JP2014131069A - 基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ステップの進行が停滞してしまった場合に、ステップの進行に停滞が発生したことをオペレータに迅速に認識させる。
【解決手段】基板を処理する処理系と、複数のステップを処理系に順次実行させるように処理系を制御する制御部と、処理系によるステップの進行状態を操作画面に表示する操作部とを備え、制御部は、所定のステップの実行を開始してからの経過時間が、ステップの実行に予め割り当てられた許容時間を超過したら、許容時間を超過した旨を示すアラームメッセージを操作部に送信する。
【選択図】 図９

Description

本発明は複数のステップを順次実行する基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び半導体装置の製造方法に関する。

ＩＣやＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法の一工程として、例えば、基板を処理炉内に搬入する搬入ステップと、処理炉内の温度を成膜温度へと昇温させる昇温ステップと、処理炉内に処理ガスを供給して基板を処理する基板処理ステップと、処理炉内の温度を待機温度へと降温させる降温ステップと、処理後の基板を処理炉内から搬出する搬出ステップと、が順次実行される基板処理工程が実施されていた。

係る基板処理工程は、基板を処理する処理炉を備えた処理系と、処理系に対する指示の入力を受け付けると共に基板の処理状態を操作画面に表示する操作部と、複数のステップを順次実行するように処理系を制御する制御部と、を備える基板処理装置により実施されてきた。

上述の基板処理工程を実施する際、基板処理装置の不具合や誤動作等によりステップの進行が停滞してしまう場合があった。しかしながら、従来の基板処理装置では、ステップの進行に停滞が発生していることをオペレータに迅速に認識させることは困難であり、ステップ停滞時に必要となるリカバリー処理（エラー処理）の実施等が遅れてしまう場合があった。例えば、高温の処理炉内に基板が長時間放置されてしまい、基板が熱により損傷を受けてしまう（ロットアウトが発生してしまう）場合があった。

本発明は、ステップの進行が何らかの原因で停滞してしまった場合に、ステップの進行に停滞が発生したことをオペレータに迅速に認識させることが可能な基板処理装置、基板処理装置の制御方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、基板を処理する処理系と、複数のステップを前記処理系に順次実行させるように前記処理系を制御する制御部と、前記処理系による前記ステップの進行状態を操作画面に表示する操作部と、を備える基板処理装置であって、前記制御部は、前記複数のステップのうち所定のステップの実行を前記処理系に開始させたら、次のステップの実行を前記処理系に開始させることなく前記ステップの実行完了を待機すると共に、前記所定のステップの実行を開始してからの経過時間が、前記ステップの実行に予め割り当てられた許容時間を超過したら、前記許容時間を超過した旨を示すアラームメッセージを前記操作部に送信する基板処理装置が提供される。

本発明に係る基板処理装置によれば、ステップの進行が何らかの原因で停滞してしまった場合に、ステップの進行に停滞が発生したことをオペレータに迅速に認識させることが可能となる。

本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える制御部の動作を例示するフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程を例示するフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程において、搬入ステップ（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の動作を例示するフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程において、搬入ステップ（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の他の動作を例示するフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程において、減圧ステップ（「Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．」及び「Ｌｅａｋ Ｃｈｅｃｋ」）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の動作を例示するフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理工程において、搬出ステップ（Ｂｏａｔ ＵｎＬｏａｄ）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の動作を例示するフロー図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える操作部が操作画面に表示する待機モニタ画面の構成を例示する概略図である。 プロセスレシピのステップ毎にアラーム条件テーブルで指定されるエラー処理が設定されている例を示す概略図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備えるプロセス制御モジュール及びその周辺のブロック構成を例示する概略図である。 本発明の一実施形態に係る処理系の斜視図である。 本発明の一実施形態に係る処理系の側面透視図である。

（１）基板処理装置の構成
本実施形態に係る基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣやＤＲＡＭ等）の製造方法における基板処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。また、本実施形態に係る基板処理装置は、基板に例えば酸化処理、拡散処理、ＣＶＤ処理などを行なう縦型の処理装置として構成されている。

本発明の一実施形態にかかる基板処理装置は、基板を処理する処理系と、処理系に対する指示の入力を受け付けると共に基板の処理状態を操作画面に表示する操作部と、複数のステップを順次実行するように処理系を制御する制御部と、を備えている。まず、本実施形態にかかる処理系の構成について説明する。図１０は、本実施形態に係る処理系１００の斜透視図である。図１１は、図１０に示す処理系１００の側面透視図である。

図１０、図１１に示すように、本実施形態に係る処理系１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部（図１１の左側）には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設されている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する一対の正面メンテナンス扉１０４が設けられている。基板としてのウエハ２００を筐体１１１内外へ搬送するには、ウエハ２００を収納する基板収納容器としてのキャリア（ポッド）１１０が使用される。

筐体１１１の正面壁１１１ａには、キャリア搬送口（基板収納容器搬送口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。キャリア搬送口１１２は、フロントシャッタ（基板収納容器搬送口開閉機構）１１３によって開閉されるように構成されている。キャリア搬送口１１２の正面前方側には、ロードポート（基板収納容器受渡し台）１１４が設置されている。ロードポート１１４上には、キャリア１１０が載置されるキャリア配置予定位置が設けられている。キャリア１１０は、ロードポート１１４上に載置されて位置合わせされるように構成されている。キャリア１１０は、搬送系としての工程内搬送装置（図示せず）によって処理系１００外からロードポート１１４上に搬送されるように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式キャリア棚（基板収納容器載置棚）１０５が設置されている。回転式キャリア棚１０５上には、複数個のキャリア１１０が保管されるように構成されている。回転式キャリア棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収納容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７上には、キャリア１１０が載置されるキャリア配置予定位置がそれぞれ設けられている。

筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式キャリア棚１０５との間には、搬送系としてのキャリア搬送装置（基板収納容器搬送装置）１１８が設置されている。キャリア搬送装置１１８は、キャリア１１０を保持したまま昇降可能なキャリアエレベータ（基板収納容器昇降機構）１１８ａと、キャリアエレベータ１１８ａを水平方向に搬送可能なキャリア搬送機構（基板収納容器搬送機構）１１８ｂと、を備えている。キャリア搬送装置１１８は、キャリアエレベータ１１８ａとキャリア搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式キャリア棚１０５、後述するキャリアオープナ（基板収納容器蓋体開閉機構）１２１との間で、キャリア１１０を相互に搬送するように構成されている。

筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が、筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端に亘り設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬送口（基板搬送口）１２０が、垂直方向に上下に並べられて設けられている。上下段のウエハ搬送口１２０には、キャリアオープナ１２１がそれぞれ設置されている。

各キャリアオープナ１２１は、一対の載置台１２２と、キャリア１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３と、を備えている。載置台１２２上には、キャリア１１０が載置されるキャリア配置予定位置が設けられている。キャリアオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたキャリア１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、キャリア１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９内には、キャリア搬送装置１１８や回転式キャリア棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域には、搬送系としてのウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、で構成されている。図１０に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。これらウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、基板保持具としてのボート２１７に対してウエハ２００を装填（ウエハチャージ）したり脱装（ウエハディスチ
ャージ）したりすることが可能なように構成されている。ボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢で多段に積層した状態で保持するように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させるボート配置予定位置としての待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理系としての処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。

なお、図示しないが、処理系１００は、処理炉２０２及びボート２１７をそれぞれ複数備えている。そして、移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させるボート配置予定位置としての待機部１２６が複数設けられている。各ボート２１７は、移載室１２４の後側領域内に設けられた複数の待機部１２６の間を、搬送系としてのボート搬送機構（図示せず）によって搬送されるように構成されている。

図１０に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させる搬送系としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が、処理炉２０２毎に設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８がそれぞれ連結されている。アーム１２８には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平姿勢で据え付けられている。シールキャップ２１９上にはボート配置予定位置が設けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を下方から垂直に支持し、上昇したときに処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。

図１０に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給する供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示せず）が設置されている。

クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、図示しないノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されてクリーンユニット１３４によって移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。

次に、本実施形態に係る処理系１００の動作について、図１０，図１１を参照しながら説明する。なお、以下の説明に係る処理系１００の各部の動作は、後述するプロセス制御モジュールにより制御される。

図１０，図１１に示すように、キャリア１１０がロードポート１１４に供給されると、キャリア搬送口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。そして、ロードポート１１４の上のキャリア１１０が、キャリア搬送装置１１８によってキャリア搬送口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。

筐体１１１内部へと搬入されたキャリア１１０は、キャリア搬送装置１１８によって回転式キャリア棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のキャリアオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。なお、筐体１１１内部へと搬入されたキャリア１１０は、キャリア搬送装置１１８によってキャリアオープナ１２１の載置台１２２上に直接移載されてもよい。この際、キャリアオープナ１２１のウエハ搬送口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４内にクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気である筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。

載置台１２２上に載置されたキャリア１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬送口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてキャリア１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて方位が整合された後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（ウエハチャージ）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、キャリア１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。

この一方（上段または下段）のキャリアオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のキャリアオープナ１２１の載置台１２２上には、別のキャリア１１０が回転式キャリア棚１０５上からキャリア搬送装置１１８によって搬送されて移載され、キャリアオープナ１２１によるキャリア１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７内に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、図示しないボート搬送機構によって処理炉２０２の下方の待機部１２６に搬送された後、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。

ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置でのウエハの整合工程を除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理炉２０２内（処理室）より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したキャリア１１０が筐体１１１外へと搬出される。

続いて、処理系１００を構成する各部の動作を制御する装置コントローラとしてのプロセス制御モジュール１及びその周辺のブロック構成を、図９を参照しながら説明する。

プロセス制御モジュール１は、ＣＰＵ（中央処理装置）１ａ、メモリ（ＲＡＭ）１ｂ、固定記憶装置としてのハードディスク（ＨＤＤ）１ｃ、送受信モジュール１ｄ、時計機能（図示せず）を備えたコンピュータとして構成されている。ハードディスク１ｃには、操作部プログラムファイル、制御部プログラムファイル、プロセスレシピファイル、アラーム条件テーブルファイル等の他、各種画面ファイル、各種アイコンファイル等（いずれも図示せず）が格納されている。プロセス制御モジュール１には、操作画面としてのモニタ７が接続されている。プロセス制御モジュール１には、ホストコンピュータやモニタサーバ等の管理装置１５が、送受信モジュール１ｄを介して通信可能に接続されている。尚、モニタ７はタッチパネルとして構成されており、一体に構成された表示画面と入力手段（例えばキーボード）とを備えている。

プロセス制御モジュール１には、サブコントローラとしての外燃コントローラ１０、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４が、送受信モジュール１ｄを介して通信可能にそれぞれ接続されている。外燃コントローラ１０は、処理系１００が備える外燃装置（図示せず）による燃焼動作を制御するように構成されている。搬送コントローラ１１は、上述の工程内搬送装置、キャリア搬送装置１１８、ウエハ移載機構１２５、ボート搬送機構、ボートエレベータ１１５の搬送動作をそれぞれ制御するように構成されている。温度コントローラ１２は、処理炉２０２の外周を囲うヒータ（図示せず）の温度を制御することで処理炉２０２内の温度を調節するように構成されている。圧力コントローラ１３は、処理炉２０２内を排気する排気管（図示せず）に設けられた減圧排気装置としての真空ポンプの動作を制御し、排気管に設けられた圧力調整バルブの開度を調整するように構成されている。ガス供給コントローラ１４は、処理炉２０２内に連通する単一又は複数本の処理ガス供給管（図示せず）からのガスの供給や停止を、処理ガス供給管に設けられたガスバルブ（図示せず）を開閉させることにより制御するように構成されている。また、ガス供給コントローラ１４は、処理炉２０２内に供給するガス流量を、処理ガス供給管に設けられた流量制御器（図示せず）の開度を調整することにより制御するように構成されている。

プロセスレシピファイルは、基板処理工程のシーケンスを定めるファイルである。プロセスレシピファイルには、外燃コントローラ１０、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４等のサブコントローラに送信する設定値（制御値）が、基板処理のステップ毎に設定されている。また、アラーム条件テーブルファイルには、アラーム条件テーブルが格納されている。図８は、プロセスレシピのステップ毎にアラーム条件テーブルで指定されるエラー処理が設定されている例を示す概略図である。図８によれば、各ステップにアラーム条件テーブルが設定され、発生するエラーに応じてそれぞれ選択される。尚、アラーム条件テーブルで指定されるエラー処理には、ＢＵＺＺＥＲ，ＥＮＤ，ＳＹＳＴＥＭ，ＲＥＳＥＴ，ＪＵＭＰ等の処理がある。ここで、ＢＵＺＺＥＲは、ブザーを鳴動させる処理、ＥＮＤはレシピを終了させる処理、ＳＹＳＴＥＭはアラームレシピを実行させる処理、ＪＵＭＰは指定したステップへジャンプさせる処理、ＲＥＳＥＴは装置をリセットモードにする処理である。

操作部プログラムファイルは、ハードディスク１ｃからメモリ１ｂに読み出されてＣＰＵ１ａに実行されることにより、プロセス制御モジュール１に操作部２を実現するように構成されている。操作部２は、上述の処理系１００に対する指示の入力を受け付けると共に、ウエハ２００の処理状態をモニタ７に表示するように構成されている。

制御部プログラムファイルは、ハードディスク１ｃからメモリ１ｂに読み出されてＣＰＵ１ａに実行されることにより、プロセス制御モジュール１に制御部３を実現するように構成されている。制御部３は、複数のステップを順次実行するように処理系１００を制御するように構成されている。具体的には、制御部３は、プロセスレシピファイル、リカバリーレシピファイル、アラーム条件テーブルファイル等をハードディスク１ｃから読み出して、これらのレシピに定義されている各種設定値（制御値）を、外燃コントローラ１０、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４等のサブコントローラに所定のタイミングでそれぞれ送信し、処理系１００の動作を制御するように構成されている。

操作部２と制御部３とは、操作部プログラム及び制御部プログラムが起動するときにメモリ１ｂ内に動的に確保される共有メモリ領域等を利用して、相互に通信（プロセス間通信）可能なように構成されている。例えば、操作部２或いは制御部３のいずれか一方が共有メモリ領域等にメッセージを書き込むと、他方が所定のタイミングで共有メモリ領域等に書き込まれたメッセージを読み出すように構成されている。また、操作部２及び制御部３は、プロセス制御モジュール１が備える時計機能から時刻を取得できるように構成されている。

（２）基板処理工程
続いて、上述の基板処理装置により実施される半導体装置の製造工程の一工程としての基板処理工程について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える制御部の動作を例示するフロー図である。図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理工程を例示するフロー図である。

（通常時の動作）
まず、ステップに停滞が発生していない通常時の基板処理工程について説明する。

図２に示すように、本実施形態に係る基板処理装置は、ウエハ２００を保持したボート２１７を待機温度に保持された処理炉２０２内（処理室内）に搬入する搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）と、処理炉２０２内を大気圧から処理圧力へと減圧させる減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）と、処理炉２０２内に処理ガスを供給してウエハ２００を処理する成膜（ＤＥＰＯ）ステップ（Ｓ３０）と、処理炉２０２内を処理圧力から大気圧へと復帰させる大気圧復帰（Ｐｕｒｇｅ）ステップ（Ｓ４０）と、処理後のウエハ２００を保持したボート２１７を処理炉２０２内から搬出する搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）と、を順次実行するように構成されている。なお、減圧ステップ（Ｓ２０）と並行して処理炉２０２内の温度を待機温度から成膜温度へと昇温させる昇温ステップが実施され、大気圧復帰ステップ（Ｓ４０）と並行して処理炉２０２内の温度を成膜温度から待機温度へと降温させる降温ステップが実施されるが、昇温ステップ及び降温ステップについてはそれぞれ図示を省略している。

図１に、上述の基板処理工程を実施する際の制御部３の動作を例示する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置が備える制御部３の動作を例示するフロー図である。

まず、操作部２は、オペレータによる「レシピ開始指示」の入力を受け付けて、メモリ１ｂ内に確保されている共有メモリ領域に「レシピ開始指示」があった旨を書き込む。制御部３は、共有メモリ領域からレシピ開始指示があった旨を読み出して、レシピの進行を開始する（Ｓ１００）。

制御部３は、レシピを構成する複数のうち最初のステップ（本実施形態では搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０））を開始する（Ｓ１１０）。具体的には、制御部３は、プロセスレシピファイルを参照しながら、搬送コントローラ１１に所定のタイミングで各種設定値を送信していく。なお、制御部３は、搬送コントローラ１１に各種設定値を送信した時刻（レシピ開始時刻）を取得して、共有メモリ領域に記録しておく。

その後、制御部３は、実行を完了した旨の応答（実行完了応答）をサブコントローラから受信するまで、次のステップの実行を開始することなく待ち状態（ＨＯＬＤ状態）となる（Ｓ１２０）。そして、実行を完了した旨の応答をサブコントローラから受信したら（Ｓ１２０の「Ｙｅｓ」の場合）、実行を完了したステップがレシピを構成する最後のステップ（本実施形態では搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０））であるか否かを確認する（Ｓ１３０）。

制御部３は、実行を完了したステップが最後のステップでないことから、工程Ｓ１３０では「Ｎｏ」に進み、次のステップ（減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０））を開始する（Ｓ１４０）。具体的には、制御部３は、プロセスレシピファイルを参照しながら、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４に、所定のタイミングで各種設定値を送信していく。その後、制御部３は、工程Ｓ１２０〜Ｓ１４０を繰り返すことにより、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ． 及び Ｌｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）、成膜（ＤＥＰＯ）ステップ（Ｓ３０）、大気圧復帰（Ｐｕｒｇｅ）ステップ（Ｓ４０）、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）を順次実行していく。

そして制御部３は、最後のステップ（搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０））を実行したら（工程Ｓ１３０の「Ｙｅｓ」の場合）、レシピを正常終了（Ｎｏｒｍａｌ Ｅｎｄ）した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に、かかるメッセージを管理装置１５に送信する（Ｓ１５０）。なお、操作部２は、レシピを正常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域から読み出して、その旨をモニタ７に表示し、オペレータに通知する。

（ステップ停滞時の動作）
上述した通り、基板処理装置の不具合や誤動作等により、各ステップ（Ｓ１０〜Ｓ５０）の進行が停滞してしまう場合があった。

例えば、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）や搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）の停滞要因としては、工程内搬送装置、キャリア搬送装置１１８、ウエハ移載機構１２５、ボート搬送機構、ボートエレベータ１１５の故障や誤動作が挙げられる。また、制御部３からサブコントローラへ送信された設定値やサブコントローラから制御部３へ送信された動作完了通知が、制御部３とサブコントローラとの間の通信障害により不達となってしまう事などが挙げられる。これらの停滞要因により、搬送動作の開始や終了ができない場合があったのである。また、実際には搬送動作が正常に開始や終了しているにもかかわらず、所望の動作をしていないように誤認されてしまう場合があったのである。

また、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）、昇温ステップ、大気圧復帰（Ｐｕｒｇｅ）ステップ（Ｓ４０）、降温ステップの停滞要因としては、処理炉２０２内に設けられた各種センサ（圧力センサ、温度センサ）、ヒータ、真空ポンプ、圧力調整バルブの劣化や誤動作等が挙げられる。また、制御部３とサブコントローラとの間の通信障害などが挙げられる。これらの停滞要因により、処理炉２０２内の温度や圧力が所望の温度や圧力にすることが出来ない場合があったのである。また、実際には所望の温度や圧力に調整出来ているにもかかわらず、調整出来ていないように誤認されてしまう場合があったのである。

また、成膜（ＤＥＰＯ）ステップ（Ｓ３０）の停滞要因としては、処理炉２０２内に設けられた各種センサ（圧力センサ、温度センサ）、真空ポンプ、圧力調整バルブ、ガスバルブ、流量制御器の劣化や誤動作等が挙げられる。また、制御部３とサブコントローラとの間の通信障害などが挙げられる。これらの停滞要因により、処理炉２０２内に所望の流量のガスの供給を開始したり、停止したり、処理炉２０２内のガス濃度を所定の濃度に調整することが出来ない場合があったのである。また、実際には処理炉２０２内へのガス供給制御やガス濃度調整が出来ているにも関わらず、出来ていないように誤認されてしまう場合があったのである。

従来の基板処理装置では、ステップの進行に停滞が発生していることをオペレータが迅速に認識することが困難であった。従来の基板処理装置では、ステップの進行が停滞しているか否かは、オペレータが能動的に操作画面等を操作して基板処理装置の状態を確認しなければ認識することが出来ず、オペレータが受動的に認識することは困難であったからである。また、ステップの進行が遅延したとしても、待機していれば正常に完了する場合も少なからずあったため、従来の基板処理装置では、ステップの進行が停滞したとしても異常状態が発生したとは判断していなかったからである。そのため、従来の基板処理装置では、ステップ停滞時に必要となるリカバリー処理の実施等が遅れてしまうことがあった。その結果、例えば高温の処理炉内に基板が長時間放置されてしまい、ウエハ２００が熱によって損傷を受けてしまう（ロットアウトが発生してしまう）ことがあった。

これに対し、本実施形態に係る基板処理装置では、ステップの進行が何らかの原因で停滞してしまった場合に、ステップの進行に停滞が発生したことをオペレータに迅速に認識させることが出来るように構成されている。以下に、ステップ停滞時の制御部３の動作を、図１を参照して説明する。

上述したように、ステップＳ１０〜Ｓ５０のいずれかを開始した制御部３は待ち状態（ＨＯＬＤ状態）となり、実行完了応答をサブコントローラから受信するまでＨＯＬＤ状態を継続する（Ｓ１２０で「Ｎｏ」に分岐する）。

ＨＯＬＤ状態にある制御部３は、実行完了応答をサブコントローラから受信するまで、ステップを開始してからの経過時間（ｔ１）を所定の時間間隔で取得する（Ｓ１７０）。具体的には、制御部３は、上述の工程Ｓ１１０にてレシピ上に設定された時間の計測を実行し、その時間が経過してもサブコントローラから応答が受信できない状態をＨＯＬＤ時間としてカウントすることにより、経過時間（ｔ１）を取得する。

経過時間（ｔ１）を取得した制御部３は、ハードディスク１ｃに格納されているアラーム条件テーブルファイルを参照して、実行中のステップに予め割り当てられている許容時間（ｔ２）を取得する（Ｓ１８０）。例えば、実行中のステップが搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）であれば、制御部３は許容時間（ｔ２）として“００：２０：００”を取得する。

そして制御部３は、経過時間（ｔ１）と許容時間（ｔ２）との大小関係を比較する（Ｓ１９０）。制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過していなければ（Ｓ１９０で「Ｎｏ」の場合）、ＨＯＬＤ状態を継続することとして、上述のＳ１２０以降の工程を繰り返す。また、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過していれば（Ｓ１９０で「Ｙｅｓ」の場合）、制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域へ書きこむことにより、実行中のステップの進行が何らかの理由で停滞していることを操作部２へ通知する（Ｓ２００）。その後、制御部３は、後述するように操作部２によって「リカバリー処理」指示が共有メモリ領域に書きこまれるまで待ち状態となり、ＨＯＬＤ状態を継続しつつ、所定の時間間隔でＳ１７０以降の工程を繰り返す（Ｓ２１０で「Ｎｏ」の場合）。

経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域から読み出した操作部２は、実行中のステップ（停滞が発生したステップ）のリカバリー処理の実行を促す画面（例えば、許容時間（ｔ２）を超過しアラームが発生している要因を示す画面）である待機モニタ画面７ｗをモニタ７に表示する。

図７は、操作部２がモニタ７に表示する待機モニタ画面７ｗの構成を例示する概略図である。図７に示すように、待機モニタ画面７ｗには、レシピを構成するステップに対応してランプ（アイコン）Ｂ１〜Ｂ５がそれぞれ表示されるように構成されている。そして、停滞が発生したステップに対応するランプが点灯し、その他のステップ（実行完了済みのステップ、或いはこれから実行するステップ）に対応するランプは消灯する等して、どのステップで停滞が発生しているのかをオペレータが容易に把握できるように構成されている（図７では、ランプＢ１が点灯し、ランプＢ２〜Ｂ５が消灯し、（搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）にて停滞が発生している様子を例示している）。

なお、図７に示す待機モニタ画面７ｗには、ランプＢ１〜Ｂ５と共に、経過時間（ｔ１）及び許容時間（ｔ２）が欄Ｃ１，Ｃ２内にそれぞれ表示される。操作部２は、待機モニタ画面７ｗを表示する際に、上述の工程Ｓ１１０にて共有メモリ領域に記録されたレシピ開始時刻を読み出す。また、操作部２は、アラーム条件テーブルファイルを参照して、実行中のステップに予め割り当てられている許容時間（ｔ２）を取得する。そして、レシピのＳＴＥＰ単位のＨＯＬＤ時間から経過時間（ｔ１）を取得する。なお、操作部２は、所定の時間間隔で欄Ｃ１に表示する経過時間（ｔ１）を時間の経過と共に逐次更新する。

ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、共有メモリ領域からアラーム条件テーブル内のエラー処理を読み出して、所定のリカバリー処理を実行する（Ｓ２１０で「Ｙｅｓ」に分岐しＳ２２０に進む）。具体的には、アラーム条件テーブルファイルを参照し、強制終了させるステップに対応したリカバリー処理を読み出す。例えば、リカバリー処理が図８よりＳＹＳＴＥＭであれば、アラームレシピを実行することなので、プロセスレシピと同様に、搬送コントローラ１１、温度コントローラ１２、圧力コントローラ１３、ガス供給コントローラ１４に、所定のタイミングで各種設定値を送信していく。制御部３は、リカバリー処理の実行を完了した旨の応答（リカバリー実行完了応答）をサブコントローラから受信するまでＨＯＬＤ状態となる。

リカバリー処理の実行を完了した旨の応答をサブコントローラから受信した制御部３は、レシピを異常終了（Ａｂｎｏｒｍａｌ Ｅｎｄ）した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に、管理装置１５に送信する。又、リカバリー処理後、再度レシピに戻り、該レシピが継続された場合、制御部３は、該レシピが終了した後に、レシピを異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に管理装置１５に送信するようにしてもよい（Ｓ２３０）。操作部２は、異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域から読み出して、その旨をモニタ７に表示する。

（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、ステップＳ１０〜Ｓ５０のいずれかを開始した制御部３は待ち状態（ＨＯＬＤ状態）となり、所定の時間間隔で経過時間（ｔ１）と許容時間（ｔ２）との大小関係を比較するように構成されている。そして、制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過していれば、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域へ書きこむことにより、実行中のステップの進行が何らかの理由で停滞していることを操作部２へ通知するように構成されている。待機モニタ画面７ｗには、レシピを構成するステップに対応してランプＢ１〜Ｂ５がそれぞれ表示されるように構成され、どのステップで停滞が発生しているのかをオペレータが容易に把握できるように構成されている。

その結果、オペレータは、能動的にモニタ７やタッチパネルを操作して基板処理装置の状態を確認することなく、ステップの進行に停滞が発生していることを容易且つ迅速に認識することが可能となる。その結果、例えば、高温の処理炉内に基板が長時間放置されてしまい、ウエハ２００が熱によって損傷を受けてしまうような事態を回避することが可能となる。

（ｂ）本実施形態によれば、操作部２がモニタ７に表示する待機モニタ画面７ｗには、ランプＢ１〜Ｂ５と共に、経過時間（ｔ１）及び許容時間（ｔ２）が欄Ｃ１，Ｃ２内にそれぞれ表示される。また、操作部２は、所定の時間間隔で欄Ｃ１に表示する経過時間（ｔ１）を時間の経過と共に逐次更新する。

その結果、オペレータは、ステップのどのぐらいの時間停滞しているのかを容易に認識することが可能となり、ステップを強制終了させるべきか否かの判断を容易に行うことが可能となる。

又、オペレータは、速やかに所定のリカバリー処理を実施することが可能となる。すなわち、リカバリー処理は、ステップ毎に予め登録されているアラーム条件テーブルに指定されているエラー処理から選択するだけでよいため、オペレータはリカバリー処理に関する詳細な手順を都度調べたりすることなく、速やかにリカバリーを開始させることが可能となる。

以上（ａ）〜（ｃ）で述べたように、本実施形態によれば、レシピ実行中にウエハ２００の品質に関わるようなエラーが発生してステップの進行が停滞したら、次のステップの実行を停止しつつステップの遅延をオペレータに通知し、ステップの強制終了を促すことで、連続バッチ処理時におけるウエハ２００の二次的な損害を回避することが可能となる。

以下に、本発明の実施例について、図３から図９を参照しながら説明する。

（実施例１）
図３は、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の動作を例示するフロー図である。

図３によれば、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の進行に停滞が生じたら、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域へ書きこむことにより、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の進行が何らかの理由で停滞していることを操作部２へ通知する。そして、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、共有メモリ領域から「エラー処理（アラーム条件テーブル）」の指示を読み出して、所定のリカバリー処理（本実施例では搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１１））を実行する。リカバリー処理の実行を完了した旨の応答をサブコントローラから受信した制御部３は、レシピを異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に、管理装置１５に送信する。操作部２は、異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域から読み出して、その旨をモニタ７に表示する。

本実施例によれば、オペレータは、モニタ７やタッチパネルを能動的に操作して基板処理装置の状態を確認することなく、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の進行に停滞が発生していることを容易且つ迅速に認識することが可能となる。また、オペレータは、速やかに所定のリカバリー処理を実施して、ウエハ２００を保持したボート２１７が高温の処理炉２０２内に放置されてダメージを受けてしまうことを回避できる。

（実施例２）
図４は、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の他の動作を例示するフロー図である。

図４によれば、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の進行に停滞が生じたら、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域へ書きこむことにより、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の進行が何らかの理由で停滞していることを操作部２へ通知する。そして、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、共有メモリ領域から「エラー処理（アラーム条件テーブル）」の指示を読み出して、所定のリカバリー処理を実行する。本実施例ではリカバリー処理として、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップの再実施（Ｓ１２））した後、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）、成膜（ＤＥＰＯ）ステップ（Ｓ３０）、大気圧復帰（Ｐｕｒｇｅ）ステップ（Ｓ４０）、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）を順次実施する。リカバリー処理（Ｓ１２〜Ｓ５０）の実行を完了した旨の応答をサブコントローラから受信した制御部３は、レシピを異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に、管理装置１５に送信する。操作部２は、異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域から読み出して、その旨をモニタ７に表示する。

本実施例によれば、オペレータは、モニタ７やタッチパネルを能動的に操作して基板処理装置の状態を確認することなく、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップ（Ｓ１０）の進行に停滞が発生していることを容易且つ迅速に認識することが可能となる。また、オペレータは、速やかに所定のリカバリー処理を実施して、搬入（Ｂｏａｔ Ｌｏａｄ）ステップの再実施（Ｓ１２）が成功した場合には、基板処理を継続させることが可能となる。

（実施例３）
図５は、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の動作を例示するフロー図である。

図５によれば、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）の進行に停滞が生じたら（例えば、処理炉２０２内の排気（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．）を複数回リトライしてもリーク有無チェック（Ｌｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）をクリアできなかったら）、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域へ書きこむことにより、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）の進行が何らかの理由で停滞していることを操作部２へ通知する。そして、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、共有メモリ領域から「エラー処理（アラーム条件テーブル）」の指示を読み出して、所定のリカバリー処理（本実施例では大気圧復帰（Ｐｕｒｇｅ）ステップ（Ｓ２１）、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ２２））を実行する。リカバリー処理の実行を完了した旨の応答をサブコントローラから受信した制御部３は、レシピを異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に、管理装置１５に送信する。操作部２は、異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域から読み出して、その旨をモニタ７に表示する。

本実施例によれば、オペレータは、モニタ７やタッチパネルを能動的に操作して基板処理装置の状態を確認することなく、減圧（Ｓｌｏｗ Ｖａｃ．及びＬｅａｋ Ｃｈｅｃｋ）ステップ（Ｓ２０）の進行に停滞が発生していることを容易且つ迅速に認識することが可能となる。また、オペレータは、速やかに所定のリカバリー処理を実施して、減圧されていない処理炉２０２内にウエハ２００を保持したボート２１７が放置されてダメージを受けてしまうことを回避できる。

(実施例４）
図６は、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）の経過時間が許容時間を超過したときの基板処理装置の動作を例示するフロー図である。

図６によれば、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）の進行に停滞が生じたら、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、経過時間（ｔ１）が許容時間（ｔ２）を超過した旨を示すアラームメッセージを共有メモリ領域へ書きこむことにより、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０））の進行が何らかの理由で停滞していることを操作部２へ通知する。そして、ＨＯＬＤ状態を継続していた制御部３は、共有メモリ領域から「エラー処理（アラーム条件テーブル）」の指示を読み出して、所定のリカバリー処理（本実施例では搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップの再実行（Ｓ５１））を実行する。リカバリー処理の実行を完了した旨の応答をサブコントローラから受信した制御部３は、レシピを異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域に書き込むと共に、管理装置１５に送信する。操作部２は、異常終了した旨のメッセージを共有メモリ領域から読み出して、その旨をモニタ７に表示する。

本実施例によれば、オペレータは、モニタ７やタッチパネルを能動的に操作して基板処理装置の状態を確認することなく、搬出（Ｂｏａｔ Ｕｎｌｏａｄ）ステップ（Ｓ５０）の進行に停滞が発生していることを容易且つ迅速に認識することが可能となる。また、オペレータは、速やかに所定のリカバリー処理を実施して、処理後のウエハ２００を迅速に搬出して、レシピを速やかに完了させることが出来る。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の好ましい態様について付記する。

本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理系と、
複数のステップを前記処理系に順次実行させるように前記処理系を制御する制御部と、
前記処理系による前記ステップの進行状態を操作画面に表示する操作部と、
を備える基板処理装置であって、
前記制御部は、
前記複数のステップのうち所定のステップの実行を前記処理系に開始させたら、次のステップの実行を前記処理系に開始させることなく前記ステップの実行完了を待機すると共に、前記所定のステップの実行を開始してからの経過時間が、前記ステップの実行に予め割り当てられた許容時間を超過したら、前記許容時間を超過した旨を示すアラームメッセージを前記操作部に送信する基板処理装置が提供される。

好ましくは、
前記制御部は、
基板を保持した基板保持具を待機温度に保持された処理炉内に搬入する搬入ステップと、
前記処理炉内を大気圧から処理圧力へと減圧させる減圧ステップと、
前記処理炉内に処理ガスを供給して前記基板を処理する成膜ステップと、
前記処理炉内を処理圧力から大気圧へと復帰させる大気圧復帰ステップと、
前記処理後の基板を保持した基板保持具を前記処理炉内から搬出する搬出ステップと、
を前記処理系に順次実行させるように前記処理系を制御する。

好ましくは、
前記制御部は、前記アラームメッセージを受信したらＨＯＬＤ時間を監視し、一定時間経過後にアラーム条件テーブル内のエラー処理を実行するように前記処理系を制御する。

本発明の他の態様によれば、
基板を処理する処理系と、
前記処理系に複数のステップを順次実行させるように前記処理系を制御する制御部と、
前記処理系による前記基板の処理状態を操作画面に表示する操作部と、
を備える基板処理装置により実施される半導体装置の製造方法であって、
前記制御部は、
前記複数のステップのうち所定のステップの実行を前記処理系に開始させたら、次のステップの実行を開始させることなく前記所定のステップの実行完了を待機すると共に、前記所定のステップの実行を開始してからの経過時間が、前記ステップの実行に予め割り当てられた許容時間を超過したら、前記許容時間を超過した旨を示すアラームメッセージを前記操作部に送信する半導体装置の製造方法が提供される。

＜本発明の他の実施形態＞
上記の実施形態では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばＣＶＤ、ＰＶＤ、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、他の基板処理装置（露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ装置等）にも好適に適用可能である。

１ プロセス制御モジュール
２ 操作部
３ 制御部
７ モニタ（操作画面）
７ｗ 待機モニタ画面（ステップを強制終了させるか否かの選択を促す画面）
１００ 処理系
２００ ウエハ（基板）

Claims (11)

1. 複数のステップで構成されているプロセスレシピ及び前記ステップ毎に予め設定されている許容時間とアラーム発生時に実行されるリカバリー処理が定義されているアラーム条件テーブルを実行するよう制御する制御部を備えた基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記プロセスレシピ実行中、前記複数のステップのうち所定のステップを開始してから前記所定のステップの実行完了を待っている間に、前記所定のステップに設定された設定時間を経過した時間が前記許容時間を超過したら、前記アラームが発生した前記所定のステップに応じて前記アラーム条件テーブルに定義されている所定のリカバリー処理を実行する基板処理装置。
2. 複数のステップで構成されているプロセスレシピ及びステップ毎に予め設定されている許容時間とアラーム発生時に実行されるリカバリー処理が定義されているアラーム条件テーブルを実行するよう制御する制御部を備えた基板処理装置の制御方法であって、
   前記制御部は、前記プロセスレシピ実行中、前記複数のステップのうち所定のステップを開始してから前記所定のステップの実行完了を待っている間に、前記所定のステップの設定時間を経過した時間が前記許容時間を超過したら、前記アラームが発生した前記所定のステップに応じて、前記アラーム条件テーブルに定義されている所定のリカバリー処理を実行する基板処理装置の制御方法。
3. 複数のステップで構成されているプロセスレシピ及びステップ毎に予め設定されている許容時間とアラーム発生時に実行されるリカバリー処理が定義されているアラーム条件テーブルを実行するよう制御して基板を処理する基板処理工程を備えた半導体装置の製造方法であって、
   前記基板処理工程では、前記プロセスレシピ実行中、前記複数のステップのうち所定のステップを開始してから前記所定のステップの実行完了を待っている間に、前記所定のステップの設定時間を経過した時間が前記許容時間を超過したら、前記アラームが発生した前記所定のステップに応じて前記アラーム条件テーブルに定義されている所定のリカバリー処理を実行する半導体装置の製造方法。
4. 前記リカバリー処理のうち、前記所定のステップの再実行処理、または、前記所定のステップから指定したステップへジャンプさせる処理を選択して実行する請求項１の基板処理装置。
5. 前記制御部は、前記リカバリー処理として前記所定のステップを再実行し、前記アラームの発生要因が解消されると前記所定のステップの次に実行されるステップを実行させる請求項１の基板処理装置。
6. 前記リカバリー処理は、ステップの再実行処理、ブザーを鳴動させる処理、レシピを終了させる処理、アラームレシピを実行する処理、指定したステップへジャンプさせる処理、装置を停止する処理、他のステップへ移行させる処理のうち少なくともいずれか一つの処理を含む請求項１の基板処理装置。
7. 前記制御部は、前記リカバリー処理を実行すると共に、前記許容時間を超過した旨のアラームメッセージを通知する請求項１の基板処理装置。
8. 前記制御部は、前記リカバリー処理を終了後、前記プロセスレシピに戻り、前記プロセスレシピを終了させる請求項１の基板処理装置。
9. 前記制御部は、前記プロセスレシピを終了させた後、次に実行されるプロセスレシピの実行を一時停止させる請求項８の基板処理装置。
10. 前記リカバリー処理は、各ステップに応じて前記許容時間が異なる請求項１の基板処理装置。
11. 前記リカバリー処理は、各ステップで発生するエラーに応じて、異なる処理が選択される請求項１の基板処理装置。