CN117043534A - 用于腔室部件清洁处理的高生产率及金属污染控制烤炉 - Google Patents

用于腔室部件清洁处理的高生产率及金属污染控制烤炉 Download PDF

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Abstract

本文提供用于烘烤腔室的方法及设备，该烘烤腔室用于处理腔室部件。在一些实施方式中，烘烤腔室包括：壳体，该壳体界定第一腔室，其中该第一腔室包括：第一腔室主体，该第一腔室主体具有第一地板及第一侧壁，这些第一侧壁耦接该第一地板至该第一腔室主体的第一盖以界定第一内部容积；第一支撑件，该第一支撑件设置于该第一内部容积中；第一气体管线，该第一气体管线设置于该第一内部容积中接近该第一盖；第一喷头，该第一喷头设置于该第一气体管线与该第一支撑件之间；第一排气部，该第一排气部耦接至该第一地板；及第一加热器，该第一加热器设置于该第一内部容积中且在该第一支撑件与该第一地板之间；及其中该壳体包括门，该门被配置为促使该腔室部件传送进入及离开该壳体。

Description

用于腔室部件清洁处理的高生产率及金属污染控制烤炉
技术领域
本揭示案的实施方式大体涉及半导体处理设施。
背景技术
承受器用于处理腔室中以支撑一个或更多个基板。处理腔室可为例如沉积腔室，例如物理气相沉积(PVD)腔室、化学气相沉积(CVD)腔室、原子层沉积(ALD)腔室等。在使用期间，承受器收集膜沉积物且可定期清洁以移除膜沉积物。一旦清洁了承受器，通常将它们放置在烤炉或烘烤腔室中，以移除湿气。然而，发明人已观察到，当加热到高温(例如，大于400摄氏度)时，烤炉的材料或烤炉的加热元件可能污染承受器。此外，用于烘烤承受器的传统烤炉通常将空气从烤炉的一侧流动到另一侧，以在清洁处理之后移除或减低湿气。发明人进一步观察到，当承受器被加热到高温时，这种流动布置可能导致承受器上的金属污染。
据此，发明人提供了用于处理承受器的改进的烘烤腔室和烘烤承受器的方法。
发明内容
本文提供用于处理承受器的烘烤腔室及其使用的实施方式。在一些实施方式中，用于处理腔室部件的烘烤腔室包括：壳体，该壳体界定第一腔室，其中该第一腔室包括：第一腔室主体，该第一腔室主体具有第一地板及第侧壁，这些第一侧壁将该第一地板耦接至该第一腔室主体的第一盖以界定第一内部容积；第一支撑件，该第一支撑件设置于该第一内部容积中以用于支撑腔室部件；第一气体管线，该第一气体管线设置于该第一内部容积中接近该第一盖且被配置为将一种或更多种处理气体供应到该第一内部容积中；第一喷头，该第一喷头设置于该第一气体管线与该第一支撑件之间，其中该第一喷头包括多个孔，该多个孔被配置为将来自该第一气体管线的该一种或更多种处理气体引导至该第一喷头与该第一支撑件之间的区域；第一排气部，该第一排气部耦接至该第一地板，其中该第一喷头及该第一排气部被配置为提供气幕，该气幕在使用期间从该第一喷头流动至该腔室部件，围绕该腔室部件，且进入该第一排气部；及第一加热器，该第一加热器设置于该第一内部容积中且在该第一支撑件与该第一地板之间；及其中该壳体包括门，该门被配置为促使该腔室部件传送进入及离开该壳体。
在一些实施方式中，用于处理承受器的烘烤腔室包括：壳体，该壳体界定上腔室及下腔室，其中该上腔室及该下腔室是流体独立的且每一者包括：腔室主体，该腔室主体具有地板及侧壁，这些侧壁耦接该地板至该腔室主体的盖以界定内部容积；支撑件，该支撑件设置于该内部容积中，该支撑件具有轴件，该轴件耦接至基座，该基座用于支撑承受器，该承受器被配置为保持一个或更多个基板；扩散器，该扩散器设置于该内部容积中接近该盖且被配置为经由气体管线将一种或更多种处理气体供应到该内部容积中；喷头，该喷头设置于该扩散器与该支撑件之间，其中该喷头包括多个孔，该多个孔被配置为将来自该扩散器的该一种或更多种处理气体引导至该喷头与该支撑件之间的区域；排气部，该排气部耦接至该地板；及加热器，该加热器设置于该内部容积中且在该基座与该地板之间；及其中该壳体包括门，该门被配置为促使该承受器传送进入及离开该壳体。
在一些实施方式中，在烘烤腔室中烘烤多个承受器的方法包括：将该多个承受器的每一者放置于该烘烤腔室的个别腔室的内部容积中的基座上，其中每个个别腔室是流体独立的；经由设置在每个个别腔室中的该基座下方的加热器来加热该多个承受器，以烘烤该多个承受器；经由气体管线将一种或更多种处理气体流入每个个别腔室的顶部区域；经由喷头朝向每一承受器且围绕每一承受器的外侧壁引导该一种或更多种处理气体的流动；及将该一种或更多种处理气体从每个个别腔室的地板排出。
下方描述本揭示案的其他及进一步的实施方式。
附图说明
可通过参考在附图中描绘的本揭示案的说明性实施方式来理解上文简要概述并在下文更详细讨论的本揭示案的实施方式。然而，附图仅图示了本揭示案的典型实施方式且因此不应被视为对范围的限制，因为本揭示案可允许其他等效的实施方式。
图1是根据本揭示案的至少一些实施方式的烘烤腔室的示意性等距视图。
图2是根据本揭示案的至少一些实施方式的烘烤腔室的示意性截面侧视图。
图3是根据本揭示案的至少一些实施方式的支撑件的截面侧视图。
图4是根据本揭示案的至少一些实施方式的气体输送部件的等距视图。
图5是根据本揭示案的至少一些实施方式的烘烤腔室和承受器传送系统的示意性俯视图。
图6是根据本揭示案的至少一些实施方式在烘烤腔室中烘烤多个承受器的方法的流程图。
为了便于理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记来表示各图共有的相同元件。附图不是按比例绘制且为了清楚起见可简化。一个实施方式的元件和特征可有益地并入其他实施方式中而无需进一步叙述。
具体实施方式
本文提供了用于处理腔室部件的烘烤腔室及其使用方法的实施方式。本文所述的烘烤腔室的实施方式有利地容纳一个或更多个腔室部件。例如，一个或更多个腔室部件可为多个腔室部件以经由批量烘烤来增加处理生产率。在一些实施方式中，一个或更多个腔室部件可为被配置为保持多个基板的承受器、承载板、处理配件等。对于一个或更多个腔室部件的每一者，烘烤腔室包括个别的封闭腔室，被配置为提供气幕，该气幕从个别的封闭腔室的上部分沿着腔室部件的上表面、围绕腔室部件的外表面延伸至个别的封闭腔室的下部分，从而有利地从腔室，尤其是腔室部件的上表面，移除任何不想要的颗粒。加热器通常设置在每个个别的封闭腔室中，使得气幕在加热元件之前撞击腔室部件。可经由设置在每个个别封闭腔室的下部分中的排气部将气幕的颗粒以及处理(例如，腔室部件的烘烤)期间产生的任何不想要的颗粒排出。
烘烤腔室可由金属或金属合金制成。加热器也可包括金属或金属合金。加热时，烘烤腔室和加热器可能释放颗粒，导致烘烤腔室内的金属污染。在一些实施方式中，烘烤腔室和加热器可由具有低水平的某些元素的金属合金制成，这些元素在高温下更容易污染烘烤腔室。作为说明性示例，烘烤腔室和加热器中的一者或更多者可由具有低水平的锰(Mn)的材料制成，例如，按成分小于百分之二的Mn。因此，本文提供的具有提供层流设计的气幕和材料选择的烘烤腔室有利地减轻在高温(例如，大于400摄氏度)和低真空水平(例如，小于1e^-2Torr)条件下在承受器上的潜在金属污染。
图1是根据本揭示案的至少一些实施方式的烘烤腔室的示意性等距视图。烘烤腔室100包括在其中界定一个或更多个腔室的壳体102。如图1中所展示，壳体102界定了上腔室110或第一腔室，及与上腔室110流体独立的下腔室120或第二腔室。在一些实施方式中，上腔室110垂直设置在下腔室120上方。在一些实施方式中，分隔器板106设置在上腔室110和下腔室120之间。壳体102可具有矩形、圆形、椭圆形、或其他合适的截面形状。壳体102通常可由适合高温烘烤的金属材料制成，例如，用于大于400摄氏度的温度。
上腔室110和下腔室120的每一者可在其中容纳一个或更多个腔室部件。壳体102通常包括门108，门108被配置为促使将腔室部件传送进入和离开壳体102。在其他实施方式中，烘烤腔室100可包括对应于多个流体独立腔室的每一者的多个门(例如，用于上腔室110的第一门和用于下腔室120的第二门)。门108可铰接地耦接到壳体102。上腔室110和下腔室120包括个别的排气部，这些排气部流体地耦接到设置在壳体102外部的排气管线112以抽空上腔室110和下腔室120。排气管线112可耦接到真空系统114，真空系统114包括泵和一个或更多个阀，被配置为调节排气管线112中的压力。
图2是根据本揭示案的至少一些实施方式的烘烤腔室100的示意性截面侧视图。在一些实施方式中，上腔室110和下腔室120具有相似的布局及设置在其中的相似或相同的部件。上腔室110(或第一腔室)包括腔室主体202a，腔室主体202a具有地板206a和耦接地板206a到腔室主体202a的盖208a的侧壁204a，以界定内部容积212a。下腔室120(或第二腔室)包括腔室主体202b，腔室主体202b具有地板206b和耦接地板206b到腔室主体202b的盖208b的侧壁204b，以界定内部容积212b。在一些实施方式中，腔室主体202a、202b与壳体102整体地形成。在一些实施方式中，腔室主体202a和腔室主体202b设置在由壳体102和分隔器板106形成的个别分隔室内。在一些实施方式中，腔室主体202a和腔室主体202b由镍铬铁合金制成，例如可从西弗吉尼亚州亨廷顿的亨廷顿合金(Huntington Alloys)公司商购的
支撑件214a设置在内部容积212a中以用于支撑腔室部件(例如，第一承受器210被配置为保持一个或更多个基板)。支撑件214b设置在内部容积212b中以用于支撑腔室部件(例如，第二承受器216被配置为保持一个或更多个基板)。支撑件214a和支撑件214b的每一者包括耦接到个别基座218a、218b的个别的轴件226a、226b。基座218a包括用于支撑第一承受器210的支撑表面和耦接到排气部224a的中心开口220a，排气部224a耦接到排气管线112。基座218b包括用于支撑第二承受器220的支撑表面和耦接到排气部224b的中心开口220b，排气部224b耦接到排气管线112。在一些实施方式中，基座218a、218b的外径小于第一承受器210和第二承受器216的外径。
加热器222a设置在内部容积212a中以在使用期间加热内部容积212a和第一承受器。在一些实施方式中，加热器222a设置在基座218a和地板206a之间。加热器222b设置在内部容积212b中以在使用期间加热内部容积212b和第二承受器。在一些实施方式中，加热器222b设置在基座218b和地板206b之间。在一些实施方式中，加热器222a、222b包括多个管状加热元件232a、232b，其具有在这些管状加热元件中设置的电阻加热元件。在一些实施方式中，多个管状加热元件232a、232b分别在侧壁204a、204b之间彼此平行地设置。在一些实施方式中，加热器222a、222b由与腔室主体202a、202b相同的材料制成。加热器222a、222b可耦接到一个或更多个热电偶以促进温度控制。
图3是根据本揭示案的至少一些实施方式的支撑件214a的截面侧视图。以下相关于上腔室110中的支撑件214a和第一承受器210的图3的描述适用于设置在下腔室120中的支撑件214b和第二承受器216。在一些实施方式中，基座218a包括外唇部306，外唇部306具有上表面308，上表面308从基座218a的支撑表面314向上并径向向外延伸，以对准或保持第一承受器210。在一些实施方式中，第一基座210安置在承载板312上或耦接到承载板312。可设置承载板312的尺寸以安置在外唇部306内的基座218a的支撑表面314上。
在一些实施方式中，第一承受器210包括中心开口316。在一些实施方式中，第一承受器210包括围绕第一承受器210的中心布置成圆形的多个周边开口318。在一些实施方式中，多个周边开口318围绕中心开口316设置。在一些实施方式中，多个销320可延伸穿过多个周边开口318且至少部分地延伸进入承载板312中的多个开口322，以相对于承载板312对准第一承受器210。承载板312可包括与第一承受器210的中心开口316对准的中心开口340，以提供穿过第一承受器210且穿过基座218a中的中心开口220a并进入排气部224a的气体流动路径。穿过中心开口316的气体流动路径促使在使用期间将接近第一承受器210上方的中心区域的湿气和污染物排出。
在一些实施方式中，轴件226a包括流体耦接到排气部224a的径向开口310。在一些实施方式中，轴件包括耦接到排气部224a的径向开口310，以从内部容积212a的下部分将流动引导到排气部224a。在一些实施方式中，径向开口310有利地设置在加热器222a和地板206a之间，使得设置在加热器222a上或接近加热器222a的任何污染物更容易经由排气部224a排出，而不会污染第一承受器210。
返回参考图2，在一些实施方式中，第一气体源230经由第一外部气体管线236将一种或更多种处理气体提供至上腔室110。第一质量流量控制器(MFC)232可设置在第一气体源230下游以测量和控制一种或更多种处理气体的流量。在一些实施方式中，第二气体源240经由第二外部气体管线246将一种或更多种处理气体提供至下腔室120。第二质量流量控制器(MFC)242可设置在第二气体源240下游以测量和控制至下腔室120的一种或更多种处理气体的流量。在一些实施方式中，第一气体源230和第二气体源240是相同的。在一些实施方式中，一种或更多种处理气体包括氮气、氩气等。第一外部气体管线236和第二外部气体管线246通常设置在壳体102的外部。
第一外部气体管线236可延伸进入第一气体加热器238和气体冷却器250，以选择性地加热或冷却向上腔室110输送的一种或更多种处理气体，从而在烘烤处理之前预热上腔室110或烘烤处理之后冷却上腔室110。在一些实施方式中，设置在第一气体源230下游的第一阀234促使将处理气体的流动转向到第一气体加热器238或气体冷却器250。例如，第一阀234可为三通阀或两个二通阀。在一些实施方式中，第一外部气体管线236包括设置在第一气体加热器238和气体冷却器250下游的第一入口阀235，以控制输送到上腔室110的一种或更多种处理气体的流量。上腔室110包括气体管线252a，气体管线252a设置在内部容积212a中接近盖208a且流体耦接到第一外部气体管线236以将一种或更多种处理气体从第一外部气体管线236供应到内部容积212a。
第二外部气体管线246可延伸进入第二气体加热器248和气体冷却器250，以选择性地加热或冷却向下腔室120输送的一种或更多种处理气体，从而在烘烤处理之前预热下腔室120或烘烤处理之后冷却下腔室120。在一些实施方式中，设置在第二气体源240下游的第二阀244促使将处理气体的流动转向到第二气体加热器248或气体冷却器250。例如，第二阀244可为三通阀或两个二通阀。在一些实施方式中，第二外部气体管线246包括设置在第二气体加热器248和气体冷却器250下游的第二入口阀245，以控制输送到下腔室120的一种或更多种处理气体的流量。下腔室120包括气体管线252b，气体管线252b设置在内部容积212b中接近盖208b且流体耦接到第二外部气体管线246以将一种或更多种处理气体从第二外部气体管线246供应到内部容积212b。
在一些实施方式中，第一气体加热器238和第二气体加热器248是分开的以独立控制第一外部气体管线236和第二外部气体管线246的温度。然而，在其他实施方式中，第一气体加热器238和第二气体加热器248可为相同的气体加热器。在一些实施方式中，第一外部气体管线236和第二外部气体管线246延伸进入单个气体冷却器(例如，气体冷却器250)。在其他实施方式中，第一外部气体管线236和第二外部气体管线246可延伸进入不同的气体冷却器以独立冷却第一外部气体管线236和第二外部气体管线246。在一些实施方式中，第一气体加热器238和第二气体加热器248被配置为将一种或更多种处理气体加热到高至约200摄氏度。在一些实施方式中，气体冷却器250被配置为将一种或更多种处理气体冷却至约40摄氏度至约-5摄氏度的温度。
在一些实施方式中，上腔室110中的气体管线252a耦接到扩散器254a。扩散器254a设置在上腔室110的内部容积212a中接近盖210a且被配置为将一种或更多种处理气体供应进入内部容积212a。在一些实施方式中，下腔室120中的气体管线252b耦接到扩散器254b。扩散器254b设置在下腔室120的内部容积212b中接近盖210b且被配置为将一种或更多种处理气体供应进入内部容积212b。
喷头248a设置在上腔室110中且在气体管线252a和支撑件214a之间。喷头248a包括多个孔244a，被配置为将来自气体管线252a的一种或更多种处理气体引导到在喷头248a和支撑件214a之间的区域。在一些实施方式中，喷头248b设置在下腔室120中且在气体管线252b和支撑件214b之间。喷头248b包括多个孔244b，被配置为将来自气体管线252b的一种或更多种处理气体引导到在喷头248b和支撑件214b之间的区域。在一些实施方式中，喷头248a、248b耦接到上腔室110和下腔室120的个别侧壁204a、204b。
在一些实施方式中，上腔室110的排气部224a耦接到地板206a且下腔室120的排气部224b耦接到地板206b。在使用期间，喷头248a、248b和排气部224a、224b被配置为提供个别的气幕228a、228b，气幕228a、228b从喷头248a、248b流到个别承受器(例如，第一承受器210和第二承受器216)，围绕承受器并进入排气部224a、224b。气幕228a、228b有利地减轻来自个别承受器的上表面的污染物。
图4是根据本揭示案的至少一些实施方式的气体输送部件400的等距视图。上腔室110的气体输送部件400包括气体管线252a、扩散器254a、和喷头248a。以下相关于上腔室110的气体输送部件400的图4的描述可适用于设置在下腔室120中的气体输送部件400。
在一些实施方式中，扩散器254a包括在与喷头248a相对的一侧上的一个或更多个开口404，且被配置为朝向盖208a喷洒一种或更多种处理气体，使得一种或更多种处理气体流过扩散器254a的外侧壁410。在一些实施方式中，一个或更多个开口404在面向喷头248a的一侧上且被配置为朝向喷头248a喷洒一种或更多种处理气体。在一些实施方式中，一个或更多个开口404包括位于扩散器254a中心的单个开口。在一些实施方式中，扩散器254a是具有圆形形状的实质平的板。在一些实施方式中，喷头248a具有矩形形状。在一些实施方式中，扩散器254a的直径小于喷头248a的宽度，使得一种或更多种处理气体流过扩散器254a的外侧壁410。
在一些实施方式中，喷头248a中的多个孔244a均匀分布。在一些实施方式中，多个孔244a沿着同心圆布置，其中最外同心圆408设置于基座218a的径向外侧。在一些实施方式中，最内同心圆412设置于扩散器254a的外侧壁410的径向内侧。
图5是根据本揭示案的至少一些实施方式的烘烤腔室100和承受器传送系统510的示意性俯视图。承受器传送系统510通常包括台车502，台车502具有终端受动器504，终端受动器504被配置为将承受器(例如，第一承受器210)保持并传送进入和离开烘烤腔室100。台车502可升高或降低以将终端受动器504与个别腔室垂直对准，个别腔室例如上腔室110和下腔室120。例如，图5描绘了与上腔室110对准的台车502。台车502可朝向或远离烘烤腔室100滚动或横向移动。
以下相关于上腔室110的描述可适用于下腔室120。终端受动器504以第一距离506间隔开。第一距离506大于基座218a的外径，使得当第一承受器210放置在基座218a上时，基座218a可在终端受动器504之间延伸。台车502的宽度508通常可小于上腔室110的内部容积212a的宽度512，使得台车可延伸进入内部容积212a。在一些实施方式中，终端受动器504可具有成角度的表面。
图6是根据本揭示案的至少一些实施方式在烘烤腔室中烘烤多个承受器的方法600的流程图。在602，方法600包括：将多个承受器(例如，第一承受器210和第二承受器216)的每一者放置到烘烤腔室(例如，烘烤腔室100)的个别腔室(例如上腔室110、下腔室120)的内部容积(例如，内部容积212a、212b)中的基座(例如，基座218a、218b)上，其中每个个别腔室是流体独立的。在一些实施方式中，经由具有延伸进入内部容积围绕基座的终端受动器(例如，终端受动器504)的传送台车(例如，台车502)将多个承受器的每一者放置在基座上。在一些实施方式中，放置多个承受器包括：将终端受动器504与第一腔室对准以将承受器放置在第一腔室中，升高或降低终端受动器504以将终端受动器504与第二腔室对准，以及将随后的承受器放置到第二腔室中。
在将多个承受器放置进入烘烤腔室之后，可例如通过关闭烘烤腔室的门(例如，门108)来密封烘烤腔室。在604，方法600包括：经由设置在每个个别腔室中的基座下方的加热器(例如，加热器222a、222b)来加热多个承受器以烘烤多个承受器。在一些实施方式中，多个承受器被加热到约300摄氏度至约550摄氏度的温度。
在606，方法600包括：经由气体管线(例如，气体管线252a、252b)将一种或更多种处理气体流入每个个别腔室的顶部区域中。在一些实施方式中，一种或更多种处理气体包括氮气或氩气。在一些实施方式中，一种或更多种处理气体经由气体加热器(例如，第一气体加热器238、第二气体加热器248)加热且流动进入每个个别腔室，以在经由设置在每个个别腔室中的基座下方的加热器来加热多个承受器之前预热每个个别腔室。在一些实施方式中，在预热期间将一种或更多种处理气体加热高至约100摄氏度至约200摄氏度。在一些实施方式中，一种或更多种处理气体在烘烤期间被加热到超过约100摄氏度。
在608，方法600包括：经由喷头(例如喷头248a、248b)朝向每一承受器并围绕每一承受器的外侧壁引导一种或更多种处理气体的流动。在610，方法600包括：从耦接到每个个别腔室的地板(例如地板206a、206b)的排气部(例如排气部224a、224b)将一种或更多种处理气体排出。
在烘烤之后，以类似于将多个承受器放置进入每个个别腔室的方式从每个个别腔室移除多个承受器。在一些实施方式中，在烘烤多个承受器之后，通过使冷却气体经过气体管线流动进入内部容积来冷却每个个别腔室。冷却气体有利地减低了烘烤腔室的冷却时间并增加了处理生产率。在一些实施方式中，气体冷却器(例如，气体冷却器250)被配置为将一种或更多种处理气体冷却至约40摄氏度至约-5摄氏度的温度以将冷却气体提供进入内部容积。
尽管前述内容针对本揭示案的实施方式，但可在不背离本揭示案的基本范围的情况下设计本揭示案的其他和进一步的实施方式。

Claims (20)

1.一种用于处理腔室部件的烘烤腔室，包括：
壳体，所述壳体界定第一腔室，其中所述第一腔室包括：
第一腔室主体，所述第一腔室主体具有第一地板及第一侧壁，所述第一侧壁耦接所述第一地板至所述第一腔室主体的第一盖以界定第一内部容积；
第一支撑件，所述第一支撑件设置于所述第一内部容积中以用于支撑腔室部件；
第一气体管线，所述第一气体管线设置于所述第一内部容积中接近所述第一盖且被配置为将一种或更多种处理气体供应到所述第一内部容积中；
第一喷头，所述第一喷头设置于所述第一气体管线与所述第一支撑件之间，其中所述第一喷头包括多个孔，所述多个孔被配置为将来自所述第一气体管线的所述一种或更多种处理气体引导至在所述第一喷头与所述第一支撑件之间的区域；
第一排气部，所述第一排气部耦接至所述第一地板，其中所述第一喷头及所述第一排气部被配置为提供气幕，所述气幕在使用期间从所述第一喷头流动至所述腔室部件，围绕所述腔室部件，且进入所述第一排气部；及
第一加热器，所述第一加热器设置于所述第一内部容积中且在所述第一支撑件与所述第一地板之间；及
其中所述壳体包括门，所述门被配置为促使所述腔室部件传送进入及离开所述壳体。
2.如权利要求1所述的烘烤腔室，其中所述壳体进一步界定第二腔室，所述第二腔室流体独立于所述第一腔室，其中所述第二腔室包括：
第二腔室主体，所述第二腔室主体具有第二地板及第二侧壁，所述第二侧壁耦接所述第二地板至所述第二腔室主体的第二盖以界定第二内部容积；
第二支撑件，所述第二支撑件设置于所述第二内部容积中以用于支撑第二腔室部件；
第二气体管线，所述第二气体管线设置于所述第二内部容积中接近所述第二盖且被配置为将一种或更多种处理气体供应到所述第二内部容积中；
第二喷头，所述第二喷头设置于所述第二气体管线与所述第二支撑件之间，其中所述第二喷头包括多个孔，所述多个孔被配置为将来自所述第二气体管线的所述一种或更多种处理气体引导至在所述第二喷头与所述第二支撑件之间的区域；
第二排气部，所述第二排气部耦接至所述第二支撑件下方的所述第二地板，其中所述第二喷头及所述第二排气部被配置为提供气幕，所述气幕在使用期间从所述第二喷头流动至所述第二腔室部件，围绕所述第二腔室部件，且进入所述第二排气部；及
第二加热器，所述第二加热器设置于所述第二内部容积中且在所述第二支撑件与所述第二地板之间，其中所述壳体的所述门或第二门被配置为促使所述第二腔室部件传送进入及离开所述壳体。
3.如权利要求2所述的烘烤腔室，其中所述第一腔室中的所述第一气体管线流体耦接至设置于所述壳体外部的第一外部气体管线，其中所述第一外部气体管线延伸穿过气体冷却器及第一气体加热器以选择性地冷却或加热向所述第一腔室提供的所述一种或更多种处理气体，且其中所述第二腔室中的所述第二气体管线流体耦接至设置于所述壳体外部的第二外部气体管线，其中所述第二外部气体管线延伸穿过所述气体冷却器及第二气体加热器以选择性地冷却或加热向所述第二腔室提供的所述一种或更多种处理气体。
4.如权利要求2所述的烘烤腔室，其中所述第一腔室垂直设置于所述第二腔室上方，且进一步包括设置于所述第一腔室与所述第二腔室之间的分隔器板。
5.如权利要求4所述的烘烤腔室，其中所述腔室部件为被配置为保持一个或更多个基板的承受器。
6.如权利要求1至5的任一项所述的烘烤腔室，其中所述第一支撑件包括第一轴件，所述第一轴件耦接至第一基座，所述第一基座用于支撑所述腔室部件，其中所述第一基座包括中心开口，所述中心开口耦接至所述第一排气部，且其中所述第一轴件包括流体耦接至所述第一排气部的径向开口。
7.如权利要求6所述的烘烤腔室，其中所述径向开口设置于所述第一加热器下方。
8.如权利要求6所述的烘烤腔室，其中所述第一基座具有外唇部，所述外唇部向上且径向向外延伸。
9.如权利要求6所述的烘烤腔室，其中所述第一喷头中的所述多个孔沿着同心圆布置，其中最外同心圆设置于所述第一基座的径向外侧。
10.如权利要求1至5的任一项所述的烘烤腔室，其中所述第一腔室主体由镍铬铁合金制成。
11.如权利要求1至5的任一项所述的烘烤腔室，其中所述第一喷头具有矩形形状且耦接至所述第一腔室主体的侧壁。
12.如权利要求2至5的任一项所述的烘烤腔室，包括：
其中所述第一腔室包括第一扩散器，所述第一扩散器设置在所述第一内部容积中且耦接至所述第一气体管线，并且其中所述第二腔室包括第二扩散器，所述第二扩散器设置在所述第二内部容积中且耦接至所述第二气体管线。
13.如权利要求12所述的烘烤腔室，其中所述第一扩散器的直径小于所述第一喷头的直径，并且其中所述第二扩散器的直径小于所述第二喷头的直径。
14.如权利要求12所述的烘烤腔室，其中所述第一支撑件包括第一轴件，所述第一轴件耦接至第一基座，所述第一基座用于支撑所述腔室部件，其中所述第一轴件包括径向开口，所述径向开口耦接至所述第一排气部，且其中所述径向开口设置在所述第一加热器与所述第一门之间。
15.如权利要求14所述的烘烤腔室，其中所述第一喷头中的所述多个孔沿着同心圆布置，其中最外同心圆设置于所述第一基座的径向外侧，且其中所述第二喷头中的所述多个孔沿着同心圆布置，其中最外同心圆设置于所述第二基座的径向外侧。
16.一种在烘烤腔室中烘烤多个承受器的方法，包括：
将所述多个承受器的每一者放置于所述烘烤腔室的个别腔室的内部容积中的基座上，其中每个个别腔室是流体独立的；
经由设置在每个个别腔室中的所述基座下方的加热器来加热所述多个承受器，以烘烤所述多个承受器；
经由气体管线将一种或更多种处理气体流入每个个别腔室的顶部区域中；
经由喷头朝向每一承受器且围绕每一承受器的外侧壁引导所述一种或更多种处理气体的流动；及
将所述一种或更多种处理气体从每个个别腔室的地板排出。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述多个承受器被加热至大于350摄氏度的温度。
18.如权利要求16所述的方法，其中所述一种或更多种处理气体包括氮气或氩气。
19.如权利要求16至18的任一项所述的方法，其中经由传送台车将所述多个承受器的每一者放置于所述基座上，所述传送台车具有终端受动器，所述终端受动器延伸进入所述内部容积且围绕所述基座。
20.如权利要求16至18的任一项所述的方法，进一步包括：在烘烤所述多个承受器之后通过经由所述气体管线将冷却气体流动进入所述内部容积，来冷却每个个别腔室。
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