TW300322B - - Google Patents

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A7 B7 五、發明説明（ 發明背景 1. 發明領域 本發明係關於利用電子迴旋加速器共振（後文稱ECR) 之電漿沈積方法及其裝置。 2. 相關技術資訊 概略而言，半導體稹體電路之製法中，導體或非導髏 膜藉反複薄膜沈積操作與蝕刻操作而沈積至半導贈晶画上 ，故於其上形成所需積體電路。 鋁繞線主要用於積體電路之繞線圖樣，而Si 09或Si OF 薄膜用作絕緣繞線之層狀絕緣薄膜材料。Si 0,或51 OF薄膜 可藉ECR電漿方法（其組合撒波與磁場）形成而品質良好 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ‘裝. 訂- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第6圖顯示執行ECR霄漿方法之先前技術之電漿方法 裝置之範例。例如，2.45 GHz之撤波經由波導（未顯示出） 引進真空容器1，同時具預定強度G之磁場利用磁線圈10 施加。電漿生成性氣體，例如，氬氣和氧氧經由撤波與磁 場間之交互作用（共搌）轉成高密度電漿。反應性氣體， 例如，氫化矽或氟化矽氣體利用電漿活化形成離子種子而 臺（接受器）11上的半導髓於晶國W表面上同時接受噴鍍 蝕刻與沈積。噴鍍蝕刻與沈積操作（彼此逆向進行）經控 制使沈積就巨觀而言優於噴鍍蝕刻。 概略而言，ECR電漿方法中，來自射頻功率供應單元 12之13.56 MHz射頻負偏歷施加至（其上載有晶鬮之）臺 11，因此*儘可能大量正離子被吸引至晶鬪而放大噴鍍效 本紙張尺度遑用中國國家樣準（CNS ) A4规格（210X297公釐） 5 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印装 A7 _B7_______五、發明説明（2 ) 果。依序操作中，如第7圖所示，氣體首先於時間ta續入 真空容器1，而撤波和射頻籲壓於時間同時供應與施 加。如此，射頻偏壓因下列原由施加。當臺未接到任何偏 壓時，事先僅施行沈積，因此相當可能於鋁撓線形成空隙 。它方面，若Μ前述方式施加負镉壓，則沈積係與噴鍍蝕 刻同時進行，因此，鋁撓線緣部的沈積物主要受噴鍍蝕刻 影響，而此區之薄膜沈積受限。結果，介於鋁繞線間之內 隙前峰變寬，因此，沈積完全遮蓋深處部件，如此，確保 包埋有極少空隙。 若高逹，例如，13.56 MHz頻率之射頻偏壓施加至晶 圓W，則電子可循此頻率移動。然而，因電漿内的離子無 法遵循高頻移動，故電子堆積於於晶圓W表面上。當於晶 圓表面上被電子飽和時，需要某種位準的自偏壓，並於晶 圓W平面形成電位分布。 此種平面內之電位分布係由下列起因形成。如第8圖 所示，磁通並非均匀垂直於於晶圓表面，係距真空容器1 中軸一段距離展開。據此，於晶圓W周邊部的磁通垂直性 比較中心部差，因此，電子到達周邊部有延遲。另一先決 起因如第6圖所示，爲於接地钿之真空容器1未能完美面 對晶圖W。 然而，若平面内之電位分布於於晶圔表面上於，例如 ，鋁繞線上形成裝置之層狀絕緣薄膜不均勻’則某些情況 下，既存的絕緣薄膜，例如.電晶體之閘極氧化物膜，可能 因下列起因受損。因電晶髖基材於平面方向具有相同電位 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝·
iT 涑 本紙張尺度適用中國國家橾隼（CNS ) A4规格（210X297公釐） 6 I A7 經濟部中央標準局員工消费合作社印裝 〇003^2五、發明説明（3 ) ，故於薄膜沈積之初期，換言之，於鋁繞線實際暴露狀態 ，閛極氧化物膜受到對應於前述通過基材的電位分布之16 位差。 閛極氧化物膜之厚度極小，例如，50至100埃，而其 耐受電壓約10伏。因此，某些情況下，前述電位差超過耐 受電壓，故閘極氧化物膜終將劣化或故障。 如此，例如，藉習知ECR電漿方法形成！g絕续薄膜 時，閘極氧化物膜可能受損，故無法改良產品產率。 發明概述 本發明之一個目的係提供一種電漿沈積方法及其裝置 ，其中既存的薄膜，例如，閘極氧化物膜可防止於藉ECR 電漿方法形成絕緣薄膜時受損，故可改良產品產率。 根據本發明之一態樣，提供一種電漿沈積方法，利用 電子迴旋加速器共振將電漿氣體轉成電漿，並藉霉漿活化 反應性氣髏而於有待處理的基材上方沈積一層絕緣薄膜， 該方法包括下列步驟： 朝容納於真空容器的臺形成磁場，並將有待處理基材 支撐於其上； 於真空容器内供應具預定值之微波功率，經由與磁場 共同作用產生共振操作，因而將電漿氣體轉成電漿；及 於臺上施加偏壓射頻功率，而電漿將導向蹇，各步驟 中，偏壓射頻功率之位準於薄膜沈積之初期調整至第一值 ，而於薄膜沈積之初期後，調整至大於第一值的供霣漿導 入用之第二值。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装. 訂 i i 經濟部中央樣準局貝工消费合作社印製 A7 _B7_ 五、發明説明（4 ) 根據本發明之另一態樣中，提供一棰電漿沈積装置， 利用電子迴旋加速器共振將電漿氣髏轉成電漿，並藉電漿 活化反應性氣體而沈積一層絕緣薄膜於有待處理之基材上 ，該裝置包括： 一個真空容器，其有値供支撐有待處理基材於其中之 臺並維持大體真空； 磁場形成裝置*其係供朝向真空容器内之臺形成磁場 > 電漿生成性撒波功率供應裝置，其係供於真空容器内 供應具預定值之撤波功率，並經由與磁場共同作用而產生 共振操作，因而將電漿氣體轉成電漿； 電漿導入镝壓射頻功率施加装置，其係供施加偏壓射 頻功率至臺而將電漿導入朝向臺；及 控制装置，其係供控制電漿導入偏壓射頻功率施加裝 置，因而偏壓射頻功率之位準於薄膜沈積之初期調整至第 一值，而於薄膜沈積之初期後，調整至大於第一值的供電 漿導入用之第二值。 首先，電漿生成性氣髏和反應性氣體饋入真空容器内 ，電漿生成用之磁場和徹波功率施加於真空容器，而電漿 係利用ECR生成，此時5103或5101^薄膜，例如，形成於鋁 缜線上。 第一值可設定為防止沈積於基材上的閘極氧化物膜受 損。另外，第一值可設定爲零。 於薄膜沈積之初期，事先，調整施於臺之電漿導入用 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂 經濟部中央樣隼局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（5 ) 之射頻功率位準，例如，調整至零（第一值含零）。因晶 圓表面之自偏壓爲零（舉例），故晶圔表面之電位分布實 際上依電漿之電位分布而定。因為於平面方向之電漿電位 差至多低抵1伏，然而，施加於業己形成於晶圖上的閘極 氧化物膜之電壓夠低而不會損害既有的薄膜。 然後，於SiOa.SiOF薄膜沈積至數十塵米（nm)(舉例） 之少許厚度後，電漿導入用之射頻功率調整至正常功率位 準（第二值），並施於臺上。此時，生成密集各向異性電 漿，而於晶圓之平面方向形成對應於自镉壓之電位分布。 因為於晶圓表面上形成少許Si 〇a薄膜，例如，鋁撓線，然 而，施加至既存閘極氧化物膜的電壓被此種絕緣薄膜降低 。如此，可防止閘極氧化物膜受損。 根據本發明，如文中所述，既存的薄膜，例如，閛極 氧化物膜可防止於藉ECR電漿方法形成絕緣薄膜時受損。 又，此處所述薄膜沈積之初期非僅限於極薄的Si 〇8或 Si OF薄膜遮蓋於晶圔表面前的時期，且含Si OaSSi OF薄膜 的沈積進展至某棰程度，因而於電漿導入用射頻功率升高 至正常位準後可確保包埋而無空隙的時期。 圖式之簡單說明 第1圖為舉例說明根據本發明之電漿方法裝置之剖面 圖； 第2圖為舉例說明根據本發明之方法順序之時序圖； 第3A和3B圖為舉例說明基於本發明之方法，於薄膜沈 積初期*晶圖表面狀態之簡圈和曲線圓； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（21〇X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 1訂 Α7 Β7 經濟部中央標準局wc工消费合作社印裝 五、發明説明（6) 第4A和4B圖為舉例說明基於本發明之方法，於薄膜沈 積中期，晶圓表面狀態之簡圖和曲線圖； 第5A和5B圖為舉例說明根據本發明之另一具體例之方 法順序之時序圖； 第6圖為顯示先前技術之電漿方法裝置之示意剖面圖 第7圖為舉例說明先前技術之電漿方法装置之順序之 時序圖； 第8圖為舉例說明於晶圓表面上電位分布之簡圖； 較佳具體例之詳細說明 現在將參照附圖詳細說明根據本發明之具龌例之電漿 方法裝置。第1圖為霣漿方法裝置之示意剖面圖。如第1 圖所示，裝置包括一個步進真空容器2，其乃鋁等製。真 空容器2内部分成兩部分，一値於上側之電漿生成用之電 漿室21，和一個接到電漿室21底部供連通用的反應室22。 真空容器2於零電位接地。 真空容器2有値頂開口，其嵌合一掴透明窗23。透明 窗23為石英或若干其它可透射徹波的材料製，且利用密封 件24,如0形環氣密密封。如此，容器2内部可維持真空 。窗23外設有波導31，其接到撤波功率供應單元3，其係 供用作撤波功率供應裝置而產生，例如，2.45 GHz之電漿 。波導31用來導引撤波功率供應單元3内產生的撤波Μ， 故微波可通過透明窗23導入罨漿室21。 界定電漿室21之侧壁設有霣漿氣醱噴嘴41，噴嘴41Μ 本紙張尺度適用中國國家橾準（CNS ) Α4規格（21〇Χ：297公釐） 10 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝. 訂 旅 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 i A7 B7 五、發明説明（7 ) 固定間隔設於電漿室21周圍方向。噴嘴41接到電榮氣體源 (未顯示出），例如，氬氣和氧氣源，故電漿氣體，例如 ，氬氣和氧氣可均等饋入電漿室21上部。雖為簡化說明， 第1圖僅顯示兩値噴嘴41，但噴嘴41的實際數目更多。界 定電漿室21之侧壁被用作磁場產生装置的環形磁線圈25圍 繞。如此，可於電漿室21形成，例如，875 G之向下磁場B ，因而可滿足ECR電漿條件。可使用永久磁石替代磁線圈 25 〇 由於如此於電漿室21形成經控制頻率的撤波Μ和磁場B ，引進的氣髏經由微波Μ與磁場Β間之交互作用，受到前逑 頻率之共振，此時以高密度形成電漿。如此，本發明之裝 置為電子迴旋加速器共振（ECR>電漿方法裝置。 它方面，於反應室22設有鋁臺52,其用作接受器，利 用絕緣件51支撐於真空容器2底座。半導體晶圓W作為有 待處理物件，利用例如靜電卡盤53吸引而固定於臺52頂面 或軸承面。臺52例如設有陶瓷加熱器54，其係供加熱晶圓 W至預定溫度，推進銷（未顙示出）等。又，臺52接有射頻 功率供應單元61，其係供電漿導入通過阻斷電容器62,因 此，施加褊K而使離子侷限於晶圖W。 又，一片界定反應室22之側壁設有反應性氣體入口噴 嘴42,其係供將反應性氣體，例如）氫化矽或氡化矽氣體 引進反應室22,及設有一値氣密閘閥43。閘閥43可於晶圓 W擄進或攜出反應室22時打開，而使反應室22内部暴露於 外侧。另外，於真空容器2同邊方向可以固定間隔設有多 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4洗格（210X297公釐） 11 經濟部中央橾準局負工消费合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 値入口嗅嘴42,故氣體可均等賸進反應室22。於真空容器 2底座形成一値排氣孔26,其接到真空唧筒（未顯示出） 。如此，真空容器2内氣氛可通過排氣孔26均等排放。根 據本具體例之電漿方法装置又包括一傾控制單元7和一値 記憶髏單元71。控制單元7可控制微波功率供應單元3和 61以及搭接至氣體噴嘴41和42之閥VI，V2,和V3之開關操 作。記憶體單元71儲存装置等之操作順序程式。 玆參考第2圖之時序圖，描述經由使用前述具體例之 裝置形成，例如，Si 0,或5丨OF層狀絕緣薄膜之方法。 首先，打開真空容器2側壁上的閛閥43,而其表面上 有鋁繞線之晶画W利用轉運臂（未顯示出）安裝於臺52上， 並利用靜電卡盤53之吸引固定其上。 然後，關閉閘閥43而氣密封閉真空容器2，真空容器 2内氣氛通過排氣孔26排放至預定真空度。其後*如第2 圖之時序圖所示，於時間tl開啟閥VI，V2，和V3。此時， 電漿生成性氣體，例如，氧氣和氬氣經由電漿氣體嗅嘴41 引進電漿室21，同時，氫化矽或氟化矽氣體經由反應性氣 體入口噴嘴42引進反應室22內。如此，真空容器2内壓維 持於預定製程壓力。隨後，電漿生成用之撤波功率供應單 單元3於時間t2開動，此時開始於晶圓W上形成一層Si〇a 或SiOF薄膜。 來自微波功率供應單元3之電漿生成用2·45 GHz撤波 Μ被攜帶通過波導31到逹真空容器2頂部，並經透明窗23 進電漿室21。霣漿室21外側的磁線圈25產生的875 G磁場Β (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210X 297公釐） 12 -1 Ο - A7 B7 經濟部中央楳準局負工消费合作社印裝 五、發明説明（9 ，向下施加至電漿室21。磁場B和撤波Μ交互作用而誘生E( 霣場）XB (磁場 >，因此，引起電子迺旋加速器共振。共振 將氬氣和氧氣轉成較高密度電漿。引進反應室22的電漿離 子活化氫化矽或氟化矽氣體，其中之反應性氣體形成活性 棰子因此，沈積SiOaSSiOF薄膜於於晶圓表面上。 如第3A圖所示，經預定時間後，於時間t3,當鋁繞線 81表面被一層極薄的Si 0,或Si OF薄膜82 (厚約50nm)覆蓋時 ，來自電漿導入用之射頻功率供應單元61之，例如，13.56 MHz之2500 W之射頻功率（RF偏壓功率〉施加至蹇52。然而 ，本具髏例中，RF偏壓施加面積約320平方厘米左右，故 每單位面積的功率約為8 W/cm2。如此，電漿室21内產生 的電漿倜限於臺52,如第4A圖所示，當5丨03或51(^薄膜82 形成時，內隙83的前峰噴鍍有氫離子。當Si 0,或5丨0F薄膜 82逹預定厚度時，撤波功率供應單元3和61鼷閉，於第2 圖所示之時間t4，閥VI，V2，和V3關閉而中止氣體供應。 此条列順序控制操作係根據記憶體單元71之順序程式藉控 制單元7進行。 於薄膜沈積初期，換言之，根據本方法，於鋁繞線暴 露或形成5103或510卩薄膜狀態，電漿導入用之射頻功率未 施加至臺52,故不會損壞已於晶画W上形成的閘極氧化物 膜。此時，於晶圓表面上的電位分布依霣漿上的電位分布 而定。因於平面方向之電漿之電位差至多低抵1伏，然而 ，如第3B圖所示，於晶画表面上的電位分布亦小。如此， 施加至閛極氧化物膜之霄壓絕不會超過氧化物膜之耐受電 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） 13 — II — I 1^ n n I * 訂 ^ 成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 3003^2 A7 B7 五、發明説明（10 ) 經濟部中央標準局員工消费合作杜印製 壓，故閘極氧化物膜不會受損。 當於鋁嬈線81表面上形成具有某種厚度，例如，50ηιβ 左右之5102或510卩薄膜時，即使電漿導入用之射頻功率施 加至臺52，閘極氧化物膜也不會受損。特別，如前述，於 於晶圓W表面上產生自偏壓，因此，磁力線之垂直性於晶 圓W周邊部比較於中部更差。結果，電子到達周邊部有延 遲，故如第4B圖所示，於於晶圓表面上形成大體電位分布 。然而*業己形成於鋁繞線81表面上的Si 08或Si 0F薄膜作 爲保護性絕緣薄膜，故施加至閘極氧化物膜之電壓限於比 較鋁繞線暴露之情況更低值，絕不會超過氧化物膜的耐受 電壓。 如此，於薄膜沈積初期，薄膜係使用所謂的軟電漿而 未施加電漿導入用之射頻功率形成。鋁繞線81表面M Si 03 或Si OF薄膜保護後，施加電漿導入用之射頻功率，故薄膜 係使用密集各向異性電漿形成。因此，可進行滿意的包埋 而沒有空隙，且閘極氧化物膜不會受損。 此處所述於薄膜沈積初期，非僅限於極薄的Si 〇2或 Si 0F薄膜覆蓋於晶圓表面上之前的該段時間，而包含Si 〇a 或SiOF薄膜沈積進展至某種程度，故於電漿導入用之射頻 功率升高至正常位準之後，可確保包埋而無空隙。 經由根據前述具體例之方法施行的真實薄膜沈積，與 f Jii.，《*-.— W * 薄膜沈積（先前技術之方法）比較，後者係以電漿導入用 之射頻功率連同檝波功率共同供應之方式進行。此時指出 先前技術之方法約有5X閘極氧化物膜破裂，而本具體例之方 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 14 i i 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（u) 法則無。 藉此方式形成的絕緣薄膜非僅限於Si 03或Si OF薄膜， 而可為氦化矽膜等。雖然於根據前述具體例之薄的絕緣薄 膜形成前電漿導入用之射頻功率之位準為零（射頻功率供 應單元61關閉），但只要夠低，不會損害既存的閘極氧化 物膜，例如，1 W/cm»或以下，即無需必然為零。 又，於第2圖所示之時間t3,來自射頻功率供應單元 61之於13.56 MHz之2500 W射頻功率（RF褊壓功率）以脈衝 形產生，因而如前述施加至臺52。然而，功率升高方式非 僅限於第2圖所示方式，而可設計如下。特別，延遲電路 可整合入供電電路，然後，開關可於時間U打開。如此進 行時，例如，如第5A圖所示，射頻功率可具預定的時間常 數，且可極慢地增至2500 W。另外，如第5B圖所示，射頻 功率可Μ階梯形升高，一分鐘一階，而經一段預定時間後 ，可逹 2500 W。 此種情況下，欲防止閛極氧化物膜受損，較佳，延長 介於時間t3 (電漿生成用微波功率供應單元3和時間t2打 開）與時間t2(施加來自射頻功率供應單元61之電漿導入 用之射頻功率）間之時間，故於薄膜沈積初期沈積鋁繞線 81表面上的Si 08或Si 0F薄膜變更厚。然而，當如前述該段 時間延長時，噴鍍效果變弱，故可能於繞線形成空隙。因 此，比較於時間1：3即刻施加2500 W的射頻功率，如前述， 當於時間t3,來自射頻功率供應單元61之射頻功率係慢慢 升离時，於晶圖W平面形成的電位分布大醴平坦，如此確 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 15 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂. 4 A 7 B7 五、發明説明（12 ) 保包埋有較少空隙，並防止閘極氧化物膜受損。 如此處所述，根據本發明，既存的薄膜，例如，閘極 氧化物膜可防止因ECR電漿方法形成絕緣薄膜而受損。 雖已顯示並描述本發明之較佳具體例，但需了解本揭 示内容僅供舉例說明而絕非視為囿限如隨附之申請專利範 圍界定的本發明之範圍。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 装· 經濟部中央梂準局員工消費合作社印装 元件榡號對照 1 . ...真空容器 42 ——入口噴嘴 2 . ...真空容器 43 ....鬧閥 3 . ...撤波功率供應單元 51 ....絕緣件 7 . ...控制單元 52 ____蠆 10 ....磁線圈 53 ——靜電卡盤 11 .…塞 54 ——向瓷加熱器 12 ....射頻功率供應單元 61 ....射頻功率供應單元 21 ....電漿室 62 ——阻斷電容器 22 ....反應室 71 ....記憶體單元 23 ....透明窗 81 ....鋁繞線 24 ....密封件 82 ——Si0a.Si0F薄膜 25 ....磁線圈 B . ...磁場 26 ....排氣孔 Μ . ...撤波 31 ....波導 W .._晶圖 41 ....噴嘴 訂 本紙張尺度適用中國國家樣準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 16

Claims (1)

  1. 經濟部中央橾準局属工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 1. 一種電漿沈積方法，利用電子迴旋加速器共振將電漿 氣體轉成電漿，並藉電漿活化反應性氣體，而於有待 處理的基材上方沈積一層絕緣薄膜，該方法包括下列 步驟： 朝容納於真空容器的臺形成磁場，並將有待處理 基材支撐於其上； 於真空容器内供應具預定值之撤波功率，經由與 磁場共同作用產生共振操作，因而將電漿氣體轉成電 漿；及 於驀上施加偏壓射頻功率，而霣漿將導向臺，各 步驟中，偏壓射頻功率之位準於薄膜沈積之初期調整 至第一值，而於薄膜沈積之初期後，調整至大於第一 值的供電漿導入用之第二值。 2. 如申請專利範圍第1項之霣漿沈積方法，其中該第一 值係設定爲可防止沈積於基材上的閘極氧化物膜受損 之值。 3. 如申請專利範圍第1項之電漿沈積方法，其中該第一 值設定爲零。 4. 如申請專利範圍第1項之霣漿沈積方法，其中該絕緣 薄膜包含5丨〇8或51〇[?薄膜。 5. 如申請專利範圍第1項之霣漿沈積方法，其中該薄膜 沈積初期包含一段時間確保於鴒壓射頻功率增高後包 埋有極少空隙。 6. —棰霣漿沈稹裝置，利用笛子迺旋加速器共振將霣漿 本紙張从遑用中國國家樣率（CNS )八4胁（210X297公瘦） ^ _ 17 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂‘ .4 經濟部中夬揉準局負工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 氣體轉成電漿，並藉電漿活化反應性氣體而沈積一層 絕緣薄膜於有待處理之基材上，該裝置包括： 一個真空容器，其有値供支撐有待處理基材於其 中之臺並維持大體真空； 磁場形成装置，其係供朝向真空容器內之蠆形成 磁場； 霣栽生成性撤波功率供應裝置，其係供於真空容 器内供應具預定值之撤波功率，並經由與磁場共同作 用而產生共振操作，因而將電漿氣體轉成電漿； 電漿導入偏壓射頻功率施加装置，其係供施加偏 壓射頻功率至臺而將電漿導入朝向臺；及 控制裝置，其係供控制電漿導入偏壓射頻功率施 加裝置，因而偏壓射頻功率之位準於薄膜沈積之初期 調整至第一值，而於薄膜沈積之初期後，調整至大於 第一值的供電漿導入用之第二值。 7·如申請專利範圍第6項之電漿沈積装置，其中該第一 值係設定爲可防止沈積於基材上的閘極氧化物膜受損 之值。 8. 如申請專利範圍第6項之電漿沈積裝置，其中該第一 值設定爲零。 9. 如申請專利範圍第6項之電漿沈積裝置，其中該絕緣 薄睽包含SiOa或SiOP薄膜。 10.如申請專利範围第6項之霣漿沈積装置，其中該薄膜 沈積初期包含一段時間確保於偏壓射頻功率增高後包 埋有極少空陳。 本紙張尺度逍用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 18
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