TWI758323B - 化學機械拋光智慧環及使用該化學機械拋光智慧環的化學機械拋光系統與方法 - Google Patents
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Abstract
本申請案的實施例大體上與基板的化學機械拋光(CMP)相關。在一實施例中,本文揭露了用於CMP設備的承載頭。承載頭包括主體、支撐環及感測器組件。支撐環經耦接至本體。感測器組件至少部分地定位於主體中。感測器組件包括發射器、天線及振動感測器。發射器具有第一端及第二端。天線經耦接至發射器的第一端。振動感測器經耦接至第二端。振動感測器經配置為偵測化學機械過程期間相對於承載頭之徑向角軸、角軸及方位角軸之振動。
Description
本申請案的實施例大體上與基板的化學機械拋光(CMP)相關;更具體來說,係與具有形成於其中之一或多個感測器組件的承載頭相關。
通常藉由導電層、半導體層或絕緣層的循序沉積來在基板上形成積體電路。在沉積每層之後,蝕刻該層以形成電路特徵。隨著循序地沉積及蝕刻一系列層,基板的外表面或最上表面(即,基板之經暴露表面)變得越來越不平坦。此不平坦表面在積體電路製造處理的光刻步驟中會有問題。因此,需要週期性地平坦化基板表面。
化學機械拋光(CMP)為一種公認的平坦化方法。在平坦化期間,基板通常安裝在承載頭或拋光頭上。基板的暴露表面靠著旋轉的拋光墊放置。拋光墊可為「標準」或固定研磨墊。標準拋光墊具有耐用的粗糙表面,而固定研磨墊具有保持在容納介質中的磨粒。承載頭在基板上提供可控荷重(即,壓力),以將基板推靠在拋光墊。若使用標準墊,則將包含至少一種化學反應劑及磨粒的研磨漿供應至研磨墊的表面。
CMP製程的有效性可藉由CMP製程的拋光率、和所得成品(不存在小尺寸粗糙度)及基板表面的平坦度(不存在大尺寸之凹凸不平的表面形態)來量測。由拋光墊及研磨漿組合、基板及拋光墊之間的相對速度及將基板壓在拋光墊上的力來決定拋光率、拋光度及平坦度。
CMP支撐環用於在拋光期間保持基板。CMP支撐環亦允許基板下方之研磨漿輸送,及影響邊緣效能的均勻度。然而,傳統的CMP支撐環沒有可用於製程期間中的閉合迴路控制、診斷或提供化學機械拋光處理及災難性事件(例如,基板斷裂或脫落)之終點之反饋的經整合的感測器。
因此,需要一種具有形成在其中之一或多個經整合的感測器之經改善的承載頭。
本申請案的實施例大體上與基板的化學機械拋光(CMP)相關。在一實施例中,本文揭露了用於CMP設備的承載頭。承載頭包括主體、支撐環及感測器組件。支撐環經耦接至主體。感測器組件至少部分地定位在主體中。感測器組件包括發射器、天線及振動感測器。發射器具有第一端及第二端。天線經耦接至發射器的第一端。振動感測器經耦接至第二端。振動感測器經配置為偵測化學機械過程期間相對於承載頭之徑向角軸、角軸及方位角軸之振動。
在另一實施例中,本文揭露了一種化學機械拋光系統。化學機械拋光系統包括承載頭及控制器。承載頭包括主體、支撐環和感測器組件。支撐環經耦接至主體。感測器組件至少部分地定位於主體中。感測器組件包括發射器、天線及振動感測器。發射器具有第一端及第二端。天線經耦接至發射器的第一端。振動感測器經耦接至第二端。振動感測器經配置為偵測化學機械過程期間相對於承載頭之徑向角軸、角軸及方位角軸之振動。控制器與感測器組件進行通訊。
在另一實施例中,本文揭露了一種用於決定化學機械拋光調節的方法。在設置於化學機械拋光設備中的基板上執行化學機械拋光處理。至少部分地設置在化學機械拋光設備之承載頭中的感測器組件捕捉來自化學機械拋光設備的振動排出。將與振動排出相關的資訊傳輸至與感測器組件無線通訊的控制器。基於經傳輸之資訊的分析來決定化學機械拋光調節。
下文所示出的圖1為可位於包含複數個拋光台100之較大的化學機械拋光(CMP)系統內的拋光台100的示意性截面圖。拋光台100包括平臺102。平臺102可圍繞中心軸104旋轉。可放置拋光墊106於平臺102上。通常來說,拋光墊106覆蓋平臺102的上表面,該上表面至少大於在拋光台100中待處理之基板110之尺寸(例如,基板直徑)的一至兩倍,
拋光墊106包括經配置成接觸並處理一或多個基板110的拋光表面112及經定位在平臺102之表面上的支撐表面103。平臺102支撐拋光墊106並在拋光期間旋轉拋光墊106。承載頭108將基板110保持靠在拋光墊106的拋光表面112上。承載頭108通常包括用於將基板110推靠在拋光墊106上的可彎曲隔膜111、主體101及用於校正拋光期間在基板表面上所發現之固有的、不均勻的壓力分佈的經耦接至主體101的支撐環109。承載頭108可圍繞中心軸114旋轉及/或以掃動運動移動,以在基板110及拋光墊106之間產生相對運動。
在操作期間,可彎曲隔膜111經定位成將基板110推靠在拋光墊106上,且經耦合至承載頭108的安裝部分(未示出)的承載頭致動器(未示出)經配置為分別推動承載頭108及支撐環109抵靠在拋光墊106的表面。可彎曲隔膜111經配置成將壓力施加至基板110的背面,及承載頭致動器經配置成將力施加至支撐環109。
傳送臂118傳送拋光流體116,如在拋光期間被供應至拋光表面112的研磨漿。拋光流體116可含有磨粒、pH調節劑及/或化學活性組分,以使得能夠對基板進行化學機械拋光。116的漿狀化學物經設計以拋光晶圓表面及/或可包括金屬、金屬氧化物及半金屬氧化物的特徵。拋光台100通常亦包括墊調節組件120,該墊調節組件120包括調節臂122及致動器124和致動器126,該等致動器124和致動器126經配置成使墊調節碟128(例如,鑽石浸漬碟) 在拋光處理循環期間的不同時間處抵靠並掃過拋光表面112,以磨蝕及復原拋光墊106的表面112。
拋光台100可進一步包括嵌入承載頭108內的一或多個感測器組件150。一或多個感測器組件150經配置成偵測一或多個影響基板處理的因素(如振動、溫度、濕度及諸如此類)。在一些配置中,感測器經配置為將所偵測到的訊息無線傳送至製程控制器190。具有經整合的(多個)感測器150的承載頭108使得能夠即時分析由CMP處理產生的信號。從(多個)感測器150所接收到之偵測到的及經傳輸的信號可用於處理控制;例如,如終點偵測、如基板滑移的異常狀況的偵測、基板加載及卸載問題、CMP頭部及其他相關的機械組件(該等機械組件為CMP拋光的組成部分)之機械效能的預測等等。所記錄的信號資訊可與其他偵測到的處理條件進行比較,以決定在不同處理運行之間是否發生了變化。所偵測到的感測器資料與儲存在控制器的儲存器中之資訊的比較可揭示處理端點、異常狀況及其他診斷資訊。
因此,符合本申請案之實施例有利地提供失效偵測及分類(FDC)系統及方法,該等系統及方法能使用統計分析技術而相對於預先配置的限制來連續地監測設備參數,以提供設備健康之主動的、及快速的反饋。此類FDC系統及方法有利地消除了計劃外的停工時間,而改善了工具可用性並減少了報廢。
圖2A為根據一實施例之承載頭108的橫截面圖,該承載頭108具有嵌入在承載頭108中所形成之通道160中的一或多個感測器組件150。一或多個感測器組件中的每一者包括發射器202、感測器201、一或多個電池206及天線208。發射器202延伸通過承載頭108。發射器202具有第一端210及第二端212。第一端210經耦接至天線208。天線208可在承載頭108上方部分地延伸穿過承載頭108。天線208經配置為將資訊無線地傳送至系統控制器190。承載頭108可進一步包括蓋組件220。組件220經配置為覆蓋在承載頭108上方延伸之天線208的部分。蓋組件220經配置為保護天線208並密封天線208所延伸穿過的開口。在一實施例中,蓋組件220可包括第一蓋222及第二蓋224。第一蓋222位於天線208上方,並延伸到承載頭108中,使得第一蓋222圍繞天線208之至少三個側邊。第二帽224圍繞第一帽222定位。第二帽224確保密封了天線208所延伸穿過的開口。例如,第二帽224至少部分地圍繞天線208及第一帽222。
發射器202的第二端212經耦接至感測器201。感測器201至少部分地延伸通過承載頭108並延伸至支撐環109中。感測器201經配置成在基板處理期間偵測聲學振動。由基板上的CMP處理產生的振動排出資訊由感測器201捕捉。具有感測器組件150的承載頭108使得能夠即時分析由CMP處理產生的振動信號。由感測器201捕捉的振動信號可用於處理控制,如終點偵測、如基板滑移之異常狀況的偵測、基板加載及卸載問題、CMP頭部及其他相關的機械組件(該等機械組件為CMP拋光的組成部分)之機械效能的預測等等。在一些實施例中,可將所捕捉的振動資訊變成振動簽名,該振動簽名被監視變化且將該振動簽名與振動簽名庫進行比較。振動頻譜中的特性變化可揭示處理終點、異常情況及其他診斷資訊。可分析所捕捉的振動資訊以揭示機械故障,該等機械故障例如為由拋光處理引起的基板划痕偵測、料臂及頭部碰撞、頭部磨損(例如,密封件及環架等)、故障軸承及調節器頭部致動等等。
感測器組件150可隨時間推移而針對各種頻率來向控制器190傳輸CMP處理期間之一或多個加速度讀數。例如,感測器組件150可使用如藍牙、射頻識別(RFID)信號及標準、近場通訊(NFC)信號及標準、及電氣和電子工程師協會(IEEE)802.11x或802.16x信號及標準,或其他藉由發射器202的無線通訊方法等近距離無線方法來將CMP處理期間的一或多個加速度讀數傳輸至控制器190。控制器190在時間對頻率的圖中繪製加速度讀數。當圖上所示之偵測到的加速度資料的梯度沿著特定頻率改變時,控制器190可向使用者指示事件已發生。例如,特定一頻率(例如230Hz)或多個頻率(例如200-250Hz之間的頻率)下之加速度資料的峰 - 峰變化中的變化可與破損及由於膜破損而引起的摩擦變化相關。如此一來,隨著時間的推移在一定範圍的頻率中之加速的連續繪圖可為使用者提供可靠的終點偵測技術,而不需光學感測器或偵測系統中之一或多個機械部件的磨損。
在一些實施例中,感測器201可為用於偵測振動的加速度計,如微機電系統(MEMS)加速度計。在另一實施例中,感測器201可為三軸加速度計。三軸加速度計經配置成量測CMP處理期間之沿著承載頭的三軸(即,徑向角軸、角軸及方位角軸)的振動。量測相對於承載頭108的振動提供了更多的在CMP處理期間的振動資訊。這是因為在CMP處理期間,基板不保持在支撐環109內的單個位置;相反地,基板係在支撐環109內進動。在承載頭108包含兩個感測器201(其中該兩個感測器兩者皆是加速度計)的實施例中,一個感測器(即,基線感測器)可經配置為僅偵測在CMP處理期間之基線加速度資料(例如,環境或非處理相關的加速度),而第二感測器(即,處理感測器)偵測在CMP處理中與處理有關的加速度資料。系統控制器190接著可從與處理相關的加速度資料中減去所偵測到的基線加速度資料,使得由處理感測器所偵測到的與CMP處理相關的資訊可與其他外部來源的振動或雜訊分離開來。
圖2B更詳細地示出了感測器201。感測器201藉由帶狀連接件254而耦接至感測器蓋250。感測器蓋250經安裝在支撐環109中。帶狀連接件254感測器201與支撐環109物理去耦合但保持電耦合。自感測器蓋250去耦合感測器201亦可用於將感測器201與各種外部來源的振動機械隔離。
再次參考圖2A,發射器202經配置為經由天線208將從(多個)感測器201接收到的與振動相關之信號發送至控制器190。因此,在一些實施例中,將使用如藍牙、射頻識別(RFID)信號及標準、近場通訊(NFC)、ZigBee或其他無線通訊方法的短距離無線方法自CMP頭108發射出感測器201所偵測到的CMP振動信號。
一或多個電池206經配置成為感測器組件150提供電力。在圖2A所示的實施例中,示出了兩個電池206,每個電池206在發射器202的相應側上。在其他實施例中,可使用更多或更少的電池。在維修承載頭108時可更換電池206。在一實施例中,電池206具有大致等於承載頭108、支撐環109或拋光墊106的壽命的壽命。因此,在該等實施例中,當電池206正在接近或靠近完全放電時,承載頭108、支撐環109或拋光墊106正接近或靠近該承載頭108、該支撐環109或該拋光墊106之使用壽命;因此,可在預防性維護活動期間更換該承載頭108、該支撐環109或該拋光墊106。在另一實施例中,電池206可為可再充電的。
在另一實施例中,感測器組件150可包括省電功能。例如,控制器190可與感測器201通訊以決定承載頭108是否仍在運動中。若承載頭108仍在運動中,則電池206將繼續為感測器組件150提供電力。然而,若承載頭108不再運動,則控制器190可與發射器202通訊以斷電而得以節省電力。此外,控制器190還可與感測器201通訊以決定承載頭108是否已開始移動。控制器190與發射器202通訊以決定感測器201是否已獲得任何資料。資料將包括表示承載頭108移動的振動。若控制器190決定承載頭108正在運動,則控制器190將與發射器202通訊以通電。若控制器190決定承載頭108不在運動中,則控制器190將不指示發射器202通電。此種功能藉由在承載頭運動時通電及在承載頭保持靜止時斷電來延長感測器組件150的壽命。
圖3示出了根據另一實施例之具有一或多個感測器組件150的承載頭300的橫截面圖。承載頭300基本上類似於承載頭108。承載頭300進一步包括位於承載頭300的頂表面(位於靜止線圈306下方)上的移動線圈302。移動線圈302經由配接器304而經電耦合至一或多個感測器組件150。移動線圈302包括發射器308及天線310。發射器308經定位於移動線圈302中。在一實施例中,發射器308經嵌入至移動線圈302中。天線經耦合至發射器308。天線310部分地延伸穿過移動線圈302,在移動線圈302的頂表面上方延伸。在一些實施例中,靜止線圈306移動線圈302可藉由AC信號通過靜止線圈306的傳送來被感應耦合在一起,使得可在經設置於承載頭300內之電路(例如,配接器304)內形成電壓,以驅動感測器201及/或對電池206充電。在一些實施例中,隨著承載頭300在CMP處理期間移動,移動線圈302的運動與位於上方的靜止線圈306產生感應電荷。因此,可在CMP處理期間對一或多個電池206充電。
圖4示出根據一實施例之具有一或多個感測器組件150之承載頭400的橫截面圖。承載頭400基本上類似於承載頭300。承載頭400進一步包括與承載頭400內形成的通道160連通的垂直開口402及支撐環109。在此實施例中,感測器201位於垂直開口402內。支撐環109進一步包括位於感測器201及支撐環109中形成的開口之間的膜404。膜404經配置為在CMP處理期間保護感測器免受漿液的影響。在一實施例中,膜404可由矽基材料形成。將感測器201定位在垂直開口402中的膜404之後允許了感測器201(例如,聲學感測器)在CMP處理期間於聲波穿過漿液時偵測聲波。例如,若由於漿液乾燥而在基板上發生划痕,則控制器190將能夠藉由通過漿液之聲波的感測器201偵測來偵測划痕。
圖5為根據一實施例的示例性計算環境500。示例性計算環境500包括感測器組件150及控制器190。感測器組件150在網路505上與控制器190通訊。例如,將使用如藍牙、射頻識別(RFID)訊號及標準、近場通訊(NFC)、ZigBee或其他無線通訊方法之短距離無線方法來傳送感測器組件150所偵測到的CMP振動信號至控制器190。
控制器190包括處理器502、記憶體504、儲存器506及網路介面508。處理器502檢索並執行程式指令,如儲存在記憶體504中之程式碼512。例如,程式碼512可為下文結合圖6所討論之方法600。包含處理器502以代表單個處理器、多個處理器及具有多個處理核心的單個處理器等諸如此類。如圖所示,處理器502包括資料收集代理人516。資料收集代理人516經配置為自感測器組件150接收感測器資料。在一些實施例中,資料收集代理人516經配置為生成感測器組件150的資料集。
儲存器506可為磁碟驅動儲存器。雖然儲存器506經示出為單個單元,但儲存器506可為固定及/或可移動儲存裝置的組合,該等固定及/或可移動儲存裝置如固定硬碟驅動器、可移動記憶卡、光儲存器、網路附接儲存(NAS)或儲存區域網絡(SAN)。網路介面508可為允許控制器190經由網路105(舉例而言如感測器組件150)與其他計算機通訊的任何類型的網路通訊。
圖6為示出根據一實施例之用於決定化學機械拋光調節之方法600的流程圖。方法600於方塊502處開始。在方塊502處,可在設置在化學機械拋光設備中的基板上執行化學機械拋光處理。在一些實施例中,化學機械拋光處理可包括拋光處理、基板裝載或卸載處理及清潔處理等諸如此類。
方法600進行至方塊604。在方塊604處,感測器組件150自所執行的化學機械拋光處理捕捉振動排出。例如,感測器組件150中的感測器201捕捉由化學機械拋光處理所產生的振動排出資訊。
在方塊606處,藉由感測器組件150將由感測器組件150所捕捉之與振動排出相關的資訊傳輸至控制器190。例如,傳送器202將相關於感測器組件所捕捉之振動排出的資訊傳輸至控制器190。在一些實施例中,發射器202無線地傳送與振動排出相關的資訊至控制器190。例如,將使用如藍牙、射頻識別(RFID)訊號及標準、近場通訊(NFC)、ZigBee或其他無線通訊方法之近距離無線方法來將相關於感測器組件150所偵測到之振動排出的資訊傳輸到控制器190。
在方塊608處,基於對經傳輸的振動排出的分析來決定一或多個化學機械拋光狀況。例如,振動排出可用於處理控制,如終點偵測、如基板滑移的異常狀況的偵測、基板加載及卸載問題、CMP頭部及其他相關的機械組件(該等機械組件為CMP拋光的組成部分)之機械效能的預測等等。振動頻譜中的特性變化可揭示處理終點、異常情況及其他診斷資訊。可分析所捕捉的振動資訊以揭示機械故障,該等機械故障例如為由拋光處理引起的基板划痕偵測、漿料臂及頭部碰撞、頭部磨損(例如,密封件及環架等) 、故障軸承及調節器頭部致動等等。
在方塊610處,控制器190可基於所決定的化學機械拋光狀況來控制化學機械拋光設備。
雖然前述內容係針對本申請案的實施例,但可在不脫離本申請案之基本範疇的情況下來修改本申請案之進一步的實施例。
100‧‧‧複數個拋光台101‧‧‧主體102‧‧‧平臺103‧‧‧支撐表面104‧‧‧中心軸106‧‧‧拋光墊108‧‧‧承載頭109‧‧‧支撐環110‧‧‧基板111‧‧‧可彎曲隔膜112‧‧‧拋光表面114‧‧‧中心軸116‧‧‧拋光流體118‧‧‧傳送臂120‧‧‧墊調節組件122‧‧‧調節臂124‧‧‧致動器126‧‧‧致動器128‧‧‧墊調節碟
150:感測器組件
160:通道
190:控制器
201:感測器
202:發射器
204:加速度計
206:電池
208:天線
210:第一端
212:第二端
220:組件
222:第一帽
224:第二帽
250:感測器蓋
254:帶狀連接件
300:承載頭
302:移動線圈
304:配接器
306:靜止線圈
308:發射器
310:天線
400:承載頭
402:垂直開口
404:膜
500:計算環境
502:處理器
504:記憶體
505:網路
506:儲存器
508:網路介面
512:程式碼
516:資料收集代理人
600:方法
602:方塊
604:方塊
606:方塊
608:方塊
610:方塊
因此,可詳細理解本申請案之上述特徵的方式為可參考實施例(其中一些實施例係在附加圖式中)來進行上文所簡要總結之本申請案之更具體的描述。然而,要注意的是,附加圖式僅示出了本申請案的典型實施例;因此,該等典型實施例不被認為是對其範圍的限制;本申請案可允許其他等效的實施例。
圖1示出根據一實施例之拋光台的橫截面圖。
圖2A為根據一實施例之具有一或多個感測器組件之承載頭的橫截面圖。
圖2B為根據一實施例之圖2A中之感測器組件的感測器。
圖3示出根據一實施例之具有一或多個感測器組件之承載頭的橫截面圖。
圖4示出根據一實施例之具有一或多個感測器組件之承載頭的橫截面圖。
圖5示出根據一實施例的計算環境。
圖6為流程圖,該流程圖示出根據一實施例之在化學機械拋光處理期間監視基板的方法。
為了清楚起見,在適用的情況下,已使用相同的元件符號來指示圖之間共同的相同元件。此外,一實施例中的元件可有利地經調適為用於本文所描述之其他實施例中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100‧‧‧複數個拋光台
101‧‧‧主體
102‧‧‧平臺
103‧‧‧支撐表面
104‧‧‧中心軸
106‧‧‧拋光墊
108‧‧‧承載頭
109‧‧‧支撐環
110‧‧‧基板
111‧‧‧可彎曲隔膜
112‧‧‧拋光表面
114‧‧‧中心軸
116‧‧‧拋光流體
118‧‧‧傳送臂
120‧‧‧墊調節組件
122‧‧‧調節臂
124‧‧‧致動器
126‧‧‧致動器
128‧‧‧墊調節碟
Claims (18)
- 一種用於化學機械拋光一基板的設備,包括:一主體;一支撐環,該支撐環經配置以保持一基板;及一感測器組件,該感測器組件至少部分地定位在該主體內且至少部分地定位在該支撐環內,該感測器組件包括:一發射器,該發射器具有一第一端及一第二端;一天線,該天線經耦接至該發射器的該第一端;及一振動感測器,該振動感測器經耦接至該第二端,且經配置成偵測化學機械過程期間之振動。
- 如請求項1所述之設備,其中該振動感測器經配置成偵測相對於該支撐環之徑向角軸、方位角軸及角軸中之一者之振動。
- 如請求項1所述之設備,進一步包括:一感測器蓋,該感測器蓋基本上覆蓋該振動感測器,該感測器蓋經由一帶狀連接件而耦接至該振動感測器。
- 如請求項3所述之設備,其中該感測器位於形成在該支撐環中的一通道中。
- 如請求項3所述之設備,其中該感測器蓋在 該主體的一頂表面上方部分地延伸。
- 如請求項1所述之設備,其中該發射器經配置成經由藍牙、射頻識別(RFID)信號及標準、近場通訊(NFC)及ZigBee無線通訊方法中之一者來傳送所偵測到的振動排出。
- 如請求項1所述之設備,其中該振動感測器為一微機電系統加速度計。
- 如請求項1所述之設備,進一步包括:一移動線圈,該移動線圈經耦合至該發射器;及一靜止線圈,該靜止線圈經定位於該移動線圈上,該移動線圈及該靜止線圈經由穿過該靜止線圈的一交流信號的一傳送而感應耦合。
- 如請求項4所述之設備,其中該通道包括:一垂直開口,其中該振動感測器位於該垂直開口中。
- 如請求項9所述之設備,其中該支撐環進一步包括一膜,該膜屏蔽該振動感測器以使其免受該支撐環中的一開口的影響。
- 一種化學機械拋光系統,包括:一承載頭,包括:一主體;一支撐環,該支撐環耦接至該主體;及 一感測器組件,該感測器組件至少部分地定位在該主體中且部分地定位在該支撐環中,該感測器組件包括:一發射器,該發射器具有一第一端及一第二端;一天線,該天線經耦接至該發射器的該第一端;及一振動感測器,該振動感測器經耦接至該第二端,該振動感測器經配置成偵測化學機械過程期間相對於該承載頭之徑向角軸、方位角軸及角軸之振動;及一控制器,該控制器與該感測器組件進行通訊。
- 如請求項11所述之化學機械拋光系統,其中該承載頭進一步包括:一移動線圈,該移動線圈經定位於該承載頭的一頂表面上;及一靜止線圈,該靜止線圈經定位於該移動線圈上方,該移動線圈及該靜止線圈經由穿過該靜止線圈的一交流信號的一傳送而感應耦合。
- 如請求項12所述之化學機械拋光系統,其中該承載頭進一步包括:一垂直開口,該垂直開口與形成在該承載頭及該支 撐環中的一通道連通,其中該振動感測器經定位於該垂直開口中。
- 如請求項13所述之化學機械拋光系統,其中該承載頭進一步包括一膜,該膜屏蔽該振動感測器以使其免受該支撐環中的一開口的影響。
- 如請求項11所述之化學機械拋光系統,其中該承載頭進一步包括:一感測器蓋,該感測器蓋基本上覆蓋該振動感測器,該感測器蓋經由一帶狀連接件而耦接至該振動感測器。
- 如請求項15所述之化學機械拋光系統,其中該感測器蓋在該承載頭的一頂表面上方部分地延伸。
- 如請求項11所述之化學機械拋光系統,其中該感測器組件部分地延伸至該支撐環中。
- 一種用於決定化學機械拋光調節的方法,包括以下步驟:對設置於一化學機械拋光設備中的一基板執行一化學機械拋光處理;經由一感測器組件來捕捉來自該化學機械拋光設備的振動排出,該感測器組件係至少部分地設置於該化學機械拋光設備的一承載頭的一主體內及部分地設置 在該承載頭的一支撐環內,該感測器組件包括:一發射器,該發射器具有一第一端及一第二端;一天線,該天線經耦接至該發射器的該第一端;及一振動感測器,該振動感測器經耦接至該第二端,且經配置成偵測該振動排出;將與該振動排出相關的資訊傳輸至與該感測器組件進行無線通訊的一控制器;及基於對該經傳輸資訊的一分析來決定一化學機械拋光調節。
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