JPH06320416A - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
研磨方法及び研磨装置Info
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- JPH06320416A JPH06320416A JP9032793A JP9032793A JPH06320416A JP H06320416 A JPH06320416 A JP H06320416A JP 9032793 A JP9032793 A JP 9032793A JP 9032793 A JP9032793 A JP 9032793A JP H06320416 A JPH06320416 A JP H06320416A
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- polishing
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- vibration
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、振動モードの異なる複数種の素材か
らなる被加工物の平面加工において、研磨されている素
材の構造の変化に基因する振動モード又は歪み量の変化
に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止さ
せるようにしたものである。 【効果】本発明によれば研磨量の厳密な制御が可能とな
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、歩留りや信頼性等
が飛躍的な向上する。
らなる被加工物の平面加工において、研磨されている素
材の構造の変化に基因する振動モード又は歪み量の変化
に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止さ
せるようにしたものである。 【効果】本発明によれば研磨量の厳密な制御が可能とな
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、歩留りや信頼性等
が飛躍的な向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ウエハなどの研磨装置
におけるウエハ厚のモニタリングを行うことにより研磨
加工の終点検出を行う研磨方法及び研磨装置に関する。
におけるウエハ厚のモニタリングを行うことにより研磨
加工の終点検出を行う研磨方法及び研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）は、耐放射性、耐ラッチアップおよび低
寄生容量の特徴により、高速ＬＳＩへの適用が期待され
ている。ところで、図１５は、タブルゲートＭＯＳ（Ｍ
ｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
構造の製造プロセスを示している。すなわち、＜工程１
＞多結晶Ｓｉ基板Ａにフィールド酸化膜Ｂを形成後、通
常のゲート形成技術を用いてバックゲート酸化膜Ｃとバ
ックゲート電極Ｄを形成する。＜工程２＞ＣＶＤ（化学
蒸着）酸化膜Ｅをバックゲート酸化膜Ｃの上から堆積さ
せる。＜工程３＞ＣＶＤ酸化膜Ｅを研磨し、バックゲー
トの段差を平坦化する。＜工程４＞バックゲートを形成
した基板ＦとＢＰＳＧ（ボロン注入リン化ケイ素ガラ
ス：Ｂｏｒｏｎ−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）付きの支持基板Ｇをパルス静
電接着法により張り合わせる。＜工程５＞フィールド酸
化膜ＢをストッパとしてＳｉ基板Ａの研削と選択研磨を
行い、フィールド酸化膜Ｂの段差分の薄膜Ｓｉ部Ｋを形
成する。＜工程６＞通常のプロセスにより、薄膜Ｓｉ部
ＫにフロントゲートＭＯＳＦＥＴのソースＭ，ドレイン
Ｎ及びフロントゲートＱを形成する。
ｕｌａｔｏｒ）は、耐放射性、耐ラッチアップおよび低
寄生容量の特徴により、高速ＬＳＩへの適用が期待され
ている。ところで、図１５は、タブルゲートＭＯＳ（Ｍ
ｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
構造の製造プロセスを示している。すなわち、＜工程１
＞多結晶Ｓｉ基板Ａにフィールド酸化膜Ｂを形成後、通
常のゲート形成技術を用いてバックゲート酸化膜Ｃとバ
ックゲート電極Ｄを形成する。＜工程２＞ＣＶＤ（化学
蒸着）酸化膜Ｅをバックゲート酸化膜Ｃの上から堆積さ
せる。＜工程３＞ＣＶＤ酸化膜Ｅを研磨し、バックゲー
トの段差を平坦化する。＜工程４＞バックゲートを形成
した基板ＦとＢＰＳＧ（ボロン注入リン化ケイ素ガラ
ス：Ｂｏｒｏｎ−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）付きの支持基板Ｇをパルス静
電接着法により張り合わせる。＜工程５＞フィールド酸
化膜ＢをストッパとしてＳｉ基板Ａの研削と選択研磨を
行い、フィールド酸化膜Ｂの段差分の薄膜Ｓｉ部Ｋを形
成する。＜工程６＞通常のプロセスにより、薄膜Ｓｉ部
ＫにフロントゲートＭＯＳＦＥＴのソースＭ，ドレイン
Ｎ及びフロントゲートＱを形成する。
【０００３】ところで、＜工程５＞のＳｉの選択研磨に
より、通常、ウエハの厚さは、６２５μｍから４００μ
ｍ程度まで減少する。しかしながら、この＜工程５＞に
おいては、選択研磨の終点検出が困難であるため、しば
しば過剰研磨（オーバポリシング）が問題となる。この
過剰研磨により、薄膜Ｓｉ部Ｋに凹みが生じ、製造歩留
向上の阻害要因となっている。
より、通常、ウエハの厚さは、６２５μｍから４００μ
ｍ程度まで減少する。しかしながら、この＜工程５＞に
おいては、選択研磨の終点検出が困難であるため、しば
しば過剰研磨（オーバポリシング）が問題となる。この
過剰研磨により、薄膜Ｓｉ部Ｋに凹みが生じ、製造歩留
向上の阻害要因となっている。
【０００４】そこで、従来においては、ある程度までは
加工時間で管理し、その後は、短時間ごとに目視により
観察して、加工終点を検出していた。そのため、能率が
悪いばかりか、加工終点の検出誤差が入る余地が大きか
った。他方、ウエハの厚さを光学法または電気容量法に
より測定することにより加工終点検出することも考えら
れるが、被測定面が加工液などで汚れていると測定誤差
を生じるため、オンマシン・インプロセス測定には適し
ていなかった。また、超音波法によりウエハの厚さを測
定することにより加工終点を検出する方法は、精度的に
不十分である。
加工時間で管理し、その後は、短時間ごとに目視により
観察して、加工終点を検出していた。そのため、能率が
悪いばかりか、加工終点の検出誤差が入る余地が大きか
った。他方、ウエハの厚さを光学法または電気容量法に
より測定することにより加工終点検出することも考えら
れるが、被測定面が加工液などで汚れていると測定誤差
を生じるため、オンマシン・インプロセス測定には適し
ていなかった。また、超音波法によりウエハの厚さを測
定することにより加工終点を検出する方法は、精度的に
不十分である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＳＯＩ
製造プロセスにおいて実施される選択研磨の従来の加工
終点検出装置は、検出精度及び検出能率の点で不十分で
あった。この発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、選択研磨の加工終点検出をインプロセスで、しかも
高精度で行うことのできる加工終点検出方法及び研磨装
置を提供することを目的とする。
製造プロセスにおいて実施される選択研磨の従来の加工
終点検出装置は、検出精度及び検出能率の点で不十分で
あった。この発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、選択研磨の加工終点検出をインプロセスで、しかも
高精度で行うことのできる加工終点検出方法及び研磨装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、振動モードの
異なる複数種の素材からなる被加工物の平面加工におい
て、研磨されている素材の構造の変化に基因する振動モ
ードの変化に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加
工を停止させるようにしたものである。
異なる複数種の素材からなる被加工物の平面加工におい
て、研磨されている素材の構造の変化に基因する振動モ
ードの変化に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加
工を停止させるようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば研磨量の厳密な制御が可能とな
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、加工能率、歩留
り、信頼性等が飛躍的に向上する。
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、加工能率、歩留
り、信頼性等が飛躍的に向上する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。図１は、この実施例の研磨装置を示している。
この研磨装置は、ＳＯＩとなる薄板状の被加工物１を平
面研磨する研磨部２と、この研磨部２により平面研磨さ
れている被加工物１の加工終点を検出する加工終点検出
部３とからなっている。
述する。図１は、この実施例の研磨装置を示している。
この研磨装置は、ＳＯＩとなる薄板状の被加工物１を平
面研磨する研磨部２と、この研磨部２により平面研磨さ
れている被加工物１の加工終点を検出する加工終点検出
部３とからなっている。
【０００９】しかして、図２は、被加工物１の加工前の
構造を示している。すなわち、この被加工物１は、第１
基板部４と、この第１基板部４に対してパルス静電接着
法により張り合わされた第２基板部５とからなってい
る。しかして、第１基板部４は、多結晶ＳｉからなるＳ
ｉ薄膜６と、このＳｉ薄膜６上に形成されたＳｉＯ2 か
らなるフィールド酸化膜７と、このフィールド酸化膜７
の開口部７ａに形成されたバックゲート酸化膜８と、こ
のバックゲート酸化膜８上に形成されたバックゲート電
極９と、Ｓｉ薄膜６のバックゲート電極６側全面を被覆
するＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０とからなっている。すなわ
ち、フィールド酸化膜７の開口部７ａには、その深さ方
向の中央部にバックゲート酸化膜８が板面に平行に配設
され、このバックゲート酸化膜８の両側にＣＶＤ−Ｓｉ
Ｏ2 膜１０とＳｉ薄膜６の一部が充填されている。一
方、第２基板部５は、支持基板１１と、この支持基板１
１上に形成されたＢＰＳＧ膜１２とからなっている。そ
して、ＢＰＳＧ膜１２とＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０との接
着により第１基板部４と第２基板部５とが一体的に接合
されている。しかして、この実施例にては、Ｓｉ薄膜６
をフィールド酸化膜７が露出するまで平面研磨すること
を目的としている（図２想像線領域）。
構造を示している。すなわち、この被加工物１は、第１
基板部４と、この第１基板部４に対してパルス静電接着
法により張り合わされた第２基板部５とからなってい
る。しかして、第１基板部４は、多結晶ＳｉからなるＳ
ｉ薄膜６と、このＳｉ薄膜６上に形成されたＳｉＯ2 か
らなるフィールド酸化膜７と、このフィールド酸化膜７
の開口部７ａに形成されたバックゲート酸化膜８と、こ
のバックゲート酸化膜８上に形成されたバックゲート電
極９と、Ｓｉ薄膜６のバックゲート電極６側全面を被覆
するＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０とからなっている。すなわ
ち、フィールド酸化膜７の開口部７ａには、その深さ方
向の中央部にバックゲート酸化膜８が板面に平行に配設
され、このバックゲート酸化膜８の両側にＣＶＤ−Ｓｉ
Ｏ2 膜１０とＳｉ薄膜６の一部が充填されている。一
方、第２基板部５は、支持基板１１と、この支持基板１
１上に形成されたＢＰＳＧ膜１２とからなっている。そ
して、ＢＰＳＧ膜１２とＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０との接
着により第１基板部４と第２基板部５とが一体的に接合
されている。しかして、この実施例にては、Ｓｉ薄膜６
をフィールド酸化膜７が露出するまで平面研磨すること
を目的としている（図２想像線領域）。
【００１０】しかして、研磨部２は、下定盤部１３と、
この下定盤部１３に対向して上方位置に配設された上定
盤部１４と、下定盤部１３と上定盤部１４を電気的に統
御する加工制御機構２１とからなっている。なお、この
研磨部２には、研磨部位に加工液Ｌを供給する給液部１
５が付随している。そして、下定盤部１３は、円盤をな
す下定盤１６と、この下定盤１６に貼着された例えば発
泡ウレタンなどの研磨布１７と、この下定盤１６を保持
して回転駆動する下定盤駆動機構１８とからなってい
る。さらに、上定盤部１４は、下定盤１６の半径よりも
小さい直径の上定盤１９と、この上定盤１９を軸支して
回転駆動するとともに下定盤１６に対して加圧するとか
らなっている。なお、これら上定盤駆動機構２０と下定
盤駆動機構１８は、前述した加工制御機構２１により電
気的に統御される。ここで、上定盤駆動機構２０は、上
定盤１９を軸体２０ｂを介して上下方向に昇降させる例
えば空気圧シリンダなどの昇降手段２０ａを有してい
る。また、給液部１５は、遊離砥粒を含有する加工液Ｌ
を研磨部位に噴射するノズル２２と、このノズル２２に
供給する加工液Ｌを貯蔵するタンク２３とからなってい
る。他方、加工終点検出部３は、上定盤１９の背面に取
り付けられた例えば半導体ゲージ型（あるいは圧電型ま
たはひずみゲージ型でもよい。）の加速度ピックアッ
プ，歪ゲージ付きカンチレバーなどの振動センサ２４
と、この振動センサ２４から出力された振動検出信号Ｓ
Ｖを増幅する増幅器２５と、この増幅器２５にて増幅さ
れた振動検出信号ＳＶのうち加工終点検出に必要な周波
数成分のみを抽出するバンドパスフィルタ２６と、この
バンドパスフィルタ２６から出力された必要な周波数成
分のみからなる振動検出信号ＳＦを入力し後述する振動
解析を行う振動解析器２７と、この振動解析器２７にお
ける解析信号ＳＡを入力し加工終点検出を行い加工停止
信号ＳＳを加工制御機構２１に出力する加工終点検出器
２８とからなっている。しかして、振動センサ２４から
増幅器２５への信号の伝達は、無線方式で行われるよう
に設けられていて、両者は信号授受のためのアンテナを
有している。また、バンドパスフィルタ２６は、２ｋＨ
ｚ〜４ｋＨｚの周波数帯域の振動検出信号ＳＶのみ通過
させるように設定されている。さらに、振動解析器２７
は、ＦＦＴ（Ｆａｓｔ Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆ
ｏｒｍ）型の振動解析装置であって、２ｋＨｚ〜４ｋＨ
ｚの周波数帯域のパワー・スペクトラムを示す解析信号
ＳＡを出力するものである。さらに、加工終点検出器２
８には、閾値ＰＴが設定されていて、振動解析器２７か
ら出力された解析信号ＳＡがこの閾値ＰＴを越えた場合
に、加工停止信号ＳＳを加工制御機構２１に出力するよ
うに設けられている。
この下定盤部１３に対向して上方位置に配設された上定
盤部１４と、下定盤部１３と上定盤部１４を電気的に統
御する加工制御機構２１とからなっている。なお、この
研磨部２には、研磨部位に加工液Ｌを供給する給液部１
５が付随している。そして、下定盤部１３は、円盤をな
す下定盤１６と、この下定盤１６に貼着された例えば発
泡ウレタンなどの研磨布１７と、この下定盤１６を保持
して回転駆動する下定盤駆動機構１８とからなってい
る。さらに、上定盤部１４は、下定盤１６の半径よりも
小さい直径の上定盤１９と、この上定盤１９を軸支して
回転駆動するとともに下定盤１６に対して加圧するとか
らなっている。なお、これら上定盤駆動機構２０と下定
盤駆動機構１８は、前述した加工制御機構２１により電
気的に統御される。ここで、上定盤駆動機構２０は、上
定盤１９を軸体２０ｂを介して上下方向に昇降させる例
えば空気圧シリンダなどの昇降手段２０ａを有してい
る。また、給液部１５は、遊離砥粒を含有する加工液Ｌ
を研磨部位に噴射するノズル２２と、このノズル２２に
供給する加工液Ｌを貯蔵するタンク２３とからなってい
る。他方、加工終点検出部３は、上定盤１９の背面に取
り付けられた例えば半導体ゲージ型（あるいは圧電型ま
たはひずみゲージ型でもよい。）の加速度ピックアッ
プ，歪ゲージ付きカンチレバーなどの振動センサ２４
と、この振動センサ２４から出力された振動検出信号Ｓ
Ｖを増幅する増幅器２５と、この増幅器２５にて増幅さ
れた振動検出信号ＳＶのうち加工終点検出に必要な周波
数成分のみを抽出するバンドパスフィルタ２６と、この
バンドパスフィルタ２６から出力された必要な周波数成
分のみからなる振動検出信号ＳＦを入力し後述する振動
解析を行う振動解析器２７と、この振動解析器２７にお
ける解析信号ＳＡを入力し加工終点検出を行い加工停止
信号ＳＳを加工制御機構２１に出力する加工終点検出器
２８とからなっている。しかして、振動センサ２４から
増幅器２５への信号の伝達は、無線方式で行われるよう
に設けられていて、両者は信号授受のためのアンテナを
有している。また、バンドパスフィルタ２６は、２ｋＨ
ｚ〜４ｋＨｚの周波数帯域の振動検出信号ＳＶのみ通過
させるように設定されている。さらに、振動解析器２７
は、ＦＦＴ（Ｆａｓｔ Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆ
ｏｒｍ）型の振動解析装置であって、２ｋＨｚ〜４ｋＨ
ｚの周波数帯域のパワー・スペクトラムを示す解析信号
ＳＡを出力するものである。さらに、加工終点検出器２
８には、閾値ＰＴが設定されていて、振動解析器２７か
ら出力された解析信号ＳＡがこの閾値ＰＴを越えた場合
に、加工停止信号ＳＳを加工制御機構２１に出力するよ
うに設けられている。
【００１１】つぎに、上記構成の研磨装置を用いて、こ
の実施例の研磨方法について述べる。まず、上定盤１９
に被加工物１をＳｉ薄膜６が研磨布１７に対向するよう
に貼着する。つぎに、加工制御機構２１から下定盤駆動
機構１８に回転信号ＳＲＤを印加し、下定盤１６を矢印
Ｒ１方向に例えば６０〜１２０ｒｐｍ程度で回転させ
る。つづいて、加工制御機構２１から上定盤駆動機構２
０に回転信号ＳＲＵ及び下降信号ＳＤを印加し、上定盤
１９を矢印Ｒ２方向に例えば毎分６０〜１２０ｒｐｍ程
度回転させるとともに、矢印Ｄ１方向に下降させ、Ｓｉ
薄膜６を研磨布１７に接触させる。なお、上定盤１９の
下降は、研磨圧が２００〜６００ｇｆ／ｃｍ2 程度の状
態で停止する。このとき、ノズル２２を介して加工液Ｌ
を被加工物１の研磨部位に噴射する。かくして、Ｓｉ薄
膜６は、加工液Ｌに含有されている遊離砥粒と研磨布１
７により平面研磨される。このとき、振動センサ２４に
ては、研磨に随伴して発生する機械振動を検出し、振動
検出信号ＳＶを出力する。図３は、このときの振動検出
信号ＳＶを示している。この振動検出信号ＳＶは、増幅
器２５にて増幅された後、バンドパスフィルタ２６にて
２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周波数帯域のみが抽出された振動
検出信号ＳＦが振動解析器２７に入力する。しかして、
振動解析器２７に入力した振動検出信号ＳＦは、振動解
析器２７にてＦＦＴ処理され、２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周
波数帯域のパワー・スペクトラムを示す解析信号ＳＡが
加工終点検出器２８に出力される。図４は、このときの
振動検出信号ＳＡを示している。このとき振動検出信号
ＳＡは、閾値ＰＴより小さいので、加工停止信号ＳＳが
加工制御機構２１に出力されない。したがって、研磨加
工はそのまま続行される。しかして、研磨加工が進行
し、図５に示すように、フィールド酸化膜７が露出し研
磨布１７と接触したときの振動検出信号ＳＶは図６に示
すようなものとなる。すなわち、Ｓｉ薄膜６のみを研磨
しているときの図３に比べて、全体的にレベルが高くな
っているとともに、波形が乱れている。このとき振動解
析器２７から出力された解析信号ＳＡは、図７に示すよ
うなものとなる。すなわち、Ｓｉ薄膜６のみを研磨して
いるときの図４に比べて、２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周波数
帯域のレベルが、閾値ＰＴを越えるレベルまで増加して
いることがわかる。したがって、この解析信号ＳＡが加
工終点検出器２８に入力すると、この解析信号ＳＡは、
閾値ＰＴよりも大きいので、加工停止信号ＳＳが加工制
御機構２１に出力される。その結果、この加工停止信号
ＳＳを入力した加工制御機構２１からは、回転停止信号
ＳＳＵ，ＳＳＤが上定盤駆動機構２０及び下定盤駆動機
構１８に印加されるとともに、上定盤駆動機構２０に上
昇信号ＳＵが印加され、研磨加工が停止する。
の実施例の研磨方法について述べる。まず、上定盤１９
に被加工物１をＳｉ薄膜６が研磨布１７に対向するよう
に貼着する。つぎに、加工制御機構２１から下定盤駆動
機構１８に回転信号ＳＲＤを印加し、下定盤１６を矢印
Ｒ１方向に例えば６０〜１２０ｒｐｍ程度で回転させ
る。つづいて、加工制御機構２１から上定盤駆動機構２
０に回転信号ＳＲＵ及び下降信号ＳＤを印加し、上定盤
１９を矢印Ｒ２方向に例えば毎分６０〜１２０ｒｐｍ程
度回転させるとともに、矢印Ｄ１方向に下降させ、Ｓｉ
薄膜６を研磨布１７に接触させる。なお、上定盤１９の
下降は、研磨圧が２００〜６００ｇｆ／ｃｍ2 程度の状
態で停止する。このとき、ノズル２２を介して加工液Ｌ
を被加工物１の研磨部位に噴射する。かくして、Ｓｉ薄
膜６は、加工液Ｌに含有されている遊離砥粒と研磨布１
７により平面研磨される。このとき、振動センサ２４に
ては、研磨に随伴して発生する機械振動を検出し、振動
検出信号ＳＶを出力する。図３は、このときの振動検出
信号ＳＶを示している。この振動検出信号ＳＶは、増幅
器２５にて増幅された後、バンドパスフィルタ２６にて
２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周波数帯域のみが抽出された振動
検出信号ＳＦが振動解析器２７に入力する。しかして、
振動解析器２７に入力した振動検出信号ＳＦは、振動解
析器２７にてＦＦＴ処理され、２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周
波数帯域のパワー・スペクトラムを示す解析信号ＳＡが
加工終点検出器２８に出力される。図４は、このときの
振動検出信号ＳＡを示している。このとき振動検出信号
ＳＡは、閾値ＰＴより小さいので、加工停止信号ＳＳが
加工制御機構２１に出力されない。したがって、研磨加
工はそのまま続行される。しかして、研磨加工が進行
し、図５に示すように、フィールド酸化膜７が露出し研
磨布１７と接触したときの振動検出信号ＳＶは図６に示
すようなものとなる。すなわち、Ｓｉ薄膜６のみを研磨
しているときの図３に比べて、全体的にレベルが高くな
っているとともに、波形が乱れている。このとき振動解
析器２７から出力された解析信号ＳＡは、図７に示すよ
うなものとなる。すなわち、Ｓｉ薄膜６のみを研磨して
いるときの図４に比べて、２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周波数
帯域のレベルが、閾値ＰＴを越えるレベルまで増加して
いることがわかる。したがって、この解析信号ＳＡが加
工終点検出器２８に入力すると、この解析信号ＳＡは、
閾値ＰＴよりも大きいので、加工停止信号ＳＳが加工制
御機構２１に出力される。その結果、この加工停止信号
ＳＳを入力した加工制御機構２１からは、回転停止信号
ＳＳＵ，ＳＳＤが上定盤駆動機構２０及び下定盤駆動機
構１８に印加されるとともに、上定盤駆動機構２０に上
昇信号ＳＵが印加され、研磨加工が停止する。
【００１２】このように、この実施例の研磨装置は、加
工終点検出部３を具備しているので、フィールド酸化膜
７の開口部７ａのダレ（凹み）ＣＣ＜図８参照＞を１μ
ｍ以下にすることが可能となる。
工終点検出部３を具備しているので、フィールド酸化膜
７の開口部７ａのダレ（凹み）ＣＣ＜図８参照＞を１μ
ｍ以下にすることが可能となる。
【００１３】また、この実施例の研磨方法は、Ｓｉ薄膜
６の研磨からＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０の研磨に移行する
際に、研磨加工中に発生する振動モードの変化に着目し
て研磨加工の終点検出を行い研磨停止させるようにして
いるので、フィールド酸化膜７の開口部７ａのダレ（凹
み）を１μｍ以下にすることが可能となる。
６の研磨からＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０の研磨に移行する
際に、研磨加工中に発生する振動モードの変化に着目し
て研磨加工の終点検出を行い研磨停止させるようにして
いるので、フィールド酸化膜７の開口部７ａのダレ（凹
み）を１μｍ以下にすることが可能となる。
【００１４】なお、上記実施例の研磨装置においては、
振動センサ２４は、上定盤１９の背面に１個取り付けて
いるが、複数個の振動センサ２４…を取り付け、これら
振動センサ２４…からの振動検出信号ＳＦ…のそれぞれ
について上述した加工終点検出処理を行い、最終的に論
理積または論理和をとるようにしてもよい。これによ
り、加工終点判定精度の向上を図ることができる。さら
に、上記実施例においては、振動センサ２４は、上定盤
１９の背面に取り付けているが、昇降手段２０ａの軸受
部に取り付けてもよい。この方法は、高価な無線方式を
採用しなくてよい利点を有している。また、下定盤１６
の下面に振動センサ３１を取り付け、この振動センサ３
１からの振動検出信号ＳＦ１に基づいて上述した加工終
点検出を行うようにしてもよい。さらには、上定盤１９
に取り付けた振動センサ２４から出力された振動検出信
号ＳＦと、下定盤１６に取り付けた振動センサ３１から
出力された振動検出信号ＳＦ１との差を取り、これによ
り得られた差信号に基づいて上述した加工終点検出を行
うようにしてもよい。さらにまた、上定盤１９に振動セ
ンサ２４を取り付けるとともに、下定盤１６に加振器３
２を取り付け、研磨加工中に強制的に加振器３２により
加工に影響を与えない程度の特定の周波数ｆの機械振動
を発生させ、このときの振動を振動センサ２４により検
出し、さらに、バンドパスフィルタにて上記特定の周波
数ｆを含む周波数帯域のみが抽出された振動検出信号Ｓ
Ｆに基づいて加工終点検出を行うようにしてもよい。こ
れにより、加工終点判定精度の向上を図ることができ
る。
振動センサ２４は、上定盤１９の背面に１個取り付けて
いるが、複数個の振動センサ２４…を取り付け、これら
振動センサ２４…からの振動検出信号ＳＦ…のそれぞれ
について上述した加工終点検出処理を行い、最終的に論
理積または論理和をとるようにしてもよい。これによ
り、加工終点判定精度の向上を図ることができる。さら
に、上記実施例においては、振動センサ２４は、上定盤
１９の背面に取り付けているが、昇降手段２０ａの軸受
部に取り付けてもよい。この方法は、高価な無線方式を
採用しなくてよい利点を有している。また、下定盤１６
の下面に振動センサ３１を取り付け、この振動センサ３
１からの振動検出信号ＳＦ１に基づいて上述した加工終
点検出を行うようにしてもよい。さらには、上定盤１９
に取り付けた振動センサ２４から出力された振動検出信
号ＳＦと、下定盤１６に取り付けた振動センサ３１から
出力された振動検出信号ＳＦ１との差を取り、これによ
り得られた差信号に基づいて上述した加工終点検出を行
うようにしてもよい。さらにまた、上定盤１９に振動セ
ンサ２４を取り付けるとともに、下定盤１６に加振器３
２を取り付け、研磨加工中に強制的に加振器３２により
加工に影響を与えない程度の特定の周波数ｆの機械振動
を発生させ、このときの振動を振動センサ２４により検
出し、さらに、バンドパスフィルタにて上記特定の周波
数ｆを含む周波数帯域のみが抽出された振動検出信号Ｓ
Ｆに基づいて加工終点検出を行うようにしてもよい。こ
れにより、加工終点判定精度の向上を図ることができ
る。
【００１５】さらに、上記実施例においては、バンドパ
スフィルタ２６と加工終点検出器２８との間に振動解析
器２７を設けているが、この振動解析器２７を省略し、
バンドパスフィルタ２６から出力された振動検出信号Ｓ
Ｆについて加工終点検出器２８にあらかじめ設定した閾
値ＰＴにより加工終点検出を行うようにしてもよい。さ
らに、上記実施例においては、加工終点検出を、閾値Ｐ
Ｔと振動解析器２７から出力された解析信号ＳＡとの大
小比較により行っているが、振動解析器２７と加工終点
検出器２８との間に積分器を設け、この積分器により解
析信号ＳＡを積分した結果について、加工終点検出器２
８にて閾値による加工終点検出を行うようにしてもよ
い。
スフィルタ２６と加工終点検出器２８との間に振動解析
器２７を設けているが、この振動解析器２７を省略し、
バンドパスフィルタ２６から出力された振動検出信号Ｓ
Ｆについて加工終点検出器２８にあらかじめ設定した閾
値ＰＴにより加工終点検出を行うようにしてもよい。さ
らに、上記実施例においては、加工終点検出を、閾値Ｐ
Ｔと振動解析器２７から出力された解析信号ＳＡとの大
小比較により行っているが、振動解析器２７と加工終点
検出器２８との間に積分器を設け、この積分器により解
析信号ＳＡを積分した結果について、加工終点検出器２
８にて閾値による加工終点検出を行うようにしてもよ
い。
【００１６】一方、上記実施例の研磨方法においては、
２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周波数帯域のパワー・スペクトラ
ムにおける周波数成分の大きさが、フィールド酸化膜７
が露出し研磨布１７と接触したとき増大することを利用
して、加工終点の検出を行っているが、図９に示すよう
に、パワー・スペクトラムの９０Ｈｚ近傍（この周波数
は装置構造により変化する。）において、Ｓｉ薄膜６の
みを研磨しているときには周波数成分の大きさのピーク
値が存在するのに対して、研磨加工が進行しフィールド
酸化膜７が露出し研磨布１７と接触すると上記ピーク値
が消失する（図１０参照）ことを利用して加工終点の検
出を行うようにしてもよい。
２ｋＨｚ〜４ｋＨｚの周波数帯域のパワー・スペクトラ
ムにおける周波数成分の大きさが、フィールド酸化膜７
が露出し研磨布１７と接触したとき増大することを利用
して、加工終点の検出を行っているが、図９に示すよう
に、パワー・スペクトラムの９０Ｈｚ近傍（この周波数
は装置構造により変化する。）において、Ｓｉ薄膜６の
みを研磨しているときには周波数成分の大きさのピーク
値が存在するのに対して、研磨加工が進行しフィールド
酸化膜７が露出し研磨布１７と接触すると上記ピーク値
が消失する（図１０参照）ことを利用して加工終点の検
出を行うようにしてもよい。
【００１７】さらに、上記実施例においては、ＳＯＩ製
造プロセスにおける研磨加工の終点検出を例示している
が、これに限ることなく、振動モードの異なる複数種の
素材からなる被加工物の平面加工であれば、振動モード
の異なる素材をストッパとして、本発明を適用すること
ができる。
造プロセスにおける研磨加工の終点検出を例示している
が、これに限ることなく、振動モードの異なる複数種の
素材からなる被加工物の平面加工であれば、振動モード
の異なる素材をストッパとして、本発明を適用すること
ができる。
【００１８】さらにまた、上記実施例においては、研磨
の種類として、ポリシングを例示しているが、ラッピッ
ング、研削等、平面研磨であるならばどのような加工方
法にも適用することができる。もちろん、片面研磨ある
いは両面研磨のいずれにも適用可能である。
の種類として、ポリシングを例示しているが、ラッピッ
ング、研削等、平面研磨であるならばどのような加工方
法にも適用することができる。もちろん、片面研磨ある
いは両面研磨のいずれにも適用可能である。
【００１９】さらに、図１１は本発明の他の実施例の研
磨装置を示すもので、この研磨装置は、最初に述べた実
施例の研磨装置と基本構造は同一であるので、同一部分
には同一記号を付し、詳細な説明を省略する。すなわ
ち、この研磨装置は、ＳＯＩとなる薄板状の被加工物１
を平面研磨する研磨部２と、この研磨部２により平面研
磨されている被加工物１の加工終点を検出する加工終点
検出部３とからなっている。しかして、研磨部２は、下
定盤部１３と、この下定盤部１３に対向して上方位置に
配設された上定盤部１４と、下定盤部１３と上定盤部１
４を電気的に統御する加工制御機構２１とからなってい
る。なお、この研磨部２には、研磨部位に加工液Ｌを供
給する給液部１５が付随している。さらに、上定盤部１
４は、下定盤１６の半径よりも小さい直径の上定盤１９
と、この上定盤１９の上面により固定・連接された車輪
状のセンサ着設治具１９ａ（図１２参照）と、このセン
サ着設治具１９ａを保持して回転駆動し且つ研磨圧を印
加させる上定盤駆動機構２０とから構成されている。上
記センサ着設治具１９ａは、リング状の外輪１９ｂと、
この外輪１９ｂの中央部同心位置に設けられた円管状の
軸受体１９ｃと、外輪１９ｂと軸受体１９ｃとの間に放
射状かつ等配して橋絡された断面矩形状の輻体１９ｄ…
とからなっている。そして、軸受体１９ｃには、軸体２
０ｂが嵌合し、上定盤駆動機構２０により上下方向に昇
降されるようになっている。しかして、加工終点検出部
３は、上記センサ着設治具１９ａに取り付けられた歪み
センサ２４Ｓから出力された歪み検出信号ＳＭを増幅す
る増幅器２５と、この増幅器２５にて増幅された歪み検
出信号ＳＭと予め設定された閾値ＳＴとの比較演算を行
い歪み検出信号ＳＭより閾値ＳＴが大きいときに加工停
止信号ＳＳを加工制御機構２１に出力する加工終点検出
器２８とからなっている。しかして、歪みセンサ２４Ｓ
は、圧電素子をその本体とするもので輻体１９ｄ…の側
面の一部に取付けられ、から増幅器２５への信号の伝達
は、無線方式で行われるように設けられていて、両者は
信号授受のためのアンテナを有している。
磨装置を示すもので、この研磨装置は、最初に述べた実
施例の研磨装置と基本構造は同一であるので、同一部分
には同一記号を付し、詳細な説明を省略する。すなわ
ち、この研磨装置は、ＳＯＩとなる薄板状の被加工物１
を平面研磨する研磨部２と、この研磨部２により平面研
磨されている被加工物１の加工終点を検出する加工終点
検出部３とからなっている。しかして、研磨部２は、下
定盤部１３と、この下定盤部１３に対向して上方位置に
配設された上定盤部１４と、下定盤部１３と上定盤部１
４を電気的に統御する加工制御機構２１とからなってい
る。なお、この研磨部２には、研磨部位に加工液Ｌを供
給する給液部１５が付随している。さらに、上定盤部１
４は、下定盤１６の半径よりも小さい直径の上定盤１９
と、この上定盤１９の上面により固定・連接された車輪
状のセンサ着設治具１９ａ（図１２参照）と、このセン
サ着設治具１９ａを保持して回転駆動し且つ研磨圧を印
加させる上定盤駆動機構２０とから構成されている。上
記センサ着設治具１９ａは、リング状の外輪１９ｂと、
この外輪１９ｂの中央部同心位置に設けられた円管状の
軸受体１９ｃと、外輪１９ｂと軸受体１９ｃとの間に放
射状かつ等配して橋絡された断面矩形状の輻体１９ｄ…
とからなっている。そして、軸受体１９ｃには、軸体２
０ｂが嵌合し、上定盤駆動機構２０により上下方向に昇
降されるようになっている。しかして、加工終点検出部
３は、上記センサ着設治具１９ａに取り付けられた歪み
センサ２４Ｓから出力された歪み検出信号ＳＭを増幅す
る増幅器２５と、この増幅器２５にて増幅された歪み検
出信号ＳＭと予め設定された閾値ＳＴとの比較演算を行
い歪み検出信号ＳＭより閾値ＳＴが大きいときに加工停
止信号ＳＳを加工制御機構２１に出力する加工終点検出
器２８とからなっている。しかして、歪みセンサ２４Ｓ
は、圧電素子をその本体とするもので輻体１９ｄ…の側
面の一部に取付けられ、から増幅器２５への信号の伝達
は、無線方式で行われるように設けられていて、両者は
信号授受のためのアンテナを有している。
【００２０】つぎに、このような構成の研磨装置を用い
た研磨方法について述べる。下定盤１６を矢印Ｒ１方向
に例えば６０〜１２０ｒｐｍ程度で回転させ、かつ、上
定盤１９を矢印Ｒ２方向に例えば毎分６０〜１２０ｒｐ
ｍ程度回転させるとともに、矢印Ｄ１方向に下降させ、
Ｓｉ薄膜６を研磨布１７に接触させる。その結果、セン
サ着設治具１９ａには、被加工物１及び上定盤１９を介
して、接線方向の力Ｆが作用する。その結果、力Ｆに基
因して輻体１９ｄ…も歪みが生ずる。この歪みは、歪み
センサ２４Ｓにより歪み量に応じた大きさの電圧値を有
する歪み検出信号ＳＭに変換される。この歪み検出信号
ＳＭは、増幅器２５にて増幅された後、加工終点検出器
２８にて予め設定された閾値ＳＴと大小比較演算され
る。ところで、図１３に示すように、遊離砥粒と研磨布
１７によりＳｉ薄膜６のみを研磨しているときには歪み
ε１となっているのに対して、研磨加工が進行しフィー
ルド酸化膜７が露出し研磨布１７と接触し始めると摩擦
抵抗の減少により歪みε２となる（これはフィールド酸
化膜７の方が硬くて削りにくく、滑りやすくなるためと
考えられる。）。すなわち、加工終点に達するとΔεだ
け歪みが減少する。この場合、閾値ＳＴを歪みε１と歪
みε２との間に設定することにより、加工終点の検出が
可能なる。すなわち、加工終点時の歪みε２は、閾値Ｓ
Ｔより小さくなり、加工停止信号ＳＳが加工制御機構２
１に出力される。
た研磨方法について述べる。下定盤１６を矢印Ｒ１方向
に例えば６０〜１２０ｒｐｍ程度で回転させ、かつ、上
定盤１９を矢印Ｒ２方向に例えば毎分６０〜１２０ｒｐ
ｍ程度回転させるとともに、矢印Ｄ１方向に下降させ、
Ｓｉ薄膜６を研磨布１７に接触させる。その結果、セン
サ着設治具１９ａには、被加工物１及び上定盤１９を介
して、接線方向の力Ｆが作用する。その結果、力Ｆに基
因して輻体１９ｄ…も歪みが生ずる。この歪みは、歪み
センサ２４Ｓにより歪み量に応じた大きさの電圧値を有
する歪み検出信号ＳＭに変換される。この歪み検出信号
ＳＭは、増幅器２５にて増幅された後、加工終点検出器
２８にて予め設定された閾値ＳＴと大小比較演算され
る。ところで、図１３に示すように、遊離砥粒と研磨布
１７によりＳｉ薄膜６のみを研磨しているときには歪み
ε１となっているのに対して、研磨加工が進行しフィー
ルド酸化膜７が露出し研磨布１７と接触し始めると摩擦
抵抗の減少により歪みε２となる（これはフィールド酸
化膜７の方が硬くて削りにくく、滑りやすくなるためと
考えられる。）。すなわち、加工終点に達するとΔεだ
け歪みが減少する。この場合、閾値ＳＴを歪みε１と歪
みε２との間に設定することにより、加工終点の検出が
可能なる。すなわち、加工終点時の歪みε２は、閾値Ｓ
Ｔより小さくなり、加工停止信号ＳＳが加工制御機構２
１に出力される。
【００２１】このように、この実施例の研磨装置は、加
工終点時に発生する摩擦抵抗の減少に伴う回転方向の歪
みの減少に着目して加工終点を検出する加工終点検出部
３を具備しているので、フィールド酸化膜７の開口部７
ａのダレ（凹み）ＣＣ＜図８参照＞を１μｍ以下にする
ことが可能となる。
工終点時に発生する摩擦抵抗の減少に伴う回転方向の歪
みの減少に着目して加工終点を検出する加工終点検出部
３を具備しているので、フィールド酸化膜７の開口部７
ａのダレ（凹み）ＣＣ＜図８参照＞を１μｍ以下にする
ことが可能となる。
【００２２】なお、この実施例においては、歪みセンサ
２４Ｓは、輻体１９ｄの側面に取付けたが、図１４に示
すように、外輪１９ｂの一部に切欠１９ｅを設け、この
切欠１９ｅに歪みセンサ２４Ｓを嵌着しても、同様の効
果を奏することができる。さらに、歪みセンサの代わり
に圧力センサを用いても同様の効果を奏するこどでき
る。
２４Ｓは、輻体１９ｄの側面に取付けたが、図１４に示
すように、外輪１９ｂの一部に切欠１９ｅを設け、この
切欠１９ｅに歪みセンサ２４Ｓを嵌着しても、同様の効
果を奏することができる。さらに、歪みセンサの代わり
に圧力センサを用いても同様の効果を奏するこどでき
る。
【００２３】
【発明の効果】本発明の研磨装置は、加工終点検出部を
具備しているので、加工終点の自動検出を高精度で行う
ことができるようになり、研磨量の厳密な制御が可能と
なる。したがって、この本発明の研磨装置を例えば高速
ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセス
に適用した場合、歩留りや信頼性等が飛躍的な向上す
る。
具備しているので、加工終点の自動検出を高精度で行う
ことができるようになり、研磨量の厳密な制御が可能と
なる。したがって、この本発明の研磨装置を例えば高速
ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセス
に適用した場合、歩留りや信頼性等が飛躍的な向上す
る。
【００２４】本発明の研磨方法は、複数種の素材からな
る被加工物の平面加工において、研磨されている素材の
構造の変化に基因する振動モード又は歪み量の変化に基
づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止させる
ようにしているので、研磨量の厳密な制御が可能とな
る。したがって、この本発明の研磨方法を例えば高速Ｍ
ＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセスに
適用した場合、歩留りや信頼性等が飛躍的な向上する。
る被加工物の平面加工において、研磨されている素材の
構造の変化に基因する振動モード又は歪み量の変化に基
づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止させる
ようにしているので、研磨量の厳密な制御が可能とな
る。したがって、この本発明の研磨方法を例えば高速Ｍ
ＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセスに
適用した場合、歩留りや信頼性等が飛躍的な向上する。
【図１】本発明の一実施例の研磨装置の全体構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の研磨装置により研磨される
被加工物の断面図である。
被加工物の断面図である。
【図３】本発明の一実施例の研磨方法を説明するための
振動の時間変化を示すグラフである。
振動の時間変化を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例の研磨方法を説明するための
パワー・スペクトラムを示すグラフである。
パワー・スペクトラムを示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例の研磨方法を説明するための
被加工物の断面図である。
被加工物の断面図である。
【図６】本発明の一実施例の研磨方法を説明するための
振動の時間変化を示すグラフである。
振動の時間変化を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施例の研磨方法を説明するための
パワー・スペクトラムを示すグラフである。
パワー・スペクトラムを示すグラフである。
【図８】本発明の一実施例の研磨方法を説明するための
被加工物の要部断面図である。
被加工物の要部断面図である。
【図９】本発明の他の実施例の研磨方法を説明するため
のパワー・スペクトラムを示すグラフである。
のパワー・スペクトラムを示すグラフである。
【図１０】本発明の他の実施例の研磨方法を説明するた
めのパワー・スペクトラムを示すグラフである。
めのパワー・スペクトラムを示すグラフである。
【図１１】本発明の他の実施例の研磨装置の構成図であ
る。
る。
【図１２】図１１に示す研磨装置のセンサ着設治具の拡
大平面図である。
大平面図である。
【図１３】図１１に示す研磨装置を用いた本発明の他の
実施例の研磨方法を説明するための歪み量と加工時間と
の関係を示すグラフである。
実施例の研磨方法を説明するための歪み量と加工時間と
の関係を示すグラフである。
【図１４】図１１に示す研磨装置のセンサ着設治具の変
形例を示す拡大平面図である。
形例を示す拡大平面図である。
【図１５】従来技術の説明図である。
１：被加工物，２：研磨部，３：加工終点検出部，２
４：振動センサ，２６：バンドパスフィルタ，２７：振
動解析器，２８：加工終点検出器。
４：振動センサ，２６：バンドパスフィルタ，２７：振
動解析器，２８：加工終点検出器。
Claims (11)
- 【請求項１】被加工物を平面研磨する研磨部と、この研
磨部により平面研磨されている被加工物の加工終点を検
出しこの検出結果に基づいて上記研磨部に研磨停止信号
を印加する加工終点検出部とを具備し、上記加工終点検
出部は、上記研磨部に取り付けられ上記研磨部により上
記被加工物を研磨しているときに発生する振動を検出す
る振動センサと、この振動センサから出力された振動検
出信号のうち特定の周波数帯域を抽出するフィルタと、
このフィルタで抽出された振動検出信号に基づき加工終
点を検出して上記研磨停止信号を出力する加工終点検出
器とを具備することを特徴とする研磨装置。 - 【請求項２】加工終点検出器にはあらかじめ閾値が設定
され、この閾値とフィルタから出力された振動検出信号
との大小比較により加工終点を検出することを特徴とす
る請求項１記載の研磨装置。 - 【請求項３】フィルタと加工終点検出器との間には振動
解析器が設けられ、この振動解析器により上記フィルタ
から出力された振動検出信号の一定時間におけるパワー
・スペクトラムを求め、このパワー・スペクトラムを示
す解析信号について上記加工終点検出器に設定された閾
値との大小比較を行い加工終点を検出することを特徴と
する請求項１記載の研磨装置。 - 【請求項４】被加工物を平面研磨する研磨部と、この研
磨部により平面研磨されている被加工物の加工終点を検
出しこの検出結果に基づいて上記研磨部に研磨停止信号
を印加する加工終点検出部とを具備し、上記加工終点検
出部は、上記研磨部に取り付けられ上記研磨部により上
記被加工物を研磨しているときに上記研磨部に発生する
歪みを検出する歪みセンサと、この歪みセンサから出力
された歪み検出信号に基づき加工終点を検出して上記研
磨停止信号を出力する加工終点検出器とを具備すること
を特徴とする研磨装置。 - 【請求項５】研磨部は、研磨布が装着され回転駆動され
る下定盤と、この下定盤に対向して設けられ且つ上記研
磨布に押し付けられる被加工物が固着されて回転駆動さ
れる上定盤と、この上定盤に連接され歪みセンサが着設
されたセンサ着設治具とからなることを特徴とする請求
項４記載の研磨装置。 - 【請求項６】センサ着設治具は、リング状の外輪と、こ
の外輪から中心に向けて放射状に延設された輻体とを有
して、上記上定盤に対して同軸に連設されていることを
特徴とする請求項５記載の研磨装置。 - 【請求項７】歪みセンサは、センサ着設治具の輻体に着
設されていることを特徴とする請求項６記載の研磨装
置。 - 【請求項８】歪みセンサは、センサ着設治具の外輪に形
成された切欠に嵌着されていることを特徴とする請求項
６記載の研磨装置。 - 【請求項９】研磨に伴う振動モードの異なる複数種の素
材からなる被加工物を平面に研磨加工する研磨方法にお
いて、研磨に伴う上記被加工物の素材構造変化に基因す
る振動モードの変化に基づいて研磨加工の終点検出を行
い研磨加工を停止させることを特徴とする研磨方法。 - 【請求項１０】研磨に伴う振動モードの異なる少なくと
も二種類の素材が平行に積層されてなる被加工物の特定
層のみを層面に平行に平面研磨する研磨方法において、
上記特定層の平面研磨から他層の平面研磨に移行する際
に発生する振動モードの変化に基づいて研磨加工の終点
検出を行い研磨加工を停止させることを特徴とする研磨
方法。 - 【請求項１１】少なくとも二種類の素材が平行に積層さ
れてなる被加工物の特定層のみを層面に平行に平面研磨
する研磨方法において、上記特定層の平面研磨から他層
の平面研磨に移行する際に発生する摩擦抵抗の変化に伴
う上記被加工物を保持している定盤部における歪み変化
に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止さ
せることを特徴とする研磨方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9032793A JPH06320416A (ja) | 1993-03-15 | 1993-04-19 | 研磨方法及び研磨装置 |
| KR1019940004968A KR940022734A (ko) | 1993-03-15 | 1994-03-14 | 연마 방법 및 연마 장치 |
| EP94103889A EP0616362A3 (en) | 1993-03-15 | 1994-03-14 | Process for polishing workpieces and device therefor. |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5347893 | 1993-03-15 | ||
| JP5-53478 | 1993-03-15 | ||
| JP9032793A JPH06320416A (ja) | 1993-03-15 | 1993-04-19 | 研磨方法及び研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06320416A true JPH06320416A (ja) | 1994-11-22 |
Family
ID=26394191
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9032793A Pending JPH06320416A (ja) | 1993-03-15 | 1993-04-19 | 研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06320416A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5904609A (en) * | 1995-04-26 | 1999-05-18 | Fujitsu Limited | Polishing apparatus and polishing method |
| US6042454A (en) * | 1997-06-04 | 2000-03-28 | Ebara Corporation | System for detecting the endpoint of the polishing of a semiconductor wafer by a semiconductor wafer polisher |
| KR100400715B1 (ko) * | 2001-08-30 | 2003-10-10 | 주식회사 유승전자 | 광섬유 연마제어장치 및 이의 제어방법 |
| JP2007015107A (ja) * | 1995-04-26 | 2007-01-25 | Fujitsu Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
| JP2017163100A (ja) * | 2016-03-11 | 2017-09-14 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造装置の制御装置および制御方法 |
| US11517999B2 (en) | 2019-02-18 | 2022-12-06 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| US11769699B2 (en) | 2020-08-19 | 2023-09-26 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor manufacturing method |
-
1993
- 1993-04-19 JP JP9032793A patent/JPH06320416A/ja active Pending
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