A7 B7 2^ϊ>υ 五、發明説明（1 ) 本發明係關於螢光體，尤關於提供顯示裝置之發光之 螢光膜，及使用該螢光膜之顯示裝置，尤其陰極射線管’ 電致發光元件及螢光顯示管。本發明又關於本身可發射光 線之發光型顯示裝置，尤關於資訊影像裝置及系統。 今後實施高精細電視（以後稱HDTV)廣播時’必 須使用投射型及直視型陰極射線管之高精細化技術。目前 廣播之電視機或視頻顯示器亦要求提高陰極射線管之特性 。尤其做爲大型影像顯示裝置使用之投射型陰極射線管必 須提高其解像度，及擴大視野角。但高精細化’及高解像 度化之結果，陰極射線管之畫面亮度降低，故必須提高蛋 光體之效率。高精細化，及高解像度化對陰極射線管以外 之發光型顯示裝置，例如電致發光元件及螢光顯示管亦爲 必須之條件8 有關投射型陰極射線管之亮度之提高主要係利用螢光 體之粒徑擴大及螢光膜厚度之加大達成。但如第9圖所示 ，這種膜厚會因膜構造所造成之光之散亂軌跡，使得外觀 上之電子線之光束直徑（發光點直徑）變大，解像度降低 。第9圖中，在面板7 1上形成有由直徑爲1 0 — 1 3 //m之螢光體粒子所構成，厚度9 4爲5 0 /xm之蛋 光膜72，而在螢光膜72上形成有Aj?反射膜9 1。具 有電子線直徑9 2爲1 1 0 之電子線經由Ap反射膜 9 1射入螢光膜7 2後，從面板7 1之螢光膜7 2側與相 反側表面射出時，其發光點之斷面9 5成爲如第9圖所示 的粗於射入之電子線，發光點直徑9 3成爲1 8 0 Mm。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 一 4 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝_ 、π 經濟部中央標準局員4消費合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（2 ) 亦於大於光束直徑9 2爲1 1 0 之射入電子線 7 0 »該7 0 ym之光束較大部份9 6係因螢光膜 7 2中之光散亂，及螢光體之亮度飽和而產生。第9圖中 ’ 9 7爲因螢光膜7 2中之光散亂及反射而形成之螢光軌 跡。 採用這種具有解像度降低之缺點之厚膜化技術之理由 爲，由於陰極射線管之激起電流密度之增大，使得螢光體 之實質效率降低。亦即由於螢光體之激起電流強度（對數 刻度）與發光強度（對數刻度）間之關係，使得其傾斜度 (電流係數）變成非直線性，發光強度之展現性鈍化（亮 度飽和）。這種電流係數之降低係目前之投射型陰極射線 管之重要課題之一。如第8圖所示，尤其高照射電流中之 藍色螢光體（ZnS : Ag)之藍色成份中之電流係數之 降低成爲問題。藍色螢光體之粒子直徑爲1 0 以上而 膜厚爲5 0 以上，故因光散而造成之光點直徑劣化亦 顯著的出現。隨著對高解像度化之要求之加強，爲了製造 高精細，高亮度陰極射線管，必須解決主要問題之電流係 數之降低，實現螢光體之小粒子化及薄螢光膜》 這種特性係直視型陰極射線管之綠色螢光體（Z n S :C u )亦共有之問題。隨著畫面之增大及高精細化，直 視型陰極射線管之每單位面積對螢光體之激起密度亦增加 。畫面增大後，電子線需要掃描之線寬度加大。因此，在 各發光點之電子束之滯留時間縮短，實質上之激起時間較 短，亦即高度降低。在大型畫面時，提高激起電流，並加 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -*
-5 - A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 五、發明説明（3 ) 強螢光體之激起而補償亮度之降低。改善亮度之一種方法 係與投射型陰極射線管相同的加大螢光體粒子之粒徑。但 如此，則解像度降低’畫面變成粗糙’畫面之均勻性降低 。加大螢光體粒子之粒徑後，i)可改善螢光體粉末之粒 子之結晶品質’ i i )發光中心擴散，丨丨丨）由於比表 面積之降低’表面缺陷之影彎減少。因此可提高粉末微結 晶之品質，可提高螢光面之亮度。 由以上說明可知，爲了更提高亮度’必須改善主要缺 點之電流係數。 解像度及亮度之降低之共有基本原因係電流係數r之 降低。提高電流係數r對於提高陰極射線管之亮度及解像 度最有效。 電流係數r係無次元，由假設螢光面之亮度B與因電 子線照射而產生之照射電流密度Ik之r方成爲比例時之 指數r表示，亦即 B I 上述習用技術中，並不改善電流係數7而利用螢光體 之粒徑擴大提高亮度。因此，並未充分考慮如何不降低解 像度而更加提高亮度。因此，需要有可抑制電流係數之降 低而可實現高解像度之螢光體材料及陰極射線管，以及自 發光型顯示裝置。 本發明之目的爲提供一種可解決習用技術之缺點，具 有高亮度及/或高解像度之螢光體，及使用該螢光體之高 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 -泉 ~ 6 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（4 ) 亮度及/或高解像度螢光膜，以及使用該螢光膜之高亮度 及/或高解像度顯示裝置，尤其是陰極射線管》 爲達成上述目的，本發明之螢光體係以厚度5 以 下之披覆層披覆構成粉末螢光體之各蛋光體粒子本體（視 需要而添加接受體（Acceptor))表面而構成。 披覆螢光體粒子之披覆層係由i )與披覆之螢光體粒 子本體相同之材料，i i )只包含該螢光體粒子本體之接 受體或給予體（Donor )，母體材料係與其螢光體粒子本 體相同之材料，i i i)與該螢光體粒子本體之母體材料 相同而不包含接受體及給予體之材料，i v )構成該螢光 體粒子本體之母體材料之至少1種元素之任一種所構成。 所謂母體材料係指構成螢光體而不添加接受體，給予體之 材料。 亦可在由i) ，i i)或i i i)所述之材料所構成 之披覆層外側形成例如非發光性薄膜，尤其S i 0 2， A j? 20 3等氧化膜做爲高耐性膜，形成雙重之表面披覆層 〇 披覆螢光體粒子表面之披覆層之厚度爲5 以下， 或1. 5；am以下，最好爲〇. 5vm以下。若披覆層之 厚度超過5 //m時，射入電子線射入螢光體粒子中心之量 顯著的降低，甚不恰當。若電子線之加速電壓爲2 5 -3 0 KV時，電子線射入披覆層及螢光體之距離爲3 — 5以m。假設披覆層之形成時間爲1小時以下時，披覆層 之厚度通常爲1 . 5 //m以下。披覆層之厚度下限不特另[j 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ~ -7 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· -β 泉 广 - - v 〇 A 7 〜 B7 五、發明説明（5 ) 的限制，只要可形成健全之原子層即可。若披覆膜形成技 術進步，則厚度之減少降低。 包括披覆層在內之螢光體粒子之粒徑可依照習用之粒 徑，但爲了顯示裝置之高解像度化，及高精細化，粒徑最 好爲8 V m以下，更好爲5 # m以下。粒徑之最小限度爲 1 //m。其理由爲，層疊螢光體粒子而形成螢光膜時之最 佳層數爲3〜4層，故爲了將螢光膜之膜厚設定爲大於電 子線之侵入距離之最小限度（3 // m )以上，必須設定爲 1 μ m以上之粒子直徑。該粒徑之最小限度係在電子線之 加速電壓爲2 5〜3 0 KV之時，可能因加速電壓之增減 或電子線激發以外之用途而稍微變化。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 螢光體粒子之代表性材料爲ZnS : Ag，Aj?， ZnS:Ag，C 芡，ZnS:Ag，Ga ，ZnS: Cu ，A义，ZnS : Cu ，Cj?。通常使用ZnS做爲 母體材料時，必須添加從由Cu，Ag，Au，Na及K 所構成之群中選擇之至少1元素做爲接受體，及從由Α又 ，Ga ，I η，CJ?，I及Br所構成之群中選擇之至少 1元素做爲給予體。亦可添加Tb，Tm，Sm，Ce及 Μη中之至少一元素做爲接受體。亦可不添加給予體。若 母體材料係使用包含稀土類元素之氧化物之材料時，則添 加從由Eu ，Tb ，Tm，Ce及Μη所構成之群中選擇 之至少一元素做爲接受體。 具有上述結構之本發明之螢光體中，以加速電壓2 5 Κ V以上之條件照射電子線而測定之電流係數<r之數值在 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） A7 B7 五、發明説明（6 ) 電流密度（以電子線照射面積除照射電流之數值）爲1 5 MA/cm2時以〇. 70以上爲佳，最好爲0. 75以 上，而在電流密度爲7 5 jwA/cm2時以大於〇 . 6 5 爲佳，最好爲0 . 7 0以上。本發明中，更佳之電流係數 r之數值爲0. 85以上。電流係數r之數值通常小於1 。若電流係數r之數值小於上述最小限度值，即不能達成 本發明之高亮度及/或高解像度之目的。 在基板上形成本發明之螢光體做爲螢光膜使用時，若 希望產生高解像度，最好將螢光膜厚度設定爲3 〇 //m以 下，最好爲2 5 /zm以下。但必須形成可產生必要亮度之 厚度。如上所述，本發明之螢光體之亮度高，故可將使用 該螢光體之本發明之螢光膜厚度設定爲小於習用厚度而提 高解像度。 將本發明之螢光膜做爲顯示裝置尤其陰極射線管之發 光膜使用，即可製造自發光型之高亮度及/或高解像度之 顯示裝置，尤其陰極射線管。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第6圖表示習用之螢光體之電流特性（螢光體之照射 電流密度與發光強度間之關係）6 1與本發明之螢光體之 電流特性62 ，63。如第6圖所示，依照本發明可實現 電流係數r高之螢光體。關於第6圖，將於後述之實施例 中詳細說明。 由以上所述，可瞭解本發明之螢光體之電流特性優異 之原因爲，因以披覆層披覆螢光體粒子而降低由於螢光體 粒子之缺陷而形成之陷阱準位之密度。第5圖表示習用之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -9 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（7 ) 螢光體之熱發光光譜51及本發明之螢光體之熱發光光譜 5 2 (在後述之實施例中詳細說明）。第5圖之熱發光光 譜表示在1 0 0°C以上之溫度時出現之螢光體粒子之缺陷 準位之密度因爲以披覆層披覆螢光體粒子表面而降低。由 此可知以披覆膜消滅螢光體粒子表面之構成元素之缺陷， 證明缺陷之修復作用。 亦即本發明之螢光體以添加於螢光體粒子本體之做爲 發光中心之成對之接受體及給與體之發光尖峰波長做爲監 視波長，其在激起紫外線後，從室溫昇溫而測定之熱發光 光譜中之1 0. 0°C以上之熱發光強度爲出現於室溫附近之 最初之尖峰強度之1/3。 修復這種螢光體粒子表面之缺陷之披覆層之構成材料 原理上亦可使用單元素。然而，爲了提高安定性，披覆層 係使用薄膜。該薄膜最好使用在低溫下形成之低缺陷膜。 本發明中，因缺陷而造成之陷阱密度之降低成爲一個 主要原因，可製成電流係數高之螢光體。 使用這種電流係數高之螢光體，即可實現高亮度，高 精細度之陰極射線管及自發光型顯示裝置。若使用具有電 導性披覆層之本發明之螢光體，即可製作壽命，安定性優 異之電致發光元件螢光顯示管。 最好不以披覆膜吸收螢光體粒子本體之發光光譜。爲 達成上述目的，必須將披覆膜之發光光譜，尤其主波長設 定爲與螢光體粒子本體之發光光譜，尤其主波長相同，或 高能量側（亦即短波長側）。因此，做爲披覆膜之螢光體 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X297公釐） ~ 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（8 ) 薄膜中之添加於螢光體母體中之發光中心之濃度最好低於 螢光體粒子本體中之濃度。具體言之，將披覆膜之螢光體 中之接受體及給與體之濃度（ZnS時爲Ag，Cu， A又等，其中尤其A 濃度）設定爲低於螢光體粒子本體 之濃度。然而以披覆膜吸收螢光體粒子本體之發光光譜並 非本發明之必要條件。 螢光體粒子表面之披覆層或螢光體薄膜之披覆又可抑 制因減小習用之螢光體粒徑而產生之發光效率之降低，又 可實現電流係數高之小粒子螢光體。因此，可實現電流係 數高之膜厚薄之螢光膜，可實現亮度高，解像度高之投射 型及直視型陰極射線管。將本發明適用於具有習用之粒子 直徑之螢光體，即可製造電流係數高之螢光體，可提供亮 度高之陰極射線管及顯示裝置。 本發明之螢光體因爲在螢光體粒子本體上形成薄膜， 故表面成爲澱積膜面，其表面較不設置表面薄膜時更粗。 本發明之螢光體可利用SEM (掃描型電子顯微鏡）確認 表面薄膜之存在。 欲使對高解像度化有效之小粒子直徑之螢光體成爲更 高效率化，必須減少隨著小粒子化而發生之非發光中心之 濃度增加。例如，因小粒子化而產生之比表面積之增加使 表面缺陷增加而陷阱準位密度增大，因而使非發光中心之 濃度亦增加而成爲亮度降低之主因’故最好降低表面缺陷 。習用之粒子徑之螢光體中’亦因有表面缺陷’故最好亦 同樣的降低。因此，在本發明中’在合成之螢光體粒子之 本紙張尺度適用中國國家^準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐] II--*-----「裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -泉_ A7 —__B7 _ 五、發明説明（9 ) 粒子表面披覆螢光體薄膜等所需之披覆層而防止表面缺陷 之形成。第1圖之上部表示披覆螢光體粒子本體表面之螢 光體之概略斷面圖。例如在直徑5 - 8 之螢光體粒子 本體1 1表面形成披覆層1 2而披覆。螢光體薄膜等披覆 層在利用氣相成長法等薄膜形成法單獨的形成時，可形成 其材料之本來之真密度之7 0 %以上之密度，故亦可承受 來自外部之能量照射（充填粉體而製成之材料之密度不可 能達到7 0 % )。然後，降低表面缺陷及改善結晶品質。 如第1圖之下部所示，使用該螢光體在任意基板1 4上形 成提供光線之例如厚度2 5 //m之螢光膜1 3 ，做爲顯示 裝置之發光部。以後說明本發明之螢光體，直視型陰極射 線管，投射型陰極射線管，及自發光型顯示裝置之實施例 〇 〔實施例〕 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本實施例中，於合成螢光體粒子1 1後，利用化學氣 相成長法（MOCVD法）在表面上披覆螢光體薄膜1 2 。此時使用之螢光體係在ZnS中添加Aj?( 250ppm)做爲給與體，及Ag (500ppm)做 爲接受體）而成之藍色發光之Z n S : Ag，Aj?螢光體 ，其平均粒徑大約爲1 1 。利用MOCVD法在該成 爲核心之螢光體粒子表面形成厚度大約3 /zm之Z n S : Ag ，Aj?薄膜（Aj? = 250ppm，Ag = 5 0 0 ppm)，製成表面披覆螢光體。此外，將螢光體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 12 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（10) 薄膜中之添加於螢光體之母體中之發光中心之濃度設定爲 低於蛋光體粒子本體中之濃度，即可將螢光體薄膜之發光 光譜變成與螢光體粒子本體之發光光譜相同或高能量側， 形成爲不以披覆膜吸收螢光體粒子本體之發光光譜之組合 。如此，可不降低電流係數高之螢光體之色純度使用。 以下說明具體之表面披覆螢光體之製作方法。首先， 本實施例中，係在合成螢光體粒子後，利用化學氣相成長 法進行表面披覆。本發明可適用於利用任何方法合成之蛋 光體。 以下說明本發明所使用之螢光體之製造方法》首先在 Z n S粉末中添加適當量之A g之硝酸鹽等包含A g之鹽 做爲給與體A g之原料。然後，再添加A 或C j?做爲給 予體。本實施例中A g之接受體量爲對Z n S母體1 g之 Ag爲5 0 0 # g ，而A义之接受體量爲對Ag接受體量 爲原子量比2. 0時。此時不添加做爲融劑之鹵化鹼等低 融點化合物。其理由爲不使用融劑時電流係數提高之效果 較大。在硫化周圍環境下合成如此製作之螢光體原料混合 物。硫化劑亦可使用例如硫黃粉末或二硫化碳等固體或液 體硫黃原料。本實施例中係使用硫氫氣體，而合成時間爲 2小時。此時，可製成將合成溫度設定爲1 2 0 0°C之六 方晶ZnS螢光體。 本實施例中，將如此製成之螢光體粒子做爲表面披覆 螢光體之核心，在螢光體粒子本體表面以MO CVD法形 成ZnS : Ag，Aj?螢光體薄膜。第3圖表示本實施例 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、vs '
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X 297公釐） 13 - A7 _______ B7 五、發明説明（11 ) 所使用之表面披覆裝置之概念圖。該表面披覆裝置係在準 備室內，於保持粉末之工模3 1中填充做爲核心之螢光體 粒子本體3 2，將工模3 1導入氣相合成室3 3中。箭頭 3 7表示工模3 1之導入，及取出方向。然後可利用真空排 氣裝置將氣相合成室3 3排氣，或可利用惰性氣體充分的 進行氣體置換。此外，爲了測定做爲工模3 1或核心之螢 光體3 2之溫度而具有溫度測定部3 4。爲了加熱成爲核 心之螢光體粒子本體3 2而在氣相合成室3 3又具有加熱 源3 5。氣相合成係從氣體噴嘴3 6導入原料氣體而進行 。在披覆表面時，將保持粒子之工模3 1從外部如箭頭 3 8所示的旋轉而消除因各螢光體粉末互相接觸而產生之 披覆薄膜之不均勻性。然而，在薄膜形成當中，若可使成 爲核心之螢光體本體移動，則即使利用旋轉以外之任何方 法，皆可產生充分之效果。形成薄膜時，亦可使用其他物 理蒸著法。即使不使其移動，仍可產生某一程度之效果。 首先，將六方晶ZnS : Ag，Aj?螢光體粒子大約 1 0 0 g填充於第3圖所示之石英製旋轉工模3 1 ，將旋 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 轉工模3 1搬入進行薄膜形成之氣相合成室3 3中。本實 施例中，排氣至大約lxl〇_4Pa。然後，以加熱源 3 5將試料之形成溫度加熱至3 5 0 °C並予以保持。然後 ，從氣體噴嘴3 6導入原料氣體於氣相合成室3 3內，開 始在螢光體粒子本體表面形成螢光體薄膜。鋅及硫黃之原 料氣體係分別使用二乙基鋅及硫化氫。硫化氫係使用氫做 爲載氣，以氫爲基礎稀釋成1 %之硫化氫。銀及鋁之原料 本紙浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2I0X297公釐） -14 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（12 ) 分別使用氯化銀及三異丁鋁。以氫做爲載氣將各原料同時 導入氣相合成室33，將薄膜形成速度設定爲大約1. 5 以m/h而進行2小時之成長。成長終了後，停止供給各 原料，進行真空排氣同時降低形成溫度後，取出試料。披 覆薄膜後，粉末中之Ag濃度與初期濃度相同，Z n S 1 g大約5 0 0 p pm，而披覆之薄膜中之Ag濃度亦爲 同一數值。製成之表面披覆螢光體之斷面構造成爲如第4 圖所示之構造。成爲核心之螢光體有六方晶Z n S螢光體 粒子41 ，而在其表面上形成有膜厚大約3之ZnS :Ag，Aj?薄膜螢光體42做爲披覆薄膜。各表面披覆 螢光體之平均粒子直徑大約爲1 7 Mm。 爲了確認各螢光體之結晶特性，以熱發光光譜評估缺 陷準位。第5圖表示測定本實施例之表面披覆螢光體之熱 發光光譜之結果。測定時，係以紫外線激起形成載體，填 埋全部陷阱後，將試料溫度從室溫以大約6 Κ/分之速度 昇溫至650Κ (377°C)進行。因爲溫度上昇，從陷 阱中放出電子及正孔而發光》成爲習用例之處理前之六方 晶ZnS : Ag，Aj螢光體之熱發光光譜5 1在室溫附 近330K(57°C)具有尖峰，又在450 (177 °C 至5 5 OK ( 2 2 7°C)之範圍內具有強度相同之尖峰。 本實施例之表面披覆螢光體之熱發光光譜5 2不能觀測除 了室溫附近之尖峰以外又具有同等強度之其他尖峰。如此 ，利用習用之熱發光光譜5 1觀測之強大尖峰（4 5 0 K 以上），因該表面披覆而可將其強度降低成室溫附近之尖 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝. 訂 ，泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 15 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（I3) 峰之1 / 4以下。如此，可改善螢光體之發光效率及電流 特性。 本實施例中使用之披覆螢光體層ZnS : Ag，Αβ 螢光體4 2與成爲核心之螢光體之六方晶2115:厶辽， AJ?螢光體粒子4 1之發光光譜重疊，故實用上不會發生 色調之變化等問題。 〔實施例2〕 然後，與實施例相同的使用六方晶ZnS : Ag， A又螢光體做爲螢光體粒子本體，使用不添加不純物之 Z n S做爲粒子表面披覆用螢光體薄膜，改變其利用 M〇 CVD法形成時之條件中之S與Ζ η之原料供給比， 製作表面披覆螢光體。原料供給比S/Z η係設定爲 〇. 5 > 1 . 0 > 2 . 0，5. 0而製作螢光體薄膜。所 使用之原料與實施例1相同。形成薄膜之時間皆爲1小時 。此時之形成溫度爲3 5 0 °C ^ 然後，爲了確認各條件下之表面披覆螢光體之結晶特 性’與實施例1相同的利用熱發光光譜進行缺陷準位之評 估。測定時’係與實施例1相同的在紫外線激起後，將試 料溫度以大約6 K /分之速度從室溫昇高至6 5 0 K而進 行。習用例之披覆膜形成處理前之六方晶ZnS:Ag, A j?螢光體之熱發光光譜在室溫附近3 3 0 K具有尖峰， 而在370K (大約l〇〇°c)以上，尤其在從450〜 5 0 〇 K之範圍內具有強度相等之尖峰。本實施例之各表 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. JMe 泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210X297公釐） 16 - Α7 Β7 ί 五、發明説明（14 ) 面披覆螢光體之熱發光光譜不能觀測室溫附近以外具有同 等強度之其他尖峰。如此，可知由習用之熱發光光譜觀測 之強大尖峰（450K以上）在任何表面披覆條件下皆可 將其強度降低至室溫附近之尖峰之1 /3以下。然而’其 降低現象在表面披覆螢光體中之S成分增加時顯著的出現 。本實施例之螢光體中，螢光體之發光效率可改善2 0% 以上。由實驗結果可知，即使形成S或Ζ η等單元素膜時 ，仍產生其效果。 本實施例所使用之披覆薄膜，亦即Z n S螢光體薄膜 對螢光體本體之六方晶ZnS : Ag，Aj?螢光體粒子之 發光光譜只在紫外領域具有發光帶，故對其可視領域，尤 其對具有藍色發光成份之六方晶ZnS : Ag，Aj?蛋光 體粒子之色調變化，在實用上並無問題》 此外，對於實施薄膜披覆處理時之形成溫度亦加以檢 討。關於形成溫度，在Z n S時做爲合成溫度之9 0 0 °C 以上之溫度時，相反的發光效率降低而不能產生滿意之效 果。因此，在Z n S之合成溫度以下進行薄膜披覆處理較 爲有效。在形成溫度時，由於Z n S之安定性，及容易形 成薄膜之溫度，在6 0 0°C以下之披覆薄膜形成溫度時， 可產生最佳特性》 本實施例中，形成表面薄膜前之螢光體粒子本體之直 徑爲大約lOem，表面披覆層之厚度爲1. 5/zm。 〔實施例3〕 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· -泉. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 17 - A7 B7 經濟部中央標準局負工消費合作社印製
五、發明説明（15 ) 利用以與實施例1相同之螢光體合成順序在合成溫度 900°C下產生之立方晶ZnS : Ag，ΑΘ螢光體做爲 螢光體粒子，螢光體薄膜係使用ZnS : Ag，Aj?薄膜 ，不添加不純物之Z n S薄膜，利用MOCVD法製作表 面披覆螢光體。原料供給比S/Z n S爲2. 0，使用之 原料與實施例1相同。各薄膜之形成時間皆爲1小時。此 時之形成溫度爲3 5 °C。螢光體粒子本體之直徑爲8 ，表面披覆層之厚度爲1. 5μηι。 第6圖表示測定本實施例之各表面披覆螢光體之電流 特性之結果。第6圖中，同樣的表示披覆處理前之立方晶 ZnS螢光體之電流特性61做爲習用例。ZnS : Ag ，A P表面披覆螢光體之電流特性6 2及Z n S表面披覆 螢光體之電流特性6 3在全電流領域超過披覆處理前之 ZnS螢光體之特性6 1。尤其ZnS : Ag，Aj?表面 披覆螢光體之電流特性6 2在低電流領域具有優異之特性 。然後，測定使用該螢光體之投射型陰極射線管之發光會g 量效率之電流係數r。在此，所謂電流係數r係指在某一 電流密度領域中，將發光能量效率（量子效率）近似成爲 與電流密度之r方時之r之數值，表示愈接近1其特性愈 佳。在此表示將測定照射電流密度在1 5〜1 5 Ο mA/ c m2之範圍內之照射電流密度與發光強度之關係之結果 ，以2個對數區劃予以直線近似所產生之數值。依照習用 法產生之立方晶Z n S螢光體之r值在低電流領域（1 5 vA/cm2)時爲0. 7，在高電流領域（150以A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝.
.1T -泉 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐y 18 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（I6) /cm2)時爲0. 65。然而’表面披覆螢光體時’分 別顯著的改善成爲0. 85’0_ 80(ZnS:Ag’ A芡披覆）及0. 75，〇_ 7(ZnS披覆）°由以上 結果可知，由於立方晶z n s蛋光體之表面披覆可提高 電流係數r值。因此’將該表面披覆螢光體做爲投射型陰 極射線管等在高電流照射之下使用之螢光膜’即可抑制高 電流領域時之亮度之降低’又可抑制因亮度飽和而造成之 解像度之降低。 第6圖表示做爲螢光體薄膜使用之ZnS : Ag ’ a义薄膜本身之電流特性6 4。該電流特性6 4具有從低 電流領域至高電流領域之電流係數r大約爲1之特性。在 成爲核心之螢光體粒子本體表面上形成具有上述特性之披 覆薄膜，即可顯著的改善螢光體之發光效率及電流特性。 〔實施例4 ] 其次，與實施例2相同的以立方晶Z n S螢光體做爲 螢光體粒子本體，利用MO CVD法在螢光體粒子上形成 其構成要素之硫黃（S)，及鋅（Ζη)之單元素薄膜。 所使用之原料與在實施例1中使用之S，Ζ η原料相同。 亦可使用上述原料以外之原料。各薄膜形成之時間皆爲 3 0分。此時之形成溫度爲4 5 0 °C »螢光體粒子本體之 直徑爲1 0 ’表面披覆層之厚度爲1 。 然後’爲了確認在各條件下之表面披覆螢光體之結晶 特性’與實施例1相同的利用熱發光光譜評估缺陷準位。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -19 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·
、1T 泉 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ___ B7 五、發明説明（Π) 測定時，係在激起紫外線後將試料溫度在大約6 K/分內 從室溫上昇至6 5 Ο K而進行。習用例之披覆膜形成處理 前之六方晶ZnS : Ag，Aj?螢光體之熱發光光譜在室 溫附近330K具有尖峰，而在從370K(大約 1 00 °C)以上，尤其450至500K內具有強度相同 之尖峰。然而，本實施例之各表面披覆螢光體之熱發光光 譜對室溫附近之尖峰其高溫側之其他尖峰之強度降低。尤 其以硫黃薄膜披覆之螢光體中未發現高溫側之尖峰。如上 所述，即使在該表面披覆條件下，亦可將以習用之熱發光 光譜觀測之強大尖峰（4 5 0 K以上）之強度對室溫附近 之尖峰降低至1 / 3以下。各螢光體之發光效率及電流係 數大約改善1 0%以上。因此，改善螢光體之發光效率及 電流特性之方法除了形成成爲發光中心之不包含不純物之 Z n S之表面披覆膜之外，亦可利用形成S或Ζ η等單元 素膜之表面披覆膜之形成達成。由上述結果可知，即使採 用組成偏離化學論組成之Z n S膜，亦可產生效果。 〔實施例5〕 本實施例中，合成螢光體粒子本體後，在基板上形成 由該螢光體粒子構成之薄膜，將之做爲螢光體本體膜，然 後利用MO C VD法在基板上之螢光體本體膜上以由 ZnS : Cu ，Aj?構成之螢光體薄膜披覆螢光體粒子表 面。原料氣體滲透於螢光體粒子體間。此時使用之螢光體 係在Z n S中添加AP做爲給予體，添加C u做爲接受體 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- -3 象. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（l8 ) 之發綠色光之ZnS : Cu，Aj?螢光體’平均粒徑爲 6 。利用MOCVD法在螢光體表面上形成大約 0. 5vm厚度之ZnS : Cu，A5而製成表面披覆螢 光體。 將螢光體本體之ZnS : Cu，Aj?螢光體分散於蒸 餾水中後，充分攪拌混合而製成螢光體分散液。以利用矽 酸鉀之凝集沈降法，使用該分散液在N i電鍍銅基板上進 行塗敷，製成大約5mg/cm2膜厚之螢光膜。在將該 螢光膜加熱至基板溫度3 5 0°C之狀態下，以0. 5em /小時之薄膜形成速度進行表面披覆。此時，根據在照射 電流密度爲1〜1 0 β A / c m2之範圍內測定之結果測 定直視型陰極射線管之電流係數r。此時之電流係數r在 披覆處理前爲0. 65，而表面披覆螢光體爲0. 70。 因此，將該表面披覆螢光體做爲例如直視型陰極射線管等 低電流照射之條件下使用之螢光膜時，亦可降低亮度飽和 。亦可使用其他接受體及給予體之組合取代此時使用之成 對之發光中心Cu_Aj?。 〔實施例6〕
本實施例中，從習用之螢光體粒子本體之合成階段開 始使螢光體活動，而在螢光體粒子之合成終了之同時形成 螢光體薄膜。螢光體粒子之合成溫度爲1 200 °C，形成 直徑8 以下之小粒子。此時使用之螢光體係在Z n S 中添加A 做爲給予體，添加A g做爲接受體之發藍色光 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 良 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明（l9 ) 之ZnS : Ag，A)?螢光體。利用MOCVD法在螢光 體粒子本體表面形成厚度1/zm之ZnS : Ag，Aj?薄 膜而製作表面披覆螢光體" 以下說明本實施例中使用之螢光體之製造方法。首先 在粒徑1 //m左右之Z n S粉末中添加Ag對Z n S母體 1 g之比例爲6 0 0 g之A g之硝酸鹽做爲給與體a g之 原料，A{之硝酸鹽對Ag添加量爲原子數比爲2. 0倍 做爲給予體A 。將如此製成之螢光體原料混合物在硫化 周圍環境內合成。此時，使用硫化氫氣體，合成時間爲2 小時，進行合成。此時，設定爲在合成溫度1 2 0 0 °C下 製成六方晶Z n S螢光體粒子。本實施例中，爲了減小合 成當中之螢光體間之接觸，將保持螢光體之工模經常旋轉 而進行合成。本實施例中，將如此製成之螢光體粒子本體 做爲表面披覆螢光體之核心，利用MO CVD法在該螢光 體粒子本體表面形成ZnS : Ag，Aj?薄膜。本實施例 中，在合成終了後連續的進行薄膜披覆。利用第3圖所示 之實施例1之表面披覆裝置實施螢光體之合成至薄膜之披 覆之作業。從1 2 0°C之溫度開始至進行薄膜披覆之溫度 6 0 0 °C以下爲止連續的導入反應氣體。此時，將披覆用 薄膜之形成溫度保持於4 0 0°C，而形成時間爲1小時。 依照上述順序合成之表面披覆螢光體之平均粒子徑在 旋轉數爲0. 5rpm時爲8vm，在旋轉數爲 5 0 r pm時爲5 。與利用習用之裝置合成之粒徑 1 3 比較，可實現大約1/2以下之小粒子化。然而 本紙張尺反適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ~ -22 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 -良 B7 五、發明説明（2〇 ) ，若可在合時使在薄膜形成當中成爲核心之螢光體粒子活 動，則即使用採用旋轉以外之任何方法仍可實現螢光體之 小粒子化。在以融劑等合成小粒子螢光體後實施薄膜披覆 亦非常有效。 爲了確認螢光體之結晶特性，利用熱發光光譜評估缺 陷準位。習用之小粒子螢光體在3 7 Ο K以上具有強大熱 發光光束。然而，在本實施例之5 //m及8 /zm粒徑之表 面披覆螢光體之熱發光光譜時，這種高溫尖峰皆減弱其強 度。 然後，使用上述螢光體製作如第7圖所示之7吋投射 型陰極射線管之螢光膜光幕7 2，進行其解像度之實球試 驗。以如下之順序形成蛋光膜光幕7 2，使用與實施例4 相同的調製之混合螢光體分散液，以使用矽酸鉀之凝集沈 降法塗敷在具有漏斗7 4之7吋玻璃面板（亦即面板） 經濟部中央標準局員工消費合作社印袋 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 7 1上，製成大約5mg/cm2之螢光膜7 2。又經過 成膜及形成鋁背7 3之過程後，在頸部7 5裝設照射電流 (IK)爲〇. 5mA時之點徑爲〇·11mm之電子鎗· 7 6，製成投射型陰極射線管》在該陰極射線管上，以加 速電壓3 0KV，照射電流〇. 5mA，照射面積1 〇 2 X 7 6 mm2之條件照射電子線而定亮度及解像度。與使 用無表面披覆之8em粒徑之立方晶ZnS : Ag，Aj? 螢光體時比較，此時之亮度改善成爲5 jf/m粒徑之Z n S :Ag，Aj?表面披覆螢光體1 〇〇%，8；tzm粒徑之 ZnS : Ag，Aj?表面披覆螢光體1 1 5%。其理由爲 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -23 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（21 ) 因改善亮度飽和而提高亮度。其解像度在電子線徑爲 0. 11mm時，依照習用裝置其發光點徑擴大成 0. 18mm，但依照本實施例之5/zm粒徑（膜厚15 〜1 8"m)及8"m粒徑（膜厚2 5〜28em)之 Z n S : Ag，Aj?表面披覆螢光體，其發光徑分別縮小 爲0. 13mm，0. 17mm。其p由亦爲因螢光體之 小粒子化及亮度飽和而減小解像度之劣化。螢光體膜厚大 多形成爲螢光體粒子徑之3倍。習用之小粒子螢光體之亮 度降低非常嚴重，但依照本實施例之表面披覆螢光體，可 提供亮度，低亮度飽和之螢光體，可實現高解像度陰極射 線管。以後之HDTV用螢光膜必須實現發光點徑爲 0. 17mm以下，最好爲0. 15mm以下之解像度。 依照本實施例，可使用8 Mm之粒徑，及6 之粒徑之 螢光體實現上述解像度。依照目前之螢光膜形成技術，可 在基板上形成均勻螢光膜之膜厚之極限爲1 0 。若可 將膜厚形成爲更接近0，則可更提高解像度。 〔實施例7〕 本實施例中，使用Y2〇3: E U ’ Y3Aj?3Ga2012: 丁1^及丫23 i 05: Tb 等做爲螢 光體粒子本體，在各螢光體粒子表面上形成氧化物披覆層 而進行表面披覆。爲了實施表面披覆，利用濺射法做爲薄 膜形成法。 第1 0圖表示本實施例中使用之濺射裝置之結構。將 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 一 24 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝- 訂 A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ Vl 0 1 對 向 電 極 1 0 1 橫 倒 而 設 置 靶 1 0 2 0 將 做 爲 螢 光 體 本 B03 體 1 1 之 螢 光 體 粒 子 1 0 3 填 充 於 石 英 製 工 模 1 0 4 中 在 上 部 1 1 裝 設 帽 蓋 1 0 5 〇 在 工 模 1 0 4 下 部 裝 設 螢 光 體 粒 子 1 I 請 1 I 1 0 3 不 能 通 過 之 濾 器 1 0 6 在 帽 蓋 1 0 5 上 設 置 成 先 閱 1 | 爲 氣 體 US. 通 道 之 孔 而 在 該 位 置 裝 設 過 濾 器 〇 石 英 製 工 模 漬 背 Λ ί I 0 之 1 1 4 可 從 其 外 部 導 入 氣 體 ( 例 如 氬 氣 ) 而 使 蛋 光 體 粒 子 注 意 1 1 1 0 3 漂 浮 〇 導 入 氣 體 之 構 造 爲 可 控 制 氣 體 壓 力 及 流 量 而 事 項 再 1 1 調 整 流 速 之 配 管 〇 成 爲 核 心 之 螢 光 體 粒 子 本 體 1 0 3 在 石 填 窝 本 k 英 製 工 模 1 0 4 中 由 惰 性 氣 體 或 氧 氣 賦 與 適 當 之 活 動 0 測 頁 '—-- 1 1 射 靶 1 0 2 係 使 用 Y 2 〇 3 A 9. 2 〇 3 G a 2 〇 3 及 1 1 S i 〇 2 ( 配合成爲核心之螢光體粒子本體] L ( )3更換靶 1 1 1 0 2 〇 濺 射 時 從 靶 1 0 2 跳 出 之 活 性 元 素 衝 撞 在 石 英 中 訂 I 漂 浮 之 螢 光 體 粒 子 1 0 3 而 在 其 表 面 上 形 成 適 當 之 薄 膜 〇 1 1 I 螢 光 體 rt\7. 粒 子 1 0 3 因 氣 體 壓 力 而 活 動 形 成 均 勻 之 薄 膜 披 1 1 I 覆 層 〇 1 第 1 0 園 圖 中 1 0 7 爲 氣 體 πϋ 導 入 部 1 0 8 爲 真 空 排 良 1 氣 埠 〇 1 1 本 實 施 例 中 披 覆 層 披 覆 刖 之 螢 光 體 IUZ. 粒 子 之 直 徑 大 約 1 I 爲 8 β m 披 覆 層 之 厚 度 爲 1 β m 〇 1 I 如 此 製 成 之 表 面 披 覆 螢 光 體 係 在 Y 2 〇 3 E U 螢 光 體 ns. 1 1 I 粒 子 本 腫 表 面 上 形 成 Y 2 〇 3 薄 膜 在 1 Y a A 3 G £ 1 2 〇 12 T b 螢 光 體 表 面 上 形 成 Y 2 〇 3 1 1 A 2 〇 3 G a 2 〇 3 之 均 匀 混 合 薄 膜 及 Y 2 S 0 5 : 1 1 T b 螢 光 體 ruz. 表 面 上 形 成 Y 2 〇 3 S i 0 2之均勻混合薄膜 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐〉 -25 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 _ 五、發明説明（23 ) 之構造。形成均勻混合膜時，係將各氧化物之混合物做爲 靶。各瑩光體皆改善亮度飽和大約2〜4%。其他螢光體 材料中，只要在其成份內含有可由薄膜過程形成之分子， 則本發明可適用於任何螢光體材料。 〔實施例8〕 本實施例中，使用ZnS : Cu ，Αί及ZnS : A g，A β做爲螢光體粒子本體，在各螢光體粒子表面上 形成低電阻化（亦即導電性）之同種螢光體薄膜而進行表 面披覆。此時，與實施例7相同的採用濺射法做爲表面披 覆之薄膜形成法。濺射靶係使用ZnS : Aj?。將成爲核 心之螢光體粒子本體依照各材質填充於石英工模內，使在 濺射時從靶中跳出之活性元素衝撞漂浮於其中之螢光體粒 子而在其表面上形成適當之薄膜。螢光體粒子因氣體壓力 而活動，同時形成均勻之薄膜披覆層。Z n S : Aj面電 阻值低於Z n S之Μ Ω級之電阻值1位數或2位數，大約 爲1 Ο Ο ΚΩ。本實施例中，表面披覆層形成前之螢光體 粒子之直徑爲5 //m，表面披覆層之厚度爲0. 5//m。 如此製成之表面披覆螢光體係在ZnS : Cu，Αβ 螢光體表面上形成ZnS : ΑΘ薄膜，在ZnS : Ag， Aj?螢光體表面上形成ZnS : ΑΘ薄膜之構造。各螢光 體不但其以上所述之由高電壓加速之電子，即使5 KV以 下之電子線亦充分的改善亮度及亮度飽和。因此，使用上 述表面披覆螢光體做爲具有低電阻值之螢光膜之粉末型電 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS )八4規格（210X297公釐） ---·-----「裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 B7 五、發明説明（24 ) 致發光（（EL)元件及螢光顯示管之螢光膜。粉末EL 時，係在玻璃基板上形成透明電極後，均勻的塗敷包含 ZnS : Cu，Αβ表面披覆螢光體之有機黏合劑而將之 乾燥。然後，形成Α Θ薄膜做爲金屬電極，在電極施加電 壓。如此可發出綠色E L光》尤其具有優異之壽命安定性 ，其半衰期爲1萬小時以上。同樣的將ZnS : Ag， A又表面披覆電阻螢光體適用於螢光顯示用螢光膜。如此 ，可減小習用技術之缺點之陰極因硫黃成份之脫離而劣化 之問題，可製成安定性優異之藍色光。如此，將本發明之 表面披覆螢光體之一部份適用於本身提供光線之發光型顯 示裝置中做爲螢光膜或活性層非常有效。 〔實施例9〕 第2圖表示本實施例之表面披覆螢光體之雙重披覆構 造之斷面圖。在第1圖所示表面披覆螢光體（將螢光體粒 子本體2 1表面以披覆層2 2披覆而成之螢光體）之表面 上又形成非發光性薄膜2 3，即可更加改善對激起源之耐 性。這種構造可防止亮度及電流係數降低，可提供更提高 表面披覆螢光體之壽命，可靠性高之陰極射線管，及顯示 裝置。 雙層披覆層之內側層只要使用以上所述之披覆層即可 。通常外側層係形成爲例如氧化膜等之非發光性薄膜，但 亦可使用能量大於內側層之發光光譜材料。 本實施例中，在實施例1中形成之表面披覆螢光體上 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝. 訂 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明（25) 再披覆對激起源之耐性高之披覆薄膜而利用MO C VD法 形成雙重表面披覆膜螢光體。此時使用之成爲核心之螢光 體粒子本體係第4圖所示之ZnS : Ag ’ Aj?螢光體粒 子41 ，在其表面上形成由ZnS : Ag，Ap所構成之 披覆用螢光體薄膜4 2做爲表面披覆螢光體。亦即在粒徑 8em之ZnS : Ag，Aj?螢光體粒子表面上形成厚度 l//m之ZnS : Ag，Aj?披覆薄膜。然後，利用濺射 法在該表面上形成厚度約〇. 2 /zm之Si 02薄膜做爲 第2層表面披覆薄膜，製成雙重表面披覆螢光體。 將該螢光體分散於蒸餾水中後，充分的攪拌混合而製 成螢光體分散液。使用該分散液，以利用矽酸鉀之凝集沈 降法在N i電鍍銅基板上進行塗敷，形成厚度大約5mg / c m2之螢光膜。在將該螢光膜加熱至基板溫度 300 °C之狀態下，於lxl cm 2之範圍內照射300 // A之電子線3 0分鐘，測定亮度維持率（照射前後之亮 度比）。此時，亮度維持率爲0. 90。與完全未設置表 面披覆膜之習用裝置之數值0. 85比較，該數值已充分 的改善。與表面披覆層爲單層之表面披覆螢光體之亮度維 持率0. 88比較，亦有顯著的改善。如此可知，由於雙 重表面披覆螢光體，可顯著的改善對激起源之耐性。 由以上實施例可知，將本發明之表面披覆技術適用於 習用之螢光體及小粒子螢光體，即可製成電流係數提高之 螢光體，又可提高顯示元件之壽命特性。尤其在陰極射線 管中，可實現提高亮度及提高解像度之螢光體。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. 訂 -28 - A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（ 2E 丨） 依 照 本 發 明 可 提 供 電 流 係 數 0 7 以 上 或 1 1 0 8 5 以 上 之 亮 度 飽 和 小 之 壽 命 特 性 優 異 之 螢 光 體 尤 1 1 其 以 藍 色 螢 光 體 做 爲 螢 光 膜 之 陰 極 射 線 管 故 可 製 成 具 有 N 1 I 請 1 I 可 對 應 Η D T V 之 解 像 度 明 亮 而 可 靠 性 高 之 彩 色 電 視 機 閲 1 | 讀 ·· 0 該 螢 光 體 又 可 應 用 於 利 用 低 速 電 子 線 紫 外 線 或 電 場 背 Λ 1 I 之 1 之 激 起 之 其 他 顯 示 裝 置 故 可 提 供 壽 命 及 亮 度 優 異 之 白 發 注 意 1 1 光 顯 示 裝 置 0 項 再 1 填 寫 本 裝 頁 1 圓 圖 示 1 第 1 圖 爲 本 發 明 之 螢 光 體 tlM. 之 構 造 之 概 略 斷 面 圖 1 1 第 2 圖 爲 表 示 本 發 明 一 實 施 例 之 表 面 被 披 覆 之 螢 光 體 1 1 粒 子 之 斷 面 圖 訂 I 第 3 raj 圖 爲 用 來 說 明 利 用 本 發 明 之 各 實 施 例 中 使 用 之 化 1 I 學 氣 相 成 長 法 披 覆 表 面 之 裝 置 之 概 略 圖 1 1 I 第 4 ΓΒ1 圖 爲 表 示 本 發 明 之 其 他 實 施 例 中 之 表 面 被 披 覆 之 1 螢 光 體 粒 子 之 斷 面 1 u i 圖 1 第 5 圖 爲 本 發 明 之 螢 光 體 與 習 用 螢 光 體 之 熱 發 光 光 譜 1 1 之 圖 表 1 1 I 第 6 圖 爲 表 示 本 發 明 之 螢 光 體 與 習 用 之 螢 光 體 之 電 流 1 I 特 性 之 rwt 圖 表 1 1 I 第 7 Γ»1 圖 爲 表 示 具 有 螢 光 膜 光 幕 之 陰 極 射 線 管 之 概 略 斷 1 1 1 面 圖 t 1 1 第 8 i et.l 圖 爲 表 示 習 用 之 陰 極 射 線 管 中 使 用 之 3 原 色 螢 光 1 1 體 之 各 電 流 特 性 之 圖 表 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -29 - 五、發明説明（27) 第9圖爲表示使用習用之螢光體之螢光膜中之光線之 散亂軌跡之概略說明圖； 第10圖爲用來說明利用本發明之其他實施例中使用 之濺射法進行表面披覆之裝置之概略圖。 ---.-----「裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -30 -