309614 A7 B7 五、發明説明（1 ) 〔產業上之利用領域〕 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係有關於在習知之受光發光裝置，將來自發光 部之光照射於光記錄媒體，例如所謂微型光碟（compact disk),光磁碟等之被照射部，而適用於將從被照射部反射 之返回光做受光檢測時，較佳之受光發光裝置。 〔習知技術〕 習知之受光發光裝置，所謂微型光碟（C D )唱機等 光碟驅動或光磁碟驅動之光學拾波器，爲了個別地裝配光 柵（grating)或射束分裂器（beam splliter)等之各光 學零件，由於整個裝置構成變成複雜且大，又，在基板上 以混合裝配時做光學配置設定時就需要嚴格之對準精度。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 如圖1 2係表示，記錄媒體例如夾住光碟上之反射點 ，在其兩側射入光側與反射光側之光路圖之模式圖，在通 常之光學拾波器7 0，係經由物鏡7 1所收束之射入光 LF，射入於光記錄裝置射入於光碟7 2之記錄凹坑*而 在該處反射並且繞射（diffraction)，而被分割爲0次 繞射光，±次繞射光次3個光點，以形成反射*LR。這 些繞射光係分別發生干擾，致使藉從光碟7 2次返回反射 光1^11而遠視野像之光強度發生變化，而使用此來進行記 錄於光碟上之信號再生。 從習知所進行之循軌伺服方法之一之推挽法，係在光 碟上射入光之光點若從磁軌或凹坑偏離時，在上述之± 1 次繞射光就會發生強度差，而因遠視野像會變成非對稱* 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -4 - 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 A7 B7_ 五、發明説明（2) 所以，例如圖1 2所示，由2個檢測器A及檢測器B，取 出依據上述非對稱之信號，將道些信號使用演算器加以演 算，來檢測光點之偏離。 在此，在圖1 3表示習知之光學拾波器一例之構成圖 因此光學拾波器9 1 ，係備有半導體雷射9 2，平行光管 透鏡9 3 (collimetter lense)，光柵9 4 ’偏光束分 裂器95，1/4波長板96，聚焦透鏡97，圖筒透鏡 9 8及光電二極體9 8及由光電二極體所成之受光元件 9 9所成，將來自半導體雷射9 2之雷射光L通過平行光 管透鏡93，光柵94，偏光束分裂器95，1/4波長 板9 6及聚焦透鏡9 7照射於光碟1 0 0，在此光碟 1 0 0所反射之返回光在偏光束分裂器9 5受到反射而通 過光學拾波器91在光學拾波器91受光檢測。 〔發明所欲解決之問題〕 使用上述推挽法之循軌伺服信號之檢測，係在各光學 零件之裝配需要髙精度之位置對準，又，對於透鏡之橫向 行動或由於光碟之翹反引起之傾斜等邊界變小。 又，通常之光學拾波器係個別地裝配光零件所需之尺 寸爲大，而要求嚴格之對準精度》 又，例如，使在發光部之能夠返回，將其返回光受光 而欲檢測時，必須將光使用光束分裂器或全息照相（ hologram)等加以分裂。因此，會發生受光部所受光量會減 少之不妥情形發生。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4规格（210X297公嫠） ----------裝------訂------ (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -5 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 308614 a7 _B7__五、發明説明（3 ) 本發明係考慮此點所發明者，所以於光學拾波器等之光 學裝置，削減光學零件件數及光學配置設定時之對準可變 成簡化，以達成整個裝置之簡化，小型化，或使製作簡單 ，更且，使返點受光部之光比率變大，來達成低消费電力 ，又，將以高精度之位置對準之推挽法之信號檢測，能夠 確實地進行，例如，使其能夠做到循軌伺服。 〔解決問題之手段〕 本發明係具有發光部，與收束手段，與受光部，並構 成爲由收束手段將來自發光部之射出光收束照射於被照射 部，更且將從被照射部所反射之返回光加以收束，在對於 收束手段之被照射部之返回光之共聚點附近配置受光部， 而於從發光部之射出光，於被照射部所反射之前及後，均 通過同軸之路徑在受光部被受光，並於受光部使用推挽法 來檢測信號之受光發光裝置》 〔作用〕 若依上述之本發明構成，將由收束手段從發光部之射 出光收束照射於被照射部，更且，收束從被照射部所反射 之返回光，而關於在從收束手段之被照射部之返回光之共 聚點附近配置受光部，從發光部之射出光，於被照射部所 反射之前及後，通過同軸之路徑而在受光部受光。此時， 在受光部使用推挽法檢測信號，對於被照射部之射入光， 亦即在從發光部之射出光之被照射部，進行照射位置之檢 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4) 測。 〔實施例〕 在本發明之受光發光裝置之實施例說明之前，就適用 於進行本發明之記錄媒體，例如從光碟之記錄之讀出光學 拾波器時之光學系，亦即使用共焦點光學系檢測循軌伺服 信號加以說明。 於圖1 1 ，表示記錄媒體例如夾住光碟上之反射點， 表示在其兩側射入光側與反射光側之光路圖之模式圖所示 ，由本發明之光學拾波器6 0，係經由物鏡6 1所收束之 射入光LF射入於光記錄媒體例如光碟6 2之記錄凹坑， 而與圖1 2所示習知之情形一樣反射於光碟同時繞射，而 分裂爲0次繞射光，± 1次繞射光之3個光點，來形成反 射光LR，這些繞射光係分別發生干擾，而由來自光碟 6 2返回之反射光LR使逮視野像之光強度發生變化。 於本發明，雖然與圓1 2同樣之複數檢測器，例如， 成爲裝設檢測器A及檢測器B之構成，但是，這些檢測器 ，係如圖1 1所示，反射光[«爲由物鏡6 1等變成收束 手段所收束之焦點之位置，亦即，配置於共焦點之附近。 像這樣地形成共焦點光學系。 此時與圖1 2所示習知情形比較，照射於檢測器A及 檢測器B之反射光L R之光點將會被縮小而變小，所以可 使用更小檢測器來進行檢測》 並且，在本發明係使用推挽法來進行信號檢測者，接 本紙張尺度逋用中國國家橾準（CNS ) A4规格（210X297公釐） —一.------0^------.«T------Q (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -7 - 309614 a? _B7_ 五、發明説明（5 ) 著就使用此推挽法之循軌伺服信號之檢測記明如下。 於推挽法，由於將被照射部之光碟上之磁軌導溝所反 射繞射之光配置成對稱之2分裂光電二極體P D上之2個 受光部之輸出差加以取出，來檢測循軌伺服信號。 在圖1 4A，B表示將光碟上之照射光點之照射位置 光點與反射繞射光之分布關係以模式圖表示。若照射光點 之中心與導溝（群組部）中心互相對準時，則如圖1 4 A 所示，就可獲得左右對稱之反射繞射光分布，而由2個光 電PD (C，D)受光之光強度會變成相同。（C = D) 。照射光點之中心與導溝與導溝中間部（陸地部）一致時 ，也與圖1 4 A同樣地可獲得左右對稱之反射繞射光分布 ，而在2個PD所受光之光強度會相同。 另一方面，如圖1 4B所示，若照射光點之中心若示 在陸地部之中心時，就可獲得左右非對稱之繞射光分布， 而在2個光電二極體PD (C，D)所受光之光強度就會 不相同。 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 因此，在圖1 4 A將照射光點中心之位置與受光部之 輸出差之關係如圖表所示，當照射光點橫跨磁軌時之2個 受光部之輸出差將變成S字曲線。 將上述之檢測動作，使用從於圚1 5所示光碟之反射 繞射光之模式圖，更詳細地說明。若磁軌節距P欲變成光 點大小時，導溝將被看成繞射格子》亦即，此時在滿足 P s i ηθ = Νλ之方向（N係整數）光之相位重！ft，而 光強度會變強。亦即，在0次及± 1之之繞射光重叠之領 度適用中國國家標^TcNS ) Α4規格（210X297公釐） "~ -8 - 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（6) 域，係由於磁軌偏離之干擾效果光束光點之強度分布會發 生變化，所以，在此配置由2分裂光電二極體P D之檢測 器’而若檢測出這些输出差時，就可進行循軌伺服信號之 檢測。此時，循軌伺服信號之強度係，在導溝深度在 又/8 η時變成最強，在；i 4 η時所干擾之繞射光會互相 抵消而強度將變成0。 接著，參照圖面將本發明受光發光裝置之一例說明如 下。 實施例1 如圖1表示受光發光裝置之要部之構成圖，在此例， 係被照射部2適用於例如具有記錄凹坑之光碟，對於此光 碟照射雷射光進行記錄讀出之光學拾波器之情形。 此光學裝置係在同一半導體基板上形成沿著基板面之 雙向具有諧振器長向面向半導體雷射L D及在其一方之射 出端面所裝設之反射鏡Μ所成之發光部4，與由透鏡等之 光學零件之收束手段3與，2個光電二極體PD (PD1 ，PD2)所成之受光部5所形成之光學元件1 〇之構成 ，將從發光部4之射出光，由收束手段3收束照射於光碟 等之被照射部2。並且，從被照射部2所反射之回光Lr ，由共通之收束手段3收束而返回爲光學元件1 0。由光 學元件1 0之受光部5亦即光電二極體PDi，PD2係關 於返回光L 上述共焦點附近夾住反射鏡配置變成與半 導體L D形成部相反側之構成。 返回光LR係由收束手段3收束到光繞射界限（亦即 本紙張尺度適用中圃困家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —^------^ 裝------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明（7) ，透鏡之繞射界限）附近者，受光部5係其各光電二極體 PDi，PD22至少一部份之受光面，在此光繞射界限內 ，亦即，將從發光部4之射出光之波長視爲λ，將收束手 段3之關口數視爲ΝΑ時就從橫跨受光面之配置基準面之 發光部4射出光之光軸之距離設於1，22 λ/ΝΑ以內 之位置。 又，此時，將在受光部5之受光面之發光部4之射出 光LF之直徑，較上述光繞射界限之直徑爲小，受光部5 之有效受光面係使其變成位於射出光LF2直徑外。在此 ，做爲發光部4之光源若使用半導體雷射時，其射出光之 直徑係，可成爲約1〜2 之程度。另一方面，若收束 手段3之開口數NA爲例如〇. 09〜0.1，射出光之 波長λ爲780nm程度時，繞射界限將變成1. 22 λ/ΝΑ 10//m 程度。 做爲此光學元件1 0之製造方法，例如由選擇性 MO C VD所製造之情形說明如下。 經濟部中央橾準局貝工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第1導電型之半導體基板1上，將構成半導體雷射 L D之各半導體層成爲外延成長。亦即，雖然沒有圖示， 但是，例如將依序半導體基板1與該導電型之第1貼合層 ，活性層，第1貼合層，與第1貼合層相異之第2導電型 之第2貼合層依序由MO C VD等外延之稹體半導體層6 所構成。 接著，將這些外延成長之稹體半導體層6之各半導體 層之一部分，做爲半導體雷射L D留下來’至少在最終將 本紙張尺度適用中國困家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） -10 - A7 B7 經濟部中央樣準局員工消费合作社印製 五、發明説明（） 形成反射鏡Μ及光電二極體PD之部分由RIE(反應性 離子蝕刻）等進行蝕刻。並且，將由此蝕刻面之積體半導 體層6之兩端面分別做爲諧振器端面，在兩端面間構成半 導體雷射L D之水平諧振器。此時，最終地夾住構成半導 體雷射L D之諧振器之領域將電流阻止領域藉注入不純物 離子所形成。 接著，將留存於半導體基板1上之稹體半導體暦6， 亦即，覆蓋半導體雷射L D之構成部，雖然沒有圖示，但 是由於絕緣層等覆蓋形成爲選擇性MO C V D之遮掩層》 在沒有由此遮掩層覆蓋之半導體基板1上例如將第1 導電性之第1半導體層選擇性地由MO CVD形成，接著 在第1半導體層上面例如選擇性地由不純物擴散，形成第 2導電型之第2半導體層，而形成第1半導體層與第2半 導體層來構成受光部5之光電二極體PD (PDi，PD2 )° 又，在此情況時，反射鏡Μ部係將第1半導體使用 MO CVD選擇性地外延成長時，成爲特定之結晶面產生 ，而形成爲原子面之形態性（morphlogy)良好之斜面， 又，並與具有半導體基板1面保持一定角度之斜度。此結 晶面係藉由選定半導體基板1上面與半導體雷射L D之水 平諧振器方向，就可形成特定之結晶面。 光學元件1 0之製造方法，係除此之外，也可以在半 導體基板1上形成稹體半導體層之後，使用R I F (反應 性離子蝕刻）法等，形成爲一方之面成爲垂直而他方之面 —i------— (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X2S»7公釐） _ 11 - 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（9) 成爲斜面之溝，將此垂直面做爲半導體雷射L D之諧振器 之一端面，又，亦可採取形成上述溝之後，再將由金屬膜 或電介質多電膜等所成之反射鏡Μ形成於斜面上之方法等 。 於此構成之受光發光裝置，在半導體雷射L D所發 光之光將在反射鏡Μ變成發光部4之射出*LF。此射出 光1^1^係經由收束手段3被收束，而照射於照射部2之光 碟，而與圖1 1之模式圖所示之例同樣，在被照射部之光 碟之記錄凹坑反射及繞射。並且，通過與反射前之射出光 LF同軸之路徑。從此被照射部2之返回*LR將變成由繞 射界限所決定大小之光點，而由形成於發光部4周圍之受 光部5來受光。在此處受光部5之光電二極體PD ( PDi，PD2)係靠近半導體基板1上之發光部4之半導 體雷射L D而例如配置於半導體基板1之反射鏡Μ之配置 側。此時，P D i，P D 2係包含由上述繞射界限所定之光 點位置。 因對於此各光電二極體PDi，卩02照射由被照射部 2之返回*LR，而對於由兩P D所獲得之信號進行演算 ，而由推挽法來檢測循軌伺服信號。又，由整個兩光電二 極體P Di及P D2來進行光碟上之記錄之讀出亦即R F信 號之檢測》 在此，如在此例，具有將發光部4與受光部5形成於 同一半導體基板1上之光學元件1 0之光學裝置時，如圖 1 3之構成圖所示，與將發光部之半導體雷射9 2與平行 光管透鏡9 3個別地配置之習知光學裝置時，來比較透鏡 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d. -12 - 309614 A7 B7 五、發明説明（1Q) 之位置偏離或光碟類反，傾斜引起之循軌伺服信號之偏位 (從正確信號之偏離）之量。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先，比較屬於收束手段3之透鏡向橫向，亦即，圖 1所示箭頭X方向偏離時之2個光電二極體所成之檢測器 推挽法之所算出之循軌伺服信號之偏離量。茲於圖2表示 其結果之圖表。 於圖2，縱軸係對於使用推挽法之正確循軌伺服信號 與實際所觀察之循軌伺服信號之誤差比率（％)。又，〇 符號係依據資施例之情形，•符號係使用習知之受光發光 裝置之情形》 由圖2就可清楚，在習知之受光發光裝置係透鏡偏離 100#m時，偏位量爲約爲0. 2%，但是，本實施例 之受光發光裝置，係透鏡偏離2 0 0 時卻沒有出現偏 位。 又，如上述若光碟傾斜時，在循軌伺服信號會出現偏 位。於圓1 ，將通過光碟中心之線做爲轉軸，而如箭頭a 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 在紙面在身前或內面光碟傾斜由推挽法之循軌伺服信號之 偏位量，就習知之受光發光裝置與本實施例之受光發光裝 置進行了調査。茲於圖3表示其結果之圖表。 於圖3，橫軸係從水平方向之光碟之傾斜（° )，縱 軸係對於使用推挽法正確循軌伺服信號之實際所觀察循軌 伺服信號之誤差比率（％)。又，〇符號係依實施例1情 形，而·符號係習知受光發光裝置之情形。 由圖3就可曉得，依據本實施例之受光發光裝置係與 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -13 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 五、發明说明（n) 習知例做比較而其偏位非常少，而對於光碟傾斜之邊界變 大β 像道樣，依據本實施例之受光發光裝置係與習知例做 比較，可對於透鏡之偏離或光碟之反翹，傾斜之邊界取大 ，可安定正確地檢測循軌伺服信號或光碟上之記錄讀出之 R F信號等之各種信號。 若依據上述實施例，將發光部及受光部分別做爲1個 構成之例，但是，也可構成爲在同一半導體基板上裝設了 複數發光部與受光部》 實施例2 圓4係有關於本發明之受光發光裝置之其他例之構成 圖》 在本例係在同一半導體基板上裝設3個分別具有發光 部及受光部之光學元件。 如圖4所示，在同一半導體基板1 2 0上，形成分別 由具有半導體雷射L D與反射鏡Μ所成之發光部與光電二 極體PD所成之受光部之3個光學元件2 1 ，22，23 〇 並且，做爲受光部之光電二極體P D，光學元件2 1 係具有光電二極體PDx，光學元件2 2係具有2個光電 二極體P D ^與P D2B，而光學元件2 3係具有光電二極 體 P D3。 中央之光學元件2 2係爲了使用於推挽法之循軌伺月g 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) •AV. 訂 d -14 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 五、發明説明（） 信號之檢測，將光電二極體P D成爲等分割爲2個之構成 ，又，也使用於上述之RP信號之檢測。 又，在兩端之光學元件2 1 ，23，例如使用所謂距 離差法之焦點伺服信號之檢測者。 此各光學元件2 1，22，23之製造方法，係與實 施例1之光學元件1 0之製造方法相同*例如，在半導體 基板2 0上，分別形成雖然沒有園示但將DB I S發光部 所構成之形成依序半導體層之積體半導體層及反射鏡Μ， 受光部之光電二極體P D之第1及第2半導體裝置。 從各個發光部所射出之射出*LF (虛線），係由透 鏡等所成之收束手段3所收束，而收束照射於光碟等之被 照射部2。此時，如圖4所示，各出射出光LFa於被照 射部2之照射位置，係分爲3個。 像這些分別被照射之光係於被照射部2反射而將變成 返回光L R (細線）。 道些返回光LR係將分別經由具有與射出光LF之光軸 同一光軸之光路返回各光學元件，而射入於受光部。從中 央之光學元件2 2之射出光與返回光之光路將大致變成相 同。 此時在中央之光學元件2 2，受光部將位於從光學元 件2 2之返回光LR2共焦點附近。 又，將在中央之光學元件2 2，2個光電二極體P2A 及，P D 2ΒΚ檢測之信號使用推挽法演算，就可檢測循軌 伺服信號。 1------Ο------?τ-----d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐} 15 - 經濟部中央梯準局員工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明（13) 於兩側之光學元件2 1及2 3係，例如，使用所謂距 離差法就可進行焦點伺服信號之檢測。此焦點伺服信號之 檢測，亦即對於由中央光學元件2 2之光碟射光記錄媒體 所構成之被照射部2之焦點狀態，就可由兩側之光學元件 2 1及2 3之受光量檢測，亦即，可由其受光部之光電二 極體P Di與P D3之输出差進行^ 具體上爲從中央之光學元件2 2之射出*LF在被照 射部2正好是焦點時，在兩側之光學元件2 1及2 3之返 回光LR之受光面積能夠變成相同，亦即，設定爲兩側之 受光量變成檢測輸出爲相同。像這樣做時，若從中央之光 學元件2 2之射出*LF在被照射部2，並非正好焦點時 ，對於一方之光學元件2 1與他方之光學元件2 3之各有 效領域之返回光LR2光點若變成一方大時則他方就變小 ，而一方變小則他方就變大，而在各光學元件2 1及2 3 從受光部之檢測输出力之大小將互相變化爲相反關係。 藉檢測此檢測输出之差值，例如，例如檢測出在從中 央之光學元件2 2之射出*LF之被照射部2之焦點狀態 ，而以此所檢測之信號可做爲焦點伺服信號。 在此，如圖4所示受光發光裝置，由於將各光學元件 所形成之半導體基板2 0對於被照射部2或收束手段3具 有斜後，返回光1^1*對於光電二極體之受光面呈傾斜射入 ，所以，增大由返回*LR之光點直徑，就可達成受光面 積與受光光量之增加。藉此，在上述兩側之光學元件2 1 ，2 3上之PD焦點伺服信號之檢測可更正確地進行。 (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) ό裳. 訂 d 本纸張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐） -16 - A7 B7 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 五、發明説明（14) 由於在此實施例之受光發光裝置，與由實施例1之受 光發光裝置同樣，將發光部與受光部形成於同一半導體基 板上，由於受光部形成於從被照射部之返回光之共焦點附 近，可縮小光學拾波器之大小，而光學零件之對準作業變 成簡單，又，可變成安定循軌伺服信號檢測等可獲得與實 施例同樣之效果。 於本實施例之受光發光裝置，並且在兩側之光學元件 可檢測焦點伺服信號，由於將傾斜半導體基板，返回受光 面能夠射入於返回光，所以可安定正確地增加受光童來檢 測焦點伺服之檢測。 並且，由複數個之受光部就可檢測光強度分布，所以 ，信號之資訊量增加，又可檢測各種信號》 在上述實施例，係成爲分別將發光部與受光部成爲複 數，獲得複數返回光，而分別循軌伺服信號，焦點伺服信 號等之檢測來使用之構成，但是，對於單一之發光部受光 部係成爲複數，分裂返回光而也可成爲各信號之檢測之構 成。此返回光之分裂爲可由繞射之分離或偏光分離等之方 法進行。 使用全息圓元件，由全息圖元件繞射分離返回光，再 以偏光子偏光分離爲透過光與反射光而分裂成複數光之構 成之例表示如下。 實施例3 於本資施例，如在圈5之光學元件之平面圖，圖6之 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )威格（2齡靖）-1? _ 309614 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（5) 光學元件之剖面圖所示，對於光學元件5 0，光結合元件 3 1 ，於在從此光結合元件3 1之半導體雷射LD所輸出 之射出*LF及返回*LR之波長，具有透明（即透過率髙 )材料之散熱片3 2，與形成於此透明散熱片3 2之全息 圖元件3 3及偏光子3 4所構成。 光結合元件3 1係在半導體基板3 6上，反射來自半 導體雷射L D與半導體雷射之水平諧振器3 7之射出光 LF2反射鏡3 8所成之發光部3 9 ，與複數之光電二極 體 PD〔PD0，PD!，PD2，PD3，PD4，PD5, PDe，PD7，PD8，PDe，PDf〕所成之受光部 4 0形成爲單塊（monolithic)所構成。 此光結合元件31之製造方法係與實施例1之光學元 件1 0之製造方法同樣，使用MOCVD等方法，在半導 體基板3 6上將形成構成半導體雷射LD，半導體雷射之 水平諧振器3 7，反射鏡3 8，受光部4 0之光電二極體 P D等。 上述之受光部係在圓7光結合元件31部之平面圖所 示，形成於反射鏡3 8側之半導體層之共焦點位置附近所 形成之一對光電二極體P DE，P DF與，在此一對光電二 極體PDE，PDF之兩側，亦即，沿著與水平諧振器長向 成直交方向之兩側，依序形成爲對照之光電二極體P D4 ，PD3，PD2群及光電二極體PD5，PDe，卩07群 ，與光電元件P Di，及P D2，與具有在再相向於反射鏡 3 8之諧振器端面3 7 A與相向於相反側之諧振器端面 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) Φ. d 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4规格（210X297公釐> -18 - 五、發明説明（16) A7 B7 3 7 B 之 半 導 體 層 » 從 諧振 器 端 面 3 7 Β受 光 後 方 射 出 光 而 將 ,ΧΛλ 刖 方 射 出 光 之 输 出 ΓΤΠ. 測 所 使 用 之 監測 用 光 電 二 極 體 P D .〇 所 形 成 〇 監 測 用 光電 二 極 體 P D 。係對於半導體雷 射 L D 夾 住 溝 4 2 相 向 設置 〇 從 各 光 電 二 極 體 Ρ D Ε Ρ D F P D Ο > P D ! P D 2 1 'P D 3 9 Ρ D 4 -P D 5 > P D β ，P D 7 j Ρ D 8 ' » 係 分 別 導 出 端 子 丁 P D Ε -Τ ρ D F T P D Ο ，Τ ρ D 1 9 Τ P D 2 ! T P D 3 ' 'Τ Ρ D 4. > Τ P D 5 . -Τ ρ D Θ ♦ T P D 7 ，丁 Ρ D 8 Ο 另 一 方 面 > 透 明 散 熱片 3 2 係 兼 做 光結 合 元 件 3 1 之 封 裝 體 » 其 封 裝 體 窗 9 與全 息 m 元 件 3 3及 偏 光 子 3 4 之 支 撐 基 板 > 將 整 體 裝 配 製程 變 成 分 批 製 程化 上 將 變 成 重 要 之 零 件 0 此 透 明 散 熱 片 3 2 對於 從 半 導 體 雷 射L D 所 成 之 光 波 長 不 僅 是 透 明 對 於 返 回光 也 必 須 爲 透 明， 例 如 * 可 使 用 經濟部中央樣準局貝工消費合作社印製 藍賫石，紅寶石，鑽石，氧化鈹，矽，S i 02等之材料 ，光結合元件3 1之特性，做爲散熱片之效果爲大，考慮 封裝體之成本上選擇最爲適當之材料。 又透明散熱片3 2係例如由平行平面板所成，如圖6 所示，其一主面，亦即安裝光結合元件3 1之面3 2 a形 成配線圖樣4 3，在延長於外部部分連接於配線圖樣4 3 形成信號取出用之電極組4 4所成。 並且，在此透明散熱片3 2之面3 2 a ，在對應於光 結合元件3 1之光電二極體PD4，PD 3群及光電二極體 P D 5，P D β，P D 7群之位置，分別例如形成了由線格 本紙張—" -19 - [ Q 訂 d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 經濟部中央揉準局貝工消费合作社印製 17 ---五、發明説明（） 柵（wire grid)所成之偏光子3 4〔 3 4 A，3 4 B ] ’又，透明散熱片3 2之其他面’亦即，於外接面3 2 b ，包括光結合元件3 1之光電二極體PDE, pDf在對應 能夠跨越光電二極體P D4，P D3，P d2群，光電二極 體PD5，PDe’ PDe群領域之位置，形成全息圖元件 3 3並且，將夾住外接面3 2 b全息圖元件3 3之兩側形 成反射膜46〔46A，46B〕（參照圖5及圖8)。 做爲配線圖樣4 3 ，可使用鋁，金或透明配線材等， 通常之配線材料等所形成。 光結合元件3 1係如圖6所示，其光之射出側上面能 夠對接於透明散熱片3 2之配線圖樣4 3，對於透明散熱 片32藉由接合經由軟焊層47〔47A，47 B〕貼合 ，接合。在此47A係配線用軟焊，47B係裝設於元件 3 1之外周之密封領域之密封用軟焊。又，4 9 a係表示 半導體雷射LD之電極及各光二極體PD之端子，4 9 b 係外周圍之密封用金屬。像這樣，光學元件，亦即，構成 光學拾波器5 0。 上述之受光部4 0之各光電二極體PD〔PDe， PDf，PDo，PDr PD2，PD3，PD4，PD5， PDe，PD7，PDe〕之形成係，在半導體基板上使用 離子注入或結晶成長等藉由形成Ρ η結合來進行。 茲使用圇9及圖1 0所示概略構成圖，來說明上述光 學拾波器5 0之製造方法。 如圖9 Α所示，準備做爲透明散熱片3 2之透明基板 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ο. 訂 d 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 經濟部中央樣準扃員工消費合作社印装 A7 B7 五、發明説明（18) (例如藍實石基板）3 2A，在成爲透明散熱片3 2領域 之一面3 2 a上分別形成所定之配線圖樣（例如金配線圖 樣）4 3及電極組4 4，而在配線圖樣4 3之連接部上及 外周圔上形成軟焊層47 〔47A，47B〕。 接著，如豳9 B所示，在透明基板3 2A之一主面 3 2 a之所定位置，澱積金羼膜之後，使用光刻之圖樣蝕 刻之方法等，形成由線路柵所成之偏光子3 4〔 3 4A ’ 34B〕。又，在其他主面32b之所需位置形成全息圖 元件3 3，並且，在夾住全息圖元件3 3之兩側所需位置 形成例如由鋁，金等之反射膜46〔46A，46B〕。 接著，如圖9 C所示，將製作成如上述之光結合元件 3 1 ，藉由結合在透明基板3 2 a之配線圇樣4 3經由軟 焊層47〔47A，47B〕貼合固定之。並且，雖然沒 有圖示，而視其需要將光結合元件3 1使用樹脂埋填，而 從外部環境保護。 接著，如圈1 0D所示，爲了能夠分離各光結合元件 3 1將透明基板3 2 A使用切割加以分割，就可獏得透明 散熱片3 2與光結合元件3 1成爲一體之光學拾波器5 0 〇 將此光學拾波器50，如圖10E所示，在絕緣基板 5 3上形成配線圖樣5 2所成之配線基板5 4上將光學基 板5 0之電極組4 4以電氣方式，機械方式接合而完成。 在上述構成之光學拾波器5 0，係從光結合元件5 1 之半導體雷射L D之射出光係在反射鏡3 8反射，而由透 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------Αν------IT-----d (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -21 - 經濟部中央標準局貝工消費合作社印装 A7 B7_ 五、發明説明（19) 鏡等收束手段收束，而照射於靥於被照射部2之例如光碟 或光磁碟。在被照射部2所反射之0次之返回光LRO，係 如圖8所示在全息圖元件3 3再分離爲+ 1次及-1次之 返回光 L κ+1, L 。 其中0次光L RO係射入於形成在共焦點位置附近之光 電二極體PDE，PDF。 + 1次及一 1次之返回光LR+1，係，首先，分 別由形成於透明散熱片3 2下面之各個線格栅所成之偏光 子3 4A，3 4B分別偏光分離爲2個偏光成分。 透過偏光子34A，34B之一方之偏光成分係分別 射入於光電二極體PD2，PD3，PD4群及光電二極體 PD5，PDe，PD7。 在透過偏光子3 4 A，3 4 B所反射他方之偏光成分 係，在透明散熱片3 2上面3 2 b之後射膜4 6A及4 6 B所反射，而分別射入於光電二極體P Di及二極體P De 〇 所以，各種信號係如下檢測之。 首先，關於循軌伺服信號係，做爲推挽信號將來自配 置於共焦點位置附近之光電二極體PDE，PDf之（ pde -，PDF)之差值信號做爲循軌伺服信號加以檢 測。此信號係與實施例1之情況相同，對於習知以遠視野 所取之傅號，對於光碟之變動，例如焦點之偏離’或光碟 之翘反，傾斜將變成強烈之安定信號。 除此之外，將從光電二極體P Di〜P D8之（p Di 本紙張尺度適用中國國家梯準（cns ) a4规格（2ΐ〇χ297公釐） [ -〇 t ,ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -22 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（2D) + P D 2 + P D 3 + P D 4 ) ( PD5+PDe+P P D 8) 信 號 做爲循軌伺 服 信 號 加以檢測亦可。 關於焦點伺服 信 號1 •將從光電二極體P P D 4 * P D 5〜P D 7之 ( P D 2+pd3— PD4) P D 6 + P D 7 ~ P D 5) 所 搜 得 之差動同心圖信號 關於光碟之RF信號，將從光電二極體PDi-PDe 之（PD1+PD2+PD4+PD5+PDe+PD7 + PDe)之信號做爲RF信號檢測。 又，在做爲光記錄媒體使用光磁碟之光學裝置適用此 光學拾波器5 0時，關於光磁碟之RF信號，使用線格柵 之偏光子3 4 A，3 4 B之透過反射特性進行偏光分離， 由光電二極體PDi〜PD4，PD5〜PDe之{ PD,— (PD2+PD3+PD4) } + { P D a- ( P D 5+ p 〇 e + PD7)丨之信號來檢測RF信號。 又，相向於半導體雷射L D之反射鏡3 8係相向於相 反側之諧振器端面3 7 B所形成之監視用光電二極M P D。之檢測信號做回餹等來調整半導體雷射L D之射出 光L F之輸出。 其他，關於循軌伺服信號，係（PD1+PD2 + P D 3+ P D 4) — (PD5+PDe+PD7+PD8)信號 也可檢測。 又，光電二極體PDa-PDa，或光電二極體PDs 〜p d8之任一方也可檢測各種信號之檢測。 但是，上述括弧內係表示從各對應之光電二極n之檢 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） II-----JQ------1-----d (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -23 - 303614 A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 21五、發明説明（） 測信號之和或差者。 藉此，與習知光學拾波器同樣可施加焦點伺服，循軌 伺服，也可獲得良好之記錄信號。 若依據有關於上述實施例之光學拾波器5 0，係由具 有單塊而平坦之光結合元件3 1與全息圖元件3 3及偏光 子3 4之透明散熱片3 2組合，全體而言可構成構成簡單 且平坦而可半導體製程（批次製程），並且，調整容易之 光學系》 全息圖元件之微妙調整係只有對準角度，並且，經由 使用透明散熱片3 2之封裝體窗形成可容易做高精度調整 之光學系。 因藉全息圖元件3 3將光路做部分分離，就可減少半導 體雷射L D之端面發光部之返回光，而降值半導體雷射雜 訊。 將平坦之偏光子3 4以半導體製程來形成，可容易且 以高S/N獲得記錄信號。 將半導體雷射L D之光射出於表側，由其表側之封裝 體窗係由透明散熱片3 2所構成，所以，降低半導體L D 熱電阻，而可確保半導體雷射L D之可獬性提升和熱性之 安定性。 因在透明散熱片3 2形成有配線圖樣4 3，所以，將 配線可分爲半導體晶片上與透明散熱片3 2上形成，而可 達成複雜之多層配線製程之簡化。 可提升使用軟焊之耐濕性等之可靠性，全體而言，沿 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度逋用中國國家梯準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -24 - A7 B7 經濟部中央橾隼局貝工消費合作杜印製 22五、發明説明（） 著劑處所就變少而可提升可靠性。 由光結合元件3 1與透明散熱片3 2可獲得小型輕量 之光學拾波器。 因具優異的光學系之安定性，而可獲得放音性能優異 之光學拾波器。尤其是可獲得優異的光結合元件3 1位置 之循軌伺服信號之安定性。 封裝體構造較習知相較而加以簡化所以製造容易，且 ，可低廉地供應。 按，線格柵之偏光子3 4係由於塗布或張貼高分子偏 光元件就可代用。 又，偏光子3 4係形成於透明散熱片3 2之下面，其 他也可形成於光電二極體PD之上面。 上述之各實施例係也可適用於光碟，相變化光碟，光 磁碟等之光記錄媒體記錄之讀出或進行書寫之光學裝置。 按，上述之實施例係本發明之一例，不脫離本發明要 旨之範圍可採取各種構成。 〔發明之效果〕 若依據本發明，返回到發光部之共焦點附近配置受光 部，尤其將發光部與受光部形成於同一基板上，可縮小光 學拾波器整體之尺寸，可減少光學零件之件數。藉此，可 達成受光發光裝置之小型化。 由於射出光與返回光會沿著同軸之路徑，所以，光學 系將變成單純，並且，對準位置之調整將變成簡單。並且 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
:裝 訂 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -25 - 309614 A7 B7 _ 五、發明説明（） 使用光束分裂器分裂之習知情況比較，可將返回受光部之 光之比率變大，而可增多受光量。 因此，以較低之雷射输出就可實現相同受光量，而可 獲得消费電力少之受光發光裝置。 由於在返回光之共焦點附近之受光，所以，較在遠視 野進行之情況可安定正確地進行推挽檢測，所以，可做到 安定之循軌伺服信號之檢測。又，此時配置複數個之受光 部，將返回光分裂時就可檢測焦點伺服信號等各種信號， 又，信號之資訊量就會增加。 將本發明，適用於做爲光碟，相變化光碟，光磁碟做 爲光記錄媒體使用之受光發光裝置，從較習知可達成低消 費電力化，裝置之小型化，信號檢測亦即再生或記錄之安 定化，所以，可實現性能優秀之受光發光裝置。 圖式之簡單說明 圚1係有關本發明之受光發光裝置一例之構成圖。 圖2係表示透鏡偏離與循軌伺服信號之偏位量之關係 之圖表。 圖3係表示光碟之傾斜與循軌伺服信號之偏位量之關 係圖表。 圖4係有關本發明之受光發光裝置之其他例之構成圖 〇 圖5有關本發明之受光發光裝置之其他例之光學元件 之平面圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） kt. I-1------10 裝II (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 d 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 -26 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（4) 圖6係圖5所示光學元件之剖面圚。 圖7係表示於圖5所示光荸元件中之光結合元件之平 面圖》 圖8係圓5所示用來光學元件之動作圖。 圖9 A圖5所示光學元件之製程圓。 B圖5所示光學元件之製程圓。 C圓5所示光學元件之製程圖。 圖1 0 D圖5所示光學元件之製程圚。 E圖5所示光學元件之製程圖* 圖1 1係表示有關本發明之光學拾波器系之光之反射 與繞射之模式圖。 圖12係表示習知之光學拾波器系之光之反射與繞射 之模式圖。 圖1 3係表示習知光學系之構成圈。 圖1 4係A，B在光碟上之照射光點之照射位置光點 與反射繞射之分布之關係之模式圖。 C表示照射光點中心之位置與受光部输出側之關係圚 表。 圖1 5光碟之反射繞射光之模式圖。 〔符號之說明〕 1 ，2 0 半導體基板， II-----0^—— (請先閲讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 訂 xt 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 27 - A7 B7 五、發明説明（25) 2 被照射部， 3 收束手段， 4 發光部， 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製
L D 半 導 ΟΛ 腰 雷 射 Μ 反射 光 > 5 受光 部 » 6 積體 半 導 聰 腰 層 L F 射出光， L R 返回光， Ρ D (Ρ D 0 P D Ρ D 2 Β ) 光 電 •~* 極 m. 11 1 0 ，2 1 y 2 2 » 3 1 光 結 合 元 件 » 3 2 透 明 散 熱 片 > 3 2 A 透 明 基 板 > 3 3 全 息 圖 元 件 > 3 4 ，3 4 A > 3 4 3 6 半 導 體 基 板 » 3 7 水 平 諧 做 器 * 3 7 A， 3 7 B 諧 3 8 反 射 鏡 > 3 9 發 光 部 4 0 受 光 部 * Τ P D E，Τ ρ D F » T P D 6，PDe，PDf，PD2 » 2 3 光學元件， B 偏光子， 振器端面， 。〜T PDe 端子， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -------------o^.------------ο (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -28 - A7 B7 五、發明説明（26) 4 2 溝， 43 配線（配線圖樣）， 4 4 電極組， 46，46A，46B 反射膜， 47，47A，47B 軟焊層， 49，49a，49b 端子， 5 0 光學拾波器， 5 1 光結合元件， 5 2 配線圖樣， 5 3 絕緣基板， II-----—I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 5 4 配 線 基 板 9 6 0 ，7 0 光 學 拾波器 6 1 ，7 1 物 鏡 > 6 2 ，7 2 光 碟 » 9 1 光 學 拾 波 器 9 2 半 導 腰 雷 射 > 9 3 平 行 光 4a6c 営 透 錐 ， 視 ， 9 4 光 柵 9 5 偏 光 束 分 裂 器， 9 6 1 / 4 波 長 板， 9 7 聚 焦 透 鏡 > 9 8 圓 简 透 鏡 9 9 受 光 元 件 1 0 0 光 碟 〇 訂 d_ 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 -