JP2007258631A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 エラーが発生しても直ぐに通信をシャツトダウンさせないで、レシピ実行コントローラからサブコントローラへデータを送信し続ける。
【解決手段】 温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスを要求すると、レシピ関連パラメータがレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされる。温度コントローラ７は、パラメータのダウンロードに失敗したときはレシピ実行コントローラ３へＮＧの応答を返す。すると、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へ同一データのパラメータを再送信してダウンロードさせる。それでも、温度コントローラ７が正常にダウンロードできなかった場合は、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へＮＧの応答が返され、レシピ実行コントローラ３は安全側の初期値データのパラメータを再々送信して温度コントローラ７にダウンロードさせる。
【選択図】 図１

Description

本発明は、加熱炉を備えたＣＶＤ装置等の半導体製造装置に用いられる基板処理装置に関し、特に、基板処理装置を制御するコントローラに関するものである。

近年、半導体製造装置の高機能化・高性能化に対応するために、その制御システムに用いられるコントローラを複数に分割し、複数のコントローラによる分散コントローラシステムによって制御の複合化を実現している。このような分散コントローラシステムは複数のコントローラが通信回線によってネットワーク接続され、情報（データ）を相互に交信しながら高機能な制御を行っている。このような半導体製造装置における分散コントローラシステムとしては、制御部（メインコントローラ）と温度コントローラや圧力コントローラなどのサブコントローラからなる分散コントローラシステムが知られている（例えば、特許文献１参照）。この技術によれば、制御部が各サブコントローラの異常の有無を常時監視し、異常が検知されたときには制御部が該当するサブコントローラを停止させることにより、他の要素への故障の波及を未然に防止することができる。これによって、半導体製造装置の平均故障間隔（ＭＴＢＦ）を長くすることができると共に成膜処理のスループットを向上させることができる。

また、ＣＶＤ装置にあっては、加熱炉にシリコンウェーハ等の基板を収容し、加熱炉内を所定の温度に加熱しつつ反応ガスを供給して基板上に薄膜を形成する。図１は、基板処理装置に用いられるコントローラの構成を示すブロック図である。図１に示すように、基板処理装置のコントローラは、データ表示用コントローラ１とレシピ実行コントローラ３が通信回線２で接続され、さらに、レシピ実行コントローラ３から通信回線４を介してマスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８が接続された構成となっている。

レシピの実行はレシピ実行コントローラ３によるステップのシーケンス制御によって行われる。また、データ表示用コントローラ１にはデータ表示に適したオペレーティングシステムが使用される。さらに、レシピ実行コントローラ３、マスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８には、リアルタイム制御に適したオペレーティングシステムが使用されている。なお、図１に示すような基板処理装置のコントローラは分散型コントローラシステムを構成している。

データ表示用コントローラ１とレシピ実行コントローラ３を接続する通信回線２は、データ量が多いので通常はＬＡＮ回線を使用する。また、レシピ実行コントローラ３と、マスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８などのサブコントローラとを接続する通信回線４は、データ量が少ないのでシリアル接続、センサーバス接続、あるいはＬＡＮ等が使用される。

図１のコントローラの構成は分散コントローラシステムであるので、各コントローラ（つまり、データ表示用コントローラ１、レシピ実行コントローラ３、マスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８）は、それぞれ、自コントローラ以外の他コントローラがダウンした後に、他コントローラが復旧するときや電源を投入するときには、あらかじめ、相手コントローラとの間で約束された初期化シーケンスを行う。

図６は、図１に示す基板処理装置のコントローラによる従来のレシピ実行シーケンスを示す図である。なお、図６は、レシピ実行コントローラ３と温度コントローラ７との間で行われるレシピ実行シーケンスを示している。例えば、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスを要求すると（ステップＳ６１）、温度コントローラ７とレシピ実行コントローラ３との間では、現在有効であるレシピ実行コントローラ３が保持しているパラメータや設定値情報が、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされる約束となっている。言い換えれば、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７に対して初期化シーケンスが行われる。すなわち、レシピに関連づけられたパラメータ（例えば、温度ＰＩＤテーブルパラメータや温度補正テーブルパラメータなど）がレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされる（ステップＳ６２（１）〜ステップＳ６２（ｎ））。さらに、現在有効である設定値情報（例えば、レシピのステップ情報）がレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされる（ステップＳ６３）。

また、レシピ実行コントローラ３で障害が発生した場合は、温度コントローラ７は、障害発生を確認した後に定期的にレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスの要求メッセージを送信する（ステップＳ６４（１）〜ステップＳ６４（３））。そして、レシピ実行コントローラ３の障害が回復した後の最初の初期化シーケンスの要求メッセージ（ステップＳ６５）により、再び、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へ所望のパラメータがダウンロードされる（ステップＳ６６）。
特開２００１−０７７０３３号公報

しかしながら、前述の図６のシーケンスにおいて、温度コントローラ７は、これらのパラメータや設定値情報の受信（ダウンロード）に成功した場合や失敗した場合には、低位の通信プロトコルレベルでのＡＣＫ（Acknowledge：肯定応答）、ＮＡＣＫ（Negative Acknowledge：受信できなかった旨の応答）を返す仕組みになっているが、温度コントローラ７のアプリケーションレベルでの受信ＯＫの応答及び受信失敗のＮＧの応答を返すようにはなっていない。

そのため、レシピ実行コントローラ３と温度コントローラ７との間ではプロトコルレベルでの送受信はＯＫであっても、温度コントローラ７がデータ取り込み後にアプリケーションエラーが発生した場合は、コントローラ内部でのパラメータ展開処理や設定値情報の更新処理が正常に行われたか否かまでを知るすベがなかった。

本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、アプリケーションエラーが発生しても直ぐに通信をシャツトダウンさせることなく、レシピ実行コントローラからサブコントローラへデータを送信し続けて、コントローラを正常にコントロールすることができるような基板処理装置を提供することを目的とする。

上述した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、あらかじめ指定されたレシピを実行するサブコントローラと、前記レシピの内容に基づいてサブコントローラに指令を与えると共に、その指令に基づいて制御されたサブコントローラの制御状況を監視するメインコントローラとを備えた基板処理装置であって、サブコントローラは、メインコントローラから送信されたレシピに関するデータの処理が正常に行われたか否かを判定してその旨の情報をメインコントローラへ返信する判定手段を備え、メインコントローラは、判定手段から前記データの処理が正常に行われなかった旨の応答を受信したとき、前記レシピに関するデータをサブコントローラへ再送信する再送信手段を備える構成を採っている。

すなわち、本発明の基板処理装置においては、メインコントローラによるサブコントローラの制御状況の監視が一時的に不能となった後に再び監視が可能となった場合、レシピに関連するデータ（例えば、パラメータや設定値）を受信したサブコントローラ内において、判定手段がレシピに関連するデータの処理（例えば、データ展開処理やデータ更新処理）が正常に行われたか否か（つまり、ＯＫかＮＧか）を判定して、ＯＫまたはＮＧをメインコントローラへ応答する。一方、メインコントローラは、ＮＧの応答を受信した場合は、再度、前と同じレシピに関連するデータをサブコントローラへ送信する。

また、メインコントローラは、判定手段からＮＧの応答を受信した場合は、サブコントローラへ安全方向の初期値データを送信するようにしてもよい。さらに、メインコントローラは、判定手段からＮＧの応答を受信した場合は、サブコントローラをデータ受信待ちの状態にさせてもよい。

本発明の基板処理装置によれば、メインコントローラとサブコントローラからなる分散コントローラシステムにおいて、サブコントローラのアプリケーションレベルでの受信が正常（ＯＫ）か異常（ＮＧ）かの応答を返すようになっている。これによって、メインコントローラは、サブコントローラからＮＧの応答を受信した場合は、そのサブコントローラへ、前と同じレシピに関連するデータを再送信したり、前に送信した初期値データより安全方向の初期値データを送信したり、あるいは、サブコントローラをデータ受信待ちの状態にさせることができる。これによって、サブコントローラ内部でのパラメータ展開処理や設定値情報の更新処理を適正に行うことができるので、品質の高い半導体製品を製造することができる基板処理装置を実現することが可能となる。

以下、図面を参照しながら本発明における基板処理装置の実施の形態について説明するが、まず、本発明における基板処理装置の概要について述べる。

本発明の基板処理装置は、加熱炉内に処理対象の基板を収納し、ヒータによって加熱炉内を所定の温度に加熱しながらその加熱炉内に所定のガスを流し、必要に応じて加熱炉内の圧力を調整しながら基板を保持するボートを回転させることにより、基板の拡散やアニール処理、あるいはＣＶＤ処理などを行う。このとき、コントローラが所定のレシピ（仕組み）を持って、加熱炉内の設定温度、設定ガス流量、設定圧力、処理時間などの条件を指定するステップのシーケンスを実行させるが、コントローラの通信回線がダウン（通信不能状態）から復旧するときには縮退運用を行って通信の信頼性を低下させないようにしている。このようなコントローラの通信システムにすることにより、基板処理装置は信頼性の高い半導体製造を行うことができる。

ここで、通常運用と縮退運用について説明する。通常運用はレシピを通常通りに実行する運用であり、ユーザが実際の運用で用いるパラメータが使われる。例えば、ＰＩＤ定数ならチューニングされたものが通常運用に使われる。また、縮退運用は安全方向のパラメータとしてデフォルトのバラメータが使われる。

また、縮退運用させるための安全方向の初期値データは、ダウンロード順番番号定義情報として、温度ＰＩＤテーブルパラメータ、温度補正テーブルパラメータ、及び設定値情報などがある。なお、温度ＰＩＤテーブルパラメータは、通常運用としてはチューニングされたもの、温度補正テーブルパラメータは、通常運用として温度補正値が記録されたもの、また、設定値情報は、通常運用としては顧客の設定値が使われ、縮退運用としては、これらはデフォルトの値（例えば、０℃設定値）が使われる。縮退運用では、装置を安全な状態に戻すことが行われるため、基本的にはデフォルトの値が使用される。当然、縮退運用のためにデフォルト以外の設定値を用いても構わない。

次に、本発明における基板処理装置の実施の形態について説明する。本発明の基板処理装置に適用されるコントローラは、前述の図１との構成と全く同じであるので、その構成を簡単に説明する。

すなわち、図１に示す本発明の基板処理装置のコントローラは、データ表示に適したオペレーティングシステムで動作するデータ表示用コントローラ１と、ステップのシーケンス制御によってレシピの実行を行うレシピ実行コントローラ３と、マスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８からなるサブコントローラとによって構成されている。なお、サブコントローラは、リアルタイム制御に適したオペレーティングシステムによって動作するようになっている。

そして、データ表示用コントローラ１とレシピ実行コントローラ３との間の通信回線２は、データ量の多い通信に対応するためにＬＡＮ回線が使用されている。また、レシピ実行コントローラ３とマスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８のサブコントローラとの間の通信回線４は、データ量が少ないのでシリアル接続、センサーバス接続、あるいはＬＡＮ等が使用されている。

図１のコントローラの構成は分散コントローラシステムであるので、各コントローラは、それぞれ、自コントローラ以外の他コントローラがダウンした後に、他コントローラが復旧するときや電源を投入するときには、あらかじめ、相手コントローラとの間で約束された初期化シーケンスを行うようになっている。

次に、本発明に係る基板処理装置のコントローラによるレシピ実行シーケンスの動作の流れを説明する。図２は、図１に示す本発明に係る基板処理装置のコントローラによる正常時のレシピ実行シーケンスを示す図である。なお、図２は、レシピ実行コントローラ３と温度コントローラ７との間で行われるレシピ実行シーケンスを示している。

図２において、電源投入後に、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスを要求すると（ステップＳ１）、レシピに関連づけられたパラメータ（例えば、温度ＰＩＤテーブルパラメータや温度補正テーブルパラメータなど）がレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされる（ステップＳ２（１））。

なお、レシピ実行コントローラ３以外の他コントローラ（例えば、温度コントローラ７）の通信回線がダウンした後に他コントローラ（温度コントローラ７）が復旧した際や、電源投入時においては、レシピ実行コントローラ３は、予め相手コントローラ（例えば、温度コントローラ７）との間で約束された初期化シーケンスを行うようになっている。例えば、温度コントローラ７の通信回線がダウンから復旧したときに、レシピ実行コントローラ３と温度コントローラ７との間で初期化シーケンスが行われるが、このとき、レシピ実行コントローラ３とマスフローコントローラ５や圧力コントローラ６やその他のコントローラ８との間では初期化シーケンスは行われない。

このような初期化シーケンスでは、レシピ実行コントローラ３から例えば温度コントローラ７に対して、パラメータ（つまり、温度ＰＩＤテーブルパラメータや温度補正テーブルパラメータなど）及び、設定値情報（例えば、レシピのステップ情報）を送信する。具体的には、実際にレシピが実行されているか否かに関わらず、障害が発生して回復したときは、パラメータ及び設定値情報のダウンロードが行われる。

また、逆に、レシピ実行コントローラ３の通信回線がダウンから復旧したときには、レシピ実行コントローラ３と、マスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、温度コントローラ７、及びその他のコントローラ８との間では初期化シーケンスが行われる。

再び図２のシーケンスに戻り、温度コントローラ７の内部でのパラメータ展開処理が正常に行われたら、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へアプリケーションレベルでのパラメータダウンロードがＯＫであった旨の応答が返される（ステップＳ３（１））。

同様にして、他のレシピに関連づけられたパラメータがレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされると（ステップＳ２（ｎ））、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へアプリケーションレベルでのパラメータダウンロードに成功した旨のＯＫの応答が返される（ステップＳ３（ｎ））。

また、温度コントローラ７がレシピ実行コントローラ３から現在有効な設定値情報（例えば、レシピのステップ情報）をダウンロードすると（ステップＳ４）、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ設定値情報のダウンロードに成功した旨のＯＫの応答が返される（ステップＳ５）。

次に、レシピ実行コントローラ３で障害が発生した場合は、温度コントローラ７は、障害発生を確認した後に定期的にレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスの要求メッセージを送信する（ステップＳ６（１）〜ステップＳ６（３））。そして、レシピ実行コントローラ３の障害が回復した後の最初の初期化シーケンスの要求メッセージ（ステップＳ７）により、再び、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へ所望のパラメータがダウンロードされる（ステップＳ８）。そして、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へアプリケーションレベルでのパラメータダウンロードがＯＫであった旨の応答が返される（ステップＳ９）。

図３は、図１に示す本発明に係る基板処理装置のコントローラによる異常時のレシピ実行シーケンスを示す図である。なお、図３は、レシピ実行コントローラ３と温度コントローラ７との間で行われるレシピ実行シーケンスを示している。

図３において、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスを要求すると（ステップＳ１１）、レシピに関連づけられたパラメータ（例えば、温度ＰＩＤテーブルパラメータや温度補正テーブルパラメータなど）がレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロードされる（ステップＳ１２）。

ところが、温度コントローラ７は、正常にパラメータをダウンロードできなかったので、レシピ実行コントローラ３へパラメータのダウンロードに失敗した旨のＮＧの応答を返す（ステップＳ１３）。すると、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へ同一データのパラメータを再び送信してダウンロードさせる（ステップＳ１４）。

それでも、温度コントローラ７が正常に再送パラメータをダウンロードできなかった場合は、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へパラメータの再ダウンロードに失敗した旨のＮＧの応答が返される（ステップＳ１５）。すると、レシピ実行コントローラ３は、別に用意した安全方向にある初期値データのパラメータを再々送信して温度コントローラ７にダウンロードさせる。つまり、通信回線回復のための縮退運用が行われる（ステップＳ１６）。

このようにして、レシピ実行コントローラ３は、温度コントローラ７から、パラメータダウンロードに失敗した旨のＮＧの応答を受け、さらに、同一のパラメータダウンロードに失敗した旨のＮＧの応答を受けると、次には安全方向の初期値データを温度コントローラ７にダウンロードさせている。この理由は、レシピ実行中にレシピ実行コントローラ３の通信回線がダウンして、その後、人手を介してレシピ実行コントローラ３を復旧させたとき、レシピ実行コントローラ３の指示する安全方向の初期値データを温度コントローラ７に送信することによって、双方の認識を一致させるためである。

また、ステップＳ１４において同じデータを二度送信するのは次のような理由によるものである。温度コントローラ７からＮＧの応答が返るときとは、温度コントローラ内部での有効データ範囲チェックに引っかかったとき、メモリなどに問題が発生してメモリ展開エラーになったとき、あるいは、有効データ範囲チェック自身のソフトにバグがあってエラーが返るときである。このようなときに、通信回線の品質が悪かったり、通信回線が輻輳状態で一時的に不通になることを想定して、ステップＳ１５では、応答がないケースも含めて同じデータを二度送信するようにしている。つまり、図３におけるステップＳ１５のＮＧ応答は、応答がない場合も含んでいるものとする。

再び、図３のシーケンスに戻って、温度コントローラ７は、パラメータの再々ダウンロードに成功した旨のＯＫの応答をレシピ実行コントローラ３へ送信する（ステップＳ１７）。これにより、縮退運用が可能となる。

ここで、縮退運用から通常運用へ戻るには、レシピ実行コントローラ３のバグを取る。又は、レシピ実行コントローラ３が縮退運転を認識し、ディスプレイに警告メッセージを通知し、それをオペレータが認識し、マニュアル操作で、パラメータがレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へ正常にダウンロードされる（ステップＳ１８）。うまくいけば、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へアプリケーションレベルでのパラメータダウンロードに成功した旨のＯＫの応答が返される（ステップＳ１９）。そうすると、設定値情報がレシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へ正常にダウンロードされ（ステップＳ２０）、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ設定値情報のダウンロードに成功した旨のＯＫの応答が返される（ステップＳ２１）。このようにして、温度コントローラ７が設定値情報をダウンロードするごとに、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３へ設定値情報のダウンロードＯＫの応答が返される（ステップＳ２２）。

ここで、レシピ実行コントローラ３で障害が発生した場合は、温度コントローラ７は、障害発生を確認した後にレシピ実行コントローラ３へ初期化シーケンスの要求メッセージを送信する（ステップＳ２３）。そして、レシピ実行コントローラ３の障害が回復した後は、前述のステップＳ１１の初期化シーケンスの要求メッセージ以降の処理を繰り返す。

このようにして、コントローラ内部でのパラメータ展開処理や設定値情報更新処理が正常に行われたか否かによって、アプリケーションレベルでの受信成功のＯＫの応答、及び受信失敗のＮＧの応答を、レシピ実行コントローラ３へ返す仕組みを設ける。そして、ＮＧの応答をレシピ実行コントローラ３が受けた場合には、再度、同じデータを用いて再送を試みる。

それでもレシピ実行コントローラ３がＮＧの応答を受信したら、レシピ実行コントローラ３は別に用意した安全方向の初期値データによって、温度コントローラ７への再送を試みる（つまり、縮退運用する）。さらに、それでもＮＧの応答であれば、温度コントローラ７に初期化シーケンス要求を断念させて、初期化シーケンス要求待ち状態に入る仕組みを持たせる。

これにより、アプリケーションレベルでの応答において通信回線システムとしての信頼性を高め、制御システムとしての信頼性向上を図ることができる。言い換えれば、縮退運用によって初期化シーケンスを正常に終了させることができる。

図４は、図１に示す本発明のコントローラにおいてレシピ実行コントローラ３が行うレシピ実行処理の流れを示すフローチャートである。まず、レシピ実行コントローラ３の電源がＯＮされると（ステップＳ３１）、レシピ実行コントローラ３は、温度コントローラ７から初期化シーケンスの要求があったか否かの判定を行う（ステップＳ３２）。

ここで、温度コントローラ７から初期化シーケンスの要求がなければ（ステップＳ３２でＮＯの場合）、要求があるまで待つ。一方、温度コントローラ７から初期化シーケンスの要求があれば（ステップＳ３２でＹＥＳの場合）、パラメータのダウンロード順番の番号を１以下にして、安全方向の初期値データで起動した後（ステップＳ３３）、ダウンロード順番番号定義情報を参照してダウンロード順番番号のパラメータをダウンロードすると共に、ダウンロードのエラーがあった場合はそのエラー情報をロギング（記録）する（ステップＳ３４）。

ここで、ダウンロード順番番号定義情報は、例えば、“１”が温度ＰＩＤテーブルパラメータ、“２”が温度補正テーブルパラメータ、…“Ｎ”が設定値情報である。

なお、ステップＳ３４で、ダウンロード順番番号のパラメータダウンロード及びエラーロギングを行うのは、レシピ実行コントローラ３から温度コントローラ７へダウンロード順番番号のパラメータをダウンロードさせると共に、レシピ実行コントローラ３のメモリ（図示せず）の内部にダウンロード順番番号パラメータをダウンロードしたことをロギング（記録）する。この場合、ダウンロード順番番号のパラメータごとに、成功すれば成功の旨の情報をロギング（記録）し、失敗すれば失敗の旨の情報をロギング（記録）する。

次に、レシピ実行コントローラ３は、温度コントローラ７からパラメータダウンロードがＮＧである応答があったか否かを判定し（ステップＳ３５）、パラメータダウンロードがＮＧである応答があれば（ステップＳ３５でＹＥＳの場合）、ダウンロード順番番号のパラメータと同一のデータを再ダウンロードすると共に、ダウンロードにエラーがあった旨のエラー情報をロギング（記録）する（ステップＳ３６）。

さらに、レシピ実行コントローラ３は、温度コントローラ７から再びパラメータダウンロードがＮＧである応答があったか否かを判定し（ステップＳ３７）、再びパラメータダウンロードがＮＧである応答があれば（ステップＳ３７でＹＥＳの場合）、ダウンロード順番番号のパラメータの初期化データを再々ダウンロードすると共に、ダウンロードにエラーがあった旨のエラー情報をロギング（記録）する（ステップＳ３８）。

さらにまた、温度コントローラ７から三たびパラメータダウンロードがＮＧである応答があったか否かを判定し（ステップＳ３９）、三たびパラメータダウンロードがＮＧである応答があれば（ステップＳ３９でＹＥＳの場合）、温度コントローラ７からの初期化シーケンス要求待ちの状態へ遷移し（ステップＳ４０）、ステップＳ３２へ戻り、温度コントローラ７から初期化シーケンスの要求があったか否かを判定し（ステップＳ３２）、前述と同様のステップを繰り返す。

また、ステップＳ３５で、温度コントローラ７からパラメータダウンロードがＮＧである応答がないとき（ステップＳ３５でＮＯの場合）、ステップＳ３７で、温度コントローラ７から再びパラメータダウンロードがＮＧである応答がないとき（ステップＳ３７でＮＯの場合）、及びステップＳ３９で、温度コントローラ７から三たびパラメータダウンロードがＮＧである応答がないとき（ステップＳ３９でＮＯの場合）は、パラメータのダウンロード順番番号をインクリメントして行く（ステップＳ４１）。

このようにしてパラメータのダウンロード順番番号を増やして行ったとき、パラメータのダウンロード順番番号がＮ＋１になったか否かを判定し（ステップＳ４２）、パラメータのダウンロード順番番号がＮ＋１になっていれば（ステップＳ４２でＹＥＳの場合）、温度コントローラ７からの初期化シーケンス要求待ちの状態へ遷移する（ステップＳ４０）。一方、パラメータのダウンロード順番番号がＮ＋１になっていなければ（ステップＳ４２でＮＯの場合）、ステップＳ３３に戻って前述と同じステップを繰り返す。

図５は、図１に示す本発明のコントローラにおいて温度コントローラ７が行うレシピ実行処理の流れを示すフローチャートである。まず、温度コントローラ７の電源をＯＮにすると（ステップＳ５１）、温度コントローラ７はレシピ実行コントローラ３とのオンライン接続を確認する（ステップＳ５２）。

ここで、オンライン接続されていなければ（ステップＳ５２でＮＯの場合）、オンライン接続されるまで待つが、オンライン接続されていれば（ステップＳ５２でＹＥＳの場合）、温度コントローラ７からレシピ実行コントローラ３に対して初期化シーケンス要求を送信する（ステップＳ５３）。

そして、温度コントローラ７は、レシピ実行コントローラ３からパラメータダウンロードを受信したか否かを判定し（ステップＳ５４）、パラメータダウンロードを受信していなければ（ステップＳ５４でＮＯの場合）、受信するまで待つ。一方、温度コントローラ７が、レシピ実行コントローラ３からパラメータダウンロードを受信していれば（ステップＳ５４でＹＥＳの場合）、温度コントローラ７は、ダウンロードしたパラメータのデータ範囲をチェックすると共にこれを内部メモリに展開する（ステップＳ５５）。

そして、温度コントローラ７は、ダウンロードしたパラメータの内部メモリへの展開に成功したか否かを判定し（ステップＳ５６）、ダウンロードしたパラメータを内部メモリへ展開することに成功していれば（ステップＳ５６でＹＥＳの場合）、成功した旨のＯＫの応答をレシピ実行コントローラ３へ送信する（ステップＳ５７）。一方、ダウンロードしたパラメータを内部メモリへ展開することに成功していなければ（ステップＳ５６でＮＯの場合）、失敗した旨のＮＧの応答をレシピ実行コントローラ３へ送信すると共にエラー情報をロギング（記録）する（ステップＳ５８）。

なお、ステップＳ５８で、ＮＧ応答送信及びエラーロギングを行うのは、温度コントローラ７がＮＧ応答を送信すると共に、温度コントローラ７の内部での有効データ範囲外であったことを示すエラー情報、あるいは記憶手段などに問題が発生し、メモリ展開エラーを示す情報や有効データの範囲チェックのソフトにバグがあるというエラーを示す情報をレシピ実行コントローラへ送信することを意味している。

なお、エラーロギングとは、障害をハードディスクに記録し、かつ、障害が起こったことをユーザに通知し、さらに、障害が起こったときの動作をあらかじめ定めた方法で再現させることである。また、温度コントローラ７から、ＮＧの応答が返るときは、温度コントローラ７の内部での有効データ範囲チェックに引っかかったとき、メモリなどに問題が発生しメモリ展開エラーになったとき、あるいは、有効データ範囲チェック自身のソフトにバグがあってエラーが返ったときである。なお、温度コントローラは、元々、デフォルトのデータを持っているのでアップロードは可能である。

また、温度コントローラ７がパラメータダウンロードに失敗したとき、再送には同じデータを使用して、再再送には安全方向の初期値データを使用する理由は次の通りである。すなわち、再再送に同じデータの送信を試みてもＮＧ応答となる確率はほぼ１００％であり、データ内容に何らかの問題がある可能性が高い理由からである。一方、データ内容が確定されている初期値データでは、ＮＧ応答となる確率が非常に小さくなるためである。なお、データ内容に何らかの問題が生じる原因としては、ソフトバグやハード障害等が考えられ、初期化シーケンスを終了して安全方向の初期値データで起動した後に、エラーロギング情報を取り出すことでエラー原因の究明に役立てることが可能となる。

なお、前述した本発明の基板処理装置としては、半導体製造装置だけではなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する基板処理装置にも適用することができる。さらに、基板の成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、あるいは金属を含む膜を形成する処理なども含まれる。また、上記の実施の形態では、温度コントーラについて記載したが、他のサブコントローラ（つまり、マスフローコントローラ５、圧力コントローラ６、またはその他のコントローラ８など）についても同様に本発明を適用することができる。

次に、本発明に適用される基板処理装置の具体的な実施の形態について説明する。本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に対して酸化、拡散処理、あるいはＣＶＤ処理などを行う縦型の基板処理装置（以下、単に処理装置ということがある）を適用した場合について述べる。図７は、本発明に適用される基板処理装置の斜透視図である。また、図８は図７に示す基板処理装置の側面透視図である。

図７及び図８に示されているように、シリコン等からなるウェハ（基板）２００を収納したウェハキャリアとしてフープ（基板収容器、以下ポッドという）１１０が使用されている本発明の処理装置１００は筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。

筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。

ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウェハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウェハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウェハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。

ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウェハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウェハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウェハ移載機構１２５は、ウェハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウェハ移載装置（基板移載装置）１２５ａおよびウェハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウェハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図７に模式的に示されているようにウェハ移載装置エレベータ１２５ｂは、耐圧筐体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移動室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウェハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウェハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウェハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウェハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウェハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

図７に模式的に示されているように、耐圧筐体１１１の右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６の右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。

図７に模式的に示されているように移載室１２４のウェハ移載装置エレベータ１２５ｂ側およびボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアンおよび防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウェハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウェハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウェハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。

次に、本発明の処理装置の動作について説明する。図７及び図８に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。

搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウェハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウェハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられると共に、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウェハ出し入れ口を開放される。

ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウェハ２００はポッド１１０からウェハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウェハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウェハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウェハ２００を受け渡したウェハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウェハ２００をボート２１７に装填する。

一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウェハ移載機構１２５によるウェハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウェハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウェハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。

ローディング後は、処理炉２０２にてウェハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウェハの整合工程を除き、上述の逆の手順で、ウェハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。

次に、本発明に適用される基板処理装置の他の具体的な実施の形態について説明する。本発明を実施するための他の最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置の製造方法における処理工程を実施する縦型処理炉として構成されている。

以下、本発明の他の実施の形態に付いて図面に参照しながら説明する。図９は、本発明の他の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置である縦型処理炉の概略構成図であり、縦断面図として示されている。

図９ HYPERLINK "http://sgpat2.head.hitachi.co.jp/pat#www/fpic?AA04304128/000003.gif" \t "right" に示されているように、縦型処理炉（以下、処理炉２０２という）は、加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。

ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ₂）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には処理室２０１が形成されており、基板としてのウェハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。なお、アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。

また、アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間にはシール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。

後述するシールキャップ２１９にはガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されており、ノズル２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のノズル２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９はマニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面にはマニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５はシールキャップ２１９を貫通して、後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウェハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４及びボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。

基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウェハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。なおボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。

ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７及び温度制御部２３８は、操作部及び入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、及び主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。

次に、上記構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法によりウェハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。

複数枚のウェハ２００がボート２１７に装填（ウェハチャージ）されると、図９に示されているように、複数枚のウェハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。

処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７が回転されることでウェハ２００が回転される。

次いで、処理ガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２を流通してノズル２３０から処理室２０１内に導入される。導入されたガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出して排気管２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウェハ２００の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。

予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。

その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されて、マニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済ウェハ２００がボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウェハ２００はボート２１７より取り出される。つまり、ウェハディスチャージされる。

なお、一例まで、本実施の形態の処理炉にてウェハを処理する際の処理条件としては、例えば、D-Poly膜の成膜においては、処理温度５００〜６００℃、処理圧力１０〜３００Ｐａ、ガス種として、SiH₄については、ガス供給流量５００ｓｃｃｍ、PH₃については、ガス供給流量１．５ｓｃｃｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェハに処理がなされる。

本発明の基板処理装置に用いられるコントローラの構成を示すブロック図である。 図１に示す本発明に係る基板処理装置のコントローラによる正常時のレシピ実行シーケンスを示す図である。 図１に示す本発明に係る基板処理装置のコントローラによる異常時のレシピ実行シーケンスを示す図である。 図１に示す本発明のコントローラにおいてレシピ実行コントローラが行うレシピ実行処理の流れを示すフローチャートである。 図１に示す本発明のコントローラにおいて温度コントローラが行うレシピ実行処理の流れを示すフローチャートである。 図１に示す基板処理装置のコントローラによる従来のレシピ実行シーケンスを示す図である。 本発明に適用される基板処理装置の斜透視図である。 図７に示す基板処理装置の側面透視図である。 本発明の他の実施の形態で好適に用いられる基板処理装置である縦型処理炉の概略構成図である。

符号の説明

１ データ表示用コントローラ
２，４ 通信回線
３ レシピ実行コントローラ
５ マスフローコントローラ
６ 圧力コントローラ
７ 温度コントローラ
８ その他のコントローラ

Claims (1)

1. あらかじめ指定されたレシピを実行するサブコントローラと、前記レシピの内容に基づいて前記サブコントローラに指令を与えると共に、その指令に基づいて制御された該サブコントローラの制御状況を監視するメインコントローラとを備えた基板処理装置であって、
   前記サブコントローラは、前記メインコントローラから送信されたレシピに関するデータの処理が正常に行われたか否かを判定してその旨の情報を前記メインコントローラへ返信する判定手段を備え、
   前記メインコントローラは、前記判定手段から前記データの処理が正常に行われなかった旨の応答を受信したとき、前記レシピに関するデータを前記サブコントローラへ再送信する再送信手段を備える
   ことを特徴とする基板処理装置。

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