TW303485B - - Google Patents
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Description
經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A7 ---67 —_ 五、發明説明丨1 ) 憂之背景 本發明係有關一種在反應室之内部’以晶圓保持板支持 半導體晶圓’並在支持於該晶圓保持板之晶圓的下方,設 有加熱器’在加熱狀態下於晶圓表面進行氣相成長之氣相 成長裝置。 用技術之説明 每今爲止所使用之氣相成長裝置,例如係揭示於日本特 開平5-152207號中。此一氣相成長裝置,係以晶圓保持部 件支持晶圓’並利用配置於該晶圓保持部件下方之發熱體 進行加熱,而在晶圓表面形成氣相成長膜之氣相成長裝置 。例如’其係在基體之下面安裝朝上方延伸之中空圓筒禮 ,在其上端安装發熱體支持件。再者,於其上方配置姐狀 之反射板,於其内部收容發熱體,並在其上端安裝均熱板 。皿狀反射板之上端係位於均熱板之上方,此一上端處, 嵌固有環狀之晶圓保持板。該晶圓保持板之内周側形成有 埋頭孔’其内部配置有晶圓。 於此一氣相成長裝置中,反應室内係形成50·400 ^"之 減壓氛圍,由氣體導入口,係多量地導入二氣矽烷等之原 料氣體及氫氣等之攜帶氣體,如此進行氣相成長。此時, 晶圓係被1150ec左右之溫度加熱。 迄今爲止之氣相成長裝置中,加熱器之下側係設有鉬製 反射板,其對於加熱器會造成雜質污染,以致大幅降低加 ”,、器之壽命,疋爲其缺點。另一方面,當反射板係由SUS 或石英所形成之場合’在加熱處理後,以HN HF水溶液 ____ -4- ( CNS ) ( 2.0X29^57 I ^ 裝------訂--^丨~;--- (婧先M讀背面之注意ί項再填寫本頁) 經濟部中央橾準局員工消费合作社印装 A7 ----------B7 五、發明説明(2 ) 無法洗淨。這是因爲,HN〇3_HF水溶液會侵蚀反射板表面 所致。 y 發明之概要 、本發明之㈣,係在提供__種使用在加熱處理後,反射 效率不會低落至習用之程度的反射板之氣相成長裝置;此 反射板可因應必要由HN〇3 _HF水溶液洗淨而使其表面回復 到最初之平滑狀態,而改善反射效率。 本發明係以申請專利範圍第〖項所記載之氣相成長裝置, 解決上述課題。 於本發明中,反射板係由玻璃狀碳所形成,保溫筒係由 玻璃狀碳或石英玻璃所形成。當反射板由玻璃狀碳形成時 ,其表面係形成平滑狀態(所謂之「光亮」狀態),反射效 率良好。特別是當反射板之粗糙度設成Ra 〇 〇〇1〇 〇5#m時 ,反射效率會變得顯著。 即使因加熱處理導致反射板之表面變得不平滑,而降低 反射效率’惟因該反射板係由玻璃狀碳所形成,因此可簡 單地以HN〇3_HF水溶液洗淨其表面。如此,可使反射板之 表面再度成爲良好之平滑狀態。 本發明中所使用之玻璃狀碳,係外觀爲玻璃狀之硬質碳 ’例如,可由熱固性樹脂之固相碳化所生成。較佳之玻璃 狀碳’其容積密度係1.50-1.60 g/cm3,當容積密度未達丨.50 g/cm3時’反射板之氣孔會增多,以致反射效率低落。另一 方面,當該容積密度超過1.60 g/cm3時,則會變成不爲硬質 碳’以致易於產生粒子,而使得晶圓之生產率劣化。此外 本紙张尺度it财gjg)家料(CNS ) A4^ ( 2敷297公廣) I 1'^ ^--卜裝------訂--------{綵 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 3〇S485 五、發明説明(3 ) ’上述玻璃狀碳’其抗彎強度係1〇〇 MPa以上,當未達1〇〇 MPa時,在數百片之晶圓處理中,反射板會撓曲裂開。另 外,上述玻璃狀碳之電阻率係4000_4400 μΩ(;ιη,開氣孔率 係0.1%以下,蕭氏硬度係10〇以上,熱傳導率係5_1〇 w/m • K,如此才宜作爲反射板。 以下,茲就玻璃狀碳製之反射板的製法,以其一例説明 之。首先,將作爲原料之樹脂(例如呋喃系樹脂或盼系樹脂 等)形成一定之形狀,而後,在非氧化性氛圍中在9 〇 〇乇下 實施燒成,藉此可使樹脂形成爲玻璃狀碳。更具體言之, 係在對吱喃系樹脂添加0.1份聚合促進劑下進行聚合,將其 在模具内壓鑄成形。在將該樹脂以1 00X:以下加熱硬化後 ,進行一次加工。而後,於非氧化性氛圍中實施约100(rc 之一次燒成及約2000°c之二次燒成,在二次加工後,以金 剛石磨光將其研磨成鏡面。繼之,將其在自素系氣體氛圍 中,作2000°C以上之純化處理。 反射板,由反射效率之觀點而言,至少宜使其對向於加 熱器側之表面,形成爲Ra0.0(H-0_05jum之表面粗糙度,當 未達Ra 0.001 am之程度時,反射效率中無法顯現有意義之 差,且加工成本會成爲數十倍。當超過Ra 〇.〇5 jam時加熱處 理後之反射板的表面粗糙度降低,以致反射效率顯著地降 低。 實施例 以下,茲佐以圖面將本發明之實施例説明之。 於囷1中,基體10之下面上,安裝有朝上方延伸之中空圓 -6 - 本紙張尺度適用中國國家榡準(€阳)人4規格(2丨0,;<297公釐} f請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂 經濟部中央梂準局貝工消費合作社印裝 A7 B7 經濟部中央梂準局身工消费合作社印褽 五、發明説明(4 ) 筒體11,其上端安裝有加熱器支持件12。加熱器支持件12 上’介以絕緣棒1 3、反射板1 4及絕緣棒1 5安装有加熱件 16。反射板14,係由前述之玻璃狀碳所形成,由圖1可知 ,其係由圓板狀之底部、以及在其外周一體形成之圓筒狀 側部所構成,具有淺容器之形狀。中空圓筒體Π之下端, 係由蓋子1 8所關閉’中空圓筒體丨丨之内部,設有貢通蓋子 18接續於加熱器16之供電用配線17。加熱器16可急速加 熱至1000eC以上之高溫。 又’中空圓筒體11之周圍,設有將其包圍之中空轉軸2〇 ,中空轉軸20係藉軸承21以與中空圓筒體無關之方式,旋 轉自如地安装於基體1〇。中空轉軸2〇上安装有皮帶輪22, 可介以皮帶23由圖未示之馬達旋轉驅動。 中空轉軸2 0之上端’係藉由只表示一部份之鐘罩2 4延伸 至基體10之上面上方所形成的反應室25内,其上端係介以 鍵26固定有碳製之支持圓盤27。支持圓盤”上,以與支持 圓盤27可一體旋轉之方式安裝有石英玻璃、碳或陶瓷製之 支持環28。 、支持環2 8係包圍加熱器支持件12、反射板14及加熱器16 之外周,較加熱器16更向上方延伸。
支持環28之上端形成有階部31,階部31上嵌固有環狀之 :¾圓保持板32,晶圓保持體32之上面偏内周處形成之階部 内,係供保持晶圓W。由晶圓保持體32所 ,係被置成與加熱器16具有一定之間隔。〜圓W 支持環28之外周,同心狀地配置有與其具有—定間隙之 表紙張尺度適用中國 ----^------( ' 裝------訂----„---ί·ν . · - . (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明(5 圓筒狀的保溫筒40。保溫筒40係由石英玻璃或玻璃狀碳所 形成。 其次,茲説明上述氣相成長裝置之動作。 在對加熱器16供電進行加熱的同時,令中空轉軸2〇旋轉 ,而使晶圓保持體32及晶圓W旋轉。晶圓w與晶圓保持體 32係藉加熱器16加熱。 晶圓保持體3 2係以將間隔保持於一定値之方式支持晶圓 W,並由加熱器16所加熱,據此而將晶圓…之外周加熱, 抑制該外周之溫度降低’具有使晶圓W之中心以至外周爲 止之全區域’成爲均一之溫度分布的功能。 當將晶圓W急速加熱至一定之氣相成長溫度,例如丨〇〇〇 C以上時,係將反應氣體於圖1中自上方朝晶圓w流下,藉 此而實施氣相成長。此時,不只是晶圓w之表面,晶圓保 持體32之表面上也形成有氣相成長膜。作爲反射板之材質 ,將等向性碳與玻璃狀碳比較時發現,等向性碳之場合, 會產生塵埃,在第一片晶圓時,即不得不中止使用,而在 使用玻璃狀碳之反射板時,晶圓至少在一千片後,仍能使 用0 特別是800-1150°C爲止可作90秒之高速昇溫的氣相成長 裝置,若使用本發明玻璃狀碳製反射板,可使氣相成長膜 厚之產率提高。 _ 圖面之簡單説明 圖1係本發明實施例之概略斷面圖。 -8 - 本紙張尺度逋用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨〇X297公釐) ---^-----^裝------訂----^---C i (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
Claims (1)
- Α8 Β8 C8 D8申請專利範圍 1. -種氣相成長裝置,係在反應室之内部以晶 持晶圓,並在由上述晶圓保持體所支持之晶圓的下 置加熱器,而在加熱狀態下於晶圓表面進行氣 Z, 其特徵係在: 成長; 設有將上述加熱器之至少朝下的熱予以反 4、久射板 ’上述反射板係由玻璃狀碳所形成者。 2. 根據申請專利範圍第1項之氣相成長裝置,其中該反射 板之表面中,至少朝向上述加熱器之部份的表面,具有 Ra(K〇〇l-〇.〇5//m之表面粗缺度者。 3·根據中請專利範圍第丨項之氣相成長裝置,其中該加熱 器係可急速加熱至1 〇〇〇。(:以上之高溫者。 4·根據申請專利範圍第丨項之氣相成長裝置,其中該玻璃 狀碳,其容積密度係1.50-1.60 g/cm3,抗彎強度係100 MPa以上者。 5.根據申請專利範圍第丨項之氣相成長裝置,其中該反射 板係由圓板狀之底部及圓筒狀之側部所構成,在由此等 部份所形成之圓筒空間内,係配置有上述加熱器者。 I I n n I ( 裝 I mu J ^ ^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央揉準局貝工消費合作社印製 -9 - 本紙張尺度逋用中國國家榡準(CNS ) ( 210X297公釐)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO1998020521A1 (de) * | 1996-11-01 | 1998-05-14 | THEVA DüNNSCHICHTTECHNIK GMBH | Vorrichtung zur herstellung oxidischer dünnschichten |
US6416318B1 (en) * | 1999-06-16 | 2002-07-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Process chamber assembly with reflective hot plate and pivoting lid |
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US6740403B2 (en) | 2001-04-02 | 2004-05-25 | Toyo Tanso Co., Ltd. | Graphitic polyhederal crystals in the form of nanotubes, whiskers and nanorods, methods for their production and uses thereof |
JP3798721B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2006-07-19 | 東芝セラミックス株式会社 | 半導体熱処理用反射板およびこの半導体熱処理用反射板の製造方法 |
US20040033361A1 (en) * | 2002-08-06 | 2004-02-19 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho(Kobe Steel, Ltd.) | Component of glass-like carbon for CVD apparatus and process for production thereof |
JP3887291B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2007-02-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP5197030B2 (ja) * | 2008-01-16 | 2013-05-15 | 株式会社東芝 | エピタキシャルウェーハの製造装置及び製造方法 |
US20120244684A1 (en) * | 2011-03-24 | 2012-09-27 | Kunihiko Suzuki | Film-forming apparatus and method |
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SU608376A1 (ru) * | 1976-04-12 | 1979-02-05 | Государственный Ордена Октябрьской Революции Научно-Исследовательский И Проектный Институт Редкометаллической Промышленности "Гиредмет" | Устройство дл эпитаксиального наращивани полупроводниковых материалов |
JPH0687463B2 (ja) * | 1989-08-24 | 1994-11-02 | 株式会社東芝 | 半導体気相成長装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI401337B (zh) * | 2007-11-29 | 2013-07-11 | Nuflare Technology Inc | 氣相成長裝置及氣相成長方法 |
Also Published As
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