CN112233967B - 一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法 - Google Patents
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Abstract
一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。涉及一种芯片背面减薄后的去应力清洗工艺,尤其涉及一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。提供了一种提高背面金属与Si之间的结合力的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。本发明主要改进了硅腐蚀液的配方,常温下,硅单质在纯HF中的腐蚀速率很小,可忽略为不反应,但是如果加入HNO3,腐蚀速率会大大增加,其中HNO3作为氧化剂氧化了单质Si。利用硝酸的强氧化性,先将Si氧化为SiO2,再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供H+来源,使腐蚀速率能够保持稳定。本发明具有加工简便,提升背面结合力等特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种芯片背面减薄后的去应力清洗工艺,尤其涉及一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。
背景技术
在功率器件芯片制造中,芯片完成正面工艺流程后,将通过背面减薄的方式,来降低芯片厚度,以使芯片能够装入封装体中。晶圆在减薄后需淀积背面金属来作为电极,从而在封装的时候,可以从背面金属上接出引线。晶圆减薄后存在内部应力和Si表面损伤层,需通过去应力清洗工艺来达到去除芯片内应力,减少翘曲度和去除Si表面损伤层的目的。
目前晶圆背面工艺流程为正面贴膜—背面减薄—背面去应力腐蚀—背面金属蒸发前清洗—正面揭膜—背面金属淀积。现有的去应力腐蚀工艺中,使用硅腐蚀液(药剂配比HNO3:HF:CH3COOH:H2O 6:1:2:1)处理后晶圆背面表面光亮,SEM(电子显微镜)下观察表面较为平坦,背面金属和Si之间的结合力较差,在客户端经常出现背面金属和衬底Si之间脱落现象,客户投诉较多。
发明内容
本发明针对以上问题,提供了一种提高背面金属与Si之间的结合力的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法。
本发明的技术方案是:包括以下步骤:
1)、将硅片的正面贴膜;
2)、背面研磨至设定尺寸;
3)、清洗;
3.1)硅腐蚀液配比;
将浓度为70%的HNO3、浓度为49%的HF和浓度为96%的H2SO4混合制备而成硅腐蚀液;
3.2)将经过步骤2)的硅片依次放入特氟龙片架上;
3.3)将承载硅片的特氟龙片架放入硅腐蚀液中;
3.4)冲水、甩干。
步骤3.3)硅片放入硅腐蚀液中时间为2min。
步骤3.3)硅片放入硅腐蚀液中时,每隔1min-2min抖动特氟龙片架。
HNO3:HF:H2SO4 的体积比为1:2:(10~20)。
HNO3:HF:H2SO4 的体积比为1:2:15。
步骤3.1)所述硅腐蚀液温度保持在24摄氏度。
Si单质本身不和HF发生反应,HNO3作为氧化剂,业界内一般利用CH3COOH作为缓冲剂控制腐蚀速率,不同的化学品配比和不同工艺温度控制均会对腐蚀形貌产生影响。
本发明主要改进了硅腐蚀液的配方,常温下,硅单质在纯HF中的腐蚀速率很小,可忽略为不反应,但是如果加入HNO3,腐蚀速率会大大增加,其中HNO3作为氧化剂氧化了单质Si。利用硝酸的强氧化性,先将Si氧化为SiO2,再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供 H+ 来源,使腐蚀速率能够保持稳定。本发明具有加工简便,提升背面结合力等特点。
附图说明
图1是采用第一种配比硅腐蚀液在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况的照片,
图2是采用第二种配比硅腐蚀液在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况的照片,
图3是采用第三种配比硅腐蚀液在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况的照片,
图4是采用第四种配比硅腐蚀液在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况的照片,
图5是采用第五种配比硅腐蚀液在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况的照片,
图6是采用第六种配比硅腐蚀液在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况的照片,
图7是电子显微镜下腐蚀后背面Si表面照片一,
图8是电子显微镜下腐蚀后背面Si表面照片二,
图9是电子显微镜下腐蚀后背面Si表面照片三,
图10是电子显微镜下腐蚀后背面Si表面照片四。
具体实施方式
本发明如图1-10所示,本发明一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法,包括以下步骤:
1)、将硅片的正面贴膜;贴膜的目的是保护已加工完成的正面;
2)、背面研磨至设定尺寸;研磨工艺与现有技术相同;
3)、清洗;
3.1)硅腐蚀液配比;
将浓度为70%的HNO3、浓度为49%的HF和浓度为96%的H2SO4混合制备而成硅腐蚀液;
化学反应原理:
常温下,硅单质在纯HF中的腐蚀速率很小,可忽略为不反应,但是如果加入HNO3,腐蚀速率会大大增加,其中HNO3作为氧化剂氧化了单质Si。利用硝酸的强氧化性,先将Si氧化为SiO2,再由HF将二氧化硅去除。缓冲剂提供 H+ 来源,使腐蚀速率能够保持稳定。
Si+4HNO3→ SiO2+2H2O+4NO2
SiO2+6HF → H2SiF6+2H2O
H2SO4作为缓冲剂提供H+,使反应能持续进行下去,维持稳定的腐蚀速率。
3.2)将经过步骤2)的硅片依次放入特氟龙片架上;
3.3)将承载硅片的特氟龙片架放入硅腐蚀液中;
3.4)冲水、甩干。甩干后,揭开硅片正面的膜,硅片背面进入后续的蒸发、制作电极等加工工艺。
步骤3.3)硅片放入硅腐蚀液中时间为2min,硅背面呈磨砂状。
步骤3.3)硅片放入硅腐蚀液中时,每隔1min-2min抖动特氟龙片架。抖动特氟龙片架防止贴片架的部分腐蚀速率差异,形成色差和酸印。
HNO3:HF:H2SO4 的体积比为1:2:(10~20)。
HNO3:HF:H2SO4 的体积比为1:2:15。
步骤3.1)所述硅腐蚀液温度保持在24摄氏度,上下分别可有2摄氏度的温差。
下面对HNO3:HF:H2SO4的药液比例进行调整进行试验。
试验方法:使用单晶裸硅片进行正面贴膜,背面减薄,模拟晶圆背面工艺条件,通过调整HF和H2SO4的比例,测试硅片腐蚀速率,并在光学显微镜下观察腐蚀后背面Si表面情况。
第一种HNO3:HF:H2SO4 = 1:1:5 ,如图1所示;
第二种HNO3:HF:H2SO4 =1:1:10 ,如图2所示;
第三种HNO3:HF:H2SO4 =1:1:15,如图3所示;
第四种HNO3:HF:H2SO4 =1:2:15,如图4所示;
第五种HNO3:HF:H2SO4 =1:2:20,如图5所示;
第六种HNO3:HF:H2SO4 = 1:3:15,如图6所示;
选取具有典型的具有碗状蜂窝式分布结构的条件,电子显微镜下(SEM)确认外观:
第一种HNO3:HF:H2SO4 = 1:1:5 ,如图7所示;
第二种HNO3:HF:H2SO4 =1:1:15,如图8所示;
第三种HNO3:HF:H2SO4 =1:2:15,如图9所示;
第四种HNO3:HF:H2SO4 =1:2:20,如图10所示;
结论:从腐蚀量测试结果来看,随着缓冲剂(H2SO4)在混合液中的配比增加,Si腐蚀速率呈先上升后下降的趋势。从光学和电子显微镜结果来看,HNO3:HF:H2SO4 1:2:15比例混合达到最优效果(表面腐蚀坑呈均匀的蜂窝状分布),表面呈均匀的碗状腐蚀坑。
Claims (4)
1.一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)、将硅片的正面贴膜;
2)、背面研磨至设定尺寸;
3)、清洗;
3.1)硅腐蚀液配比;
将浓度为70%的HNO3、浓度为49%的HF和浓度为96%的H2SO4混合制备而成硅腐蚀液;
3.2)将经过步骤2)的硅片依次放入特氟龙片架上;
3.3)将承载硅片的特氟龙片架放入硅腐蚀液中;使表面腐蚀坑呈均匀的蜂窝状分布;
3.4)冲水、甩干;
HNO3:HF:H2SO4 的体积比为1:2:15。
2.根据权利要求1所述的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法,其特征在于,步骤3.3)硅片放入硅腐蚀液中时间为2min。
3.根据权利要求1所述的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法,其特征在于, 步骤3.3)硅片放入硅腐蚀液中时,每隔1min-2min抖动特氟龙片架。
4.根据权利要求1所述的一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法,其特征在于,步骤3.1)所述硅腐蚀液温度保持在24摄氏度。
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