TW202245179A - 用於腔室部件清潔處理的高生產率及金屬汙染控制烤爐 - Google Patents

用於腔室部件清潔處理的高生產率及金屬汙染控制烤爐 Download PDF

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Abstract

本文提供用於烘烤腔室的方法及設備以用於處理腔室部件。在一些實施例中，烘烤腔室包括：一封閉體，該封閉體界定一第一腔室，其中該第一腔室包括：一第一腔室主體，該第一腔室主體具有一第一地板及第一側壁，該等第一側壁耦合該第一地板至該第一腔室主體的一第一蓋以界定一第一內部容積；一第一支撐件，該第一支撐件設置於該第一內部容積中；一第一氣體管線，該第一氣體管線設置於該第一內部容積中接近該第一蓋；一第一噴頭，該第一噴頭設置於該第一氣體管線及該第一支撐件之間；一第一排氣部，該第一排氣部耦合至該第一地板；及一第一加熱器，該第一加熱器設置於該第一支撐件及該第一地板之間的該第一內部容積中；及其中該封閉體包括一門，該門經配置以促使該腔室部件傳送進入及離開該封閉體。

Description

用於腔室部件清潔處理的高生產率及金屬汙染控制烤爐
本揭示案的實施例一般相關於半導體處理設施。
承受器用於處理腔室中以支撐一個或更多個基板。處理腔室可為例如沉積腔室，例如物理氣相沉積(PVD)腔室、化學氣相沉積(CVD)腔室、原子層沉積(ALD)腔室等。在使用期間，承受器收集膜沉積物且可定期清潔以移除膜沉積物。一旦清潔了承受器，通常將它們放置在烤爐或烘烤腔室中，以移除濕氣。然而，發明人已觀察到，當加熱到高溫(例如，大於攝氏400度)時，烤爐的材料或烤爐的加熱元件可能污染承受器。此外，用於烘烤承受器的傳統烤爐通常將空氣從烤爐的一側流動到另一側，以在清潔處理之後移除或減低濕氣。發明人進一步觀察到，當承受器被加熱到高溫時，這種流動佈置可能導致承受器上的金屬污染。
據此，發明人提供了用於處理承受器的改善的烘烤腔室和烘烤承受器的方法。
本文提供用於處理承受器的烘烤腔室及其使用的實施例。在一些實施例中，用於處理一腔室部件的烘烤腔室包括：一封閉體，該封閉體界定一第一腔室，其中該第一腔室包括：一第一腔室主體，該第一腔室主體具有一第一地板及第一側壁，該等第一側壁耦合該第一地板至該第一腔室主體的一第一蓋以界定一第一內部容積；一第一支撐件，該第一支撐件設置於該第一內部容積中以用於支撐一腔室部件；一第一氣體管線，該第一氣體管線設置於該第一內部容積中接近該第一蓋且經配置以供應一個或更多個處理氣體進入該第一內部容積；一第一噴頭，該第一噴頭設置於該第一氣體管線及該第一支撐件之間，其中該第一噴頭包括複數個孔，該複數個孔經配置以從該第一氣體管線引導該一個或更多個處理氣體至該第一噴頭及該第一支撐件之間的一區域；一第一排氣部，該第一排氣部耦合至該第一地板，其中該第一噴頭及該第一排氣部經配置以提供一氣體幕，該氣體幕在使用期間從該第一噴頭流動至該腔室部件，繞著該腔室部件，且進入該第一排氣部；及一第一加熱器，該第一加熱器設置於該第一支撐件及該第一地板之間的該第一內部容積中；及其中該封閉體包括一門，該門經配置以促使該腔室部件傳送進入及離開該封閉體。
在一些實施例中，用於處理一承受器的烘烤腔室包括：一封閉體，該封閉體界定一上腔室及一下腔室，其中該上腔室及該下腔室流體獨立且每一者包括：一腔室主體，該腔室主體具有一地板及側壁，該等側壁耦合該地板至該腔室主體的一蓋以界定一內部容積；一支撐件，該支撐件設置於該內部容積中，該支撐件具有一軸件，該軸件耦合至一基座以用於支撐一承受器，該承受器經配置以維持一個或更多個基板；一擴散器，該擴散器設置於該內部容積中接近該蓋且經配置以供應一個或更多個處理氣體經由一氣體管線進入該內部容積；一噴頭，該噴頭設置於該擴散器及該支撐件之間，其中該噴頭包括複數個孔，該複數個孔經配置以從該擴散器引導該一個或更多個處理氣體至該噴頭及該支撐件之間的一區域；一排氣部，該排氣部耦合至該地板；及一加熱器，該加熱器設置於該基座及該地板之間的該內部容積中；及其中該封閉體包括一門，該門經配置以促使該承受器傳送進入及離開該封閉體。
在一些實施例中，在一烘烤腔室中烘烤複數個承受器的方法包括以下步驟：將該複數個承受器之每一者放置於該烘烤腔室的一個別腔室的一內部容積中的一基座上，其中每一個別腔室流體獨立；在每一個別腔室中經由設置於該基座下方的一加熱器來加熱該複數個承受器，以烘烤該複數個承受器；流動一個或更多個處理氣體經由一氣體管線進入每一個別腔室的一頂部區域；經由一噴頭引導該一個或更多個處理氣體的一流量朝向每一承受器且繞著每一承受器的一外側壁；及將該一個或更多個處理氣體從每一個別腔室的一地板排氣。
下方描述本揭示案的其他及進一步的實施例。
本文提供了用於處理腔室部件的烘烤腔室及其使用方法的實施例。本文所述的烘烤腔室的實施例有利地容納一個或更多個腔室部件。例如，一個或更多個腔室部件可為複數個腔室部件以經由批量烘烤來增加處理生產率。在一些實施例中，一個或更多個腔室部件可為經配置以維持複數個基板、承載板、處理套件等的承受器。對於一個或更多個腔室部件之每一者，烘烤腔室包括個別的封閉腔室，經配置以提供氣體幕，該氣體幕從個別的封閉腔室的上部分沿著腔室部件的上表面、繞著腔室部件的外表面延伸至個別的封閉腔室的下部分，有利地從腔室部件移除任何不需要的顆粒，尤其是腔室部件的上表面。加熱器通常設置在每一個別的封閉腔室中，使得氣體幕在加熱元件之前撞擊腔室部件。可經由設置在每一個別封閉腔室的下部分中的排氣部將氣體幕的顆粒以及處理期間(例如，腔室部件的烘烤)產生的任何不需要的顆粒排氣。
烘烤腔室可由金屬或金屬合金製成。加熱器也可包括金屬或金屬合金。加熱時，烘烤腔室和加熱器可能釋放顆粒，導致烘烤腔室內的金屬污染。在一些實施例中，烘烤腔室和加熱器可由具有低水平的某些元素的金屬合金製成，該等元素在高溫下更容易污染烘烤腔室。作為說明性範例，烘烤腔室和加熱器之其中一者或更多者可由具有低水平的錳(Mn)的材料製成，例如，按成分小於百分之二的Mn。因此，本文提供的具有提供層流設計和材料選擇的氣體幕的烘焙腔室有利地減輕在高溫(例如，大於攝氏400度)和低真空水平(例如，小於1e^-2 Torr)條件下在承受器上的潛在金屬污染。
圖1是根據本揭示案的至少一些實施例的烘烤腔室的示意性等距視圖。烘烤腔室100包括在其中界定一個或更多個腔室的封閉體102。如圖1中所展示，封閉體102界定了上腔室110或第一腔室，及與上腔室110流體獨立的下腔室120或第二腔室。在一些實施例中，上腔室110垂直設置在下腔室120上方。在一些實施例中，分隔器板106設置在上腔室110和下腔室120之間。封閉體102可具有矩形、圓形、橢圓形、或其他合適的橫截面形狀。封閉體102通常可由適合高溫烘烤的金屬材料製成，例如，用於大於攝氏400度的溫度。
上腔室110和下腔室120之每一者可在其中容納一個或更多個腔室部件。封閉體102通常包括門108，門108經配置以促使將腔室部件傳送進入和離開封閉體102。在其他實施例中，烘烤腔室100可包括對應於複數個流體獨立腔室之每一者的多個門(例如，第一門用於上腔室110且第二門用於下腔室120)。門108可鉸接地耦合到封閉體102。上腔室110和下腔室120包括個別的排氣部，該等排氣部流體地耦合到設置在封閉體102外部的排氣管線112以抽空上腔室110和下腔室120。排氣管線112可耦合到真空系統114，真空系統114包括泵和一個或更多個閥，經配置以調節排氣管線112中的壓力。
圖2是根據本揭示案的至少一些實施例的烘烤腔室100的示意性橫截面側視圖。在一些實施例中，上腔室110和下腔室120具有相似的佈局及設置在其中的相似或相同的部件。上腔室110(或第一腔室)包括腔室主體202a，腔室主體202a具有地板206a和耦合地板206a到腔室主體202a的蓋208a的側壁204a，以界定內部容積212a。下腔室120(或第二腔室)包括腔室主體202b，腔室主體202b具有地板206b和耦合地板206b到腔室主體202b的蓋208b的側壁204b，以界定內部容積212b。在一些實施例中，腔室主體202a、202b與封閉體102整體形成。在一些實施例中，腔室主體202a和腔室主體202b設置在由封閉體102和分隔器板106形成的個別分隔室內。在一些實施例中，腔室主體202a和腔室主體202b由鎳鉻鐵合金製成，例如可從西弗吉尼亞州亨廷頓的亨廷頓合金(Huntington Alloys)公司商購的Incol®。
支撐件214a設置在內部容積212a中以用於支撐腔室部件(例如，第一承受器210經配置以維持一個或更多個基板)。支撐件214b設置在內部容積212b中以用於支撐腔室部件(例如，第二承受器216經配置以維持一個或更多個基板)。支撐件214a和支撐件214b之每一者包括耦合到個別基座218a、218b的個別的軸件226a、226b。基座218a包括用於支撐第一承受器210的支撐表面和耦合到排氣部224a的中心開口220a，排氣部224a耦合到排氣管線112。基座218b包括用於支撐第二承受器220的支撐表面和耦合到排氣部224b的中心開口220b，排氣部224b耦合到排氣管線112。在一些實施例中，基座218a、218b的外直徑小於第一承受器210和第二承受器216的外直徑。
加熱器222a設置在內部容積212a中以在使用期間加熱內部容積212a和第一承受器。在一些實施例中，加熱器222a設置在基座218a和地板206a之間。加熱器222b設置在內部容積212b中以在使用期間加熱內部容積212b和第二承受器。在一些實施例中，加熱器222b設置在基座218b和地板206b之間。在一些實施例中，加熱器222a、222b包括複數個管狀加熱元件232a、232b，具有在該等管狀加熱元件中設置的電阻加熱元件。在一些實施例中，複數個管狀加熱元件232a、232b分別在側壁204a、204b之間彼此平行地設置。在一些實施例中，加熱器222a、222b由與腔室主體202a、202b相同的材料製成。加熱器222a、222b可耦合到一個或更多個熱電耦以促使溫度控制。
圖3是根據本揭示案的至少一些實施例的支撐件214a的橫截面側視圖。以下相關於上腔室110中的支撐件214a和第一承受器210的圖3描述適用於設置在下腔室120中的支撐件214b和第二承受器216。在一些實施例中，基座218a包括外唇部306，外唇部306具有上表面308，上表面308從基座218a的支撐表面314向上並徑向向外延伸，以對齊或保持第一承受器210。在一些實施例中，第一基座210安置在承載板312上或耦合到承載板312。可設置承載板312的尺寸以安置在外唇部306內的基座218a的支撐表面314上。
在一些實施例中，第一承受器210包括中心開口316。在一些實施例中，第一承受器210包括繞著第一承受器210的中心佈置成圓形的複數個周邊開口318。在一些實施例中，複數個周邊開口318繞著中心開口316設置。在一些實施例中，複數個銷320可延伸穿過複數個周邊開口318且至少部分地延伸進入承載板312中的複數個開口322，以相對於承載板312對齊第一承受器210。承載板312可包括與第一承受器210的中心開口316對齊的中心開口340，以提供穿過第一承受器210穿過基座218a中的中心開口220a並進入排氣部224a的氣體流動路徑。穿過中心開口316的氣體流動路徑促使在使用期間將接近第一承受器210上方的中心區域的濕氣和污染物排氣。
在一些實施例中，軸件226a包括流體耦合到排氣部224a的徑向開口310。在一些實施例中，軸件包括耦合到排氣部224a的徑向開口310，以引導流量從內部容積212a的下部分到排氣部224a。在一些實施例中，徑向開口310有利地設置在加熱器222a和地板206a之間，使得設置在加熱器222a上或接近加熱器222a的任何污染物更容易經由排氣部224a排氣，而不會污染第一承受器210。
返回參考圖2，在一些實施例中，第一氣體源230經由第一外部氣體管線236提供一個或更多個處理氣體至上腔室110。第一質量流量控制器(MFC)232可設置在第一氣體源230下游以測量和控制一個或更多個處理氣體的流量。在一些實施例中，第二氣體源240經由第二外部氣體管線246提供一個或更多個處理氣體至下腔室120。第二質量流量控制器(MFC)242可設置在第二氣體源240下游以測量和控制至下腔室120的一個或更多個處理氣體的流量。在一些實施例中，第一氣體源230和第二氣體源240是相同的。在一些實施例中，一個或更多個處理氣體包括氮氣、氬氣等。第一外部氣體管線236和第二外部氣體管線246通常設置在封閉體102的外部。
第一外部氣體管線236可延伸進入第一氣體加熱器238和氣體冷卻器250，以選擇性地加熱或冷卻輸送到上腔室110的一個或更多個處理氣體，從而在烘烤處理之前預熱上腔室110或烘烤處理之後冷卻上腔室110。在一些實施例中，設置在第一氣體源230下游的第一閥234促使將處理氣體的流量轉向到第一氣體加熱器238或氣體冷卻器250。例如，第一閥234可為三通閥或兩個二通閥。在一些實施例中，第一外部氣體管線236包括設置在第一氣體加熱器238和氣體冷卻器250下游的第一入口閥235，以控制輸送到上腔室110的一個或更多個處理氣體的流量。上腔室110包括氣體管線252a，氣體管線252a設置在內部容積212a中接近蓋208a且流體耦合到第一外部氣體管線236以將一個或更多個處理氣體從第一外部氣體管線236供應到內部容積212a。
第二外部氣體管線246可延伸進入第二氣體加熱器248和氣體冷卻器250，以選擇性地加熱或冷卻輸送到下腔室120的一個或更多個處理氣體，從而在烘烤處理之前預熱下腔室120或烘烤處理之後冷卻下腔室120。在一些實施例中，設置在第二氣體源240下游的第二閥244促使將處理氣體的流量轉向到第二氣體加熱器248或氣體冷卻器250。例如，第二閥244可為三通閥或兩個二通閥。在一些實施例中，第二外部氣體管線246包括設置在第二氣體加熱器248和氣體冷卻器250下游的第二入口閥245，以控制輸送到下腔室120的一個或更多個處理氣體的流量。下腔室120包括氣體管線252b，氣體管線252b設置在內部容積212b中接近蓋208b且流體耦合到第二外部氣體管線246以將一個或更多個處理氣體從第二外部氣體管線246供應到內部容積212b。
在一些實施例中，第一氣體加熱器238和第二氣體加熱器248是分開的以獨立控制第一外部氣體管線236和第二外部氣體管線246的溫度。然而，在其他實施例中，第一氣體加熱器238和第二氣體加熱器248可為相同的氣體加熱器。在一些實施例中，第一外部氣體管線236和第二外部氣體管線246延伸進入單個氣體冷卻器(例如，氣體冷卻器250)。在其他實施例中，第一外部氣體管線236和第二外部氣體管線246可延伸進入不同的氣體冷卻器以獨立冷卻第一外部氣體管線236和第二外部氣體管線246。在一些實施例中，第一氣體加熱器238和第二氣體加熱器248經配置以將一個或更多個處理氣體加熱到高至約攝氏200度。在一些實施例中，氣體冷卻器250經配置以將一個或更多個處理氣體冷卻至約攝氏40度至約攝氏-5度的溫度。
在一些實施例中，上腔室110中的氣體管線252a耦合到擴散器254a。擴散器254a設置在上腔室110的內部容積212a中接近蓋210a且經配置以將一個或更多個處理氣體供應進入內部容積212a。在一些實施例中，下腔室120中的氣體管線252b耦合到擴散器254b。擴散器254b設置在下腔室120的內部容積212b中接近蓋210b且經配置以將一個或更多個處理氣體供應進入內部容積212b。
噴頭248a設置在氣體管線252a和支撐件214a之間的上腔室110中。噴頭248a包括複數個孔244a，經配置以將一個或更多個處理氣體從氣體管線252a引導到噴頭248a和支撐件214a之間的區域。在一些實施例中，噴頭248b設置在氣體管線252b和支撐件214b之間的下腔室120中。噴頭248b包括複數個孔244b，經配置以將一個或更多個處理氣體從氣體管線252b引導到噴頭248b和支撐件214b之間的區域。在一些實施例中，噴頭248a、248b耦合到上腔室110和下腔室120的個別側壁204a、204b。
在一些實施例中，上腔室110的排氣部224a耦合到地板206a且下腔室120的排氣部224b耦合到地板206b。在使用期間，噴頭248a、248b和排氣部224a、224b經配置以提供個別的氣體幕228a、228b從噴頭248a、248b流到個別承受器(例如，第一承受器210和第二承受器216)，繞著承受器並進入排氣部224a、224b。氣體幕228a、228b有利地減輕來自個別承受器的上表面的污染物。
圖4是根據本揭示案的至少一些實施例的氣體輸送部件400的等距視圖。上腔室110的氣體輸送部件400包括氣體管線252a、擴散器254a、和噴頭248a。以下相關於上腔室110的氣體輸送部件400的圖4描述可適用於設置在下腔室120中的氣體輸送部件400。
在一些實施例中，擴散器254a包括在與噴頭248a相對的一側上的一個或更多個開口404，且經配置以噴灑一個或更多個處理氣體朝向蓋208a，使得一個或更多個處理氣體流過擴散器254a的外側壁410。在一些實施例中，一個或更多個開口404在面向噴頭248a的一側上且經配置以噴灑一個或更多個處理氣體朝向噴頭248a。在一些實施例中，一個或更多個開口404包括位於擴散器254a中央的單個開口。在一些實施例中，擴散器254a是具有圓形形狀的實質平板。在一些實施例中，噴頭248a具有矩形形狀。在一些實施例中，擴散器254a的直徑小於噴頭248a的寬度，使得一個或更多個處理氣體流過擴散器254a的外側壁410。
在一些實施例中，噴頭248a中的複數個孔244a均勻分佈。在一些實施例中，複數個孔244a沿著同心圓佈置，其中最外同心圓408設置於基座218a徑向向外。在一些實施例中，最內同心圓412設置於擴散器254a的外側壁410徑向向內。
圖5是根據本揭示案的至少一些實施例的烘烤腔室100和承受器傳送系統510的示意性頂部視圖。承受器傳送系統510通常包括台車502，台車502具有末端效應器504，末端效應器504經配置以將承受器(例如，第一承受器210)維持並傳送進入和離開烘焙腔室100。台車502可升高或降低以垂直對齊末端效應器504與個別腔室，例如上腔室110和下腔室120。例如，圖5描繪了與上腔室110對齊的台車502。台車502可朝向或遠離烘烤腔室100滾動或橫向移動。
以下相關於上腔室110的描述可適用於下腔室120。末端效應器504以第一距離506間隔開。第一距離506大於基座218a的外直徑，使得當第一承受器210放置在基座218a上時，基座218a可在末端效應器504之間延伸。台車502的寬度508通常可小於上腔室110的內部容積212a的寬度512，使得台車可延伸進入內部容積212a。在一些實施例中，末端效應器504可具有成角度的表面。
圖6是根據本揭示案的至少一些實施例在烘烤腔室中烘烤複數個承受器的方法600的流程圖。在602，方法600包括以下步驟：將複數個承受器(例如，第一承受器210和第二承受器216)之每一者放置到烘烤腔室(例如，烘烤腔室100)的個別腔室(例如上腔室110、下腔室120)的內部容積(例如，內部容積212a、212b)中的基座(例如，基座218a、218b)上，其中每一個別腔室流體獨立。在一些實施例中，經由具有延伸進入內部容積繞著基座的末端效應器(例如，末端效應器504)的傳送台車(例如，台車502)將複數個承受器之每一者放置在基座上。在一些實施例中，放置複數個承受器包括以下步驟：將末端效應器504與第一腔室對齊以將承受器放置在第一腔室中，升高或降低末端效應器504以將末端效應器504與第二腔室對齊，並放置隨後的承受器進入第二腔室。
在將複數個承受器放置進入烘烤腔室之後，可例如藉由關閉烘烤腔室的門(例如，門108)來密封烘烤腔室。在604，方法600包括以下步驟：在每一個別腔室中經由設置在基座下方的加熱器(例如，加熱器222a、222b)來加熱複數個承受器以烘烤複數個承受器。在一些實施例中，複數個承受器被加熱到約攝氏300度至約攝氏550度的溫度。
在606，方法600包括以下步驟：將一個或更多個處理氣體經由氣體管線(例如，氣體管線252a、252b)流動進入每一個別腔室的頂部區域。在一些實施例中，一個或更多個處理氣體包括氮氣或氬氣。在一些實施例中，一個或更多個處理氣體經由氣體加熱器(例如，第一氣體加熱器238、第二氣體加熱器248)加熱且流動進入每一個別腔室，以在經由在每一個別腔室中設置於基座下方的加熱器來加熱複數個承受器之前預熱每一個別腔室。在一些實施例中，在預熱期間將一個或更多個處理氣體加熱高至約攝氏100度至約攝氏200度。在一些實施例中，一個或更多個處理氣體在烘烤期間被加熱到超過約攝氏100度。
在608，方法600包括以下步驟：經由噴頭(例如噴頭248a、248b)引導一個或更多個處理氣體的流量朝向每一承受器並繞著每一承受器的外側壁。在610，方法600包括以下步驟：從耦合到每一個別腔室的地板(例如地板206a、206b)的排氣部(例如排氣部224a、224b)將一個或更多個處理氣體排氣。
在烘烤之後，以類似於將複數個承受器放置進入每一個別腔室的方式從每一個別腔室移除複數個承受器。在一些實施例中，在烘烤複數個承受器之後，藉由使冷卻氣體經過氣體管線流動進入內部容積來冷卻每一個別腔室。冷卻氣體有利地減低了烘烤腔室的冷卻時間並增加了處理生產率。在一些實施例中，氣體冷卻器(例如，氣體冷卻器250)經配置以將一個或更多個處理氣體冷卻至約攝氏40度至約攝氏-5度的溫度以將冷卻氣體提供進入內部容積。
儘管前述內容針對本揭示案的實施例，可設計本揭示案的其他和進一步的實施例而不背離其基本範圍。
100:烘烤腔室 102:封閉體 106:分隔器板 108:門 110:上腔室 112:排氣管線 114:真空系統 120:下腔室 202a~202b:腔室主體 204a~204b:側壁 206a~206b:地板 208a~208b:蓋 210:第一承受器 210a~210b:蓋 212a~212b:內部容積 214a~214b:基板支撐件 216:第二承受器 218a~218b:基座 220a~220b:中心開口 222a~222b:加熱器 224a~224b:排氣部 226a~226b:軸件 228a~228b:氣體幕 230:第一氣體源 232:第一質量流量控制器 232a~232b:管狀加熱元件 234:第一閥 235:第一入口閥 236:第一外部氣體管線 238:第一氣體加熱器 240:第二氣體源 242:第二質量流量控制器 244:第二閥 244a~244b:孔 245:第二入口閥 246:第二外部氣體管線 248:第二氣體加熱器 248a~248b:噴頭 250:氣體冷卻器 252a~252b:氣體管線 254a~254b:擴散器 306:外唇部 308:上表面 310:徑向開口 312:乘載板 314:支撐表面 316:中心開口 318:周邊開口 320:銷 322:開口 340:中心開口 400:氣體輸送部件 404:開口 408:最外同心圓 410:外側壁 412:最內同心圓 502:台車 504:末端效應器 506:第一距離 508:寬度 510:承受器傳送系統 512:寬度 600:方法 602~610:步驟
可藉由參考在附圖中描繪的本揭示案的說明性實施例來理解上文簡要概括並在下文更詳細討論的本揭示案的實施例。然而，附圖僅圖示了本揭示案的典型實施例且因此不應被視為對範圍的限制，因為本揭示案可承認其他等效的實施例。
圖1是根據本揭示案的至少一些實施例的烘烤腔室的示意性等距視圖。
圖2是根據本揭示案的至少一些實施例的烘烤腔室的示意性橫截面側視圖。
圖3是根據本揭示案的至少一些實施例的支撐件的橫截面側視圖。
圖4是根據本揭示案的至少一些實施例的氣體輸送部件的等距視圖。
圖5是根據本揭示案的至少一些實施例的烘烤腔室和承受器傳送系統的示意性頂部視圖。
圖6是根據本揭示案的至少一些實施例在烘烤腔室中烘烤複數個承受器的方法的流程圖。
為了便於理解，在可能的情況下，使用相同的參考數字來表示圖式共有的相同元件。圖式不是按比例繪製且為了清楚起見可簡化。一個實施例的元件和特徵可有益地併入其他實施例中而無需進一步敘述。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
100:烘烤腔室
102:封閉體
106:分隔器板
108:門
110:上腔室
112:排氣管線
114:真空系統
120:下腔室

Claims (20)

  1. 一種用於處理一腔室部件的烘烤腔室，包括： 一封閉體，該封閉體界定一第一腔室，其中該第一腔室包括： 一第一腔室主體，該第一腔室主體具有一第一地板及第一側壁，該等第一側壁耦合該第一地板至該第一腔室主體的一第一蓋以界定一第一內部容積； 一第一支撐件，該第一支撐件設置於該第一內部容積中以用於支撐一腔室部件； 一第一氣體管線，該第一氣體管線設置於該第一內部容積中接近該第一蓋且經配置以供應一個或更多個處理氣體進入該第一內部容積； 一第一噴頭，該第一噴頭設置於該第一氣體管線及該第一支撐件之間，其中該第一噴頭包括複數個孔，該複數個孔經配置以從該第一氣體管線引導該一個或更多個處理氣體至該第一噴頭及該第一支撐件之間的一區域； 一第一排氣部，該第一排氣部耦合至該第一地板，其中該第一噴頭及該第一排氣部經配置以提供一氣體幕，該氣體幕在使用期間從該第一噴頭流動至該腔室部件，繞著該腔室部件，且進入該第一排氣部；及 一第一加熱器，該第一加熱器設置於該第一支撐件及該第一地板之間的該第一內部容積中；及 其中該封閉體包括一門，該門經配置以促使該腔室部件傳送進入及離開該封閉體。
  2. 如請求項1所述之烘烤腔室，其中該封閉體進一步界定一第二腔室，該第二腔室流體獨立於該第一腔室，其中該第二腔室包括： 一第二腔室主體，該第二腔室主體具有一第二地板及第二側壁，該等第二側壁耦合該第二地板至該第二腔室主體的一第二蓋以界定一第二內部容積； 一第二支撐件，該第二支撐件設置於該第二內部容積中以用於支撐一第二腔室部件； 一第二氣體管線，該第二氣體管線設置於該第二內部容積中接近該第二蓋且經配置以供應一個或更多個處理氣體進入該第二內部容積； 一第二噴頭，該第二噴頭設置於該第二氣體管線及該第二支撐件之間，其中該第二噴頭包括複數個孔，該複數個孔經配置以從該第二氣體管線引導該一個或更多個處理氣體至該第二噴頭及該第二支撐件之間的一區域； 一第二排氣部，該第二排氣部耦合至該第二支撐件下方的該第二地板，其中該第二噴頭及該第二排氣部經配置以提供一氣體幕，該氣體幕在使用期間從該第二噴頭流動至該第二腔室部件，繞著該第二腔室部件，且進入該第二排氣部；及 一第二加熱器，該第二加熱器設置於該第二支撐件及該第二地板之間的該第二內部容積中，其中該封閉體的該門或一第二門經配置以促使該第二腔室部件傳送進入及離開該封閉體。
  3. 如請求項2所述之烘烤腔室，其中該第一腔室中的該第一氣體管線流體耦合至設置於該封閉體外部的一第一外部氣體管線，其中該第一外部氣體管線延伸穿過一氣體冷卻器及一第一氣體加熱器以選擇性地冷卻或加熱提供至該第一腔室的該一個或更多個處理氣體，且其中該第二腔室中的該第二氣體管線流體耦合至設置於該封閉體外部的一第二外部氣體管線，其中該第二外部氣體管線延伸穿過該氣體冷卻器及一第二氣體加熱器以選擇性地冷卻或加熱提供至該第二腔室的該一個或更多個處理氣體。
  4. 如請求項2所述之烘烤腔室，其中該第一腔室垂直設置於該第二腔室上方，且進一步包括設置於該第一腔室及該第二腔室之間的一分隔器板。
  5. 如請求項1至4之任一項所述之烘烤腔室，其中該腔室部件為經配置以維持一個或更多個基板的一承受器。
  6. 如請求項1至4之任一項所述之烘烤腔室，其中該第一氣體管線耦合至具有一直徑的一第一擴散器，該直徑小於該第一噴頭的一直徑。
  7. 如請求項1至4之任一項所述之烘烤腔室，其中該第一支撐件包括一軸件，該軸件耦合至一基座以用於支撐該腔室部件，其中該基座包括一中心開口，該中心開口耦合至該第一排氣部，且其中該軸件包括流體耦合至該第一排氣部的徑向開口。
  8. 如請求項7所述之烘烤腔室，其中該等徑向開口設置於該第一加熱器下方。
  9. 如請求項1至4之任一項所述之烘烤腔室，其中該第一腔室主體由一鎳鉻鐵合金製成。
  10. 一種用於處理一承受器的烘烤腔室，包括： 一封閉體，該封閉體界定一上腔室及一下腔室，其中該上腔室及該下腔室流體獨立且每一者包括： 一腔室主體，該腔室主體具有一地板及側壁，該等側壁耦合該地板至該腔室主體的一蓋以界定一內部容積； 一支撐件，該支撐件設置於該內部容積中，該支撐件具有一軸件，該軸件耦合至一基座以用於支撐一承受器，該承受器經配置以維持一個或更多個基板； 一擴散器，該擴散器設置於該內部容積中接近該蓋且經配置以供應一個或更多個處理氣體經由一氣體管線進入該內部容積； 一噴頭，該噴頭設置於該擴散器及該支撐件之間，其中該噴頭包括複數個孔，該複數個孔經配置以從該擴散器引導該一個或更多個處理氣體至該噴頭及該支撐件之間的一區域； 一排氣部，該排氣部耦合至該地板；及 一加熱器，該加熱器設置於該基座及該地板之間的該內部容積中；及 其中該封閉體包括一個或更多個門，該一個或更多個門經配置以促使該承受器傳送進入及離開該上腔室及該下腔室。
  11. 如請求項10所述之烘烤腔室，其中該基座包括一外唇部，該外唇部延伸向上且徑向向外。
  12. 如請求項10所述之烘烤腔室，其中該軸件包括耦合至該排氣部的徑向開口，且其中該等徑向開口設置於該加熱器及該地板之間。
  13. 如請求項10所述之烘烤腔室，其中該氣體管線流體耦合至一氣體加熱器及一氣體冷卻器以選擇性地加熱或冷卻設置於該氣體管線中的一個或更多個處理氣體。
  14. 如請求項10至13之任一項所述之烘烤腔室，其中該噴頭具有一矩形形狀且耦合至該腔室主體的側壁。
  15. 如請求項10至13之任一項所述之烘烤腔室，其中該噴頭中的該複數個孔沿著同心圓佈置，其中一最外同心圓設置於該基座徑向向外。
  16. 一種在一烘烤腔室中烘烤複數個承受器的方法，包括以下步驟： 將該複數個承受器之每一者放置於該烘烤腔室的一個別腔室的一內部容積中的一基座上，其中每一個別腔室流體獨立； 在每一個別腔室中經由設置於該基座下方的一加熱器來加熱該複數個承受器，以烘烤該複數個承受器； 流動一個或更多個處理氣體經由一氣體管線進入每一個別腔室的一頂部區域； 經由一噴頭引導該一個或更多個處理氣體的一流量朝向每一承受器且繞著每一承受器的一外側壁；及 將該一個或更多個處理氣體從每一個別腔室的一地板排氣。
  17. 如請求項16所述之方法，其中該複數個承受器被加熱至大於攝氏350度的一溫度。
  18. 如請求項16所述之方法，其中該一個或更多個處理氣體包括氮氣或氬氣。
  19. 如請求項16至18之任一者所述之方法，其中經由一傳送台車將該複數個承受器之每一者放置於該基座上，該傳送台車具有末端效應器，該等末端效應器延伸進入繞著該基座的該內部容積。
  20. 如請求項16至18之任一者所述之方法，進一步包括以下步驟：藉由在烘烤該複數個承受器之後流動冷卻氣體經由該氣體管線進入該內部容積，來冷卻每一個別腔室。
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