TW202436223A - 二氧化矽粒子、二氧化矽粒子之製造方法、二氧化矽溶膠、研磨組合物、研磨方法、半導體晶圓之製造方法以及半導體裝置之製造方法 - Google Patents

二氧化矽粒子、二氧化矽粒子之製造方法、二氧化矽溶膠、研磨組合物、研磨方法、半導體晶圓之製造方法以及半導體裝置之製造方法 Download PDF

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3040310B2 (ja) * 1994-07-04 2000-05-15 信越化学工業株式会社 合成石英ガラスの製造方法
JPH08208214A (ja) * 1995-02-03 1996-08-13 Mitsubishi Chem Corp シリカゲル及びその製造法、並びに合成石英ガラス粉の製造法
JPH08325272A (ja) 1995-05-26 1996-12-10 Mitsubishi Chem Corp 高純度テトラアルコキシシラン及びその製造方法
JP5270344B2 (ja) 2006-07-31 2013-08-21 扶桑化学工業株式会社 シリカゾルおよびその製造方法
JP5348400B2 (ja) 2008-09-05 2013-11-20 Ｊｓｒ株式会社 シリカ粒子分散液およびその製造方法
JP5905767B2 (ja) * 2012-04-17 2016-04-20 多摩化学工業株式会社 中性コロイダルシリカ分散液の分散安定化方法及び分散安定性に優れた中性コロイダルシリカ分散液
US11499070B2 (en) * 2015-01-19 2022-11-15 Fujimi Incorporated Modified colloidal silica and method for producing the same, and polishing agent using the same
TWI757349B (zh) 2016-11-07 2022-03-11 日商日揮觸媒化成股份有限公司 研磨用氧化矽系粒子及研磨材
TWI762528B (zh) * 2016-12-02 2022-05-01 日商日揮觸媒化成股份有限公司 研磨用氧化矽系粒子及研磨材
JPWO2021153502A1 (https=) * 2020-01-28 2021-08-05
JP2022063814A (ja) * 2020-10-12 2022-04-22 合資会社 ナベショー 合成シリカ粉の製造方法
JP2023004284A (ja) * 2021-06-25 2023-01-17 三菱ケミカル株式会社 シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法及び研磨方法

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