JPH0794452A - 研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
研磨方法及び研磨装置Info
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- JPH0794452A JPH0794452A JP5235286A JP23528693A JPH0794452A JP H0794452 A JPH0794452 A JP H0794452A JP 5235286 A JP5235286 A JP 5235286A JP 23528693 A JP23528693 A JP 23528693A JP H0794452 A JPH0794452 A JP H0794452A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】本発明は、複数の異種素材が切り込み方向に層
状に積層されてなる被加工物の研磨加工において、研磨
に伴って生ずる研磨部の温度変化に基づいて研磨加工の
終点検出を行い研磨加工を停止させるようにしたもので
ある。 【効果】本発明によれば研磨量の厳密な制御が可能とな
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、歩留りや信頼性等
が飛躍的な向上する。
状に積層されてなる被加工物の研磨加工において、研磨
に伴って生ずる研磨部の温度変化に基づいて研磨加工の
終点検出を行い研磨加工を停止させるようにしたもので
ある。 【効果】本発明によれば研磨量の厳密な制御が可能とな
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、歩留りや信頼性等
が飛躍的な向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の異種素材が切り
込み方向に層状に積層されてなる被加工物の研磨加工の
終点検出を行う研磨方法及び研磨装置に関する。
込み方向に層状に積層されてなる被加工物の研磨加工の
終点検出を行う研磨方法及び研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓ
ｕｌａｔｏｒ）は、耐放射性、耐ラッチアップおよび低
寄生容量の特徴により、高速ＬＳＩへの適用が期待され
ている。ところで、図１２は、タブルゲートＭＯＳ（Ｍ
ｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
構造の製造プロセスを示している。すなわち、＜工程１
＞多結晶Ｓｉ基板Ａにフィールド酸化膜Ｂを形成後、通
常のゲート形成技術を用いてバックゲート酸化膜Ｃとバ
ックゲート電極Ｄを形成する。＜工程２＞ＣＶＤ（化学
蒸着）酸化膜Ｅをバックゲート酸化膜Ｃの上から堆積さ
せる。＜工程３＞ＣＶＤ酸化膜Ｅを研磨し、バックゲー
トの段差を平坦化する。＜工程４＞バックゲートを形成
した基板ＦとＢＰＳＧ（ボロン注入リン化ケイ素ガラ
ス：Ｂｏｒｏｎ−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）付きの支持基板Ｇをパルス静
電接着法により張り合わせる。＜工程５＞フィールド酸
化膜ＢをストッパとしてＳｉ基板Ａの研削と選択研磨を
行い、フィールド酸化膜Ｂの段差分の薄膜Ｓｉ部Ｋを形
成する。＜工程６＞通常のプロセスにより、薄膜Ｓｉ部
ＫにフロントゲートＭＯＳＦＥＴのソースＭ，ドレイン
Ｎ及びフロントゲートＱを形成する。
ｕｌａｔｏｒ）は、耐放射性、耐ラッチアップおよび低
寄生容量の特徴により、高速ＬＳＩへの適用が期待され
ている。ところで、図１２は、タブルゲートＭＯＳ（Ｍ
ｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）
構造の製造プロセスを示している。すなわち、＜工程１
＞多結晶Ｓｉ基板Ａにフィールド酸化膜Ｂを形成後、通
常のゲート形成技術を用いてバックゲート酸化膜Ｃとバ
ックゲート電極Ｄを形成する。＜工程２＞ＣＶＤ（化学
蒸着）酸化膜Ｅをバックゲート酸化膜Ｃの上から堆積さ
せる。＜工程３＞ＣＶＤ酸化膜Ｅを研磨し、バックゲー
トの段差を平坦化する。＜工程４＞バックゲートを形成
した基板ＦとＢＰＳＧ（ボロン注入リン化ケイ素ガラ
ス：Ｂｏｒｏｎ−ｄｏｐｅｄ Ｐｈｏｓｐｈｏ−Ｓｉｌ
ｉｃａｔｅ Ｇｌａｓｓ）付きの支持基板Ｇをパルス静
電接着法により張り合わせる。＜工程５＞フィールド酸
化膜ＢをストッパとしてＳｉ基板Ａの研削と選択研磨を
行い、フィールド酸化膜Ｂの段差分の薄膜Ｓｉ部Ｋを形
成する。＜工程６＞通常のプロセスにより、薄膜Ｓｉ部
ＫにフロントゲートＭＯＳＦＥＴのソースＭ，ドレイン
Ｎ及びフロントゲートＱを形成する。
【０００３】ところで、＜工程５＞のＳｉの選択研磨に
より、通常、ウエハの厚さは、６２５μｍから４００μ
ｍ程度まで減少する。しかしながら、この＜工程５＞に
おいては、選択研磨の終点検出が困難であるため、しば
しば過剰研磨（オーバポリシング）が問題となる。この
過剰研磨により、薄膜Ｓｉ部Ｋに凹みが生じ、製造歩留
向上の阻害要因となっている。
より、通常、ウエハの厚さは、６２５μｍから４００μ
ｍ程度まで減少する。しかしながら、この＜工程５＞に
おいては、選択研磨の終点検出が困難であるため、しば
しば過剰研磨（オーバポリシング）が問題となる。この
過剰研磨により、薄膜Ｓｉ部Ｋに凹みが生じ、製造歩留
向上の阻害要因となっている。
【０００４】そこで、従来においては、ある程度までは
加工時間で管理し、その後は、短時間ごとに目視により
観察して、加工終点を検出していた。そのため、能率が
悪いばかりか、加工終点の検出誤差が入る余地が大きか
った。他方、ウエハの厚さを光学法または電気容量法に
より測定することにより加工終点検出することも考えら
れるが、被測定面が加工液などで汚れていると測定誤差
を生じるため、オンマシン・インプロセス測定には適し
ていなかった。また、超音波法によりウエハの厚さを測
定することにより加工終点を検出する方法は、精度的に
不十分である。
加工時間で管理し、その後は、短時間ごとに目視により
観察して、加工終点を検出していた。そのため、能率が
悪いばかりか、加工終点の検出誤差が入る余地が大きか
った。他方、ウエハの厚さを光学法または電気容量法に
より測定することにより加工終点検出することも考えら
れるが、被測定面が加工液などで汚れていると測定誤差
を生じるため、オンマシン・インプロセス測定には適し
ていなかった。また、超音波法によりウエハの厚さを測
定することにより加工終点を検出する方法は、精度的に
不十分である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＳＯＩ
製造プロセスにおいて実施される選択研磨の従来の加工
終点検出装置は、検出精度及び検出能率の点で不十分で
あった。この発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、選択研磨の加工終点検出をインプロセスで、しかも
高精度で行うことのできる加工終点検出方法及び研磨装
置を提供することを目的とする。
製造プロセスにおいて実施される選択研磨の従来の加工
終点検出装置は、検出精度及び検出能率の点で不十分で
あった。この発明は、上記事情を勘案してなされたもの
で、選択研磨の加工終点検出をインプロセスで、しかも
高精度で行うことのできる加工終点検出方法及び研磨装
置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、複数の異種素
材が切り込み方向に層状に積層されてなる被加工物の研
磨加工において、研磨に伴って生ずる研磨部の温度変化
に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止さ
せるようにしたものである。
材が切り込み方向に層状に積層されてなる被加工物の研
磨加工において、研磨に伴って生ずる研磨部の温度変化
に基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止さ
せるようにしたものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば研磨量の厳密な制御が可能とな
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、加工能率、歩留
り、信頼性等が飛躍的に向上する。
る結果、例えば高速ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の
超精密研磨プロセスに適用した場合、加工能率、歩留
り、信頼性等が飛躍的に向上する。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
述する。図１は、この実施例の研磨装置を示している。
この研磨装置は、ＳＯＩとなる薄板状の被加工物１を平
面研磨する研磨部２と、この研磨部２により平面研磨さ
れている被加工物１の加工終点を検出する加工終点検出
部３とからなっている。
述する。図１は、この実施例の研磨装置を示している。
この研磨装置は、ＳＯＩとなる薄板状の被加工物１を平
面研磨する研磨部２と、この研磨部２により平面研磨さ
れている被加工物１の加工終点を検出する加工終点検出
部３とからなっている。
【０００９】しかして、図２は、被加工物１の加工前の
構造を示している。すなわち、この被加工物１は、第１
基板部４と、この第１基板部４に対して張り合わされた
第２基板部５とからなっている。しかして、第１基板部
４は、多結晶ＳｉからなるＳｉ薄膜６と、このＳｉ薄膜
６上に形成されたＳｉＯ2 からなるフィールド酸化膜７
と、このフィールド酸化膜７の開口部７ａに形成された
バックゲート酸化膜８と、このバックゲート酸化膜８上
に形成されたバックゲート電極９と、Ｓｉ薄膜６のバッ
クゲート電極６側全面を被覆するＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１
０とからなっている。すなわち、フィールド酸化膜７の
開口部７ａには、その深さ方向の中央部にバックゲート
酸化膜８が板面に平行に配設され、このバックゲート酸
化膜８の両側にＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０とＳｉ薄膜６の
一部が充填されている。一方、第２基板部５は、支持基
板１１と、この支持基板１１上に形成されたＢＰＳＧ膜
１２とからなっている。そして、ＢＰＳＧ膜１２とＣＶ
Ｄ−ＳｉＯ2 膜１０との接着により第１基板部４と第２
基板部５とが一体的に接合されている。しかして、この
実施例にては、Ｓｉ薄膜６をフィールド酸化膜７が露出
するまで平面研磨することを目的としている（図２想像
線領域）。
構造を示している。すなわち、この被加工物１は、第１
基板部４と、この第１基板部４に対して張り合わされた
第２基板部５とからなっている。しかして、第１基板部
４は、多結晶ＳｉからなるＳｉ薄膜６と、このＳｉ薄膜
６上に形成されたＳｉＯ2 からなるフィールド酸化膜７
と、このフィールド酸化膜７の開口部７ａに形成された
バックゲート酸化膜８と、このバックゲート酸化膜８上
に形成されたバックゲート電極９と、Ｓｉ薄膜６のバッ
クゲート電極６側全面を被覆するＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１
０とからなっている。すなわち、フィールド酸化膜７の
開口部７ａには、その深さ方向の中央部にバックゲート
酸化膜８が板面に平行に配設され、このバックゲート酸
化膜８の両側にＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０とＳｉ薄膜６の
一部が充填されている。一方、第２基板部５は、支持基
板１１と、この支持基板１１上に形成されたＢＰＳＧ膜
１２とからなっている。そして、ＢＰＳＧ膜１２とＣＶ
Ｄ−ＳｉＯ2 膜１０との接着により第１基板部４と第２
基板部５とが一体的に接合されている。しかして、この
実施例にては、Ｓｉ薄膜６をフィールド酸化膜７が露出
するまで平面研磨することを目的としている（図２想像
線領域）。
【００１０】しかして、研磨部２は、下定盤部１３と、
この下定盤部１３に対向して上方位置に配設された上定
盤部１４と、下定盤部１３と上定盤部１４を電気的に統
御する加工制御機構２１とからなっている。なお、この
研磨部２には、研磨部位に加工液Ｌを供給する給液部１
５が付随している。そして、下定盤部１３は、円盤をな
す下定盤１６と、この下定盤１６に貼着された例えば発
泡ウレタンなどの研磨布１７と、この下定盤１６を保持
して回転駆動する下定盤駆動機構１８とからなってい
る。さらに、下定盤駆動機構１８は、下定盤１６の下面
に同軸に連結された保持軸１８ａと、この保持軸１８ａ
を軸支して回転駆動する下定盤駆動モータ１８ｂとから
なっている。さらに、上定盤部１４は、下定盤１６の半
径よりも小さい直径の上定盤１９と、この上定盤１９を
軸支して回転駆動するとともに下定盤１６に対して加圧
する上定盤駆動機構２０とからなっている。さらに、上
定盤１９の下面には、被加工物１を着脱自在に保持する
ための図示せぬポリウレタン系の吸着シート１９ａが装
着されている。また、上定盤駆動機構２０は、上定盤１
９の背部に同軸に連結された保持軸２０ｂと、この保持
軸２０ｂの上端部を嵌脱自在に取付けられこの保持軸２
０ｂを昇降駆動する例えば空気圧シリンダなどの加圧手
段２０ｃと、この加圧手段２０ｃへの空気圧の印加を制
御する電磁弁２０ｄと、加圧手段２０ｃの上端部を保持
して軸線の回りに回転駆動する上定盤駆動モータ２０ｅ
とからなっている。また、給液部１５は、遊離砥粒（例
えばコロイダルシリカにアミンを加えたもの。）を含有
する加工液Ｌを研磨部位に噴射するノズル２２と、この
ノズル２２に供給する加工液Ｌを貯蔵するタンク２３と
からなっている。他方、加工終点検出部３は、下定盤１
６の研磨布１７に一定距離離間対向して配設され研磨加
工中における研磨布１７の表面温度Ｔを検出する例えば
赤外線温度計などの放射温度センサ２４と、この放射温
度センサ２４から出力された研磨布１７の表面温度Ｔを
示す電気信号ＳＴを増幅する増幅器２５と、この増幅器
２５から出力された電気信号ＳＴを入力しこの電気信号
ＳＴに基づいて研磨布１７の表面温度Ｔと研磨時間ｔと
の関係を演算する演算処理部２６とからなっている。他
方、加工制御機構２１は、電磁弁２０ｄ，上定盤駆動モ
ータ２０ｅ，下定盤駆動モータ１８ｂ，給液部１５及び
演算処理部２６に電気的に接続され、後述するような研
磨加工の制御を行うように設けられている。
この下定盤部１３に対向して上方位置に配設された上定
盤部１４と、下定盤部１３と上定盤部１４を電気的に統
御する加工制御機構２１とからなっている。なお、この
研磨部２には、研磨部位に加工液Ｌを供給する給液部１
５が付随している。そして、下定盤部１３は、円盤をな
す下定盤１６と、この下定盤１６に貼着された例えば発
泡ウレタンなどの研磨布１７と、この下定盤１６を保持
して回転駆動する下定盤駆動機構１８とからなってい
る。さらに、下定盤駆動機構１８は、下定盤１６の下面
に同軸に連結された保持軸１８ａと、この保持軸１８ａ
を軸支して回転駆動する下定盤駆動モータ１８ｂとから
なっている。さらに、上定盤部１４は、下定盤１６の半
径よりも小さい直径の上定盤１９と、この上定盤１９を
軸支して回転駆動するとともに下定盤１６に対して加圧
する上定盤駆動機構２０とからなっている。さらに、上
定盤１９の下面には、被加工物１を着脱自在に保持する
ための図示せぬポリウレタン系の吸着シート１９ａが装
着されている。また、上定盤駆動機構２０は、上定盤１
９の背部に同軸に連結された保持軸２０ｂと、この保持
軸２０ｂの上端部を嵌脱自在に取付けられこの保持軸２
０ｂを昇降駆動する例えば空気圧シリンダなどの加圧手
段２０ｃと、この加圧手段２０ｃへの空気圧の印加を制
御する電磁弁２０ｄと、加圧手段２０ｃの上端部を保持
して軸線の回りに回転駆動する上定盤駆動モータ２０ｅ
とからなっている。また、給液部１５は、遊離砥粒（例
えばコロイダルシリカにアミンを加えたもの。）を含有
する加工液Ｌを研磨部位に噴射するノズル２２と、この
ノズル２２に供給する加工液Ｌを貯蔵するタンク２３と
からなっている。他方、加工終点検出部３は、下定盤１
６の研磨布１７に一定距離離間対向して配設され研磨加
工中における研磨布１７の表面温度Ｔを検出する例えば
赤外線温度計などの放射温度センサ２４と、この放射温
度センサ２４から出力された研磨布１７の表面温度Ｔを
示す電気信号ＳＴを増幅する増幅器２５と、この増幅器
２５から出力された電気信号ＳＴを入力しこの電気信号
ＳＴに基づいて研磨布１７の表面温度Ｔと研磨時間ｔと
の関係を演算する演算処理部２６とからなっている。他
方、加工制御機構２１は、電磁弁２０ｄ，上定盤駆動モ
ータ２０ｅ，下定盤駆動モータ１８ｂ，給液部１５及び
演算処理部２６に電気的に接続され、後述するような研
磨加工の制御を行うように設けられている。
【００１１】つぎに、上記構成の研磨装置を用いて、こ
の実施例の研磨方法について述べる。まず、上定盤１９
に被加工物１をＳｉ薄膜６が研磨布１７に対向するよう
に真空チャックさせる。つぎに、加工制御機構２１から
下定盤駆動モータ１８ｂに回転信号ＳＲＤを印加し、下
定盤１６を矢印Ｒ１方向に例えば６０〜１２０ｒｐｍ程
度で回転させる。つづいて、加工制御機構２１から上定
盤駆動モータ２０ｅに回転信号ＳＲＵを印加するととも
に、電磁弁２０ｄに下降信号ＳＤを印加し、上定盤１９
を矢印Ｒ２方向に例えば毎分６０〜１２０ｒｐｍ程度回
転させるとともに、矢印Ｄ１方向に下降させ、Ｓｉ薄膜
６を研磨布１７に接触させる。なお、上定盤１９の下降
は、研磨圧が２００〜１，６００ｇｆ／ｃｍ2 程度の状
態で停止する。このとき、加工制御機構２１から給液部
１５に印加された給液信号ＳＬに基づきノズル２２を介
して加工液Ｌを被加工物１の研磨部位に噴射する。かく
して、Ｓｉ薄膜６は、加工液Ｌに含有されている遊離砥
粒と研磨布１７により平面研磨される。このとき、研磨
布１７は、被加工物１との摩擦熱により、研磨の進行に
伴って表面温度Ｔが徐々に増加する（図３参照）。そこ
で、放射温度センサ２４にては、研磨布１７の表面温度
Ｔを検出し、これを電気信号ＳＴに変換する。この電気
信号ＳＴは、増幅器２５にて増幅され、演算処理部２６
に入力する。すると、この演算処理部２６にては、表面
温度Ｔの研磨時間ｔに対する微分係数θ（＝ｄＴ／ｄ
ｔ）を演算する。ここで、図４は、微分係数θと研磨時
間ｔとの関係を模式的に示している。この図４におい
て、領域Ｒ１は、Ｓｉ薄膜６のみを研磨しているときの
微分係数θを示している。この領域Ｒ１は、図３におけ
る領域Ｒ１ａに対応するもので、ほぼ一定の割合で研磨
布１７の表面温度Ｔが増加していることがわかる。とこ
ろが、Ｓｉ薄膜６の研磨加工が進行し、フィールド酸化
膜７が露出し研磨布１７と接触し始める直前になると、
微分係数θは、図４における領域Ｒ２となる。すなわ
ち、この領域Ｒ２に対応している図３における領域Ｒ２
ａが示すように、Ｓｉ薄膜６の初期の研磨加工に比べて
研磨布１７の表面温度Ｔの増加率が増加する。これは、
Ｓｉ薄膜６の初層に比べて中間層以上の緻密度が上昇す
ることにより発熱量が増加するためと考えられる。つづ
いて、Ｓｉ薄膜６の研磨加工が進行し、Ｓｉ薄膜６とと
もにフィールド酸化膜７を研磨加工するようになると、
微分係数θは、図４における領域Ｒ３のように負の値と
なる。すなわち、この領域Ｒ３に対応している図３にお
ける領域Ｒ３ａが示すように、研磨布１７の表面温度Ｔ
は研磨加工が進行するにつれて、徐々に減少する。これ
は、フィールド酸化膜７と研磨布１７の摩擦係数が、Ｓ
ｉ薄膜６と研磨布１７の摩擦係数よりも著しく小さいこ
とによると考えられる。そこで、この実施例において
は、演算処理部２６にて領域Ｒ１から領域Ｒ２に移行す
る図３における温度変化点Ｔ１を検出し、電磁弁２０ｄ
に下降信号ＳＤ１を印加することにより、上定盤１９の
研磨布１７に対する研磨圧を例えば１０〜３０％減圧す
る。これにより、図３及び図４に示すように、微分係数
θは、領域Ｒ１レベルに修正される。その結果、被加工
物１の過熱を予防することができる。ついで、演算処理
部２６にては、領域Ｒ２から領域Ｒ３に移行する図３に
おける温度変化点Ｔ２を検出し、検出時点から数分後
（または数度研磨布１７の表面温度Ｔが低下した後）、
電磁弁２０ｄに上昇信号ＳＤ２を印加することにより、
加圧手段２０ｃを逆方向に作動させ、保持軸２０ｂを介
して上定盤１９に貼着されている被加工物１を下定盤１
６に貼着された研磨布１７から離間させる。ついで、回
転停止信号ＳＳＵ，ＳＳＤが、上定盤駆動モータ２０ｅ
及び下定盤駆動モータ１８ｂに印加され、研磨加工が停
止する。
の実施例の研磨方法について述べる。まず、上定盤１９
に被加工物１をＳｉ薄膜６が研磨布１７に対向するよう
に真空チャックさせる。つぎに、加工制御機構２１から
下定盤駆動モータ１８ｂに回転信号ＳＲＤを印加し、下
定盤１６を矢印Ｒ１方向に例えば６０〜１２０ｒｐｍ程
度で回転させる。つづいて、加工制御機構２１から上定
盤駆動モータ２０ｅに回転信号ＳＲＵを印加するととも
に、電磁弁２０ｄに下降信号ＳＤを印加し、上定盤１９
を矢印Ｒ２方向に例えば毎分６０〜１２０ｒｐｍ程度回
転させるとともに、矢印Ｄ１方向に下降させ、Ｓｉ薄膜
６を研磨布１７に接触させる。なお、上定盤１９の下降
は、研磨圧が２００〜１，６００ｇｆ／ｃｍ2 程度の状
態で停止する。このとき、加工制御機構２１から給液部
１５に印加された給液信号ＳＬに基づきノズル２２を介
して加工液Ｌを被加工物１の研磨部位に噴射する。かく
して、Ｓｉ薄膜６は、加工液Ｌに含有されている遊離砥
粒と研磨布１７により平面研磨される。このとき、研磨
布１７は、被加工物１との摩擦熱により、研磨の進行に
伴って表面温度Ｔが徐々に増加する（図３参照）。そこ
で、放射温度センサ２４にては、研磨布１７の表面温度
Ｔを検出し、これを電気信号ＳＴに変換する。この電気
信号ＳＴは、増幅器２５にて増幅され、演算処理部２６
に入力する。すると、この演算処理部２６にては、表面
温度Ｔの研磨時間ｔに対する微分係数θ（＝ｄＴ／ｄ
ｔ）を演算する。ここで、図４は、微分係数θと研磨時
間ｔとの関係を模式的に示している。この図４におい
て、領域Ｒ１は、Ｓｉ薄膜６のみを研磨しているときの
微分係数θを示している。この領域Ｒ１は、図３におけ
る領域Ｒ１ａに対応するもので、ほぼ一定の割合で研磨
布１７の表面温度Ｔが増加していることがわかる。とこ
ろが、Ｓｉ薄膜６の研磨加工が進行し、フィールド酸化
膜７が露出し研磨布１７と接触し始める直前になると、
微分係数θは、図４における領域Ｒ２となる。すなわ
ち、この領域Ｒ２に対応している図３における領域Ｒ２
ａが示すように、Ｓｉ薄膜６の初期の研磨加工に比べて
研磨布１７の表面温度Ｔの増加率が増加する。これは、
Ｓｉ薄膜６の初層に比べて中間層以上の緻密度が上昇す
ることにより発熱量が増加するためと考えられる。つづ
いて、Ｓｉ薄膜６の研磨加工が進行し、Ｓｉ薄膜６とと
もにフィールド酸化膜７を研磨加工するようになると、
微分係数θは、図４における領域Ｒ３のように負の値と
なる。すなわち、この領域Ｒ３に対応している図３にお
ける領域Ｒ３ａが示すように、研磨布１７の表面温度Ｔ
は研磨加工が進行するにつれて、徐々に減少する。これ
は、フィールド酸化膜７と研磨布１７の摩擦係数が、Ｓ
ｉ薄膜６と研磨布１７の摩擦係数よりも著しく小さいこ
とによると考えられる。そこで、この実施例において
は、演算処理部２６にて領域Ｒ１から領域Ｒ２に移行す
る図３における温度変化点Ｔ１を検出し、電磁弁２０ｄ
に下降信号ＳＤ１を印加することにより、上定盤１９の
研磨布１７に対する研磨圧を例えば１０〜３０％減圧す
る。これにより、図３及び図４に示すように、微分係数
θは、領域Ｒ１レベルに修正される。その結果、被加工
物１の過熱を予防することができる。ついで、演算処理
部２６にては、領域Ｒ２から領域Ｒ３に移行する図３に
おける温度変化点Ｔ２を検出し、検出時点から数分後
（または数度研磨布１７の表面温度Ｔが低下した後）、
電磁弁２０ｄに上昇信号ＳＤ２を印加することにより、
加圧手段２０ｃを逆方向に作動させ、保持軸２０ｂを介
して上定盤１９に貼着されている被加工物１を下定盤１
６に貼着された研磨布１７から離間させる。ついで、回
転停止信号ＳＳＵ，ＳＳＤが、上定盤駆動モータ２０ｅ
及び下定盤駆動モータ１８ｂに印加され、研磨加工が停
止する。
【００１２】このように、この実施例においては、加工
終点検出部３を具備し、この加工終点検出部３における
検出結果に基づいて研磨加工を制御するようにしている
ので、フィールド酸化膜７の開口部７ａのダレ（凹み）
ＣＣ＜図５参照＞を１μｍ以下に高能率で研磨加工する
ことが可能となる。とくに、温度変化点Ｔ１を検出する
ことにより上定盤１９の研磨布１７に対する研磨圧を減
圧するようにしているので、被加工物１の過熱を予防す
ることができ、ダレ（凹み）抑制効果を一層高めること
ができる。
終点検出部３を具備し、この加工終点検出部３における
検出結果に基づいて研磨加工を制御するようにしている
ので、フィールド酸化膜７の開口部７ａのダレ（凹み）
ＣＣ＜図５参照＞を１μｍ以下に高能率で研磨加工する
ことが可能となる。とくに、温度変化点Ｔ１を検出する
ことにより上定盤１９の研磨布１７に対する研磨圧を減
圧するようにしているので、被加工物１の過熱を予防す
ることができ、ダレ（凹み）抑制効果を一層高めること
ができる。
【００１３】なお、上記実施例においては、領域Ｒ１か
ら領域Ｒ２に移行する温度変化点Ｔ１を検出に基づいて
研磨圧の調整を行っているが、このプロセスは省略し、
温度変化点Ｔ２による研磨加工の終点検出のみを行うよ
うにしてもよい。
ら領域Ｒ２に移行する温度変化点Ｔ１を検出に基づいて
研磨圧の調整を行っているが、このプロセスは省略し、
温度変化点Ｔ２による研磨加工の終点検出のみを行うよ
うにしてもよい。
【００１４】さらに、上記実施例は、研磨加工がＳｉ薄
膜６からフィールド酸化膜７に移行するときの研磨布１
７の表面温度が低下することに基づいて加工終点を検出
するようにしているが、材種によっては、研磨加工があ
る層から隣接する層に移行する際に研磨布の表面温度が
上昇する場合にも、本発明を適用することができる。
膜６からフィールド酸化膜７に移行するときの研磨布１
７の表面温度が低下することに基づいて加工終点を検出
するようにしているが、材種によっては、研磨加工があ
る層から隣接する層に移行する際に研磨布の表面温度が
上昇する場合にも、本発明を適用することができる。
【００１５】さらに、上記実施例においては、放射温度
センサ２４にて研磨布１７の表面温度Ｔを検出する方式
を採用したが、図６に示すように、例えば熱電対などの
温度センサ３０を、吸着シート１９ａの裏面に接触する
ように上定盤１９に埋設して、被加工物１の裏面の温度
変化を直接検出するようにしてもよい。
センサ２４にて研磨布１７の表面温度Ｔを検出する方式
を採用したが、図６に示すように、例えば熱電対などの
温度センサ３０を、吸着シート１９ａの裏面に接触する
ように上定盤１９に埋設して、被加工物１の裏面の温度
変化を直接検出するようにしてもよい。
【００１６】また、図７に示すように、上定盤１９とし
て、真空源３１に接続され多数の吸引孔３２…を有する
真空チャックを用い、この真空チャックの吸引孔３２…
が開口しているチャック面に例えば熱電対などの温度セ
ンサ３０を埋設するようにすれば、より正確に被加工物
１の裏面の温度変化を検出することができる。
て、真空源３１に接続され多数の吸引孔３２…を有する
真空チャックを用い、この真空チャックの吸引孔３２…
が開口しているチャック面に例えば熱電対などの温度セ
ンサ３０を埋設するようにすれば、より正確に被加工物
１の裏面の温度変化を検出することができる。
【００１７】さらに、本発明は、ＳＯＩ製造プロセスの
うち上記実施例のように、フィールド酸化膜をストッパ
とするＳｉ基板の研削と選択研磨を行う工程に限ること
なく、例えばＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０を研磨し、バック
ゲート電極９に基因する段差を平坦化する研磨工程の終
点検出にも適用することができる。すなわち、図８に示
すように、フィールド酸化膜７とフィールド酸化膜７の
開口部７ａに形成されたバックゲート酸化膜８とバック
ゲート酸化膜８上に形成されたバックゲート電極９とを
ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０で被覆した直後においては、バ
ックゲート電極９の突起およびバックゲート酸化膜８部
位の凹みに対応した凹凸がＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０表面
に形成される。そこで、この凹凸を除去して平坦にする
研磨加工を行う必要がある。しかし、この場合、図８に
示すように、厚さΔｄが一定（１０μｍ以下）となるよ
うに研磨加工の終点を検出する必要がある。ところで、
図９は、研磨時間ｔと研磨布１７の表面温度Ｔとの関係
を示している。ここで、研磨初期の温度勾配Θ１に比べ
て、研磨後期の温度勾配Θ２は著しく大きくなってい
る。つまり、研磨後期は、研磨初期に比べて研磨に伴う
発熱量が著増している。この原因としては、ＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2 膜１０の表面は、研磨初期においては、凹凸があ
るため（図８参照）、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０と研磨布
１７との接触面積は小さいが、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０
の表面が研磨加工により完全に平坦化されると、ＣＶＤ
−ＳｉＯ2 膜１０と研磨布１７との接触面積が、研磨初
期に比べ増大することにより摩擦抵抗が増大し、発熱量
が増加したためであると考えられる。そこで、この実施
例においては、前記実施例と同様にして、表面温度Ｔの
研磨時間ｔに対する微分係数θ（＝ｄＴ／ｄｔ）を演算
し、この微分係数θがΘ１からΘ２に変化する厚さΔｄ
となる時点ｔＥ（図９参照）をもって研磨を終了させ
る。かくして、この実施例においても、研磨加工の終点
を正確に検出することができるので、ＣＶＤ−ＳｉＯ2
膜１０の平坦化とともに厚さΔｄの厳密な制御が可能と
なるという格別の効果を奏することができる。
うち上記実施例のように、フィールド酸化膜をストッパ
とするＳｉ基板の研削と選択研磨を行う工程に限ること
なく、例えばＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０を研磨し、バック
ゲート電極９に基因する段差を平坦化する研磨工程の終
点検出にも適用することができる。すなわち、図８に示
すように、フィールド酸化膜７とフィールド酸化膜７の
開口部７ａに形成されたバックゲート酸化膜８とバック
ゲート酸化膜８上に形成されたバックゲート電極９とを
ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０で被覆した直後においては、バ
ックゲート電極９の突起およびバックゲート酸化膜８部
位の凹みに対応した凹凸がＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０表面
に形成される。そこで、この凹凸を除去して平坦にする
研磨加工を行う必要がある。しかし、この場合、図８に
示すように、厚さΔｄが一定（１０μｍ以下）となるよ
うに研磨加工の終点を検出する必要がある。ところで、
図９は、研磨時間ｔと研磨布１７の表面温度Ｔとの関係
を示している。ここで、研磨初期の温度勾配Θ１に比べ
て、研磨後期の温度勾配Θ２は著しく大きくなってい
る。つまり、研磨後期は、研磨初期に比べて研磨に伴う
発熱量が著増している。この原因としては、ＣＶＤ−Ｓ
ｉＯ2 膜１０の表面は、研磨初期においては、凹凸があ
るため（図８参照）、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０と研磨布
１７との接触面積は小さいが、ＣＶＤ−ＳｉＯ2 膜１０
の表面が研磨加工により完全に平坦化されると、ＣＶＤ
−ＳｉＯ2 膜１０と研磨布１７との接触面積が、研磨初
期に比べ増大することにより摩擦抵抗が増大し、発熱量
が増加したためであると考えられる。そこで、この実施
例においては、前記実施例と同様にして、表面温度Ｔの
研磨時間ｔに対する微分係数θ（＝ｄＴ／ｄｔ）を演算
し、この微分係数θがΘ１からΘ２に変化する厚さΔｄ
となる時点ｔＥ（図９参照）をもって研磨を終了させ
る。かくして、この実施例においても、研磨加工の終点
を正確に検出することができるので、ＣＶＤ−ＳｉＯ2
膜１０の平坦化とともに厚さΔｄの厳密な制御が可能と
なるという格別の効果を奏することができる。
【００１８】なお、研磨終了を時点ｔＥに対して所定時
間Δｔだけ遅延させてもよい。また、温度勾配が、厚さ
Δｄとなる研磨終了時点にて直線的に変化しない場合
は、微分係数θの増加量が研磨初期に比べて大きくなる
ことに着目し、微分係数θが、あらかじめ設定した閾値
ΘＴを越えた時点をもって研磨終了とするようにしても
よい。
間Δｔだけ遅延させてもよい。また、温度勾配が、厚さ
Δｄとなる研磨終了時点にて直線的に変化しない場合
は、微分係数θの増加量が研磨初期に比べて大きくなる
ことに着目し、微分係数θが、あらかじめ設定した閾値
ΘＴを越えた時点をもって研磨終了とするようにしても
よい。
【００１９】さらに、本発明は、複数の異種素材が切り
込み方向に層状に積層されてなる被加工物を研磨加工す
る研磨加工であれば、特に、上記実施例の被加工物１の
構造に拘泥することはない。例えば、図１０に示すよう
な被加工物４１の平坦化のための研磨加工にもこの発明
を適用することが可能である。すなわち、この被加工物
４１は、Ｓｉ製のベース基板４２と、このベース基板４
２上に固着された厚さ例えば２０μｍのボンド基板（Ｓ
ｉ製）４３と、このベース基板４２とボンド基板４３と
の間に介挿された厚さ例えば１μｍのＳｉＯ2 層４４と
からなっている。そして、この実施例においては、ボン
ド基板４３の研磨中（これはデバイス形成用の活性層を
得るために行う。）において、その厚さΔｄ１が２μｍ
になる終点を検出するものである。すなわち、図１１
は、研磨時間ｔと研磨布１７の表面温度Ｔとの関係を示
している。ここで、研磨初期の温度勾配Θ３に比べて、
研磨後期の温度勾配Θ４は著しく大きくなっている。つ
まり、研磨後期は、研磨初期に比べて研磨に伴う発熱量
が著増している。この原因としては、ＳｉＯ2 層４４の
熱伝導率は、ボンド基板４３の熱伝導率に比べ著しく低
いことに起因しているものと考えられる。すなわち、研
磨初期においては、発生した研磨熱は、ほぼ均等に四方
に発散するため温度Ｔの上昇はゆるやかであるが、研磨
後期においては、ＳｉＯ2 層４４に接近するため、発生
した研磨熱が、熱伝導率の小さいＳｉＯ2 層４４に蓄積
する結果、研磨後期の温度勾配が急増するものと考えら
れる。そこで、この実施例においては、前記実施例と同
様にして、表面温度Ｔの研磨時間ｔに対する微分係数θ
（＝ｄＴ／ｄｔ）を演算し、この微分係数θがΘ３から
Θ４に変化する厚さΔｄ１となる時点ｔＥ２（図１１参
照）をもって研磨を終了させる。かくして、この実施例
においても、研磨加工の終点を正確に検出することがで
きるので、ボンド基板４３の平坦化とともに厚さΔｄ１
の厳密な制御が可能となるという格別の効果を奏するこ
とができる。
込み方向に層状に積層されてなる被加工物を研磨加工す
る研磨加工であれば、特に、上記実施例の被加工物１の
構造に拘泥することはない。例えば、図１０に示すよう
な被加工物４１の平坦化のための研磨加工にもこの発明
を適用することが可能である。すなわち、この被加工物
４１は、Ｓｉ製のベース基板４２と、このベース基板４
２上に固着された厚さ例えば２０μｍのボンド基板（Ｓ
ｉ製）４３と、このベース基板４２とボンド基板４３と
の間に介挿された厚さ例えば１μｍのＳｉＯ2 層４４と
からなっている。そして、この実施例においては、ボン
ド基板４３の研磨中（これはデバイス形成用の活性層を
得るために行う。）において、その厚さΔｄ１が２μｍ
になる終点を検出するものである。すなわち、図１１
は、研磨時間ｔと研磨布１７の表面温度Ｔとの関係を示
している。ここで、研磨初期の温度勾配Θ３に比べて、
研磨後期の温度勾配Θ４は著しく大きくなっている。つ
まり、研磨後期は、研磨初期に比べて研磨に伴う発熱量
が著増している。この原因としては、ＳｉＯ2 層４４の
熱伝導率は、ボンド基板４３の熱伝導率に比べ著しく低
いことに起因しているものと考えられる。すなわち、研
磨初期においては、発生した研磨熱は、ほぼ均等に四方
に発散するため温度Ｔの上昇はゆるやかであるが、研磨
後期においては、ＳｉＯ2 層４４に接近するため、発生
した研磨熱が、熱伝導率の小さいＳｉＯ2 層４４に蓄積
する結果、研磨後期の温度勾配が急増するものと考えら
れる。そこで、この実施例においては、前記実施例と同
様にして、表面温度Ｔの研磨時間ｔに対する微分係数θ
（＝ｄＴ／ｄｔ）を演算し、この微分係数θがΘ３から
Θ４に変化する厚さΔｄ１となる時点ｔＥ２（図１１参
照）をもって研磨を終了させる。かくして、この実施例
においても、研磨加工の終点を正確に検出することがで
きるので、ボンド基板４３の平坦化とともに厚さΔｄ１
の厳密な制御が可能となるという格別の効果を奏するこ
とができる。
【００２０】なお、研磨終了を時点ｔＥ１に対して所定
時間Δｔ１だけ遅延させてもよい。また、温度勾配が、
厚さΔｄ１となる研磨終了時点にて直線的に変化しない
場合は、微分係数θの増加量が研磨初期に比べて大きく
なることに着目し、微分係数θが、あらかじめ設定した
閾値ΘＴ１を越えた時点をもって研磨終了とするように
してもよい。
時間Δｔ１だけ遅延させてもよい。また、温度勾配が、
厚さΔｄ１となる研磨終了時点にて直線的に変化しない
場合は、微分係数θの増加量が研磨初期に比べて大きく
なることに着目し、微分係数θが、あらかじめ設定した
閾値ΘＴ１を越えた時点をもって研磨終了とするように
してもよい。
【００２１】さらに、この発明は、上記実施例のよう
に、特に平面加工に限ることなく、曲面加工，溝加工等
の他の研磨プロセスにも適用可能である。さらにまた、
上記実施例は通常のポリシング加工を例示しているが、
メカニカル・ケミカル・ポリシング（ＣＭＰ），メカノ
ケミカル・ポリシング等にも適用可能である。
に、特に平面加工に限ることなく、曲面加工，溝加工等
の他の研磨プロセスにも適用可能である。さらにまた、
上記実施例は通常のポリシング加工を例示しているが、
メカニカル・ケミカル・ポリシング（ＣＭＰ），メカノ
ケミカル・ポリシング等にも適用可能である。
【００２２】また、上記実施例においては、研磨の種類
として、ポリシングを例示しているが、ラッピッング、
研削等、平面研磨であるならばどのような加工方法にも
適用することができる。もちろん、片面研磨あるいは両
面研磨のいずれにも適用可能である。
として、ポリシングを例示しているが、ラッピッング、
研削等、平面研磨であるならばどのような加工方法にも
適用することができる。もちろん、片面研磨あるいは両
面研磨のいずれにも適用可能である。
【００２３】
【発明の効果】本発明の研磨装置は、加工終点検出部を
具備しているので、加工終点の自動検出を高精度で行う
ことができるようになり、研磨量の厳密な制御が可能と
なる。したがって、この本発明の研磨装置を例えば高速
ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセス
に適用した場合、歩留り，信頼性，スループット等が飛
躍的に向上する。
具備しているので、加工終点の自動検出を高精度で行う
ことができるようになり、研磨量の厳密な制御が可能と
なる。したがって、この本発明の研磨装置を例えば高速
ＭＯＳ用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセス
に適用した場合、歩留り，信頼性，スループット等が飛
躍的に向上する。
【００２４】本発明の研磨方法は、複数の異種素材が切
り込み方向に層状に積層されてなる被加工物の研磨加工
において、研磨に伴って生ずる研磨部の温度変化に基づ
いて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止させるよ
うにしているので、研磨量の厳密な制御が可能となる。
したがって、この本発明の研磨方法を例えば高速ＭＯＳ
用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセスに適用
した場合、歩留りや信頼性等が飛躍的に向上する。
り込み方向に層状に積層されてなる被加工物の研磨加工
において、研磨に伴って生ずる研磨部の温度変化に基づ
いて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止させるよ
うにしているので、研磨量の厳密な制御が可能となる。
したがって、この本発明の研磨方法を例えば高速ＭＯＳ
用に必要な超薄膜ＳＯＩ等の超精密研磨プロセスに適用
した場合、歩留りや信頼性等が飛躍的に向上する。
【図１】本発明の一実施例の研磨装置の全体構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の一実施例の研磨装置により研磨される
被加工物の断面図である。
被加工物の断面図である。
【図３】本発明の一実施例を説明するための研磨温度と
研磨時間との関係を示すグラフである。
研磨時間との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施例を説明するための研磨温度と
研磨時間との微分係数を示すグラフである。
研磨時間との微分係数を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施例の作用効果を説明するための
被加工物の断面図である。
被加工物の断面図である。
【図６】本発明の研磨装置の変形例の説明図である。
【図７】本発明の研磨装置の変形例の説明図である。
【図８】本発明の他の実施例の研磨方法により研磨され
る被加工物の断面図である。
る被加工物の断面図である。
【図９】本発明の他の実施例の研磨方法を説明するため
の研磨温度と研磨時間との関係を示すグラフである。
の研磨温度と研磨時間との関係を示すグラフである。
【図１０】本発明の他の実施例の研磨方法により研磨さ
れる被加工物の断面図である。
れる被加工物の断面図である。
【図１１】本発明の他の実施例の研磨方法を説明するた
めの研磨温度と研磨時間との関係を示すグラフである。
めの研磨温度と研磨時間との関係を示すグラフである。
【図１２】従来技術の説明図である。
１，４１：被加工物，２：研磨部，３：加工終点検出
部，６：Ｓｉ薄膜（第１薄膜部），７：フィールド酸化
膜（第２薄膜部），１７：研磨布，２４：放射温度セン
サ，１９：上定盤（チャック手段），２６：演算処理
部，３０：温度センサ。
部，６：Ｓｉ薄膜（第１薄膜部），７：フィールド酸化
膜（第２薄膜部），１７：研磨布，２４：放射温度セン
サ，１９：上定盤（チャック手段），２６：演算処理
部，３０：温度センサ。
Claims (12)
- 【請求項１】複数の異種素材が切り込み方向に層状に積
層されてなる被加工物を研磨加工する研磨方法におい
て、研磨に伴って生ずる研磨部の温度変化に基づいて研
磨加工の終点検出を行うことを特徴とする研磨方法。 - 【請求項２】研磨加工の終点検出結果に基づいて研磨加
工を停止させることを特徴とする請求項１記載の研磨方
法。 - 【請求項３】温度変化を測定される研磨部は研磨布であ
ることを特徴とする請求項１記載の研磨方法。 - 【請求項４】温度変化を測定される研磨部は被加工物の
研磨面に対して裏側となる面であることを特徴とする請
求項１記載の研磨方法。 - 【請求項５】複数の異種素材からなる少なくとも二種類
の素材が平行に積層されてなる被加工物の特定層のみを
層面に平行に平面研磨する研磨方法において、上記特定
層の平面研磨から隣接他層の平面研磨に移行する際に発
生する研磨部の温度変化に基づいて研磨加工の終点検出
を行い研磨加工を停止させることを特徴とする研磨方
法。 - 【請求項６】被加工物は、多結晶Ｓｉからなる第１薄膜
部と、上記第１薄膜部に積層され且つ上記第１薄膜部の
一部が延入する開口部を有し且つＳｉＯ2 からなる第２
薄膜部とを有し、上記第１薄膜部の平面研磨から上記第
２薄膜部の平面研磨に移行する際の研磨部の温度減少に
基づいて研磨加工の終点検出を行い研磨加工を停止させ
ることを特徴とする請求項５記載の研磨方法。 - 【請求項７】複数の異種素材からなる少なくとも二種類
の素材が平行に積層されてなる被加工物の特定層の一部
を層面に平行に平面研磨する研磨方法において、上記特
定層の平面研磨から隣接他層に接近する際に発生する研
磨部の温度変化に基づいて研磨加工の終点検出を行い研
磨加工を停止させることを特徴とする研磨方法。 - 【請求項８】特定層の平面研磨から隣接他層に接近する
際に発生する研磨部の温度変化は研磨時間に対する研磨
部の温度勾配の増加であることを特徴とする請求項７記
載の研磨方法。 - 【請求項９】被加工物を研磨する研磨部と、上記研磨部
の研磨部の表面温度を検出する温度センサと、上記研磨
部による上記被加工物の研磨中に上記温度センサから出
力された上記研磨部の表面温度を示す電気信号に基づい
て研磨加工終点を検出する加工終点検出部とを具備する
ことを特徴とする研磨装置。 - 【請求項１０】研磨部は、被加工物を着脱自在に保持す
るチャック手段と、上記被加工物を研磨する研磨布とを
有していることを特徴とする請求項９記載の研磨装置。 - 【請求項１１】温度センサは、研磨部の放射温度を検出
する放射温度センサであり、研磨布に離間対向して配設
されていることを特徴とする請求項９記載の研磨装置。 - 【請求項１２】温度センサは、チャック手段に埋設さ
れ、上記チャック手段に保持されている被加工物の温度
を検出することを特徴とする請求項９記載の研磨装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235286A JPH0794452A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 研磨方法及び研磨装置 |
| KR1019940004968A KR940022734A (ko) | 1993-03-15 | 1994-03-14 | 연마 방법 및 연마 장치 |
| EP94103889A EP0616362A3 (en) | 1993-03-15 | 1994-03-14 | Process for polishing workpieces and device therefor. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5235286A JPH0794452A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | 研磨方法及び研磨装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794452A true JPH0794452A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16983863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5235286A Pending JPH0794452A (ja) | 1993-03-15 | 1993-09-22 | 研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794452A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5722875A (en) * | 1995-05-30 | 1998-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for polishing |
| US5769697A (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for polishing semiconductor substrate |
| KR100403255B1 (ko) * | 1995-10-19 | 2003-12-18 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 웨이퍼연마방법및웨이퍼연마장치 |
| JP2004522310A (ja) * | 2001-06-26 | 2004-07-22 | ラム リサーチ コーポレーション | 化学的機械研磨のためのエンドポイント検出システム |
| WO2020225973A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | 信越半導体株式会社 | 片面研磨方法 |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5235286A patent/JPH0794452A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5722875A (en) * | 1995-05-30 | 1998-03-03 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for polishing |
| US5769697A (en) * | 1995-08-24 | 1998-06-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for polishing semiconductor substrate |
| KR100403255B1 (ko) * | 1995-10-19 | 2003-12-18 | 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션 | 웨이퍼연마방법및웨이퍼연마장치 |
| JP2004522310A (ja) * | 2001-06-26 | 2004-07-22 | ラム リサーチ コーポレーション | 化学的機械研磨のためのエンドポイント検出システム |
| WO2020225973A1 (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-12 | 信越半導体株式会社 | 片面研磨方法 |
| JP2020188036A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 信越半導体株式会社 | 片面研磨方法 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |