JPS5980932A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPS5980932A JPS5980932A JP15780783A JP15780783A JPS5980932A JP S5980932 A JPS5980932 A JP S5980932A JP 15780783 A JP15780783 A JP 15780783A JP 15780783 A JP15780783 A JP 15780783A JP S5980932 A JPS5980932 A JP S5980932A
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- plasma
- potential
- substrate
- energy
- ions
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波放電により発生せしめたプラズマによる
処理装置に関し、主として半導体基板をプラズマ九より
デポジションまたはエツチング処理するための処理装置
に関するものである。
処理装置に関し、主として半導体基板をプラズマ九より
デポジションまたはエツチング処理するための処理装置
に関するものである。
本発明を説明するため、まず従来の高周波放電を用いた
プラズマ処よるデポジションおよびエツチングの方法と
その装置について説明する。
プラズマ処よるデポジションおよびエツチングの方法と
その装置について説明する。
第１図は高周波放電を用いたプラズマによるデボジン１
ン装置の構成図である。１なる放電管忙２なるガス導入
孔により適当圧の材料ガスを導入する。５は真空槽で図
示せざる真空排気糸により排気され、デポジションされ
る基板６は、保持板７に保持され、アース電位８に結線
されている。
ン装置の構成図である。１なる放電管忙２なるガス導入
孔により適当圧の材料ガスを導入する。５は真空槽で図
示せざる真空排気糸により排気され、デポジションされ
る基板６は、保持板７に保持され、アース電位８に結線
されている。
いま高周波発振器３と、これに誘導型に結合した放電コ
イル４により放電管１に高周波電力な印加すると、放電
管１内圧力が１ＯＴｏｒｒ程度の適当圧力であればこの
放電管内に無極放電をおこし放電プラズマ９を生成する
。いま放電ガスとしてシモノシラン（ＳｉＨａ）と窒素
（Ｎ２）を導入し。
イル４により放電管１に高周波電力な印加すると、放電
管１内圧力が１ＯＴｏｒｒ程度の適当圧力であればこの
放電管内に無極放電をおこし放電プラズマ９を生成する
。いま放電ガスとしてシモノシラン（ＳｉＨａ）と窒素
（Ｎ２）を導入し。
基板６を図示せざる加熱手段により３００〜４００Ｃ程
度に加熱丁れば基板上にシリコンナイトライド（ｓｔ、
Ｎ、）膜がデポジションする。
度に加熱丁れば基板上にシリコンナイトライド（ｓｔ、
Ｎ、）膜がデポジションする。
第２図に同じく他の従来のデポジション装置の構成図を
示す。図示せざる真空排気系にて排気される真空槽５に
は発振器３と容量型に結合した電ｔ１ｉ１０．１１が導
入され、１１は基板６の保持板を兼ねアース電位３に結
線される。ガス導入孔２１よ、す５１１．当’９１カッ
を、導入し放電プラズマ９を発生すれば基板６上に第１
図の場合と同様に所望物質をデポジシランすることが出
来る。
示す。図示せざる真空排気系にて排気される真空槽５に
は発振器３と容量型に結合した電ｔ１ｉ１０．１１が導
入され、１１は基板６の保持板を兼ねアース電位３に結
線される。ガス導入孔２１よ、す５１１．当’９１カッ
を、導入し放電プラズマ９を発生すれば基板６上に第１
図の場合と同様に所望物質をデポジシランすることが出
来る。
次に第３図は高周波放電を用いたプラズマによるエツチ
ング処理の場合の構成図である。真空槽５には、外側に
発振器３と容量型処結合した１１ｍ１０．１１が位置せ
しめられ、真空槽５の２３部の保持体７・の上に基板６
がおかれる。ガス導入孔２より１例えばフレオンガス（
ＣＦ、）や酸素（０，）ガスを適当圧に導入し放電プラ
ズマ９を発生せしめれば弗素イオンによりシリコン基板
やシリコン酸化膜がエツチングされる。
ング処理の場合の構成図である。真空槽５には、外側に
発振器３と容量型処結合した１１ｍ１０．１１が位置せ
しめられ、真空槽５の２３部の保持体７・の上に基板６
がおかれる。ガス導入孔２より１例えばフレオンガス（
ＣＦ、）や酸素（０，）ガスを適当圧に導入し放電プラ
ズマ９を発生せしめれば弗素イオンによりシリコン基板
やシリコン酸化膜がエツチングされる。
第４図は他の例を示し第３図に似た構成であるが、２枚
の容量型結合の電極１０．１１が真空槽５内に導入され
ている。一方のｔｆＭｌｏに処理基板６が取りつけられ
て保持され接地された一方のｉｉ極１１との間で導入さ
れた適当圧力の７レオンガスにより放電を起しプラズマ
９を発生すしめる。
の容量型結合の電極１０．１１が真空槽５内に導入され
ている。一方のｔｆＭｌｏに処理基板６が取りつけられ
て保持され接地された一方のｉｉ極１１との間で導入さ
れた適当圧力の７レオンガスにより放電を起しプラズマ
９を発生すしめる。
放電は高周波放電（数Ｍ〜数十ＭＨｚ）であり、かつ一
方の電極がアース電位でプラズマ９に接触しているため
、印加された高周波の波高に相当するエネルギーのイオ
ンが基板６に到着し、このため一般のスパッタリングを
起こ丁がまた放電ガスが反応性の場合１例えばエネルギ
ーをもった弗素イオンが基板と反応して反応性スパッタ
リングを起こし、基板をエツチングする。この場合の基
板が絶縁物であっても高周波印加のため支障はない。
方の電極がアース電位でプラズマ９に接触しているため
、印加された高周波の波高に相当するエネルギーのイオ
ンが基板６に到着し、このため一般のスパッタリングを
起こ丁がまた放電ガスが反応性の場合１例えばエネルギ
ーをもった弗素イオンが基板と反応して反応性スパッタ
リングを起こし、基板をエツチングする。この場合の基
板が絶縁物であっても高周波印加のため支障はない。
第５図は以上の第１図より第４図までの各種方式を容量
型結合の場合についてまとめ、Ｉ￥！ｆに基板に到達す
るイオンのエネルギーに着目したものである。
型結合の場合についてまとめ、Ｉ￥！ｆに基板に到達す
るイオンのエネルギーに着目したものである。
第５図において、３なる発振器、にを極１０と１１が容
量型結合しており、ｇＬ極の一方１１は、３に接地しで
あるものとするうまた真空容器５は絶縁材料により構成
され１図示せざる真空排気系により排気され、かつ図示
せざるガス導入孔より適当圧力ガスが導入され印加せる
高周波電力により放電し、プラズマ９を形成するものと
するう第５図囚は、放電形式としては第３図に相当して
いる。真空容器内に形成されたプラズマ９は外界と浮遊
電位にある。したがってデポジションの場合も、エツチ
ングの場合も、プラズマ９の内部エネルギー、つまり熱
エネルギーにて、真空容器内に挿入された同じく浮遊電
位の基板に到着する。
量型結合しており、ｇＬ極の一方１１は、３に接地しで
あるものとするうまた真空容器５は絶縁材料により構成
され１図示せざる真空排気系により排気され、かつ図示
せざるガス導入孔より適当圧力ガスが導入され印加せる
高周波電力により放電し、プラズマ９を形成するものと
するう第５図囚は、放電形式としては第３図に相当して
いる。真空容器内に形成されたプラズマ９は外界と浮遊
電位にある。したがってデポジションの場合も、エツチ
ングの場合も、プラズマ９の内部エネルギー、つまり熱
エネルギーにて、真空容器内に挿入された同じく浮遊電
位の基板に到着する。
第５図■は放電形式としては第２図および第４図に相当
する。この場合、一方の電極１１は、８において接地さ
れかつプラズマ９に接触しているため、プラズマの電位
はアースを位よりシースをへだてて、プラズマの内部エ
ネルギーＶ８に相当する電位となる。したがって第５図
の）の１１のアース側のｉｍｍに基板をおくと、デポジ
ションの場合もエツチングの場合もこのプラズマの内部
エネギーに相当するイオンエネルギーｖ８（通常約数Ｖ
以下）にてイオンが到着する。
する。この場合、一方の電極１１は、８において接地さ
れかつプラズマ９に接触しているため、プラズマの電位
はアースを位よりシースをへだてて、プラズマの内部エ
ネルギーＶ８に相当する電位となる。したがって第５図
の）の１１のアース側のｉｍｍに基板をおくと、デポジ
ションの場合もエツチングの場合もこのプラズマの内部
エネギーに相当するイオンエネルギーｖ８（通常約数Ｖ
以下）にてイオンが到着する。
一方第５図■の１０の高周波電極は、発振器３に結線さ
れているためいまこの発振器の出方電圧波形がＶｏｓｉ
ｎωｔ で表わされるとするとこの電極１０の電位にｖ
ｏｓＩｎωｔ゛で変化する。ここでｖｓは高周波の波形
の最高値、ωは角周波数、ｔは時間とする。この電極１
０もやはりプラズマ１０に接触はしているが１時間平均
を取ると、１０の電位は接地電位に等しい。したがって
１０へのＶｏｓｉｎωｔ の高周波印加を行っても、プ
ラズマ９の電位は平均としてＶＢに止まる。しかし、現
実Ｋ １ｉ［ｉ １０ ハＶｏｓ ｉ ｎωｔ で変化
するため、電極□０とプラズマ９との間のシースが増減
してプラス、と電極の間の電位差を保持する。したがっ
てｔ極１０の電位が−■。になった時最高（■ｏ十Ｖｓ
）のエネルギーでプラズマよりイオンが到着する。ｖ。
れているためいまこの発振器の出方電圧波形がＶｏｓｉ
ｎωｔ で表わされるとするとこの電極１０の電位にｖ
ｏｓＩｎωｔ゛で変化する。ここでｖｓは高周波の波形
の最高値、ωは角周波数、ｔは時間とする。この電極１
０もやはりプラズマ１０に接触はしているが１時間平均
を取ると、１０の電位は接地電位に等しい。したがって
１０へのＶｏｓｉｎωｔ の高周波印加を行っても、プ
ラズマ９の電位は平均としてＶＢに止まる。しかし、現
実Ｋ １ｉ［ｉ １０ ハＶｏｓ ｉ ｎωｔ で変化
するため、電極□０とプラズマ９との間のシースが増減
してプラス、と電極の間の電位差を保持する。したがっ
てｔ極１０の電位が−■。になった時最高（■ｏ十Ｖｓ
）のエネルギーでプラズマよりイオンが到着する。ｖ。
は通常数百ボルトの程度であるため、ｔ１ｉ！！！ｌｏ
上に保持された基板は最高数百ボルトのエネルギーのイ
オンが衝突する。したがって普通デポジションをする場
合は第２図のようにアース側の！極に基板を保持せしめ
てＶ のエネルギーでイオンを到着せしめ、スパッタリ
ングを行う場合は、高周波側の！極に基板を保持せしめ
て、（■８＋Ｖｏ）のエネルギーでイオンを到着せしめ
る。
上に保持された基板は最高数百ボルトのエネルギーのイ
オンが衝突する。したがって普通デポジションをする場
合は第２図のようにアース側の！極に基板を保持せしめ
てＶ のエネルギーでイオンを到着せしめ、スパッタリ
ングを行う場合は、高周波側の！極に基板を保持せしめ
て、（■８＋Ｖｏ）のエネルギーでイオンを到着せしめ
る。
第５図（Ｃ１の放電形式は一方の電極１１がアース電極
として真空構内にあり、プラズマ９と接触し。
として真空構内にあり、プラズマ９と接触し。
他方の高周波１！極１０は真空槽外に位置せしめられて
・（１）る。
・（１）る。
第５図■の場合と同じくプラズマを位はプラズマの内部
エネルギーＶ、に等しく、１１のｔＩｉＩＡ上へは■８
のエネルギーのイオンが到着する。他方の高周波電極１
０をみるとこれは図５■の高周波を極１０を、絶縁物で
覆い、プラズマと直接に接触しないようにした場合に等
しい。この絶縁物の表面電位はやはりｖｏｓｉｎωｔで
変化するためやはり最高（ｖｏ十Ｖ８）のエネルギーの
イオンが到着し、絶縁物をスパッタする。これが絶縁物
に対する高周波スパッタリングの原理である。第１図の
構成は第５図ｆｃｌの構成に類似したものと考えること
ができる。
エネルギーＶ、に等しく、１１のｔＩｉＩＡ上へは■８
のエネルギーのイオンが到着する。他方の高周波電極１
０をみるとこれは図５■の高周波を極１０を、絶縁物で
覆い、プラズマと直接に接触しないようにした場合に等
しい。この絶縁物の表面電位はやはりｖｏｓｉｎωｔで
変化するためやはり最高（ｖｏ十Ｖ８）のエネルギーの
イオンが到着し、絶縁物をスパッタする。これが絶縁物
に対する高周波スパッタリングの原理である。第１図の
構成は第５図ｆｃｌの構成に類似したものと考えること
ができる。
以上のように現有使用されている各種のデボジシ、ｙ装
置およびエツチング装置を考察すると、処理する基板へ
到着するデポジションまたはエツチングのイオンのエネ
ルギーが全くその時の装置条件により決まり、制御の困
難な量になっていることが見られる１例えば第１図、第
２図のデポジションにおいては、デポジションエネルギ
ーはプラズマ９の内部エネルギーｖｓによりきまり、こ
の内部エネルギーは、印加する高周波電力と放電のガス
圧力によってきまる。また第３図の構成ではエツチング
のイオンのエネルｉ−は熱エネルギーであり、第４図の
構成ではエツチングのイオンのエネルギーは高周波発振
の高周波電圧Ｖ。できめられこの高周波電圧は放電のた
めに必要な電圧である。
置およびエツチング装置を考察すると、処理する基板へ
到着するデポジションまたはエツチングのイオンのエネ
ルギーが全くその時の装置条件により決まり、制御の困
難な量になっていることが見られる１例えば第１図、第
２図のデポジションにおいては、デポジションエネルギ
ーはプラズマ９の内部エネルギーｖｓによりきまり、こ
の内部エネルギーは、印加する高周波電力と放電のガス
圧力によってきまる。また第３図の構成ではエツチング
のイオンのエネルｉ−は熱エネルギーであり、第４図の
構成ではエツチングのイオンのエネルギーは高周波発振
の高周波電圧Ｖ。できめられこの高周波電圧は放電のた
めに必要な電圧である。
他方、高周波数ｔＧｃより形成すれたプラズマより処理
基板に到着するイオンのエネルギーを制御し得る場合は
その効果はいちじるしいものと考えられる。
基板に到着するイオンのエネルギーを制御し得る場合は
その効果はいちじるしいものと考えられる。
デポジションの場合を考えると基板に熱運動エネルギー
で到着した場合、単に基板に耐着−ｆるに丁ぎない１基
板を加熱すれば、基板より運動エネルギーを得て基板上
を移動することが出きるが、デポジションの場合の基板
温度は素子製作上の制限のため出き得る限り低いことが
望まれろうイオンにエネルギーを与えて基板に到着せし
めた場合。
で到着した場合、単に基板に耐着−ｆるに丁ぎない１基
板を加熱すれば、基板より運動エネルギーを得て基板上
を移動することが出きるが、デポジションの場合の基板
温度は素子製作上の制限のため出き得る限り低いことが
望まれろうイオンにエネルギーを与えて基板に到着せし
めた場合。
ギのエネルギーの多くは単に衝突による熱エネルギーと
なるが、一部は（〜数％）基板上の運動エネルギーとな
り基板上を連動することが出きる。
なるが、一部は（〜数％）基板上の運動エネルギーとな
り基板上を連動することが出きる。
したがって一般のデボジクＷｙの場合、耐着せしめた膜
は基板上の段差や小孔に対しステヴプカノζレージの良
好な耐着膜を作成することが出きる。
は基板上の段差や小孔に対しステヴプカノζレージの良
好な耐着膜を作成することが出きる。
また基板と同一材料なデポジションした場合、基板に到
着した原子はこの運動エネルギーにより適当な格子点ま
で移動することが出きるため、かなり低い温度で結晶成
長を行うことが出きる。この到着せしめるエネルギーは
、あまりその値が大きいと基板に対し衝突による欠陥を
形成しまたスパッタリングを起したりするので数Ｖ〜数
十Ｖの範囲が適当である。
着した原子はこの運動エネルギーにより適当な格子点ま
で移動することが出きるため、かなり低い温度で結晶成
長を行うことが出きる。この到着せしめるエネルギーは
、あまりその値が大きいと基板に対し衝突による欠陥を
形成しまたスパッタリングを起したりするので数Ｖ〜数
十Ｖの範囲が適当である。
またエツチングの場合と考える第４図のような構成では
通常イオンは数百θＶのエネルギーで基板圧到着するた
めスパッタリングと同時九基板に結晶欠陥を起こす。特
に放電ガスに反応性のガス（フレオン等）を使用し１反
応性スパッタリングを起してエツチングを行う場合、イ
オンのエネルギーは数百Ｖは不要であり、またこのよう
な高い電圧では局所エツチングを行う場合のマスクがス
パッタによりエッチされて、困難を生じる。
通常イオンは数百θＶのエネルギーで基板圧到着するた
めスパッタリングと同時九基板に結晶欠陥を起こす。特
に放電ガスに反応性のガス（フレオン等）を使用し１反
応性スパッタリングを起してエツチングを行う場合、イ
オンのエネルギーは数百Ｖは不要であり、またこのよう
な高い電圧では局所エツチングを行う場合のマスクがス
パッタによりエッチされて、困難を生じる。
反応性スパッタを行う場合は、原則的にイオンエネルギ
ーは化学反応を促進せしめる値でよく、その値もまた数
Ｖ〜数十Ｖの程度が望ましい。
ーは化学反応を促進せしめる値でよく、その値もまた数
Ｖ〜数十Ｖの程度が望ましい。
以上の考察にみもれるごとく、高周波放電な用いてプラ
ズマを生起し、デポジションまたはエツチングを行う装
置において、イオンを基板上に数Ｖ−数十■の程度の制
御されたエネルギーで到着せしめることが出き得れば、
この処理工程に非常な進夛を生ぜしめることが出きる。
ズマを生起し、デポジションまたはエツチングを行う装
置において、イオンを基板上に数Ｖ−数十■の程度の制
御されたエネルギーで到着せしめることが出き得れば、
この処理工程に非常な進夛を生ぜしめることが出きる。
本発明は以上のような要望を満足丁べくなされたもので
あり、以下第６図以下を参照して実施例を説明する。
あり、以下第６図以下を参照して実施例を説明する。
第１の実施例は第６図に示すごとく第２図の構成に、新
たにプラズマを位を印加する電源１２を発振器３より高
周波電極１０への高周波電圧印加のための導線に結線し
たことである。この効果ケ第７図において示すと、第７
図囚は第６図の高周波ＩｔＩＬ極１０の電位をこのプラ
ズマ電位電源１２を結線してないか、或いはこの電源の
出力電圧が００時の様子を示す。高周波電圧は前述σ）
ごとくＶｏｓｉｎωｔにて最高士Ｖ。が、アース電位Ｅ
に対して印加される。しかし第７図囚に見られるとと（
、この電位は平均として、アース電位Ｅであり、９のプ
ラズマ電位は前述のごとく全体として、プラズマの内部
エネルギーＶｓであり、第６図の高周波電極１０には電
極が−ｖｏになった時これに対応して前述のごとく最高
（Ｖｏ十■８）のエネルギーのイオンが到着てるが、他
方のアース電位にある電ｔｉｌｉｉｌｌの上にのせられ
た処理基板６の上尾はｖ８のエネルギーのイオンより到
着しない。次に第６図に示すプラズマ電位ｔｉ１２によ
り高周波を極１０に正のプラズマ電位ｖ２を印加すると
、高周波の印加状態には変化なく第６図の）に示すよう
に平均として、前のアース電位ＥよりｖＰだけ電位レベ
ルが上昇した状態で高周波電力が印加される。この高周
波ｔａｉｉｌＯはプラズマに触れているためプラズマ電
位は全体として（Ｖ、 十Ｖ８）Ｋ上昇し、このため処
理基板６には（Ｖ、＋ＶＳ）のエネルギーのイオンが到
着する。
たにプラズマを位を印加する電源１２を発振器３より高
周波電極１０への高周波電圧印加のための導線に結線し
たことである。この効果ケ第７図において示すと、第７
図囚は第６図の高周波ＩｔＩＬ極１０の電位をこのプラ
ズマ電位電源１２を結線してないか、或いはこの電源の
出力電圧が００時の様子を示す。高周波電圧は前述σ）
ごとくＶｏｓｉｎωｔにて最高士Ｖ。が、アース電位Ｅ
に対して印加される。しかし第７図囚に見られるとと（
、この電位は平均として、アース電位Ｅであり、９のプ
ラズマ電位は前述のごとく全体として、プラズマの内部
エネルギーＶｓであり、第６図の高周波電極１０には電
極が−ｖｏになった時これに対応して前述のごとく最高
（Ｖｏ十■８）のエネルギーのイオンが到着てるが、他
方のアース電位にある電ｔｉｌｉｉｌｌの上にのせられ
た処理基板６の上尾はｖ８のエネルギーのイオンより到
着しない。次に第６図に示すプラズマ電位ｔｉ１２によ
り高周波を極１０に正のプラズマ電位ｖ２を印加すると
、高周波の印加状態には変化なく第６図の）に示すよう
に平均として、前のアース電位ＥよりｖＰだけ電位レベ
ルが上昇した状態で高周波電力が印加される。この高周
波ｔａｉｉｌＯはプラズマに触れているためプラズマ電
位は全体として（Ｖ、 十Ｖ８）Ｋ上昇し、このため処
理基板６には（Ｖ、＋ＶＳ）のエネルギーのイオンが到
着する。
プラズマ電位電源１２０ｉＥ電位ＵＰを変化せしめるこ
とにより任意のエネルギーにてイオンを制御した値にて
処理基板６の上に到着せしめ得る。
とにより任意のエネルギーにてイオンを制御した値にて
処理基板６の上に到着せしめ得る。
このようにして、デボジシ田ンまたはエツチングを所定
のエネルギーを有せるイオンにて、高周波プラズマ９の
中より基板６に到着せしめ、処理を行うことが出きる。
のエネルギーを有せるイオンにて、高周波プラズマ９の
中より基板６に到着せしめ、処理を行うことが出きる。
なおこの方法において、処理基板６は必ずしも電極１１
の上に位置する必要はなく、接地電位にてプラズマに接
触しておればよい。
の上に位置する必要はなく、接地電位にてプラズマに接
触しておればよい。
第２の実施例は、第１の実施例において高周波電極１０
が絶縁物で覆われている場合、９のプラズマに印加電位
■２が伝わらないために考案されたものである。第８図
にこの第２実施例を示すが。
が絶縁物で覆われている場合、９のプラズマに印加電位
■２が伝わらないために考案されたものである。第８図
にこの第２実施例を示すが。
これは、平行高周波電極１０．１１の間に新たにプロー
ぺ１３を挿入し、これをプラズマ電位電源１２によりプ
ラズマ電位Ｖ、を印加するものである。このブローぺは
プラズマ９に接触していればよくその形状は棒状、網状
等いづれでもよく、また挿入位置も必ずしも２枚のｔａ
の中心位置でなくても端部に位置せしめてもよい、ただ
プラズマ９に接触していることが必要である。このよう
にして、プラズマ電位を（ＶＰ＋ｖ８）にすることが出
き、処理基板６に所定のエネルギーのイオンを到着せし
め得る。なおこの方法において処理基板６は必ずしも１
！極１１の上に位置せしめる必要はなく、接地電位にて
プラズマに接触しておればよい。
ぺ１３を挿入し、これをプラズマ電位電源１２によりプ
ラズマ電位Ｖ、を印加するものである。このブローぺは
プラズマ９に接触していればよくその形状は棒状、網状
等いづれでもよく、また挿入位置も必ずしも２枚のｔａ
の中心位置でなくても端部に位置せしめてもよい、ただ
プラズマ９に接触していることが必要である。このよう
にして、プラズマ電位を（ＶＰ＋ｖ８）にすることが出
き、処理基板６に所定のエネルギーのイオンを到着せし
め得る。なおこの方法において処理基板６は必ずしも１
！極１１の上に位置せしめる必要はなく、接地電位にて
プラズマに接触しておればよい。
第３の実施例は第９図に示すごとく今までのアース電極
１１を絶縁し、新たに基板印加電源１４をこれと直列に
結線し、負電位（−Ｍ、）をｔＩｌｌｌに印加する構成
である。
１１を絶縁し、新たに基板印加電源１４をこれと直列に
結線し、負電位（−Ｍ、）をｔＩｌｌｌに印加する構成
である。
これによりプラズマ９より処理基板６に対し、（■８＋
ｖ８）のエネルギーのイオンな印加せしめ得る。但しこ
の方法は処理基板６が導電性でなければ有効でなく、基
板６が絶縁物の場合は電極１１には（Ｖ８＋Ｖ、）のエ
ネルギーのイオンが到着するが、絶縁物基板６には■８
のエネルギーのイオンより到着しない。またこの方法に
おいて処理基板６は必ずしも電極１１の上に位置する必
要はなく１例えば電極１１を接地し、処理基板を絶縁し
て、プラズマに接触せしめ、負電位（−ＶＢ）を印加し
てもよい。
ｖ８）のエネルギーのイオンな印加せしめ得る。但しこ
の方法は処理基板６が導電性でなければ有効でなく、基
板６が絶縁物の場合は電極１１には（Ｖ８＋Ｖ、）のエ
ネルギーのイオンが到着するが、絶縁物基板６には■８
のエネルギーのイオンより到着しない。またこの方法に
おいて処理基板６は必ずしも電極１１の上に位置する必
要はなく１例えば電極１１を接地し、処理基板を絶縁し
て、プラズマに接触せしめ、負電位（−ＶＢ）を印加し
てもよい。
以上のべたごとく、第１より第３の実施例のいずれかを
用いることにより、所定のエネルギーでプラズマ中より
イオンを処理基板に到着せしめることが出き有効なるデ
ボジシ冒ンまたはエツチングを行うことが出来る新しい
プラズｉ処理装置を提供することが出きる。
用いることにより、所定のエネルギーでプラズマ中より
イオンを処理基板に到着せしめることが出き有効なるデ
ボジシ冒ンまたはエツチングを行うことが出来る新しい
プラズｉ処理装置を提供することが出きる。
第１図、第２図は従来の高周波放電によるプラズマを用
（、またデボジシラン装置の構成図、第３図。 ８４図までの構成を動作原理より説明を行５ため３種に
分類した動作原理の説明のだめの構成図。 第６図乃至第９図は本発明の説明を示し、第６図図は同
じくプラズマに所定の電位を与えるための構成図、第９
図はプラズマに電位を新たに与えることな（、処理基板
上に所定のエネルギーでイオンを到着せしめる装置の構
成図である。 ｌ・・・放電管、２・・・ガス導入孔、３・・・高周波
発振器、４・・・誘導型結合放電コイル、５・・・真空
容器、６・・・処理基板、７・・・保持板、８・・・ア
ース電位結線。 ９・・・生成プラズマ、１０・・・容置型結合電極（高
周波１！極）、１１・・・容置型結合電極、１２・・・
プラズマ電位電源、１３・・・プローベ、１４・・・基
板印加電源。
（、またデボジシラン装置の構成図、第３図。 ８４図までの構成を動作原理より説明を行５ため３種に
分類した動作原理の説明のだめの構成図。 第６図乃至第９図は本発明の説明を示し、第６図図は同
じくプラズマに所定の電位を与えるための構成図、第９
図はプラズマに電位を新たに与えることな（、処理基板
上に所定のエネルギーでイオンを到着せしめる装置の構
成図である。 ｌ・・・放電管、２・・・ガス導入孔、３・・・高周波
発振器、４・・・誘導型結合放電コイル、５・・・真空
容器、６・・・処理基板、７・・・保持板、８・・・ア
ース電位結線。 ９・・・生成プラズマ、１０・・・容置型結合電極（高
周波１！極）、１１・・・容置型結合電極、１２・・・
プラズマ電位電源、１３・・・プローベ、１４・・・基
板印加電源。
Claims (1)
- １、容量結合型のプラズマ処理装置において、プラズマ
と被処理体間の電位差を制御するだめの直流バイアス発
生装置を有するプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15780783A JPS5980932A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15780783A JPS5980932A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマ処理装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14375276A Division JPS5368171A (en) | 1976-11-30 | 1976-11-30 | Method and apparatus for plasma treatment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980932A true JPS5980932A (ja) | 1984-05-10 |
| JPS6141132B2 JPS6141132B2 (ja) | 1986-09-12 |
Family
ID=15657713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15780783A Granted JPS5980932A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5980932A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147642A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Teru Saamuko Kk | プラズマ発生装置 |
| JPH01194421A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-08-04 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPH08213385A (ja) * | 1995-10-09 | 1996-08-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁膜形成方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62190428U (ja) * | 1986-05-23 | 1987-12-03 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP15780783A patent/JPS5980932A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147642A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Teru Saamuko Kk | プラズマ発生装置 |
| JPH01194421A (ja) * | 1987-12-01 | 1989-08-04 | Philips Gloeilampenfab:Nv | 半導体デバイスの製造方法 |
| JPH08213385A (ja) * | 1995-10-09 | 1996-08-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 絶縁膜形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6141132B2 (ja) | 1986-09-12 |
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