JP7292923B2 - 磁気ディスク基板の製造方法、研磨用組成物および研磨方法 - Google Patents

Description

本発明は、磁気ディスク基板の製造方法、研磨用組成物および研磨方法に関する。

磁気ディスク基板の製造においては、一般に、最終製品の表面を高精度に仕上げるために行う最終研磨工程の前に、より研磨効率（例えば研磨レート）を重視した研磨（一次研磨）が行われている。例えば、ニッケルリンめっきが施されたディスク基板（Ｎｉ－Ｐ基板）に対して、少なくとも一次研磨と最終研磨とを行うことにより、高精度の表面が効率よく実現され得る。そのような研磨においては、より高い面品質を得ることを目的として、一次研磨の段階からシリカ砥粒が使用され得る。この種の従来技術を開示する先行技術文献として特許文献１～３が挙げられる。

特開２０１５－４１３９１号公報 特開２０１２－２４８９９号公報 特開２０１５－１７２５９号公報

磁気ディスク用基板の研磨は、通常、研磨パッドを研磨対象基板に押し当て両者を相対移動させて行われる。そのため、基板の端部には、研磨面に対する圧力（加工荷重）だけでなく、研磨パッドの沈み込みの分だけ側面からの力が加わり、より大きな負荷がかかる。また、シリカ砥粒を用いた研磨は、アルミナ砥粒を用いた研磨と比べて、アルミナ残留がなく、スクラッチ等の欠陥低減の点で優れ、また高い面品質を得やすいものの、アルミナ砥粒含有スラリーのような加工力は得られない。そのため、シリカ砥粒を用いた研磨では研磨時間が長くなる傾向があり、上述の端部と内周部との応力の違いから、基板端部の厚みは内周部に比べて減少するロールオフ現象（端面ダレともいう。）が発生しやすい。ロールオフは記録に適さないため、磁気ディスク記録容量増大の制限要因となり得る。例えば特許文献１～３では、砥粒や錯化剤、研磨圧力の工夫等によってロールオフの改善に取り組んでいる。

しかし、特許文献１～３に記載されるような従来のロールオフ対策は、基板全体に対する作用に基づくものであり、端部に選択的に作用するものではない。また、ロールオフ発生を低減するために保護剤を使用すれば、その基板全体に対する保護作用のため、端部だけでなく内周部も保護され、加工性の低下は避けられない。

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、所定値以上の圧縮弾性率を有する研磨パッドとシリカ砥粒とを用いる研磨を含む磁気ディスク基板の製造方法において、加工性等の研磨性能と端部形状改善とを両立することを目的とする。換言すると、良好な研磨性能を発揮しつつ、改善された端部形状を有する磁気ディスク基板の製造方法を提供することを目的とする。関連する他の目的は、磁気ディスク基板研磨用組成物を提供すること、該研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することである。

本明細書によると、磁気ディスク基板の製造方法が提供される。この製造方法は、砥粒としてのシリカ粒子Ｓと、水と、を含有する研磨用組成物を研磨対象基板に供給し、研磨パッドを用いて該研磨対象基板を研磨する工程（１）を含む。ここで、前記研磨パッドの圧縮弾性率は５０％よりも大きい。また、前記研磨用組成物はリン系極圧剤をさらに含む。

この製造方法によると、所定値以上の圧縮弾性率を有する研磨パッドとシリカ粒子含有研磨用組成物を用いる研磨において、研磨用組成物にリン系極圧剤を含ませることで、端部形状を改善することができる。具体的には、研磨用組成物に含まれるリン系極圧剤が、所定値以上の圧縮弾性率を有する研磨パッドの沈み込みのため負荷が大きくなっている研磨対象基板の端部に作用する。これによって、ロールオフの発生が防止または低減され、端部形状が改善する。リン系極圧剤は基板端部に選択的に作用し、内周部には作用しないか、内周部への作用は小さいため、端部形状改善と研磨性能との両立が可能である。すなわち、上記方法によると、所定値以上の圧縮弾性率を有する研磨パッドとシリカ粒子とを用いる研磨において、良好な研磨性能と端部形状改善とを両立することができる。なお、ここに開示される技術は、上記のメカニズムに限定して解釈されない。磁気ディスク基板の好適例としては、ニッケルリン基板（Ｎｉ－Ｐ基板）が挙げられる。

なお、「極圧剤」とは、一般的には、圧力や摩擦力等により金属表面と反応して保護膜（潤滑膜）を形成する剤をいい、具体的には圧力や摩擦力が相対的に大きい部分において、その力が一定の閾値を超えると保護膜としての機能を発現する剤をいうが、本明細書における「極圧剤」は、後述する実施例に記載するような磁気ディスク基板の研磨において、その剤を使わない他は同じ組成の研磨スラリーの加工性（研磨レート）および端部形状（ＰＶ差）をそれぞれ１００とする相対値で示したとき、適当量添加することで加工性を９０以上（例えば９０以上１１０未満）に維持し、かつ端部形状を１００よりも小さい値（好適には９０よりも小さい値）とし得る剤をいうものとする。
また、本明細書における基板端部とは基板外周端から内周方向に向かって２ｍｍの区間（領域）をいい、端部形状改善とは、この区間におけるロールオフの防止または低減をいうものとする。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上であり、かつＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ未満であるシリカ粒子Ｓ１を含む。粒子径が比較的小さく、球形度の低いシリカ粒子Ｓ１を含む研磨用組成物を用いた研磨によると、より高い加工性が得られやすい。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０未満であり、かつＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ未満であるシリカ粒子Ｓ２を含む。粒子径が比較的小さく、球形度の高いシリカ粒子Ｓ２を含む研磨用組成物を用いた研磨によると、高い面品質を有する基板表面が得られやすい一方、ロールオフが発生しやすい。そのような態様において、ここに開示される技術による効果（典型的には端部形状改善効果）は好ましく発揮される。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、前記シリカ粒子Ｓ１および／またはＳ２に加えて、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上であり、かつＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ以上であるシリカ粒子Ｓ３をさらに含む。相対的に大径で球形度の低いシリカ粒子Ｓ３を、上記シリカ粒子Ｓ１やＳ２と組み合わせて用いることで、高い面品質と加工性とを好ましく両立することができる。

いくつかの好ましい態様において、研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０未満の球状コロイダルシリカを含む。球形度の高いコロイダルシリカを含む研磨用組成物を用いた研磨によると、高い面品質を有する基板表面が得られやすい一方、ロールオフが発生しやすい。そのような態様において、ここに開示される技術による効果（典型的には端部形状改善効果）は好ましく発揮される。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上の非球状コロイダルシリカを含む。球形度の低いコロイダルシリカを含む研磨用組成物を用いた研磨によると、より高い加工性が得られやすい。

いくつかの好ましい態様において、前記シリカ粒子Ｓは、熱処理シリカ粒子、凝結粒シリカ粒子および沈殿シリカ粒子からなる群から選択される少なくとも１種をさらに含む。上記シリカ粒子（例えば熱処理シリカ粒子）を、上述のコロイダルシリカと組み合わせて用いることで、高い面品質と加工性とを好ましく両立することができる。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨用組成物は、酸として、リン酸、ホスホン酸、マレイン酸、塩酸、硝酸または硫酸をさらに含む。上記酸を用いることで、その研磨促進作用に基づき、良好な加工性を好ましく発揮することができる。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨用組成物は、酸化剤として過酸化水素をさらに含む。酸化剤として過酸化水素を用いることで、良好な加工性を好ましく発揮することができる。

いくつかの好ましい態様において、前記リン系極圧剤は、亜リン酸エステル、および、分子量が１５０以上であるリン酸エステルから選択される少なくとも１種である。亜リン酸エステルや、所定以上の分子量を有するリン酸エステルを研磨用組成物に含ませることによって、良好な研磨性能と優れた端部形状改善との両立を好ましく実現することができる。

いくつかの好ましい態様において、前記研磨パッドは、ベース層と表面層とを有し、該表面層がポリウレタン製であるスウェードタイプの研磨パッドである。所定値以上の圧縮弾性率を有する研磨パッドとして、ポリウレタン製の表面層を有するスエードタイプの研磨パッドを用いる構成において、ここに開示される技術による端部形状改善効果は好ましく発揮される。

いくつかの好ましい態様において、磁気ディスク基板の製造方法は、前記工程（１）で得られた基板を仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆを用いて研磨する工程（２）をさらに含む。また、前記仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆは、前記シリカ粒子ＳよりもＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が小さいシリカ粒子Ｓ_Ｆを含む。この態様において、上記工程（１）は、磁気ディスク基板の一次研磨工程であり得る。上記工程（１）を、工程（２）（典型的には仕上げ研磨工程）の前に実施することで、高い加工力で効率よく基板を研磨しつつ、仕上げ研磨前に端部形状を改善することができる。そして、上記工程（２）を実施することで、端部形状が改善し、かつ高い面品質を有する磁気ディスク基板が好ましく実現される。この方法によると、記録容量が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造することができる。

また、本明細書によると、圧縮弾性率が５０％よりも大きい研磨パッドを用いて研磨対象基板を研磨するための磁気ディスク基板研磨用組成物が提供される。この研磨用組成物は、砥粒としてのシリカ粒子Ｓと、水と、を含み、リン系極圧剤をさらに含む。圧縮弾性率が相対的に高い研磨パッドを用いる磁気ディスク基板の研磨において、シリカ粒子含有研磨用組成物にリン系極圧剤を用いることで、研磨性能と端部形状改善とを両立することができる。

また、本明細書によると、磁気ディスク基板の研磨方法が提供される。この研磨方法は、圧縮弾性率が５０％よりも大きい研磨パッドと、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物と、を用いて研磨対象面を研磨する工程（１）を含む。この方法によると、所定値以上の圧縮弾性率を有する研磨パッドとシリカ粒子とを用いる磁気ディスク基板の研磨において、加工性等の研磨性能と端部形状改善とを両立することができる。

以下、本発明の好適な実施形態を説明する。なお、本明細書において特に言及している事項以外の事柄であって本発明の実施に必要な事柄は、当該分野における従来技術に基づく当業者の設計事項として把握され得る。本発明は、本明細書に開示されている内容と当該分野における技術常識とに基づいて実施することができる。

＜研磨用組成物＞
（砥粒）
ここに開示される研磨用組成物は、砥粒としてのシリカ粒子（シリカ粒子Ｓともいう。特に断りがない限り以下同じ。）を含む。ここに開示される技術による端部形状改善効果は、シリカ砥粒を含む研磨用組成物を用いる構成において好適に実現される。シリカ粒子（後述のシリカ粒子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３のいずれも包含する。特に断りがない限り以下同じ。）は、シリカを主成分とする各種のシリカ粒子であり得る。ここでシリカを主成分とするシリカ粒子とは、該粒子の９０重量％以上、例えば９５重量％以上、典型的には９８重量％以上がシリカである粒子をいう。使用し得るシリカ粒子の例としては、特に限定されず、コロイダルシリカ、凝結粒シリカ、沈降シリカ（沈殿シリカともいう。）、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等が挙げられる。さらに、上記シリカ粒子を原材料として得られたシリカ粒子を用いることもできる。そのようなシリカ粒子の例には、上記原材料のシリカ粒子（以下「原料シリカ」ともいう。）に、加温、乾燥、焼成等の熱処理、オートクレーブ処理等の加圧処理、解砕や粉砕等の機械的処理、表面改質等から選択される１または２以上の処理を適用して得られたシリカ粒子が含まれ得る。表面改質としては、例えば、官能基の導入、金属修飾等の化学的修飾が挙げられる。ここに開示される技術における砥粒は、このようなシリカ粒子の１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて含むものであり得る。

シリカ粒子の好適例として、コロイダルシリカが挙げられる。なかでも、ケイ酸ソーダ法シリカやアルコキシド法シリカのように、水相での粒子成長を経て合成されたコロイダルシリカの使用が好ましい。この種のコロイダルシリカを含むシリカ砥粒によると、良好な面品質が好適に達成され得る。ここに開示されるシリカ砥粒がコロイダルシリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれるコロイダルシリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ砥粒は、１種または２種以上のコロイダルシリカからなる構成であってもよく、コロイダルシリカと、他のシリカ粒子すなわちコロイダルシリカ以外のシリカ粒子とを組み合わせて含む構成であってもよい。いくつかの態様では、研磨用組成物に含まれる砥粒が、コロイダルシリカを単独で含む。コロイダルシリカを単独で用いることにより、より良好な面品質が実現され得る。

コロイダルシリカの粒子形状は特に限定されず、例えば球形であってもよく、非球形であってもよい。非球形の具体例としては、ピーナッツ形状、繭形状、突起付き形状、ラグビーボール形状等が挙げられる。ピーナッツ形状は、例えば落花生の殻の形状であり得る。突起付き形状は、例えば金平糖形状であり得る。

シリカ粒子の他の例として、例えば、原料シリカに対して熱処理を施して得られたシリカ粒子（以下「熱処理シリカ」ともいう。）、具体的には加温されたシリカ粒子、乾燥されたシリカ粒子、焼成されたシリカ粒子等が挙げられる。ここで、加温されたシリカ粒子とは、典型的には、６０℃以上１１０℃未満の環境下に一定時間以上、例えば１５分以上、典型的には３０分以上保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。また、乾燥されたシリカ粒子とは、典型的には、１１０℃以上５００℃未満、好ましくは３００℃以上５００℃未満の環境下に一定時間以上、例えば１５分以上、典型的には３０分以上保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。そして、焼成されたシリカ粒子（以下「焼成シリカ」ともいう。）とは、典型的には５００℃以上、好ましくは７００℃以上、さらに好ましくは９００℃以上の環境下に一定時間以上、例えば１５分以上、典型的には３０分以上保持する処理を経て得られたシリカ粒子をいう。上述したいずれかの原料シリカ、すなわち、沈降シリカ、ケイ酸ソーダ法シリカ、アルコキシド法シリカ、フュームドシリカ、乾燥シリカ、爆発法シリカ等を熱処理する過程を経て得られたシリカ粒子は、ここでいう熱処理シリカの概念に包含される典型例である。シリカ砥粒が熱処理シリカを含む場合、該シリカ砥粒に含まれる熱処理シリカは、１種であってもよく、製造条件および／または物性の異なる２種以上であってもよい。また、上記シリカ粒子は、１種または２種以上の熱処理シリカからなる構成であってもよく、熱処理シリカと、他のシリカ粒子すなわち熱処理されていないシリカ粒子とを組み合わせて含む構成であってもよい。

ここに開示される技術は、研磨用組成物に含まれる砥粒が、熱処理シリカを単独で含むか、熱処理シリカと他のシリカ粒子とを組み合わせて含む態様でも実施することができる。いくつかの好ましい態様では、研磨用組成物に含まれるシリカ粒子は、コロイダルシリカと熱処理シリカとを組み合わせて含む。コロイダルシリカに加えて、熱処理シリカ粒子をさらに含むことによって、高い面品質を実現し、高い加工性を好ましく実現することができる。

シリカ粒子がコロイダルシリカと熱処理シリカとを含む態様において、その含有割合は特に限定されない。加工性と面品質との両立の観点から、コロイダルシリカ１００重量部に対する熱処理シリカの割合は、凡そ２０重量部以下とすることが適当であり、好ましくは凡そ１５重量部以下、より好ましくは凡そ１０重量部以下であり、凡そ７重量部以下（例えば凡そ５重量部以下）であってもよい。また、熱処理シリカ使用による効果を好ましく得る観点から、コロイダルシリカ１００重量部に対する熱処理シリカの割合は、凡そ０．１重量部以上とすることが適当であり、好ましくは凡そ１重量部以上、より好ましくは凡そ２重量部以上（例えば凡そ５重量部以上）である。

シリカ粒子の平均一次粒子径は特に限定されず、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは３０ｎｍ以上、特に好ましくは３５ｎｍ以上である。平均一次粒子径の増大によって、より高い加工性が実現され得る。また、より面品質の高い表面を得るという観点から、上記平均一次粒子径は、好ましくは凡そ３００ｎｍ以下、より好ましくは凡そ２００ｎｍ以下であり、凡そ１５０ｎｍ以下（例えば凡そ１００ｎｍ以下）であってもよい。

なお、ここに開示される技術において、砥粒（典型的にはシリカ粒子）の平均一次粒子径は、ＢＥＴ法に基づいて求められる平均粒子径をいう。例えば、砥粒がシリカ砥粒（すなわちシリカ粒子からなる砥粒）の場合、シリカ砥粒の平均一次粒子径は、ＢＥＴ法により測定される比表面積Ｓ（ｍ^２／ｇ）から、Ｄ１（ｎｍ）＝（６０００／２．２）／Ｓの式により算出され得る。この式における２．２はシリカの比重の値であり、シリカとしての粒子径となる。比表面積の測定は、例えば、マイクロメリテックス社製の表面積測定装置、商品名「Ｆｌｏｗ Ｓｏｒｂ ＩＩ ２３００」を用いて行うことができる。

いくつかの態様において、シリカ粒子は、ＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が凡そ５０ｎｍ以上であり得る。シリカ粒子の体積平均粒子径は、加工性等の観点から、好ましくは凡そ８０ｎｍ以上、より好ましくは凡そ１００ｎｍ以上、さらに好ましくは凡そ１１０ｎｍ以上、特に好ましくは凡そ１４０ｎｍ以上である。上記体積平均粒子径は、例えば凡そ１６０ｎｍ以上であってもよく、さらには凡そ１８０ｎｍ以上であってもよい。また、シリカ粒子の体積平均粒子径は、面品質の高い表面を得る観点から、凡そ４００ｎｍ以下とすることが適当であり、好ましくは凡そ３００ｎｍ以下、より好ましくは凡そ２５０ｎｍ以下、さらに好ましくは凡そ２００ｎｍ以下、特に好ましくは凡そ１８０ｎｍ以下である。上記体積平均粒子径は、例えば凡そ１３０ｎｍ以下であってもよい。

本明細書におけるＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径は、具体的には次の方法で求められる。測定対象の粒子（１種類の砥粒粒子であってもよく、２種類以上の砥粒粒子の混合物であってもよい。）に含まれる１０００個以上の粒子を、１視野内に５０個以上の粒子を含むＳＥＭ画像で観察する。観察倍率は１００００倍～５００００倍とする。各粒子画像の投影面積と等しい面積を有する理想円（真円）の半径ｒから４πｒ^３／３により得られる値を各粒子の体積として算出する。ここで、上記体積は、一次粒子であるか二次粒子であるかを問わず、研磨用組成物中において独立して分散している粒子を１個の粒子と数えて算出するものとする。上記所定個数の粒子の体積から体積基準の累積分布曲線を導出し、その累積頻度５０％粒子径（Ｄ５０）を体積平均粒子径（Ｄ５０）として採用する。ＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径（Ｄ５０）は、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。

特に限定するものではないが、シリカ粒子の平均アスペクト比は、例えば１．０以上であり得る。加工性等の観点から、いくつかの態様において、平均アスペクト比は、例えば１．０２以上であってよく、１．０５以上でもよく、１．１０以上でもよく、１．１５以上でもよい。また、面品質を効率よく高めやすくする観点から、いくつかの態様において、平均アスペクト比は２．５０以下であることが適当であり、２．０以下でもよく、１．７０以下でもよい。ここに開示される技術は、シリカ粒子の平均アスペクト比が１．５０以下、さらには１．３０以下である態様でも好適に実施され得る。ここで、シリカ粒子の平均アスペクト比とは、該砥粒を構成する個々の粒子の長径／短径比の平均値、すなわち個数平均アスペクト比をいう。以下、特記しない場合、本明細書において平均アスペクト比とは、上記個数平均アスペクト比を意味するものとする。

本明細書において、シリカ粒子の平均アスペクト比は次の方法で測定することができる。すなわち、ＳＥＭを用いて、測定対象の砥粒に含まれる所定個数のシリカ粒子を、１視野内に５０個以上の粒子を含むＳＥＭ画像で観察する。観察倍率は２５０００倍～５００００倍で観察を行う。測定対象のシリカ粒子は、１種類のシリカ粒子でもよく、２種類以上のシリカ粒子の混合物でもよい。上記ＳＥＭ画像中のシリカ粒子について、各々の粒子画像に外接する最小の長方形を描く。その長方形の長辺の長さを長径の値とし、短辺の長さを短径の値として、各粒子について長径の値を短径の値で除した値をアスペクト比として算出する。すなわち、各粒子のアスペクト比は、該粒子に外接する最小の長方形の長辺／短辺の比として求められる。上記所定個数の粒子のアスペクト比を算術平均することにより、個数平均アスペクト比を求めることができる。上記個数アスペクト比は、一般的な画像解析ソフトウエアを用いて求めることができる。
なお、上記所定個数、すなわち粒子毎のアスペクト比を算出する粒子の個数は、測定精度や再現性を高める観点から、１０００個以上とすることが適当であり、１５００個以上とすることが好ましい。上記所定個数の上限は特に制限されない。測定効率の観点から、上記所定個数は、例えば５０００個以下であってよく、２５００個以下でもよい。

いくつかの好ましい態様では、シリカ粒子として、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上であるシリカ粒子Ｓ１を含む。相対的に球形度が低いシリカ粒子Ｓ１を用いることによって、高い加工性が得られやすい。シリカ粒子Ｓ１の平均アスペクト比は、加工性の観点から、好ましくは１．１２以上、より好ましくは１．１５以上、さらに好ましくは１．１７以上（例えば１．１８以上）である。上記平均アスペクト比は凡そ２．５以下であることが適当であり、面品質の観点から、好ましくは凡そ２．０以下、より好ましくは凡そ１．５以下、さらに好ましくは凡そ１．３以下（例えば１．２５以下）である。シリカ粒子Ｓ１の好適例としては、コロイダルシリカが挙げられる。シリカ粒子Ｓ１に該当するコロイダルシリカは非球状コロイダルシリカともいう。

いくつかの態様において、シリカ粒子Ｓ１は、ＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ未満であり得る。相対的に球形度が低く、かつ粒子径が比較的小さいシリカ粒子Ｓ１を用いることによって、高い加工性と高い面品質が両立して得られやすい。シリカ粒子Ｓ１の体積平均粒子径は、面品質の観点から、好ましくは１８０ｎｍ未満、より好ましくは１６０ｎｍ未満（例えば凡そ１５０ｎｍ以下）である。また、上記体積平均粒子径は、凡そ５０ｎｍ以上であることが適当であり、加工性の観点から、好ましくは凡そ９０ｎｍ以上、より好ましくは凡そ１２０ｎｍ以上（例えば凡そ１３０ｎｍ以上）である。

シリカ粒子（砥粒全体であり得る。）全体に占めるシリカ粒子Ｓ１の割合は特に限定されない。加工性の観点から、シリカ粒子全体に占めるシリカ粒子Ｓ１の割合は、凡そ１０重量％以上とすることが適当であり、好ましくは凡そ２０重量％以上、より好ましくは凡そ３０重量％以上、例えば凡そ４０重量％以上であってもよく、凡そ５０重量％以上であってもよい。また、加工性と面品質との両立を考慮すると、シリカ粒子Ｓ１は他のシリカ粒子（例えば後述のシリカ粒子Ｓ２）と併用することが好ましい。そのような観点から、シリカ粒子（砥粒全体であり得る。）全体に占めるシリカ粒子Ｓ１の割合は、凡そ９５重量％以下とすることが適当であり、好ましくは凡そ８５重量％以下、より好ましくは凡そ７０重量％以下、さらに好ましくは凡そ６５重量％以下である。

いくつかの好ましい態様では、シリカ粒子として、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０未満であるシリカ粒子Ｓ２を含む。相対的に球形度が高いシリカ粒子Ｓ２を用いることによって、高い面品質が好ましく実現される。また、球形度の高いシリカ粒子を含む態様において、ここに開示される技術による端部形状改善効果は好ましく発揮される。シリカ粒子Ｓ２の平均アスペクト比は、面品質の観点から、好ましくは凡そ１．０８以下、より好ましくは凡そ１．０６以下（例えば１．０５未満）である。上記平均アスペクト比は１．０以上であり、加工性等の観点から、好ましくは１．０２以上、より好ましくは１．０３以上である。シリカ粒子Ｓ２の好適例としては、コロイダルシリカが挙げられる。シリカ粒子Ｓ２に該当するコロイダルシリカは球状コロイダルシリカともいう。

いくつかの態様において、シリカ粒子Ｓ２は、ＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ未満であり得る。相対的に球形度が高く、かつ粒子径が比較的小さいシリカ粒子Ｓ２を用いることによって、高い面品質が好ましく実現される。また、上記シリカ粒子Ｓ２を含む態様において、ここに開示される技術による端部形状改善効果は好ましく発揮される。シリカ粒子Ｓ２の体積平均粒子径は、面品質の観点から、好ましくは１５０ｎｍ未満、より好ましくは１２０ｎｍ未満であり、１００ｎｍ未満（例えば凡そ９５ｎｍ以下）であってもよい。また、上記体積平均粒子径は、凡そ３０ｎｍ以上であることが適当であり、加工性の観点から、好ましくは凡そ４０ｎｍ以上、より好ましくは凡そ５０ｎｍ以上（例えば凡そ６０ｎｍ以上）である。

シリカ粒子（砥粒全体であり得る。）全体に占めるシリカ粒子Ｓ２の割合は特に限定されない。面品質の観点から、シリカ粒子全体に占めるシリカ粒子Ｓ２の割合は、凡そ５０重量％以上であってもよく、例えば７５重量％以上であってもよく、凡そ９０重量％以上（例えば凡そ９９重量％以上）であってもよく、典型的には凡そ１００重量％であり得る。上記シリカ粒子Ｓ２の割合は、例えば凡そ９０重量％以下であってもよい。他のシリカ粒子と併用する場合は、併用の効果（例えば加工性向上）をよりよく発揮する観点から、上記シリカ粒子Ｓ２の割合を凡そ６０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは凡そ５０重量％以下（例えば４５重量％以下）である。上記シリカ粒子Ｓ２の割合の下限は特に限定されず、例えば凡そ５重量％以上とすることが適当であり、好ましくは凡そ１０重量％以上、より好ましくは凡そ１５重量％以上であり、例えば２５重量％以上（典型的には凡そ３０重量％以上）であってもよい。

特に好ましい態様において、シリカ粒子Ｓ１とシリカ粒子Ｓ２とが併用される。シリカ粒子Ｓ１とシリカ粒子Ｓ２とを併せて用いることにより、高い面品質と加工性とを両立しやすくなる。シリカ粒子Ｓ１とＳ２との含有比率は特に限定されず、例えば、シリカ粒子Ｓ２に対するシリカ粒子Ｓ１の含有比（Ｓ１／Ｓ２）は凡そ１／９９以上とすることが適当であり、好ましくは１０／９０以上、より好ましくは３０／７０以上、さらに好ましくは４０／６０以上、特に好ましくは５０／５０以上であり、例えば６０／４０以上であってもよい。上記含有比（Ｓ１／Ｓ２）は、例えば９９／１以下であることが適当であり、好ましくは９０／１０以下、より好ましくは８０／２０以下、さらに好ましくは７０／３０以下（例えば６５／３５以下）である。

また、いくつかの好ましい態様では、シリカ粒子として、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上であり、かつＳＥＭ画像解析による体積平均粒子径が２００ｎｍ以上であるシリカ粒子Ｓ３をさらに含む。相対的に球形度が低く、かつ粒子径が比較的大きいシリカ粒子Ｓ３を含ませることで、加工性は向上する。シリカ粒子Ｓ３の好適例としては、熱処理シリカ（典型的には焼成シリカ）が挙げられる。

シリカ粒子Ｓ３の平均アスペクト比は、加工性の観点から、好ましくは１．２０以上、より好ましくは１．２５以上、さらに好ましくは１．３０以上である。上記平均アスペクト比は凡そ２．５以下であることが適当であり、面品質等の観点から、好ましくは凡そ２．０以下、より好ましくは凡そ１．５以下（例えば１．４以下）である。

シリカ粒子Ｓ３の体積平均粒子径は、加工性等の観点から、好ましくは凡そ２４０ｎｍ以上、より好ましくは凡そ２８０ｎｍ以上であり、凡そ３００ｎｍ以上であってもよい。また、シリカ粒子Ｓ３の体積平均粒子径は、面品質等の観点から、凡そ１０００ｎｍ以下であることが適当であり、好ましくは凡そ７００ｎｍ以下、より好ましくは凡そ６００ｎｍ以下（例えば凡そ５００ｎｍ以下）である。

加工性と面品質との両立の観点から、シリカ粒子Ｓ３は、他のシリカ粒子（例えばシリカ粒子Ｓ１やＳ２）と併用することが好ましい。特に好ましい態様において、シリカ粒子Ｓ３は、シリカ粒子Ｓ１およびシリカ粒子Ｓ２と併用される。シリカ粒子Ｓ３をシリカ粒子Ｓ１およびシリカ粒子Ｓ２と併せて用いることにより、加工性と面品質とが高レベルで両立され得る。シリカ粒子（砥粒全体であり得る。）全体に占めるシリカ粒子Ｓ３の割合は、凡そ２０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは凡そ１５重量％以下、より好ましくは凡そ１０重量％以下であり、凡そ７重量％以下であってもよい。また、シリカ粒子Ｓ３使用による効果を好ましく得る観点から、シリカ粒子（砥粒全体であり得る。）全体に占めるシリカ粒子Ｓ３の割合は、凡そ０．１重量％以上とすることが適当であり、好ましくは凡そ１重量％以上、より好ましくは凡そ２重量％以上（例えば凡そ５重量％以上）である。

ここに開示される研磨用組成物は、上記シリカ粒子以外の粒子を含有することができる。シリカ粒子以外の粒子としては、無機粒子、有機粒子、および有機無機複合粒子のいずれも利用可能である。無機粒子の具体例としては、アルミナ粒子、酸化セリウム粒子、酸化クロム粒子、二酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化マグネシウム粒子、二酸化マンガン粒子、酸化亜鉛粒子、ベンガラ粒子等の酸化物粒子；窒化ケイ素粒子、窒化ホウ素粒子等の窒化物粒子；炭化ケイ素粒子、炭化ホウ素粒子等の炭化物粒子；ダイヤモンド粒子；炭酸カルシウムや炭酸バリウム等の炭酸塩；等が挙げられる。上記アルミナ粒子としては、α－アルミナ、α－アルミナ以外の中間アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。中間アルミナとは、α－アルミナ以外のアルミナ粒子の総称であり、具体例としてはγ－アルミナ、δ－アルミナ、θ－アルミナ、η－アルミナ、κ－アルミナおよびこれらの複合物が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子やポリ（メタ）アクリル酸粒子、ポリアクリロニトリル粒子等が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸とは、アクリル酸およびメタクリル酸を包括的に指す意味である。これらシリカ粒子以外の粒子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

ここに開示される研磨用組成物において、該研磨用組成物に含まれる固形分に占めるシリカ粒子の含有量は特に限定されない。上記シリカ粒子の含有量は、ここに開示される技術による効果をよりよく発揮する観点から、上記固形分全体の４０重量％以上であることが好ましく、より好ましくは５０重量％以上、さらに好ましくは６０重量％以上、さらにより好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上、例えば９９重量％以上である。なお、本明細書において研磨用組成物に含まれる固形分とは、結合水が除去されない程度の温度、例えば６０℃で研磨用組成物から水分を蒸発させた後の残留分すなわち不揮発分をいう。

ここに開示される研磨用組成物は、アルミナ粒子を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。アルミナ粒子としては、例えばα－アルミナ粒子が挙げられる。このような研磨用組成物によると、アルミナ粒子の使用に起因する品質低下が防止される。ここでいう品質低下としては、例えば、スクラッチや窪みの発生、アルミナの残留、砥粒の突き刺さり欠陥等が挙げられる。なお、本明細書においてアルミナ粒子を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうちアルミナ粒子の割合が１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下であることをいう。アルミナ粒子の割合が０重量％である研磨用組成物、すなわちアルミナ粒子を含まない研磨用組成物が特に好ましい。また、ここに開示される研磨用組成物は、α－アルミナ粒子を実質的に含まない態様で好ましく実施され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、シリカ粒子以外の粒子、すなわち非シリカ粒子を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。ここで、非シリカ粒子を実質的に含まないとは、研磨用組成物に含まれる固形分全量のうち非シリカ粒子の割合が１重量％以下、より好ましくは０．５重量％以下、典型的には０．１重量％以下であることをいう。このような態様において、ここに開示される技術の適用効果が好適に発揮され得る。

研磨用組成物における砥粒（典型的にはシリカ粒子）の含有量は特に制限されないが、典型的には０．１重量％以上であり、０．５重量％以上であることが好ましく、１重量％以上であることがより好ましく、３重量％以上であることがさらに好ましく、５重量％以上であることが特に好ましい。上記含有量は、複数種類の砥粒を含む場合には、それらの合計含有量である。砥粒の含有量の増大によって、より高い加工性が得られる傾向がある。研磨後の基板の表面平滑性や研磨の安定性の観点から、上記含有量は、３０重量％以下が適当であり、好ましくは２５重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下である。

（水）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には、上述のような砥粒の他に、該砥粒を分散させる水を含有する。水としては、イオン交換水、純水、超純水、蒸留水等を好ましく用いることができる。イオン交換水は、典型的には脱イオン水であり得る。

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、その固形分含量が０．５重量％～３０．０重量％である形態で好ましく実施され得る。上記固形分含量が１．０重量％～２０．０重量％である形態がより好ましい。研磨用組成物は、典型的にはスラリー状の組成物であり得る。

（リン系極圧剤）
ここに開示される研磨用組成物はリン系極圧剤を含むことを特徴とする。シリカ粒子含有研磨用組成物にリン系極圧剤を用いることによって、端部形状改善と研磨性能とを両立することができる。その理由としては、例えば以下のように考えられる。磁気ディスク用基板は、通常、研磨パッドを研磨対象基板に押し当て両者を相対移動させて研磨されるため、基板の端部には、加工荷重だけでなく、研磨パッドの沈み込みの分だけ側面からの力が加わり、より大きな負荷がかかる。これがロールオフの原因となる。リン系極圧剤は、研磨中、圧力が相対的に大きい基板端部において、その力が一定の閾値を超えると金属表面と反応して保護膜（潤滑膜）を形成し、ロールオフの防止または低減に貢献すると考えられる。つまり、リン系極圧剤は、基板内周部には作用しないか、その作用は小さく、基板端部に選択的に作用する。その結果、良好な研磨性能を実現しつつ、端部形状を改善し得るものと考えられる。なお、上記のメカニズムは、実験結果に基づく本発明者らの考察であり、ここに開示される技術は、上記のメカニズムに限定して解釈されるものではない。

リン系極圧剤は、ここに開示される技術において極圧剤（簡潔には、加工性をある程度維持しつつ端部形状を改善し得る剤）として機能するものを特に制限なく用いることができる。上記リン系極圧剤は、リン酸エステルや亜リン酸エステル、チオリン酸、それらの塩（金属塩、アミン塩）のなかから適当な１種または２種以上を選択して用いることができる。

リン系極圧剤としては、基板端部の保護性を考慮して適当なサイズのものを選択し用いることができるので、その分子量は特定の範囲に限定されない。リン系極圧剤の分子量は凡そ８５以上とすることができ、１１０以上（例えば１３０以上）が適当である。特に限定して解釈されるものではないが、所定値以上の分子量を有するリン系極圧剤は置換基が端部保護に十分な大きさを有し、基板端部側面からの力を効果的に低減するものと考えられる。そのような観点から、リン系極圧剤の分子量は、好ましくは１５０以上であり、１８０以上でもよく、２００以上でもよく、２２０以上でもよく、２５０以上でもよく、３００以上でもよく、４００以上（例えば４５０以上）でもよい。上記分子量の上限は、研磨用組成物への溶解性や取扱い性等の観点から、例えば１０００以下が適当であり、好ましくは７００以下、より好ましくは５５０以下であり、４５０以下でもよく、３５０以下でもよく、２７０以下でもよく、２１０以下（例えば１７０以下）でもよい。

いくつかの好ましい態様では、リン系極圧剤としてリン酸エステルが用いられる。リン酸エステルとしては、リン酸モノエステル、リン酸ジエステル、リン酸トリエステルのいずれも使用可能である。リン酸エステルは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。特に限定して解釈されるものではないが、リン酸エステルは、研磨中、反応性領域（Ｐ＝ＯやＰ－ＯＨ）が基板端部に吸着し、リン酸エステル中の置換基（有機基）が、上記端部を保護する領域として機能すると考えられる。

リン酸エステルとしては、基板端部の保護性を考慮して適当なサイズのものを選択し用いることができ、その分子量は特定の範囲に限定されない。リン酸エステルの分子量は凡そ１１０以上であり、例えば１３０以上であり得る。端部形状改善の観点から、分子量が１５０以上であるリン酸エステルが好ましく用いられる。特に限定して解釈されるものではないが、所定値以上の分子量を有するリン酸エステルは置換基が端部保護に十分な大きさを有し、基板端部側面からの力を効果的に低減するものと考えられる。上記リン酸エステルの分子量は、１８０以上でもよく、２００以上でもよく、２２０以上でもよく、２５０以上でもよく、３００以上でもよく、４００以上（例えば４５０以上）でもよい。上記分子量の上限は、研磨用組成物への溶解性や取扱い性等の観点から、例えば１０００以下が適当であり、好ましくは７００以下、より好ましくは５５０以下であり、４５０以下でもよく、３５０以下でもよく、２７０以下でもよく、２１０以下（例えば１７０以下）でもよい。

ここに開示されるリン酸エステルは、例えば下記一般式（１）で表される化合物である。

上式（１）中、Ｒ^１およびＲ^２は同一であっても互いに異なっていてもよく、いずれも水素原子または有機基である。ただし、Ｒ^１およびＲ^２のうち少なくとも一方は、有機基である。

いくつかの態様において、上記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、アルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基、（メタ）アクリル酸アルキルエステル基および（ポリ）オキシアルキレンアルキルエーテル基、（ポリ）オキシアルキレンアリールエーテル基および芳香族基から選択される有機基である。上記有機基を構成する炭素原子数は、上記化合物の分子量が１５０以上となる限りにおいて特に限定されず、端部形状改善性、研磨用組成物における溶解性、取扱い性等を考慮して適当な炭素原子数を有するものが用いられる。例えば、上記アルキル基の炭素原子数は、１以上（例えば２以上）であり、３以上が適当であり、好ましくは４以上であり、６以上であってもよく、８以上であってもよい。アルケニル基およびアルコキシアルキル基の炭素原子数は、それぞれ独立して、２以上であり、３以上が適当であり、好ましくは４以上であり、６以上であってもよく、８以上であってもよい。芳香族基（例えばアリール基、典型的にはフェニル基）の炭素原子数は６以上であり、８以上であってもよい。アルキル基、アルケニル基、アルコキシアルキル基および芳香族基の炭素原子数の上限は、それぞれ独立して、２４以下が適当であり、好ましくは１８以下、より好ましくは１４以下、さらに好ましくは１２以下、特に好ましくは８以下である。

いくつかの好ましい態様では、上記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方がアルキル基である。上記アルキル基は特に限定されず、直鎖状、分岐状等の鎖状アルキル基であってもよく、脂環式アルキル基であってもよい。上記Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方は鎖状アルキル基であることが好ましい。鎖状アルキル基を含むリン酸エステルによると、端部形状改善効果が得られやすい。この態様におけるＲ^１およびＲ^２の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。

他のいくつかの好ましい態様において、上記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方がアルコキシアルキル基である。上記アルコキシアルキル基において、アルコキシ部分の炭素原子数は特に限定されず、１以上、２以上でもよく、４以上でもよく、また１０以下が適当であり、８以下でもよく、６以下でもよい。アルコキシアルキル基のアルキル部分の炭素原子数も特に限定されず、１以上、２以上でもよく、また１２以下が適当であり、８以下でもよく、４以下でもよい。

他のいくつかの好ましい態様では、上記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、（メタ）アクリル酸アルキルエステル基である。（メタ）アクリル酸アルキルエステル基を構成するアルキル基の炭素原子数は特に限定されず、例えば２以上であり、４以上でもよく、８以上でもよく、１２以上でもよく、また１４以下でもよく、１０以下でもよく、６以下（例えば４以下）でもよい。

他のいくつかの好ましい態様では、上記一般式（１）で表される化合物は、Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも一方が、（ポリ）オキシアルキレンアルキルエーテル基または（ポリ）オキシアルキレンアリールエーテル基である。（ポリ）オキシアルキレンアルキルエーテル基や（ポリ）オキシアルキレンアリールエーテル基を構成するアルキル基の炭素原子数は特に限定されず、例えば２以上であり、４以上でもよく、８以上でもよく、１２以上でもよく、また２４以下でもよく、１８以下でもよく、１４以下（例えば１２以下）でもよい。（ポリ）オキシアルキレンアルキルエーテル基、（ポリ）オキシアルキレンアリールエーテル基のオキシアルキレン単位の繰返し数も特に限定されず、１以上であり、２以上が適当であり、３以上でもよく、また１０以下が適当であり、好ましくは８以下、より好ましくは６以下、例えば４以下である。

上記リン酸エステルとしては、モノアリールアシッドホスフェート、ジアリールアシッドホスフェート等のアリールアシッドホスフェート；モノアルキルアシッドホスフェート、ジアルキルアシッドホスフェート等のアルキルアシッドホスフェート；モノアルケニルアシッドホスフェート、ジアルケニルアシッドホスフェート等のアルケニルアシッドホスフェート；アルコキシアルキルアシッドホスフェート；ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートアシッドホスフェート；モノアルキルホスフェート；ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル；ポリオキシアルキレンアリールエーテルリン酸エステル；等が挙げられる。これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。なかでも、アルキルアシッドホスフェート、アルコキシアルキルアシッドホスフェート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートアシッドホスフェート、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルが好ましく、アルキルアシッドホスフェート、アルコキシアルキルアシッドホスフェート、ポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルがより好ましい。

上記リン酸エステルの好適例としては、モノメチルアシッドホスフェート、ジメチルアシッドホスフェート、モノエチルアシッドホスフェート、ジエチルアシッドホスフェート、モノプロピルアシッドホスフェート、ジプロピルアシッドホスフェート、ジイソプロピルアシッドホスフェート、モノブチルアシッドホスフェート、ジブチルホスフェート、モノ－２－エチルヘキシルアシッドホスフェート、ジ－２－エチルヘキシルアシッドホスフェート、モノイソデシルアシッドホスフェート、ジイソデシルアシッドホスフェート等のアルキルアシッドホスフェート；ブトキシエチルアシッドホスフェート、ジブトキシエチルアシッドホスフェート等のアルコキシアルキルアシッドホスフェート；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートアシッドホスフェート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートアシッドホスフェート；ポリオキシエチレン－２－エチルヘキシルエーテルリン酸エステル、ポリオキシプロピレン－２－エチルヘキシルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンオクチルエーテルリン酸エステル、ポリオキシプロピレンオクチルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンデシルエーテルリン酸エステル、ポリオキシプロピレンデシルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンラウリルエーテルリン酸エステル、ポリオキシプロピレンラウリルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレントリデシルエーテルリン酸エステル、ポリオキシプロピレントリデシルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルリン酸エステル、ポリオキシプロピレンオレイルエーテルリン酸エステル等のポリオキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステル；等が挙げられる。これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

ここに開示されるリン系極圧剤は亜リン酸エステルを含み得る。亜リン酸エステルは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。亜リン酸エステルは、研磨中、上記リン酸エステルと同様の反応性領域（Ｐ＝Ｏ）の機能に加え、エステル結合部分（Ｐ－Ｏ－Ｃ）が有機基を切り離しながら基板端部に吸着し、最終的に無機酸膜を形成すると考えられる。上記無機酸膜は基板端部に高密度で配置されて、主としてケミカルエッチングに対する保護膜としての効果を発現していると考えられる。なお、ここに開示される技術における亜リン酸エステルの作用効果は、上記のメカニズムに限定して解釈されるものではない。

上記亜リン酸エステルの分子量は、端部形状改善の観点から、凡そ８５以上が適当であり、好ましくは１００以上、より好ましくは１２０以上であり、例えば１５０以上であってもよい。上記分子量の上限は、研磨用組成物への溶解性や取扱い性等の観点から、例えば１０００以下が適当であり、好ましくは５００以下、より好ましくは３００以下であり、２００以下でもよく、１６０以下でもよい。

ここに開示される亜リン酸エステルは、例えば下記一般式（２）で表される化合物である。

上式（２）中、Ｒ^３およびＲ^４は同一であっても互いに異なっていてもよく、いずれも水素原子または有機基である。ただし、Ｒ^３およびＲ^４のうち少なくとも一方は、有機基である。

いくつかの態様において、上記一般式（２）で表される化合物は、Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方が、アルキル基および芳香族基から選択される有機基である。上記有機基を構成する炭素原子数は特に限定されず、端部形状改善性、研磨用組成物における溶解性、取扱い性等を考慮して適当な炭素原子数を有するものが用いられる。例えば、上記アルキル基の炭素原子数は、１以上であり、２以上が適当であり、４以上でもよい。芳香族基（例えばアリール基、典型的にはフェニル基）の炭素原子数は６以上である。上記アルキル基および芳香族基の炭素原子数の上限は２４以下が適当であり、好ましくは１２以下、より好ましくは８以下、さらに好ましくは６以下、特に好ましくは４以下である。

いくつかの好ましい態様において、上記一般式（２）で表される化合物は、Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方がアルキル基である。上記アルキル基は特に限定されず、直鎖状、分岐状等の鎖状アルキル基であってもよく、脂環式アルキル基であってもよい。上記Ｒ³およびＲ⁴の少なくとも一方は鎖状アルキル基であることが好ましい。鎖状アルキル基を含む亜リン酸エステルによると、端部形状改善効果が得られやすい。この態様におけるＲ³およびＲ⁴の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、エイコシル基等が挙げられる。

亜リン酸エステルの好適例としては、ジメチルハイドロゲンホスファイト、ジエチルハイドロゲンホスファイト、ジイソプロピルハイドロゲンホスファイト、ジブチルハイドロゲンホスファイト、ジイソブチルハイドロゲンホスファイト、ビス（２－エチルヘキシル）ハイドロゲンホスファイト等のアルキルハイドロゲンホスファイト；ジフェニルハイドロゲンホスファイト等のアリールハイドロゲンホスファイト；等が挙げられる。これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。なかでも、ジエチルハイドロゲンホスファイト、ジブチルハイドロゲンホスファイトが好ましい。

ここに開示される研磨用組成物におけるリン系極圧剤の含有量は、加工性維持と端部形状改善とを両立する適当量とすることができ、また種によっても異なり得るため、特定の範囲に限定されない。上記含有量は、凡そ０．００１ｍＭ（ｍｍｏｌ／Ｌ）以上とすることができ、凡そ０．０１ｍＭ以上が適当である。端部形状改善の観点から、上記含有量は、凡そ０．１ｍＭ以上でもよく、凡そ０．３ｍＭ以上でもよく、凡そ０．５ｍＭ以上でもよく、凡そ１ｍＭ以上でもよく、凡そ２ｍＭ以上でもよく、凡そ５ｍＭ以上でもよく、凡そ８ｍＭ以上でもよい。上記含有量の上限は、例えば１００ｍＭ以下とすることができ、凡そ３０ｍＭ以下（例えば１５ｍＭ以下）が適当である。加工性の観点から、上記含有量は、凡そ１０ｍＭ以下でもよく、凡そ７ｍＭ以下でもよく、凡そ３ｍＭ以下でもよく、凡そ１ｍＭ以下でもよく、凡そ０．５ｍＭ以下でもよく、凡そ０．１ｍＭ以下でもよい。

特に限定されるものではないが、ここに開示される技術においてリン系極圧剤としてモノアルキルアシッドホスフェートを用いる態様では、研磨用組成物におけるモノアルキルアシッドホスフェートの含有量は凡そ０．０１～１０ｍＭ（例えば凡そ０．１～５ｍＭ、典型的には凡そ０．３～１．５ｍＭ）とすることが好ましい。ジアルキルアシッドホスフェートを用いる態様では、その含有量は凡そ０．１～１００ｍＭ（例えば凡そ１～３０ｍＭ、典型的には凡そ５～２０ｍＭ）とすることが好ましい。ヒドロキシ（メタ）アクリレートアシッドホスフェートを用いる態様では、その含有量は凡そ０．１～５０ｍＭ（例えば凡そ１～１０ｍＭ、典型的には凡そ２～５ｍＭ）とすることが好ましい。（ポリ）オキシアルキレンアルキルエーテルリン酸エステルを用いる態様では、その含有量は凡そ０．００１～１５ｍＭ（例えば凡そ０．０１～５ｍＭ、典型的には凡そ０．０２～２ｍＭ）とすることが好ましい。ここに開示される技術を亜リン酸エステルを用いる態様で実施する場合、亜リン酸エステルの含有量は凡そ０．１～５０ｍＭ（例えば凡そ１～１５ｍＭ、典型的には凡そ２～１０ｍＭ）とすることが好ましい。

（酸）
ここに開示される研磨用組成物は、研磨促進剤として酸を含むことが好ましい。酸としては、無機酸および有機酸のいずれも使用可能である。有機酸としては、例えば、炭素原子数が１～１８程度、典型的には１～１０程度の有機カルボン酸、有機ホスホン酸、有機スルホン酸、アミノ酸等が挙げられる。酸は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

無機酸の具体例としては、リン酸（オルトリン酸）、硝酸、硫酸、塩酸、ホウ酸、スルファミン酸、ホスフィン酸、ホスホン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、テトラポリリン酸、ヘキサメタリン酸、炭酸、フッ化水素酸、亜硫酸、チオ硫酸、塩素酸、過塩素酸、亜塩素酸、ヨウ化水素酸、過ヨウ素酸、ヨウ素酸、臭化水素酸、過臭素酸、臭素酸、クロム酸、亜硝酸等が挙げられる。

有機酸の具体例としては、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリコール酸、コハク酸、イタコン酸、マロン酸、イミノ二酢酸、グルコン酸、乳酸、マンデル酸、酒石酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、アジピン酸、シュウ酸、吉草酸、エナント酸、カプロン酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、シクロヘキサンカルボン酸、フェニル酢酸、安息香酸、クロトン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、リシノレン酸、メタクリル酸、グルタル酸、フマル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、タルトロン酸、グリセリン酸、ヒドロキシ酪酸、ヒドロキシ酢酸、ヒドロキシ安息香酸、サリチル酸、イソクエン酸、メチレンコハク酸、没食子酸、アスコルビン酸、ニトロ酢酸、オキサロ酢酸、クロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸等の有機カルボン酸；グリシン、アラニン、グルタミン酸、アスパラギン酸、バリン、ロイシン、イソロイシン、セリン、トレオニン、システイン、メチオニン、フェニルアラニン、トリプトファン、チロシン、プロリン、シスチン、グルタミン、アスパラギン、リシン、アルギニン等のアミノ酸；ニコチン酸；ピクリン酸；ピコリン酸；フィチン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタンヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸、α－メチルホスホノコハク酸、アミノポリ（メチレンホスホン酸）等の有機ホスホン酸；メタンスルホン酸、エタンスルホン酸、アミノエタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、ｐ－トルエンスルホン酸、２－ナフタレンスルホン酸、スルホコハク酸、１０－カンファースルホン酸、イセチオン酸、タウリン等の有機スルホン酸等が挙げられる。

研磨効率の観点から好ましい酸として、リン酸、ホスホン酸、マレイン酸、塩酸、硝酸、硫酸、スルファミン酸、フィチン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、メタンスルホン酸等が例示される。なかでもリン酸、ホスホン酸、マレイン酸、塩酸、硝酸、硫酸が好ましい。

酸は、該酸の塩の形態で用いられてもよい。塩の例としては、上述した無機酸や有機酸の、金属塩、アンモニウム塩、アルカノールアミン塩等が挙げられる。金属塩としては、例えば、リチウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が挙げられる。アンモニウム塩としては、例えば、テトラメチルアンモニウム塩、テトラエチルアンモニウム塩等の第四級アンモニウム塩が挙げられる。アルカノールアミン塩としては、例えば、モノエタノールアミン塩、ジエタノールアミン塩、トリエタノールアミン塩が挙げられる。
塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属リン酸塩およびアルカリ金属リン酸水素塩；上記で例示した有機酸のアルカリ金属塩；その他、グルタミン酸二酢酸のアルカリ金属塩、ジエチレントリアミン五酢酸のアルカリ金属塩、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸のアルカリ金属塩、トリエチレンテトラミン六酢酸のアルカリ金属塩；等が挙げられる。これらのアルカリ金属塩におけるアルカリ金属は、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等であり得る。

ここに開示される研磨用組成物に含まれ得る塩としては、無機酸の塩、例えば、アルカリ金属塩やアンモニウム塩を好ましく採用し得る。例えば、塩化カリウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム、硝酸カリウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム、リン酸カリウム等を好ましく使用し得る。

酸およびその塩は、１種を単独でまたは２種以上（例えば２種または３種）を組み合わせて用いることができる。いくつかの好ましい態様において、酸と、該酸とは異なる酸の塩とを組み合わせて用いることができる。上記酸は、好ましくは無機酸である。上記酸の塩は、好ましくは無機酸の塩である。

研磨用組成物が酸を含む場合、研磨用組成物における酸のモル濃度（複数種類の酸を含む場合には、それらの合計モル濃度）は特に限定されず、例えば凡そ０．００１モル／Ｌ以上とすることが適当であり、好ましくは凡そ０．０１モル／Ｌ以上、より好ましくは凡そ０．０５モル／Ｌ以上、さらに好ましくは０．０７モル／Ｌ以上、特に好ましくは０．０９モル／Ｌ以上である。いくつかの態様において、酸のモル濃度は、例えば０．１モル／Ｌ以上であってもよく、典型的には０．１２モル／Ｌ以上であってもよい。酸のモル濃度の増大によって、より高い加工性が実現され得る。研磨後の面品質や研磨の安定性等の観点から、上記酸のモル濃度は、凡そ１．２モル／Ｌ以下が適当であり、好ましくは凡そ１モル／Ｌ以下、より好ましくは凡そ０．８モル／Ｌ以下、さらに好ましくは凡そ０．５モル／Ｌ以下、特に好ましくは凡そ０．３モル／Ｌ以下（例えば０．２モル／Ｌ以下）である。

（酸化剤）
ここに開示される研磨用組成物は、酸化剤を含有することができる。酸化剤の例としては、過酸化物、硝酸またはその塩、過ヨウ素酸またはその塩、ペルオキソ酸またはその塩、過マンガン酸またはその塩、クロム酸またはその塩、酸素酸またはその塩、金属塩類、硫酸類等が挙げられるが、これらに限定されない。酸化剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。酸化剤の具体例としては、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、硝酸、硝酸鉄、硝酸アルミニウム、硝酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ一硫酸アンモニウム、ペルオキソ一硫酸金属塩、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、ペルオキソ二硫酸金属塩、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸ナトリウム、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、過塩素酸、次亜塩素酸、次亜塩素酸ナトリウム、次亜塩素酸カルシウム、過マンガン酸カリウム、クロム酸金属塩、重クロム酸金属塩、塩化鉄、硫酸鉄、クエン酸鉄、硫酸アンモニウム鉄等が挙げられる。好ましい酸化剤として、過酸化水素、硝酸鉄、過ヨウ素酸、ペルオキソ一硫酸、ペルオキソ二硫酸および硝酸が例示される。少なくとも過酸化水素を含むことが好ましく、過酸化水素からなることがより好ましい。

また、研磨液が酸化剤を含む場合、酸化剤の含有量は、研磨対象物を酸化する速度、ひいては加工性を考慮して、０．０５モル／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは０．１モル／Ｌ以上、さらに好ましくは０．１５モル／Ｌ以上、特に好ましくは０．３モル／Ｌ以上である。また、研磨用組成物中に酸化剤を含む場合、その含有量は、面精度保持の観点から、１モル／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは０．８モル／Ｌ以下、さらに好ましくは０．６モル／Ｌ以下である。

（塩基性化合物）
研磨用組成物には、必要に応じて塩基性化合物を含有させることができる。ここで塩基性化合物とは、研磨用組成物に添加されることによって該組成物のｐＨを上昇させる機能を有する化合物を指す。塩基性化合物の例としては、アルカリ金属水酸化物、炭酸塩や炭酸水素塩、第四級アンモニウムまたはその塩、アンモニア、アミン、リン酸塩やリン酸水素塩、有機酸塩等が挙げられる。塩基性化合物は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

アルカリ金属水酸化物の具体例としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等が挙げられる。
炭酸塩や炭酸水素塩の具体例としては、炭酸水素アンモニウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等が挙げられる。
第四級アンモニウムまたはその塩の具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム等の水酸化第四級アンモニウム；このような水酸化第四級アンモニウムのアルカリ金属塩；等が挙げられる。上記アルカリ金属塩としては、例えばナトリウム塩、カリウム塩が挙げられる。
アミンの具体例としては、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、１－（２－アミノエチル）ピペラジン、Ｎ－メチルピペラジン、グアニジン、イミダゾールやトリアゾール等のアゾール類、等が挙げられる。
リン酸塩やリン酸水素塩の具体例としては、リン酸三カリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸二水素カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素ナトリウム等のアルカリ金属塩が挙げられる。
有機酸塩の具体例としては、クエン酸カリウム、シュウ酸カリウム、酒石酸カリウム、酒石酸カリウムナトリウム、酒石酸アンモニウム等が挙げられる。

（その他の成分）
ここに開示される研磨用組成物は、本発明の効果が著しく妨げられない範囲で、界面活性剤、水溶性高分子、分散剤、キレート剤、防腐剤、防カビ剤等の、研磨用組成物に使用され得る公知の添加剤を、必要に応じてさらに含有してもよい。

界面活性剤としては、特に限定されず、アニオン性界面活性剤、ノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、両性界面活性剤のいずれも使用可能である。界面活性剤の使用により、研磨用組成物の分散安定性が向上し得る。界面活性剤は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。上記界面活性剤は、典型的には、分子量１×１０^６未満の水溶性有機化合物であり得る。
アニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル酢酸、ポリオキシエチレンアルキル硫酸エステル、アルキル硫酸エステル、ポリオキシエチレンアルキル硫酸、アルキル硫酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ポリオキシエチレンスルホコハク酸、アルキルスルホコハク酸、アルキルナフタレンスルホン酸、アルキルジフェニルエーテルジスルホン酸、ポリアクリル酸、ラウリル硫酸ナトリウム、ラウリル硫酸アンモニウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸ナトリウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸アンモニウム、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸ナトリウム、およびこれらの塩等が挙げられる。
アニオン性界面活性剤の他の具体例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ベンゼンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸；およびこれらの塩等が挙げられる。塩としては、ナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属塩が好ましい。
ノニオン性界面活性剤の具体例としては、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤の具体例としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、アルキルジメチルアンモニウム塩、アルキルベンジルジメチルアンモニウム塩、アルキルアミン塩等が挙げられる。
両性界面活性剤の具体例としては、アルキルベタイン型、脂肪酸アミドプロピルベタイン型、アルキルイミダゾール型、アミノ酸型、アルキルアミンオキシド型等が挙げられる。

界面活性剤を含む態様の研磨用組成物では、界面活性剤の含有量を、例えば０．０００５重量％以上とすることが適当である。上記含有量は、研磨後の表面の平滑性等の観点から、好ましくは０．００１重量％以上、より好ましくは０．００２重量％以上である。また、加工性等の観点から、上記含有量は、３．０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは０．５重量％以下、例えば０．１重量％以下である。

ここに開示される研磨用組成物には、水溶性高分子を含有させてもよい。水溶性高分子を含有させることにより、研磨後の面品質が向上し得る。水溶性高分子の例としては、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド等のポリアルキルアリールスルホン酸系化合物；メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物等のメラミンホルマリン樹脂スルホン酸系化合物；リグニンスルホン酸、変成リグニンスルホン酸等のリグニンスルホン酸系化合物；アミノアリールスルホン酸－フェノール－ホルムアルデヒド縮合物等の芳香族アミノスルホン酸系化合物；その他、ポリイソプレンスルホン酸、ポリビニルスルホン酸、ポリアリルスルホン酸、ポリイソアミレンスルホン酸、ポリスチレンスルホン酸塩、ポリアクリル酸塩、ポリ酢酸ビニル、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリビニルアルコール、ポリグリセリン、ポリビニルピロリドン、イソプレンスルホン酸とアクリル酸の共重合体、ポリビニルピロリドンポリアクリル酸共重合体、ポリビニルピロリドン酢酸ビニル共重合体、ジアリルアミン塩酸塩二酸化硫黄共重合体、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルセルロースの塩、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、プルラン、キトサン、キトサン塩類等が挙げられる。水溶性高分子は、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。

水溶性高分子を含む態様の研磨用組成物では、研磨用組成物中における該水溶性高分子の含有量を、例えば０．００１重量％以上とすることが適当である。上記含有量は、複数の水溶性高分子を含む態様では、それらの合計含有量である。上記含有量は、研磨後の研磨対象物の表面平滑性等の観点から、好ましくは０．００３重量％以上、より好ましくは０．００５重量％以上、さらに好ましくは０．００７重量％以上である。また、加工性等の観点から、上記含有量は、１．０重量％以下とすることが適当であり、好ましくは０．５重量％以下、例えば０．１重量％以下である。なお、ここに開示される技術は、研磨用組成物が水溶性高分子を実質的に含まない態様でも好ましく実施され得る。

分散剤の例としては、ポリカルボン酸ナトリウム塩、ポリカルボン酸アンモニウム塩等のポリカルボン酸系分散剤；ナフタレンスルホン酸ナトリウム塩、ナフタレンスルホン酸アンモニウム塩等のナフタレンスルホン酸系分散剤；アルキルスルホン酸系分散剤；ポリリン酸系分散剤；ポリアルキレンポリアミン系分散剤；第四級アンモニウム系分散剤；アルキルポリアミン系分散剤；アルキレンオキサイド系分散剤；多価アルコールエステル系分散剤；等が挙げられる。

キレート剤の例としては、アミノカルボン酸系キレート剤および有機ホスホン酸系キレート剤が挙げられる。アミノカルボン酸系キレート剤の例には、エチレンジアミン四酢酸、エチレンジアミン四酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸、ニトリロ三酢酸ナトリウム、ニトリロ三酢酸アンモニウム、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸ナトリウム、ジエチレントリアミン五酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸ナトリウム、トリエチレンテトラミン六酢酸およびトリエチレンテトラミン六酢酸ナトリウムが含まれる。有機ホスホン酸系キレート剤の例には、２－アミノエチルホスホン酸、１－ヒドロキシエチリデン－１，１－ジホスホン酸、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）、エタン－１，１－ジホスホン酸、エタン－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１－ジホスホン酸、エタン－１－ヒドロキシ－１，１，２－トリホスホン酸、エタン－１，２－ジカルボキシ－１，２－ジホスホン酸、メタンヒドロキシホスホン酸、２－ホスホノブタン－１，２－ジカルボン酸、１－ホスホノブタン－２，３，４－トリカルボン酸およびα－メチルホスホノコハク酸が含まれる。これらのうち有機ホスホン酸系キレート剤がより好ましく、なかでも好ましいものとしてエチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）およびジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）が挙げられる。特に好ましいキレート剤として、エチレンジアミンテトラキス（メチレンホスホン酸）が挙げられる。

防腐剤および防カビ剤の例としては、２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン、５－クロロ－２－メチル－４－イソチアゾリン－３－オン等のイソチアゾリン系防腐剤、パラオキシ安息香酸エステル類、フェノキシエタノール等が挙げられる。

（ｐＨ）
ここに開示される研磨用組成物のｐＨは特に制限されない。研磨用組成物のｐＨは、例えば、１２．０以下、典型的には０．５～１２．０とすることができ、１０．０以下、典型的には０．５～１０．０としてもよい。加工性や面品質等の観点から、研磨用組成物のｐＨは、７．０以下、例えば０．５～７．０とすることができ、５．０以下、典型的には１．０～５．０とすることがより好ましく、４．０以下、例えば１．０～４．０とすることがさらに好ましい。研磨用組成物のｐＨは、例えば３．０以下、典型的には１．０～３．０、好ましくは１．０～２．０、より好ましくは１．０～１．８とすることができる。研磨液において上記ｐＨが実現されるように、必要に応じて有機酸、無機酸、塩基性化合物等のｐＨ調整剤を含有させることができる。上記ｐＨは、例えば、ニッケルリン基板等の磁気ディスク基板の研磨用の研磨用組成物に好ましく適用され得る。特に一次研磨用の研磨用組成物に好ましく適用され得る。

（研磨液）
ここに開示される研磨用組成物は、典型的には該研磨用組成物を含む研磨液の形態で研磨対象物に供給されて、該研磨対象物の研磨に用いられる。上記研磨液は、例えば、研磨用組成物を希釈して調製されたものであり得る。ここで希釈とは、典型的には水による希釈である。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。すなわち、ここに開示される技術における研磨用組成物の概念には、研磨対象物に供給されて該研磨対象物の研磨に用いられる研磨液（ワーキングスラリー）と、希釈して研磨液として用いられる濃縮液との双方が包含される。このような濃縮液の形態の研磨用組成物は、製造、流通、保存等の際における利便性やコスト低減等の観点から有利である。濃縮倍率は、例えば１．５倍～５０倍程度とすることができる。濃縮液の貯蔵安定性等の観点から、例えば２倍～２０倍、典型的には２倍～１０倍程度の濃縮倍率が適当である。

（多剤型研磨用組成物）
なお、ここに開示される研磨用組成物は、一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。例えば、該研磨用組成物の構成成分、典型的には、水以外の成分のうち一部の成分を含むパートＡと、残りの成分を含むパートＢとが混合されて研磨対象物の研磨に用いられるように構成されていてもよい。いくつかの好ましい態様に係る多剤型研磨用組成物は、砥粒を含むパートＡと、砥粒以外の成分を含むパートＢとから構成されている。砥粒を含むパートＡは、さらに分散剤を含んでもよい。パートＢに含まれる砥粒以外の成分としては、例えば、酸、水溶性高分子その他の添加剤が挙げられる。リン系極圧剤は、パートＡ、Ｂのいずれか、または両方に含まれ得る。通常、これらは、使用前は分けて保管されており、使用時に混合され得る。ここでいう使用時とは、典型的には研磨対象基板の研磨時であり得る。混合時には、例えば過酸化水素等の酸化剤がさらに混合され得る。例えば、上記酸化剤が水溶液の形態で供給される場合、当該水溶液は、多剤型研磨用組成物を構成するパートＣとなり得る。

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、ニッケルリン基板、ガラス基板、カーボン製基板等の研磨に好ましく適用され得る。また、めっき材質として、基材ディスクの表面にニッケルリンめっき層以外の金属層または金属化合物層を備えたディスク基板であってもよい。なかでも、アルミニウム合金製の基材ディスク上にニッケルリンめっき層を有するニッケルリンめっき基板用の研磨用組成物として好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。

ここに開示される研磨用組成物は、仕上げ研磨工程後において高精度な表面が要求される磁気ディスク基板の製造プロセスにおける予備研磨工程のように、高い研磨効率が要求される用途において特に有意義に使用され得る。仕上げ研磨工程の前工程として複数の予備研磨工程を有する場合は、いずれの予備研磨工程にも使用可能であり、これらの予備研磨工程において同一のまたは異なる研磨用組成物を用いることができる。ここに開示される研磨用組成物は、例えば、磁気ディスク基板の一次研磨工程すなわち最初のポリシング工程に用いられる研磨用組成物として好適である。なかでも、ニッケルリン基板の製造プロセスにおいて、ニッケルリンめっき後の最初の研磨工程すなわち一次研磨工程において好ましく使用され得る。

ここに開示される研磨用組成物は、例えば、Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ－３０００ＷＲＣ」により測定される表面粗さが２０Å～３００Å程度の磁気ディスク基板を研磨して、該磁気ディスク基板を１０Å以下の表面粗さに調整する用途に好適である。かかる用途では、ここに開示される技術を適用することが特に有意義である。ここでいう表面粗さとは、算術平均粗さ（Ｒａ）のことをいう。

＜磁気ディスク基板の製造方法および研磨方法＞
ここに開示される研磨用組成物は、例えば以下の操作を含む態様で、磁気ディスク基板を研磨対象物とする研磨に好適に使用することができる。以下、ここに開示される研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨する方法の好適な態様につき説明する。以下では、研磨対象物を研磨対象基板ともいう。

上記方法を実施するにあたって、まず、ここに開示されるいずれかの研磨用組成物を含む研磨液（ワーキングスラリー）を用意する。上記研磨液を用意することには、研磨用組成物に濃度調整やｐＨ調整等の操作を加えて研磨液を調製することが含まれ得る。濃度調整としては、例えば希釈が挙げられる。あるいは、研磨用組成物をそのまま研磨液として使用してもよい。

次いで、その研磨液を研磨対象物に供給し、常法により研磨する。具体的には、研磨装置に研磨対象物をセットし、該研磨装置の研磨パッドを通じて上記研磨対象物の表面すなわち研磨対象面に研磨液を供給する。典型的には、上記研磨液を連続的に供給しつつ、研磨対象物の表面に研磨パッドを押しつけて両者を相対的に移動させる。上記移動は、例えば回転移動であり得る。

研磨パッドとしては、圧縮弾性率が５０％よりも大きいものが用いられる。上記圧縮弾性率を有する研磨パッドを用いることにより、高い面品質が実現されやすい。その一方で、圧縮弾性率が相対的に高い研磨パッドは、研磨時に、研磨対象基板に沈み込みが大きく、また加工時間も長くなる傾向があり、ロールオフが発生しやすい。ここに開示される研磨用組成物に含まれるリン系極圧剤は、上記研磨パッドの沈み込みのため負荷が大きくなっている研磨対象基板の端部に選択的に作用し、例えば相対的に加工時間が長くなる研磨においても、ロールオフの発生を防止または低減し、端部形状を改善することができる。ここに開示される技術によると、圧縮弾性率が５０％よりも大きい研磨パッドを用いる研磨において、リン系極圧剤を使用することで、加工性維持と端部形状改善とを両立することができる。

研磨パッドの圧縮弾性率は、加工性維持と端部形状改善との両立の観点から、凡そ６０％以上が適当であり、好ましくは凡そ７０％以上、より好ましくは凡そ８０％以上、さらに好ましくは凡そ９０％以上、特に好ましくは凡そ９５％以上である。研磨パッドの圧縮弾性率の上限は、理論上１００％である。

本明細書における研磨パッドの圧縮弾性率は、ＪＩＳ Ｌ １０２１に基づき、ショッパー型厚さ測定器（加圧面：直径１ｃｍの円形）を使用して求めることができる。具体的には、無荷重状態から初荷重（３００ｇ／ｃｍ²）を３０秒間かけた後の厚さｔ０を測定し、次に、厚さｔ０の状態から最終荷重（１８００ｇ／ｃｍ²）を３０秒間かけた後の厚さｔ１を測定する。次に、厚さｔ１の状態から全ての荷重を除き、５分間放置（無荷重状態とした）後、再び初荷重（３００ｇ／ｃｍ²）を３０秒間かけた後の厚さｔ０’を測定する。得られた値を、式：
圧縮弾性率（％）＝１００×（ｔ０’－ｔ１）／（ｔ０－ｔ１）
に代入することにより、圧縮弾性率（％）を算出することができる。

使用し得る研磨パッドは、上記圧縮弾性率を満足する限りにおいて特に限定されない。例えば、硬質発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプ、スウェードタイプ等の研磨パッドを用いることができる。発泡ポリウレタンタイプとしては、例えば、全体が発泡ポリウレタンにより構成されているものが挙げられる。なかでも、加工性に優れ、また基板表面の高品質化を実現しやすいスウェードタイプの研磨パッド（典型的にはポリウレタン製研磨パッド）が好ましい。なお、ここに開示される技術で用いられる研磨パッドは砥粒を含まない。

スウェードタイプの研磨パッドはベース層と表面層とを有するものであり、典型的には、不織布やゴムシート、あるいはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等のポリエステルフィルムからなるベース層（パッド基材ともいう。）に支持された発泡層を表面層として有するものが用いられる。スウェードタイプの研磨パッドの好適例として、ポリウレタン製の発泡表面層（例えば連続発泡タイプ）がＰＥＴフィルム等のポリエステルフィルム（ベース層）に支持されたポリウレタン製研磨パッドが挙げられる。スウェードタイプの研磨パッドは、バフパッドであってもよく、典型的には、表面をバフ加工していないノンバフ状態にある研磨パッド（いわゆるノンバフパッド）であってもよい。

研磨工程に使用する研磨装置は、研磨対象物の両面を同時に研磨する両面研磨装置であってもよく、研磨対象物の片面のみを研磨する片面研磨装置であってもよい。上記研磨工程が予備研磨工程である場合、いくつかの態様において、該研磨工程を行う研磨装置として両面研磨装置を好ましく採用し得る。一次研磨工程の後に仕上げ研磨工程を行う場合、該仕上げ研磨工程を行う研磨装置としては、片面研磨装置を好ましく採用し得る。

研磨条件（研磨荷重や線速度、スラリー供給量、研磨時間）は、研磨対象物や、目標とする表面性状、研磨効率等に基づいて適切に設定される。ここに開示される技術においては、研磨荷重（加工荷重）が相対的に大きく研磨面の摩擦力が大きい態様の研磨や、研磨荷重（加工荷重）が相対的に小さく研磨時間が長くなりがちな態様の研磨のいずれにおいても、端部形状を改善することができ、研磨荷重は特に限定されない。例えば、研磨荷重が凡そ２０ｇ／ｃｍ²以上、好ましくは凡そ５０ｇ／ｃｍ²以上、より好ましくは凡そ８０ｇ／ｃｍ²以上、さらに好ましくは凡そ１００ｇ／ｃｍ²以上（例えば凡そ１２０ｇ／ｃｍ²以上）である研磨において、その研磨荷重に基づき十分な加工性が発揮されることに加えて、基板端部形状を好ましく改善することができる。また例えば、凡そ１０００ｇ／ｃｍ²以下の（凡そ５００ｇ／ｃｍ²以下でもよく、凡そ３００ｇ／ｃｍ²以下でもよく、凡そ２００ｇ／ｃｍ²以下でもよい）研磨荷重による研磨において、例えば上記研磨荷重のため加工時間が長くなる場合であっても、優れた基板端部形状の改善効果を実現することができる。

上記のような研磨工程を経て研磨対象物の研磨が完了する。上記研磨工程は、磁気ディスク基板、例えばニッケルリン基板の製造プロセスの一部であり得る。したがって、この明細書によると、上記研磨工程を含む磁気ディスク基板の製造方法および研磨方法が提供される。

上記研磨工程は、ここに開示研磨用組成物を研磨対象基板に供給し、研磨パッドを用いて該研磨対象基板を研磨する工程（１）であり得る。この工程（１）は、研磨対象物の予備研磨工程、例えば一次研磨工程であってもよく、仕上げ研磨工程であってもよい。上記工程（１）を、端部形状が問題となりやすい予備研磨工程（例えば一次研磨工程）として実施することで、ここに開示される技術による効果は好ましく発揮される。この態様において、上記方法は、工程（１）の後に仕上げ研磨工程を含み得る。すなわち、上記方法は、工程（１）で得られた基板を仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆを用いて研磨する工程（２）をさらに含む方法であり得る。

工程（２）、すなわち仕上げ研磨工程に使用する研磨用組成物は特に限定されない。典型的には、工程（２）は、工程（１）で用いられる研磨用組成物とは異なる研磨用組成物で研磨対象物を研磨する。いくつかの好ましい態様では、工程（２）で用いられる仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆは、工程（１）で用いられるシリカ粒子ＳよりもＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が小さいシリカ粒子Ｓ_Ｆを含むものであり得る。工程（１）および（２）をこの順で含む研磨を実施することにより、工程（１）によって、高い加工力で効率よく基板を研磨しつつ、仕上げ研磨前に端部形状を改善することができ、次いで工程（２）を実施することで、端部形状が改善し、かつ高い面品質を有する磁気ディスク基板が好ましく実現される。なお、シリカ粒子Ｓ_Ｆは、粒子径が相対的に小さい他はシリカ粒子Ｓと基本的に同じであり得るので、シリカ粒子Ｓで説明した事項を適用することができる。仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆについても、工程（１）で用いられる研磨用組成物と同様、水を含み、さらに任意に添加剤（酸、酸化剤等）を含み得る。仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆに関するその他の事項は、本分野の技術常識に基づき設計可能であり、ここに開示される技術を特徴づけるものではないので、説明は省略する。

以下、本発明に関するいくつかの実施例を説明するが、本発明を実施例に示すものに限定することを意図したものではない。

＜例１～２３＞
シリカ粒子Ｓ１（非球状コロイダルシリカ、平均アスペクト比１．２、Ｄ５０＝１５０ｎｍ）と、シリカ粒子Ｓ２（球状コロイダルシリカ、Ｄ５０＝６０ｎｍ）と、シリカ粒子Ｓ３（焼成シリカ、平均アスペクト比１．３、Ｄ５０＝３００ｎｍ）と、表１に示す添加剤と、８５％リン酸と、３１％過酸化水素水とを脱イオン水とともに混合して各例に係る研磨用組成物を調製した。研磨用組成物中のシリカ粒子Ｓ１の含有量は４０．９ｇ／Ｌ、シリカ粒子Ｓ２の含有量は２７．３ｇ／Ｌ、シリカ粒子Ｓ３の含有量は６ｇ／Ｌ、リン酸の含有量は１４．７ｇ／Ｌ、過酸化水素水の含有量は６０ｇ／Ｌであり、添加剤の含有量は表１に示すとおりである。なお、表１中、ラウリルＥＯ２アシッドホスフェートはジエチレングリコールモノラウリルエーテルアシッドホスフェートであり、アルキルＥＯ３アシッドホスフェートはポリオキシエチレン（ＥＯ３）アルキルエーテルアシッドホスフェートである。

［ディスクの研磨］
各例に係る研磨用組成物をそのまま研磨液に使用して、下記の条件で、研磨対象物の研磨を行った。研磨対象物としては、表面に無電解ニッケルリンめっき層を備えたハードディスク用アルミニウム基板を使用した。上記基板は、直径３．５インチ、外径約９５ｍｍ、内径約２５ｍｍのドーナツ型、厚さは１．７５ｍｍであり、研磨前における表面粗さＲａは１３０Åであった。なお、上記表面粗さＲａは、Schmitt Measurement System Inc.社製レーザースキャン式表面粗さ計「ＴＭＳ－３０００ＷＲＣ」により測定したニッケルリンめっき層の算術平均粗さである。

（研磨条件）
研磨装置：システム精工社製の両面研磨機、型式「９．５Ｂ－５Ｐ」
研磨パッド：ＡまたはＢ
Ａ：圧縮弾性率７０％
Ｂ：圧縮弾性率９６％
いずれも、ＦＩＬＷＥＬ社製のスウェードパッド（ベース層と表面層とを有し、表面層が発泡ポリウレタン製のパッド）
研磨対象基板の投入枚数：１５枚（３枚／キャリア ×５キャリア）
研磨液の供給レート：１３５ｍＬ／分
研磨荷重（加工荷重）：１２０ｇ／ｃｍ^２または１５０ｇ／ｃｍ^２
上定盤回転数：２７ｒｐｍ
下定盤回転数：３６ｒｐｍ
サンギヤ（太陽ギヤ）回転数：８ｒｐｍ
研磨量：各基板の両面の合計で約２．２μｍの厚さ

［加工性］
各例に係る研磨用組成物を用いて上記研磨条件で研磨対象基板を研磨したときの加工性（研磨レート）を算出した。加工性は、次の計算式に基づいて求めた。
加工性［μｍ／ｍｉｎ］＝研磨による基板の重量減少量［ｇ］／（基板の面積［ｃｍ^２］×ニッケルリンめっきの密度［ｇ／ｃｍ^３］×研磨時間［ｍｉｎ］）×１０^４
得られた値を、例２０の加工性を１００としたときの相対値に換算して表１の「加工性」の欄に示す。値が大きいほど加工性に優れる。

［端部形状］
各例に係る研磨用組成物を用いて上記研磨条件で研磨を行った基板（研磨後の研磨対象基板）につき、非接触表面形状測定機（商品名「ＮｅｗＶｉｅｗ５０３２」、Ｚｙｇｏ社製）を用いて、対物レンズ倍率２．５倍、中間レンズ倍率１．０倍で、基板の端部（半径４５．５ｍｍ～４７．５ｍｍの領域）おける測定位置座標のＰＶ差（Peak-Valley差、最大高低差）を測定した。
得られた値を、例２０の測定値を１００としたときの相対値に換算して表１の「端部形状」の欄に示す。値が小さいほど端部形状は改善している。

表１に示されるように、リン系極圧剤を含む組成物を用いた例１～１９では、添加剤非含有の例２０（参考例）と比べて、加工性を維持または向上しつつ、端部形状が改善した。これに対し、非リン系の添加剤を使用した例２１～２３では、端部形状の改善は認められたが、加工性が低下した。これらの添加剤は、端部だけでなく基板表面全体を保護したためと考えられる。

また、例１３と例１６との対比から、圧縮弾性率の高い研磨パッドを用いた例１６において、より優れた端部形状改善効果が得られた。この結果は、圧縮弾性率が相対的に高い研磨パッドを用いて、圧縮弾性率が相対的に低い研磨パッドと同等の加工を行おうとすれば、加工時間が長くなり得ることを示しているが、そのように加工時間が長くなった場合でも、端部形状の悪化を効果的に防止し得ることを示唆している。さらに、例１６から加工荷重を高めた例１７では、例１６よりも加工性が向上し、かつ端部形状改善効果が維持された。この結果は、圧縮弾性率が所定値よりも大きい研磨パッドを用いる磁気ディスク基板の研磨において、リン系極圧剤が、研磨パッドの沈み込みのため力が大きくなっている研磨対象基板の端部に選択的かつ効果的に作用していることを支持するものと考えられる。上記の結果はいずれも、圧縮弾性率の高い研磨パッドを用いる磁気ディスク基板の研磨において、リン系極圧剤使用の効果がよりよく発揮され得ることを示している。

上記の結果から、圧縮弾性率が５０％よりも大きい研磨パッドとシリカ粒子含有研磨用組成物とを用いる磁気ディスク基板の研磨において、当該研磨用組成物にリン系極圧剤を用いることで、加工性等の研磨性能と端部形状改善とを両立し得ることがわかる。

以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。

Claims (13)

1. 砥粒としてのシリカ粒子Ｓと、水と、を含有する研磨用組成物を研磨対象基板に供給し、研磨パッドを用いて該研磨対象基板を研磨する工程（１）を含み、
   ここで、
   前記研磨パッドの圧縮弾性率は５０％よりも大きく、
   前記研磨パッドは、硬質発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプまたはスウェードタイプの研磨パッドであり、
   前記研磨用組成物はリン系極圧剤をさらに含む、磁気ディスク基板の製造方法。
2. 前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上であり、かつＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ未満であるシリカ粒子Ｓ１を含む、請求項１に記載の製造方法。
3. 前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０未満であり、かつＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ未満であるシリカ粒子Ｓ２を含む、請求項１または２に記載の製造方法。
4. 前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上であり、かつＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が２００ｎｍ以上であるシリカ粒子Ｓ３をさらに含む、請求項２または３に記載の製造方法。
5. 前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０未満の球状コロイダルシリカを含む、請求項１～４のいずれか一項に記載の製造方法。
6. 前記研磨用組成物は、前記シリカ粒子Ｓとして、ＳＥＭ画像解析に基づく平均アスペクト比が１．１０以上の非球状コロイダルシリカを含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の製造方法。
7. 前記シリカ粒子Ｓは熱処理シリカ粒子をさらに含む、請求項５または６に記載の製造方法。
8. 前記研磨用組成物は、酸として、リン酸、ホスホン酸、マレイン酸、塩酸、硝酸または硫酸をさらに含む、請求項１～７のいずれか一項に記載の製造方法。
9. 前記研磨用組成物は、酸化剤として過酸化水素をさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載の製造方法。
10. 前記リン系極圧剤は、亜リン酸エステル、および、分子量が１５０以上であるリン酸エステルから選択される少なくとも１種である、請求項１～９のいずれか一項に製造方法。
11. 前記研磨パッドは、前記スウェードタイプの研磨パッドであり、
    前記スウェードタイプの研磨パッドは、ベース層と表面層とを有し、該表面層がポリウレタン製である、請求項１～１０のいずれか一項に記載の製造方法。
12. 前記工程（１）で得られた基板を仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆを用いて研磨する工程（２）を含み、
    前記仕上げ研磨用組成物Ｃ_Ｆは、前記シリカ粒子ＳよりもＳＥＭ画像解析に基づく体積平均粒子径が小さいシリカ粒子Ｓ_Ｆを含む、請求項１～１１のいずれか一項に記載の製造方法。
13. 硬質発泡ポリウレタンタイプ、不織布タイプまたはスウェードタイプの研磨パッドであって圧縮弾性率が５０％よりも大きい研磨パッドと、研磨用組成物と、を用いて研磨対象面を研磨する工程（１）を含み、
    前記研磨用組成物は、砥粒としてのシリカ粒子Ｓと、水と、リン系極圧剤とを含む、磁気ディスク基板の研磨方法。