TW214009B - - Google Patents

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五、發明説明（1 ) 本项發明是有關於磁頭的 寫磁頭是一種可以磁化㈣疋讀人寫兩用磁頭。 ，因此可以，'寫^媒艘區域，如磁番，的裝置 侦測磁性媒體上的斑7在域性媒艘上。讀磁頭是一種可以 體上的資訊。 化區域，因此能夠"讀出在磁性媒 —*般而言，竄上 氣間域，的磁性l當高磁阻的間味，Μ 於線圈中…磁㈣上；二圈=。經由電流導通 磁化磁性掸贈、 產生磁場。在間陕中的磁場就可 的磁番上了。’於是可以寫資机Μ於間味旁且通過間陕 似於上述的寫’頭。将磁性媒雅，如磁 听，通過磁性軛中的間咹。由磁性 會經由間味導至磁性扼 發出的磁通量 〜 續不斷的磁通量變化就會讅 匕後在㈣柄1上的線圏產生輸出㈣。 输出電壓與磁適晉成 的m… 是與磁通量對時間改變 的里成正比的讀磁頚巳發屉 仏發展出來，遠種讀磁頭都典型的具 有電磁阻抗元件™。就已知情況而言，當電 單 向"化的_時，刪中㈣阻以及其電㈣纽化^ 和電流…的…關。如果_暴露在外部磁場中， 如由磁場所發出的磁場，而這外部磁場方向係横向於順 的最初磁化方向，因此磁化方向就必定會改變而且咖中 的電阻值也對應著改變。 一般而言，噴中的電Ρ且值變化是根據在外部磁場中听 別的磁場强变而成一 #線生函數。爲了要使爲線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 線.

經濟部屮央櫺準局HS ^ 中速 a Y 甲q、，n、〇 —丨』 21400¾

經濟部屮央標準局员工消资合作社印51 五、發明說明（2 ) 盗数R好疋將在MRE中的最初磁化方向與電流方向間 •变調整矣45変。爲達成此目的，可以将順中的磁化 方向與縱向成45変而電流方向沿著缏 Μ 可既句石向。另-一種方法是， 將平㈣藤的電導㈣㈣構配置成斜磁& (Barber p〇⑷ 的表面上。這些電導條形成等電拉表面，各電導條之定向係 ，聰中的電流流動於各電導條間，與MRE的縱向成爲妨 变，而MRE也沿著此縱向磁化。C關於斜磁極Barber pole，請….S。Patent N"，052,748;在此於考應用)· 在例如磁播之幘況中，資訊係祓寫在磁番的平行間藤的 磁轨上及經其讀出。爲了要增加其密1,磁扼的寬受與間 隔都已被梅小了。相對的，磁頭的尺十跟著變小，而且也 能利用在Μ板上製作積體電路薄廣型式的方法製造。這 種磁頭中包括有導磁與不導磁的薄層材料。 矣了要達到與磁帶接__頭與.寫磁頭中的磁执安排 ，必領將讀磁頭與寫磁頭做在單一的結構體中。這種利用 薄廣處理所髮造來的讀/寫兩用磁頭郎美國物理協會於 1 9 7谇在&約所举辦的第20次磁學與電磁材料研討會刊中 由Mr.CeHeBaj〇refcetaI所稱之4電磁阻抗讀磁頭，氣應 高密变寫磁頭'，。這種磁頭是製作在朴磁性民板上，並包 括有被朴導磁的二軋化矽層所分隔的可導磁薄層，這二氣 化》層卽是讀磁頦中的讀取閃隙。MRE薄廣與一復爹其上 的永久磁性薄層均埋在二氣化故看中。這永久接性^廣是 用來在與電流成45変方向上磁化MRE薄廣的。 讀/寫兩用磁頭的寫磁頭中包括有與讀磁頭共用的 本紙張尺度时目S家樣舉(CHS)?4規格⑵0x297公4 _： (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝- 線- Μ 040的 五、發明説明（3 ) 合金層，蒗蓋·其上且能界定寫入間蹀的硬黃金層，與男一 個a蓋在硬黃金廣上的永久合金層。上述的永久合金廣能 當侬寫磁頭的磁痤。焱硬黃金層中理有軟黃务金層，構成 單圈的寫入線圈。 很明顯的，當利用讀/寫兩用磁頭的寫磁頭将資訊寫在 磁性媒體上時，永久合金層就能将MRE阻舔於由寫磁頭所 造成的磁通量外，和其他不明的磁通量外。當用讀磁頭從媒 禮上讀取資訊時，永久合金層亦能阻止媒體上的磁通量傳 逢到MRE上，如前述一较，永久合金層阻隔了 MRE薄暌與 磁通量。然而，達到MRE薄模上的唯一磁通量乃是菹接撞 在MRE薄層上的磁媒通量。 雖然讀/寫兩用磁頭具有許多優點，但它仍具有一明顯 的缺點，卽當磁罄通適讀磁頭時，讀取間晓之材料會遭磨 損，因矣MRE薄層是在讀磁頭中，也遭到磨損，磁頭敏鼠 変將對應降低。這MRE薄層的磨損會不利於商業上的生存 價值。 而能避免MRE磨損的薄層讀磁頭已於謇利第jp_ a砧_

37811號中發明（在此#考應用）。在第JP-A63-3 78 U 號參利中的讀磁頭係tl作在不可磁化的氐板材料上jL具有 一薄層（目前尚不知其組成與功能）覆蓋在氐板上，MRE 復蓋在薄層上，再在MRE上裹蓋一層絕緣層。假定MRE是 單域磁性元件（朴多域磁性元件）且對氤應的磁場敏氤变 很高。 讀磁頭也具不連續的磁通量導通物，具有茗干段，每段 本紙張尺度通用中國國家標準（CHS)甲4規格（210x297公;!2) _ι 5 __ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 經濟部屮央樣準曷爲工消费合作社印^

五、發明説明（4) 也復蓋在絕緣層上且部份與MRE重疊。一絕緣層度蓋在不 連續磁通量導通物上且能界定出讀磁頭的讀权間味。埋在 絕缘層中的電導髏可為MRE數造出斜向磁場。另有一連續 的磁通量導通物後蓋在絕緣層上。 經 濟 部 屮 央 標 準 局 工 消 合 h 社 印 51 在讀磁頭的操作中，磁通量導通物将由磁性媒體，如磁罄 ，中發散出來的磁通量導至MRE上，郎磁通量進入連續的 磁通量導通物的導通部份而導至MRE。 從日本的應用實例中明顯的看出，讀磁頭中的mre是不 &讀取間隙中的，因此，MRE就不會遭到磨損而退化。由 前述的電磁阻抗讀磁頭，氤應高密变寫磁頭文章所闡 述的見解中，捋浮现出一種具有商業價值的不會磨損的

mre之讀/寫兩用磁頭，而且由豕刺A 手利JP _ A 63 378 1 1發明 中經由讀與寫磁頭的合倂卽可達到 迷】，而且逯續的磁通量導 通物是共同屬於讀與寫兩磁頭的 J 故而，仍需面對下列前 面未提到且哏明顯的祈問題。 此發明讀/寫兩用磁頭的讀磁頭 只頰似於孚利JP _ A 63 -3781 1發明中的讀磁頭，且寫磁 在讀磁頭上，讀 磁頭頂端的磁通量導通物是與寫磁 雄頭共用，且可當做是寫 磁頭的氐磁钣。 此發明涉及到此種發現，卽當窝 *馬域頭與Yoda讀磁頭合 倂時，所得到的磁性θ路乃是寫磁頭在 ^動作中所生的大量磁通 量經由磁通量導通物㈣至MRE丨。结策是聰的安定性 _，卸由單域元件變成多域元件，降低了峨的敏氣变。 關於這方面，已發現這種缺點是可以避免的，設名經由 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} -裝- 線- 本紙張尺度边用中國國家樣準(CNS)甲4規格(21〇X297公發) 6 五、發明説明（5 ) 導通至MRE上的磁通量造成其磁通量密变約等於或小於 10,000高斯（gauss)，最好是在6,000高斯左右，這卽此 泼昕稱之MRE安定性標準。 此發明也發現上述的磁性（¾路將使C表預期的）寫磁頭 功用變成讀磁頭一般，卽在讀取中由與寫磁頭相鄱接的磁 窬所故出的磁通量將由磁通量導·通物各部份導通至MRE上 ，結策是MRE產生一假詆號而降低了詋號對聲音的比率· 關'於這方面，經由寫磁頭C功用却爲讀_磁頭）導通至 MRE的磁通量茗約姦MRE傧號输出之10 %或以下，最好是 約爲其5 %或以下》那®•其對應的訊號與饥號對聲音比率 犹有商業價值了，此爲以泼阱構之詆號標準。 此發明亦後發現上述的缺矢可加以消除，郎同時達到 MRE安定性與訊號的標単，且玎给予讀磁頭相當高的敏氣 変。淼達到這些目的，可藉由巧妙的選择讀/寫兩用总頭 中各不同層的厚变尺寸與&讀磁頚和MRE中不連續的磁通量 導通物的重疊部粉的量來完成。 經濟部屮央櫺準工消#合作社印51 本發明可經下述的方法來大量排除由寫磁頭所產^進人 寫磁頭的磁通量經由共有的磁通量導通物導通至 一方面，利用上述的同樣選擇方法決定不同層的厚变尺 與讀磁頭及MRE每一不連續磁通量導通物間的重眷量^可 允許欲氤測之磁通量及讀取過程中於由此 成，、畀的磁通量導通 物有故地導通至MRE，並尤許讀* ^ 翊相田间的敏4变。 本發明的説明可藉由相伴隨的闽 J囫说ΠΤ7加以楛繪； ® 2·是本發 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖L是本發明讀/寫兩用磁頭的 ’ J圏解剖面圖 本紙法尺度边用中國國家標準（CNS)甲4規格(210x297公茇） 214009

五、發明説明（6) 經濟部+央橾準局貝工消资合作社印51 明的3 —張剖面圖。 在圖1.中具體的看出本發明中包含了不黍磁计料的氐板 220的讀/寫磁頭21〇，就像位於明見亞波利市的3 m公 司所售出的A1 S imatr 44* άη g计料一设。（在本發明中昕稱的不導 磁材料的導磁率是?的、 干疋v於2的），AlSimag的材料組成有

TiC，Al2〇3，Si〇3 與 Mg〇 〇 我們所買到的A1 Simag线其表面料完全平面的，在 表面上有典型5微米C/m〇深的凹面，卽所謂的《拉起" C Pul 1 out，。泵了提供一平坦的表面以沉積本發明的 同時矣了考慮MRE與A1 S imag氐板間的電絕缘，将 沉積一相當厚的電絕緣與不菩磁材料層23〇，如Ai2〇3層 ，在A1 S imag氐板上。（本發明中的絕缘層其電阻係數須 大於1〇微歐婊-公分_ Cm)。層230的起始厚斐爲14 _ 20微米。 在沉積該層2 3〇浞，須将其表面抛光以利MRE的沉積。 廣2 30的最淡厚变爲8 _ 15微米。不幸的，傳統的抛光枝 衡通常會在層2 30的表面上留有0·5微米深，尖角形刮痕 (鋸齒狀），因矣那些尖角將成爲磁性域牆的固定位置， 結策形成多磁域的MRE。爲了平滑去除尖角，i徽米厚雷 芦緣與不導磁材料層24〇，卽1徽米厚的Al2〇3廣，傅沉積 在層2 30之上。· 本發明中的讀磁頭有一可導磁讨料的單磁域的咫25〇， 如永久合金，直接蒗蓋在層24〇上。（本發明中mre 25〇 的導磁率等於或大於伽，此外，單磁域的MRE在其活動的 + ^«^(〇Ν5)ψ4^ί§(210χ297^^) _ 8 ~------ (請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝- *?τ- 214009

较濟部屮央標'準局Α工消t合作社印製 五、發明説明（7 ) 範圍内沒有其他的磁域；相反的，多磁域的MRE在其活動 的範圍尚有其他的磁域。）茗MRE 250是永久，合金的， 其合金的組成是18_22%的鐵與82_ 78%的鎳。單磁域元 件的MBE 250是利用傳统的坆銜沉積在層240上，如織数沉 積技銜。MRE 250的厚変約在0.025與〇』9〇微米間，最好是在 0.030至0β035徽米間。MRE 25〇的長変，卽是與圖3·中 的平面平行的且沿MRE厚斐方向做横向發展的尺十，約爲 U0 - 200微米，最好約wo微米。MRE的寬变一殷約爲 5 - 25微米。 MRE 2 50的結構最好是由電導涤处〇所形成的斜磁痊， 在_ 1中可以看到。電導條包括有相繼的鉬、金、與鉬層 ,其各自厚变爲0。03微米，0β23微米，與〇 〇9微米。每 個電導條的寬变範圍約爲2 —6微米，條與條間的間陕約 爲5 - 15微米，而在電導涤與_縱向方向間的先“ 4〇 至45变，順是沿這縱向方向磁化的。斜磁餘構的組成 是先利用傳统技衡沉積相繼的鉬，金輿鉬層，卸傳統的濺 散沉積技衡，然淡再利用傳统的刻钕技銜将它們做成斜磁 的聖式。 斜磁極產生一向縱向排列的磁場，它與技虹容备彼磁化 細的方向相同，如此就可在讀/寫兩用鑷頭的正常操作中 確係MRE的安定性。 電導條26〇的絕缘是經由傳統枝銜沉積〜電絶緣與不導 磁材料的層17〇，鄞A丨2〇3層，於電導條上來達成的。層 27〇的厚变約爲0·3 — 〇·6微米，最好是〇 微米。 本紙張尺度边用中SS家樣準（CNS)甲4規格（210x297公货）一 9 一 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 裝- 訂- -線· 214009 Λ 6 Β6 經濟部屮央標準局負工消费合作社印製 五、發明説明（8 ) 本發明的讀磁頭包含了〜後蓋在電絶缘蜃27〇上的不連 續磁通量菩通物’它包括有磁通量導通物部份咖 。磁通量導通物各部份是可導磁的付料，如永久合金其組 成爲的戴與80,錄。磁通量導通物部份“Ο績 28〇b的製做是先沉積一連續的磷通量導通層然浞在所沉積 (材抖上刻钕出一中央長绦，或利用傳統的選择沉積技銜 踅做。每一磁通量蔡通物部份的厚变约奂〇.2 — 〇·3擻未 ’最好是0。4徽米’寬变約羔6〇_ 18〇微米β 在圈1中磁通量導通物部份28〇a與28〇b必須部份的重 疊在MRE 2 50上，如此可以孚通磁通量至MRE上，重疊部 伦的量約爲2。0 — 8A微米，最好約爲is微米。 未發明的讀链頭中也包含了由，不導磁材料層290，卽 A12〇3層，所界定的讀取間哓，利用傳统技銜将層2 9〇沉 積在不連續磁通量導通物上。層290的厚変約爲0.2-Q.9 微米，最好是CK3 — 0。4微米。 未發明的讀磁頭具有了测試/偏斜的電導辨3.00復蓋在 讀取間晓層29〇之上。C它是一種電導锨結構，其材料的 電阻係數等於或小於B0微歐拇一公分）*電導體300用來 產生测試MRE 250的磁場是很有故的，它產生的磁場也可 用來偏斜MRE 250，因此可将MRE昕產生的钒號輸出線性 化。在上述的兩種現像中，磁場或由電萎體3 0 〇所產生的 磁場可經由讀磁頭中連續或不連續的磁通量導通物導通至 MRE 2 50中（如下所述）測試/偏斜f導體300的組成爲 相繼的鉬，金與鉬層，其各自的厚変矣〇·〇3微米，0.23 本紙張尺度边用fa國家標準(CNS)甲4規格（210x297公釐）一 _ f請先閱讀背面之注意事頊再填、寫本頁> 裝- 214009 Λ 6 Β6 經濟部屮央樑準釣貝工消赀合作社印製 五、發明説明（9 ) 微米與0·09微未，其寬変爲1〇微未至5〇散米之間。 測試/偏斜電導體300的電絕緣由沉積一電絕缘與不導· 蔽杖-斜廢34Ό，Ip Α12〇3層，於測試/偏斜電導體上達成 的。層31〇的厚変約爲〇·3 — 0‘·9微米，最好是〇β4微木· 本發明的讀磁頭亦包含有夜蓋在電絕缘層3 1〇上的連續 磁通量善通物3 20。磁通量導通物32〇是與寫磁頭於有的 ，且當做是氐部磁遂。導·通物32〇是由可導磁材料做成， 如永久合金，其成分矣19.2 %的織與80·8 %的鎳•磁通 量導·通物320是用傳統的枝衡，釦電鍍鈒作法沉積的，它 的厚变約爲2。〇 — 4·0徽未，最好是3。〇微米，寬受約爲 】6〇 — 6〇0微米，最好是18〇微表。雖然在圖L並表顯示 ，磁量導通物3 20是直接向磁通量導通物部份28〇b做接 觸伸展或十分靠近的伸展，如此可在兩個磁通量導通物間 滅少磁阻的產生。 除了氐部磁铎（連續的磁通量蒌通物）32〇外，在讀/ 寫兩用磁頭2]0中的寫磁頭包括了—羡蓋庋氐部礤痊Μ。 上的不導磁材料層3J〇，如A12〇3層，它可笟〜| I疋本發明的 寫入間隙。層330的厚変約爲〇 a 4 -K 6微炎 β m不，狀好是〇 · —0.7徽未，且可用傳統技銜來沉積。 · 在圖L中顯示寫入間隙層33〇的上表面 \彳尸干坦面 這·是因姦讀磁頭中不連續磁通量導通物不 ， '卞面所引扣 改策。我們可以菹接在寫入間味層上沉積一導髋 勺 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圈之寫入線團，在電導·體高處是不均句性 而排除多 牌寫磁頭使用同一電導髗（做為單團之寫入緩圈、 作矣單 個相 之·可能 本紙張尺度边用中Sg家棋準(CNS)ifM規格⑵卩㈣?公货）_ ^ 21400^

五、發明説明（i〇) 約爲 性。此外，茗用傳統電艘法 坦面的寫入間陕層330的上 将會不均匀，這不是我們所 緣材料的丑坦化面層34Ό須 層3 40是不感•光材料，這種 Sonmerv i 11 β 市 A? HOECHST 公 光層3 40是用傳統的旋轉沉 2 — 4徽米。 當做是單图寫入線圈的電 讨料，如铜或金要，在平坦 層3 40上。電導體350之沉 4微米。 臬了避免寫磁頭中單圈寫 路，可沉積電絶緣，導磁 技銜将電導禮蒗接沉積在朴平 表面，那麼電導體的組成成份 考望的。因此，不導磁，電絕 先沉積在寫入間味層330上。 材料是位及美國新澤西州 司听出售的ΑΖ4 3 讨料。不鼠 積技銜沉積的，它的厚变約爲 導盤3 5β是利用先沉積電導性 化層3 40上，而易於沉積在該 積可利Α傳統的電鏟法，其厚変 入線圏3 50對m端寫磁痤的短 材料廣36〇於單圈寫入線圈上 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 訂- '線· 經濟部屮央標準局貝工消费合作社印3i 。廣36〇是不II先计料，如上述的討論一般，它的厚変約 爲2 — 4微米。 本發明的寫磁頭I包含有一麗端寫m7_Q度蓋於層 3 60上。m端磁痤3 70是導磁的材料，如永久合金，其組 成爲.2 %的鐵與80 .8%的鎳。瑱端磁極37〇的厚变約爲 2.0 — 4·0微未，最好是3·0微米，其寬变約爲160一600 微禾。雖然在圖1中未顯示，頂端磁痤370的右側邊（如 圖3.中所見）是ϋ[接向氐部磁痤320做接觸伸展，或十分 靠近的伸展，如此可在兩個磁轾間滅少磁阻的產生0 在此須强調是前述的讀/寫兩用磁頭的尺寸大小均V達 本紙張尺度边用中國國家標準（CNS)甲4規格（210x297公垃）-Η 12 一 ι<^γ 經 濟 部 屮 央 標 準 局 貝 工 消 t 合 作 社 印 Λβ1 五、發明説明（11) 到MRE安定性的要求，卽在寫入中MRE 250的磁通量密变 少於10000高斯，甚至是少於6^000高斯，如此MRE的不 安定性郎可避免。此外，在讀取中，也可具艘的達到前述 的訊號標準，卽少於1〇 %，甚至是5 %的MRE 250的訊號 输出是由於磁通量由寫磁頭（作用似讀磁頭）傳導至MRE 的。 在此也須强調是前述尺寸的組合，的確是很微妙的,tp使很 &小的偏差量都可能意義重大。琴例來説，假如寫入5^隙廣 3 3 〇的厚変增加1微米，則寫磁頭的寫入動作中在MRE 2 50將嶒加大約30 40高斯的磁通量密変，它很明顯的是我 們所不# f的。同樣的，若（共有的）連續的磁通量導通 物320厚变增加1微米，在寫入過程中，在MRE 2 50的磁 通量密変將減少。此外，荖磁通量導通物部儉280 a與2 80 b 和MRE 2 50間的重疊量嶒加1微米，在寫入過程中，mre 2 50的磁通量密受将增加約52 2高斯。（道一步是，苦不 連續的磁通量導通物部份28〇a與2e〇b的厚变增加！微米 ，在寫入過程中，MRE 250的磁通量密变将增加約32〇高 斯。 本發明已犹具有一共有的磁通量導通物的讀/寫兩用磁 頭加以描述。其他具體货例也是可能的，如磁痊讀/寫磁 頭，在圖2中所顯示的，是可期待的。 氐板400支撑著平滑表面層41〇，道兩層都是不導磁材 料，而廣41〇也是電絕緣的。廣41〇支撑著的肪42〇，後 者是部份位於.不連績的磷通量導通物部份Μ如與 本紙張尺度ϋ用tSS家揉準―格(210x297公;)i··) —13 — (請先閲讀背面之注意事項再塡寫本頁) 214〇〇9 Λ 6 Β6 五、發明説明（12) 下，JL被唐4 30加以電絕緣。測試/偏纤電導體46〇是藏 在讀取間陕廣450中。螆通量導通物47〇完成讀/寫兩用 磁頭的讀磁頭R部粉。 寫磁頭W部份包括了 |部與填端寫磁择48〇與52〇，和 藏在寫入間陕界定層500之中的寫入線圈510。這些唐的 厚変與MRE重疊在不連續磁通量導通物部份上的量都在圖 1·中各對朧層的標準中。讀磁頭的上部磁通量導通物47〇 與寫磁頭的氐部磁痤490都具有與圖l中共有的磁通量導 通物相同的厚变。讀磁頭與寫磁頭由不導磁，電絕緣層 4β0，如AU〇3 ，所隔開，層48〇的厚变約矣2 __ 8微米· 在這些範圍內，本發明的MRE安定性與訊號標単均能達 到。此外，雖然增加了圖2中讀/寫兩用磁頭的層數與其 整個厚変較大，但其MRE磁通量密变對於各層厚变及mre 重吞量之變化Μ起之教K仍有較圖共有磁通量導 通物實例者大奂降低的優點。 其他在本討論範圍中的各種變動以及所近之申請雾利範 圍對於精於本技藝之人士而言均會—目了雜· ^ 用 逍 度 尺 張 紙 _I本經濟部屮央標準局貝工消费合作杜印鉍 S CN /IV 準 標 家

(請先閱讀背面之注意事項再塡寫本頁) 裝· ，1T' 線.

Claims (1)

1. i' 日修正/史ifcf補元 AT B7 C7 D7 經濟部中央標準局印¾ …申請卑則範圍 ι·—棰讀/寫兩用磁顗，包括： 一 不導磁的底板材料； 一覆蓋在上述底板上的磁性讀磁頭，該磁性讀磁頭包 含一由一可導磁的第一磁通量導通物，一覆蓋其上 的可導磁的第二磁通量専通物，Μ及一位於第一及 第二磁通量導通物間的第一不導磁材料區料等所組 • 成之混合，該第一不導磁材料區域界定出第一及第 二磁通量導通物間且位於讀/寫兩用磁頭—端的讀 取間隙； -覆蓋在磁性讀磁頭上的磁性寫磁頭，該磁性寫磁頭 包含一由一第一磁極，一覆Μ其上可導磁材料的第 二磁極，Μ及一位於第一及第二磁極間的第二不導 磁材料區域等所姐成之混合，該第二不導磁材料區 域介定出第一及第二磁極間且位於讀/寫兩用磁頭 一端的寫入間隙； 其特徴在於：該讀/寫兩用磁頭堪包括了位於底板材枓 與第一磁通量導通物間的單域電磁阻抗元件（MRE) *該 第一磁通量導通物是具有兩不連續的磁通量導通物部份 ，每部份都部份重叠在MR Ε上；該MR Ε處的磁通密度於寫 入期間約等於或小於1 0 , 〇 〇 0高斯，藉而防止以該寫磁頭 寫入時MRE之不安定。 2 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中該磁通量密度等 於或少於6,000高斯。 3. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中該寫磁頭的第一 甲 4(210X297公廣) ...................................................¾..........:...................ir.........................................線 (請先閱讀背面之注意事邛再蜞寫本頁) 經濟部中央標準局印裝 2140 ⑽ b； C7 _ D7_ 六、申請專利範® 磁極包括了第二磁通量導通物。 4. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中該不導磁材料底 板至少有一部份為電絕緣，且M R E覆蓋在這部份上。 5. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中該M R Ε是斜磁極 性的。 s. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，另具有一位於第一及 ,第二磁通量導通物間的電導體，它可經由第一 *第二磁 通量導通物導通至MRE。 7. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，另具有一位於第一及 第二磁極間的電導體。 a 根據申請專利範圍第7項之磁頭，另具有一不導磁材料 之第三區域，在此區域中有一位於第一及第二磁極間且 覆蓋在第二區域上的平坦頂端表面，電導體則覆蓋在頂 端表面上。 9. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中M R E的厚度約為 0.025 至 0.080 微米。 ία 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中該不連讀磁導通 物的厚度約為0.020至3.0微米。 11 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中MRE與不連績磁 通量導通物部份的重叠範圍約為2.0至8.0微米。 12. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中連續磁通量導通 物，第1磁極與第二磁極的厚度均約為2.0至4.0微米。 13. 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中謓取間隙的厚度 約為0.2至0.9微米。 ...................................................¾..........一..........·..........ir.................................... {請先閲讀背面之注意事Jii再填荈本頁) _-2- 甲4(210X297 公尨） AT 21400¾ c； .____D7_ 六、申請專利範園 14 根據申請專利範圍第1項之磁頭，其中寫入間隙的厚度 約為0.4至1.6微米。 15·—種謓/寫兩用磁頭，包括： ~ 不導磁的底板材料； -覆蓋在上述底板上的磁性讀磁頭*該磁性讀磁頭包 含一由一可導磁的第一磁通晕導通物，一覆蓋其上 . 的可導磁的第二辑通量導通物，以及一位於第一及 第二P通量導通物間的第一不導磁材料區料等所組 成之混合*該第一不導磁材枓區域界定出第一及第 二磁通量導通物間且位於讀/寫兩用磁頭一端的讀 取間隙； 一 覆蓋在磁性讀磁頭上的磁性寫磁頭*該磁性寫磁頭 包含一由一第一磁極，一覆蓋其上可専磁材料的第 二磁極，以及一位於第一及第二磁極間的第二不導 磁材料區域等所姐成之混合，該第二不導磁材料區 域介定出第一及第二磁極間且位於讀/寫兩用磁頭 一端的寫入間隙； 其特徴在於： 經濟部中央樣準局印^ {請先閱讀背面之注意事項再填荈本頁) 該讀/寫兩用磁頭遢包含一位於底板材料與第一磁通量 導通物間的霄磁阻抗元件（MRE) ’該第一磁通量専通物 是具有兩不連績的磁通量導通物部份，每部份都部份重 叠在MRE上；該MRE處的磁通量導通物，磁極與區域均有 其厚度，且MRE有與每一磁通量導通物部份有相重蜃之 量，如此在讀磁頭讀取過程中，經由寫磁頭導通至MRE -3 ~ 甲 4(210X 297公；¥) AT _1_ 六、申請專利範園 的磁通量可使M R E的訊號输出約為1 0 %或更少= 16. 根據申請專利範圍第1 5項之磁頭，其中該尺寸與重®量 的選擇可在讓磁頭讀取過程中經由寫磁頭導通至M R Ε的 磁頭量可使M R Ε的訊號输出約為5 %或更少。 17. 根據申請專利範圍第1 5項之磁頭，其中該寫磁頭的第一 磁極包括了第二磁通量導通物。 18.,根據申請專利範圍第15項之磁頭，其中該不導磁材料底 板至少有一部份為電絕緣，且M R Ε覆蓋在這部份上。 19. 根據申請專利範圍第15項之磁頭*其中該MRE是斜磁極 的。 20. 根據申請專利範圍第1 5項之磁頭，另具有一位於第一及 第二磁通量導通物間的電導體，它可經由第一及第二磁 通量導通物通至MRE。 21. 根據申請專利範圍第1 5項之磁頭，另具有一位於第一及 第二磁極間的電導體。 22 根據申請專利範圍第21項之磁頭，另具有一不導磁材料 之第三區域，在區域中有一位於第一及第二磁極間且覆 蓋在第二區域上的平坦頂端表面，電導體則覆蓋在頂端 表面上。 23. 根據申請專利範圍第15項之磁頭，其中MRE的厚度約為 0.025 至 0.080微米。 炫濟部中央標準局印災‘ (請先閲讀背面之注意事項再琪寫本頁} 24 根據申請專利範圍第15項之磁頭，其中不連續磁通量導 通物的厚度約為0.20至3.0微米。 25. 根據申請專利範圍第1 5項之磁頭，其中M R Ε與不連續磁 __ -4- 甲4(210X297 公濩） 六、申锜專利苑® 2G. 為頭 約磁 圍之 範項 ί 5 «1 重第 的圍 份範 β. UU Β 禾 物專 通請 導申 量據 通根 第 與 極 磁 1 第 27. 第 圍 範 利 專 請 申 ，據 物根 28. AT B7 C7 D7 至 通 導 量 。通 米磁 微續 ο連 ?? 中 其 為 約 均 度 厚 的 極 磁 其 頭 磁 之 項 隙 4間 至取 ο讀 〜中 米 微 度 厚 度 厚 的 隙 間 入 寫 中 其 頭 磁 之 項 5 。第。 米圍米 微範微 9 U 6 . ί . ο專1 至II至 2 請 4 ο 申 ο 為據為 約根約 (請先閱讀背面之注意事邛再瑱寫本頁) •^· .打· •綠· 經濟部中央標準局印¾ f 4(210X297 公尨） -5-