TW310337B - - Google Patents

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®ϊ〇337 a?---一B， 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（1 ) 本發明關於一種聚合薄膜，特別指一種含有填充粒子之 聚合薄膜。 己知聚合薄膜通常具極差之處理特性，而會導致不易將 該薄膜纏繞成高品質捲軸，及通過加工裝傭，譬如：切 膜裝備無故率。薄膜處理特性可藉增加薄膜表面粗糙度 來改善。較合逋地爲使用塗料，或將填充劑，即有機和 /或無機粒子併入薄膜中。塗料及填充劑之组合可用以 改善薄膜處理特性》使用塗料以改善薄朧可處理性之問 題在於塗料限制了薄膜之應用範園，因爲在塗敷额外的 塗料層時所要求提供的抗靜電性'黏附力提升或釋放性 質等有困難。併入塗料層中之填充物易磨耗且易自塗料 層中捐失。 廣泛範圓之填充劑已被併入薄膜中，以改善處理性質， 如二氧化鈦、碳酸鈣、玻璃、硫酸鋇、二氧化矽、高截 土、资土、zeeospheres 及辦酸妨《 填充粒予有一必要條件爲粒予大小須均勻，較佳地爲圓 球型以便製造具有均勻表面粗糙度之薄膜。各種型態之二 氧化矽粒于爲商業上地可獲得者。然而，前述 二 氧化矽粒 子通常缺乏至少一種球型填充劑必備之性質，如粒子大小 及其均一性，以符合眾多聚合薄膜應用之嚴格要求。特別 是，相當大粒子尺寸二氧化碎之均勾圓球型粒子，例如大 於2到3微米，目前商業上仍無法獲得。 歐洲專利第229670號揭示一聚酯薄膜，包含百分之〇005 到百分之1的砂嗣樹脂粒子，該粒予具平均粒徑自〇〇1微米 -4- 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 83. 3. 10,000 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁j X裝-

-SW •Λ· 經濟部中央樣準局—工消費合作社印製

3 切 337 A B? 五、發明説明（2) 到4微米。該薄膜乃使用於一磁記憶媒髖中。不幸地是， 此案揭示之矽酮樹脂粒子非常懼水且不易均一地併入聚合 薄膜中。 聚合薄膜中填充劑之存在會導致薄膜光學澄清度之降 低以及審性之增加。在大部份之薄膜應用實例中，光學澄 清度及透明度是重要的必備要求，例如：包裝方面、鍍金 屬薄膜’複照薄膜、以及一般工業用之薄膜《現今仍需一 種呈現高逢光度、低霧度及良好的處理特性之薄膜。 令人驚訝地，本發明能降低、或可説是實質地克服了一 項或多項前述之問題。 因此，本發明提供一種聚合薄膿，包含佔薄艉聚合物重 f從百分之0.0005到百分之2的填充粒子，其具一馑積分 布粒徑中値自0.1到12.5微米。該填充粒子可於併入薄膜聚 合物之前，藉由燉燒先質矽酮樹脂粒子而獲得。 本發明亦提供一種聚合薄膜，包含佔薄膜聚合物總重從 百分之0.0005到百分之2的填充粒子，其包含範圜自0.05到 0_9:1之有機基團及碎原予比値，該填充粒子具一體積分布 粒徑中値| 0.1到12.5微米。 本發明亦提供一種聚合薄膜*包含以薄膜中聚合物重量 爲準自0.0005 %到2%重量之填充粒子》其具一種三維聚 合物麵結構，如下式：

Rx(0H)ySi02.((x + y )/2) ·*· 5 - 本紙涞尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（2ί〇Χ?.97公f ) 83. 3. 10,000 ---；--.---{裝------訂-----C i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 _ B7 五、發明説明（3) 其中X範圍從0.05到0.9，y範圍從〇到i 2，而R代表有機基 圈，該填充粒子具一體積分布粒徑中値從〇〖到12.5微米。 本發明進一步提供一種製造聚合薄膜之方法，其包含以 下步驟： (i)於至少250 eC之溫度下，烺燒先質矽酮榭脂粒子以產生 髗積分布粒徑中値自〇·1到12.5微米之經烺燒的填充粒子， (H)混合濃度爲百分之0.0005到百分之2重量（以聚合物重責 爲準）之經煅燒的填充粒子與聚合物或形成聚合物之物質 0 (iii)擠製聚合物/經烺燒填充粒子混合物以形成薄膜。 該聚合薄膜爲一種自撑式的薄膜，亦即，可在缺乏負載 基材時獨立存在之自我支律結構β 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 ——：！.——f ? (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之聚合溥膜可由任何合成的、形成薄膜的聚合 材料製成。合遑的熱塑性合成材料包括一種h烯烴之均聚 物或共聚物，誓如乙烯、丙烯或1-丁埽，聚醎胺，聚破酸 發，特別是一種合成的線型聚_類，其可經由縮合一種或 多種二幾酸或其低坑基（6個碳以上）二醋類，如斯·灶酸、 異政酸、參酸、2,5- ' 2,6-，或2,7-苯二羧酸' 琥珀酸、癸 二酸、己二酸、壬二酸、4,4，-二苯基二羧酸、六氫對酞酸 或1，2-雙·對-羧基苯氧基乙烷（视需要輿一種單羧酸，例如 二甲基乙酸共同使用），與一種或多種雙醇類，如乙二轉、 1，3-丙二醇、1,4-丁二醇、正戍二酵及i，4·環己·甲醇之二 酯類。聚對酞酸乙二醇酯或聚茶酸乙二醇羈薄膜爲較佳者 。聚對政酸乙二醇發薄腹尤受喜愛，特別.是此種薄膜在交 -6- _本紙张尺度逋用中1)¾家梂準（CNS )从规格（21()><297公釐_)~~ -—-------- 83. 3. 10,000 經濟部中央樣率局員工消f合作杜印製 310337

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B 五、發明説明（4) 互垂直二方向上之逐次延展而被雙輕地定向，定向典型溫 度範園從70 °C到125 °C，較隹爲經熱固化，固化典型溫度 範園從150°C到25〇eC。例如描逑於GB-A-838708中者。 聚合薄膜亦可包含一種聚芳基醚類或其硫化同系物，特 別是聚芳基糙酮、聚芳基醚飆，聚芳基靆謎酮、聚芳基醚 瞇颯，或其共聚物或硫化同系物-這些聚合物之實例揭示 於 EP-A-1879，EP-A-184458 及 US-A-4008203 中。該聚合薄 膜可包含一種聚（芳烯硫化物由其是聚-對-笨烯硫化物 或其共聚物。亦可使用前述聚合物之混合物。 適合的熱固性樹脂聚合材料包括加成性聚合谢腊，譬如 丙烯酸、乙烯基聚合物、雙-順丁烯二醣亞胺及不飽和聚酯 類；甲醛縮合樹脂，譬如與尿素、三聚氰胺或苯酚之缩合 物、聚氰酸酯榭脂，官能性聚酯類、聚醮胺或聚鏟亟胺。 本發明之聚合薄膜可爲未定向 '或單軸定向，但較隹地 爲在薄膜平面上二交互垂直方向上作雙軸定向，以達到一 滿意的機械性的和物理性特性·同時雙榦定向可藉擠製熱 塑性聚合管完成，其後經驟冷、再熱、及藉内部氣壓膨脹 ，產生橫今定向，且於引起縱向定向之速率下縮回。在展 幅機過程中可作到連續伸展，藉擠壓該熱塑性聚合物成一 平坦擠製物，繼之先向一方向延展再在相互垂直方向延展 之。通常較佳爲首次延展經線方向，即：通過薄膜延展機 器之直進方向，然後再作橫向延伸。延展後薄膜較佳爲在 高於其破璣轉換溫度下，在尺寸限制下，藉熱固化而違形 狀穩定。 -7 - 本紙浪尺度遑用中國國家標窣（CNS ) A4規格（2丨OX 297公釐） 83. 3. 10,000 --------f 裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 .¾ Λ7 B7 五、發明説明（5) 併入本發明聚合薄膜中之填充粒予，可迷當地經由煅燒 先質矽酮樹脂粒子製備《該烺燒先質矽酮樹脂粒子較佳地 包含如下式之三維聚合物鏈結構：

RxSi02-(x/2) 其中X大於或等於1，較佳地爲自1到1·9，更佳地爲自1 到1.5，特別是由1到1.2，R代表有機基團，例如一種脂族 烴’像甲基、乙基或丁基，或一種芳族烴、像苯基，或一 種未飽和烴、如乙烯基。本發明較佳具饉資施例中，R代 表1-8個碳，較佳爲1至5個碳之羥基。在一特佳具體實施 例中，R代表甲基》R可包括一種前述烴基任二者或二者以 上之混合物。特佳之先質矽酮撕脂粒子包含甲基倍半氧化 烷。 先質矽酮樹脂粒子遑合地爲具有矽氧统鍵結之交聯網狀 ，包含下式結構之混合物： --------f 种衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ，-° "* 經濟部中央樣準局—工消費合作杜印製

-R I —Ο — Si — ΟΙ Ο I 及

O-Si - ο R 其中R如上述所定義者。 合遒的先質矽酮樹脂粒子乃商業可獲得者，如曰本 Toshiba Silicone有限公司的” Tospearl，，矽酮樹脂粒子。 8 83. 3.10,000 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS〉A4洗格（2丨0X297公#) 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 A 7 B7 五、發明説明（） 先質矽《樹脂粒子之燦燒會造成有巍基團R之脱去作用 而使RxSi〇2_(x/2)式中之X值降低。當所有有機物被移走 時，X値爲0，結果產生矽石粒子（Si02)。 炫统較佳爲在a度大於250 ec下加熱先質矽_樹脂粒予來 達成，較佳a度自270°C到650*C，更佳者爲自280°c到500 •C，尤其是自290eC到400°C，特別地則是30(TC到350°C。 該梦嗣樹膜粒子較佳地爲加熱至少1小時，更佳爲2至12小 時，尤其是3到8小時，特別地則爲3到5小時。該矽酮樹脂 粒子較佳地爲在空氣氣氛，或在遣合的惰性氣氛，如氮氣 中於烘箱内加熱。 有譏物質在燉燒先質矽網樹赚粒子過程中的脱去作用導 致粒子重量之降低。較家地爲矽_樹脂粒子在烺燒遢程中 捐失百分之0到二十，吏佳者爲高達百分之十，尤其是高 速百分之五，特別是高至百分之二其有機物重β 本發明聚合薄臟所用之經燉燒的填充粒子視需要包含一 有機基團β該有機基圈，較佳地爲甲基，對烺燒蜞充粒子 中之矽原子之比例範面自〇到0.9:1，更佳地爲自0.05到 0.7:1，尤其是 〇.1 到 〇.5:1，特別是 0.15 到 0.3:1。 該填充粒子迷合地包含具下式之三維聚合物鑠結構： R X (°H)y Si〇2 - ( ( x + y ) / 2 )

其中R代表前迷對先質矽酮樹脂粒子所定義之有機基團 β在烺燒期問，至少於空氣中，發生R基圈之脱去及Si-OH -9- 本紙張尺度適用中囷國家標準（CNS ) A4規格ί 210X297公簸） 83. 3.10,000 -^1 - nil - 1 - — —^ϋ —^1 - . -----I 1^1 n^i--aJ- 1- - - I - ---1 -- —錢 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 310337 Α.7 Β7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7) 鍵和额外的Si-O-Si鍵之生成。實醑上並無Si_〇H鍵存在於 先質矽明樹脂粒予中。進一步之煅燒造成si_OH鍵轉化成 Si-O-Si鍵，最終形成矽石粒子》x値範國較佳地爲自〇到〇 9 ，更隹爲自0.05到0.7，尤其是自〇·〖到0.5，特別地是自 0.15到0.3。y値範顳較佳地爲自〇到12，更佳爲自0.2至 1.0，尤其是0.4到0.8，特別是指0.5到0.7 » X値和y値可由 29Si神奇角（magic angle)自旋NMR光譜分析測定。 用於本發明之填充粒子其化學组成中所含無機物之重量 份，較佳地爲百分之80到1〇〇 ,更隹地爲耳分之9〇到百分 之99.9，尤其是百分之92到百分之98，特別是百分之94到 百分之97，因此有機物重量份較佳地爲百分之〇到百分之 20，更隹地爲百分之〇. 1到百分之1〇，尤其是百分之2到百 分之8，特別地爲百分之3到百分之6。在本發明之較佳具 體貧施例中，填充粒子之有機成份主要地、實質較佳地爲 甲基基圈。填充粒子之無機成份包含至少百分之98、較佳 地爲至少百分之99，尤其是至少百分之99.5，特別是至少 百分之99.9的矽石及/或羥化矽石，亦即包含矽、氧和氟 原子。爲孝得本發明之優點特性，存在於聚合薄膜之如本 文所定義之填充粒子，其濃度以薄膜中聚合物重量爲準， 應介於範固自百分之0.0005到百分之2，較隹地爲自百分之 0.001到百分之0.5，更佳地爲百分之0.0025至百分之0.1， 尤其是百分之0.004到百分之0,02，特別地是百分之0.005 到百分之0·01 »前述較佳的濂度範面特適用於經填充的單 層薄貘。然而根據本發明之一具體實施例之聚合薄貘，乃爲 -10 - C 裝— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,-6 i 本紙乐尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 83. 3. 10,000 A7 B7 經濟部中央櫟準局員工消费合作社印裂 五、發明説明（8) 一複合薄膜，其具第一層，較佳地主要爲未經填充者，及 其至少一表面上之第二廣，較佳地爲以第二層中之聚合物 重量計，包含範固自百分之0.02到百分之0_5，更佳地爲百 分之0.04到百分之0.3，尤其是百分之0.05到百分之0.08之 填充粒子。 併入本發明聚合薄膜之填充耝子其礅積分布粒種中値相 關於全部粒子體積之百分之50，讀取自累計分布曲線闞於 體積％對粒子粒徑-通常指”D(v, 0.5)”値之相等的球型粒徑 ，範面自0.1到12.5微米，合適地爲0.4到0.8微米，較佳爲 0.7到6.0微米，更隹地爲1·8到5·0微米，尤其是2.8到4.5微 米，特別地是4.1到4.5微米。 填充粒子大小分布於獲得具均一表面粗糙度之聚合薄膜 方面亦是一個重要麥數。該填充粒子具一粒子大小分布比 例〇25/〇75(其中D25及D75代表聚積粒振分布國中，對應 於髖積百分之25及百分之75之粒徑）値，自1.1到1.6，較 佳地自1_15到1.5，更佳爲1.2到1.4，尤其是1.25到1.35 » 本發明較佳之具體實施例中，該填充粒子亦具一粒子大小 分布比D1〇/D9〇(其中£)丨0及〇9〇各代表累計粒祖分布圈 中，對應於體積百分之10及百分之90之粒徑）比値自1.2到 2.2，較佳地爲1.3到2.0，更佳自1.5到1.9，及尤其地從1.7 到 1.8。 過大顆粒填充粒子之存在會導致薄貘表現不雅觀的小斑 點，即薄膜中個別填充粒予之存在可被肉眼看出。因此， 最好該粒子百分之99.9¾積之實際粒子大小不應超過20微 -11 - --------f 装------訂-----(^ {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐> 83. 3. 10,000 B7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9) 米，較佳地爲不超過15微米。較佳地爲以髏積計至少百分 之90 ’更佳地爲至少百分之95之該粒子之鍾積分布粒徑中 間在士 1.5微米，尤其是士 1.〇微米，特別地是土 0.5微米之 内。 該粒子之粒徑大小可用電子纗微銳、逆流計數器、沉積 分析及光掃瞄、較佳地爲使用雷射光繞射爲主的技術而測 得。 用於本發明之填充粒子不論從任何角度視之，其實除上 爲具國型截面者〇該粒子呈現自1:1到1:0.9，較佳地爲自 1 : 1到1 :0_95。尤其是自1 : 1到1 :〇.98之平均深寬比:d2( 其中幻和《12各代表粒子尺寸之最大和最小値 —填充粒子之深寬比值可籍測量填充粒子之(^及^而得 ，其選自使用择瞄電子類微饞獲得之照片影像。平均深寬 比可計算100個典型填充粒子之平均值而得。 本發明尤其較佳之具體實施例中，填充粒予具有如本文 中所述方式測得之小於80，更佳地範園介於3至50，尤其 是5到45，特別是15到40平方公尺/克之BET比表面積。 該填充誓子較佳地具有如本文描迷方式測得之範國自 1.95到2.3 ’更佳地自2.00到2.2，尤其是2.05到2.15克/立 方公分之骨架密度。 該填充粒予可於聚合物擠製前，任何薄朧製造過程點被 加進薄臟層或形成薄朧物質中。例如，在較佳地聚隳薄膜 之製造過程中，該粒子可在單髄傳送期間加入高蜃鍋，雎 然較佳的是粒子在該聚醱合成之醱化反應觭段以雙酵分散 -12 * 本紙浪尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 83. 3, 10,000 --------{种衣— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本瓦) 、vs i 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ 7 __________Β7 五、發明説明（1〇 ) 劑之形式加入。或者，該粒子可以乾粉狀態經雙螺旋擠製 麇或母煉膠技街加進聚合物熔麯物中。 本發明之聚合薄膜爲遴度透明，較佳地爲對一 75微米厚 之薄膜而言具有如本文所描述方式測得之小於百分之10， 更佳地爲小於百分之5，尤其是小於百分之2，以及特別是 小於百分之1之廣角霧度。 根據本發明之聚合薄醭之表面，較佳地爲呈現以本文所 述方式測得之小於0.9，較佳地小於0.7，尤其是小於0.5， 特別是小於0.4之靜摩擦係數。 根據本發明之薄膜層可包括任何聚合薄膜製造上所鸾知 引用之添加物。因此，染料、色素、潤滑劑、抗氧化劑、 抗阻塞劑、界面活性劑、助滑劑、光澤改善则、降解助劑 、紫外光樣定劑、黏度修飾劑及分散穩定劑皆宜併入聚合 薄膜中。該添加劑較佳地爲不增加聚合薄膜之廣角霧度達 到或高於前述値。 本發明之聚合薄臟可於其單一或雙表面上塗復一種或多 種额外塗料、墨、漆及/或金屬層，以形成層板或複合物 而呈現相比於组成物質之改善特性，如抗靜電性、黏附力 提昇或释離性—種較佳地抗靜電塗料層包含-種四鈒銨 瘇化合物，較佳地爲與丙烯酸樹脂共用者。 在沉積塗料介質於聚合薄膜上之前，其曝露之表面，若 需要，可經化學或物理表面修飾處理，以改善表面和随後 使用的塗料層間之鍵結。較佳處理法爲日冕放電法，其可 於空氣中，在大氣赓力下、以習知裝置，使用高頻高伏特 -13- 本紙張尺度適用中國國家橾率（CNS } Μ规格（210X297公釐） n I HIH I — ^ —ί Γ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ _337 _337 經濟部中央梂準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五、發明説明（) 發生器，較佳地電位1到100千伏下具1到20千反輸出功率 者而達成，放電過程通常藉將薄膜通遇線性速度較佳爲每 分鐘1.0到500公尺之放電站之電雙層輥機上而完成。該放 耄電極距該移動薄膜表面可定於自0.1到10.0毫米。或者， 該薄貘表面亦可以技藝習知之物質預處理、以使聚合層上 具有溶劑或逮到膨澜效果。特別適用於聚酯薄膜表面處理 之物質華例而言包含一種溶於一般有機溶劑之#代苯盼， 如：對·氯-間-甲苯酚、2,4-二氯苯酚、2,4,5-或2,4,6-三氣 苯酚或4-氣間笨二酚溶於丙酮或甲轉中之溶液》 該塗料介質可應用於已定位之聚合薄膜表面，但引用該 塗料介質較佳地爲在延展操作之前或其間。 尤其，較佳爲塗料介質應在熱塑性薄膜雙轴延展搮作之 二階段（縱向和橫向）間使用於薄膜表面上《這種延展和塗 敷的次序對包含聚酞酸乙二縛爾之經堂敷聚醱薄膜之製造 過程特別理想，其較佳地先於一系列之旋轉滚軸上作長袖 方向之延展、塗上塗料層、然後在展幅烘箱中作撟向延伸 ，最妤接續作熱固化。 本發明七聚合薄膜用途廣泛，警如包裝、例如作爲紙金 視窗、金屬鉾膜、及複照薄膜及一般工業用薄膜，本文所 描述之聚合薄膜特別遑合於资訊儲存及展示，如成像、混 合畫、後膜、縷空版、架高防護器、薄膜觸動開闞、微膜 及印刷，如熬壤轉印。 本説明書中以下所列鲥試方法已被使用於測定填充粒子 及聚合薄膿之特性： -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（2丨Ox 297公釐） '( 表 1 I 訂 I ^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局貝工消费合作杜印製 Μ Β7 五、發明説明（12 ) 填充粒子分析 饉積分布粒裎中值及粒徑分布比D25/D75及E>1()/D9{) 以 Coulter LSI30(Coulter Electronics Ltd, Luton, UK)粒徑 儀測量。 BET 比表面積使用 Micromeritics ASAP 2400 ( Micromeritics Limited, Dunstable, UK)藉多點氮吸收來測量。所使用相對 廛力介於0.05到0.21，除氣條件爲，在溫度140aC下以氮清 除1小時（1到2升/小時）。 骨架密度係使用 Micromeritics Accupyc 1330 (Micromeritics Limited，Dunstable, UK)藉由測氣比重而得 β 甲基對矽原子之比值以29Si神奇角自旋NMR光旙測得。 該光譜乃使用Bruker MSL200 NMR光旖儀、設定29Si頻率 於39.73百萬赫茲》神奇角度以溴化鉀設定、自旋速度爲 5050赫茲。包含2K複數數據點之NMR自由誘導衰減，乃 使用單振腺衝激化輿高功率去耦化而得，該1Η去輛化 電場固定於70千赫。該光譜寬度爲20千赫，29Si脈衝長度 5.5微秒（9(Γ )及循環衰滅爲60秒，共累計100個瞬時點。 由衍射考象法構成之數據傳送乃以等於60赫茲之Brukei· LB參數以指數表示，再經富利葉轉換、經相位調整、基線 校正，並以Bruker software EP-1 routine作積分。 聚合薄膜分析 聚合薄膜之靜摩瘵係數乃以斜面法測定，對應於其本身 求比值，根璩ASTM测定法D4518-87號，使用Model IPST(Specialist Engineering, Welwyn，U.K)。 -15- 本紙浪尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（2丨0χ297/ί1Ί ^ ~~ II ϋ - II 1:. I >!- - ....... -ΓΙ -H. I - -- —I-------丨二-- I -- 1 ^mfl nn f —、〆OJIn nn In —^ϋ In 肩‘ π I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 Μ Β7 五、發明説明（13 ) 廣角霧度以透光率百分比測得，測其在通遇薄膜期間， 垂直於薄膜表面、大於電弧之2.5度平均逸出量。主要根據 ASTM測試法D 1003-61號，使用Hazegard XL211霧度測定 儀（BYK，Gardner，US)〇薄獏處理及纏繞性質以切膜機器 來評估。長介於1000公尺到3000公尺間，寬介於500毫米 到2000毫米間之捲轴，以每分鐘50到400公尺之速度切貘 。該最终割裂捲輛可評定其物理外觀。 本發明參考以下實例説明之。 實施例1 先質矽酮樹脂粒子（Tospearl 145,日本Toshiba Silicone公 司提供）於烘箱中在300 aC下在大氣氛面中加熟後燒4小時 ，以產生供本發明使用之填充粒子。該所得填充粒子具下 列特性，其係以前述方法測量： (i) 體積分布粒程中値= 4.4微米》 (ii) 粒徑分布比 D25/I>75= L40 » (iii) 粒徑分布比 D1{)//D9()=l,85。 (iv) BET比表面積=45平方公尺/克 (v) 骨考密度=2.〇6克/立方公分 (vi) 甲基對矽原子之比値= 0.2 含有近似600 ppm填充粒子之聚酞酸乙二醇醻聚合物， 該填充粒子經上述方法烺燒先質矽酮樹脂粒子而得，經擠 製通過薄腠成型模具至水冷旋轉、泮火豉上，以產生一種 非晶形的鑄造複合擠製物。該鑄造擠製物加熱到約80°C再 以3.2比1之向前拉力作縱向延展。該聚合薄膜被通入一值 ·* 1 β - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210Χ297ϋΓΤ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (^1 »-1 I - I— - In In I- -- >.. if Α7 Β7 310337 五、發明説明（14 ) 溫箱中，於其中進行薄臟之側向延展，使之變成原有大小 之约3.4倍》經該雙輛延展之聚合薄膜在溫度約225eC下進 行熱固化，最终薄朧厚度將近188微米。 薄膜廣角霧狀物約百分之20,靜摩擦係數爲0.55 »經纏 繞測試中所製成之割裂椿轴具優良物理外觀，該割裂線軸 並無"伸縮性"或"教渙性"之現象，即捲I*終端平坦且完全 垂直於捲轴之圆柱轴》 實施例2 重復實施例1之步骤，俚Tospearl 145粒子改爲在烘箱中 於400 °C下加熱燉燒10小時。該最終填充粒子以本文所述 方法測定呈現下列特性： (i) 礅積分布粒徑中間=3.8樣米》 (ii) BET比表面積=4平方公尺/克® (iii) 骨架密度= 2.2克/立方公分。 (iv) 甲基對矽原子之比=〇 依實施例1描述之方法製得一種聚酜酸乙二醇曲藩膿， 但不同的是該薄膜包含依上述方法製得、約2400 ppm之填 充粒子。最终薄膜厚度將近1〇〇微米。 薄膜廣爲霧度將近3〇 %，靜磨擦係數爲0.4 »通遇轤繞測 試之割裂捲軸具優良物理外觀，該割裂捲輛並無"伸缩性” 或"散渙性"現象，即捲軸终端平埋且完全垂直於揍轴之圓 柱抽β -17- 本紙張尺度適用中困國家標準（CNS ) Α4规格（210 X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本貢) 、1Τ 1 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製

Claims (1)

1. 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 第841〇7267號專利申請案 龆 中文申請專利範团修正本(86年4月) 六、申請專利範圍 丨/\ /L + * v « , ，：. 1. -種聚合薄膜’其包含佔薄膜中聚合物重量之0 0005重量 %到2重量％之填充粒子，其體積分布平均粒徑爲自〇1到 12_5微米，該填充粒子在併入薄膜聚合物前藉烺燒先質 矽酮樹脂粒子而獲得，該場充粒子包含一種如下式之三 維聚合物鏈結構： Rx(0H)ySi02.((x + y)/2) 其中X範圍爲0.05到0.9，y範圍爲〇到丨2，且R代表具J至 8個凌原子之烴基。 2. —種聚合薄膜，其包含佔薄膜中聚合物重量之〇〇〇〇5重量 %到2重量％之填充粒子，其體積分布平均粒徑爲自〇1到 12.5微米，該填充粒子在併入薄膜聚合物前藉烺燒先質 矽酮樹脂粒子而獲得，該填充粒子包含—種如下式之三 維聚合物鍵結構： Rx(〇H)vSi02.((x + y )/2) 其中X範团爲0至0.9 ’ 丫範面爲〇至】·2，且尺代表具1至8 個碳原子之烴基，該填充粒子具小於8〇平方公尺/克之 BET比表面積及具自1 95至2.3克/立方公分範面之骨架 密度。 3. 根據申請專利範圍第1或2項之薄膜，其中x範園爲〇.〇5至 0.7 〇 本紙張尺度適用中國國家#準（CNS ) A4规格（210X297公釐） ----------裝 ----：---訂------^ ^ (請先閱讀背面之注f項再4寫本頁) 7 s 3 ο SI abcd 經濟部中央揉準局貝工消f合作社印製 77、申請專利範園 4.根據申請專利範圍第1或2項之薄膜，其中y範圍爲^。至 1.0。 5 根據申請專利範面第丨或2項之薄膜’其中該烴基爲甲基 〇 6‘一種製造聚合薄膜之方法，其包括下列步驟： (i) 在至少25〇Χ之溫度下，烺燒先質矽酮樹脂粒子， 以產生經烺燒的場充粒子，其具有體積分布粒徑中値自 〇. 1到12.5微米，該煨燒填充粒子包含—種如下式之三維 聚合物鍵結構： Rx(OH)y Si02 . (( x + y > / 2 ) 其中X範圍自0到0.9，y範画自0到1_2，R代表具1至8個 碳原子之烴基， (11)混合烺燒填充粒子與聚合物或形成聚合物物料呈 佔聚合物重量之0.0005重量％到2重量％的濃度，及 (⑴）擠製該聚合物/經煅燒之填充粒子混合物，以形 成薄膜。 7.根據申請專利範圍第6項之方法，其+ χ範園爲〇 〇 5至 0.7 〇 8·根據申請專利範圍第6或7項之方法，其中y範圍爲〇2至 1.0〇 9根據申请專利範圍第6或7項之方法，其中先質矽酮樹脂 粒予係於溫度範園3〇〇。(：至500。(：下加熱， 表紙張从適用石國家橾率< CNS ) * - I n n I ¢1 fl.n - 裝 __Γ I _r - I n ^ I n I— n I 爲 Λ V (請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) "WlW'iil" ιΐ||ίιΜιΙ·ιΜΙΜ 經濟部中央標率局員工消费合作社印装 310337 bI C8 D8t 六、申請專利範圍 1〇·根據申請專利範圍第6或7項之方法，其中聚合物爲聚乙 烯對酞酸酯及/或聚乙晞莕酯。 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝—* 訂 .1 ** 3 本紙張尺度適用中國β家揉準（CNS ) Α4规格（210Χ297公釐）