度訊號可以被轉換成一對應於在該 輸送器13Α的前階段中的平均平方根值之DC訊號,然後該 DC訊號可以從該翰送器13A輪送到該接收器14。 為了擴大在藉由無線笛饞送該拫動訊號時的幅度範圍 >可以瞭解的是該振動訊號可Μ藉由對數放大器予以放大 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(2丨Ο X 297公釐) 38 r 經濟部中央標準局—工消費合作社印装 A7 B7五、發明説明(:35 ) 而藉由無線電從該輸送器13A鎗送出來,然後無線電訊號 可K被接收器14接收到,然後該接收的訊號可Μ藉由逆向 對數放大器予Μ回後成原來的訊號。 雖然在該第八實施例中電源,如在第15函中所示,係 藉由該環形導體28供應到該振盪器13Α >但是可Μ使用霄 池。再者*該輸送器13Α可Κ利用一具有與該用以供應電 源的環形導醚相同結構之環形訊號導體藉由電線Μ取代無 線18將該訊號«ί送到該接收器14。再者,雖然該鑰送器 13Α係接«於該封套8的外面,但是也可以與該拫動偵澜 器10相似*係接觸於在該封套8中的空穴褢面。 在第17·中係在一個下表面平板2上安排一傾上表面 平板3。但是在抛光裝置係在一®下表面平板2上使用多 個上表面平板3或使用多组下表面平板2和上表面平板3 之情況中,係《由對每fi頭部提供上逑的結構以值別獨立 控制抛光動作的進行及終止。 在該第八實施例中所說明的放大器及濾器亦可施用於 在該第一至第七實施例中所討論的抛光裝置。 (第九資施例) 雖然在該第八實施例中己說明接觸有一偁振動偵測設 置10A的情形,但是為了增進該上表面平板3的轉動平衡 ,可Μ在該上表面平板3上對稱於該振動偵測設置10A的 位置接*一傾重量與該振動偵測設置10Α相同的重物或一 第二振動偵測設置,MS定該上表面平板3在轉動時的拫 動0 (請先閱讀背面之注意事項命填寫本頁) η .裝· 、1Τ f 線 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS )人4規^格(210X297公釐) 39 - r A7 B7 五、發明説明(36) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第22圖係示出一接觴有第二振動偵測設置的抛光裝置 。在逭一組態中,由兩傾搌動偵測設置10A、10B所引起的 振動雜訊可MS由使用在Μ下討論的鬣路組態予K減低。 該振動雜訊係起因於在舆測量方向垂直的方向上之振 動成份。一般而言,該振動偵測設置10Α、10Β對在與測量 方向垂直的方向上之振動成份具有幾個%的S敏度。在該 第九賁施例中,該垂直方向的振動成份係鉛直方向上的拫 動。 在第22圈中,有兩種情形,兩値钿別_入兩傾拫動偵 測設置10Α、10Β的垂直振動係在相反方向,如在第23Α及 23Β圖中所示,而係在相同方向,如在第24Α及24Β圔中所 示。 如果垂直振動雜訊如在第23圈中所示係在租反方向上 引起,則在與該振動偵测設置10Α、10Β的_出端連接的第 一放大器34d、34e的輓出端處連接一追加器36,如此該追 加器36的_出端係連接至該濾器34b。在逭一情形中,如 在第22A圈中由實線箭頭所指示,兩锢振動偵測設置10A、 10B係個別安排成在相同的圓周方向上偵測該上表面平板 3的轉動振動。 藉由安排兩掴振動偵測設置10A、10BM及在該第一放 大器34d、34e的蠄出端插入該追加器36,則可Μ消除或減 低垂直振動雜訊。而且,由於輪入該濾器34b中的圓周方 向振動強度係增高兩倍,所Μ可以提高S/N比。 另一方面,如果垂直振動雜訊係如在第24 Α及24Β圈中 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 40 -a η - (請先閲讀背面之注意"項命%'寫本頁) η 裝 f 線 3^〇5 A7 B7 經濟部中央棣準局負工消費合作社印聚 五、發明説明(37 ) 所示的方式產生,則在與該振動偵測設置10A、10B的《I出 端連接的第一放大器34d、34e2_出端處遽接一扣減器38 *如在第25B圈中所示,如此該扣減器38的_出端係連接 至該濾器34b。在道一情形中,如在第22A圈中虛線筋頭所 指示,兩傾振動偵測設置10A、10B係掴別安排成在相反的 圈周方向上偵拥該上表面平板3的轉動拫動。 藉由安排兩艏振動偵測設置10A、10BM及在該等第一 放大器24d、24e的«I出绱處插入該扣滅器,則可Μ由於加 上相反的振動雜訊而減少振動雜訊。而且由於輸入該濾器 34b中的鬮周方向搌動強度之絕對值藉由該扣減器38而增 高2倍,所以亦可以增高S/N比。 依據該抛光裝置及抛光條件,則可Μ決定在該上表面 平板3中安裝的是如在第23Α及23Β圔中所示的垂直振動或 是如在第24Α及24Β園中所示的垂直拫動。因此必須事先檢 査該上表面平板3係採取那一棰垂直振動。逭棰類型的垂 直振動可以藉由改變兩傾振動偵拥i設置1〇Α、10Β的方向安 排或是藉由選取追加器或扣減器而作選擇,Μ使雜訊大幅 減低。 在該第九實施例中,係S擇圖周方向上的振動成份爲 偵測目檷,則垂直振動成份係予忽略。但是,如果係選擇 垂直拫動成份為偵測目檷,則忽略國周方向上的振動成份 。在逭一情形中,必須修正兩掴振動偵測設置1〇Α、10Β的 方向。 (第十實施例) (請先閲讀背面之注意事項吞填寫本頁) '* ^ .裝.
、1T Λ 本紙張尺度逋用中國國家搮準(CNS ) Α4规格(210 X 297公釐) 』, -41 - 32059:1 Α? Β7 .Iv 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(38) 第26A圈係示出依據本發明之一第十實施例的拋光裝 置。該第十實施例可Μ防止抛光表面在抛光時被灰麈刮損 ,而且有助於去除灰塵。關於灰廑刮損拋光表面的問題* 係在抛光液體、抛光物體片段、等等之中加有乾燥且加勁 的二氧化矽。 在第26Α圏中,係在靜重式的上表面平板41的表面上 安排一加速偵測設置(振動偵測設置)42。作為抛光物醱W 的半導醱晶圔,例如,係黏貼於該上表面平板41的下表面 ,而且係置於與下表面平板43黏著的硏磨布44上。 一具有很大光反射因數的對位器45係固定於該下表面 平板43的側邊表面上。一對位器位置偵測器46係位於該下 表面平板43的側邊,用以偵測該對位器45是否位於設定的 位置。該對位器位置偵測器46係包含有一光發射設置及一 光接收設置,當其接收到來自該對位器45的反射光時,該 接收的光量會增高,因此其可Μ偵測到該對位器45的存在 0 來自在該上表面平板41上的加速感測器42之訊號係如 在第一實施例中所示藉由輪送器13及接收器14而輸入訊號 分析部份15中。 在上述的拋光裝置中,該下表面平板43並不轉動,而 該抛光物W係藉由硏磨布44而轉動。在逭一情形中,該抛 光物髏W係藉由一手臂,未示出,在固定的方向上移動。 每次當該對位器45轉動時,由該加速感測器42所偵測到該 上表面平板41的振動訊息係,如在第一實施例中所示,藉 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Λ4规格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注^^項+4寫本頁) -裝.
、1T r 線. 42 059! r' 3 A7 B7 經濟部中央梂準局—工消費合作社印製 五、發明説明(39 ) 由幘送器13及接收器14至少一次或連繙地輪入訊號分析部 份15中。 如果抛光動作執行適當,則可以導出如在第27A圔中 所示振動頻率與振動強度之頻譜。相反的*如果該抛光物 觴W的拋光表面在硏磨布44上被灰鏖刮損,則如在第27B 圖中所示振動強度在部分的頻寬内會增高。作為決定檫準 之增高的頻譜可以事先檢査,或者可以使用刮損前的頻譜 作為決定檷準。 如果依據振動強度變化而偵測到在抛光表面上的灰塵 *則驅動控制器17可Μ進行以下的控制:讓嗔嘴11供睡水 至硏磨布44而且亦讓調置器12驅動,因此將在該硏磨布44 表面上的灰塵移除到該下表面平板43的外面,然後再開始 抛光。 i 如果要確認灰鼹的位置,則進行下面的程序。當拋光 時該上表面平板41的振動訊息係連繪輪入該訊號分析部份 15中,則在對位器43被對位器偵測器46偵满到時可以發現 到灰塵。因此,如果該對位器43的周期係Μ時間軸笛作對 位器位置被記錄下來,而且該不正常的訊號亦被記錄下來 ,則可Μ得到,例如,在第28圖中所示的特性。因為該對 位器位置係周期性出現,如果在抛光表面上的灰塵形成刮 損,則不正常訊號的發生時間會記錄在該時間軸上。由該 對位器位置到該不正常訊號發生時間間隔之兩個對位器位 置之間的時間間隔速率,可Μ偵測到表示該灰塵位置的角 度Θ *其係相對於該硏磨布44的中心與該對位器43的連線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) • , f (請先閲讀背面之注意Ϋ項#-4寫本頁) 訂 f 43 r A7 B7 五、發明説明(4〇 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 如此,該訊號分析部份15會輸出驅動訊號給驅動控制 器17而使調置器12驅動。結果是該調置器12會至少沿著該 角度Θ的正常線掃過該硏磨布44的表面Μ在短時間内除去 灰窿。 如果經該調置器12—再掃除之後該不正常訊號依然在 相同的位置發生,或是如果經更換拋光物體W之後該不正 常訊號依然在相同位置發生,則必須立即俜止抛光動作, 谊棰不正常訊號的產生係告知操作員有不正常的狀況。該 操作員可以排除該不正常訊號的原因。結果是因為可以在 正常狀況下開始下一値拋光物體W的抛光動作,所Μ可Μ 減低廢索抛光物體W,例如半導髏晶圔,之數量,因此使 拋光效率提高。 · 如在第28圈中所示,如果不正常訊號在該對位器的一 個周期内停住,則可以知悉該不正常訊號係由灰8產生。 但是,如果不正常訊號持續超過該對位器的一锢周期,則 該不正常訊號的發生非常可能不是由灰塵產生。在逭一情 形中,所要作的是讓訊號分析部份15發出一停止指示Μ完 全停止抛光運作,同時除了該停止指示之外,亦發出不正 常訊號的聲音以告知操作員有不正常狀況。 (第十一實施例) 在該第十一實施例中將參考第29至35圈以說明其中可 以改菩該振動偵測設置幢出的S/N比及_入該振動偵測設 置的振動S/N比之裝置。輸入該振動偵測設置的捩動雜訊 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 請 閱 讀 背 之 注 意 事 項
訂 44
W W 經濟部中央標準局員工消費合作社印策 3^Q5〇i a7 B7 五、發明説明(41) 係除了由在拋光物體W與硏磨布1之間的摩擦作用所引起 的振動之外的振動,主要是由馬達所產生的。這棰雜訊係 視為下面所述的背景雜訊。 在第29至35圖中*該搌動偵測設置10之所以位於上表 面平板(頭部的底面平板)3的中央是因為可以掻定在作為 該振動偵拥物體的拋光物體W與該硏磨布1之間的相對速 度* Μ減低偵測誤差。在該第十一實施例中的裝置之基本 結構係與第一及第t實施例相似。在該第十一實施例中相 似的參考符號係指舆前述實施例中相同的部份。 在第29圏中,所採用的一傾結構是其中該搌動偵測設 置10係使用一防音/吸音的材料50在該頭部的封套8中的 空穴中的空隙予Μ環繞。該防音/吸音材料50係由揮性物 質如風箱式彈簧、橡膠、等等、或多孔樹脂所作成,可Μ 使該上表面平板3自由振動。 依據上述的結構》在該封套8中空間中傅動的背景雜 訊可以避免及被吸收,因此可Μ提高轅入該振動偵測設置 10中的S/N比。而且,由於在該振動偵測設置10與該防音 /吸音材料50之間形成空隙,所以不會由於在該振動偵測 設置10與該防音/吸音材料50之間的摩擦而產生新的雜訊 〇 當將該上表面平板3的固有振動頻率設定為與該背景 雜訊的振動頻率不一致時,則可進一步提高S/N比。 在第29圈中,參碼51係指一置於該上表面平板3與該 抛光物體W之間的褢片,用Μ吸收該拋光物釀W厚度的變 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 裝— (請先閲讀背面之注意事項寫本頁) 訂 —線 r -45 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明(42 ) 化。 第30圈係示出一裝置,其中有一共振板52係置於如第 29圖中所示的振動偵測設置10與上表面平板3之間。該共 振板52係與所要測量的特別頻率共振,例如,係由彈簧圈 作成。 依據該裝置,具有頻率不同於該共振板52的共振頻率 之背影雜訊係被該共振板52所遮蔽,而且防止使其輪入該 振動偵测設置10中。因此可Μ提高該輪入於振動偵拥設置 10中的S/ Ν比。 第31圖係示出一裝置,其中一放大器53係設於如在第 30圖中所示的共振器10的側面。 如果該搌動偵测設置10本身的阻抗很高,又如果在該 放大器53與該振動偵測設置10之間的連接霣線很長,則雜 訊會被_入於該振動偵測設置10的WI出訊號中。但是,這 種接線情形係藉由在該上表面平板3上同時設有該共振器 10及該放大器53以予減弱,而使與拫動訊號混合的雜訊可 Μ顯著減低。因此亦可Μ提高S/N比。 在第32圈所示的抛光裝置之頭部中,一穿孔54係同時 在該上表面平板3及該褢片51中形成,而一同時接觭於該 搌動偵測設置10及該抛光物體W的振動輸送針係穿過該穿 孔54。由在該硏磨布與該偵測物體W之間的摩擦作用所引 起的振動並不會被該褢片51所吸收,而是經由該拫動_送 針55_送至該振動偵測設置10。因此_入該振動偵測設置 10的振動強度會增高,所Μ使S/N比提离。 (請先閱讀背面之注意事項^¾寫本頁) 裝 、-'β f 線 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐) 46 _ KC.- 經濟部中央梯準局®c工消費合作社印装 A7 B7 _五、發明説明(43) 第33鼷係示出一装置,其中一拫動板56係設於如在第 29圖中所示的振動偵測設置10與上表面平板3之間,而一 用Μ測量背景雜訊的第二振動偵測設置57係安裝於該封套 8上。由該第二振動偵測設置57轜出的背景雜訊係藉由一 拫動控制器58傳換成反相,然後該振動板56係依據波形與 由該振動控制器58輓出的反相波形相同的訊號而振動。該 振勖板56係由壓電材料作成,例如壓力設置。 依據該裝置,在該振動板56中產生的拫動可以消除要 幘入該振動偵測設置10中的背景雜訊。因此,由在該硏磨 布1與該抛光物腰W之間的摩擦力所引起的振動可Μ有所 選擇而輸入該振動偵測設置10中。因此,可Μ極顬著提高s/nt。 同時,該拫動偵測設置10對共振頻率f。的菝敏度是對 其他頻率S敏度的5至10倍。但是有的情形是所要偵測的 振動頻率“與該共拫頻率ί。並不一致。在逭一情形中,如 在第34圔中所示,頻率h的振動係先被綸入一頻率轉換電 路中,然後使該拫動板56JW舆由該頻率轉換電路59所偵測 到的振動頻率強度相同或成比例的強度在頻率振動, 以使該頻率ί。的振動回《给該拫動偵測設置10,因此可K 偵測到高茧度的拫動。在逭一情形中,該頻率f。的振動係 Μ如在第一或第六實施例的方式處理。 第35圈係示出一裝置,其中多値如在第29圖中所示的 振動偵拥設置10係安排在該上表面平板3上,而多個拫動 板52係分別置於該等振動偵測設置10與該上表面平板3之 j丨^ Jf裝丨丨 (請先閱讀背面之注意事項分填寫本頁) 訂 f .線 本紙浪尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐〉 -47 - ψ ^^〇S9i A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 五、發明説明(44) 間。該等偵測設置10的傾別菹敏度係藉由在偁別的振動板 52中施Μ—固定的訊號予以檢査。因此*對所荽偵測的頻 率具有最高靈敏性的拫動偵測設置10可Μ藉由一選擇電路 (未示出)予以選擇。 該等振動偵測設置10的特性變化可得Κ避免,而且可 藉由電路而選擇其他的振動偵測設置10Κ取代已降级的拫 動偵拥設置10。因此可Κ減低更換适些振動偵拥設置10所 痛的時間及勞力。 除了上述用以提高S/N比的方法之外,亦可Μ在抛光 時停止在該抛光裝置中部分或所有馬達的電源供應。依據 這一方法,可Κ顳箸減低背景雜訊。所設定的停止時間係 少於數秒鏟。因為該頭部及該下表面平板2會由於憤董而 繼績轉動數秒鏟*所以可Μ繼續拋光動作。少於數秒鐘的 時間即足Μ偵測到振動 > 而且在搌動偵測中不會引起任何 問題。停止馬達的電源供應係由如在第1圆中所示的驅動 控制器17之訊號所控制。 如果來自該等振動偵測設置10的Ml出係藉由如在第八 賞施例中所示的放大器及濾器而蠄送到外面,或是在A/D 轉換之後而蝙送到外面,則可Μ減低在訊號g送条統中產 生的雜訊。如果經A/D轉換的訊號係藉由無線電輸送,則 A/ D轉換器(未示出)係設於如在第17圖中所示的振通器 13A舆振動偵測設置10A之間。 再者,如果該頭部正在摒動,則由該擺動所引起的背 景雜訊會在該頭部改變方向的位置處增強。由於造一原因 (請先閱讀背面之注意事項命、寫本頁) 裝-
、1T 線 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS ) Α4規格(210 X297公釐)
Ak - 48 五、發明説明<:45 A7 B7 經濟部中央梂準局ως工消費合作社印裝 ,在此必須避免振動偵測。 這種個別振動偵測設置的實例有由美國Vibro/Meter 公司所製作的CESOYM^l、CE507M301類型的壓電設置加速 感測器,而且如果使用這些感測器,如在第36圖中所示, 所需要的是K共振的頻率來偵測振動強度,以達到高®敏 度。這可以施用於上述個別的實施例中。 接著,測量結果係示於第37及38圓中。 第37圖係示出一實例,說明當抛光時間前進時拫動頻 譜如何改變。依據這一結果,可以看出振動強度彳系隨箸拋 光時間的進行而減低。 第38圖係說明在對第37圈的頻譜中一特定的頻率範圍 作積分之後,在該抛光裝置中固有抛光振動的積分頻譜值 對抛光時間的變化量。依據谙一結果,將會瞭解的是稹分 頻譜值的變化量係隨著抛光時間的進行而減低,這表示藉 由抛光動作而導致使該抛光的表面平坦化。 當該積分值不再變化時即偵測到拋光終點。這一判斷 抛光終點的方法亦適用於上述的實施例。 再者,如果所採用的結構是其中該上表面平板3具有 一與由該振動偵測設置10及至少一値用Μ驅動該軸驅動部 份21以驅動該上表面平板3之馬達Μ所要偵測的搌動頻率 相同的第一固有振動頻率,而該下表面平板2具有一與該 第一固有振動頻率不同的第二固有振動頻率,則可以減低 要輪入該振動偵測設置10中的背景雜訊。 (第十二實施例) (請先閱讀背面之注意事項 .9 4··! 裝-- ';寫本頁) 、1Τ f 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 49 w 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印策 A7 B7五、發明説明(46 ) 第39A匾係示出依據本發明之一第十二實施例的抛光 裝置中之機械部份的锢面圖。第39B圖係示出第39A圓中的 下表面平板3硏磨布之平面圖。第40圈係示出依據本發明 之該第十二實施例的抛光装置中之訊號處理部份的方塊霣 路圈。在第39A、39B及40圖中,相似的參考符號係與在第 1及15圔中的部份相同或相對應。 在第39A圖中,用Μ偵測該上表面平板3位置的位置 偵測器61係安排在該軸驅動部扮21的拥面。該位置偵澜器 61包含有一用Μ使光放射至一接鵾於該軸驅動部份21的偵 測板62之光發射設置61a、及一用Μ接收來自該偵拥(板62 的反射光之光接收設置61b。該位置偵測器61係依據進入 該光接收設置61b之入射光量Μ拥量自該軸驅動部份21的 · 距離L*然後將該測量的數據蠄入一在下面說明的霣腦77 中。例如,可以使用半導體雷射當作該光發射設置61a, 而使用光偁極醱笛作該光接收設置61b。 一硏磨布Id,其中在垂直及水平方向上有形成多偏溝 榷4a,係黏著於該下表面平板2。該硏磨布ldM及該下表 面平板2在抛光時係藉由該馬逹Μ而轉動。該上表面平板 3在抛光時係在該硏磨布Id上的a黠與b點之間反覆移動* 而且以固定的速率轉動。讓上表面平板3反覆移動及轉動 係由該軸驅動部份21經由彈性物質7、封套8、及軸9而 輸送。 與第一實施例相似,該軸驅動部份21的蓮作係藉由該 驅動控制器17予以控制。 請先閱讀背面之注意事項θ%,寫本頁 .裝· -δ f 線 本紙張尺度適用中國國家揉準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) 50 ψ Α7 ' Β7 經濟部中央橾準局負工消費合作社印製 五、發明説明(47) 如在第40圖中所示,轚麼係經由整流器63施加於與該 上表面平板3接觸的振動偵拥設置10之一 _出端。該搌動 偵測設置10的《I出端係經由電容器64、放大器65、低頻通 過濾器66、及高頻通過濾器67而連接至FM餘送器34B。機 械及電性雜訊係藉由該霣容器64從輪出於該振動偵測設置 10的振動訊號中予W除去。該拫動訊轚然後藉由該放大器 65予Μ放大,然後藉由該低頻通過濾器66及該高頻通遇濾 器67予Μ窄化成一特別的振動頻寬,然後再輪入該FM轜送 器34Β中。如果,例如,該低頻通過濾器66可Μ除去高於 18ΚΗζ的振動訊號,而該高頻通過濾器67可以除去低於8ΚΗζ 的振動訊號,則該特別振動頻寬是在SKHz至18ΚΗζ的範圍 。該FM輪送器34Β係利用設在該封套8周圍的輪送天線25 藉由無線霣将振動訊號鑰送至該FM接收器69。 如在第40圈中所示,由設在該軸驅動部份21周圍的接 收天線26所輪入的振動訊號係藉由該FM接收器69予Μ予接 收。 記錄軍元70係連接於該FM接收器69之一 _出端。健存 於該記錄單元70的振動訊號資料係用Κ產生資料庫、頻率 分析、處理霣路的調整、等等。該FM接收器69之一輪出销 係經由一 ΙΚΗζ高頻'通過濾器71、一第一放大器72、一整流 器霣路73、一 0.5Hz低頻濾器74、一第二放大器75、及一 A/ D轉換器76而連接至該霣腦i該高頻通過濾器71係切 除該拫動訊號的DC成份。該整73及該低頻通過濾 器74係在該特別的振動頻寬稹分動訊號以計算出一振 —μ,—λιI-裝—丨 (請先閱讀背面之注意事項4-从寫本頁) 訂 f 線 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0 X 297公釐) 51 ψ扣〇591 A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印装 五、發明説明(48) 動的均方根(RMS)值。 在該霉腦77中,係依據在第41圖中的滾程圖執行算術 蓮作及顯示運作。 首先*將說明一棰情形,其中該抛光物體W係只利用 該上表面平板3的轉動予以抛光,同時該上表面平板3的 轉動中心並不會在該硏磨布的表面上禳移。 在該電腦77中,連績_入的振動訊號之RMS值係以每 秒10次(10H幻的速率依序取樣,然後計算出取1〇偏數據m 的平均值,然後将平均數據設爲點資料D、。 接著,如果該酤資料De係随著時間的進行而邸時顯示 出來,則會導出一曲折線。因此,為了顯示出平滑的曲線 ,可Μ由5锢點資料〇9的平均值導出點顯示資料D3。在這 一情形中,當5値點資料〇8的平均值被算出時,同時依計 算的順序逐一地帶上該點資料〇8,則可Μ每秒得到一值點 顯示資料D3。逭ffl平均值稱爲移動平均值。 由逭一移動平均值所導出的點顯示資料係依序顯示於 該影像顯示部份77D。藉由對多値點顯示資料作圖,可以 得到拫動強度曲線。 由前逑的實施例可Μ推想的是,如果該上表面平板3 只是轉動,則所取樣的資料會隨著抛光進行而逐漸減弱 Ο 但是*如果該上表面平板3所採取的運作不是轉動方 式,而是例如在該硏磨布Id上反覆運作,則該點顯示資料 係包括有如在第42A圖中虛線所示的AC成份。因此,造 (請先閱讀背面之注意事項#.故寫本頁) α -裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 52 ψ Α7 Β7 五、發明説明(49 ) 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 會很難偵測到抛光終點。例如,如果對該在第42A圃中虛 線的曲線作撤分,則可Μ導出與在第42B圈中虛線相似的 曲線。因此*在該撤分值變為零時的時間點並不能決定作 爲抛光終點。 因此,如果該上表面平板3係在該硏磨布Id上a點與b 點之間反覆浬作,則所作的修正是分別将Μ 10Hz取樣的 RMS資料DtBM—修正因數rj,然後計算出該點資料〇,及 該黏顯示資料D3,然後將該點顯示資料D3顯示於該影像顯 示部份77D。如此,可以導出如在第42A画中的實線所示的 曲線。對該曲線作撖分所得到的曲線係如在第42B圆中的 實線所示的曲線。因為該反S運作的周期通常大於數傾十 分之一秒,所Μ該點資料卩8可Μ除以該修正因數π。 如在第39Β圖中所示,如果該轉動的上表面平板3係 由該下表面平板2的轉動中心0。的直徑方向上在a與b兩點 之間反覆蓮作,則該距離r隨時間的變化係示於第43A圖 中,而該修正因數η如在第43B圖中所示偽例如 ,如果該a點與b酤之間距雛是32m,而該上表面平板3的 移動速率V是2BB/sec,則在第43B圖中波形的周期T是32秒 。在逋一情形中,該距離|*1是1341«·。 該修正因數77係K如下方式決定。 假設該抛光物體W的抛光表面上有一撤細部份P係位 於距該硏磨布Id的轉動中心為距離Γ的位置,藉由轉動角 速度為w的硏磨布Id予Μ拋光,則該撖細部份P與該硏磨布 Id之間的相對速度是一 rw的函數。可依據由該位置偵測器 (請先閱讀背面之注意"項承填寫本頁) Γ.. .裝. 訂 f 線 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 53 f 矬濟部中失梂準爲貝工消費合作社印策 A7 * B7 五、發明説明(50 ) 61所供醮的位置資料計算出該距離r。該撒細部份P係設 定於該上表面平板3的轉動中心。 再者,如在第44A及44B圖中所示,有時會在該硏磨布 Id的表面上Μ設定的密度形成溝槽4e或撖孔4f。在這一情 形中*在該硏磨布Id的一次轉動時間下該撖細部份P與該 溝槽4e或該撖孔4f的接觭次數是一 rw的函數。再者,如在 第44C及44D圖中所示,如果逭些溝搰4g或逭些撖孔4h係自 該硏磨布1(3的轉動中心Μ輻射方式散佈開來,則在該硏磨 布Id的一次轉動時間下該徹细部份Ρ與逭些溝槽4g或造些 撤孔4h的接觸次數是一 w的函數。如果係使用沒有形成溝 榷或徹孔的硏磨布,則不考慮該溝槽或撤孔對該微細部份 P的彩》。 依據這一理由*係採用該相對速度v舆該接觸次數的 乘積當作該修正因數η。該修正因數η的基本原則係列於 表I中。 因為如抛光液體棰類、硏磨布材料、等等之因索在抛 光時可Μ視為幾乎沒有改變,所Μ並沒有加入該修正因數 η中。如果該上表面平板3並沒有採取不是轉動的蓮作, 則r設定為1,因為r是固定的。該上表面平板3的轉動數 目在拋光時通常不會改變,因此該修正因數η可Mw=l的 條件下予以界定。再者,該修正因數η可Μ包括其他係數 。例如,如在第39Β及43Β圏中所示,該距離r可除Μ該距 離^ (固定值)。 本紙張尺度適用中國國家梂準(CNS )八4規格(210X297公釐) ---------ί---裝-- (请先閲讀背面之注意事項-^--4寫本頁) 訂 f Ψ32〇59χ Α7 Β7 五、發明説明(51 )
表 I 抛光液釀的種類 定密度下 的溝棺及撤孔 在輻射方式下 的溝槽及撤孔 沒有溝槽或微孔 採取反覆浬作η r*w8 rwa rw 不採取反覆運作77 wa W8 W 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 依據上述的情形,如在第41臞中所示,修正後的取樣 資料Ds係K 10Hz予Μ平均,然後轉換成該點資料〇«,再轉 換成該點顯示資料D3。如在第42Α圈中的實線所示,該酤 顯示資料〇3係表示抛光時間與拫動強度之間的鼷係而顯示 於該影像顯示部份77d上。 依據該點顯示資料卩3而作圈成曲線之撤分值(dv/dt) 或相對於時間的變化量(AV)係在該電腦77中計算出來。 如在第42Β^中的實線所示的曲線係該計算的結果而顯示 於該影像顯示部份77d上。 該黏顯示資料相對於時間的變化量AV之計算結果係 依據前十掴資料的點顯示資料減去現在的點顯示資料 〇3所得到的值而顯示出來。在逭一實例中,相對於時間的 變化量△ V係每秒一偁資料顯示出來。 當撖分值(dv/dt)或相對於時間的變化董△ V係變為零 或更高時,則設定該時間點為拋光終點,而該終點偵測的 结果係頭示於該影像顯示部份77d上。 因為該用以執行上述計算及顯示的霄腦77在第一實施 —^---j----裝— £ > (請先閲讀背面之注意事項#*填寫本頁) 訂
C ,線 本紙浪尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -55 A7 B7 五、發明説明(52 ) 例中酋作驅動控制器17,可於偵測到拋光終點時下指令給 軸驅動部份21以停止抛光。 該上表面平板3在硏磨布Id上a與b點之間反復移動的 軌跡並不限於自該硏磨布Id轉動中心0。的直徑方向上。例 如在第45A臞中所示,該上表面平板3的軌跡係垂直於該 直徑方向的直線軌跡,另外如在第46A圈中所示,其係圖 弧軌跡《因為該上表面平板3是依據機械背而搌動。 在逋捶情形中,該上表面平板3的轉動中心舆該硏磨 布Id的轉動中心0。之間的距離Γ,如果係採取在第45A圓 中所示的軌跡*則會如在第45B圖中所示的方式》時間改 變》而如果係採取在第46A圖中所示的軌跡,則會如在第 46B圈中所示的方式隨時間改變。 該用於測:IUMS值的距_ r係侬據位置偵澜器61所偵 測到的資料而計算得到,而且係用作該修正因數r?。 經濟部中央標準局—工消費合作社印装 另一方面,如果只施加轉動運作於該上表面平板3, 則不需考慮該修正因數η。依據該酤顯示資料的曲線係示 於第47A圓中,而其撤分值的曲線係示於第47B圈中。在第 47A及47B圓中,曲線A表示由TE0S作成的SiO,膜之抛光狀 態,而曲線B表示《化矽膜在5[〇8膜上形成之膜的抛光狀 態。 前面的敘述已說明依據該上表面平板3的拫動強度Μ 偵測終點的情形。但是該拋光的進行狀態可Μ藉由該設於 _驅動部份21中的馬達之扭矩變化予以抓取。因此,在該 RMS值係依據上述方式計算出來之後,可Μ藉由對該RMS值 本紙張尺度逋用中國困家梂準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) Ψ 扣〇591 Α7 Β7 經濟部中央梂準局負工消费合作社印掣 五、發明説明(53 ) 取樣或修正的方式來抓取抛光狀態,亦可K藉由柑同的方 式來偵測終點。 (第十三實施例) 在該第十三實施例中,將說明的裝置是其中並不測置 由該頭部與該硏磨布之間摩擦作用所引起的振動(聲音) ,而是依據該頭部與該硏磨布之間摩擦力變化而拥(量抛光 狀態及終黏。 第48A及48B圔係分別示出依據本發明之該第十三實施 例的拋光装置之一適當部份的截面圈及底面圖。在第48圔 中,相似的參考符號係相同於在第1、15及17圔中的部分 0 在第48A及48B圔中,該下表面平板2,其上表面係黏著 於該硏磨布1,係薙由該轅驅動部份21M設定的轉動數目 予以轉動。該抛光物醱W,其係被推至該硏磨布1要抛光 的上表面,係藉由裒塾51而黏著於該位於氣背式頭部的底 面上之金屬上表面平板3的下表面。在該上表面平板的周 園形成有钿壁3b,而該钿壁3b與該頭部的封套(支撐錶) 8·係藉由揮性物質7予以結合。在該封套8的中心處設有 一用K使該封套8轉動的《柱翰9。在該«9及該封套8 的周圍設有一不會轉動的圆柱頭蓋80,用Μ防止受到頭部 拋光液饅的污染。 在該上表面平板3的上表面上形成有一斜面(未示出 ),用Μ集中該上表面平板3的傷位移(分散)董成為垂 直位移量。 (诗先閱讀背面之注項_ --裝-- 寫本買)
C -*1 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐) 57 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 ____B7_五、發明説明(54 ) 在該封套8的底表面上設有一第一位移偵測器81,用 Μ偵測該上表面平板3的侧壁3b之位移。在該頭蓋80的底 表面上設有一第二位移偵測器82,用Μ偵測該上表面平板 3的镅壁3b之位移。在該封套8的頂表面上設有一第三位 移偵測器83,用Μ偵測與該上表面平板3的斜面之距離的 位移,該封套8係位於該上表面平板3的斜面上面。 可以作為該第一、第二及第三位移偵測器81至83的例 子有:筆尖位移計儀,係菘由筆尖膨脹及收缩以偵測位移 量;«容位移計儀,係藉由與該上表面平板3的铜壁3b的 距離改變而引起的電容改變Μ偵測位移置;渦滾位移計儀 ,俤藉由與該上表面平板的側壁3b的距離改變而引起滾量 密度改變以偵測位移量;光學位移計儀,係利用光的反射 以偵测距離;及類似計儀。 逭些第一、第二及第彐位移偵測器81至83可Μ如在第 48Β圖中頭部底面圖中所示的方式係安排多倕,或只安排 一値。再者,並不是常常設有全部的第一、第二及第三位 移偵測器81至83,如在第48Α及48Β圖中所示,可Μ至少設 有其中一癘。 由該第一、第二及第三位移偵拥器81至83的_出係藉 由在第19圔中所示的放大器34a及34c、及濾器34b而連接 * 至該輪送器13b。由該輸送器13b蠄出的偵測訊號係藉由接 收器14而_入該處理部份35中。該處理部份35會依據位移 訊號的變化而決定抛光終點以及修正抛光條件。 與上述的實施例一樣,該抛光液腾供醮嗅嘴及調置器 •裝-- (請先閲讀背面^注意事項^"寫本頁)
、1T I.線 • Jalt · 本紙张尺度逋用中國國家橾準(CNS ) A4规格(210X297公釐) -58 _ 經濟部中央梯準局負工消费合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明(55) 係安排於硏磨布1的上方,未待別示出。 該第一及第二位移偵測器81、82可使用透明蓋予Μ覆 ΙΙΜ防止拋光液醱或水。該第三位移偵拥器83可Μ不使用 蓋子,因為該指引器83係置於該封套8中。 接著將說明依據上逑抛光裝置以偵測抛光終黏。 當一平坦的橒準晶圔先置於該褢墊51的下表面上時, 然後進行抛光浬作,則該上表面平板3的位置變化情形係 如在第49Α至49C_中所示。谊次,來自該第一、第二及第 三位移偵測器81至83的位移訊號係記錄為參考訊號。該禰 準晶圓係於完成該參考訊號測董之後即予拿走。 接箸,當一間層祺是該拋物暖W的晶圖係置於該裒链 51的下表面上時,然後進行抛光運作,該置於如第49A· 所示位置之上表面平板3係Μ與第49B圈相似的方式位移 ,伴隨著使該封套8移動。該上表面平板3為何移動的原 因是在該上表面平板3周園的撣性物質7上所施加的醮力 是不平衡的,原因是該抛光物體W與該硏磨布1之間摩擦 作用很大。因此,該上表面平板3會傾向於被拉向該封套 8的移動方向。逭一狀態設定為初始狀態,而且在逋一次 由該第一、第二及第三位移偵測器81至83所偵拥到的位移 量傈視爲最大值。 如果抛光動作再保持繼鳙,則該抛光物《W舆該硏磨 布1之間的摩擦作用會隨#時間的進行而逐漸減低,而且 如在第49(:圓中所示,該上表面平板3係位於接近該封套 8的中心。該上表面平板3的位移亦減小。如在第50鼷中 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4规格(210 X 297公釐) π -59 一 (請先閲i背面b注意ΫίιΙΓ^寫本頁) 訂 费 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 A7 ____B7_五、發明説明(56 ) 所示,依據該第一、第二及第三位移偵測器81至83所偵測 到的位移變化量亦逐撕滅低,而最後該變化量變為零或幾 乎為零。在這一狀筋時,拋光即終止。抛光的終止係藉由 減低拋光壓力或藉由抬起該封套8而使該抛光物黼W舆該 硏磨布1分離之方式進行。 如果很難依據該上表面平板3的位移變化置來偵拥(抛 光的終酤,則可Μ如在第51圖中所示係依據該變化置與參 考訊號一致時或其間的差距實質上很小時之時間點而視 爲抛光終點。另一終點偵測的不同實例是,如果用於偵測 該終點的不同材料係形成於該抛光物體W中*則當不同的 材料隨著平坦化的進展而曝S出來時*位移會增加更多。 為了檢査逍種表面平板的位移,來自造些位移偵澜器 81至83的_出訊號變化係溫和的,因此可MDC成份的方式 來測量。依據該封套8,該上表面平板3及該硏磨布1的 «動,如果來自該等位移偵测器81至83的偵測訊號係數十 Hz的低頻率訊號,則只有低頻率成份可Μ取為當作偵測訊 號。 因為如背景雜訊的高頻率訊號係被濾器除去,所以該 等位移指引器81至83的δ敏度會比該振動偵拥設置10离。 類此,如果該偵測訊號是DC訊號或如果該頻寬很窄如接近 0至100 Hz »則該訊號可Μ良好的精確度_送至該偵测器 ,而不用高頻率訊號。因此,可以得到比前述振動测量方 式更离的霣敏度。 * \ 因為該第一位移偵測器係舆該頭部同步轉動,所Μ該 ..^.寫本頁) -裝. 訂 Λ1f. 線 本紙張尺度逋用中围國家橾準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) Α7 Β7 經濟部中央揉率局貝工消费合作社印簟 五、發明説明(57 ) 上表面平板3的測量範圍並不會變化。因此,測置並不會 受到該上表面平板3剖面變化的影堪。但是在該第一位移 偵_器81中中,因為該偵測器81與該上表面平板3之間距 離會在該上表面平板3 —次轉動期間變化,所K該位移訊 號的強度及位移方向會依照該轉動頻率而作周期性改變° 因爲這一轉動頻率最大約1〇〇 Hz而且與該頭部同步轉動, 所MS/N比不會降低。 依據該第二位移偵測器82,雖然該位移訊號不會作周 期性改變而且該上表面平板3的改變董可Μ依線性方式偵 測到,但是卻很容易受到該封套8及該上表面平板3的剖 面變化的影《。 依據該第三位移偵測器83,該偵拥的檁的係指該上表 面平板3上形成的斜面之垂直移動。但是該上表面平板3 的上表面之垂直移動可Μ當作偵澜的檷的,而不需這棰斜 面0 依據多锢逭種位移偵測器81至83,可Μ藉由溯量該封 套8及/或該上表面平板3的前後移動、左右移»、及上 下移動而得到全部的資訊量。因此,藉由一起加入多種力 *可以得到許多關於放掉晶圓、晶圓損壞、抛光條件(抛 光液贐的供應、硏磨布不正常、Κ力改變、轉動數目改變 、等等)之訊思。 如果如在第52Α圈與52Β圈中所示的半圔凸物91、92或 凹物(未示出)係在該上表面平板3的倾壁3b上的偵測位 置處形成,則在相同位置的位移可Μ在多重方向上«澜到 *>,* : 1 V (請先閱讀背面之注$項一 .本頁) -裝. 訂 線 本紙張尺度逍用中國鬮家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 61 五、發明説明(58 Α7 Β7 如果係同時有多痼拋光檷的W要抛光,則在第39圖中 所示的多偏頭部可以同時開始。如果由饀別頭部所偵測到 的抛光變化係小於10% »則並不需要使用所有的頭部來偵 測終點。在這一情形中,該等位移偵測器81至83或在前面 所述實施例的振動偵測設置10可以只用於部分的頭部(只 要一値頭部即可行)。在逭一情形中,當具有該位移偵測 器81至83或該振動偵測設置10的頭部進行到終點時*則可 Μ終止所有頭部的抛光動作以達到良好的結果。在逢到終 點之後,抛光動作可以多進行一設定的時間。 如果所有的頭部均設有拫動偵測設置或位移偵測器, 這些頭部(上表面平板3)可以依偵測到抛光終點的顒序 予Μ抬起而停止抛光蓮作*再等到所有的抛光動作均完成 多匍頭部的停止指令係由在第1及19_中所示的控制 器17、35發出。 (請先閱讀背面之注意事項务填寫本頁) Τ -裝. 、1Τ Λ f 丨線 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 62

Claims (1)

  1. Α8 Β8 C8 D8 煩請委員明示86年 月曰所提之 經濟部中央揉準局工消費合作社印簟 修正本有無變更實質内容是否准予修正ο 紙5, 22修正 年 Η Β 六、+請專利範圍 第85104957號申諳案申請專利範圍修正本 修正日期:86年5月 1. 一種拋光裝置,其包含有: 一第一表面平板,用以支持一抛光物體; 一第一驅動機制,用以使該第一表面平板轉動; 一第二表面平板,係安排成與該第一表面平板相 對;: 2 2 * 一研磨布,係黏著於該第二表面平板; 一振動偵測器,傜接觸於該第一表面平板或該第 二表面平板,用以偵測抛光時的振動; 一控制部份,用以控制該第一表面平板及該第二 表面平板之至少一個之拋光運作;及 訊號分析設置,用以分析由該振動偵測器藉頻率 分析所偵測到的振動強度,使該振動強度對時間作積 分,及當結果對時間的積分值變化低於一第一參考值 時或當該結果的積分值低於一第二參考值時則輸送出 一拋光停止訊號至該控制部份以停止該第一表面平板 及該第二表面平板之至少一個之抛光蓮作。 2. 如申請專利範圍第1項的抛光裝置,其中有一彈性物 質傜在該第一表面平板的周圍形成。 3. 如申請專利範圍第1項的抛光裝置,其中有溝槽或徹 孔係在該研磨布表面上形成,而會與該研磨布的表面 振動産生共振的空穴傜在該研磨布中形成。 4. 如申請專利範圍第1項的拋光装置,其中有.多個頻段 本紙张尺度逍用中國國家揉率(CNS ) A4規格(210X297公釐) -It I----I 訂— — I 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ABCD 經濟部中央揉準局貞工消費合作社印製 六、申請專利範圍 通過濾器,毎値具有不同的中心頻率,傜在該振動偵 測器的輸出端上組合連接。 5.如申請專利範圍第1項的抛光裝置,其進一步包含有: 一訊號分析部份,用以決定是否為開始抛光、停 止抛光、或滿足抛光之條件; 一輸送部份,用以藉由無線電輸送由該振動偵測 器所偵測到在拋光時的振動訊息; /一接收部份,用以接收由該輸送部份輸出的無線 讀訊號,用以具有一自動頻率控制機制以自動控制該 無線電訊號的調準頻率^化在一參考頻率範圍内,及 用以讓該自動頻率控制機制在每次當該訊號分析部份 要求接收資料時從該輸送部份接收一振盪頻率。 6 .如申請專利範圍第1項的抛光裝置,其中該振動偵測 器傜一用以偵測在垂直方向上或在圓周方'向上的振動 之設置。 7. 如申請專利範圍第1項的抛光裝置,其中多個該振動 偵測器傜以對稱於該第一表面平板的轉動中心之方式 接觸,而一用以計算來自該多値振動偵測器的輸出訊 號之和或差的計算器傜連接於該多値振動偵測器的輸 出端。 8. 如申請專利範圍第1項的拋光裝置,其進一步包含有 連接於該振動偵測器的振動轉換設置,用以轉換由該 振動偵測器所偵測到的振動頻率成為該振動偵測器的 個別共振頻率。 . -64 - 本紙張逋用中國國家榇準(CNS ) A4规格(210X297公釐) I"---Η丨裝丨— (請先Η讀背面之注意事項再填寫本頁) iΤΓ-----> --.--3--V---------- 經濟部中央梂準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 9.如申諳專利範圍第1項的拋光裝置,其中該拋光物體 僳藉由一褢片而支持於該第一表面平板上,而有一穿 孔係在該第一表面平板及該褢片及一振動傳送物質中 形成,該振動傳送物質傜藉由該穿孔而與該抛光物體 及該振動偵測器接觸。 10. 如申誚專利範圍第1項的抛光裝置,其進一步包含有 一連接於該笫二表面平板的第二驅動機制,用以使該 第二表面平板轉動,其中該第一表面平板具有一第一 _有振動頻率,係與由該振動偵測器所要偵測的振動 頻率相同,而該第一表面平板及該第二表面平板之至 少一値係具有一與該第一固有振動頻率不同的第二固 有振動頻率。 11. 一種抛光裝置,其包含有: 一第一表面平板,用以支持一抛光物體; 一驅動機制,用以使該第一表面平板轉動; 一第二表面平板,係安排成與該第一表面平板相 對而且在其褢面具有空穴; . 一研磨布,僳黏箸於該第二表面平板; 一振動偵測器,係接觸於該第一表面平板或該第 二表面平板,用以輸出在抛光時引起的振動;及 一控制部份,用以控制該第一表面平板及該第二 表面平板之至少一値之拋光蓮作。 12. —種抛光裝置,其包含有: 一第一表面平板,用以支持一拋光物體.; -65 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --^----Γ 丨裝—».--<—訂-----「線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局属工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 一第二表面平板,傜安排成與該第一奉面平板相 對; 一研磨布,偽黏著於該第二表面平板; 一振動偵測器,傜接觸於該第一表面平板或該第 二表面平板; 一驅動機制,用以驅動該第一表面平板及該苐二 表面平板之至少一個; 一輸送部份,傜接觸於該第一表面平板或該第二 表面平板,該振動偵測器傷接觸於該第二表面平板, 用以藉由無線電輸送由該振動偵測器所偵測到的振動 訊息; 一接收部份,用以接收自該輸送部份輸出的無線 電訊號; 一訊號分析部份,偽連接於該接收部份,用以分 析該接收到的無線電訊號; --控制部份,用以依據來自該訊號分析部份的訊 號而輸出一指示停止抛光或改變拋光條件的訊號到至 少該驅動部份; 一環形輸送天線,傜在該第一表面平板或該第二 表面平板的轉動軸之周圍形成,該振動偵測器偽接觸 於該第二表面平板,而且與該輸送部份連接;及 一接收天線,偽設於該轉動軸的延長線上而且與 該接收部份連接。 13.如申請專利範圍第12項的抛光裝置,其進一.步包含有: -66 - 本紙張X»度逋用中國國家橾準(CNS ) M规格(210><297公嫠) (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 丨裝. 經濟部中央椹準局負工消費合作社印製 Α8 Β8 C8 D8 六、+請專利範圍 一對數放大器,用以擴大依據該振動偵測器的輸 出之振動訊號的振幅範圍;及 一逆向對數放大器,係與該接收部份的輸出端連 接,用以轉換來自該接牧部份的輸出訊號。 14. 一種抛光裝置,其包含有: 一第一表面平板,用以支持一抛光物體; 一第二表面平板,傜安排成與該第一表面平板相 對; 一研磨布,傺黏著於該第二表面平板; 驅動設置,用以在該研磨布上的一設定面積内周 期性移動該第一表面平板;及 /拋光終點偵測設置,用以使該第一表面平板的振 動強度或該驅動設置的驅動扭矩除以一包括有該第一 表面平板的位置訊息之函數以設定一結果值當作一抛 光狀態訊號,對該抛光狀態訊號隨時間时變化作徹分 ,及依據一徹分值以偵測拋光终點。 15. —種抛光裝置,其包含有: 一第一表面平板,用以支持一抛光物體; 一封套,用以藉由一彈性物質支持該表面平板的 一周邊部份而且在其中具有空穴; 一研磨布;用以抛光該抛光物體;及 一位移偵測器,用以測量該表面平板的相對位置 ,其相對於該封套而落後的原因是在該研磨布的移動 方向上或在該封套的移動方向上該研磨布與.該抛光物 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^^1 ^^1 —ϋ - -- - -- 1 ?- - -- I - - ^ I n I —Xu n In - ---- I i I PI .n I 1^1 - n 經濟部中央梂率局貝工消費合作社印裂 A8 B8 C8 D8 六、+請專利範圍 體之間的摩擦作用。 16.如申請專利範圍第15項的抛光裝置,其進一步包含有 抛光終點決定設置,用以依據該位移偵測器輸出的訊 號而修正該拋光物體的平坦化率,該拋光物體偽藉由 該拋光物體與該研磨布之間的摩擦作用而平坦化,而 當該輸出訊號的變到達一設定範圍或該平坦化率的一 設定值時決定係偵測到拋光终點。 /17.—種拋光方法,係使用一用以支持一拋光物體的第一 表面平板,一安排成與該第一表面平板相對的第二表 面平板,及一黏著於該第二表面平板的研磨布,而使 該抛光物體藉由該研磨布予以抛光,其包含有步驟如 下: 藉由一振動偵測器偵測該第一表面平板或該第二 表面平板在抛光時的振動;及 分析由該振動偵測器藉頻率分析所偵測到的振動 強度,使該振動強度對時間作積分,及當結果對時間 的積分值變化低於一第一參考值時或當該結果的積分 值低於一第二參考值時停止抛光蓮作。 18. 如申請專利範圍第17項的抛光方法,其中該結果的積 分值是該振動強度的平均值。 19. 如申請專利範圍第17項的抛光方法,其中一在該抛光 物體上形成而且其表面具有凹凸不平的膜係藉由該研 磨布予以平坦化。 20. 如申請專利範圍第17項的拋光方法,其中係當自抛光 本紙張尺度逍用中國國家橾準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------1^"—裝--...—— ί--訂-----(線-----f. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂準局βζ工消費合作社印«. A8 B8 C8 D8 夂、申請專利範圍 開始至抛光停止之時間傜少於一設定的時間或該結果 的積分值相對於時間的變化係降低超過一指定值時即 偵測到該研磨布的降级。 21.如申請專利範圍第17項的拋光方法,其中該拋光狀況 藉由偵測在待定振動頻率之振動強度之降低係數大於 在其他振動頻率之振動強度者以修正抛光。 22 .如申請專利範圍第17項的抛光方法,其中係依據振動 強度訊號不再變化或由該振動偵測器輸出的振動頻譜 而即時分析一拋光狀態以偵測一抛光终點或修正抛光 條件。 23. —種拋光方法,傷使用一拋光裝置其包括有一用以支 持一抛光物體的第一表面平板,一安排成與該·第一表 面平板相對的第二表面平板,及一黏箸於該第二表面 平板的研磨布,該方法包含有步驟如下: >藉由驅動設置以在該研磨布上的一設定面積内周 期性移動該第一表面平板;及 使該第一表面平板的振動強度或該驅動設置的驅 動扭矩除以一包括有該第一表面平板的位置訊息之函 數以設定一結果值當作一抛光狀態訊號,對該抛光狀 態訊號隨時間的變化作徹分,及依據一徹分值以偵測 抛光終點。 24. 如申請專利範圍第23項的抛光方法,其中該函數是一 比例函數,傜與距該研磨布的轉動中心的距離成比例 -69 - 本纸張尺度逍用中國國家揉準(CNS ) Α4规格(210X297公釐) -----裝--~IT—I訂—--I-「線 '- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 25·如申請專利範圍第23項的抛光方法,其中如果有溝槽 或徹孔以一實質上均勻的密度在該研磨布上形成,則 該函數是一與距該研磨布的由心的距離平方成比 例的函數。 26. 如申請專利範圍第23項的抛光方法,其中該第二表面 平板的轉動數目傜包括於該函數中。 27. —種抛光方法,傺使用一用以支持一拋光物體的第一 表坪平板,一安排成與該第一表面平板相對的第二表 面平板,及一黏著於該第二表面平板的研磨布,而使 該拋光物髏藉由該研磨布予以抛光,其包含有步驟如 下: 藉由一振動偵測器偵測該第一表面平板或該第二 表面平板在抛光時的振動; 偵測由該振動偵測器所偵測的振動強度之不正常 情形,及如果在該振動強度中之不正常偵測時間傜短 於該第二表面平板的轉動周期,則控制該第一表面平 板及該第二表面平板的驅動。 (請先閲#背面之注1|^項再填寫本頁)
    -裝--,--1--訂----^--「線"--- 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印製 I張一紙 I本 準 標 家 國 國 中 用 逋 I釐 9 2 ο 7
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI449598B (zh) * 2008-12-23 2014-08-21 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 高速研磨方法
CN104508802B (zh) * 2012-06-07 2017-05-24 二和钻石工业股份有限公司 化学机械抛光设备
TWI758323B (zh) * 2016-09-15 2022-03-21 美商應用材料股份有限公司 化學機械拋光智慧環及使用該化學機械拋光智慧環的化學機械拋光系統與方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GR1002574B (el) * 1992-12-21 1997-02-06 Johnson & Johnson Vision Products Inc. Παλλετα για την υποδοχη και μεταφορα δοχειων οφθαλμικων φακων.
JP3454658B2 (ja) * 1997-02-03 2003-10-06 大日本スクリーン製造株式会社 研磨処理モニター装置
JP3795185B2 (ja) * 1997-06-04 2006-07-12 株式会社荏原製作所 ポリッシング装置
US6191038B1 (en) * 1997-09-02 2001-02-20 Matsushita Electronics Corporation Apparatus and method for chemical/mechanical polishing
JP2956694B1 (ja) * 1998-05-19 1999-10-04 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
US6095905A (en) * 1998-07-01 2000-08-01 Molecular Optoelectronics Corporation Polishing fixture and method
US20030206114A1 (en) * 1998-08-04 2003-11-06 Leping Li Interface device for sti/bpsg EPD and real time control
JP3920465B2 (ja) * 1998-08-04 2007-05-30 信越半導体株式会社 研磨方法および研磨装置
JP3031345B2 (ja) * 1998-08-18 2000-04-10 日本電気株式会社 研磨装置及び研磨方法
TW374051B (en) * 1998-08-28 1999-11-11 Worldwide Semiconductor Mfg A chemical mechanical polishing table
US6352466B1 (en) 1998-08-31 2002-03-05 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for wireless transfer of chemical-mechanical planarization measurements
JP3019849B1 (ja) * 1998-11-18 2000-03-13 日本電気株式会社 化学的機械的研磨装置
US6346038B1 (en) * 1998-12-15 2002-02-12 Mitsubishi Materials Corporation Wafer loading/unloading device and method for producing wafers
WO2000036543A1 (en) * 1998-12-16 2000-06-22 University Of Massachusetts Grinding wheel system
KR100543195B1 (ko) * 1998-12-30 2006-04-06 주식회사 하이닉스반도체 화학적 기계적 연마 장치
US6492273B1 (en) * 1999-08-31 2002-12-10 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for monitoring and controlling mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic substrate assemblies
TW415873B (en) * 1999-09-03 2000-12-21 Mosel Vitelic Inc Chemical mechanical polishing device with stable signals
US6159075A (en) * 1999-10-13 2000-12-12 Vlsi Technology, Inc. Method and system for in-situ optimization for semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing process
US6616513B1 (en) 2000-04-07 2003-09-09 Applied Materials, Inc. Grid relief in CMP polishing pad to accurately measure pad wear, pad profile and pad wear profile
US6547637B1 (en) * 2000-10-05 2003-04-15 Momentum Technical Consulting Inc. Chemical/mechanical polishing endpoint detection device and method
US6896583B2 (en) 2001-02-06 2005-05-24 Agere Systems, Inc. Method and apparatus for conditioning a polishing pad
US6572441B2 (en) * 2001-05-31 2003-06-03 Momentum Technical Consulting, Inc. Method of and apparatus for chemical-mechanical polishing
US7101799B2 (en) * 2001-06-19 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Feedforward and feedback control for conditioning of chemical mechanical polishing pad
US6594024B1 (en) * 2001-06-21 2003-07-15 Advanced Micro Devices, Inc. Monitor CMP process using scatterometry
JP2003037090A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6431953B1 (en) * 2001-08-21 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation CMP process involving frequency analysis-based monitoring
US6884146B2 (en) * 2002-02-04 2005-04-26 Kla-Tencor Technologies Corp. Systems and methods for characterizing a polishing process
US6806948B2 (en) 2002-03-29 2004-10-19 Lam Research Corporation System and method of broad band optical end point detection for film change indication
JP4718107B2 (ja) * 2003-05-20 2011-07-06 株式会社荏原製作所 基板保持装置及び研磨装置
DE10361636B4 (de) * 2003-12-30 2009-12-10 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Verfahren und System zum Steuern des chemisch-mechanischen Polierens mittels eines seismischen Signals eines seismischen Sensors
US20050251936A1 (en) * 2004-05-14 2005-11-17 International Business Machines Corporation Apparatus and method for cleaning electronic articles
US7052364B2 (en) * 2004-06-14 2006-05-30 Cabot Microelectronics Corporation Real time polishing process monitoring
US20060063383A1 (en) * 2004-09-20 2006-03-23 Pattengale Philip H Jr CMP process endpoint detection method by monitoring and analyzing vibration data
US20070149094A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Choi Jae Y Monitoring Device of Chemical Mechanical Polishing Apparatus
US8142261B1 (en) 2006-11-27 2012-03-27 Chien-Min Sung Methods for enhancing chemical mechanical polishing pad processes
US7749050B2 (en) * 2006-02-06 2010-07-06 Chien-Min Sung Pad conditioner dresser
US7658187B2 (en) * 2007-01-16 2010-02-09 John Budiac Adjustable stone cutting guide system
US20090127231A1 (en) * 2007-11-08 2009-05-21 Chien-Min Sung Methods of Forming Superhard Cutters and Superhard Cutters Formed Thereby
TW201130029A (en) * 2009-12-31 2011-09-01 jian-min Song Methods and devices for enhancing chemical mechanical polishing processes
JP5728239B2 (ja) * 2010-03-02 2015-06-03 株式会社荏原製作所 研磨監視方法、研磨方法、研磨監視装置、および研磨装置
US9862070B2 (en) 2011-11-16 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Systems and methods for substrate polishing end point detection using improved friction measurement
DE102012109393A1 (de) * 2012-10-02 2014-04-03 Prüftechnik Dieter Busch AG Vorrichtung und Verfahren zur Bewertung von Schwingungen
JP6282437B2 (ja) * 2012-10-18 2018-02-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 研磨パッドコンディショナ用ダンパ
US9902038B2 (en) 2015-02-05 2018-02-27 Toshiba Memory Corporation Polishing apparatus, polishing method, and semiconductor manufacturing method
US10478937B2 (en) 2015-03-05 2019-11-19 Applied Materials, Inc. Acoustic emission monitoring and endpoint for chemical mechanical polishing
DE102016214699A1 (de) * 2016-08-08 2018-02-08 Sauer Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstücks an einer numerisch gesteuerten Werkzeugmaschine
TWI807987B (zh) * 2016-11-30 2023-07-01 美商應用材料股份有限公司 使用神經網路的光譜監測
US10576606B2 (en) 2017-06-19 2020-03-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Platen rotation system and method
KR102546838B1 (ko) * 2018-03-26 2023-06-23 주식회사 케이씨텍 기판 처리 장치
TWI639486B (zh) * 2018-05-31 2018-11-01 國立清華大學 全向整合式調節裝置
DE102019120753B4 (de) * 2019-07-31 2022-06-02 Extrude Hone Gmbh Fließläppmaschine, Verfahren zum Ermitteln eines Materialabtrags an einem Werkstück und Verfahren zum Bestimmen der Schneidleistung eines Schleifmediums
CN115943016A (zh) * 2020-07-14 2023-04-07 应用材料公司 在化学机械抛光期间检测不合格衬底处理事件的方法
JP7504713B2 (ja) 2020-08-19 2024-06-24 キオクシア株式会社 半導体製造装置及び半導体製造方法
US20220379433A1 (en) * 2021-05-28 2022-12-01 Ta Liang Technology Co., Ltd. Polishing system and dressing device thereof

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5875012A (ja) * 1981-10-30 1983-05-06 Sumitomo Metal Ind Ltd シリコンウエハ−の厚さ測定方法
JP3198525B2 (ja) * 1991-03-28 2001-08-13 ソニー株式会社 ポリッシュ装置、ポリッシュ方法、及び半導体装置の製造方法
US5222329A (en) * 1992-03-26 1993-06-29 Micron Technology, Inc. Acoustical method and system for detecting and controlling chemical-mechanical polishing (CMP) depths into layers of conductors, semiconductors, and dielectric materials
US5245794A (en) * 1992-04-09 1993-09-21 Advanced Micro Devices, Inc. Audio end point detector for chemical-mechanical polishing and method therefor
JPH06252112A (ja) * 1993-03-01 1994-09-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 研磨の終点検出方法およびその研磨装置ならびにそれを利用した半導体装置の製造方法
JPH06320416A (ja) * 1993-03-15 1994-11-22 Toshiba Corp 研磨方法及び研磨装置
JP3321894B2 (ja) * 1993-05-07 2002-09-09 日本電信電話株式会社 研磨終点検出装置
JP3189076B2 (ja) * 1993-06-02 2001-07-16 富士通株式会社 研磨方法及び研磨装置
JPH0740234A (ja) * 1993-08-05 1995-02-10 Hitachi Ltd 研磨装置及び研磨量測定方法
JP3324235B2 (ja) * 1993-11-10 2002-09-17 株式会社日立製作所 加工物の研磨方法及びその研磨装置並びにそれを用いた半導体基板

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI449598B (zh) * 2008-12-23 2014-08-21 羅門哈斯電子材料Cmp控股公司 高速研磨方法
CN104508802B (zh) * 2012-06-07 2017-05-24 二和钻石工业股份有限公司 化学机械抛光设备
TWI758323B (zh) * 2016-09-15 2022-03-21 美商應用材料股份有限公司 化學機械拋光智慧環及使用該化學機械拋光智慧環的化學機械拋光系統與方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0739687B1 (en) 2003-06-04
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US5904609A (en) 1999-05-18

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