JP2977543B2 - 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 - Google Patents

化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法

Info

Publication number
JP2977543B2
JP2977543B2 JP23248598A JP23248598A JP2977543B2 JP 2977543 B2 JP2977543 B2 JP 2977543B2 JP 23248598 A JP23248598 A JP 23248598A JP 23248598 A JP23248598 A JP 23248598A JP 2977543 B2 JP2977543 B2 JP 2977543B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
torque
substrate
polishing pad
dresser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP23248598A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11138418A (ja
Inventor
英朗 吉田
雅司 濱中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP23248598A priority Critical patent/JP2977543B2/ja
Publication of JPH11138418A publication Critical patent/JPH11138418A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2977543B2 publication Critical patent/JP2977543B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
多層配線工程又は素子分離工程において、半導体基板上
に堆積された導電膜又は絶縁膜等の堆積膜の表面を平坦
化するための化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方
法に関する。
【0002】
【従来の技術】化学的機械研磨を用いると、他の平坦化
技術、例えばレジストエッチバック法では実現できなか
った基板の全面に亘る平坦化が可能になるので、化学的
機械研磨は、微細化が進む半導体集積回路装置の製造工
程における平坦化技術として注目されている。また、化
学的機械研磨を用いると、リソグラフィー工程における
焦点深度のずれによる露光ミス、又は凹凸面に形成され
た配線の信頼性の低下等の問題を解決することができ
る。
【0003】以下、従来の化学的機械研磨装置について
図10を参照しながら説明する。図10は、従来の化学
的機械研磨装置の概略構成図である。
【0004】図10に示すように、シリコン基板からな
る被研磨基板としての基板1は、回転可能で且つ上下動
可能に設けられた基板ホルダー2に保持されていると共
に、基板1の表面を研磨する研磨パッド3は、回転運動
を行なう研磨定盤4の平坦な表面に貼着されている。研
磨剤(スラリー)5は研磨剤供給管6から所定量づつ供
給されて研磨パッド3の上に滴下される。
【0005】前記の構成を有する化学機械研磨装置にお
いて、研磨剤5を研磨剤供給管6から研磨パッド3の上
に滴下しながら、研磨定盤4を回転させて研磨パッド3
を回転すると共に、基板ホルダー2を回転させながら降
下させると、基板ホルダー2に保持されている基板1は
研磨パッド3と摺接するので、基板1の表面は研磨させ
る。尚、図10に示す化学的機械研磨装置は、1個の基
板ホルダー2を有しているため、1度の研磨工程で1枚
の基板1を研磨する方式であるが、化学的機械研磨装置
が複数の基板ホルダー2を有している場合には、1度の
研磨工程で複数枚の基板1を並行して研磨することがで
きる。
【0006】ところで、多数の基板1を研磨パッド3に
順次摺接させながら研磨を行なうと、研磨時間の経過に
伴って研磨パッド3の研磨面に削り屑又は研磨砥粒の固
まり等が付着して研磨面が目詰まりを起こすようになる
ため、研磨パッド3の研磨面が研磨剤5を保持する能力
が低下してくる。このため、研磨パッド3と基板1とが
接触する研磨領域に保持される研磨剤5の量ひいては研
磨剤5に含まれる研磨砥粒の数が減少するので、基板1
を研磨する研磨レートが低下してしまう。
【0007】そこで、目詰まりを起こした研磨パッド3
をドレッシングによって再活性化して、研磨レートの向
上及び安定化を図る必要がある。ドレッシングとは、ダ
イヤモンド等の微粉が付着されたドレッサー7を回転さ
せながら研磨パッド3に押し付けて、研磨パッド3の目
詰まりを解消することにより、研磨パッド3が研磨剤5
を保持する能力を回復することである。ドレッシングを
定期的に行なうことにより、基板に対する研磨レートを
向上できると共に、基板間の研磨レートのばらつきを低
減することができる。
【0008】ドレッシング工程は、基板に対する研磨時
間が所定時間に達する毎に行なったり、又は研磨を行な
った基板の枚数が所定数に達する毎に行なったりしてい
る。また、ドレッシング工程は、基板に対する研磨工程
と並行して行なわれたり、基板に対する研磨工程同士の
間に行なわれたりしている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、研磨パッド
の上に存在しており研磨に寄与する研磨剤の量ひいては
研磨砥粒の数は、研磨パッドの研磨面の粗さの状態によ
って変化するため、基板に対する研磨レートは研磨パッ
ドの研磨面の粗さの状態の変化の影響を大きく受ける。
従って、研磨レートを一定に保つためには、研磨パッド
の研磨面の粗さの状態を一定に保つことが望まれる。
【0010】ところが、従来は研磨パッドの研磨面の粗
さの状態を検知する方法がなかったので、前述したよう
に、基板に対する研磨時間が所定時間に達する毎に、又
は研磨を行なった基板の枚数が所定数に達する毎にドレ
ッシングを行なっている。
【0011】このため、研磨パッドの研磨面の粗さの状
態を一定に保つことができないため、多数の基板に対し
て順次研磨を行なう場合には、研磨パッドに目詰まりが
起きて、研磨レートが徐々に低下したり、基板間で研磨
レートがばらついたりするという問題、及び研磨パッド
が平滑化して、基板を基板ホルダーに保持して搬送する
際に、基板が研磨パッドからはずれにくくなるというト
ラブルが発生したりするという問題がある。
【0012】前記に鑑み、本発明は、研磨パッドの研磨
面の粗さの状態を検知し、研磨面の粗さの状態に応じて
研磨パッドに対してドレッシングを行なえるようにし
て、基板に対する研磨レートのばらつきを低減すること
を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】そこで、本件発明者ら
は、研磨パッドの研磨面の粗さの状態は、研磨パッドが
固定されている研磨定盤の回転トルクによって検知でき
るのではないかと考え、基板に対する研磨レートと研磨
定盤の回転トルクとの関係について検討を行なった。こ
こで、研磨定盤の回転トルクとは、研磨定盤の回転軸の
まわりにおける力のモーメントのことである。回転軸の
まわりのある一点における位置ベクトルをr、その一点
を始点とする回転駆動力ベクトルをAとすると、回転ト
ルクTはrとAとのベクトル積で表わされ、T=r×A
の関係が成り立つ。
【0014】化学的機械研磨においては、位置ベクトル
rの大きさは一定であると共に、回転駆動力ベクトルA
の大きさは、研磨パッドと基板との摩擦力に比例する。
また、回転駆動力ベクトルAの方向は、研磨定盤ひいて
は研磨パッドの回転方向と一致する。従って、研磨定盤
の回転トルクは、回転駆動力ベクトルAの大きさに比例
すると共に、研磨パッドと基板との摩擦力に比例する。
従って、研磨定盤の回転トルクをモニターすることによ
り、研磨パッドと基板との摩擦力ひいては研磨パッドの
研磨面の粗さ状態を非破壊的且つ即時に検知することが
できる。
【0015】図11は、基板に対する研磨工程の直前に
研磨パッドに対してドレッシングを行なった場合におい
て、1枚の基板を研磨したときにおける、研磨定盤の回
転トルクを計測した信号波形つまり回転トルク信号波形
を示している。図11から分かるように、研磨開始の直
後においては、研磨パッドに対するドレッシングの効果
により大きな回転トルクが得られる。研磨の時間経過に
伴って、ドレッシング効果が低下するため回転トルクは
或る程度の大きさにまで低下するが、研磨剤を供給し続
けることにより、研磨パッドの研磨面における研磨剤の
量(研磨砥粒の数)が維持されるので、回転トルクはほ
ぼ一定になる。尚、回転トルクはベクトルであるから方
向を有している。図11において、回転トルク信号波形
が負方向に現われているのは、研磨定盤の回転方向が研
磨パッド側から見て時計方向であるためである。回転ト
ルクの方向は、研磨パッドと基板との摩擦力とは無関係
であり、該摩擦力と関係するのは回転トルクの絶対値で
あるから、以後の説明においては、回転トルクの大きさ
については絶対値で示す。
【0016】図12は、基板に対する研磨の直前に研磨
パッドに対してドレッシングを行なった場合において、
複数枚の基板を順次研磨したときの研磨定盤の回転トル
ク信号波形を示している。図12から分かるように、各
基板に対する研磨定盤の回転トルク信号波形の振幅は、
基板に対する研磨が順次進むにつれて減少する。すなわ
ち、研磨が順次進行するに伴って回転トルクは減少して
いく。研磨の進行に伴って回転トルクが減少する原因
は、研磨パッドの研磨面における目詰まりが進行して研
磨に寄与する研磨砥粒の数が減少するためであると考え
られる。
【0017】図13は、基板の処理枚数と研磨レートと
の関係を示しており、研磨レートとは、所定時間当たり
の膜厚の減少量をいう。図13から分かるように、研磨
の進行に伴って研磨レートが低減している。研磨レート
の低減は、図12に示す回転トルク信号波形の振幅の減
少と対応する。多数の基板に対して順次研磨を行なう
と、研磨の進行に伴って目詰まりが進行するので、回転
トルクが減少すると共に研磨レートが低減することが分
かる。
【0018】本発明は、前記の知見に基づいてなされた
ものであって、具体的には、以下の化学的機械研磨装置
及び化学的機械研磨方法によって実現される。
【0019】本発明に係る第1の化学的機械研磨装置
は、回転可能に設けられた研磨定盤と、研磨定盤に固定
された研磨パッドと、研磨パッドの上に研磨剤を供給す
る研磨剤供給手段と、研磨パッドの上方に回転可能に設
けられており、研磨の対象となる基板を保持すると共に
保持した基板を研磨パッドに押し付けて研磨する基板ホ
ルダーと、研磨パッドの上方に回転可能に設けられてお
り、研磨パッドをドレッシングするドレッサーと、研磨
定盤の回転トルク及び基板ホルダーの回転トルクのうち
の少なくとも1つの回転トルクを検出するトルク検出手
段と、トルク検出手段が検出した回転トルクが所定値以
下であるときに、ドレッサーに研磨パッドをドレッシン
グさせるドレッサー制御手段とを備えている。
【0020】第1の化学的機械研磨装置によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きると、基板と研磨パッドとの摩擦力が低下す
るため、トルク検出手段が検出する回転トルクが所定値
以下になるので、ドレッサー制御手段はドレッサーを駆
動して研磨パッドをドレッシングさせる。
【0021】本発明に係る第2の化学的機械研磨装置
は、回転可能に設けられた研磨定盤と、研磨定盤に固定
された研磨パッドと、研磨パッドの上に研磨剤を供給す
る研磨剤供給手段と、研磨パッドの上方に回転可能に設
けられており、研磨の対象となる基板を保持すると共に
保持した基板を研磨パッドに押し付けて研磨する基板ホ
ルダーと、研磨パッドの上方に回転可能に設けられてお
り、研磨パッドをドレッシングするドレッサーと、研磨
定盤の回転トルク、基板ホルダーの回転トルク及びドレ
ッサーの回転トルクのうちの少なくとも1つの回転トル
クを検出するトルク検出手段と、トルク検出手段が検出
した回転トルクが所定値よりも小さいときに、ドレッサ
ーの回転速度、ドレッサーの研磨パッドに対する押圧力
及びドレッサーが研磨パッドをドレッシングする時間の
うちの少なくとも1つを増加させるドレッサー制御手段
とを備えている。
【0022】第2の化学的機械研磨装置によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きると、基板と研磨パッドとの摩擦力が低下す
るため、トルク検出手段が検出する回転トルクが所定値
よりも小さくなるので、ドレッサー制御手段はドレッサ
ーの回転速度、ドレッサーの研磨パッドに対する押圧力
及びドレッサーが研磨パッドをドレッシングする時間の
うちの少なくとも1つを増加させる。
【0023】第1又は第2の化学的機械研磨装置におい
て、トルク検出手段により検出された回転トルクを時間
について積分して回転トルク積分値を求め、該回転トル
ク積分値が所定値に達したときに、基板ホルダーが保持
した基板を研磨パッドに押し付けて研磨する動作を停止
させる研磨制御手段をさらに備えていることが好まし
い。
【0024】本発明に係る第1の化学的機械研磨方法
は、回転する研磨定盤に固定された研磨パッドの上に研
磨剤を供給しながら、基板を保持している基板ホルダー
を回転させると共に研磨パッドに接近させて基板を研磨
パッドに押し付けることにより、基板を研磨する研磨工
程と、研磨定盤の回転トルク及び基板ホルダーの回転ト
ルクのうちの少なくとも1つの回転トルクを検出するト
ルク検出工程と、トルク検出工程において検出された回
転トルクが所定値以下であるときに、研磨パッドに対し
てドレッシングを行なうドレッシング工程とを備えてい
る。
【0025】第1の化学的機械研磨方法によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きると、基板と研磨パッドとの摩擦力が低下す
るため、トルク検出工程において検出される回転トルク
が所定値以下になるので、研磨パッドに対してドレッシ
ングが行なわれる。
【0026】本発明に係る第2の化学的機械研磨方法
は、回転する研磨定盤に固定された研磨パッドの上に研
磨剤を供給しながら、基板を保持している基板ホルダー
を回転させると共に研磨パッドに接近させて基板を研磨
パッドに押し付けることにより、基板を研磨する研磨工
程と、回転するドレッサーを研磨パッドに押し付けて研
磨パッドをドレッシングするドレッシング工程と、研磨
定盤の回転トルク、基板ホルダーの回転トルク及びドレ
ッサーの回転トルクのうちの少なくとも1つの回転トル
クを検出するトルク検出工程と、トルク検出工程におい
て検出された回転トルクが所定値よりも小さいときに、
ドレッサーの回転速度、ドレッサーの研磨パッドに対す
る押圧力及びドレッサーが研磨パッドをドレッシングす
る時間のうちの少なくとも1つからなる処理条件を増加
させるドレッサー制御工程とを備えている。
【0027】第2の化学的機械研磨方法によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きると、基板と研磨パッドとの摩擦力が低下す
るため、トルク検出工程において検出される回転トルク
が所定値よりも小さくなるので、ドレッサーの回転速
度、ドレッサーの研磨パッドに対する押圧力及びドレッ
サーが研磨パッドをドレッシングする時間のうちの少な
くとも1つからなる処理条件が増加する。
【0028】第1又は第2の化学的機械研磨方法は、ト
ルク検出工程において検出された回転トルクを時間につ
いて積分して回転トルク積分値を求め、該回転トルク積
分値が所定値に達したときに、研磨工程において基板を
研磨する動作を停止させる研磨停止工程をさらに備えて
いることが好ましい。
【0029】第2の化学的機械研磨方法において、ドレ
ッサー制御工程は、トルク検出工程において検出された
回転トルクが所定値とほぼ等しいときには、処理条件を
変更しない工程を含むことが好ましい。
【0030】第2の化学的機械研磨方法において、ドレ
ッサー制御工程は、処理条件を増加させた後にトルク検
出工程において検出された回転トルクが所定値よりも小
さいときには、増加した処理条件をさらに増加させる工
程を含むことが好ましい。
【0031】
【発明の実施の形態】(第1の実施形態)以下、本発明
の第1の実施形態に係る化学的機械研磨装置及び化学的
機械研磨方法について、図1及び図2を参照しながら説
明する。
【0032】図1は、第1の実施形態に係る化学的機械
研磨装置の全体構成を示しており、図1に示すように、
シリコン基板からなる被研磨基板としての基板101
は、回転可能で且つ上下動可能に設けられた基板ホルダ
ー102に保持されている。基板101の表面には例え
ばシリコン酸化膜からなる被研磨膜が堆積されている。
基板101の被研磨膜を研磨する研磨パッド103は、
回転運動を行なう研磨定盤104の平坦な表面に貼着さ
れている。研磨剤(スラリー)105は研磨剤供給管1
06から所定量づつ供給されて研磨パッド103の上に
滴下される。
【0033】第1の実施形態に係る化学的機械研磨装置
において、研磨剤105を研磨剤供給管106から研磨
パッド103の上に滴下しながら、研磨定盤104を回
転させて研磨パッド103を回転すると共に、基板ホル
ダー102を回転させながら降下させると、基板ホルダ
ー102に保持されている基板101の被研磨膜は研磨
パッド3と摺接するので、基板101の被研磨膜は研磨
される。
【0034】研磨パッド103の上方には回転可能で且
つ上下動可能に設けられたドレッサー107が配置され
ており、該ドレッサー107は、研磨パッド103の研
磨面と摺接することにより、削り屑又は研磨剤に含まれ
る研磨砥粒等によって目詰まりを起こした研磨パッド1
03の研磨面の目粗しを行なって、研磨パッド103の
研磨面が研磨剤を保持する能力を回復する。
【0035】第1の実施形態の特徴として、研磨定盤1
04の回転軸104aには、該回転軸104aの回転ト
ルクを検出するトルク検出装置108Aが取り付けられ
ており、トルク検出装置108Aは、研磨定盤104の
回転軸104aの回転トルクを連続して検出し、検出し
た回転トルクを回転トルク信号として出力する。
【0036】トルク検出装置108Aから出力される回
転トルク信号はトルクモニター109に出力され、トル
クモニター109は、入力された回転トルク信号を定量
化し、定量化した回転トルク値を測定トルク値として記
憶しておくと共に記憶した測定トルク値と予め記憶して
いる基準トルク値(所定値)とを比較し、測定トルク値
が基準トルク値以下になると、トルク変化信号を出力す
る。トルク検出装置108Aが検出する回転トルクは、
研磨パッド103の研磨面の粗さ状態を表わしているの
で、トルクモニター109が定量化した測定トルク値
は、研磨パッド103の研磨面の定量化された粗さ状態
を示すことになる。例えば、測定トルク値が基準トルク
値以下になるということは、研磨パッド103の研磨面
に削り屑又は研磨砥粒の固まり等が付着して研磨パッド
103の研磨面が目詰まりを起こしていること、つまり
研磨パッド103の研磨面の目詰まり状態が所定の基準
を超えていることを意味する。
【0037】ドレッサー107の回転軸107aには、
ドレッサー107の回転運動及び上下動運動を制御する
ドレッサー制御手段110が取り付けられている。ドレ
ッサー制御手段110は、トルクモニター109からト
ルク変化信号の入力を受けると、ドレッサー107の回
転数(回転速度)、ドレッサー107の研磨パッド10
3に対する押圧力、及びドレッサー107と研磨パッド
103との接触時間からなる処理条件を設定して、ドレ
ッサー107に研磨パッド103に対するドレッシング
を行なわせる。
【0038】以下、ドレッサー制御手段110によるド
レッサー107に対する制御方法について具体的に説明
する。
【0039】例えば、1ロット当たり例えば25枚の基
板を順次研磨する場合において、研磨パッド103に目
詰まりが起きると、ある基板例えば5枚目の基板に対す
る研磨の途中において、トルクモニター109は、測定
トルク値が基準トルク値以下になったと判断してトルク
変化信号を出力する。ドレッサー制御手段110は、ト
ルク変化信号の入力を受けると、研磨中の基板に対する
研磨が完了したタイミングで、ドレッサー107の回転
数、研磨パッド103に対する押圧力、及び研磨パッド
103との接触時間等を設定して、ドレッサー107に
研磨パッド103に対するドレッシングを行なわせる。
研磨パッド103に対するドレッシングが終了して、研
磨パッド103の目詰まりが解消すると、1ロットに含
まれる残りの基板例えば6枚目の基板に対する研磨が続
行される。このような工程を繰り返すことにより、1ロ
ットに含まれる残りの基板に対しては、ドレッシングに
よって目詰まりが除去された、つまり初期状態に戻った
研磨パッド103により研磨が行なわれるので、1ロッ
トに含まれるすべての基板に対する研磨レートのばらつ
きが低減することになる。
【0040】尚、第1の実施形態においては、ドレッサ
ー制御手段110は、現在研磨中の基板に対する研磨が
完了したタイミングで、ドレッサー107を制御してド
レッシングを行なわせたが、これに代えて、基板に対す
る研磨が行なわれている時間帯にドレッシングを並行し
て行なわせてもよい。
【0041】図2は、第1の実施形態に係る化学的機械
研磨方法により、複数枚の基板に対して順次研磨を行な
った場合において、トルク検出装置108Aにより検出
された研磨定盤104の回転軸104aの回転トルクの
波形を示している。図2から分かるように、順次研磨さ
れる複数枚の基板に対する回転トルクの波形の振幅及び
形状が一定しているので、各基板に対する研磨レートも
一定に保たれていることが分かる。
【0042】第1の実施形態によると、トルクモニター
109は、トルク検出装置108Aから出力される研磨
定盤104の回転軸104aの回転トルク信号を測定ト
ルク値として定量化し、測定トルク値が基準トルク値以
下になると、トルク変化信号を出力すると共に、ドレッ
サー制御手段110は、トルクモニター109からトル
ク変化信号の入力を受けると、ドレッサー107に研磨
パッド103に対するドレッシングを行なわせるため、
研磨パッド103の研磨面が目詰まり状態になると研磨
パッド103はドレッサー107によりドレッシングさ
れるので、研磨パッド103の研磨面の粗さ状態はほぼ
一定に保たれる。このため、基板間の研磨レートのばら
つきが低減するので、各基板に対して同じ時間だけ研磨
することにより、設計通りの研磨を行なうことができ
る。従って、基板に対する化学機械研磨工程における歩
留まりが向上する。
【0043】(第2の実施形態)以下、本発明の第2の
実施形態に係る化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨
方法について、図3を参照しながら説明する。
【0044】図3は第2の実施形態に係る化学的機械研
磨装置の全体構成を示しており、第2の実施形態におい
ては、図1に示した第1の実施形態と同様の部材につい
ては、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【0045】第2の実施形態の特徴として、基板ホルダ
ー102の回転軸102aには、該回転軸102aの回
転トルクを検出するトルク検出装置108Bが取り付け
られており、トルク検出装置108Bは、基板ホルダー
102の回転軸102aの回転トルクを連続して検出
し、検出した回転トルクを回転トルク信号として出力す
る。トルク検出装置108Bから出力される回転トルク
信号は、第1の実施形態と同様、トルクモニター109
に出力され、トルクモニター109は測定トルク値が基
準トルク値以下になるとトルク変化信号を出力する。ド
レッサー制御手段110は、トルクモニター109から
トルク変化信号の入力を受けると、ドレッサー107の
回転数(回転速度)、研磨パッド103に対する押圧
力、及び研磨パッド103との接触時間等を設定して、
ドレッサー107に研磨パッド103に対するドレッシ
ングを行なわせる。
【0046】トルク検出装置108Bが検出する回転ト
ルクは、研磨パッド103の研磨面の粗さ状態を表わし
ているので、トルクモニター109が定量化した測定ト
ルク値は、研磨パッド103の研磨面の定量化された粗
さ状態を示すことになる。
【0047】第2の実施形態によると、トルクモニター
109は、トルク検出装置108Bから出力される基板
ホルダー102の回転軸102aの回転トルク信号を測
定トルク値として定量化し、測定トルク値が基準トルク
値以下になると、トルク変化信号を出力すると共に、ド
レッサー制御手段110は、トルクモニター109から
トルク変化信号の入力を受けると、ドレッサー107に
研磨パッド103に対するドレッシングを行なわせるた
め、研磨パッド103の研磨面は目詰まり状態になると
ドレッサー107によりドレッシングされるので、研磨
パッド103の研磨面の粗さ状態はほぼ一定に保たれ
る。このため、基板間の研磨レートのばらつきが低減
し、設計通りの研磨を行なうことができるので、基板に
対する化学機械研磨工程における歩留まりが向上する。
【0048】尚、第2の実施形態においては、ドレッサ
ー制御手段110は、現在研磨中の基板に対する研磨が
完了したタイミングで、ドレッサー107を制御してド
レッシングを行なわせたが、これに代えて、基板に対す
る研磨が行なわれている時間帯にドレッシングを並行し
て行なわせてもよい。
【0049】また、第2の実施形態においては、1個の
基板ホルダー102が設けられていたが、これに代え
て、複数個の基板ホルダー102を設け、各基板ホルダ
ー102の回転軸102aに、各回転軸102aの回転
トルクを検出するトルク検出装置108Bを取り付けて
もよい。この場合には、各トルク検出装置108Bから
出力される回転トルク信号はトルクモニター109に入
力され、トルクモニター109は、各トルク検出装置1
08Bから出力される基板ホルダー102の回転軸10
2aの回転トルク信号を測定トルク値として定量化する
と共に、測定トルク値の平均値を算出し、測定トルク値
の平均値が基準トルク値よりも小さくなると、トルク変
化信号を出力する。
【0050】このようにすると、複数枚の基板を同時に
研磨するバッチ式の化学的機械研磨装置において、同時
に研磨される複数枚の基板に対する研磨レートのばらつ
きをも低減することができる。
【0051】(第3の実施形態)以下、本発明の第3の
実施形態に係る化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨
方法について、図4を参照しながら説明する。
【0052】図4は第3の実施形態に係る化学的機械研
磨装置の全体構成を示しており、第3の実施形態におい
ては、図1に示した第1の実施形態と同様の部材につい
ては、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
尚、第3の実施形態は、基板101に対する研磨とドレ
ッサー107による研磨パッド103に対するドレッシ
ングとを並行して行なう場合を前提としている。
【0053】第3の実施形態の特徴として、ドレッサー
107の回転軸107aには、該回転軸107aの回転
トルクを検出するトルク検出装置108Cが取り付けら
れており、トルク検出装置108Cは、ドレッサー10
7の回転軸107aの回転トルクを連続して検出し、検
出した回転トルクを回転トルク信号として出力する。ト
ルク検出装置108Cから出力される回転トルク信号
は、第1の実施形態と同様、トルクモニター109に出
力され、トルクモニター109は測定トルク値が基準ト
ルク値よりも小さくなるとトルク変化信号を出力する。
ドレッサー制御手段110は、トルクモニター109か
らトルク変化信号の入力を受けると、ドレッサー107
の回転数(回転速度)、研磨パッド103に対する押圧
力、及び研磨パッド103との接触時間からなる処理条
件のうちの少なくとも1つの処理条件を増加することに
より、ドレッサー107の研磨パッド103に対するド
レッシングを増進させる。
【0054】トルク検出装置108Cが検出する回転ト
ルクは、研磨パッド103の研磨面の粗さ状態を表わし
ているので、トルクモニター109が定量化した測定ト
ルク値は、研磨パッド103の研磨面の定量化された粗
さ状態を示すことになる。
【0055】第3の実施形態によると、トルクモニター
109は、トルク検出装置108Cから出力されるドレ
ッサー107の回転軸107aの回転トルク信号を測定
トルク値として定量化し、測定トルク値が基準トルク値
よりも小さくなると、トルク変化信号を出力すると共
に、ドレッサー制御手段110は、トルクモニター10
9からトルク変化信号の入力を受けると、ドレッサー1
07の回転数、研磨パッド103に対する押圧力、及び
研磨パッド103との接触時間からなる処理条件のうち
の少なくとも1つの処理条件を増加して、研磨パッド1
03に対して行なうドレッシングを増進させるため、研
磨パッド103の研磨面は目詰まり状態になるとドレッ
サー107によるドレッシングが増進されるので、研磨
パッド103の研磨面の粗さ状態はほぼ一定に保たれ
る。このため、基板間の研磨レートのばらつきが低減
し、設計通りの研磨を行なうことができるので、基板に
対する化学機械研磨工程における歩留まりが向上する。
【0056】(第4の実施形態)以下、本発明の第4の
実施形態に係る化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨
方法について、図5及び図6を参照しながら説明する。
【0057】図5は第4の実施形態に係る化学的機械研
磨装置の全体構成を示しており、第4の実施形態におい
ては、図1に示した第1の実施形態と同様の部材につい
ては、同一の符号を付すことにより説明を省略する。
【0058】第4の実施形態においては、第1の実施形
態と同様、研磨定盤104の回転軸104aには、該回
転軸104aの回転トルクを検出するトルク検出装置1
08Aが取り付けられており、トルク検出装置108A
は、研磨定盤104の回転軸104aの回転トルクを連
続して検出し、検出した回転トルクを回転トルク信号と
して出力する。
【0059】第4の実施形態の特徴として、トルク検出
装置108Aから出力される回転トルク信号は、トルク
モニター109に出力されると共に研磨制御装置111
にも出力される。第1の実施形態と同様、トルクモニタ
ー109は測定トルク値が基準トルク値よりも小さくな
るとトルク変化信号を出力し、ドレッサー制御手段11
0は、トルクモニター109からトルク変化信号の入力
を受けると、ドレッサー107の回転数(回転速度)、
研磨パッド103に対する押圧力、及び研磨パッド10
3との接触時間を設定して、ドレッサー107に研磨パ
ッド103に対するドレッシングを行なわせる。
【0060】研磨制御装置111は、複数枚の基板に対
して順次研磨を行なう場合において、各基板に対する研
磨工程毎に、入力された回転トルク信号を定量化し、定
量化した回転トルク値を時間について積分し、積分値を
回転トルク積分値として記憶しておくと共に、記憶した
回転トルク積分値と予め記憶している基準トルク値(所
定値)とを比較し、回転トルク積分値が基準トルク値に
達すると研磨停止信号112を出力する。予め記憶して
いる基準トルク値とは、基板に対して設計通りの研磨量
を研磨したことを示す値である。
【0061】研磨制御装置111から出力される研磨停
止信号112は、基板ホルダー102を上昇させる駆動
手段に入力され、該駆動手段は基板ホルダー102を上
昇させるので、基板ホルダー102に保持されている基
板101は研磨パッド103から離脱するので、基板1
01に対する研磨は終了する。
【0062】化学的機械研磨においては、基板101と
研磨パッド103との摩擦力が大きいほど、回転駆動力
ベクトルAが大きいので回転トルクTも大きい。このた
め、回転トルク信号の振幅が大きいほど、基板101と
研磨布103との摩擦力が大きくなるので、基板101
の研磨レートが大きくなる。従って、定量化した回転ト
ルク値を時間について積分した積分値は、基板101に
対する研磨量に相当する。
【0063】図6は、研磨制御装置111が定量化した
回転トルク値を積分する方法を示しており、研磨制御装
置111は、トルク検出装置108Aから入力された回
転トルク信号を定量化し、定量化した回転トルク値を所
定の周期毎にサンプリング値として記憶すると共に記憶
したサンプリング値を積算することにより、回転トルク
積分値を求める。図6に示すように、回転トルク信号波
形の面積は、所定の周期と所定の周期毎の回転トルク値
のサンプリング値とによって決まる各長方形の各面積の
和として求められる。この方法は一般に区分求積法と呼
ばれているものである。
【0064】第4の実施形態によると、複数枚の基板に
対して順次研磨を行なう場合において、各基板に対する
回転トルク信号波形の面積つまり回転トルク積分値が予
め記憶している基準トルク値に達すると、研磨制御装置
111が研磨停止信号112を出力して、各基板に対す
る研磨を終了するため、基板間での研磨量のばらつきを
確実に低減できるので、設計通りの研磨を行なうことが
できる。
【0065】尚、第4の実施形態においては、研磨定盤
104の回転軸104aに設けられたトルク検出装置1
08Aにより研磨定盤104の回転トルクを検出した
が、これに代えて、第2の実施形態のように、基板ホル
ダー102の回転軸102aに設けられたトルク検出装
置108Bにより基板ホルダー102の回転トルクを検
出してもよいし、第3の実施形態のように、ドレッサー
107の回転軸107aに設けられたトルク検出装置1
08Cによりドレッサー107の回転トルクを検出して
もよい。もっとも、ドレッサー107の回転軸107a
に設けられたトルク検出装置108Cによって回転トル
クを検出する場合には、基板101に対する研磨と研磨
パッド103に対するドレッシングとを並行して行なう
必要がある。
【0066】(第5の実施形態)以下、本発明の第5の
実施形態に係る化学機械的研磨方法について、図1、図
7及び図8を参照しながら説明する。尚、第5の実施形
態は、基板に対する研磨工程と研磨パッドに対するドレ
ッシング工程とを交互に行なう場合を前提としている。
【0067】以下、図7を参照しながら、ドレッシング
及び研磨を行なうタイミング並びに研磨時の回転トルク
について説明する。
【0068】まず、基板に対する研磨を開始する前に、
研磨定盤104を回転させて研磨パッド103を回転す
ると共に、ドレッサー107を回転させながら降下させ
て、研磨パッド103に対して初期ドレッシングD0
行なう。このように、初期ドレッシングD0 を行なう
と、基板に対する研磨を開始する前に、研磨パッド10
3の研磨面の目詰まりが解消されるので、研磨パッド1
03は基板に対する研磨を行なうのに適した状態にな
る。
【0069】次に、ドレッサー107を上昇させた後、
研磨パッド103に1回目のスラリー供給S1 を行な
う。その後、1回目のスラリー供給S1 を継続しなが
ら、基板ホルダー102に保持された基板を研磨パッド
103に押し付けて1回目の研磨P1 を行なうと共に、
トルク検出装置108Aにより研磨定盤104の1回目
の回転トルクT1 の検出を行なう。この1回目の回転ト
ルクT1 の検出は、回転トルクの波形が平坦になった状
態つまり回転トルクが定常になったときの値を検出す
る。基板に対する1回目の研磨P1 が終了すると1回目
のリンスL1 を行なって研磨パッド103を洗浄する。
【0070】次に、研磨パッド103に対して1回目の
ドレッシングD1 を行なう。この場合、1回目の研磨P
1 によってもたらされる研磨パッド103の研磨面の目
詰まりは少ないので、1回目のドレッシングD1 の時間
は初期ドレッシングD0 の時間と等しくする。
【0071】次に、研磨パッド103に2回目のスラリ
ー供給S2 を行ないながら、基板を研磨パッド103に
押し付けて2回目の研磨P2 を行なうと共に、研磨定盤
104の2回目の回転トルクT2 の検出を行なう。2回
目の回転トルクT2 の検出も、回転トルクが定常になっ
たときの値を検出する。この場合、2回目の回転トルク
2 の値は1回目の回転トルクT1 の値よりも小さくな
っている。これは、2回目の研磨P2 により研磨パッド
103の研磨面には目詰まりが起こっているため、基板
101と研磨パッド103との摩擦力が小さくなってい
るためである。基板に対する2回目の研磨P2 が終了す
ると、2回目のリンスL2 を行なって研磨パッド103
を洗浄する。
【0072】次に、研磨パッド103に対して2回目の
ドレッシングD2 を行なう。この場合、2回目の回転ト
ルクT2 の値が1回目の回転トルクT1 の値よりも小さ
いため、2回目の研磨P2 によって研磨パッド103の
研磨面に目詰まりが起きていることが分かるので、基板
ホルダー102に加える荷重を変えることなく、2回目
のドレッシングD2 の時間を1回目のドレッシングD1
の時間よりも長くする。これによって、研磨パッド10
3の研磨面の目詰まりは解消され、研磨パッド103の
研磨面は初期状態に戻る。
【0073】次に、研磨パッド103に3回目のスラリ
ー供給S3 を行ないながら、基板を研磨パッド103に
押し付けて3回目の研磨P3 を行なうと共に、研磨定盤
104の3回目の回転トルクT3 の検出を行なう。3回
目の回転トルクT3 の検出も、回転トルクが定常になっ
たときの値を検出する。この場合、2回目のドレッシン
グD2 の時間を長くして、研磨パッド103の研磨面を
初期状態に戻したため、3回目の回転トルクT3 の値
は、2回目の回転トルクT2 の値よりも大きくて1回目
の回転トルクT1 の値と同程度である。基板に対する3
回目の研磨P3 が終了すると、3回目のリンスL3 を行
なって研磨パッド103を洗浄する。
【0074】以下、図8を参照しながら、多数枚の基板
に対して順次研磨を行なう場合における、研磨工程にお
ける回転トルク及びドレッシング工程における処理時間
について説明する。
【0075】まず、図7に示した場合と同様に、研磨パ
ッド103に対して、ドレッサー107により回転トル
クTD0で且つ処理時間t0 の処理条件で初期ドレッシン
グを行なって、研磨パッド103の研磨面を初期状態に
した後、1枚目の基板に対して研磨を行なうと共に研磨
定盤104の回転トルクTp1を測定する。以後、1枚目
の基板に対して研磨を行なったときの研磨定盤104の
回転トルクTp1を初期回転トルクTp1と称する。その
後、1枚目の基板に対する研磨後のドレッシングを、回
転トルクTD1で処理時間t1 の処理条件で行なう。この
場合、回転トルクTD1は回転トルクTD0と等しく且つ処
理時間t1 は処理時間t0 と等しい。
【0076】次に、2枚目の基板に対して研磨を行なう
と共に研磨定盤104の回転トルクTp2を測定する。こ
の場合、研磨パッド103には目詰まりが起きているた
め、2枚目の基板に対する回転トルクTp2は初期回転ト
ルクTp1よりも小さくなっている。その後、2枚目の基
板に対する研磨後のドレッシングを、回転トルクTD2
且つ処理時間t2 の処理条件で行なう。この場合、2枚
目の基板の研磨工程における回転トルクTp2が初期回転
トルクTp1よりも小さいため、ドレッシング工程おいて
は、回転トルクTD2は回転トルクTD0と等しくするが処
理時間t2 を処理時間t1 よりも長く設定することによ
り、研磨パッド103の研磨面を初期状態に戻す。
【0077】次に、3枚目の基板に対して研磨を行なう
と共に研磨定盤104の回転トルクTp3を測定する。3
枚目の基板に対する研磨工程の前に研磨パッド103の
研磨面は初期状態に戻っているので、3枚目の基板に対
する回転トルクTp3は初期回転トルクTp1とほぼ等しく
なっている。その後、3枚目の基板に対する研磨後のド
レッシングを、回転トルクTD3で且つ処理時間t3 の処
理条件で行なう。この場合、3枚目の基板の研磨工程に
おける回転トルクTp3が初期回転トルクTp1とほぼ等し
いため、ドレッシング工程おいては、回転トルクTD3
回転トルクTD0と等しくすると共に処理時間t3 も処理
時間t2 と等しくする。
【0078】次に、4枚目以後の基板に対する研磨及び
研磨定盤104の回転トルクの測定、並びにその後のド
レッシングを繰り返し行なうが、研磨定盤104の回転
トルクが初期回転トルクTp1とほぼ等しいときには、そ
の後に行なうドレッシングの処理時間を直前のドレッシ
ングの処理時間と等しくする一方、研磨定盤104の回
転トルクが初期回転トルクTp1よりも小さいときには、
その後に行なうドレッシングの処理時間を直前のドレッ
シングの処理時間よりも長くして、研磨パッド107の
研磨面を初期状態に戻す。
【0079】例えば、図8に示すように、4枚目の基板
に対する研磨工程での研磨定盤104の回転トルクTp4
が初期回転トルクTp1とほぼ等しいときには、4枚目の
基板に対する研磨後のドレッシングの処理時間t4 を3
枚目の基板に対する研磨後のドレッシングの処理時間t
3 と等しくする。また、n枚目の基板に対する研磨工程
での研磨定盤104の回転トルクTpnが初期回転トルク
p1よりも小さいときには、n枚目の基板に対する研磨
後のドレッシングの処理時間tn を直前のドレッシング
の処理時間よりも長くする。さらに、n+1枚目の基板
に対する研磨工程での研磨定盤104の回転トルクT
pn+1が初期回転トルクTp1とほぼ等しいときには、n+
1枚目の基板に対する研磨後のドレッシングの処理時間
n+1 をn枚目の基板に対する研磨後のドレッシングの
処理時間tn と等しくする。
【0080】第5の実施形態によると、基板に対する研
磨工程における研磨定盤104の回転トルクが初期回転
トルクTp1とほぼ等しいときには、その後に行なうドレ
ッシングの処理時間を直前のドレッシングの処理時間と
等しくする一方、研磨定盤104の回転トルクが初期回
転トルクTp1よりも小さいときには、研磨パッド107
の研磨面が目詰まりを起こしていると分かるので、その
後に行なうドレッシングにおいては、基板ホルダー10
2に加える荷重並びに基板ホルダー102及び研磨定盤
104の回転数を変えることなく、処理時間を直前のド
レッシングの処理時間よりも長くして、研磨パッド10
7の研磨面を初期状態に戻すため、基板間の研磨レート
を一定に保つことができる。
【0081】尚、第5の実施形態においては、回転定盤
104の回転軸104aの回転トルクに基づいてドレッ
シングの処理条件を設定したが、これに代えて、基板ホ
ルダー102の回転軸102aの回転トルクに基づいて
ドレッシングの処理条件を設定してもよい。
【0082】また、ドレッシングの処理条件の変更は、
処理時間の増加によって行なったが、これに代えて、ド
レッサー107に加える押圧力の増加、ドレッサー10
7の回転速度の増加、研磨定盤104の回転速度の増加
によって行なってもよいし、これらを組み合わせて行な
ってもよい。
【0083】(第6の実施形態)以下、本発明の第6の
実施形態に係る化学機械的研磨方法について、図1及び
図9を参照しながら説明する。尚、第6の実施形態は、
基板に対する研磨工程と研磨パッドに対するドレッシン
グ工程とを並行して行なう場合を前提としている。
【0084】以下、図9を参照しながら、多数枚の基板
に対して順次研磨を行なう場合における、研磨工程にお
ける回転トルク及びドレッシング工程における荷重(押
圧力)について説明する。尚、第6の実施形態において
は、各回のドレッシングの処理時間は一定にする。
【0085】まず、研磨パッド103に対して、ドレッ
サー107に荷重G0 を加えた状態で初期ドレッシング
を行なって、研磨パッド103の研磨面を初期状態に戻
す。その後、基板に対して1回目の研磨を行ないなが
ら、研磨定盤104の回転トルクTp1を測定すると共
に、ドレッサー107に荷重G1 を加えた状態で研磨パ
ッド103に対して1回目のドレッシングを行なう。1
回目のドレッシングの荷重G1 は初期ドレッシングの荷
重G0 と等しくする。尚、以後、1回目の研磨における
研磨定盤104の回転トルクTp1を初期回転トルクTp1
と称する。
【0086】次に、基板に対して2回目の研磨を行ない
ながら、研磨定盤104の回転トルクTp2を測定すると
共に、ドレッサー107に荷重G2 を加えた状態で研磨
パッド103に対して2回目のドレッシングを行なう。
この場合、1回目の研磨の回転トルクは初期回転トルク
p1であるため、2回目のドレッシングの荷重G2 は1
回目のドレッシングの荷重G1 と等しくする。また、2
回目の研磨における回転トルクTp2は初期回転トルクT
p1よりも小さくなっている。
【0087】次に、基板に対して3回目の研磨を行ない
ながら、研磨定盤104の回転トルクTp3を測定すると
共に、ドレッサー107に荷重G3 を加えた状態で研磨
パッド103に対して3回目のドレッシングを行なう。
この場合、2回目の研磨における回転トルクTp2が初期
回転トルクTp1よりも小さいため、3回目のドレッシン
グの荷重G3 を2回目のドレッシングの荷重G2 よりも
ΔGだけ大きくして、研磨パッド103の研磨面を初期
状態に戻す。
【0088】次に、基板に対して4回目の研磨を行ない
ながら、研磨定盤104の回転トルクTp4を測定すると
共に、ドレッサー107に荷重G4 を加えた状態で研磨
パッド103に対して4回目のドレッシングを行なう。
この場合、3回目の研磨における回転トルクTp3が初期
回転トルクTp1とほぼ等しいため、4回目のドレッシン
グの荷重G4 は3回目のドレッシングの荷重G3 と等し
くする。3回目のドレッシングの荷重G3 を2回目のド
レッシングの荷重G2 よりも大きくして、研磨パッド1
03の研磨面を初期状態に戻しているため、4回目の研
磨における回転トルクTp4は初期回転トルクTp1とほぼ
等しくなっている。
【0089】次に、基板に対して5回目以降の研磨を行
ないながら、研磨定盤104の回転トルクを測定すると
共に、ドレッサー107に荷重を加えた状態でドレッシ
ングを行なうが、研磨定盤104の回転トルクが初期回
転トルクTp1とほぼ等しいときには、次回に行なうドレ
ッシングの荷重を今回のドレッシングの荷重と等しくす
る一方、研磨定盤104の回転トルクが初期回転トルク
p1よりも小さいときには、次回に行なうドレッシング
の荷重を今回のドレッシングの荷重よりも大きくして、
研磨パッド107の研磨面を初期状態に戻す。
【0090】例えば、図9に示すように、基板に対する
n回目の研磨での研磨定盤104の回転トルクTpnが初
期回転トルクTp1よりも小さいときには、基板に対する
n+1回目のドレッシングの荷重Gn+1 をn回目のドレ
ッシングの荷重Gn よりもΔG’だけ大きくして、研磨
パッド107の研磨面を初期状態に戻す。
【0091】第6の実施形態によると、基板に対する研
磨工程における研磨定盤104の回転トルクが初期回転
トルクTp1とほぼ等しいときには、次回に行なうドレッ
シングの荷重を今回のドレッシングの荷重と等しくする
一方、研磨定盤104の回転トルクが初期回転トルクT
p1よりも小さいときには、研磨パッド107の研磨面が
目詰まりを起こしていることが分かるため、次回に行な
うドレッシングの荷重を今回のドレッシングの荷重より
も大きくして、研磨パッド107の研磨面を初期状態に
戻すので、基板間の研磨レートを一定に保つことができ
る。
【0092】尚、第6の実施形態においては、回転定盤
104の回転軸104aの回転トルクに基づいてドレッ
シングの処理条件を設定したが、これに代えて、基板ホ
ルダー102の回転トルク又はドレッサー107の回転
トルクに基づいてドレッシングの処理条件を設定しても
よい。
【0093】また、第5及び第6の実施形態において
は、研磨工程における回転トルクの検出は、回転トルク
の波形が平坦になった状態つまり回転トルクが定常にな
ったときの値を検出したが、これに代えて、研磨開始直
後における回転トルクの値つまり回転トルクのピーク値
を検出してもよい。この方法は、例えばBPSG膜等の
柔らかい膜を短時間で研磨する場合、つまり回転トルク
が定常状態になる前に研磨が終了するような場合に有効
である。
【0094】また、第5及び第6の実施形態において
は、研磨パッド103の研磨面に対して初期ドレッシン
グを行なって研磨面を初期状態にした後に行なう1回目
の研磨における回転トルクを初期回転トルクとしたが、
これに代えて、実験又は計算によって予め求めた回転ト
ルクを設定回転トルクとし、測定された回転トルクと設
定回転トルクとを比較してもよい。
【0095】
【発明の効果】第1の化学的機械研磨装置によると、基
板に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目
詰まりが起きて研磨レートが低下し始めると、トルク検
出手段が検出する回転トルクが所定値以下になり、ドレ
ッサー制御手段がドレッサーを駆動して研磨パッドをド
レッシングさせるため、研磨パッドの研磨面の目詰まり
が解消して、基板と研磨パッドとの間に介在する研磨剤
の量が増加するので、研磨レートの低下が防止される。
従って、基板間における研磨レートのばらつきを防止す
ることができる。
【0096】第2の化学的機械研磨装置によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きて研磨レートが低下し始めると、トルク検出
手段が検出する回転トルクが所定値よりも小さくなり、
ドレッサー制御手段がドレッサーの回転速度、ドレッサ
ーの研磨パッドに対する押圧力及びドレッサーが研磨パ
ッドをドレッシングする時間のうちの少なくとも1つを
増加させるため、研磨パッドの研磨面の目詰まりが解消
して、基板と研磨パッドとの間に介在する研磨剤の量が
増加するので、研磨レートの低下が防止される。従っ
て、基板間における研磨レートのばらつきを防止するこ
とができる。
【0097】第1又は第2の化学的機械研磨装置が、回
転トルク積分値が所定値に達したときに、基板ホルダー
が保持した基板を研磨パッドに押し付けて研磨する動作
を停止させる研磨制御手段を備えていると、回転トルク
積分値は基板に対する研磨量に相当するため、基板間で
の研磨量のばらつきを低減できるので、設計通りの研磨
を確実に行なうことができる。
【0098】第1の化学的機械研磨方法によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きて研磨レートが低下し始めると、トルク検出
工程において検出される回転トルクが所定値以下にな
り、研磨パッドに対してドレッシングが行なわれるた
め、研磨パッドの研磨面の目詰まりが解消して、基板と
研磨パッドとの間に介在する研磨剤の量が増加するの
で、研磨レートの低下が防止される。従って、基板間に
おける研磨レートのばらつきを防止することができる。
【0099】第2の化学的機械研磨方法によると、基板
に対する研磨の進行に伴って研磨パッドの研磨面に目詰
まりが起きて研磨レートが低下し始めると、トルク検出
工程において検出される回転トルクが所定値よりも小さ
くなり、ドレッサーの回転速度、ドレッサーの研磨パッ
ドに対する押圧力及びドレッサーが研磨パッドをドレッ
シングする時間からなる処理条件のうちの少なくとも1
つが増加するため、研磨パッドの研磨面の目詰まりが解
消して、基板と研磨パッドとの間に介在する研磨剤の量
が増加するので、研磨レートの低下が防止される。従っ
て、基板間における研磨レートのばらつきを防止するこ
とができる。
【0100】第1又は第2の化学的機械研磨方法が、回
転トルク積分値が所定値に達したときに、研磨工程にお
いて基板を研磨する動作を停止させる研磨停止工程を備
えていると、回転トルク積分値は基板に対する研磨量に
相当するため、基板間での研磨量のばらつきを低減でき
るので、設計通りの研磨を確実に行なうことができる。
【0101】第2の化学的機械研磨方法において、ドレ
ッサー制御工程が、トルク検出工程において検出された
回転トルクが所定値とほぼ等しいときに、処理条件を変
更しない工程を含むと、研磨パッドに対するドレッシン
グに速やかに移行することができる。
【0102】第2の化学的機械研磨方法において、ドレ
ッサー制御工程が、処理条件を増加させた後にトルク検
出工程において検出された回転トルクが所定値よりも小
さいときには、増加した処理条件をさらに増加させる工
程を含むと、基板に対する研磨がさらに進行して研磨パ
ッドの研磨面に再び目詰まりが起きた場合でも、研磨パ
ッドの研磨面を初期状態に戻すことができるので、基板
間における研磨レートのばらつきを防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る化学的機械研磨
装置の全体構成図である。
【図2】本発明の第1の実施形態に係る化学的機械研磨
方法により、複数枚の基板に対して順次研磨を行なった
場合における研磨定盤の回転トルクの波形を示す図であ
る。
【図3】本発明の第2の実施形態に係る化学的機械研磨
装置の全体構成図である。
【図4】本発明の第3の実施形態に係る化学的機械研磨
装置の全体構成図である。
【図5】本発明の第4の実施形態に係る化学的機械研磨
装置の全体構成図である。
【図6】本発明の第4の実施形態に係る化学的機械研磨
方法において、回転トルク値を積分する方法を説明する
図である。
【図7】本発明の第5の実施形態に係る化学的機械研磨
方法において、ドレッシング及び研磨を行なうタイミン
グ並びに研磨時の回転トルクについて説明する図であ
る。
【図8】本発明の第5の実施形態に係る化学的機械研磨
方法において、研磨工程での回転トルク及びドレッシン
グ工程での処理時間について説明する図である。
【図9】本発明の第6の実施形態に係る化学的機械研磨
方法において、研磨工程での回転トルク及びドレッシン
グ工程での荷重について説明する図である。
【図10】従来の化学的機械研磨装置の概略図である。
【図11】本発明の解決原理を説明する図であって、基
板に対する研磨工程の直前に研磨パッドに対してドレッ
シングを行なった場合における回転トルク信号波形を示
す図である。
【図12】本発明の解決原理を説明する図であって、基
板に対する研磨工程の直前に研磨パッドに対してドレッ
シングを行なった後に、複数枚の基板に対して順次研磨
を行なったときの回転トルク信号波形を示す図である。
【図13】本発明の解決原理を説明する図であって、基
板の処理枚数と研磨レートとの関係を示す図である。
【符号の説明】
101 基板 102 基板ホルダー 102a 基板ホルダーの回転軸 103 研磨パッド 104 研磨定盤 104a 研磨定盤の回転軸 105 研磨剤 106 研磨剤供給管 107 ドレッサー 107a ドレッサーの回転軸 108A トルク検出装置 108B トルク検出装置 108C トルク検出装置 109 トルクモニター 110 ドレッサー制御手段 111 研磨制御手段 112 研磨停止信号
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) B24B 37/00 H01L 21/304 622 B24B 49/18

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回転可能に設けられた研磨定盤と、 前記研磨定盤に固定された研磨パッドと、 前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段
    と、 前記研磨パッドの上方に回転可能に設けられており、研
    磨の対象となる基板を保持すると共に保持した基板を前
    記研磨パッドに押し付けて研磨する基板ホルダーと、 前記研磨パッドの上方に回転可能に設けられており、前
    記研磨パッドをドレッシングするドレッサーと、 前記研磨定盤の回転トルク及び前記基板ホルダーの回転
    トルクのうちの少なくとも1つの回転トルクを検出する
    トルク検出手段と、 前記トルク検出手段が検出した回転トルクが所定値以下
    であるときに、前記ドレッサーに前記研磨パッドをドレ
    ッシングさせるドレッサー制御手段とを備えていること
    を特徴とする化学的機械研磨装置。
  2. 【請求項2】 回転可能に設けられた研磨定盤と、 前記研磨定盤に固定された研磨パッドと、 前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段
    と、 前記研磨パッドの上方に回転可能に設けられており、研
    磨の対象となる基板を保持すると共に保持した基板を前
    記研磨パッドに押し付けて研磨する基板ホルダーと、 前記研磨パッドの上方に回転可能に設けられており、
    記基板ホルダーによる前記基板に対する研磨が終了した
    ときに、前記研磨パッドをドレッシングするドレッサー
    と、 前記研磨定盤の回転トルク及び前記基板ホルダーの回転
    トルクのうちの少なくとも1つの回転トルクを検出する
    トルク検出手段と、 前記トルク検出手段が検出した回転トルクが所定値より
    も小さいときに、次回に前記ドレッサーが前記研磨パッ
    ドをドレッシングする際の、前記ドレッサーの回転速
    度、前記ドレッサーの前記研磨パッドに対する押圧力及
    び前記ドレッサーが前記研磨パッドをドレッシングする
    時間のうちの少なくとも1つを増加させるドレッサー制
    御手段とを備えていることを特徴とする化学的機械研磨
    装置。
  3. 【請求項3】 前記トルク検出手段により検出された回
    転トルクを時間について積分して回転トルク積分値を求
    め、該回転トルク積分値が所定値に達したときに、前記
    基板ホルダーが保持した基板を前記研磨パッドに押し付
    けて研磨する動作を停止させる研磨制御手段をさらに備
    えていることを特徴とする請求項1又は2に記載の化学
    的機械研磨装置。
  4. 【請求項4】 回転する研磨定盤に固定された研磨パッ
    ドの上に研磨剤を供給しながら、基板を保持している基
    板ホルダーを回転させると共に前記研磨パッドに接近さ
    せて前記基板を前記研磨パッドに押し付けることによ
    り、前記基板を研磨する研磨工程と、 前記研磨定盤の回転トルク及び前記基板ホルダーの回転
    トルクのうちの少なくとも1つの回転トルクを検出する
    トルク検出工程と、 前記トルク検出工程において検出された回転トルクが所
    定値以下であるときに、前記研磨パッドに対してドレッ
    シングを行なうドレッシング工程とを備えていることを
    特徴とする化学的機械研磨方法。
  5. 【請求項5】 回転する研磨定盤に固定された研磨パッ
    ドの上に研磨剤を供給しながら、基板を保持している基
    板ホルダーを回転させると共に前記研磨パッドに接近さ
    せて前記基板を前記研磨パッドに押し付けることによ
    り、前記基板を研磨する研磨工程と、前記研磨工程が終了したときに、 回転するドレッサーを
    前記研磨パッドに押し付けて前記研磨パッドをドレッシ
    ングするドレッシング工程と、 前記研磨定盤の回転トルク及び前記基板ホルダーの回転
    トルクのうちの少なくとも1つの回転トルクを検出する
    トルク検出工程と、 前記トルク検出工程において検出された回転トルクが所
    定値よりも小さいときに、次回のドレッシング工程にお
    いて前記ドレッサーが前記研磨パッドをドレッシングす
    る際の、前記ドレッサーの回転速度、前記ドレッサーの
    前記研磨パッドに対する押圧力及び前記ドレッサーが前
    記研磨パッドをドレッシングする時間のうちの少なくと
    も1つからなる処理条件を増加させるドレッサー制御工
    程とを備えていることを特徴とする化学的機械研磨方
    法。
  6. 【請求項6】 前記トルク検出工程において検出された
    回転トルクを時間について積分して回転トルク積分値を
    求め、該回転トルク積分値が所定値に達したときに、前
    記研磨工程において前記基板を研磨する動作を停止させ
    る研磨停止工程をさらに備えていることを特徴とする請
    求項4又は5に記載の化学的機械研磨方法。
  7. 【請求項7】 前記ドレッサー制御工程は、前記トルク
    検出工程において検出された回転トルクが前記所定値と
    ほぼ等しいときには、前記処理条件を変更しない工程を
    含むことを特徴とする請求項5に記載の化学的機械研磨
    方法。
  8. 【請求項8】 前記ドレッサー制御工程は、前記処理条
    件を増加させた後に前記トルク検出工程において検出さ
    れた回転トルクが所定値よりも小さいときには、増加し
    た前記処理条件をさらに増加させる工程を含むことを特
    徴とする請求項5に記載の化学的機械研磨方法。
JP23248598A 1997-09-02 1998-08-19 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法 Expired - Fee Related JP2977543B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23248598A JP2977543B2 (ja) 1997-09-02 1998-08-19 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP23691997 1997-09-02
JP9-236919 1997-09-02
JP23248598A JP2977543B2 (ja) 1997-09-02 1998-08-19 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11138418A JPH11138418A (ja) 1999-05-25
JP2977543B2 true JP2977543B2 (ja) 1999-11-15

Family

ID=26530488

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP23248598A Expired - Fee Related JP2977543B2 (ja) 1997-09-02 1998-08-19 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2977543B2 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3019079B1 (ja) * 1998-10-15 2000-03-13 日本電気株式会社 化学機械研磨装置
JP2002126998A (ja) 2000-10-26 2002-05-08 Hitachi Ltd 研磨方法および研磨装置
KR100536347B1 (ko) * 2003-06-12 2005-12-12 동부아남반도체 주식회사 폴리싱 패드 컨디셔너 디스크의 오작동 감지장치 및감지방법
US8096852B2 (en) * 2008-08-07 2012-01-17 Applied Materials, Inc. In-situ performance prediction of pad conditioning disk by closed loop torque monitoring
JP5927083B2 (ja) 2012-08-28 2016-05-25 株式会社荏原製作所 ドレッシングプロセスの監視方法および研磨装置
JP6113552B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-12 株式会社荏原製作所 研磨装置及び摩耗検知方法
CN113290500A (zh) * 2014-11-12 2021-08-24 伊利诺斯工具制品有限公司 平面研磨机
JP7110877B2 (ja) * 2018-09-27 2022-08-02 株式会社Sumco ワークの両面研磨装置および両面研磨方法
CN117260407B (zh) * 2023-11-20 2024-03-12 铭扬半导体科技(合肥)有限公司 一种抛光设备的检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH11138418A (ja) 1999-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6191038B1 (en) Apparatus and method for chemical/mechanical polishing
US6623334B1 (en) Chemical mechanical polishing with friction-based control
US5540810A (en) IC mechanical planarization process incorporating two slurry compositions for faster material removal times
US8460057B2 (en) Computer-implemented process control in chemical mechanical polishing
US5308438A (en) Endpoint detection apparatus and method for chemical/mechanical polishing
JP3916375B2 (ja) ポリッシング方法および装置
US6270392B1 (en) Polishing apparatus and method with constant polishing pressure
EP0771611B1 (en) Method and apparatus for determining endpoint in polishing process
US6113465A (en) Method and apparatus for improving die planarity and global uniformity of semiconductor wafers in a chemical mechanical polishing context
US6561875B1 (en) Apparatus and method for producing substrate with electrical wire thereon
US20060199472A1 (en) Apparatus and method for conditioning a polishing pad used for mechanical and/or chemical-mechanical planarization
JP2977543B2 (ja) 化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法
JP2009100001A (ja) Cmp研磨方法、cmp装置、半導体装置及びその製造方法
KR20010052820A (ko) 실리콘에 대한 화학 기계적 연마 기술
US7767472B2 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP2002254299A (ja) ウエーハ研磨方法
US5769696A (en) Chemical-mechanical polishing of thin materials using non-baked carrier film
US6869498B1 (en) Chemical mechanical polishing with shear force measurement
JPH08316179A (ja) 半導体プロセスにおける平坦化方法及びその装置
US6579150B2 (en) Dual detection method for end point in chemical mechanical polishing
JP2004014999A (ja) Cmp研磨装置及び研磨方法
JPH10180625A (ja) 研磨方法および研磨装置
JP2001088008A (ja) 研磨方法とその装置
JPH10202508A (ja) 研磨方法
JP2003019657A (ja) ドレッシング方法及び研磨装置

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990824

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080910

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090910

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100910

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110910

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees