TW202343319A - 基板處理裝置、裝置起動方法、半導體裝置之製造方法及程式 - Google Patents

基板處理裝置、裝置起動方法、半導體裝置之製造方法及程式 Download PDF

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Abstract

本發明之課題在於提供一種技術，其可防止基板處理裝置在設置時之誤操作，且可進行高效率的設置。 本發明之解決手段為一種技術，其由如下所構成：處理室，其可處理基板；主控制部，其可控制上述基板之處理；記憶部，其可記憶起動條件有無實施資訊、起動條件管理資訊、及起動條件管理資訊之狀態，該起動條件有無實施資訊被使用於判定在起動上述主控制部時有無實施起動條件，該起動條件管理資訊管理上述起動條件；及起動條件控制部，其在上述起動條件管理資訊滿足既定條件時，可將起動條件有無實施資訊設為有效。

Description

基板處理裝置、裝置起動方法、半導體裝置之製造方法及程式
本發明有關一種基板處理裝置、裝置起動方法、半導體裝置之製造方法及程式。
習知已揭示有一種驗證方法(例如，參照專利文獻1)，其被作為在半導體裝置之製造步驟中所使用的基板處理裝置，例如，當基板處理裝置開始與管理裝置進行通信時，當基板處理裝置與未識別之管理裝置進行連接的情形下，藉由密碼進行驗證，該管理裝置係根據SEMI規格對複數個基板處理裝置進行連接管理者。藉由在與管理裝置之連接時利用密碼進行驗證，其可進行基板處理裝置之管理。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開WO2016/098887號公報
(發明所欲解決之問題)
然而，在將基板處理裝置連接至新的管理裝置的情形時，可能存在有基板處理裝置之設定與新的管理裝置無法相對應的疑慮，此外，亦可能有因不熟練及經驗少之作業人員進行之誤操作而無法高效率地設置基板處理裝置之情形。
本發明之目的在於提供一種技術，在該技術中，可在當進行基板處理裝置與新管理裝置之連接的情形下，防止不熟練之作業人員進行誤操作的情形，而可高效率地實施基板處理裝置之設置。 (解決問題之技術手段)
(根據請求項1進行修正)根據本發明之一態樣，提供一種技術，其具備有： 處理室，其可處理基板； 主控制部，其可控制上述基板之處理； 記憶部，其可記憶起動條件有無實施資訊、起動條件管理資訊、及上述起動條件管理資訊之狀態，該起動條件有無實施資訊被使用在判定當起動上述主控制部時有無實施起動條件，該起動條件管理資訊管理上述起動條件；及 起動條件控制部，其在當上述起動條件管理資訊滿足既定條件時，可將起動條件有無實施資訊設為有效。 (對照先前技術之功效)
(修正為與目的相同之內容) 根據本發明之技術，藉由防止基板處理裝置在設置時之誤操作，且可進行高效率的設置(setup)。
以下，對本發明之實施形態進行說明。
＜第一實施形態＞ 首先，根據圖式，對本發明之第一實施形態進行說明。
包含基板處理裝置的系統之構成 使用圖1，對包含本發明之一實施形態之基板處理裝置的系統之構成進行說明。圖1係包含本發明之一實施形態之基板處理裝置之系統的概略構成圖。
如圖1所示，其具備至少一台基板處理裝置100、及被連接至可該基板處理裝置100之基板控制的管理裝置600。基板處理裝置100根據被定義處理程序及處理條件的配方以執行處理製程，如此所構成。基板處理裝置100與管理裝置600之間藉由例如局部區域網路(LAN)或廣域網路(WAN)等網路400而被連接。
(2)基板處理裝置之構成 接著，參照圖2、圖3，對本實施形態之基板處理裝置100之構成進行說明。圖2係本發明之一實施形態之基板處理裝置的斜透視圖。圖3係本發明之一實施形態之基板處理裝置的側面透視圖。再者，本實施形態之基板處理裝置100被構成為一直立型之裝置，其例如對晶圓等基板進行氧化、擴散處理、CVD處理等。
如圖2、圖3所示，本實施形態之基板處理裝置100具有作為耐壓容器所構成的框體111。於框體111之正面壁111a的正面前方部，開設有作為開口部的正面維修口103，該正面維修口103被設為可進行維修。於正面維修口103被設置有一對正面維修門104，該等一對正面維修門104可作為用以開閉正面維修口103的入內機構。收納矽等晶圓(基板)200的傳送盒(基板收容器)110被使用作為朝向框體111內外搬送晶圓200的載具。
於框體111之正面壁111a以連通框體111內外之方式被開設有傳送盒搬入搬出口(基板收容器搬入搬出口)112。傳送盒搬入搬出口112藉由前擋門(基板收容器搬入搬出口開閉機構)113來被開閉之方式，如此所構成。於傳送盒搬入搬出口112之正面前方側，被設置有作為載置部的裝載埠(基板收容器交付接收台)114。在裝載埠114上載置傳送盒110並且進行位置對準。傳送盒110藉由OHT(Overhead Hoist Transport)等之製程內搬送裝置(未圖示)被搬送至裝載埠114。
在框體111內前後方向之大致中央部的上部，被設置有旋轉式傳送盒棚架(基板收容器載置棚架)105。於旋轉式傳送盒棚架105上保管複數個傳送盒110。旋轉式傳送盒棚架105具備有垂直立設且在水平面內間歇性地旋轉的支柱116、及於上、中、下段之各位置呈放射狀地被支柱116所支撐的複數片棚板(基板收容器載置台)117。複數片棚板117被構成為，在分別載置有複數個傳送盒110的狀態下保持傳送盒110。
在框體111內的裝載埠114與旋轉式傳送盒棚架105之間被設置有傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118。傳送盒搬送裝置118藉由傳送盒升降機(基板收容器升降機構)118a、及作為搬送機構的傳送盒搬送機構(基板收容器搬送機構)118b所構成，該傳送盒升降機可在保持傳送盒110的狀態下進行升降。傳送盒搬送裝置118藉由傳送盒升降機118a與傳送盒搬送機構118b的連續動作，在裝載埠114、旋轉式傳送盒棚架105、傳送盒開啟器(基板收容器蓋體開閉機構)121之間相互地搬送傳送盒110。
於框體111內之下部，自框體111內之前後方向之大致中央部遍及至後端設置有副框體119。於副框體119之正面壁119a，在垂直方向以上下排列成兩段之方式被設置有一對晶圓搬入搬出口(基板搬入搬出口)120，該等一對晶圓搬入搬出口用以將晶圓200朝向副框體119內外搬送。在上下段之晶圓搬入搬出口120分別被設置有傳送盒開啟器121。
各傳送盒開啟器121具備有載置傳送盒110的一對載置台122、及裝卸傳送盒110之蓋(蓋體)的蓋裝卸機構(蓋體裝卸機構)123。傳送盒開啟器121藉由蓋裝卸機構123對被載置於載置台122上的傳送盒110之蓋進行裝卸，藉此對傳送盒110之晶圓出入口進行開閉。
在副框體119內構成有移載室124，來自設置有傳送盒搬送裝置118、旋轉式傳送盒棚架105等的空間被流體性地隔絕。於移載室124之前側區域設置有晶圓移載機構(基板移載機構)125。晶圓移載機構125由晶圓移載裝置(基板移載裝置)125a、及晶圓移載裝置升降機(基板移載裝置升降機構)125b所構成，該晶圓移載裝置125a可使晶圓200沿著水平方向旋轉或直線運動，該晶圓移載裝置升降機125b使晶圓移載裝置125a升降。如圖2所示，晶圓移載裝置升降機125b被設在副框體119之移載室124之前方區域右端部與框體111右側之端部之間。晶圓移載裝置125a具有作為晶圓200之載置部的鑷子(基板保持體)125c。藉由其等晶圓移載裝置升降機125b及晶圓移載裝置125a之連續動作，可將晶圓200對晶舟(基板保持具)217進行裝填(裝料)及卸載(卸料)。
於移載室124之後側區域構成有收容晶舟217且供其待機的待機部126。於待機部126之上方設置有處理爐202。處理爐202之下端部被構成藉由爐口擋門(爐口開閉機構)147而可被開閉。
如圖2所示，於副框體119之待機部126之右端部與框體111之右側端部之間，設置有使晶舟217升降的晶舟升降機(基板保持具升降機構)115。於晶舟升降機115之升降台，連結有作為連接件的臂部128。蓋體的密封蓋219被水平地安裝在臂部128。密封蓋219被構成為，垂直地支撐晶舟217且可將處理爐202之下端部封閉。
本實施形態之基板搬送系統主要藉由旋轉式傳送盒棚架105、晶舟升降機115、傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及後述之旋轉機構254所構成。其等之旋轉式傳送盒棚架105、晶舟升降機115、傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254被電性連接至後述之作為副控制器的搬送控制器11。
晶舟217具有複數根保持構件。晶舟217被構成為，使複數片(例如，約50片至125片)晶圓200在對齊其中心且於垂直方向排列的狀態下分別使其保持水平狀。
如圖2所示，在與移載室124之晶圓移載裝置升降機125b側及晶舟升降機115側之相反側即左側端部，被設置有淨化單元134。淨化單元134藉由供給風扇及防塵過濾器所構成，以提供清淨化之環境氣體或惰性氣體即淨化空氣133。於晶圓移載裝置125a與淨化單元134之間被設置有缺口對準裝置(未圖示)，該缺口對準裝置係作為基板一致裝置用以一致晶圓之圓周方向的位置。
自淨化單元134被吹出的淨化空氣133被構成為，在流通過未圖示之缺口對準裝置、晶圓移載裝置125a、位於待機部126的晶舟217之周圍之後，藉由未圖示之管道被吸入而朝向框體111之外部被排氣，或者被循環至一次側(供給側)即淨化單元134之吸入側而藉由淨化單元134再次被吹出至移載室124內。
再者，於框體111、副框體119之外周安裝有未圖示之複數個裝置蓋板，其等裝置蓋板係作為進入至基板處理裝置100內的入內機構。其等裝置蓋板在維修作業時可被拆除，供維修人員進入至基板處理裝置100內。在與其等裝置蓋板相對的框體111、副框體119之端部，被設置有作為入內感測器的門開關130。在與正面維修門104相對的框體111端部，亦被設置有作為入內感測器的門開關130。此外，於裝載埠114被設置有檢測傳送盒110之載置的基板檢測感測器140。其等門開關130及基板檢測感測器140等之開關、感測器類15被電性連接至後述之基板處理裝置用控制器240。
(3)基板處理裝置之動作 其次，參照圖2、圖3，對本實施形態之基板處理裝置100之動作進行說明。
如圖2、圖3所示，當藉由製程內搬送裝置(未圖示)將傳送盒110供給至裝載埠114，則藉由基板檢測感測器140對傳送盒110進行檢測，且藉由前擋門113將傳送盒搬入搬出口112開放。然後，藉由傳送盒搬送裝置118將裝載埠114上之傳送盒110自傳送盒搬入搬出口112搬入至框體111內部。
被搬入至框體111內部的傳送盒110，藉由傳送盒搬送裝置118朝向旋轉式傳送盒棚架105之棚板117上自動地被搬送且暫時地被保管。然後，傳送盒110被自棚板117上移載至一者之傳送盒開啟器121之載置台122上。再者，朝向框體111內部所搬入的傳送盒110，亦可藉由傳送盒搬送裝置118直接被移載至傳送盒開啟器121之載置台122上。此時，傳送盒開啟器121之晶圓搬入搬出口120藉由蓋裝卸機構123被關閉，且在移載室124內流通且充滿有淨化空氣133。例如，藉由將氮氣作為淨化空氣133充滿在移載室124內，使移載室124內之氧濃度例如成為20ppm以下，而被設定為遠低於大氣環境氣體的框體111內之氧濃度。
被載置於載置台122上的傳送盒110，其開口側端面被壓抵在副框體119之正面壁119a的晶圓搬入搬出口120之開口緣邊部，並且藉由蓋裝卸機構123將其蓋拆下而晶圓出入口被開放。然後，晶圓200藉由晶圓移載裝置125a之鑷子125c通過晶圓出入口自傳送盒110內被拾取，其於利用缺口對準裝置，方位被一致之後被搬入至位於移載室124後方的待機部126內，且被裝填(裝料)至晶舟217內。晶圓200被裝填至晶舟217內的晶圓移載裝置125a，返回至傳送盒110，且下一片晶圓200被裝填至晶舟217內。
在該一者(上段或下段)之傳送盒開啟器121中藉由晶圓移載機構125將晶圓200朝向晶舟217作裝填作業時，在另一者(下段或上段)之傳送盒開啟器121之載置台122上，藉由傳送盒搬送裝置118自旋轉式傳送盒棚架105上搬送且移載其他之傳送盒110，同時藉由傳送盒開啟器121進行傳送盒110之開放作業。
當將預先所指定片數的晶圓200被裝填至晶舟217內時，藉由爐口擋門147所被關閉的處理爐202之下端部，則藉由爐口擋門147使之被開放。接著，保持有晶圓200組的晶舟217，藉由晶舟升降機115使密封蓋219上升，藉此朝向處理爐202內被搬入(裝載)。
於裝載後，在處理爐202內對晶圓200實施任意之處理。處理後，除了在缺口對準裝置135的晶圓之一致步驟以外，以與上述程序大致相反之程序，將容納有處理後之晶圓200的晶舟217自處理室201內搬出，且將容納有處理後之晶圓200的傳送盒110朝向框體111外搬出。
(4)處理爐之構成 接著，使用圖4，對本實施形態之處理爐202之構成進行說明。圖4係本發明之一實施形態之基板處理裝置100之處理爐202的縱剖面圖。
如圖4所示，處理爐202具備作為反應管的處理管203。處理管203具備作為內部反應管的內管204、及被設於其外側作為外部反應管的外管205。內管204例如藉由石英(SiO 2)或碳化矽(SiC)等之耐熱性材料所構成。內管204形成為上端及下端呈開口的圓筒形狀。於內管204內之筒中空部形成有對作為基板之晶圓200進行處理的處理室201。處理室201內以可收容後述之晶舟217之方式所構成。外管205被設為與內管204同心圓狀。外管205其內徑大於內管204之外徑，且形成為上端呈封閉及下端呈開口的圓筒形狀。外管205例如藉由石英或碳化矽等耐熱性材料所構成。
於處理管203之外側以圍繞處理管203之側壁面之方式設置有作為加熱機構的加熱器206。加熱器206被構成為圓筒形狀。加熱器206被作為保持板之加熱器基座251所支撐，藉此被垂直地安裝。
於外管205之下方，以與外管205呈同心圓狀之方式配設有歧管209。歧管209例如藉由不鏽鋼等所構成。歧管209形成為上端及下端呈開口的圓筒形狀。歧管209分別與內管204之下端部及外管205之下端部卡合。歧管209以支撐內管204之下端部及外管205之下端部之方式所設置。此外，於歧管209與外管205之間，設置有作為密封構件的O形環220a。藉由歧管209被加熱器基座251所支撐，處理管203則成為被垂直安裝的狀態。藉由處理管203及歧管209形成反應容器。
於後述之密封蓋219，以與處理室201內相連通之方式連接有作為氣體導入部的處理氣體噴嘴230a及吹驅氣體噴嘴230b。於處理氣體噴嘴230a，連接有處理氣體供給管232a。於處理氣體供給管232之上游側(與連接處理氣體噴嘴230a之連接側相反側)，經由作為氣體流量控制器的MFC(質量流量控制器)241a連接有未圖示之處理氣體供給源等。此外，於吹驅氣體噴嘴230b，連接有吹驅氣體供給管232b。於吹驅氣體供給管232b之上游側(與連接吹驅氣體噴嘴230b之連接側相反側)，經由作為氣體流量控制器的MFC(質量流量控制器)241b連接有未圖示之吹驅氣體供給源等。
本實施形態之處理氣體供給系統主要藉由處理氣體供給源(未圖示)、MFC241a、處理氣體供給管232a及處理氣體噴嘴230a所構成。本實施形態之吹驅氣體供給系統主要藉由吹驅氣體供給源(未圖示)、MFC241b、吹驅氣體供給管232b及吹驅氣體噴嘴230b所構成。本實施形態之氣體供給系統主要藉由處理氣體供給系統及吹驅氣體供給系統所構成。後述之作為副控制器的氣體供給控制器14被電性連接至MFC241a、241b。
於歧管209設置有對處理室201內之環境氣體進行排氣的排氣管231。排氣管231被配置在藉由內管204與外管205之間隙所形成的筒狀空間250之下端部。排氣管231與筒狀空間250相連通。於排氣管231之下游側(與連接歧管209之連接側相反側)，自上游側起依序連接有作為壓力檢測器的壓力感測器245、例如作為APC(Auto Pressure Contoroller)所構成的壓力調整裝置242、真空泵等之真空排氣裝置246。本實施形態之氣體排氣系統主要藉由排氣管231、壓力感測器245、壓力調整裝置242所構成。後述作為副控制器的壓力控制器13被電性連接至壓力調整裝置242及壓力感測器245。再者，亦可於氣體排氣系統包含真空排氣裝置246。
於歧管209之下方設置有作為爐口蓋體的密封蓋219，該密封蓋219可氣密性地將歧管209之下端開口封閉。密封蓋219以自垂直方向下側抵接至歧管209之下端之方式所構成。密封蓋219例如藉由不鏽鋼等金屬所構成。密封蓋219形成為圓盤狀。於密封蓋219之上面，設置有與歧管209之下端抵接之作為密封構件的O形環220b。
於密封蓋219之中心部附近且與處理室201相反側，設置有用以使晶舟旋轉的旋轉機構254。旋轉機構254之旋轉軸255貫通密封蓋219而自下方來支撐晶舟217。旋轉機構254構成為藉由使晶舟217旋轉而可使晶圓200旋轉。
密封蓋219以藉由晶舟升降機115於垂直方向升降之方式所構成，該晶舟升降機115作為基板保持具升降機構垂直地被設置在處理管203之外部。藉由使密封蓋219升降，可使晶舟217朝向處理室201內外搬送。後述作為副控制器的搬送控制器11被電性連接至旋轉機構254及晶舟升降機115。
如上述，作為基板保持器具的晶舟217被構成為，使複數片晶圓200在水平姿勢且相互對齊中心的狀態下排列且多段保持。晶舟217例如藉由石英或碳化矽等耐熱性材料所構成。於晶舟217之下部以水平姿勢且多段地配置有複數片作為隔熱構件的隔熱板216。隔熱板216被形成為圓板形狀。隔熱板216例如藉由石英或碳化矽等耐熱性材料所構成。隔熱板216被構成使來自加熱器206的熱量難以傳遞至歧管209側。
於處理管203內，被設置有作為溫度檢測器的溫度感測器263。本實施形態之加熱機構主要藉由加熱器206及溫度感測器263所構成。後述作為副控制器的溫度控制器12被電性連接至其等加熱器206及溫度感測器263。
本實施形態之基板處理系統主要藉由氣體排氣系統、氣體供給系統、加熱機構所構成。
(5)處理爐之動作 接著，參照圖4，作為半導體裝置之製造步驟的一個步驟，對使用上述構成之處理爐202並藉由CVD法在晶圓200上形成薄膜的方法進行說明。再者，在以下之說明中，藉由基板處理裝置用控制器240來控制構成基板處理裝置100之各部分的動作。
如圖4所示，若將複數片晶圓200裝填(晶圓裝料)於晶舟217，則藉由晶舟升降機115保持有複數片晶圓200的晶舟217被抬起且被搬入(晶舟裝載)至處理室201內。在該狀態下，密封蓋219經由O形環220b成為將歧管209之下端密封的狀態。
為使處理室201內成為期望之壓力(真空度)，藉由真空排氣裝置246進行真空排氣。此時，根據壓力感測器245所測定的壓力值，反饋控制壓力調整裝置242(之閥之開度)。此外，為使處理室201內成為期望之溫度藉由加熱器206進行加熱。此時，根據溫度感測器263所檢測的溫度值，反饋控制朝向加熱器206的通電量。然後，藉由旋轉機構254使晶舟217及晶圓200旋轉。
接著，自處理氣體供給源被供給且以成為期望之流量之方式藉由MFC241a所控制的處理氣體，在氣體供給管232a內流通，且自噴嘴230a被導入至處理室201內。被導入的處理氣體在處理室201內上升，自內管204之上端開口流出至筒狀空間250內，而自排氣管231被排氣。氣體在通過處理室201時與晶圓200之表面接觸，此時藉由熱CVD反應在晶圓200之表面上堆積(沉積)薄膜。
在經過預先所設定的處理時間時，則自吹驅氣體供給源所供給且以成為期望之流量之方式藉由MFC241b所控制的吹驅氣體被供給至處理室201內，而將處理室201內置換為惰性氣體，並且使處理室201內之壓力恢復至常壓。
然後，藉由晶舟升降機115使密封蓋219下降，將歧管209之下端開放，並且將保持處理完畢之晶圓200的晶舟217自歧管209之下端朝向處理管203之外部搬出(卸載)。然後，處理完畢的晶圓200自晶舟217被取出，且被容納至傳送盒110內(晶圓卸料)。
(6)基板處理裝置用控制器之構成(主控制部) 以下，參照圖5，對作為基板處理裝置用控制器的控制裝置(以下亦稱為主控制部)240進行說明。
主控制部240主要藉由CPU(Central Processing Unit)25、處理控制部20、搬送控制部27、接收/傳送模組42、記憶部28、滑鼠及鍵盤等的輸入部29、監視器等之顯示部31、起動條件控制部40、密碼計算部41、及計數部43所構成；其中，該CPU25作為運算控制部；該處理控制部20進行處理控制器之控制；該搬送控制部27進行搬送控制器11之控制；該接收/傳送模組42與管理裝置600進行通信；該記憶部28包含RAM或ROM等記憶體或HDD等；該起動條件控制部40對起動條件有無實施資訊72進行控制；該起動條件有無實施資訊72被使用在判定在起動主控制部240時有無實施起動條件；該密碼計算部41在起動條件控制部40判斷為需要密碼驗證時來計算密碼；該計數部43進行主控制部240之運轉停止次數之計數、及密碼輸入時之不一致(整合)次數之計數。再者，藉由CPU25、記憶部28、輸入部29、顯示部31、起動條件控制部40、密碼計算部41、計數部43、及時鐘功能(未圖示)來構成可設定各資料的操作部。
CPU25構成主控制部240之中樞，其執行被記憶於未圖示之ROM的控制程式，且根據來自顯示部31的指示，執行被記憶於記憶部28的配方(例如，作為基板處理配方的製程用配方等)，該記憶部28亦構成配方記憶部50。ROM由EEPROM、快閃記憶體、硬碟等所構成，為記憶CPU25之動作程式等的記錄媒體。記憶體(RAM)被作為CPU25之工作區(暫時記憶部)等而發揮功能。
此處，基板處理配方係定義處理晶圓200之處理條件、處理程序等的配方。此外，在配方檔案中，於每一基板處理之步驟設定有對搬送控制器11、溫度控制器12、壓力控制器13、氣體供給控制器14等所傳送的設定值(控制值)、傳送時機等。
此外，本發明之實施形態之主控制部240，其無需依靠專用之系統，而可使用通常之電腦系統來實現。例如，藉由自容納有各種程式的外部記錄媒體(軟碟、CD-ROM、USB、外置HDD等)將其等各種程式安裝於通用電腦，可構成例如執行上述處理的主控制部240，該等各種程式包含用以執行上述處理的控制程式。
並且，用以提供其等各種程式之手段係為任意者。如上述，除了可經由既定之記錄媒體來供給外，亦可經由例如通信線路、通信網路、通信系統等來供給。在此情形下，例如，可在通信網路之揭示板揭示該程式，且經由網路疊加於載波來提供。然後，藉由起動如此所提供的程式，且在OS之控制下與其他應用程式同樣地來執行，以執行上述處理。
上述處理控制部20，具有對被裝載於上述處理爐201內的晶圓200進行既定處理，而對上述處理爐201內之溫度、壓力、被導入至該處理爐201內的處理氣體之流量等進行控制的功能。
上述搬送控制部27，具有經由未圖示之驅動馬達，對上述傳送盒搬送裝置105、上述晶圓移載機構125、上述晶舟升降機115等之搬送機構之驅動進行控制的功能。
在上述記憶部28形成有容納各種資料等的資料容納區域32、及容納各種程式的程式容納區域33。
資料容納區域32容納與上述配方檔案相關的各種參數。此外，亦容納有下述資訊：當將上述傳送盒110搬入至上述框體111內時，或將上述傳送盒110朝向上述框體111外搬出時，作為I/O台的載置台114上之交付接收位置的資訊、使作為載具裝載機的上述傳送盒搬送裝置118朝向交付接收位置移動時的動作順序、使載具裝載機118自交付接收位置移動時的動作順序等資訊。此外，於上述資料容納區域32容納有載具資訊，該載具資訊至少包含作為對每個傳送盒110進行識別之資訊的載具ID、傳送盒110內之晶圓200的種類資訊。
此外，在本實施形態中，於資料容納區域32容納有後述之經過時間的臨限值資訊(亦稱為第一臨限值資訊)60、密碼不一致次數的臨限值資訊(亦稱為第二臨限值資訊)61、起動條件有無實施資訊72之設定條件之一者即主控制部240之運轉停止次數的臨限值資訊(亦稱為第三臨限值資訊)62。
並且，在本實施形態中，於資料容納區域32容納有起動條件管理資訊52，以作為與主控制部240之起動相關的資訊，且於起動條件管理資訊52記憶有下述資訊：記憶與管理裝置600之連接狀態的管理裝置連接狀態70；記錄有主控制部240之運轉停止次數的運轉停止次數71；作為進行主控制部240之起動時的驗證資訊所被使用的起動條件有無實施資訊72；及具有前一次之主控制部240進行運轉停止之日期及時間的運轉停止資訊73。
並且，在本實施形態中，記憶部28可暫時地記憶密碼計算部所計算的計算密碼、及於主控制部240之起動時在需要密碼驗證的情形下對輸入密碼之不一致的次數進行計數的密碼不一致次數。再者，計數部進行輸入密碼之不一致之次數的計數。
於程式容納區域33，除了上述之基板處理配方等外，亦容納有用以進行上述卡匣3之搬入、搬出所需要的各種程式、及用以對無基板之狀態之爐內進行清洗的配方等。此外，例如，其構成為可容納後述之進行主控制部起動時之驗證判定的軟體程式。此外，其構成為可容納後述之於主控制部起動時在需要密碼驗證的情形下計算密碼的軟體程式。
於主控制部240之顯示部31設置有觸控面板。觸控面板顯示操作畫面，該操作畫面用以受理對上述基板搬送系統、基板處理系統的操作指令之輸入。該操作畫面具備各種顯示欄及操作鍵，用以確認基板搬送系統或基板處理系統的狀態、輸入對基板搬送系統或基板處理系統的動作指示。再者，操作部只要為如個人電腦或移動裝置等操作終端(終端裝置)般至少包含有顯示部31及輸入部29的構成即可。
搬送控制器11被構成為，可分別對構成基板搬送系統的旋轉式傳送盒棚架105、晶舟升降機115、傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254之搬送動作進行控制。此外，雖然未圖示，但是於構成基板搬送系統的旋轉式傳送盒棚架105、晶舟升降機115、傳送盒搬送裝置(基板收容器搬送裝置)118、晶圓移載機構(基板移載機構)125、晶舟217及旋轉機構254分別內置有感測器。搬送控制器11被構成為，於其等感測器分別顯示既定值或異常值等時對主控制部240進行該要旨之通知。
壓力控制器13被構成為，根據藉由壓力感測器245所檢測的壓力值，以處理室201內之壓力在期望之時機成為期望之壓力之方式控制壓力調整裝置242，並且在壓力感測器245顯示既定值或異常值等時，對主控制部240通知該要旨。
氣體供給控制器14藉由使氣閥(未圖示)開閉以控制來自處理氣體供給管232a、吹驅氣體供給管232b之氣體的供給或停止，如此所構成。此外，氣體供給控制器14被構成為，在期望之時機可使供給至處理室201內的氣體之流量成為所期望流量之方式而控制MFC241a、241b。氣體供給控制器14當氣閥(未圖示)或MFC241a、241b所具備的感測器(未圖示)顯示既定值或異常值等時，則對主控制部240通知該要旨，如此所構成。
(本發明之較佳實施形態) 接著，使用圖6、圖7、圖8及圖9等，對主控制部之起動條件之判定的實施形態進行說明，且使用圖10等，對主控制部240之運轉停止的實施形態進行說明，此外，亦使用圖11、圖12及圖13等，對起動條件有無實施資訊72之設定的實施形態進行說明。
圖6顯示在起動主控制部時實施起動條件的動作，例如，其以如下之步驟所構成：起動條件實施確認步驟(S100)，其判定是否需要實施起動條件；經過時間確認步驟(S110)，其在當起動條件實施確認步驟(S100)中判斷為需要實施起動條件的情形下，確認自控制部240之最近運轉停止時間的經過時間；及密碼確認步驟(S120)，其在更進一步需要藉由密碼輸入進行驗證的情形下來實施。
起動條件確認步驟(S100) 接著，對起動條件確認步驟S100進行說明。在起動條件資訊確認步驟S100中，若起動主控制部240，則CPU25對起動條件控制部40進行起動條件實施確認之指示。起動條件控制部40根據來自CPU25之起動條件實施確認的指示，而進行圖7所示之起動條件確認動作。起動條件控制部40取得被記憶於記憶部28之資料容納區域32的起動條件有無實施資訊72之設定狀態(S1000)，對所取得的起動條件有無實施資訊72進行確認(S1010)。當起動條件有無實施資訊72被設為有效的情形下，確認需要驗證(S1011)，此外，當起動條件有無實施資訊72被設定為無效的情形下，確認不需要實施起動條件(S1012)，並將起動條件確認結果所確認的結果返送至CPU25。
CPU25根據來自起動條件控制部40的確認結果，當判斷為需要實施起動條件的情形下，對起動條件控制部40進行經過時間確認之指示。
此外，CPU25亦可在根據來自起動條件控制部40之起動條件當確認結果判斷為不需要實施起動條件的情形下，不進行經過時間確認步驟(S110)及密碼確認步驟(S120)，而繼續主控制部240之起動。
經過時間確認步驟(S110) 接著，對經過時間確認步驟S110進行說明。起動條件控制部40根據CPU25之經過時間確認之指示，進行圖8所示之經過時間確認動作。起動條件控制部40取得記憶於記憶部25之資料容納區域32的運轉停止資訊72(S1100)，並且藉由主控制部所具有的時鐘功能取得主控制部240之起動資訊(S1110)，根據運轉停止資訊72及起動資訊來計算自上次運轉停止的經過時間(S1120)。
接著，起動條件控制部40取得記憶於記憶部25之參數記憶部51的第一臨限值，與在(S1120)中所計算的經過時間進行比較(S1130)。在(S1130)中進行比較的結果，當(S1120)中所計算的經過時間超過第一臨限值60的情形時，則確認為需要密碼驗證(S1140)，此外，當判斷為在(S1120)中所計算的經過時間等於第一臨限值60或者小於第一引數60的情形下，則確認為不需要密碼驗證(S1150)，且將所確認的結果作為該經過時間確認結果返送至CPU25。
CPU25根據來自起動條件控制部40的經過時間確認結果，當判斷為需要密碼驗證的情形下，對起動條件控制部40進行密碼確認之指示。
此外，CPU25亦可根據來自起動條件控制部40的確認結果，當判斷為不需要密碼驗證的情形下，不進行接續之密碼確認步驟(S120)，而繼續主控制部240之起動。
CPU25根據來自起動條件控制部40的經過時間確認結果，當判斷為需要密碼驗證的情形下，對密碼計算部41進行密碼計算之指示。密碼計算部41若接收CPU25之密碼計算之指示，則計算僅限當日有效之密碼，且作為計算密碼82記憶於記憶部28之資料容納區域。
計算密碼82亦可僅在密碼確認步驟(S120)之期間內有效即可，當結束密碼確認步驟(S120)時，則自記憶部28之資料容納區域32中予以刪除。
CPU25根據來自起動條件控制部40的經過時間確認結果，當判斷為需要密碼驗證時，對輸入部29進行密碼輸入請求之指示。此外，對顯示部31進行密碼請求顯示之指示。若輸入部29受理密碼之輸入，則將輸入密碼返送至CPU25作為密碼輸入請求之指示回應。CPU25將自輸入部29所接收的輸入密碼傳遞至起動條件控制部40。
密碼確認步驟(S120) 接著，對密碼確認步驟S120進行說明。起動條件控制部40根據CPU25之密碼確認之指示，進行圖9所示之密碼確認動作。起動條件控制部40若自CPU25取得輸入密碼(S1200)，則取得記憶於記憶部25之資料容納區域32的計算密碼82(S1210)，並進行輸入密碼與計算密碼82之比較(S1220)。
接著，起動條件控制部40當在(S1220)之比較結果，如判斷為具有一致(整合)性的情形下，將密碼驗證結果設定為OK(S1250)，並將判定結果返送至CPU25。
起動條件控制部40當在(S1220)之結果，如判斷為無一致性的情形下，則藉由計數部43將記憶於記憶部28之資料容納區域32的密碼不一致次數83加上1(S1230)。
接著，起動條件控制部40，對密碼不一致次數83與被記憶於記憶部28之參數容納區域的第二臨限值61)進行比較(S1240)，當判斷為超過第二臨限值61的情形時，將密碼驗證結果設定為NG(S1260)，並將判定結果返送至CPU25。
起動條件控制部40，對密碼不一致次數83與被記憶於記憶部28之參數容納區域的第二臨限值61)進行比較(S1240)，當判斷為等於第二臨限值61或者小於第二臨限值61的情形時，將密碼驗證結果設定為重試(S1270)，並將判定結果返送至CPU25。
CPU25對來自起動條件管理40的密碼驗證結果進行判定，若為OK，則繼續主控制部之起動。
CPU25對來自起動條件管理40的密碼驗證結果進行判定，若為NG則指示於顯示部31顯示無法起動的訊息，然後進行圖10所示之主控制部240之運轉停止動作。
CPU25對來自起動條件管理40的密碼驗證結果進行判定，若為重試，則再次對輸入部29進行密碼輸入請求之指示及對顯示部31進行密碼顯示請求之指示，並重覆進行密碼確認步驟(S120)。
接著，對進行主控制部240之運轉停止時之運轉停止資訊更新步驟進行說明。在運轉停止更新步驟中，當CPU25檢測主控制部240之運轉停止的情形時，對起動條件控制部40進行運轉停止通知，而起動條件控制部40則進行圖10所示之動作。
(S1300) 起動條件控制部40例如，進行運轉停止狀態(S1300)之判定，對運轉停止狀態是否為正常狀態或異常狀態進行判定。在此，所謂正常狀態係指例如藉由正規之程序進行主控制部240之運轉停止的情形，所謂異常狀態係指例如顯示強制結束等的情形，該強制結束係因突然之電源切斷或強制電源切斷或起動條件實施時之失敗所導致者。
當藉由運轉停止狀態(S1300)判定被判定為異常狀態的情形時，起動條件控制部40不進行任何之動作，而對CPU25進行主控制部240之運轉停止繼續之通知。
(S1310) 當藉由運轉停止狀態(S1300)判定而判斷為正常時，起動條件控制部40藉由主控制部240所具有的時鐘功能取得主控制部240之運轉停止日期及時間資訊，並收藏於記憶部28之運轉停止資訊73內。
(S1320) 接著，起動條件控制部40取得被記憶於記憶部28的起動條件有無實施資訊72，且對起動條件有無實施資訊72之有效或無效進行確認，若為有效，則不進行任何之動作，並對CPU25進行主控制部240之可動繼續之通知。
(S1330) 當起動條件有無實施資訊72為無效時，藉由計數器部43將顯示記憶部28之運轉停止次數的運轉停止次數71加上1，對CPU25進行主控制部240之運轉停止繼續之通知。
圖11顯示進行起動主控制部240時之驗證判定的起動條件有無實施資訊72之設定動作，例如，包含：起動條件有無實施資訊確認步驟(S200)，其判定是否需要起動條件有無實施資訊72之設定；運轉停止次數確認步驟(S210)，其根據記憶於記憶部28的運轉停止次數71進行起動條件有無實施資訊72之設定判定；及管理資訊連接確認步驟(S220)，其根據記憶於記憶部的管理裝置連接狀態70進行起動條件有無實施資訊72之設定判定。
起動條件有無實施資訊確認步驟(S200) 接著，對起動條件有無實施資訊確認步驟S200進行說明。在起動條件有無實施資訊確認步驟S200中，根據CPU25之指示，起動條件控制部40取得被記憶於記憶部28之起動條件有無實施資訊72的設定狀態，且對所取得的起動條件有無實施資訊72進行確認。當起動條件有無實施資訊72被設為有效時，不進行任何之動作而將回應返送至CPU25。當起動條件有無實施資訊72被設定為無效時，則實施運轉停止次數確認步驟(S210)。
運轉停止次數確認步驟(S210) 接著，對運轉停止次數確認步驟S210進行說明。運轉停止次數確認步驟S210進行圖12所示之運轉停止確認動作。其取得被記憶於記憶部28的運轉停止次數71(S2000)，且取得被記憶於記憶部28之參數記憶部51的第三臨限值資訊62，而與運轉停止次數71進行比較(S210)。
當運轉停止次數71等於第三臨限值資訊62或低於第三臨限值資訊62時，則不進行任何之動作而結束本動作。
當運轉停止次數71超過第三臨限值資訊62時，將起動條件有無實施資訊72之設定狀態(S2020)設為有效，且記憶於記憶部28，然後退出處理。
管理裝置連接確認步驟(S220) 接著，對管理裝置連接確認步驟S220進行說明。在運轉停止次數確認步驟S210中，當未將起動條件有無實施資訊72設為有效的情形時進行本步驟。管理裝置連接確認步驟S220進行圖13所示之管理裝置連接確認動作。取得被記憶於記憶部28的管理裝置連接狀態70(S2100)，並對管理裝置600之連接狀態進行確認(S2100)。
若管理裝置600為未連接狀態，則不進行任何之動作以接結束管理裝置連接確認步驟S220，若管理裝置600為連接狀態，則將起動條件有無實施資訊72之設定狀態設為有效(S2130)，且使其記憶於記憶部28，然後退出處理。
在本實施形態中，因藉由進行起動條件有無實施資訊72之設定，例如，由於在與新裝置之管理裝置600連接前的設置時期並不進行不需要之密碼驗證之對應，因此其可防止設置步驟中之作業效率降低的情形。
此外，更進一步在本實施形態中，藉由進行起動條件有無實施資訊72之設定，如此可防止因不熟練之作業人員的誤操作所引起之設置步驟中的作業損失，而可防止設置步驟之作業效率降低的情形。
＜其他實施形態＞ 以上，雖然已對本發明之第一實施形態、第二實施形態進行說明，但是本發明不被限定於上述各實施形態，在不超出其實質內容之範圍內本發明可進行各種變更。
在上述態樣中，已對使用一次處理複數片基板的批次式基板處理裝置1來形成膜的例子進行了說明。惟本發明不被限定於上述態樣，例如，即使在使用一次處理1片或數片基板的單片式基板處理裝置來形成膜的情形下亦可合宜地適用。即使在使用單片式之基板處理裝置的情形下，亦可藉由裝置控制器起動時之密碼驗證來限制起動，以防止在裝置設置不完全的狀態下之起動。此外，在上述態樣中，已對使用具有熱壁型處理爐的基板處理裝置來形成膜的例子進行了說明。惟本發明不被限定於上述態樣，即使在使用具有冷壁型處理爐的基板處理裝置來形成膜的情形下，其亦可合宜地適用。
11:搬送控制器 12:溫度控制器 13:壓力控制器 14:氣體供給控制器 20:處理控制部 25:CPU 27:搬送控制部 28:記憶部 29:輸入部 31:顯示部 32:資料容納區域 33:程式容納區域 40:起動條件控制部 41:密碼計算部 42:接收/傳送模組 43:計數部 50:配方記憶部 51:參數記憶部 52:起動條件管理資訊 60:第一臨限值資訊 61:第二臨限值資訊 62:第三臨限值資訊 70:管理裝置連接狀態 71:運轉停止次數 72:起動條件有無實施資訊 73:運轉停止資訊 82:計算密碼 83:密碼不一致次數 100:基板處理裝置 103:正面維修口 104:正面維修門 105:旋轉式傳送盒棚架 110:傳送盒 111a:正面壁 112:傳送盒搬入搬出口 113:前擋門 114:裝載埠 115:晶舟升降機 116:支柱 117:棚板 118:傳送盒搬送裝置 118a:傳送盒升降機 118b:傳送盒搬送機構 119:副框體 119a:正面壁 120:晶圓搬入搬出口 121:傳送盒開啟器 122:載置台 123:蓋裝卸機構 124:移載室 125:晶圓移載機構 125a:晶圓移載裝置 125b:晶圓移載裝置升降機 125c:鑷子 126:待機部 128:臂部 130:門開關 133:淨化空氣 134:淨化單元 135:V形槽口對準裝置 140:基板檢測感測器 147:爐口擋門 200:晶圓(基板) 202:處理爐 203:處理管 204:內管 205:外管 206:加熱器 209:歧管 216:隔熱板 219:密封蓋 254:旋轉機構 251:加熱器基座 220a:O形環 230a:處理氣體噴嘴 230b:吹驅氣體噴嘴 231:排氣管 232:處理氣體供給管 232a:處理氣體供給管 232b:吹驅氣體供給管 240:主控制部 241a、241b:MFC 242:壓力調整裝置 245:壓力感測器 246:真空排氣裝置 250:筒狀空間 255:旋轉軸 263:溫度感測器 400:網路 600:管理裝置
圖1係包含本發明之一實施形態之基板處理裝置的概略構成圖。 圖2係本發明之一實施形態之基板處理裝置的斜透視圖。 圖3係本發明之一實施形態之基板處理裝置的側面透視圖。 圖4係本發明之一實施形態之基板處理裝置之處理爐的縱剖面圖。 圖5係本發明之一實施形態之基板處理裝置所具備有之主控制部的方塊構成圖。 圖6係說明本發明之一實施形態之起動條件實施確認流程之各步驟的說明圖。 圖7係本發明之一實施形態之起動條件實施確認步驟的流程圖。 圖8係本發明之一實施形態之經過時間確認步驟的流程圖。 圖9係本發明之一實施形態之密碼確認步驟的流程圖。 圖10係本發明之一實施形態之主控制部運轉停止步驟的流程圖。 圖11係說明本發明之一實施形態之起動條件實施確認資訊設定流程之各步驟的說明圖。 圖12係本發明之一實施形態之運轉停止次數確認步驟的流程圖。 圖13係本發明之一實施形態之管理裝置連接確認步驟的流程圖。
100:基板處理裝置
400:網路
600:管理裝置

Claims (20)

  1. 一種基板處理裝置，其具備有： 處理室，其可處理基板； 主控制部，其可控制上述基板之處理； 記憶部，其可記憶起動條件有無實施資訊、起動條件管理資訊、及上述起動條件管理資訊之狀態；該起動條件有無實施資訊被使用在判定在起動上述主控制部時有無實施起動條件；該起動條件管理資訊管理上述起動條件；及 起動條件控制部，其在上述起動條件管理資訊滿足既定條件時，可將上述起動條件有無實施資訊設為有效。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，即使上述主控制部停止運轉，上述起動條件有無實施資訊亦被維持在上述記憶部。
  3. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置與被電性連接的管理裝置連接， 上述起動條件管理資訊係上述主控制部識別上述管理裝置的資訊， 上述既定條件係首次取得上述識別之資訊的情形。
  4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，更進一步具備： 對上述主控制部之運轉停止次數進行計數的計數部， 上述起動條件管理資訊係上述計數部所計數的運轉停止次數資訊， 上述既定條件係超過預先被定義之上述主控制部之運轉停止次數的情形。
  5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述記憶部可根據上述主控制部之指示，更新且記憶上述起動條件有無實施資訊。
  6. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述起動條件控制部可根據與上述管理裝置之連接狀態來進行起動條件之判定。
  7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述記憶部可記憶上述主控制部之運轉停止資訊， 上述起動條件控制部，在當上述起動條件有無實施資訊為有效的情形時，可根據上述運轉停止資訊及上述主控制部之起動資訊，計算自上述主控制部之運轉停止的經過時間，且將與預先被定義的經過時間之臨限值即第一臨限值進行比較的結果，通知至上述主控制部。
  8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，當上述起動條件控制部在上述起動條件有無實施資訊為無效的情形時，可將上述主控制部之運轉繼續，通知至上述主控制部。
  9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述主控制部根據來自上述起動條件控制部的通知，當判斷為需要密碼驗證的情形時，可對進行上述主控制部之操作的輸入部進行密碼輸入請求之指示。
  10. ＜主控制部：對顯示部之密碼請求顯示之指示＞如請求項9之基板處理裝置，其中，上述主控制部具有可顯示裝置之狀態的顯示部，可對上述顯示部進行密碼請求之顯示指示。
  11. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述主控制部更進一步具有密碼計算部，該密碼計算部可計算密碼、及輸出所算出的密碼即計算密碼，且可對上述密碼計算部進行上述計算密碼之輸出指示。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，上述記憶部可僅在當上述主控制部為可動中的情形時記憶上述計算密碼。
  13. 如請求項11之基板處理裝置，其中，上述起動條件控制部可受理藉由上述輸入部所輸入的輸入密碼，確認與上述計算密碼的一致性，且將密碼驗證結果通知至上述主控制部。
  14. 如請求項13之基板處理裝置，其中，上述起動條件控制部，可對無法取得上述輸入密碼與上述計算密碼之一致性時的不一致次數進行計數，且在上述不一致次數超過預先被設定的第二臨限值的情形時，對上述主控制部通知無法運轉。
  15. 如請求項13之基板處理裝置，其中，上述主控制部受理上述密碼驗證結果，且在無法運轉的情形下，停止上述主控制部之運轉。
  16. 如請求項13之基板處理裝置，其中，上述主控制部可受理上述密碼驗證結果，且在無法運轉的情形下，對上述顯示部指示顯示無法運轉之訊息。
  17. 一種裝置起動方法，其包含以下步驟： 將作為起動裝置時之驗證資訊所使用的起動條件有無實施資訊、及對將上述起動條件有無實施資訊設為有效之條件進行管理的起動條件管理資訊加以記憶的步驟； 對上述裝置之運轉狀態監視的步驟；及 參照上述起動條件管理資訊，當滿足在上述起動條件管理資訊所管理的條件時，將上述起動條件有無實施資訊設為有效的步驟。
  18. 如請求項17之裝置起動方法，其中，其具有以下步驟：於上述裝置起動時，根據上述起動條件有無實施資訊及自裝置運轉停止的經過時間，進行有無請求密碼之判定的步驟。
  19. 一種半導體裝置之製造方法，其具有以下之步驟： 如請求項17所記載的步驟；及 進行基板之處理的步驟。
  20. 一種藉由電腦所執行的程式，其執行如請求項17所記載之步驟。
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