TW202300602A - 研磨用組成物及研磨方法 - Google Patents

研磨用組成物及研磨方法 Download PDF

Info

Publication number
TW202300602A
TW202300602A TW111105745A TW111105745A TW202300602A TW 202300602 A TW202300602 A TW 202300602A TW 111105745 A TW111105745 A TW 111105745A TW 111105745 A TW111105745 A TW 111105745A TW 202300602 A TW202300602 A TW 202300602A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
acid
polishing
polishing composition
polished
less
Prior art date
Application number
TW111105745A
Other languages
English (en)
Inventor
石田博之
森永均
Original Assignee
日商福吉米股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商福吉米股份有限公司 filed Critical 日商福吉米股份有限公司
Publication of TW202300602A publication Critical patent/TW202300602A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

本發明提供可以高的研磨速度研磨樹脂製之研磨對象物且可將樹脂製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑之研磨用組成物。 本發明之研磨用組成物含有研磨粒、界面活性劑及水，界面活性劑含有具有碳-碳三鍵之下述化學式(1)之乙炔化合物。下述化學式(1)中之R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立表示氫原子或碳數1以上20以下之取代或無取代之烷基，R 5及R 6分別獨立表示碳數1以上5以下之取代或無取代之伸烷基，m為1以上之整數，n為0以上之整數，m+n為50以下。該研磨用組成物係使用於研磨樹脂製之研磨對象物。

Description

研磨用組成物及研磨方法
本發明係有關研磨用組成物及研磨方法。
研磨樹脂製之研磨對象物表面時所使用之研磨用組成物，被要求迅速研磨研磨對象物之能力(亦即，高的研磨速度)與將研磨對象物之表面研磨為平坦、平滑之能力。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]國際公開第2020/122191號
[發明欲解決之課題]
例如於專利文獻1，揭示滿足上述要求之研磨用組成物。然而，對研磨樹脂製之研磨對象物表面時所使用之研磨用組成物，仍期望進而提高迅速研磨研磨對象物之能力及將研磨對象物表面研磨為平坦、平滑之能力。 本發明之課題在於提供可以高的研磨速度研磨樹脂製之研磨對象物，同時可將樹脂製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑之研磨用組成物及研磨方法。 [用以解決課題之手段]
本發明之一態樣之研磨用組成物之特徵係使用於研磨樹脂製之研磨對象物所使用的研磨用組成物，其含有研磨粒、界面活性劑及水，界面活性劑含有具有碳-碳三鍵之下述化學式(1)之乙炔化合物，下述化學式(1)中之R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立表示氫原子或碳數1以上20以下之取代或無取代之烷基，R 5及R 6分別獨立表示碳數1以上5以下之取代或無取代之伸烷基，m為1以上之整數，n為0以上之整數，m+n為50以下。
Figure 02_image001
又，本發明之其他態樣之研磨方法之特徵係具有使用上述一態樣之研磨用組成物研磨樹脂製之研磨對象物之研磨步驟。
根據本發明，可以高的研磨速度研磨樹脂製之研磨對象物，同時可將樹脂製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑。
針對本發明之一實施形態詳細地說明。又，以下實施形態係表示本發明之一例，但本發明不限定於本實施形態者。又，可對以下之實施形態加上各種變更或改良，加上此等變更或改良之形態亦可包含於本發明。
本實施形態之研磨用組成物係於研磨樹脂製之研磨對象物所使用之研磨用組成物，其含有研磨粒、界面活性劑及水。該界面活性劑含有具有碳-碳三鍵之乙炔化合物。該乙炔化合物係以下述化學式(1)表示之化合物，下述化學式(1)中之R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立表示氫原子或碳數1以上20以下之取代或無取代之烷基，R 5及R 6分別獨立表示碳數1以上5以下之取代或無取代之伸烷基。又，m為1以上之整數，n為0以上之整數，m+n為50以下。
Figure 02_image003
本實施形態之研磨方法係具有使用上述本實施形態之研磨用組成物研磨樹脂製之研磨對象物之研磨步驟的研磨方法。 本實施形態之研磨用組成物迅速研磨樹脂製之研磨對象物之能力優異，同時將樹脂製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑之能力亦優異。因此，若使用本實施形態之研磨用組成物研磨樹脂製研磨對象物，則可以高的研磨速度研磨樹脂製之研磨對象物，同時可將樹脂製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑。因此，可效率良好地製造表面經加工為平坦、平滑(例如，表面粗糙度Ra較小，刮痕等缺陷較少)之樹脂製之製品。
以下，針對本實施形態之研磨用組成物及研磨方法詳細說明。 1. 研磨對象物 本實施形態之研磨用組成物及研磨方法所適用之研磨對象物之種類，只要為樹脂製則未特別限定，可為全體以樹脂形成之構件(樹脂製構件)，亦可為一部分以樹脂形成之構件。作為一部分以樹脂形成之構件之例，可舉例於基材之表面被覆樹脂皮膜之構件。
又，樹脂之種類未特別限定者，可舉例為例如熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂。作為熱塑性樹脂之例，可舉例氟樹脂、丙烯酸樹脂(例如，聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸甲酯)、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、丙烯腈‧丁二烯‧苯乙烯共聚物、丙烯腈‧苯乙烯共聚物、聚乙烯醇、聚偏二氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚縮醛、聚苯醚、聚碸、聚醚碸、聚苯硫醚、聚芳酯、聚醚醯亞胺、聚醚醚酮、液晶聚合物、超高分子量聚乙烯、胺基甲酸酯樹脂。
作為氟樹脂之例，可舉例聚四氟乙烯(PTFE)等之完全氟化樹脂，及聚氯三氟乙烯(PCTFE)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、聚氟乙烯(PVF)等之部分氟化樹脂，及過氟烷氧基氟樹脂(PFA)、四氟乙烯‧六氟丙烯共聚物(FEP)、乙烯‧四氟乙烯共聚物(ETFE)、乙烯‧氯三氟乙烯(ECTFE)等之氟化樹脂共聚物。
作為熱硬化性樹脂之例，可舉例酚樹脂、脲樹脂、三聚氰胺樹脂、不飽和聚酯、環氧樹脂、矽氧樹脂、聚胺基甲酸酯。 該等樹脂中，對於研磨氟樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯之用途，本實施形態之研磨用組成物及研磨方法尤為合適。
2. 界面活性劑 本實施形態之研磨用組成物含有界面活性劑，該界面活性劑含有以上述化學式(1)表示之乙炔化合物。藉由以化學式(1)表示之乙炔化合物之作用可使樹脂表面親水化，減小接觸角。其結果，研磨用組成物因對樹脂製之研磨對象物之表面及研磨墊之附著量提高，故除了可以高的研磨速度研磨研磨對象物以外，因研磨用組成物對樹脂製之研磨對象物表面均一附著，故容易均一地研磨研磨對象物表面，且可將研磨對象物之表面研磨為平坦、平滑。
該等作用效果認為係藉由乙炔化合物吸附於研磨粒、樹脂製之研磨對象物及研磨墊，而作為研磨粒、樹脂製之研磨對象物及研磨墊間之黏合劑發揮作用。且，該作用效果之上述展現機制係推測。又，本發明非限定於上述展現機制者。
藉此，若使用本實施形態之研磨用組成物進行研磨，則即使為接觸角90°以上之高撥水性之樹脂，仍可藉由以化學式(1)表示之乙炔化合物之作用使樹脂表面親水化，使接觸角成為未達90°。因此，可以高的研磨速度研磨高撥水性樹脂製之研磨對象物，同時可將高撥水性樹脂製之研磨對象物之表面研磨為平坦、平滑。作為高撥水性樹脂之例，可舉例前述之氟樹脂。
當然，接觸角未達90°之低撥水性樹脂，亦可適用本實施形態之研磨用組成物，而可以高的研磨速度研磨低撥水性樹脂製之研磨對象物，同時可將低撥水性製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑。
以化學式(1)表示之乙炔化合物，較佳係將樹脂之接觸角減小為10°以上55°以下者，更佳為將樹脂之接觸角減小為10°以上45°以下者。研磨對象物為高撥水性樹脂之情況，以化學式(1)表示之乙炔化合物更佳為將樹脂之接觸角減小為20°以上45°以下者。
進而，低硬度且高彈性之樹脂，亦即具有柔軟度與韌性之樹脂亦可適用本實施形態之研磨用組成物，可以高的研磨速度研磨低硬度且高彈性之樹脂製之研磨對象物，同時可將低硬度且高彈性之樹脂製之研磨對象物表面研磨為平坦、平滑。
此處所謂的低硬度意指於JIS K7202-2規定之洛氏硬度為HRM65以下之樹脂。且，「HRM」之「HR」表示洛氏硬度，「M」係表示硬度尺度。又，所謂高彈性樹脂意指拉伸彈性模數為2.8GPa以下之樹脂。 作為低硬度且高彈性之樹脂之聚體例，可舉例聚碳酸酯(HRM 5.6，拉伸彈性模數2.1GPa)、環氧樹脂(HRM45，拉伸彈性模數2.2GPa)、聚四氟乙烯(HRM19，拉伸彈性模數0.6GPa)。
以化學式(1)表示之乙炔化合物之HLB值較佳為4以上19以下，更佳為7以上18以下，又更佳為10以上18以下。HLB值若於上述範圍內，則可獲得高的研磨速度，同時研磨後之研磨對象物表面成為更平坦、平滑。且，HLB值若為4以上，乙炔化合物容易分散於水中，HLB若為10以上，乙炔化合物容易溶解於水中。
又，以化學式(1)表示之乙炔化合物之HLB值特佳為10以上15以下。HLB值若於該範圍內，除了可獲得高的研磨速度，同時研磨後之研磨對象物表面更為平坦、平滑以外，可抑制研磨用組成物之起泡，研磨用組成物之處理亦變得容易。
以化學式(1)表示之乙炔化合物，如自化學式(1)所了解，係於一分子中具有1個乙炔基且附加環氧烷之炔二醇型之化合物。作為以化學式(1)表示之乙炔化合物，基於將研磨對象物表面研磨為平坦、平滑之觀點，較佳為非離子性之化合物。以化學式(1)表示之乙炔化合物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。
化學式(1)中之R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立為氫原子或碳數1以上20以下之取代或無取代之烷基，烷基之碳數，可為1以上，可為2以上，可為3以上，或可為20以下，可為18以下，可為16以下，可為15以下，可為12以下，可為10以下，可為8以下。
作為烷基之具體例，可舉例甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基、戊基、異戊基、新戊基、第三戊基、己基、辛基、壬基、癸基、月桂基、肉豆蔻基、棕櫚基、硬脂基等。R 1、R 2、R 3及R 4可全部相同，亦可部分相同其他部分不同，亦可全部不同。
化學式(1)之R 5及R 6分別獨立為碳數1以上5以下之取代或無取代之伸烷基，伸烷基之碳數可為1以上，可為2以上，可為3以上，或可為4以上，亦可為3以下。作為伸烷基之具體例，可舉例伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基等。R 5及R 6可相同，亦可不同。
化學式(1)中之m係1以上之整數，n係0以上之整數，m+n為50以下，但m+n可為1以上，可為3以上，可為5以上，可為10以上，可為15以上，可為20以上，或可為50以下，可為30以下，可為22以下，可為16以下，可為12以下，可為8以下，可為4以下(例如3以下)。m與n可相同，亦可不同。
以化學式(1)表示之乙炔化合物可為一分子中具有m個R 5，但m個R 5可全部為同種之伸烷基，亦可為具有複數種之伸烷基。例如，R 5可為伸乙基與伸丙基，此情況，R 5中伸乙基個數及伸丙基個數之和為m個。
關於R 6亦相同。亦即以化學式(1)表示之乙炔化合物係一分子中具有n個R 6，但n個R 6全部為同種之伸烷基，亦可為具有複數種之伸烷基。例如，R 6可為伸乙基與伸丙基，此情況，R 6中之伸乙基個數及伸丙基個數之和為n個。
且，製造以化學式(1)表示之乙炔化合物時，難以完全控制m及n。因此，若製造以化學式(1)表示之乙炔化合物，則通常可獲得m+n之數值不同之複數種乙炔化合物之混合物。因此，本實施形態之研磨用組成物可為含有以化學式(1)表示之乙炔化合物中之複數種。 又，本實施形態之研磨用組成物可含有化學式(1)中m及n均為0之乙炔化合物。
進而，化學式(1)中m+n之數值之平均值(平均附加莫耳數)，可為1以上，可為3以上，可為5以上，可為10以上，可為15以上，可為20以上，或可為50以下，可為30以下，可為22以下，可為16以下，可為12以下，可為8以下，可為4以下(例如3以下)。
作為以化學式(1)表示之乙炔化合物中特佳之例，可舉例以下述化學式(2)表示之乙炔化合物。以化學式(2)表示之乙炔化合物，係化學式(1)中之R 1及R 4為異丁基，R 2及R 3為甲基，且R 5及R 6為伸乙基之化合物。化學式(2)中之p與化學式(1)中之m相同，化學式(2)中之q與化學式(1)中之n相同。
Figure 02_image005
以化學式(1)表示之乙炔化合物之分子量未特別限定，較佳為於研磨用組成物中充分地發揮其作用之分子量。以化學式(1)表示之乙炔化合物之分子量，例如可為250以上，可為300以上，可為400以上，可為500以上，可為700以上，可為1200以上，可為1500以上。又，以化學式(1)表示之乙炔化合物之分子量，例如可為3000以下，可為2000以下，可為1400以下，可為1000以下，可為600以下。作為以化學式(1)表示之乙炔化合物之分子量，係採用自化學式算出之分子量。
本實施形態之研磨用組成物中以化學式(1)表示之乙炔化合物之含有率，基於可展現以化學式(1)表示之乙炔化合物之添加效果之觀點，較佳為0.001質量%以上，更佳為0.005質量%以上，又更佳為0.01質量%以上。
又，本實施形態之研磨用組成物中以化學式(1)表示之乙炔化合物之含有率，基於以化學式(1)表示之乙炔化合物之洗淨性等之觀點，較佳為0.2質量%以下，更佳為0.15質量%以下，又更佳為0.1質量%以下，特佳為0.09質量%以下。
因此，本實施形態之研磨用組成物中以化學式(1)表示之乙炔化合物之含有率，較佳為0.001質量%以上0.2質量%以下，更佳為0.005質量%以上0.15質量%以下，又更佳為0.01質量%以上0.1質量%以下，特佳為0.1質量%以上0.09質量%以下。 本實施形態之研磨用組成物中以化學式(1)表示之乙炔化合物之上述含有率，可較佳地應用於供給至研磨對象物之研磨液(作業漿料)中之含有率。
本實施形態之研磨用組成物所含之界面活性劑，可僅以化學式(1)表示之乙炔化合物構成，亦可以化學式(1)表示之乙炔化合物與其他種界面活性劑所構成。作為其他種界面活性劑，可使用陰離子性界面活性劑、陽離子性界面活性劑、兩性界面活性劑及非離子性界面活性劑之任一者。
作為陰離子性界面活性劑之具體例，可舉例聚氧乙烯烷醚乙酸、聚氧乙烯烷基硫酸酯、烷基硫酸酯、聚氧乙烯烷基硫酸、烷基硫酸、烷基苯磺酸、烷基磷酸酯、聚氧乙烯烷基磷酸酯、聚氧乙烯磺基琥珀酸、甲基磺基琥珀酸、烷基萘磺酸、烷基二苯醚二磺酸或該等之鹽。
又，作為陽離子性界面活性劑之具體例，可舉例烷基三甲基銨鹽、烷基二甲基銨鹽、烷基苄基二甲基銨鹽、烷基胺鹽。 進而，作為兩性界面活性劑之具體例，可舉例烷基甜菜鹼、烷基氧化胺。
進而，作為非離子性界面活性劑之具體例，可舉例聚氧乙烯烷醚、聚氧烯烷醚、山梨醇酐脂肪酸酯、甘油脂肪酸酯、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯烷基胺、烷基烷醇醯胺。
3. 研磨粒 本實施形態之研磨用組成物所含之研磨粒種類係未特別限定者，可使用例如氧化鋁(Al 2O 3)、氧化矽(SiO 2)、氧化鈰(CeO 2)、氧化鋯(ZrO 2)、氧化鈦(TiO 2)、氧化鐵(FeO、Fe 3O 4、Fe 2O 3)、氧化錳(MnO、Mn 3O 4、Mn 2O 3、MnO 2)等之金屬氧化物所成之粒子。該等研磨粒中，較佳為氧化鋁及氧化矽，更佳為氧化鋁。
氧化鋁之種類未特別限定，可舉例α-氧化鋁、δ-氧化鋁、θ-氧化鋁、κ-氧化鋁及非晶質氧化鋁。使用α-氧化鋁時之α化率未特別限定，但較佳為30%以上，更佳為40%以上，又更佳為50%以上。使用α-氧化鋁時之α化率，為100%以下，較佳為99%以下，更佳為97%以下。若於該範圍，則保持良好之表面形狀同時可獲得高的研磨速度。又，α化率例如可由藉由X射線繞射測定之(113)面繞射線之積分強度比而求得。 氧化矽之種類未特別限定，可舉例例如膠體氧化矽、發煙氧化矽、溶膠凝膠法氧化矽、沉降法氧化矽等。 該等研磨粒可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
本實施形態之研磨用組成物所含之研磨粒之粒徑未特別限定，但較佳為如以下。 研磨粒之體積基準之積分粒徑分佈中之50%粒徑(自小粒徑側起之累積頻度成為50%之2次粒徑，以下記為「D50」)，未特別限定，但基於研磨速度之觀點，於研磨粒為氧化鋁時，較佳為0.1μm以上，更佳為0.15μm以上，又更佳為0.2μm以上。又研磨粒為氧化矽時，D50較佳為0.05μm以上，更佳為0.1μm以上，又更佳為0.15μm以上。
進而，研磨粒之D50，基於研磨後之研磨對象物之表面特性(亦即，表面之平坦性、平滑性)之觀點，於研磨粒為氧化鋁時，較佳為5μm以下，可為4μm以下，可為3μm以下，可為1.5μm以下，更佳為1μm以下，又更佳為0.5μm以下，特佳為0.3μm以下。又，研磨粒為氧化矽時，D50較佳為1μm以下，可為0.5μm以下，更佳為0.3μm以下，又更佳為0.25μm以下，特佳為0.2μm以下。且，本發明中體積基準之累積粒徑分佈係以雷射繞射散射粒徑分佈測定裝置測定者。
研磨粒之體積基準之累積粒徑分佈中之10%粒徑(自小粒徑側起之累積頻度成為10%之2次粒徑，以下記為「D10」)，未特別限定，但研磨粒為氧化鋁時，較佳為0.05μm以上，更佳為0.1μm以上，又更佳為0.15μm以上。又，研磨粒為氧化鋁時，D10較佳為1μm以下，更佳為0.7μm以下，又更佳為0.5μm以下，再更佳為0.3μm以下，特佳為0.25μm以下，最佳為0.2μm以下。研磨粒之D10若於該範圍內，將使研磨後之研磨對象物表面更平坦、平滑。
研磨粒之體積基準之累積粒徑分佈之D90粒徑(自小粒徑側起之累積頻度成為90%之2次粒徑，以下記為「D90」)，未特別限定，但研磨粒為氧化鋁之情況，較佳為0.15μm以上，更佳為0.2μm以上，又更佳為0.25μm以上，特佳為0.3μm以上。研磨粒之D90若於該範圍內，則可獲得高的研磨速度。
又，研磨粒為氧化鋁時，D90較佳為8μm以下，更佳為3μm以下，又更佳為2μm以下，再更佳為1μm以下，又再更佳為0.6μm以下，特佳為0.5μm以下，最佳為0.4μm以下。研磨粒之D90若於該範圍內，將使研磨後之研磨對象物表面更平坦、平滑。
研磨粒之D90相對於D50之比率(D90/D50)，於研磨粒為氧化鋁時，較佳為1.1以上，更佳為1.2以上。D90/D50若於該範圍內，可獲得高的研磨速度。又，D90/D50於研磨粒為氧化鋁時，較佳為2.5以下，更佳為1.7以下，又更佳為1.5以下。D90/D50若於該範圍內，將使研磨後之研磨對象物表面更平坦、平滑。
研磨粒之D90相對於D10之比率(D90/D10)，於研磨粒為氧化鋁時，較佳為1.2以上，更佳為1.3以上，又更佳為1.5以上，特佳為1.7以上。D90/D10若於該範圍內，可獲得高的研磨速度。又，D90/D10於研磨粒為氧化鋁時，較佳為6.5以下，更佳為3.0以下，又更佳為2.5以下，特佳為2.1以下。D90/D10若於該範圍內，將使研磨後之研磨對象物表面更平坦、平滑。
研磨粒之D50相對於D10之比率(D50/D10)，於研磨粒為氧化鋁時，較佳為1.1以上，更佳為1.2以上。D50/D10若於該範圍內，可獲得高的研磨速度。又，D50/D10於研磨粒為氧化鋁時，較佳為2.0以下，更佳為1.8以下，又更佳為1.6以下。D50/D10若於該範圍內，將使研磨後之研磨對象物表面更平坦、平滑。
又，針對研磨粒之BET比表面積未特別限定，但研磨粒為氧化鋁時，較佳為5m 2/g以上，更佳為10m 2/g以上，又更佳為15m 2/g以上。又，研磨粒之BET比表面積較佳為250m 2/g以下，更佳為90m 2/g以下，又更佳為50m 2/g以下，特佳為25m 2/g以下。研磨粒之BET比表面積若於該範圍內，可獲得高的研磨速度同時使研磨後之研磨對象物表面更平坦、平滑。 且，研磨粒之BET比表面積，例如可使用Micromeritics公司製之FlowSorb II 2300測定。作為吸附於研磨粒之氣體，可使用氮氣(N 2)、氬(Ar)、氪(Kr)等。
又，本實施形態之研磨用組成物中之研磨粒之含有率未特別限定，但研磨粒為氧化鋁時，較佳為0.1質量%以上，更佳為1質量%以上，又更佳為3質量%以上。又，研磨粒為氧化矽時，較佳為0.1質量%以上，更佳為1質量%以上，又更佳為3質量%以上。研磨粒之含有率若於該範圍內，可獲得高的研磨速度。
又，本實施形態之研磨用組成物中研磨粒之含有率，於研磨粒為氧化鋁時，較佳為40質量%以下，更佳為20質量%以下，又更佳為15質量%以下。又，研磨粒為氧化矽時，較佳為40質量%以下，更佳為30質量%以下，又更佳為25質量%以下。研磨粒之含有率若於該範圍內，可減低研磨後之研磨對象物之刮痕。又，可抑制研磨用組成物之成本。
4. 研磨用組成物之pH 本實施形態之研磨用組成物之pH未特別限定，但較佳為13以下，更佳為12以下。又，本實施形態之研磨用組成物之pH，較佳為2以上，更佳為3以上。pH若於上述範圍內，可獲得高的研磨速度。又，pH為上述範圍內之研磨用組成物因安全性比較高，可更安全地處理。
又，本實施形態之研磨用組成物之pH，較佳為7以下，更佳未達7(亦即更佳為酸性)。 研磨粒為氧化鋁時之研磨用組成物的pH若未達7，則因研磨粒之ζ電位為正值，故研磨粒易吸附於ζ電位為負值之研磨對象物之表面，而提高研磨速度。又，因研磨粒之ζ電位為正值，故研磨粒彼此排斥而難以凝集，研磨粒之分散性為良好。 本實施形態之研磨用組成物之pH之調整，可藉由添加劑的pH調整劑進行。針對pH調整劑於之後詳述。
5. 水 本實施形態之研磨用組成物係含有研磨粒、界面活性劑及水之漿料。水係作為用以將研磨用組成物之各成分(研磨粒、界面活性劑、添加劑等)分散或溶解之分散介質或溶劑之功能。該水中可混合1種或2種以上之有機溶劑。 基於防止阻礙構成本實施形態之研磨用組成物之各成分之作用之觀點，較佳使用儘可能不含雜質之水。具體而言，較佳為以離子交換樹脂去除雜質離子後通過過濾器去除異物之純水及超純水，或蒸餾水。
研磨用組成物中之水含有率未特別限定，但可為40質量%以上，更佳為50質量%以上，又更佳為60質量%以上(例如70質量%以上)。又，作為分散介質或溶劑，使用水與水以外之溶劑之混合溶劑時，水與水以外之溶劑的比例可為100:0~50:50，可為99:1~60:40。
6. 添加劑 本實施形態之研磨用組成物，為了提高其性能，根據需要可進而含有界面活性劑以外之添加劑。作為添加劑，可使用一般研磨用組成物所含之習知添加劑。例如，可添加pH調整劑、氧化劑、研磨促進劑、水溶性高分子、螯合劑、分散助劑、防腐劑、防黴劑等之各種添加劑。
6-1 pH調整劑 本實施形態之研磨用組成物中，為了將pH調整為期望之值，根據需要可添加pH調整劑。pH調整劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。作為pH調整劑，可使用習知之酸、鹼或該等之鹽。
作為可使用作為pH調整劑之酸之具體例，可舉例鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸、硼酸、碳酸、次磷酸、亞磷酸及磷酸等之無機酸，及甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、2-甲基丁酸、正己酸、3,3-二甲基丁酸、2-乙基丁酸、4-甲基戊酸、正戊酸、2-甲基己酸、正辛酸、2-乙基己酸、苯甲酸、乙醇酸、水楊酸、甘油酸、草酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、蘋果酸、酒石酸、檸檬酸、乳酸、二乙醇酸、2-呋喃羧酸、2,5-呋喃二羧酸、3-呋喃羧酸、2-四氫呋喃羧酸、甲氧基乙酸、甲氧基苯基乙酸及苯氧基乙酸等之有機酸。
作為pH調整劑使用無機酸時，基於研磨速度提高之觀點較佳為硫酸、硝酸、鹽酸、磷酸等，作為pH調整劑使用有機酸時，較佳為乙醇酸、琥珀酸、馬來酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、葡萄糖酸及依康酸等。
作為可使用作為pH調整劑之鹼，可舉例脂肪族胺、芳香族胺等之胺，氫氧化四級銨等之有機鹼、氫氧化鉀等之鹼金屬之氫氧化物、鹼土類金屬之氫氧化物及氨等。該等鹼中，基於取得容易性較佳為氫氧化鉀、氨。
又，亦可取代前述酸或與前述酸組合而使用前述酸之銨鹽及鹼金屬鹽等之鹽作為pH調整劑。尤其，於弱酸與強鹼之鹽、強酸與弱鹼之鹽、或弱酸與弱鹼之鹽之情況，可期待pH之緩衝作用，進而於強酸與強鹼之鹽之情況，以少量，不僅可調整pH亦可調整電導率。 pH調整劑之添加量未特別限定，只要適當調整為研磨用組成物所期望之pH即可。
6-2 氧化劑 本實施形態之研磨用組成物中，為了將研磨對象物表面氧化，根據需要可添加氧化劑。氧化劑具有將研磨對象物表面氧化之作用，於研磨用組成物中添加氧化劑之情況，有藉由研磨用組成物之研磨速度提高之效果。 作為可使用之氧化劑，可舉例例如過氧化物、硝酸、過錳酸鉀等。作為過氧化物之具體例，可舉例過氧化氫、過乙酸、過碳酸、過氧化脲、過氯酸鹽、過硫酸鹽(例如過硫酸鈉、過硫酸鉀、過硫酸銨)。
6-3 研磨促進劑 研磨用組成物中可添加研磨促進劑。研磨促進劑負責將研磨對象物化學研磨之角色，藉由作用於研磨對象物表面可顯著提高加工效率。研磨促進劑可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。 研磨促進劑中，較佳係價數為1價之酸的鋁鹽，其具有作為研磨促進劑之功能，及提高研磨對象物之被研磨面的面品質之功能。作為價數為1價之酸的鋁鹽之較佳之例，可舉例硝酸鋁(Al(NO 3) 3)、氯化鋁(AlCl 3)。
研磨用組成物中價數為1價之酸的鋁鹽之含有率，基於可更確實提高研磨用組成物之研磨能力之觀點，較佳為0.01質量%以上，更佳為2質量%以上，又更佳為4質量%以上，特佳為超過4質量%，最佳為5質量%以上。
另一方面，因即使大量含有價數為1價之酸的鋁鹽性能仍無法大幅提高且就成本面不利，因此研磨用組成物中價數為1價之酸之鋁鹽之含有率，較佳為15質量%以下。該等含有率，於價數為1價之酸的鋁鹽具有水合水之情況，係水合水除外之含有率。
本實施形態之研磨用組成物亦可含有硝酸鋁、氯化鋁以外之研磨促進劑。作為硝酸鋁、氯化鋁以外之研磨促進劑，可舉例無機酸、有機酸及該等之酸的鹽。 作為無機酸之具體例，可舉例磷酸、硝酸、硫酸、鹽酸、次磷酸、膦酸、硼酸、胺磺酸等。
作為有機酸之具體例，可舉例檸檬酸、馬來酸、蘋果酸、乙醇酸、琥珀酸、依康酸、丙二酸、亞胺基二乙酸、葡萄糖酸、乳酸、扁桃酸、酒石酸、巴豆酸、菸鹼酸、乙酸、己二酸、甲酸、草酸、丙酸、戊酸、己酸、辛酸、癸酸、環己烷羧酸、苯基乙酸、苯甲酸、巴豆酸、甲基丙烯酸、戊二酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、乙醇酸、丙醇二酸、甘油酸、羥基丁酸、羥基乙酸、羥基苯甲酸、水楊酸、異檸檬酸、亞甲基琥珀酸、沒食子酸、抗壞血酸、硝基乙酸、草醯乙酸、甘胺酸、丙胺酸、麩胺酸、天門冬胺酸、纈胺酸、白胺酸、異白胺酸、絲胺酸、蘇胺酸、半胱胺酸、甲硫胺酸、苯丙胺酸、色胺酸、酪胺酸、脯胺酸、胱胺酸、麩醯胺酸、天冬醯胺酸、離胺酸、精胺酸、菸鹼酸、吡啶甲酸、甲基磷酸氫酯、乙基磷酸氫酯、乙二醇磷酸氫酯、異丙基磷酸氫酯、植酸、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸、胺基三(亞甲基膦酸)、乙二胺四(亞甲基膦酸)、二伸乙基三胺五(亞甲基膦酸)、乙烷-1,1-二膦酸、乙烷-1,1,2-三膦酸、乙烷-1-羥基-1,1-二膦酸、乙烷羥基-1,1,2-三膦酸、乙烷-1,2-二羧基-1,2-二膦酸、甲烷羥基膦酸、2-膦酸丁烷-1,2-二羧酸、1-膦醯基丁烷-2,3,4-三羧酸、α-甲基膦醯基琥珀酸、胺基聚(亞甲基膦酸)、甲烷磺酸、乙烷磺酸、胺基乙烷磺酸、苯磺酸、對甲苯磺酸、2-萘磺酸等。
作為該等酸之鹽之例，可舉例上述之無機酸及有機酸之金屬鹽(例如鋰鹽、鈉鹽、鉀鹽等之鹼金屬鹽)、銨鹽(例如四甲基銨鹽、四乙基銨鹽等之四級銨鹽)、烷醇胺鹽(例如單乙醇胺鹽、二乙醇胺鹽、三乙醇胺鹽)等。
作為鹽之具體例，可舉例磷酸三鉀、磷酸氫二鉀、磷酸二氫鉀、磷酸三鈉、磷酸氫二鈉、磷酸二氫鈉等之鹼金屬磷酸鹽及鹼金屬磷酸氫鹽等。又作為鹽之具體例，可舉例與上述例示之有機酸之鹼金屬鹽及麩胺酸二乙酸之鹼金屬鹽、二伸乙基三胺五乙酸之鹼金屬鹽、羥乙基乙二胺三乙酸之鹼金屬鹽、三伸乙基四胺六乙酸之鹼金屬鹽。該等之鹼金屬鹽中之鹼金屬，例如為鋰、鈉、鉀等。
6-4 水溶性高分子 本實施形態之研磨用組成物中，可添加水溶性高分子。水溶性高分子之種類未特別限定，可舉例例如聚環氧烷烷基醚、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚丙二醇等之醇類，及具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物(例如聚-N-乙烯基吡咯啶酮)，及己內醯胺化合物。又，作為水溶性高分子，可舉例纖維素衍生物、澱粉衍生物、聚丙烯酸(或其鹽)、聚丙烯醯胺、聚乙烯醇、聚伸乙基亞胺、聚環氧烷等。該等之水溶性高分子中較佳為具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物與己內醯胺化合物。
水溶性高分子之重量平均分子量較佳為3000以上，更佳為5000以上，又更佳為10000以上，特佳為30000以上。具有此等重量平均分子量之水溶性高分子，具有提高漿料分散性之技術效果。又，水溶性高分子之重量平均分子量較佳為50萬以下，更佳為30萬以下，又更佳為10萬以下。具有該等重量平均分子量之水溶性高分子具有提高安定性之技術效果。
作為具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物，藉由與價數為1價之酸之鋁鹽一起包含於研磨用組成物，可有效地作用於樹脂之研磨促進。具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物之種類未特別限定，可舉例為例如N-辛基-2-吡咯啶酮、N-十二烷基-2-吡咯啶酮、N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、N-環己基-2-吡咯啶酮、N-羥乙基-2-吡咯啶酮、N-丁基-2-吡咯啶酮、N-己基-2-吡咯啶酮、N-癸基-2-吡咯啶酮、N-十八烷基-2-吡咯啶酮、N-十六烷基-2-吡咯啶酮、聚-N-乙烯基吡咯啶酮、聚-N-乙烯基吡咯啶酮之共聚合。該等之具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物，可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
作為具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物，較佳為聚-N-乙烯基吡咯啶酮(以下亦記為「PVP」)。PVP之重量平均分子量較佳為3000以上，更佳為10000以上。又，PVP之重量平均分子量較佳為60000以下，更佳為50000以下。具有該等範圍內之重量平均分子量之PVP，可自各個化學製品供給業者容易取得。
本實施形態之研磨用組成物中之上述吡咯啶酮化合物之含有率，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，又更佳為0.1質量%以上。又，本實施形態之研磨用組成物之上述吡咯啶酮化合物之含有率，較佳為5質量%以下，更佳為2質量%以下，又更佳為1質量%以下。
己內醯胺化合物係稱為ε-己內醯胺之含氮有機化合物，可作為上述吡咯啶酮化合物之代替使用。本實施形態之研磨用組成物中之己內醯胺化合物之含有率，較佳為0.01質量%以上，更佳為0.05質量%以上，又更佳為0.1質量%以上。又，本實施形態之研磨用組成物中之己內醯胺化合物之含有率，較佳為5質量%以下，更佳為2質量%以下，又更佳為1質量%以下。
6-2 螯合劑 本實施形態之研磨用組成物中，為了藉由捕捉研磨系中之金屬雜質成分而形成錯合物以抑制研磨對象物之金屬汙染，可根據需要添加螯合劑。作為螯合劑之具體例，可舉例羧酸、胺、有機膦酸、胺基酸等。 6-6 分散助劑 本實施形態之研磨用組成物中，為了容易使研磨粒之凝集體再分散，可根據需要添加分散助劑。作為分散助劑之具體例，可舉例焦磷酸鹽及六偏磷酸鹽等之縮合磷酸鹽等。
6-7 防腐劑、防黴劑 本實施形態之研磨用組成物中，可根據需要添加防腐劑及防黴劑。作為防腐劑、防黴劑，可舉例例如2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮、5-氯-2-甲基-4-異噻唑啉-3-酮等之異噻唑啉系防腐劑及對羥基苯甲酸酯類及苯氧基乙醇。
7. 研磨用組成物之製造方法 本實施形態之研磨用組成物之製造方法未特別限定，可藉由將研磨粒、上述乙炔化合物及根據期望之各種添加劑於水中攪拌混合而製造。混合各成分時之溫度未特別限定，但較佳為10℃以上40℃以下，為了提高溶解速度亦可加熱。又，混合時間亦未特別限定。
本實施形態之研磨用組成物可為一劑型，亦可為將研磨用組成物之成分之一部分或全部以任意之比率混合之二劑型以上之多劑型。又，本實施形態之研磨用組成物，可藉由將研磨用組成物之原液以水例如稀釋成10倍以上而調製。研磨用組成物為二劑型之情況，將成為研磨用組成物之原料之二種原料組成物之混合及稀釋之順序為任意。例如，可將一原料組成物以水稀釋後，再與另一原料組成物混合，亦可同時進行兩者之原料組成物之混合及以水之稀釋，或可將兩者原料組成物混合後以水稀釋。
8. 研磨裝置及研磨方法 使用本實施形態之研磨用組成物研磨樹脂製之研磨對象物之方法及條件未特別限定，可於一般之研磨方法、條件之範圍內選擇適於研磨對象物之研磨之方法、條件進行研磨即可。又，作為研磨裝置，可使用一般之單面研磨裝置及兩面研磨裝置。 使用單面研磨裝置研磨時，使用稱為載體之固定具保持研磨對象物，於研磨對象物與研磨墊之間介隔研磨用組成物，將貼附有研磨墊之壓盤壓抵於研磨對象物之單面，藉由使壓盤旋轉而研磨研磨對象物之單面。
使用兩面研磨裝置研磨時，使用載體保持研磨對象物，於研磨對象物與研磨墊之間介隔研磨用組成物，將貼附有研磨墊之壓盤壓抵於研磨對象物之兩面，藉由將研磨墊與研磨對象物朝相反方向旋轉而研磨研磨對象物之兩面。 使用任一研磨裝置時，均可藉由研磨墊及研磨用組成物與研磨對象物之間之摩擦所致之物理性作用及研磨用組成物對研磨對象物帶來之化學性作用，而研磨研磨對象物。
研磨墊之種類未特別限定，可使用材質、厚度、硬度等之物性有各種不同者。作為研磨墊之材質，可舉例例如聚胺基甲酸酯、環氧樹脂、不織布、麂皮等。又，研磨墊上可形成用以積存研磨用組成物之溝。
[實施例] 以下顯示實施例及具體例，進而具體說明本發明。 (實施例1) 將研磨粒、非離子性界面活性劑及水混合後，藉由添加pH調整劑(硝酸或氫氧化鉀水溶液)將pH調整為3.2，製造實施例1之研磨用組成物。 作為研磨粒，使用D50為0.7μm之氧化鋁。研磨用組成物中之研磨粒之含有率為15質量%。作為界面活性劑，使用以化學式(2)表示之乙炔化合物。該乙炔化合物之HLB值為8。HLB值可藉由化學式(2)中之p及q之數值調整。研磨用組成物中之界面活性劑之含有率為0.05質量%。
接著，使用上述之研磨用組成物，進行樹脂製之研磨對象物表面之研磨。研磨對象物係聚四氟乙烯(PTFE)製之板狀構件。研磨條件如以下。 研磨裝置：Engis公司製單面研磨裝置EJ-380IN(壓盤徑380mm) 研磨墊：麂皮製研磨墊(FUJIBO愛媛股份有限公司製之N17(HD)NX_202U) 研磨荷重：9.8kPa(100gf/cm 2) 壓盤之旋轉速度：80min -1研磨速度(線速度)：95.5m/min 研磨時間：5min 研磨用組成物之供給速度：15mL/min
研磨結束後，測定研磨後之研磨對象物之被研磨面的表面粗糙度Ra及靜接觸角。研磨後之研磨對象物之被研磨面的表面粗糙度Ra係使用KEYENCE股份有限公司製之測定裝置LaserMicroscopeVK-X200並以視角284×213μm之條件測定。又，研磨後之研磨對象物之被研磨面之靜接觸角係使用MATSUBO股份有限公司製之攜帶式接觸角計PG-X+(水之滴下量40μL)而測定。進而，測定研磨前後之研磨對象物之厚度，藉由將厚度差除以研磨時間，算出研磨速度。結果示於表1。
Figure 02_image007
(實施例2、3) 除了使用之非離子性界面活性劑之種類不同之方面以外，與實施例1同樣製造研磨用組成物，並與實施例1同樣進行研磨對象物之研磨。使用之界面活性劑，為以化學式(2)表示之乙炔化合物，但與實施例1使用者係化學式(2)中之p及q之數值不同。因此，HLB值不同。結果示於表1。
(比較例1) 除了未使用界面活性劑之方面以外，與實施例1同樣製造研磨用組成物，並與實施例1同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (比較例2-4) 除了使用之非離子性界面活性劑之種類不同之方面以外，與實施例1同樣製造研磨用組成物，並與實施例1同樣進行研磨對象物之研磨。使用之界面活性劑，於比較例2時為聚氧乙烯烷醚，於比較例3、4時為聚氧烯烷醚。比較例3及比較例4係界面活性劑之HLB值不同。結果示於表1。
(實施例4) 將研磨粒、非離子性界面活性劑、硝酸鋁‧9水合物(Al(NO 3) 3‧9H 2O)、PVP及水混合後，藉由添加pH調整劑(硝酸或氫氧化鉀水溶液)將pH調整為3.2，製造實施例4之研磨用組成物。 作為研磨粒，使用與實施例1時相同之氧化鋁。研磨用組成物之研磨粒之含有率為15質量%。作為界面活性劑，使用與實施例1相同之乙炔化合物。研磨用組成物中之界面活性劑之含有率為0.05質量%。研磨用組成物中之硝酸鋁‧9水合物之含有率為10質量%。研磨用組成物中之PVP之含有率為0.05質量%。
接著，使用實施例4之研磨用組成物，進行樹脂製之研磨對象物表面之研磨。研磨對象物係聚四氟乙烯製之板狀構件。研磨條件與實施例1之情況相同。研磨結束後，與實施例1時同樣，測定研磨後之研磨對象物之被研磨面的表面粗糙度Ra及靜接觸角，同時算出研磨速度。結果示於表1。
(實施例5) 除了使用之非離子性界面活性劑之種類不同之方面以外，與實施例4同樣製造研磨用組成物，並與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。使用之界面活性劑係與實施例3時相同之乙炔化合物。結果示於表1。 (比較例5) 除了不使用界面活性劑之方面以外，與實施例4同樣製造研磨用組成物，並與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (比較例6、7) 除了使用之非離子性界面活性劑之種類不同之方面以外，與實施例4同樣製造研磨用組成物，並與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。使用之界面活性劑，係比較例6與比較例2之情況相同，比較例7與比較例4之情況相同。結果示於表1。
(實施例6) 除了與實施例4同樣製造研磨用組成物，且研磨對象物為聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)製之板狀構件之方面以外，與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (比較例8) 除了與比較例5同樣製造研磨用組成物，且研磨對象物為PMMA製之板狀構件之方面以外，與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (比較例9) 除了與比較例6同樣製造研磨用組成物，且研磨對象物為PMMA製之板狀構件之方面以外，與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。
(實施例7) 除了與實施例4同樣製造研磨用組成物，且研磨對象物為聚碳酸酯(PC)製之板狀構件之方面以外，與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (比較例10) 除了與比較例5同樣製造研磨用組成物，且研磨對象物為PC製之板狀構件之方面以外，與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (比較例11) 除了與比較例6同樣製造研磨用組成物，且研磨對象物為PC製之板狀構件之方面以外，與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。 (實施例8、9) 除了界面活性劑之含有率不同之方面以外，與實施例4同樣製造研磨用組成物，並與實施例4同樣進行研磨對象物之研磨。結果示於表1。
由表1所示之結果可知，實施例1-9係研磨速度高。且，研磨後之研磨對象物之被研磨表面的表面粗糙度Ra亦小，可將樹脂製之研磨對象物之表面研磨為平坦、平滑。 相對於此，比較例1-11，與對應之實施例相比，研磨速度低且被研磨面之表面粗糙度Ra小。

Claims (9)

  1. 一種研磨用組成物，其係使用於研磨樹脂製之研磨對象物的研磨用組成物，其含有研磨粒、界面活性劑及水，前述界面活性劑含有具有碳-碳三鍵之下述化學式(1)之乙炔化合物，下述化學式(1)中之R 1、R 2、R 3及R 4分別獨立表示氫原子或碳數1以上20以下之取代或無取代之烷基，R 5及R 6分別獨立表示碳數1以上5以下之取代或無取代之伸烷基，m為1以上之整數，n為0以上之整數，m+n為50以下，
    Figure 03_image001
    。
  2. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述研磨粒為氧化鋁及氧化矽之至少一者。
  3. 如請求項1之研磨用組成物，其中前述研磨粒為氧化鋁。
  4. 如請求項1至3中任一項之研磨用組成物，其中前述乙炔化合物之HLB值為10以上18以下。
  5. 如請求項1至4中任一項之研磨用組成物，其pH為7以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之研磨用組成物，其中進而含有價數為1價之酸的鋁鹽與具有2-吡咯啶酮基之吡咯啶酮化合物或己內醯胺化合物。
  7. 如請求項1至6中任一項之研磨用組成物，其中前述樹脂係接觸角為90°以上之高撥水性樹脂。
  8. 如請求項1至6中任一項之研磨用組成物，其中前述樹脂係洛氏硬度(Rockwell hardness)為HRM65以下且拉伸彈性模數為2.8GPa以下之低硬度且高彈性之樹脂。
  9. 一種研磨方法，其具有使用如請求項1至8中任一項之研磨用組成物研磨樹脂製之研磨對象物之研磨步驟。
TW111105745A 2021-03-30 2022-02-17 研磨用組成物及研磨方法 TW202300602A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-057427 2021-03-30
JP2021057427A JP2022154401A (ja) 2021-03-30 2021-03-30 研磨用組成物及び研磨方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202300602A true TW202300602A (zh) 2023-01-01

Family

ID=83458705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111105745A TW202300602A (zh) 2021-03-30 2022-02-17 研磨用組成物及研磨方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240084170A1 (zh)
JP (1) JP2022154401A (zh)
TW (1) TW202300602A (zh)
WO (1) WO2022209229A1 (zh)

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4799122B2 (ja) * 2005-10-20 2011-10-26 株式会社東芝 Ｃｕ膜の研磨方法および半導体装置の製造方法
JP6375623B2 (ja) * 2014-01-07 2018-08-22 日立化成株式会社 研磨剤、研磨剤セット及び基体の研磨方法
JP2015203080A (ja) * 2014-04-15 2015-11-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP2016183212A (ja) * 2015-03-25 2016-10-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
EP3315577A4 (en) * 2015-06-26 2018-05-09 Fujimi Incorporated Polishing composition
WO2019167540A1 (ja) * 2018-02-28 2019-09-06 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物の製造方法及び研磨方法
KR20210102220A (ko) * 2018-12-14 2021-08-19 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물 및 합성 수지 연마 방법
JP7295236B2 (ja) * 2019-06-20 2023-06-20 富士フイルム株式会社 研磨液、及び、化学的機械的研磨方法
JP6761554B1 (ja) * 2020-01-22 2020-09-23 日本酢ビ・ポバール株式会社 研磨用組成物

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022154401A (ja) 2022-10-13
US20240084170A1 (en) 2024-03-14
WO2022209229A1 (ja) 2022-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102150403B1 (ko) 연마용 조성물
JP6538368B2 (ja) 研磨用組成物及び研磨方法
WO2016208301A1 (ja) 研磨用組成物
JP6730859B2 (ja) 研磨用組成物および磁気ディスク基板製造方法
WO2017126268A1 (ja) 研磨用組成物及びシリコン基板の研磨方法
JP6864519B2 (ja) 研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスクの研磨方法
JP6564638B2 (ja) 研磨用組成物、磁気ディスク基板製造方法および磁気ディスク基板
SG185977A1 (en) Polishing composition for nickel-phosphorous memory disks
US20180022960A1 (en) Polishing composition, polishing method, and method for manufacturing hard brittle material substrate
JP7066480B2 (ja) 砥粒分散液、研磨用組成物キットおよび磁気ディスク基板の研磨方法
JP6362385B2 (ja) 基板の製造方法および研磨用組成物
JP6815257B2 (ja) 研磨用組成物および磁気ディスク基板の製造方法
JP6637816B2 (ja) 研磨用組成物、基板の研磨方法および基板の製造方法
JP2017179137A (ja) 研磨用組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスク基板の研磨方法
JP6512732B2 (ja) 研磨用組成物の試験方法
TW202300602A (zh) 研磨用組成物及研磨方法
JP7396953B2 (ja) 研磨用組成物、基板の製造方法および研磨方法
JP6096969B1 (ja) 研磨材、研磨用組成物、及び研磨方法
JP7368997B2 (ja) 研磨用組成物
JP7058097B2 (ja) 研磨用組成物および磁気ディスク基板の製造方法
JP7292844B2 (ja) 研磨用組成物、基板の研磨方法および基板の製造方法
JP7111492B2 (ja) 研磨用組成物、パッド表面調整用組成物およびその利用
JP7262197B2 (ja) 研磨用組成物およびその利用
JP7292923B2 (ja) 磁気ディスク基板の製造方法、研磨用組成物および研磨方法
JP6572082B2 (ja) 磁気ディスク基板用研磨組成物、磁気ディスク基板の製造方法および磁気ディスク基板