TW202245037A - 矽晶圓的洗淨方法及附有自然氧化膜的矽晶圓的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明為一種矽晶圓的洗淨方法，其包括：第1洗淨步驟，其將矽晶圓藉由氫氟酸來洗淨；第2洗淨步驟，其將藉由前述氫氟酸來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨；第3洗淨步驟，其將藉由前述臭氧水來洗淨後的前述矽晶圓藉由SC1洗淨液來洗淨；及第4洗淨步驟，其將藉由前述SC1洗淨液來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨。藉此，提供一種矽晶圓的洗淨方法，其能夠一面將顆粒品質保持良好，一面將矽晶圓上的自然氧化膜的膜厚再現性良好且精度高地控制在既定範圍內。

Description

矽晶圓的洗淨方法及附有自然氧化膜的矽晶圓的製造方法
本發明是有關一種矽晶圓的洗淨方法及附有自然氧化膜的矽晶圓的製造方法。
半導體元件用的單晶矽晶圓的製造步驟中，會在研磨步驟中對其主表面進行精加工。並且，為了將在研磨步驟中附著在矽晶圓表面的研磨劑及金屬雜質去除，而有洗淨步驟。在此洗淨步驟中，已使用稱為RCA洗淨的洗淨方法。所謂此RCA洗淨，是指一種洗淨方法，其因應目的來將下述洗淨組合進行：SC1(Standard Cleaning 1，標準洗淨1)洗淨、SC2(Standard Cleaning 2，標準洗淨2)洗淨、DHF(Diluted Hydrofluoric Acid，稀氫氟酸)洗淨。
SC1洗淨為一種洗淨方法，其是以任意比例來將氨水與過氧化氫水混合，並藉由以鹼性的洗淨液來進行的矽晶圓表面的蝕刻來使附著顆粒舉離(lift-off)，並且利用矽晶圓與顆粒的靜電排斥，來一面抑制再附著在矽晶圓，一面將顆粒去除。SC2洗淨為一種洗淨方法，其是以將鹽酸與過氧化氫水以任意比例來混合而成的洗淨液，來將矽晶圓表面的金屬雜質溶解去除。此外，DHF洗淨為一種洗淨方法，其是藉由稀氫氟酸來將矽晶圓表面的自然氧化膜去除。並且，有時也使用具有強氧化力的臭氧水洗淨，且正進行附著在矽晶圓表面的有機物的去除、和於DHF洗淨後的矽晶圓表面形成自然氧化膜。洗淨後的矽晶圓的顆粒品質很重要，而正因應目的來將此等洗淨組合進行。
於半導體矽晶圓的表面，會形成MOS(Metal Oxide Semiconductor，金屬氧化物半導體)電容器和電晶體等半導體元件。形成於此等半導體元件的閘極氧化膜等絕緣膜是在高電場強度下使用，而這樣的絕緣膜經常使用較簡便形成的氧化矽膜。
絕緣性高的緊密的氧化矽膜是使矽晶圓熱氧化來製作，但一般而言從顆粒附著等的觀點來看，於出貨時的矽晶圓會有因洗淨而形成的自然氧化膜存在。因此，熱氧化經常是對形成有自然氧化膜的矽晶圓進行處理。已知：此時，熱氧化膜的厚度會對熱氧化前的自然氧化膜的膜質(膜厚和結構)造成影響。 [先前技術文獻] (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2019-207923號公報 專利文獻2：日本特開2012-129409號公報
[發明所欲解決的問題] 近年來，隨著半導體積體電路的微細化、多層化，而對於包含用以構成元件的絕緣膜的各種膜，正要求再更加薄膜化。因此薄膜化，而必須在基板的面內或基板間均勻且再現性良好地形成極薄的絕緣膜、也就是氧化矽膜。因此，尋求控制會對氧化矽膜的品質造成影響的矽晶圓出貨時的自然氧化膜的膜質、特別是膜厚。一般而言，如果自然氧化膜厚，則熱氧化膜的厚度也會變厚。當欲使熱氧化膜變薄時，自然氧化膜也宜較薄，當欲使熱氧化膜變厚時，自然氧化膜也宜較厚。因此，近年來特別是正在尋求將自然氧化膜的厚度再現性良好且精度高地控制在既定範圍內。
專利文獻1中記載有一種洗淨方法，其對未藉由氫氟酸來洗淨(也只標記為「DHF洗淨」、「HF洗淨」)的矽晶圓進行SC1洗淨後，以具有氧化力的洗淨液(臭氧水或過氧化氫水)來洗淨，而使自然氧化膜厚度變厚。然而，專利文獻1中，由於未進行DHF洗淨，故有時未被SC1洗淨去除的顆粒會殘留在晶圓表面而顆粒品質惡化。此外，實施例中所記載的全部自然氧化膜的膜厚為1.0 nm，而難謂已能夠將自然氧化膜的膜厚控制在既定範圍內。
專利文獻2中記載有一種洗淨方法，其在SC1洗淨後，將未被SC1洗淨去除的顆粒以HF洗淨來去除，然後進行臭氧水洗淨，而抑制顆粒的再附著，且降低晶圓的表面粗糙度。然而，由於對裸面進行臭氧水洗淨，而使氧化急遽地進行，故雖能夠再現性良好地形成厚度均勻的氧化膜，但由於急遽的氧化反應，故難以使自然氧化膜的厚度在既定範圍內變化來控制。
本發明是為了解決上述問題而完成，目的在於提供一種矽晶圓的洗淨方法，其能夠一面將顆粒品質保持良好，一面將矽晶圓上的自然氧化膜的膜厚再現性良好且精度高地控制在既定範圍內。 [解決問題的技術手段]
本發明是為了達成上述目的而完成，提供一種矽晶圓的洗淨方法，其包括：第1洗淨步驟，其將矽晶圓藉由氫氟酸來洗淨；第2洗淨步驟，其將藉由前述氫氟酸來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨；第3洗淨步驟，其將藉由前述臭氧水來洗淨後的前述矽晶圓藉由SC1洗淨液來洗淨；及第4洗淨步驟，其將藉由前述SC1洗淨液來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨。
如果為這樣的矽晶圓的洗淨方法，則進行藉由氫氟酸的洗淨(HF洗淨)及SC1洗淨雙方，即能夠使顆粒品質良好。此外，會成為一種洗淨方法，其進行第4洗淨步驟，即也能夠將自然氧化膜厚度再現性良好且精度高地控制在既定範圍內。
此時，能夠設為一種矽晶圓的洗淨方法，其調整前述第4洗淨步驟的洗淨時間，來控制形成於前述矽晶圓的表面的前述自然氧化膜的厚度。
藉此，能夠簡便、再現性更良好且精度更高地控制形成於矽晶圓的表面的自然氧化膜的厚度。
此時，能夠設為一種矽晶圓的洗淨方法，其預先求出將形成有自然氧化膜的矽晶圓藉由臭氧水來洗淨的時間與將前述形成有自然氧化膜的矽晶圓藉由臭氧水來洗淨而增加的自然氧化膜厚度之間的相關關係後，依照該相關關係來設定前述第4洗淨步驟的洗淨時間。
使用這樣的相關關係，即能夠更簡便地設定洗淨時間。
此時，能夠設為一種矽晶圓的洗淨方法，其依照前述相關關係，以成為與在前述第2洗淨步驟中形成於前述矽晶圓的表面的前述自然氧化膜的厚度同等的自然氧化膜厚度的方式設定前述第4洗淨步驟的洗淨時間。
藉此，能夠將因藉由SC1洗淨來進行的蝕刻而已變薄的自然氧化膜厚設為與SC1洗淨前同等的厚度。
此時，能夠設為一種矽晶圓的洗淨方法，其在前述第3洗淨步驟後且前述第4洗淨步驟前包括：SC2洗淨步驟，其藉由SC2洗淨液來將前述矽晶圓洗淨。
藉此，能夠將矽晶圓表面的金屬雜質溶解去除，而使矽晶圓的品質更良好。
此時，能夠設為一種附有自然氧化膜的矽晶圓的製造方法，其藉由上述矽晶圓的洗淨方法來製造附有自然氧化膜的矽晶圓。
藉此，能夠顆粒品質高、再現性良好且精度高地控制自然氧化膜厚度，來製造附有自然氧化膜的矽晶圓。 [功效]
如上所述，如果藉由本發明的矽晶圓的洗淨方法，則進行HF洗淨及SC1洗淨雙方，即能夠使顆粒品質良好。此外，會成為一種洗淨方法，其進行第4洗淨步驟，即能夠再現性良好且精度高地控制自然氧化膜厚度。結果，能夠獲得一種矽晶圓，其當形成熱氧化膜時，能夠容易精度高地進行熱氧化膜的膜厚的控制。
以下詳細說明本發明，但本發明並不受此等所限定。
如上所述，先前一直尋求一種矽晶圓的洗淨方法，其能夠一面將顆粒品質保持良好，一面將矽晶圓上的自然氧化膜的膜厚再現性良好且精度高地控制在期望的範圍內。
本發明人等為了解決上述所欲解決的問題，而針對進行用以提高顆粒品質的HF洗淨後的矽晶圓，致力進行研究是否能夠使自然氧化膜的膜厚在既定範圍內變動來精度高地控制。
結果，本發明人等發現下述事實而完成本發明：一種矽晶圓的洗淨方法，其包括：第1洗淨步驟，其將矽晶圓藉由氫氟酸來洗淨；第2洗淨步驟，其將藉由前述氫氟酸來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨；第3洗淨步驟，其將藉由前述臭氧水來洗淨後的前述矽晶圓藉由SC1洗淨液來洗淨；及第4洗淨步驟，其將藉由前述SC1洗淨液來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨；藉由該矽晶圓的洗淨方法，而會成為一種洗淨方法，其進行HF洗淨及SC1洗淨雙方，即能夠使顆粒品質良好，此外，進行第4洗淨步驟，即也能夠再現性良好且精度高地控制自然氧化膜厚度。
以下參照圖式來說明。
[矽晶圓的洗淨方法] 第1圖為顯示本發明的矽晶圓的洗淨方法的一例的流程圖。在本發明中洗淨的矽晶圓無特別限定，可舉例如：研磨後的矽晶圓、外延晶圓、SOI(絕緣層上覆矽)晶圓等。特別是能夠合適地應用於將研磨後的矽晶圓等洗淨，該矽晶圓附著有研磨時所使用的研磨粒等。
(第1洗淨步驟) 首先，像第1圖的S1這樣，將矽晶圓藉由氫氟酸來洗淨(HF洗淨)。較佳是：所使用的氫氟酸的HF的濃度設為0.3～3.0重量％，溫度設為10～30℃，洗淨時間設為60～360秒。藉此，能夠將例如下述物與自然氧化膜一起去除：在研磨步驟中殘留的研磨粒、與自然氧化膜強力黏結在一起的顆粒和自然氧化膜中的金屬。如果不實施此第1洗淨步驟(S1)，則後述第3洗淨步驟(S3)中的SC1洗淨的負載增加，而像例如與自然氧化膜強力密合的顆粒這樣的不容易被SC1洗淨去除的顆粒會殘留。以下也有時將「第1洗淨步驟」只稱為「S1」。
(第2洗淨步驟) 其次，像S2這樣，藉由臭氧水來進行洗淨。較佳是：所使用臭氧水的臭氧濃度設為3～25 ppm，溫度設為10～30℃，洗淨時間設為60～360秒。S1的HF洗淨後，矽晶圓表面成為疏水面，而會成為顆粒容易附著的狀態。於是，藉由臭氧水洗淨來在短時間內於矽晶圓表面形成自然氧化膜而設為親水面，即也能夠抑制顆粒的再附著。以下也有時將「第2洗淨步驟」只稱為「S2」。
再者，難以改變S2的步驟的臭氧水洗淨的時間來使自然氧化膜厚度在期望的範圍內變動。當於表面有氧化膜存在時，由於矽的氧化在矽與氧化膜之間的界面進行，故氧化物種必須在氧化膜中擴散，而相較於裸面(露出的矽面)的氧化的情形，氧化的進行更緩慢。相對地，當為裸面時，由於氧化膜不存在，故氧化會急遽地進行。從再現性的觀點來看，控制急遽的反應欠缺實用性。為了降低反應性，而也能夠降低臭氧水濃度，但此時氧化反應不會在面內均勻產生，而氧化膜的面內不均增加。本發明人等進行研究後，結果發現：難以對裸面進行臭氧水洗淨來使氧化膜厚度在既定範圍內變動。因此，如後所述在S1洗淨(S3)後再次藉由臭氧水來洗淨(S4)，即能夠再現性良好且精度高地控制自然氧化膜的膜厚。
(第3洗淨步驟) 其次，像S3這樣，藉由SC1洗淨液來進行洗淨。較佳是：SC1洗淨液的混合比(體積比)例如氨水(28重量％)：過氧化氫水(30重量％)：水設為1：1：10，溫度設為30～80℃，洗淨時間設為90～360秒。再者，宜在顆粒品質能夠充分確保的範圍內減少SC1的蝕刻量。以下也有時將「第3洗淨步驟」只稱為「S3」。
(SC2洗淨步驟) 此外，也能夠在S3的SC1洗淨後且後述S4的臭氧水洗淨前，藉由SC2洗淨液來進行洗淨。雖金屬雜質會被SC1的HF洗淨去除某種程度，但對於進一步降低金屬污染濃度而言SC2洗淨較有效，而能夠因應需要來進行。
(第4洗淨步驟) 其次，像S4這樣，將在S3中藉由SC1洗淨液來洗淨、較佳是進一步進行SC2洗淨後的矽晶圓藉由臭氧水來洗淨。藉由此臭氧水洗淨，而自然氧化膜的膜厚增加。以下也有時將「第4洗淨步驟」只稱為「S4」。在S4的臭氧水洗淨中，於矽晶圓的表面已形成自然氧化膜。因此，相較於以臭氧水洗淨來使裸露的表面氧化的情形，氧化的進行更緩慢，而能夠再現性良好且精度高地控制自然氧化膜的膜厚。
S4的臭氧水洗淨中，較佳是：特別調整洗淨時間來調整形成於矽晶圓的表面的自然氧化膜厚度。其原因為：洗淨時間的調整最簡便且控制性及精度高。此時，濃度及溫度能夠設為與S2同等。
第2圖中顯示洗淨條件(洗淨步驟)與所形成的自然氧化膜的厚度之間的關係。顯示下述各個矽晶圓的自然氧化膜厚度：S1、S2洗淨後(S1→S2)的矽晶圓；S1、S2、S3洗淨後(S1→S2→S3)的矽晶圓；S1、S2、S3、S4洗淨後(S1→S2→S3→S4)且實施臭氧水洗淨3分鐘、12分鐘、30分鐘後的矽晶圓。可知：S1→S2中所形成的氧化膜進行S3的SC1洗淨而膜厚變薄。其原因為：在用以使顆粒品質良好的SC1洗淨(S3)中對自然氧化膜進行蝕刻。可知：然後進行S4洗淨而自然氧化膜的膜厚變厚，而且自然氧化膜的膜厚視臭氧水洗淨的洗淨時間而定，如果洗淨時間變長，則自然氧化膜厚度變厚。因此可知：調整S4的洗淨時間，而能夠使因S3的SC1洗淨而已變薄的自然氧化膜在既定範圍內變厚。
也較佳是：預先準備複數片像S1、S2、S3洗淨後的矽晶圓這樣形成有自然氧化膜的矽晶圓，改變S4的臭氧水洗淨的時間來洗淨，並調查求出洗淨時間與因臭氧水洗淨而增加的自然氧化膜厚之間的相關關係後，依照此相關關係來設定會成為目標厚度的S4的洗淨時間。使用這樣的相關關係，即能夠更簡便地設定洗淨時間。
並且，也能夠依照相關關係，以成為與在S2的第2洗淨步驟中所形成的自然氧化膜的厚度同等的自然氧化膜厚度的方式設定第4洗淨步驟的洗淨時間。藉此，能夠將因藉由SC1洗淨(S3)來進行的蝕刻而已變薄的自然氧化膜厚設為與SC1洗淨前同等的厚度。
第3圖是顯示使用與第2圖中顯示的矽晶圓相同水平的晶圓以目標厚度5.1 nm來熱氧化後的氧化膜厚。在各水平間進行比較時可知：自然氧化膜最薄的S1、S2、S3洗淨水平的晶圓的熱氧化膜的厚度也變最薄，將自然氧化膜最厚的S1、S2、S3、S4洗淨水平之中的S4中的臭氧水洗淨時間設為30分鐘的水平的晶圓的熱氧化膜的厚度也變最厚。此外，由第3圖可知，當將例如目標的熱氧化膜厚度設為5.09 nm時，將S4的臭氧洗淨時間設定為3分鐘即能夠達成。此外，如果為了使例如氧化膜的電特性更良好，而將S4的洗淨時間設為12分鐘，即能夠設為與S1、S2洗淨水平的晶圓同等的自然氧化膜厚度(第2圖)，結果，也能夠設為與S1、S2洗淨水平的晶圓同等的熱氧化膜厚度(第3圖)。如上所述，使用本發明的洗淨方法，即能夠將自然氧化膜的厚度精度良好地控制在既定範圍內。
[附有自然氧化膜的矽晶圓的製造方法] 藉由如上所述的本發明的矽晶圓的洗淨方法，即能夠製造一種附有自然氧化膜的矽晶圓，其具有期望的自然氧化膜厚度，且形成有顆粒水平低而良質的自然氧化膜。 [實施例]
以下列舉實施例及比較例來具體說明本發明，但其並非用以限定本發明。
(實施例) 準備研磨後的矽晶圓。對準備的矽晶圓進行HF洗淨(S1)，然後進行臭氧水洗淨(S2)，進一步進行SC1洗淨(S3)後，最後進行臭氧水洗淨(S4)(實施例1、3、5、7)。此外，也準備在S3的SC1洗淨後進行SC2洗淨後再進行S4的臭氧水洗淨的水平(實施例2、4、6、8)。
S1的HF洗淨是設為：HF濃度為0.5重量％，洗淨時間為3分鐘。S2的臭氧洗淨是設為：臭氧濃度為20 ppm，洗淨時間為3分鐘。S3的SC1洗淨是設為：氨水(28重量％)：過氧化氫水(30重量％)：水為1：1：10，液溫為70℃，洗淨溫度為3分鐘。SC2洗淨是設為：鹽酸：過氧化氫：水為1：1：100的混合液，洗淨時間為3分鐘。S4的臭氧洗淨是設為：臭氧濃度為20 ppm，洗淨時間為3、6、12、30分鐘。以KLA製顆粒計數器SP5的19 nm以上的粒徑來評估洗淨後的晶圓表面的顆粒品質，並以J.A.Woollam公司製分光橢圓偏光儀M-2000V來評估自然氧化膜厚度。
表1中表示實施例中的晶圓的洗淨條件、自然氧化膜厚度、顆粒個數。
[表1]
Figure 02_image001
首先比較SC2的有無的影響時，由實施例1與2、實施例3與4、實施例5與6、實施例7與8進行對比明顯可知，顆粒品質與自然氧化膜的品質(自然氧化膜厚度)同等。因此，SC2洗淨不會對顆粒品質、自然氧化膜的品質造成影響，由此可知當欲更加降低矽晶圓表面的金屬濃度時能夠進行SC2洗淨。
關於顆粒品質，偵測到的顆粒個數成為15～23 pcs，與不進行後述HF洗淨的水平(比較例1)的72 pcs進行比較時為良好。我們認為：進行S1的HF洗淨及S3的SC1洗淨雙方，而顆粒品質良好。可知：自然氧化膜是S4的臭氧洗淨時間越長則變越厚，而能夠以S4的臭氧洗淨時間來精度高地控制自然氧化膜厚度。
此外，由將S4的臭氧水洗淨的時間從3分鐘(實施例1、2)設為12分鐘(實施例5、6)所造成的自然氧化膜的厚膜化量是：由實施例1、5得知為1.199－1.128＝0.072 nm，由實施例2、6得知為1.203－1.129＝0.074 nm。
(比較例1) 比較例1中，準備與實施例相同的研磨後的矽晶圓並進行SC1及SC2洗淨後，進行臭氧水洗淨。SC1、SC2在與實施例相同條件下，臭氧水洗淨設為與實施例的S2相同條件的濃度20 ppm且3分鐘。與實施例同樣地，以顆粒計數器來評估洗淨後的晶圓的顆粒品質，並以分光橢圓偏光儀來評估自然氧化膜厚度。
表2中表示比較例中的晶圓的洗淨條件、自然氧化膜厚度、顆粒個數。
[表2]
Figure 02_image003
像表2表示的這樣，比較例1中的顆粒品質為72 pcs而較實施例1～8更多。其原因為：比較例1中只進行SC1洗淨而不進行HF洗淨。自然氧化膜厚度與實施例1、2同等。其原因為：臭氧水洗淨時間與實施例1、2的S4相同。
(比較例2、3) 比較例2、3中，對準備的矽晶圓進行HF洗淨(S1)，然後進行臭氧水洗淨(S2)3分鐘(比較例2)及12分鐘(比較例3)，並進一步進行SC1洗淨(S3)及SC2洗淨。HF洗淨、SC1洗淨、SC2洗淨為與實施例相同條件。結果，像表2表示的這樣，所得的自然氧化膜的顆粒品質與實施例同等。另一方面，自然氧化膜厚度是：在將S2的臭氧洗淨時間設為3分鐘的比較例2中成為1.022 nm，在設為12分鐘的比較例3中成為1.034 nm，而厚膜化量(1.034－1.022＝0.012 nm)與上述實施例1、5及實施例2、6中所得的厚膜化量(0.072 nm、0.074 nm)相比非常小。因此，在像比較例2、3這樣的方法中，無法適當控制自然氧化膜厚度。
(比較例4、5) 比較例4、5中，對矽晶圓進行SC1洗淨後，進行HF洗淨，並進行臭氧水洗淨3分鐘(比較例4)及12分鐘(比較例5)。SC1洗淨及HF洗淨為與實施例相同條件。像表2表示的這樣，顆粒品質是：在比較例4中成為25 pcs，在比較例5中成為21 pcs，而與實施例同等。另一方面，自然氧化膜厚度是：在將臭氧洗淨時間設為3分鐘的比較例4中成為1.201 nm，在設為12分鐘的比較例5中成為1.213 nm，厚膜化量(1.213－1.201＝0.012 nm)與上述實施例1、5及實施例2、6中所得的厚膜化量(0.072 nm、0.074 nm)相比非常小。因此，在像比較例4、5這樣的方法中，無法適當控制自然氧化膜厚度。
如上所述，根據本發明的實施例，可知：能夠一面提高顆粒的品質，一面再現性高且精度高地控制自然氧化膜厚度。
再者，本發明並不受上述實施形態所限定。上述實施形態只是例示，只要具有與本發明的申請專利範圍中所記載的技術思想實質上相同的構成且產生相同的作用效果，無論是何種，都包含在本發明的技術範圍內。
第1圖為顯示本發明的矽晶圓的洗淨方法的一例的流程圖。 第2圖是顯示形成於矽晶圓表面的自然氧化膜厚度的由洗淨條件所造成的差異。 第3圖是顯示藉由熱氧化膜來形成的熱氧化膜厚度的由洗淨條件所造成的差異。
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Claims (6)

  1. 一種矽晶圓的洗淨方法，其特徵在於包括： 第1洗淨步驟，其將矽晶圓藉由氫氟酸來洗淨； 第2洗淨步驟，其將藉由前述氫氟酸來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨； 第3洗淨步驟，其將藉由前述臭氧水來洗淨後的前述矽晶圓藉由SC1洗淨液來洗淨；及 第4洗淨步驟，其將藉由前述SC1洗淨液來洗淨後的前述矽晶圓藉由臭氧水來洗淨。
  2. 如請求項1所述的矽晶圓的洗淨方法，其調整前述第4洗淨步驟的洗淨時間，來控制形成於前述矽晶圓的表面的前述自然氧化膜的厚度。
  3. 如請求項2所述的矽晶圓的洗淨方法，其預先求出將形成有自然氧化膜的矽晶圓藉由臭氧水來洗淨的時間與將前述形成有自然氧化膜的矽晶圓藉由臭氧水來洗淨而增加的自然氧化膜厚度之間的相關關係後，依照該相關關係來設定前述第4洗淨步驟的洗淨時間。
  4. 如請求項3所述的矽晶圓的洗淨方法，其依照前述相關關係，以成為與在前述第2洗淨步驟中形成於前述矽晶圓的表面的前述自然氧化膜的厚度同等的自然氧化膜厚度的方式設定前述第4洗淨步驟的洗淨時間。
  5. 如請求項1至4中任一項所述的矽晶圓的洗淨方法，其在前述第3洗淨步驟後且前述第4洗淨步驟前包括：SC2洗淨步驟，其藉由SC2洗淨液來將前述矽晶圓洗淨。
  6. 一種附有自然氧化膜的矽晶圓的製造方法，其特徵在於： 藉由請求項1至5中任一項所述的矽晶圓的洗淨方法來製造附有自然氧化膜的矽晶圓。
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