CN105374711A - 基板加热装置和基板加热方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供基板加热装置，包括：多个加热模块，其包括对基板进行处理的处理容器；和与各加热模块共用的排气路径，该基板加热装置高精度控制各加热模块中的排气量。基板加热装置包括：多个加热模块，各自包括用于对上述处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口和对处理氛围进行排气的排气口；与各个排气口连接的单独排气路径；与各单独排气路径的下游端共同连接的共用排气路径；分支地设于各单独排气路径的、在处理容器的外部开口的分支路径；和排气量调节部，其调节从排气口侧排出到共用排气路径的排气量和从处理容器的外部经由分支路径取入到共用排气路径的取入量的流量比。由此抑制从各单独排气路径向共用排气路径的气体流量的变动。

Description

基板加热装置和基板加热方法
技术领域
本发明涉及对载置于加热板的基板进行加热的基板加热装置、基板加热方法和存储计算机程序的存储介质。
背景技术
在半导体器件的制造步骤中，包括利用加热装置对在表面涂敷有药液的作为基板的半导体晶片(以下记为“晶片”)进行加热处理的步骤。该加热处理为了除去从药液产生的升华物，有时一边将晶片载置于在处理容器内设置的加热板上一边对该处理容器内进行排气。例如在具有分层结构的半导体制造装置中，有时按各层设置那样的加热装置，在各层设置有各自包括上述处理容器的多个加热模块。而且，例如设置于相同的层的各处理容器经由具有风挡(damper)的排气管分别与共同的排气管道连接，该排气管道内以规定的排气量排气。
在上述加热模块中，为了实现提高晶片的面内的膜厚的均匀性和将升华物从处理容器内可靠地除去这两者，研究在一个晶片的处理中改变处理容器内的排气量。但是，在上述的加热装置中，当改变一个处理容器的排气量时，有时与该处理容器共有排气管道的其它的处理容器的排气量发生变动，在该其它的处理容器内上述的升华物的除去能力降低，膜厚的均匀性降低。
关于上述的处理容器的排气量的变动，说明排气管道与三个处理容器连接的情况的一个例子。在排气管道内以30L/分钟进行排气，各处理容器在与各处理容器连接的排气管的风挡打开的状态下例如以10L/分钟进行排气。从该状态开始与一个处理容器连接的排气管的风挡关闭，而该处理容器的排气量成为0L/分钟时，由于排气管道内以30L进行排气，所以在其它的两个处理容器中排气量上升至30/2＝15L/分钟。
在专利文献1中记载有在晶片的处理中改变对处理容器内供给的清洁气体的供给量的加热装置。另外，专利文献2中记载有液处理装置，其中，多个杯部经由具有风挡的排气管与共同的排气管道连接，各杯部的排气量分别被单独控制的。但是，这些装置并不能够解决上述的问题。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002-184682号公报
专利文献2：日本特开2010-45185号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
本发明是基于上述这样的情况而完成的，其目的在于提供一种包括具有对基板进行处理的处理容器的多个加热模块和与各加热模块共通的排气路径的基板加热装置，其高精度地控制各加热模块中的排气量。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的基板加热装置，其特征在于，包括：
多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口、和对上述处理氛围进行排气的排气口；
单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；
共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游端共同连接；
分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口；和
排气量调节部，其用于调节从上述排气口侧排出至上述共用排气路径的排气量和从上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比。
本发明的基板加热方法，其使用一种基板加热装置，该基板加热装置包括：
多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器、用于对该处理容器内的处理氛围取入清洁用的气体的供气口、和对上述处理氛围进行排气的排气口；
单独排气路径，其与上述多个加热模块各自的排气口连接；
共用排气路径，其与上述多个加热模块的各单独排气路径的下游端共同连接；和
分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口，
所述基板加热方法的特征在于，包括：
在所述加热板上载置基板的步骤；
利用排气量调节部调节从上述排气口侧排出至上述共用排气路径的排气量与从上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比，使得成为低排气状态的步骤，所述低排气状态是以低的排气量对上述处理氛围内进行排气的状态；和
在该步骤后，利用排气量调节部调节流量比，使得成为高排气状态的步骤，所述高排气状态是以比上述低的排气量多的排气量对上述处理氛围内进行排气的状态。
本发明的存储介质是存储有对载置于加热板的基板进行加热处理的基板加热装置中所用的计算机程序的存储介质，其特征在于，上述程序为了实施上述基板加热方法而组成步骤。
发明的效果
根据本发明，包括：与多个加热模块的各单独排气路径连接的共用排气路径；分支路径，其分支地设置于上述各单独排气路径，在上述处理容器的外部开口；和排气量调节部，其用于调节从对处理容器内进行排气的排气口排到共用排气路径的排气量与从上述处理容器的外部经由上述分支路径取入到上述共用排气路径的取入量的流量比。由此，来自各加热模块的上述排气口的排气量能够改变，且能够抑制因该改变而导致的从单独排气路径向共用排气路径的排气量的变动。因而，能够高精度地控制各加热模块的处理容器内的排气量。结果是，能够抑制通过加热处理而形成于基板的涂敷膜的面内均匀性降低，且能够防止处理容器内被从上述涂敷膜产生的升华物污染。
附图说明
图1是本发明的实施方式的加热装置的整体构成图。
图2是构成上述加热装置的加热模块的纵截面侧视图。
图3是表示上述加热模块的风挡的状态的示意图。
图4是表示上述风挡的状态的示意图。
图5是表示加热模块中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系的图表。
图6是表示加热装置中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系的图表。
图7是表示上述晶片的处理中的规定的时刻中的风挡的状态的示意图。
图8是表示加热模块中切换上述风挡的时刻和晶片的温度的关系的图表。
图9是表示加热模块的其它构成例的纵截面侧视图。
图10是表示风挡的其它构成的说明图。
图11是表示风挡的其它构成的说明图。
图12是表示评价试验的结果的图表。
附图标记说明
1加热装置
11排气管道
12控制部
2A～2C加热模块
20处理容器
21加热板
30排气管
32排气口
33供气口
34分支管
35风挡
具体实施方式
参照图1的概略构成图，对本发明的实施方式的晶片W的加热装置1进行说明。该加热装置1对在该加热装置1的外部在表面涂敷有药液的晶片W进行加热。在该例中，晶片W的直径为300mm。另外，作为上述药液包含分子量比较低的聚合物(低分子聚合物)和交联剂，例如通过加热至250℃而产生上述聚合物的交联反应，形成以碳为主要成分的被称为SOC膜的有机膜。该有机膜中的碳的含有率例如为90％以上。另外，在该有机膜上在由加热装置1进行的加热处理后，在加热装置1的外部依次叠层包含被称为SOG膜的氧化硅的膜、抗蚀剂膜。通过干式蚀刻形成于上述抗蚀剂膜的图案依次被转印到下层的膜。即，该有机膜构成为以碳为主要成分，成为用于对该有机膜的下层的膜进行蚀刻的图案掩模。
返回到加热装置1的说明，该加热装置1包括分别对上述晶片W加热的加热模块2A～2C、排气管道11和控制部12。排气管道11设置成在横向上延伸，其下游侧与设置有加热装置1的工厂的排气路径连接。在该排气管道11的延伸方向的相互不同的部位连接有成为各个构成加热模块2A～2C的单独排气路径的排气管30的下游端。即，排气管道11构成对加热模块2A～2C的共用排气路径。排气管道11内以规定的排气量总进行排气，为了防止从加热模块2A～2C流入的升华物的凝结，而利用加热器(不图示)进行加热。
加热模块2A～2C相互同样地构成，能够各自独立地对晶片W进行加热处理。作为加热模块2A～2C中的代表，对图2表示其纵截侧面的加热模块2A进行说明。图中21是水平的圆形的加热板，具有加热器22，将载置于加热板21的表面的晶片W加热。图中23是包围并支承加热板21的底面和侧面的底板(base)，形成为有底的筒状。图中24是成为底板23的上端的凸缘。图中25是在上下方向上贯通加热板21和底板23的升降销，在未图示的搬运机构与加热板21之间进行晶片W的交接。
在该凸缘24的外周设置有立起的圆筒状的阻隔件26，阻隔件26的上端在底板23和加热板21的上方向外侧扩展形成凸缘27。阻隔件26的下端向内侧形成环28。环28与底板23的凸缘24重叠，防止在阻隔件26与底板23之间气体泄露。图中29是升降机构，使阻隔件26相对于加热板21升降。阻隔件26在晶片W的处理时位于图2所示的位置，在晶片W对于加热板21的交接时从图2所示的位置下降，以不妨碍该交接。
在阻隔件26的上方，以覆盖该阻隔件26和加热板21的方式与该加热板21相对地设置有圆形的盖体31，由该盖体31、底板23、阻隔件26构成处理晶片W的处理容器20，处理容器20内构成为晶片W的处理氛围。在盖体31的顶壁部，以与载置于加热板21上的晶片W的中心部相对的方式形成排气口32。这样在晶片W的上方形成排气口32是因为能够在对处理容器20内进行排气时抑制压力损失，能够以大的流量进行上述排气。对于上述有机膜，由于升华物的产生量较多，因此如上述方式采用能够增大排气量的构成是有利的。另外，盖体31与阻隔件26的凸缘27之间的间隙构成沿着加热板21的周向设置的排气口33，该排气口33形成在晶片W的整周。图中用H1表示的供气口33的上下的宽度例如为0.5mm～1mm。另外，图中用H2表示的从加热板21的表面至盖体31的背面的高度例如为30mm。
盖体31与上述排气管30的一端连接，以使得能够经由上述排气口32对处理容器20内进行排气。排气管30的另一端如上述方式与排气管道11连接，如已述的那样排气管道11内被排气，所以处理容器20内的处理氛围向该排气管道11排气。这样，通过将处理容器20内排气，经由供气口33以与处理容器20内的排气量相应的流量，从该处理容器20的外侧向处理容器20内取入气体例如空气。而且，该空气从晶片W的周缘部向中心部沿晶片W的径向流动，对处理氛围进行清洁，并流入排气口32而被排气。
另外，排气管30分支而形成成为分支路径径的分支管34，该分支管34的另一端在处理容器20的外部的大气氛围(空气氛围)开口。而且，在分支管34设置有成为排气量调节部的、可自由开闭的风挡35(参照图1)。图3表示加热模块2A的上表面，示意地表示对上述风挡35打开的状态，用箭头表示该状态的加热模块2A的气体的流动。对该气体的流动具体进行说明时，通过排气管道11内的排气，空气从上述大气氛围经由分支管34和排气管30流入该排气管道11内。因而，从分支管34向排气管30流动的空气的流量和从处理容器20内排气的空气的流量的总和，成为从排气管30向排气管道11流动的空气的流量。因此，例如空气从排气管30向排气管道11内以10L/分钟流入，设分支管34的空气的流量为aL/分钟时，处理容器20内的排气量为(10-a)L/分钟，由于a>0，所以处理容器20内的排气量比10L/分钟低。
从图3所示的状态起风挡35的开度降低时，从分支管34向排气管30流动的空气的流量a降低，但是以对该a的降低量进行补偿的方式从处理容器20的外部经由供气口33向处理容器20内供给，向排气管30流入的空气的流量变多。即，处理容器20内的排气量增大。这样，风挡35调节从处理容器20的排气口32排到排气管道11的排气量与从分支管34取入到排气管道11的取入量的流量比。图4与图3同样示意地表示将风挡35关闭的状态，在风挡35关闭时分支管34的空气的流量a＝0，所以处理容器20内的排气量为(10-0)＝10L/分钟。从该图4所示的状态再次打开风挡35时，由于a的值上升，所以处理容器20内的排气量再次降低。
通过以上述方式开闭风挡35，来切换处理容器20内的排气量。之后，有时将如图3所示风挡35打开而处理容器20内的排气量变低的状态记为低排气或者低排气状态，将如图4所示风挡35关闭而处理容器20内的排气量变高的状态记为高排气或者高排气状态。如上所述在加热模块2A中，采用从分支管34的端部和处理容器20的供气口33分别向排气管道11供给空气的结构，因此即使通过分支管34的风挡35的开闭来切换处理容器20的高排气和低排气，也能够抑制从排气管30向排气管道11的空气的流量变动。这样，由于能够抑制向排气管道11的空气流量的变动，所以能够抑制从加热模块2B、2C的各排气管30向排气管道11的排气量的变动，因而能够抑制这些加热模块2B、2C的各处理容器20内的排气量的变动。同样，即使在加热模块2B、2C中分别切换高排气和低排气，也能够抑制其它的加热模块的处理容器20内的排气量的变动。
但是，根据后述的评价试验，当处理容器20内为低排气时优选处理容器20内的排气量在0.16L/分钟以下。由于使排气量为如上所述十分低的值，所以构成为抑制分支管34的压力损失，来自该分支管34的空气的流量变多。配管的压力损失与配管的内径的大小成反比，且与配管的管道的长度成正比，所以分支管34中的配管的管道的长度/配管的内径(＝A)的值，与排气管30中的配管的管道的长度/配管的内径的值(＝B)相比充分小，例如A/B为1/25以下。
接着，对作为图1所示的计算机的控制部12进行说明。控制部12中安装有例如存储于软盘、光盘、硬盘、MO(光磁盘)和存储卡等存储介质中的程序。安装的程序编入有命令(各步骤)，以使得对加热装置1的各部发送控制信号来控制其动作。具体而言，利用上述程序控制对于各加热模块2A～2C的风挡35的开闭、对加热器22的供电的控制、阻隔件26和升降销25的升降等的各动作。
在加热模块2A～2C中，在晶片W的加热处理中切换已述的处理容器20内的低排气状态和高排气状态，说明进行该切换的理由。以在背景技术的项目中说明的方式加热晶片W时，从晶片W表面的药液的涂敷膜产生升华物。该升华物附着于晶片W、处理容器20内凝结成为颗粒。从将该升华物从处理容器20内除去，防止因上述颗粒而导致的污染的观点出发，优选以高排气进行排气。
但是，从晶片W的处理开始至处理结束为止，以高排气进行处理时，排气口32的下方即晶片W的中心部的膜厚大于周缘部的膜厚。这是因为，在上述的交联反应发生前的涂敷膜具有粘性低、因暴露于处理容器20内的气流中而其膜厚降低的性质，在高排气状态下从晶片W的周缘部向中心部流动的空气，在到达晶片W的中心部前向排气口32即上方被吸引。即，是因为晶片W的中心部难以暴露于气流中而发生的。
产生上述交联反应而涂敷膜的粘性变高，该涂敷膜固化，由此，涂敷膜的膜厚不易受到上述气流的影响。另外，晶片W的温度变高，所以剩余的低分子聚合物、交联剂升华，容易从涂敷膜产生升华物，但当晶片W的温度低时不产生升华物。因而，从晶片W的处理开始规定的时间使得成为低排气来抑制晶片W的面内的膜厚分布的均匀性的降低，在经过了上述规定的时间后使得成为高排气来除去升华物是有效的。
图5的图表表示在对晶片W进行加热处理中如上述方式切换排气时的风挡35的开闭的时刻，图表的纵轴表示晶片W的温度(单位：℃)，图表的横轴表示处理时间。加热模块2A～2C均按照该时序图进行处理。作为代表对加热模块2A的处理进行说明时，首先，例如在将形成有上述涂敷膜的晶片W搬入处理容器20前，如图3所示，打开风挡35对处理容器20内进行低排气，以0.16L/分钟以下的排气量进行排气。而且，上述晶片W例如在被加热至450℃的加热板21上被交接至升降销25，该升降销25下降而晶片W被载置于加热板21上(时刻T0)。由于处理容器20内为低排气，所以从处理容器20的外部流到处理容器20内的气流从晶片W的周缘部流向中心部，从该中心部向上方的排气口32流动而被排气。即，晶片W的中心部和周缘部都暴露于气流中，并且晶片W升温。
而且，晶片W的温度达到在上述涂敷膜开始交联反应的温度(交联温度)即250度，涂敷膜开始固化。晶片W的温度进一步上升而进行上述交联反应，涂敷膜的固化进行，并且来自涂敷膜的升华物的产生量增大。而且，成为从时刻T0经过了规定时间的时刻T1时，如图4所示，将风挡35关闭，处理容器20内成为高排气。时刻T0～时刻T1间例如为10秒。因成为高排气而从涂敷膜产生的升华物，快速从排气口32排气而被从处理容器20内除去，晶片W进一步升温达到450℃。然后，利用升降销25将晶片W从加热板21举起，而该晶片W的温度下降，并且打开风挡35(时刻T2)，处理容器20内成为低排气。然后，晶片W由搬运机构从处理容器20搬出。
接着，对加热装置1整体的动作的一个例子进行说明。例如以加热模块2A、2B、2C的顺序反复将晶片W搬运到该加热装置1。而且，从搬运有晶片W的加热模块开始加热处理，在该加热处理中如图5的图表中说明的方式切换风挡35的开闭。对于2A～2C之中晶片W的加热处理结束了的加热模块，在处理结束的晶片W的搬出后，搬运后续的晶片W。图6是与图5同样表示在如上述方式进行处理时的各加热模块2A～2C的风挡35的开闭的切换时刻和各加热模块2A～2C的晶片W的温度的图表。在图6的图表中，为了按模块区别装置的动作，对于加热模块2A、2B、2C将从图5中作为T1所示的风挡35打开的状态切换为关闭的状态的时刻各自表示为时刻TA1、TB1、TC1，对于加热模块2A、2B、2C将从图5中作为T2所示的风挡35打开的状态切换为关闭的状态的时刻各自表示为时刻TA2、TB2、TC2。
如上所述，以加热模块2A、2B、2C的顺序搬运晶片W(第一个晶片W)开始处理，因此以时刻TA1、TB1、TC1的顺序经过时间，在这些各时刻对加热模块2A、2B、2C进行从低排气向高排气的切换。在图7中，与图3、图4同样示意地表示在经过上述时刻TB1后，至时刻TC1为止的各加热模块2A～2C的风挡35的状态，在加热模块2A、2B中风挡35被关闭，而处理容器20内成为高排气，在加热模块2C中风挡35被打开，而处理容器20内成为低排气。
在经过上述时刻TC1将加热模块2C切换为高排气后，以加热模块2A、2B、2C的顺序结束第一个晶片W的加热处理，该晶片W被从处理容器20搬出，所以以TA2、TB2、TC2的顺序经过时间，在这些各时刻将加热模块2A～2C的风挡35打开，进行从高排气向低排气的切换。在各加热模块2A、2B、2C中，在第一个晶片W被搬出之后，马上将第二个晶片W搬入，在对该第二个晶片W进行处理中将风挡35关闭。即，经过第二次的时刻TA1、TB1、TC1，在这些各时刻对加热模块2A、2B、2C进行从低排气向高排气的切换。在该例子中，第二次的时刻TA1例如设定在上述时刻TB2与时刻TC2之间。
搬运至各加热模块2A～2C的第二个晶片W也在与第一个晶片W相同地处理结束之后，从处理容器20搬出，在各加热模块中当处理结束时从高排气向低排气进行切换。即，虽然在图6中未图示，但是依次经过第二次的时刻TA2、TB2、TC2。对于后续的晶片W也以加热模块2A、2B、2C的顺序搬运而接受加热处理，在加热处理结束之后从处理容器20搬出。
如上所述对加热模块2A～2C分别搬运晶片W，在各加热模块2A～2C中分别进行加热处理，因此能够以分别单独地进行低排气和高排气的切换的方式进行各风挡35的开闭的切换。而且，在2A～2C之中的一个加热模块中切换风挡35的开闭时，如在图3、图4中说明的那样，由于将从该一个加热模块的排气管30向排气管道11内的空气的流量保持为一定，所以能够抑制从其它的加热模块的排气管30向排气管道11内的空气的流量产生变动，结果是能够防止其它的加热模块中处理容器20内的排气量产生变动。
根据上述的加热装置1，共有排气管道11的加热模块2A、2B、2C各自包括：一边利用从周围取入的空气对晶片W的处理氛围进行清洁，一边对该晶片W进行加热处理的处理容器20；将排气管道11和各处理容器20连接的排气管30；从排气管30分支且其一端向大气开放的分支管34；和开闭分支管34的管路的风挡35。在这样的构成中，开闭上述风挡35，控制从分支管34向排气管道11的空气的取入量，由此能够控制处理容器20的排气量且能够抑制从排气管30向排气管道11的空气流量的变动。因而，即使改变2A～2C之中的一个加热模块中的处理容器20的排气量，也能够防止因该改变而其它的加热模块的处理容器20的排气量发生变动。其结果是，当使处理容器20内各自为低排气状态、高排气状态时，能够高精度地控制各状态下的排气量。因而，能够抑制在晶片W的面内膜厚分布降低，和抑制升华物残留在处理容器20内而从该升华物产生的颗粒附着在晶片W、处理容器20上。另外，对于设置有风挡35的分支管34，不需要为了防止升华物的凝结而成为高温，所以能够防止该风挡35的因热导致的劣化。
在上述的处理例中，将晶片W载置在加热板21，当经过预先设定的时间时关闭风挡35，进行从低排气向高排气的切换。这样，替代基于时间控制风挡35，例如采用在处理容器20设置辐射温度计而能够测定晶片W的温度的结构，控制风挡35以使得在所测定的晶片W的温度达到预先设定的温度之后关闭风挡35。
但是，在上述的处理例中，低排气和高排气瞬时切换，但是，该切换也可以逐渐进行。图8的图表与图5同样表示风挡35的开闭时刻和晶片W的温度的关系，表示控制风挡35以使得逐渐进行从低排气向高排气的切换的例子。对于图9的图表所示的处理，以与图5的图表中所说明的处理的不同点为中心进行说明时，使处理容器20为低排气而在时刻T0将晶片W载置在加热板21后，例如在晶片W的温度成为作为上述的交联温度的250℃的时刻T11，开始风挡35的开度的改变，逐渐减小其开度。然后，逐渐减小从分支管34向排气管30的空气的流入量，并且逐渐增大处理容器20的排气量。而且，在时刻T12将风挡35关闭，而分支管34的空气的流量成为0并且处理容器20成为高排气。时刻T11、T12之间优选为5秒以上，在该例子中为10秒。时刻T0、T11之间例如为5秒。
如上所述逐渐关闭风挡35是因为存在如下问题：当急剧关闭风挡35时空气不从大气气氛急剧地流向分支管34的风挡35的下游侧，由此该下游侧的压力变低，因该压力降低导致从处理容器20流到排气管30的升华物不流向排气管道11而流入该分支管34内发生凝结。即，通过逐渐关闭风挡35，防止这样的分支管34中的升华物的凝结，能够防止再次打开风挡35而空气在分支管34流通时，从这样凝结的升华物产生的颗粒向处理容器20飞散。
图9表示加热模块2A的变形例。在该图9的加热模块2A的盖体31的下表面以在载置于加热板21的晶片W的外侧开口的方式设置有供气口41。供气口41例如沿着上述晶片W的周向设置有多个，经由管道42与作为清洁用的气体的空气的供给源43连接。另外，在管道42设置有加热部44，对流过管道42的空气进行加热。通过加热部44的加热从供气口41供给的空气的温度例如在40℃以上。
在图9的加热模块2A中，以图5的图表所示的方式进行处理的情况下，例如在时刻T1关闭风挡35，使处理容器20内为高排气并且对各供气口41开始供给由加热部44加热的空气。通过该空气的供给，能够可靠地使来自排气口32的排气量为高的状态，因而能够有效并更可靠地除去升华物。然后，例如在时刻T2打开风挡35而使处理容器20内为低排气，并停止上述空气的供给。
由于在利用上述加热部44加热的状态下从供气口41供给空气，能够利用该空气防止升华物冷却而凝结。但是，在晶片W的处理中处理容器20的温度因加热板21而上升，因此可以采用如下结构：以从供给源43供给到盖体31的空气在从供气口41排出至处理氛围为止被上述加热板21的热加热的方式，在该盖体31形成空气的流路，而没有设置加热部44。另外，供气口41不限于设置于盖体21，例如也可以设置在加热板21的晶片W的载置区域的外侧。另外，作为处理容器20的外气，不限于对处理容器20内供给空气，可以供给氮气等惰性气体。该处理容器20的外气包含从供给口43取入的气体和从供给源43供给的气体。
图10、图11表示风挡35的其它的构成例。在该例子中，风挡35设置在排气管30中与分支管34连接的连接部。而且，利用风挡35在该连接部处，将处理容器20内相互切换为低排气状态和高排气状态，代替相互切换空气能够从分支管34的下游端向该排气管30流通的状态和流通被阻挡的状态。即，风挡35不设置在分支管34，可以如上述方式设置在排气管30。
作为上述的加热装置1，例如也能够用于对涂敷有用于形成抗蚀剂膜的下层的反射防止膜的药液的晶片W进行加热的情况。形成该反射防止膜的药液也包含低分子的聚合物和交联剂，在比交联温度低的温度下膜厚容易受到气流的影响，所以如上述方式切换低排气和高排气来进行加热处理是有效的。另外，加热装置1不限于用于涂敷有产生了这样的交联反应的药液的晶片W的处理。例如也能够用于对涂敷有不进行上述交联反应的抗蚀剂液的晶片W进行加热处理。由于上述抗蚀剂液的温度低、包含较多溶剂，所以该抗蚀剂液的粘性低时，由抗蚀剂液形成的抗蚀剂膜容易因气流而受到膜厚的影响。因此，与上述的有机膜、反射防止膜的处理同样，至膜发生固化并且升华物的产生量变得比较多的温度为止以低排气进行加热处理，之后以高排气进行加热处理是有效的。另外，在上述的各加热模块2A～2C的处理中，在低排气时晶片W的膜厚分布的均匀性不降低即可，因此处理容器20内的排气量可以为0L/分钟。即，在低排气时可以不进行排气。
(评价试验)
接着，对与本发明关联地进行的评价试验进行说明。在该评价试验中，使用在上述的实施方式中说明的加热模块，对涂敷有已述的用于形成有机膜的药液的直径300mm的晶片W进行了加热处理。该加热处理对各晶片W改变处理容器20内的排气量而进行。作为评价试验1-1～1-5，与上述实施方式的处理不同，从晶片W的处理开始至处理结束为止使处理容器20的排气量为一定来进行加热处理，在评价试验1-1、1-2、1-3、1-4、1-5中，分别使上述排气量为15L/分钟、0L/分钟、0.3L/分钟、0.5L/分钟、1L/分钟。另外，作为评价试验1-6，如实施方式中说明的那样在晶片W的处理中进行了从低排气向高排气的切换。
对于在评价试验1-1～1-6中处理过的晶片W，测定面内的多个部位的膜厚，测定膜厚的平均值、3西格玛区间(sigma)、范围(range)、中心部范围、改善率。上述范围是在晶片W取得的膜厚的最大值与最小值的差，中心部范围是从晶片W的中心的膜厚与从中心离开规定的距离的一个膜厚的差。改善率是以评价试验1-1的中心部范围为基准时的其它的评价试验中所取得的中心部范围的改善率，(评价试验1-1的中心部范围-其它的评价试验中所取得的中心部范围)/(评价试验1-1的中心部范围)×100(单位：％)。
下述的表1表示评价试验1-1～1-6的测定结果。另外，图表表示从评价试验1-1～1-5得到的中心部范围和改善率。图表的横轴表示处理容器20的排气量，纵轴表示中心部范围和改善率。将测定结果绘图于图表中，并且基于该测定结果得到的近似曲线表示于图表中。如表1所示在评价试验1-1～1-6中平均膜厚大致相等。而且，评价试验1-6与评价试验1-1～1-5相比3西格玛区间、范围、中心部范围均低，改善率高。因而，如上述的实施方式所示，确认了通过切换低排气和高排气来进行处理，对于晶片W的膜厚的面内分布能够提高均匀性。另外，作为上述的改善率设为50％以下在实际应用上有效。从图12的图表的近似曲线可知，改善率在50％时，排气量为0.16L/分钟，排气量越降低改善率越变高。因而，在上述的实施方式中，使处理容器20内为低排气时的排气量设为0.16L/分钟以下是有效的。
表1

Claims (15)

1.一种基板加热装置，其特征在于，包括：
多个加热模块，其各自包括在内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器、用于将清洁用的气体取入到该处理容器内的处理氛围中的供气口、和对所述处理氛围进行排气的排气口；
单独排气路径，其与所述多个加热模块各自的排气口连接；
共用排气路径，所述多个加热模块的各单独排气路径的下游端公共地连接在共用排气路径上；
分支路径，其分支地设置于所述各单独排气路径，在所述处理容器的外部开口；和
排气量调节部，其用于调节从所述排气口侧排出到所述共用排气路径的排气量与从所述处理容器的外部经由所述分支路径取入到所述共用排气路径的取入量的流量比。
2.如权利要求1所述的基板加热装置，其特征在于：
所述排气口与所述加热板的基板载置区域的中央部相对地设置在所述处理容器的顶壁部，
所述供气口沿着加热板的周向设置，以使得从所述基板载置区域的周缘侧将清洁用的气体取入到处理氛围中。
3.如权利要求1或2所述的基板加热装置，其特征在于，包括：
控制部，其输出用于调节所述排气量调节部的流量比率的控制信号，来选择以低的排气量对所述处理氛围内进行排气的低排气状态和以比所述低的排气量多的排气量对所述处理氛围内进行排气的高排气状态。
4.如权利要求3所述的基板加热装置，其特征在于，包括：
所述控制部调节所述排气量调节部，以使得在所述基板被载置在加热板后，至经过预先设定的时间为止或者至基板的温度成为预先设定的温度为止设为低排气状态，之后设为高排气状态。
5.如权利要求3或4所述的基板加热装置，其特征在于，包括：
所述控制部控制所述排气量调节部，以使得在所述基板被载置在加热板后，至经过包括由于涂敷于基板的涂敷液的粘性低若设为高的排气状态则膜厚的面内均匀性变差的时间段的时间为止设为低排气状态，之后为了将来自涂敷膜的升华物排出而设为高排气状态。
6.如权利要求3～5所述的基板加热装置，其特征在于，包括：
所述控制部输出控制信号，以使得通过逐渐改变所述排气量调节部的流量比，来进行从所述低排气状态向高排气状态的切换。
7.如权利要求1～6中任一项所述的基板加热装置，其特征在于：
所述低排气状态中的排气量为0.16升/分钟以下。
8.如权利要求1～7中任一项所述的基板加热装置，其特征在于：
所述供气口包括用于将清洁气体供给到处理容器内的气体供给路径的排出口。
9.如权利要求8所述的基板加热装置，其特征在于：
所述供气口还包括取入作为所述处理容器外的清洁用的气体的外部气体的取入口。
10.如权利要求8或9所述的基板加热装置，其特征在于：
在所述气体供给路径设置有对清洁气体进行加热的气体加热部。
11.如权利要求1～10任一项所述的基板加热装置，其特征在于：
载置于所述加热板的基板的表面的涂敷膜为以碳为主要成分的膜。
12.一种基板加热方法，其特征在于：
使用基板加热装置，其包括：
多个加热模块，其各自包括内部配置有用于载置基板并对该基板进行加热处理的加热板的处理容器；用于将清洁用的气体取入到该处理容器内的处理氛围中的供气口；和对所述处理氛围进行排气的排气口；
单独排气路径，其与所述多个加热模块各自的排气口连接；
共用排气路径，所述多个加热模块的各单独排气路径的下游端公共地连接在共用排气路径使；和
分支路径，其分支地设置于所述各单独排气路径，在所述处理容器的外部开口，
所述基板加热方法包括：
在所述加热板上载置基板的步骤；
利用排气量调节部调节从所述排气口侧排出到所述共用排气路径的排气量与从所述处理容器的外部经由所述分支路径取入到所述共用排气路径的取入量的流量比，使得成为低排气状态的步骤，所述低排气状态是以低的排气量对所述处理氛围内进行排气的状态；和
在该步骤后，利用排气量调节部调节流量比，使得成为高排气状态的步骤，所述高排气状态是以比所述低的排气量多的排气量对所述处理氛围内进行排气的状态。
13.如权利要求12所述的基板加热装置，其特征在于，包括：
所述使得成为低排气状态的步骤，是在所述基板被载置在加热板后，至经过包括由于涂敷于基板的涂敷液的粘性低若设为高的排气状态则膜厚的面内均匀性变差的时间段的时间为止进行的，
所述使得成为高排气状态的步骤是为了将来自涂敷膜的升华物排出而进行的。
14.如权利要求12或13所述的基板加热装置，其特征在于：
通过逐渐改变所述排气量调节部的流量比，来进行从所述低排气状态向高排气状态的切换。
15.如权利要求12～14所述的基板加热装置，其特征在于，包括：
利用加热部对清洁用的气体进行加热后经由供气口将其取入到处理氛围中。
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