JP2003332605A - 半導体基板表面の凹凸形成方法および太陽電池 - Google Patents
半導体基板表面の凹凸形成方法および太陽電池Info
- Publication number
- JP2003332605A JP2003332605A JP2002140026A JP2002140026A JP2003332605A JP 2003332605 A JP2003332605 A JP 2003332605A JP 2002140026 A JP2002140026 A JP 2002140026A JP 2002140026 A JP2002140026 A JP 2002140026A JP 2003332605 A JP2003332605 A JP 2003332605A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- substrate
- hydrogen radicals
- forming
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体基板表面に凹凸を形成するための工程
を短縮し、製造コストを削減し、容易かつ安価に太陽電
池を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体基板表面の凹凸形成方法
は、半導体基板に表面から元素を導入する工程と、基板
の表面に水素ラジカルを照射する工程とを含むことを特
徴とする。半導体基板は、純度６−ｎｉｎｅ以上のシリ
コン基板が好ましく、半導体基板に表面から元素を導入
する工程は、熱拡散法により行ない、基板の表面に水素
ラジカルを照射する工程は、ＣＡＴＣＶＤ法またはプラ
ズマＣＶＤ法により行なうことが好ましい。本発明の太
陽電池は、これらの方法により得られた半導体を用いて
製造される。
を短縮し、製造コストを削減し、容易かつ安価に太陽電
池を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体基板表面の凹凸形成方法
は、半導体基板に表面から元素を導入する工程と、基板
の表面に水素ラジカルを照射する工程とを含むことを特
徴とする。半導体基板は、純度６−ｎｉｎｅ以上のシリ
コン基板が好ましく、半導体基板に表面から元素を導入
する工程は、熱拡散法により行ない、基板の表面に水素
ラジカルを照射する工程は、ＣＡＴＣＶＤ法またはプラ
ズマＣＶＤ法により行なうことが好ましい。本発明の太
陽電池は、これらの方法により得られた半導体を用いて
製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板表面の
凹凸形成方法に関し、特に太陽電池の製造に用いる結晶
シリコン基板の表面における凹凸形成方法に関する。
凹凸形成方法に関し、特に太陽電池の製造に用いる結晶
シリコン基板の表面における凹凸形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン太陽電池の一般的な製造方法
は、図４に示すように、 （ａ）シリコン基板の不純物濃度の低減 （ｂ）表面での光の反射低減のための凹凸構造の形成 （ｃ）熱拡散法によるｐｎ接合の形成 （ｄ）欠陥の修復 （ｅ）反射防止膜の形成 （ｆ）表面電極および裏面電極の形成 の工程からなる。本発明は、これらの工程のうち、
（ａ）不純物濃度の低減、（ｂ）表面凹凸構造の形成、
および（ｄ）欠陥の修復、の３工程を有機的に結合する
ことにより製造工程を短縮し、製造コストの低減を図る
ものである。つぎに、本発明の技術的背景を補足するた
めに、（ａ）、（ｂ）および（ｄ）の各工程における技
術の現状を個別に述べる。
は、図４に示すように、 （ａ）シリコン基板の不純物濃度の低減 （ｂ）表面での光の反射低減のための凹凸構造の形成 （ｃ）熱拡散法によるｐｎ接合の形成 （ｄ）欠陥の修復 （ｅ）反射防止膜の形成 （ｆ）表面電極および裏面電極の形成 の工程からなる。本発明は、これらの工程のうち、
（ａ）不純物濃度の低減、（ｂ）表面凹凸構造の形成、
および（ｄ）欠陥の修復、の３工程を有機的に結合する
ことにより製造工程を短縮し、製造コストの低減を図る
ものである。つぎに、本発明の技術的背景を補足するた
めに、（ａ）、（ｂ）および（ｄ）の各工程における技
術の現状を個別に述べる。
【０００３】（ａ）不純物濃度の低減
基板内の有害不純物を除去することにより基板品質を向
上させることができる。太陽電池において問題となる不
純物には、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋなどのアルカリ金属、Ｆｅ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒなどの重金属がある。これらの不純物
はいずれもシリコン基板内の拡散速度が速く、かなり低
温で侵入することが知られている。そこで、ウェハのあ
る部分にゲッターシンクをつくり、熱処理によってゲッ
ターシンクに不純物を吸着させた後、高濃度不純物層を
エッチングで除去することにより、シリコン基板内の不
純物濃度を低減することが可能となる。ゲッターシンク
としては、結晶中の格子歪みが用いられることが多く、
格子歪みを結晶シリコン内に導入するために、いくつか
の方法がある。たとえば、サンドブラスト法、レーザビ
ームによる溶解法、タングステン球により振動を与える
などして機械的損傷を与えて歪みを造り出す方法、ウェ
ハをＰＯＣｌ3、Ｐ2Ｏ5などの雰囲気中で照射し、リン
を高濃度に拡散することによりシリコン内部にミスフィ
ット転移を作り出す方法(IEEE Transactions on Electr
on Devices 37(1990)382.)などである。いずれにしても
以上の工程の後、混酸によるエッチングなどを行ない、
不純物高濃度層を除去する必要がある。
上させることができる。太陽電池において問題となる不
純物には、Ｎａ、Ｌｉ、Ｋなどのアルカリ金属、Ｆｅ、
Ｃｕ、Ａｕ、Ｃｒなどの重金属がある。これらの不純物
はいずれもシリコン基板内の拡散速度が速く、かなり低
温で侵入することが知られている。そこで、ウェハのあ
る部分にゲッターシンクをつくり、熱処理によってゲッ
ターシンクに不純物を吸着させた後、高濃度不純物層を
エッチングで除去することにより、シリコン基板内の不
純物濃度を低減することが可能となる。ゲッターシンク
としては、結晶中の格子歪みが用いられることが多く、
格子歪みを結晶シリコン内に導入するために、いくつか
の方法がある。たとえば、サンドブラスト法、レーザビ
ームによる溶解法、タングステン球により振動を与える
などして機械的損傷を与えて歪みを造り出す方法、ウェ
ハをＰＯＣｌ3、Ｐ2Ｏ5などの雰囲気中で照射し、リン
を高濃度に拡散することによりシリコン内部にミスフィ
ット転移を作り出す方法(IEEE Transactions on Electr
on Devices 37(1990)382.)などである。いずれにしても
以上の工程の後、混酸によるエッチングなどを行ない、
不純物高濃度層を除去する必要がある。
【０００４】（ｂ）表面凹凸構造の形成
従来より用いられてきたアルカリ溶液によるエッチング
に加えて、ダイサーなどによる機械加工、レーザ加工、
フォトリソグラフィによる化学エッチング部分の限定加
工、プラズマとガス反応の併用によるエッチング加工
（ＲＩＥ）など、低い反射率を有する凹凸構造の形成が
検討されている。特開平１０−３０３４４３号公報に
は、エッチング速度の調整剤となるリン酸もしくはカル
ボン酸を、硝酸とフッ酸に混合する方法、または界面活
性剤を添加した硝酸とフッ酸の混酸を用いる方法が紹介
されている。この方法により、微小な球面状の凹部から
構成されるテクスチャ表面が得られる。
に加えて、ダイサーなどによる機械加工、レーザ加工、
フォトリソグラフィによる化学エッチング部分の限定加
工、プラズマとガス反応の併用によるエッチング加工
（ＲＩＥ）など、低い反射率を有する凹凸構造の形成が
検討されている。特開平１０−３０３４４３号公報に
は、エッチング速度の調整剤となるリン酸もしくはカル
ボン酸を、硝酸とフッ酸に混合する方法、または界面活
性剤を添加した硝酸とフッ酸の混酸を用いる方法が紹介
されている。この方法により、微小な球面状の凹部から
構成されるテクスチャ表面が得られる。
【０００５】（ｄ）欠陥の修復
水素をシリコン基板に接触させることにより、シリコン
基板における欠陥個所を水素終端し、多結晶シリコン基
板の品質を向上させる試みがなされている。水素をシリ
コンに供給する方法として、特開昭５８−２３４８７号
公報、特開昭５８−６４０３５号公報、特開昭５８−１
３７２１８号公報、特開昭５９−１３６９２６号公報お
よび特開平３−２８３４７２号公報には、水素プラズマ
中でのシリコン基板の照射および加速電界を用いてイオ
ンを打ち込む方法が紹介されている。また、特開平３−
１２０７２５号公報には、水を含む雰囲気中でシリコン
基板を加熱することにより、水素とシリコンとを結合す
る方法が紹介されている。また、特開平１０−２１４８
４５号公報には、シリコン基板の表面に水素吸蔵合金を
形成し、水素を吸蔵させた後、水素プラズマ処理を施す
ことにより、水素をシリコン内部へ拡散する方法が紹介
されている。さらに、特開平１０−２５６３３５号公報
には、シリコン基板をフッ化重水素溶液に浸すことによ
り重水素により欠陥を終端する方法が紹介されている。
基板における欠陥個所を水素終端し、多結晶シリコン基
板の品質を向上させる試みがなされている。水素をシリ
コンに供給する方法として、特開昭５８−２３４８７号
公報、特開昭５８−６４０３５号公報、特開昭５８−１
３７２１８号公報、特開昭５９−１３６９２６号公報お
よび特開平３−２８３４７２号公報には、水素プラズマ
中でのシリコン基板の照射および加速電界を用いてイオ
ンを打ち込む方法が紹介されている。また、特開平３−
１２０７２５号公報には、水を含む雰囲気中でシリコン
基板を加熱することにより、水素とシリコンとを結合す
る方法が紹介されている。また、特開平１０−２１４８
４５号公報には、シリコン基板の表面に水素吸蔵合金を
形成し、水素を吸蔵させた後、水素プラズマ処理を施す
ことにより、水素をシリコン内部へ拡散する方法が紹介
されている。さらに、特開平１０−２５６３３５号公報
には、シリコン基板をフッ化重水素溶液に浸すことによ
り重水素により欠陥を終端する方法が紹介されている。
【０００６】近年、シリコン太陽電池の製造工程を改良
し、製造の効率化を図る試みがなされている。たとえ
ば、特開昭６０−２０２９２１号公報には、ｐｎ接合の
形成をリンイオン打ち込みで行ない、反射防止膜を溶液
塗布で行なうことにより、製造工程におけるシリコン基
板の加熱回数を減らす方法が紹介されている。また、特
開平７−１７６７７４号公報には、ｐｎ接合形成のとき
に拡散雰囲気ガスを片面から吹き付けることにより、電
極形成工程で必要となる端面処理を不要にする方法が紹
介されている。さらに、特開平１−２４８６７５号公報
には、電極形成工程において複数の基板の切断を同時に
行ない、製造工程を効率化する方法が紹介されている。
これらの方法はいずれも、ｐｎ接合の形成、反射防止膜
の形成および電極の形成など、個々の工程の効率化を図
るものである。
し、製造の効率化を図る試みがなされている。たとえ
ば、特開昭６０−２０２９２１号公報には、ｐｎ接合の
形成をリンイオン打ち込みで行ない、反射防止膜を溶液
塗布で行なうことにより、製造工程におけるシリコン基
板の加熱回数を減らす方法が紹介されている。また、特
開平７−１７６７７４号公報には、ｐｎ接合形成のとき
に拡散雰囲気ガスを片面から吹き付けることにより、電
極形成工程で必要となる端面処理を不要にする方法が紹
介されている。さらに、特開平１−２４８６７５号公報
には、電極形成工程において複数の基板の切断を同時に
行ない、製造工程を効率化する方法が紹介されている。
これらの方法はいずれも、ｐｎ接合の形成、反射防止膜
の形成および電極の形成など、個々の工程の効率化を図
るものである。
【０００７】しかし、これらの方法は、工程同士を結合
することにより工程を短縮するものではない。さらに、
基板の品質を高めるための不純物濃度の低減および欠陥
の修復についての処理には言及していない。
することにより工程を短縮するものではない。さらに、
基板の品質を高めるための不純物濃度の低減および欠陥
の修復についての処理には言及していない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、
（ａ）不純物濃度の低減、（ｂ）表面凹凸構造の形成、
および（ｄ）欠陥の修復、の３工程を有機的に結合する
ことにより、半導体基板表面に凹凸を形成するための工
程を短縮し、製造コストを削減することにある。
（ａ）不純物濃度の低減、（ｂ）表面凹凸構造の形成、
および（ｄ）欠陥の修復、の３工程を有機的に結合する
ことにより、半導体基板表面に凹凸を形成するための工
程を短縮し、製造コストを削減することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板表面
の凹凸形成方法は、半導体基板に表面から元素を導入す
る工程と、基板の表面に水素ラジカルを照射する工程と
を含むことを特徴とする。
の凹凸形成方法は、半導体基板に表面から元素を導入す
る工程と、基板の表面に水素ラジカルを照射する工程と
を含むことを特徴とする。
【００１０】半導体基板は、純度６−ｎｉｎｅ以上のシ
リコン基板が好ましく、半導体基板に表面から元素を導
入する工程は、熱拡散法により行ない、基板の表面に水
素ラジカルを照射する工程は、ＣＡＴＣＶＤ法(Catalyz
ed Chemical Vapor Deposition法)またはプラズマＣＶ
Ｄ法により行なうことが好ましい。
リコン基板が好ましく、半導体基板に表面から元素を導
入する工程は、熱拡散法により行ない、基板の表面に水
素ラジカルを照射する工程は、ＣＡＴＣＶＤ法(Catalyz
ed Chemical Vapor Deposition法)またはプラズマＣＶ
Ｄ法により行なうことが好ましい。
【００１１】半導体基板に元素を導入する第１の工程
は、基板温度および拡散炉温度が８００℃〜１０００℃
であり、拡散時間が１０分〜４時間で熱拡散を行ない、
水素ラジカルを照射する第２の工程をＣＡＴＣＶＤ法に
より行なうときは、キャタライザ温度１６５０℃〜２０
００℃、基板温度３００℃〜６００℃、圧力０．３Ｐａ
〜１０Ｐａおよび照射時間３０分〜３時間で行なうこと
が好ましい。また、第２工程をプラズマＣＶＤ法により
行なうときは、入射ＲＦ電力密度０．１ｗ／ｃｍ 2〜
１．０ｗ／ｃｍ2、基板温度３００℃〜６００℃、圧力
１３３Ｐａ〜１３３０Ｐａおよび照射時間３０分〜１０
時間で行なうことが好ましい。凹凸形成後の半導体基板
表面の凹凸の振幅は、１０ｎｍ〜５００ｎｍであること
が好ましい。
は、基板温度および拡散炉温度が８００℃〜１０００℃
であり、拡散時間が１０分〜４時間で熱拡散を行ない、
水素ラジカルを照射する第２の工程をＣＡＴＣＶＤ法に
より行なうときは、キャタライザ温度１６５０℃〜２０
００℃、基板温度３００℃〜６００℃、圧力０．３Ｐａ
〜１０Ｐａおよび照射時間３０分〜３時間で行なうこと
が好ましい。また、第２工程をプラズマＣＶＤ法により
行なうときは、入射ＲＦ電力密度０．１ｗ／ｃｍ 2〜
１．０ｗ／ｃｍ2、基板温度３００℃〜６００℃、圧力
１３３Ｐａ〜１３３０Ｐａおよび照射時間３０分〜１０
時間で行なうことが好ましい。凹凸形成後の半導体基板
表面の凹凸の振幅は、１０ｎｍ〜５００ｎｍであること
が好ましい。
【００１２】本発明の太陽電池は、これらのいずれかの
方法により得られた半導体を用いて製造される。
方法により得られた半導体を用いて製造される。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の半導体基板表面の凹凸形
成方法は、半導体基板に表面から元素を導入する工程と
基板の表面に水素ラジカルを照射する工程とを含む。以
下、太陽電池の製造に用いられる半導体基板を例に取り
挙げて説明する。
成方法は、半導体基板に表面から元素を導入する工程と
基板の表面に水素ラジカルを照射する工程とを含む。以
下、太陽電池の製造に用いられる半導体基板を例に取り
挙げて説明する。
【００１４】太陽電池用の半導体基板の表面に凹凸を形
成する本発明の方法は、ｐまたはｎ型半導体基板の表面
から、半導体基板と異なる導電型の不純物元素を導入す
る工程と、基板の表面に水素ラジカルを照射する工程と
の２工程を含むことを特徴とする。太陽電池用の半導体
基板の表面に凹凸を形成する従来の方法は、図４に示す
とおり、（ａ）基板の不純物濃度の低減工程、（ｂ）表
面での光の反射低減のための凹凸構造の形成工程、
（ｃ）ｐｎ接合の形成工程および（ｄ）欠陥の修復工程
の合計４工程を含む。したがって、本発明の方法によれ
ば、従来法における（ａ）〜（ｄ）の４工程を、不純物
元素導入工程と水素ラジカル照射工程の２工程にまで短
縮し、製造コストを削減することができる。また、半導
体基板の表面に形成される凹凸は、従来の方法による場
合と同等以上の品質を有する。
成する本発明の方法は、ｐまたはｎ型半導体基板の表面
から、半導体基板と異なる導電型の不純物元素を導入す
る工程と、基板の表面に水素ラジカルを照射する工程と
の２工程を含むことを特徴とする。太陽電池用の半導体
基板の表面に凹凸を形成する従来の方法は、図４に示す
とおり、（ａ）基板の不純物濃度の低減工程、（ｂ）表
面での光の反射低減のための凹凸構造の形成工程、
（ｃ）ｐｎ接合の形成工程および（ｄ）欠陥の修復工程
の合計４工程を含む。したがって、本発明の方法によれ
ば、従来法における（ａ）〜（ｄ）の４工程を、不純物
元素導入工程と水素ラジカル照射工程の２工程にまで短
縮し、製造コストを削減することができる。また、半導
体基板の表面に形成される凹凸は、従来の方法による場
合と同等以上の品質を有する。
【００１５】ｐまたはｎ型半導体基板の表面から、半導
体基板と異なる導電型の不純物元素を導入する第１の工
程は、たとえば、ｐ型のシリコン基板の受光面側の表面
から、不純物としてリンなどのＶ族元素を拡散させて厚
さ０．３μｍ〜１μｍのｎ層を形成する。この場合、ｎ
型のシリコン基板を用い、不純物としてホウ素などのＩ
ＩＩ族元素を拡散させてｐ層を形成してもよい。この第
１の工程により、不純物ゲッターシンクが形成され、図
２（ａ）に示すように、不純物の吸着により半導体基板
１中に高濃度不純物層２が形成される。このため、高濃
度不純物層２以外の部分において不純物濃度の低減を図
ることができる。また、不純物元素の導入により、ｐｎ
接合３を形成することができる。したがって、本発明の
第１の工程により、従来法における不純物濃度の低減
（図４（ａ））およびｐｎ接合の形成（図４（ｃ））を
達成することができる。
体基板と異なる導電型の不純物元素を導入する第１の工
程は、たとえば、ｐ型のシリコン基板の受光面側の表面
から、不純物としてリンなどのＶ族元素を拡散させて厚
さ０．３μｍ〜１μｍのｎ層を形成する。この場合、ｎ
型のシリコン基板を用い、不純物としてホウ素などのＩ
ＩＩ族元素を拡散させてｐ層を形成してもよい。この第
１の工程により、不純物ゲッターシンクが形成され、図
２（ａ）に示すように、不純物の吸着により半導体基板
１中に高濃度不純物層２が形成される。このため、高濃
度不純物層２以外の部分において不純物濃度の低減を図
ることができる。また、不純物元素の導入により、ｐｎ
接合３を形成することができる。したがって、本発明の
第１の工程により、従来法における不純物濃度の低減
（図４（ａ））およびｐｎ接合の形成（図４（ｃ））を
達成することができる。
【００１６】第１の工程により、半導体基板の不純物濃
度を低減することができるが、当初より半導体基板とし
て、純度６−ｎｉｎｅ以上のシリコン基板を使用する方
が、最終的に得られる太陽電池の基板純度を高めること
ができる点で好ましい。
度を低減することができるが、当初より半導体基板とし
て、純度６−ｎｉｎｅ以上のシリコン基板を使用する方
が、最終的に得られる太陽電池の基板純度を高めること
ができる点で好ましい。
【００１７】基板の表面に水素ラジカルを照射する第２
の工程は、高濃度不純物層が形成されている基板の表面
に対して水素ラジカルを照射する。この第２工程によ
り、水素ラジカルがエッチングにより高濃度不純物層２
を除去し、図２（ｂ）に示すように、凹凸構造４を形成
し、また、水素ラジカルによりシリコン粒界欠陥５が修
復され、修復後の粒界６が得られる。修復後の粒界６に
付着している粒は、水素ラジカルにより水素終端した部
分を示し、粒界不活性化の様子を示している。したがっ
て、本発明の第２工程により、従来法における表面凹凸
構造の形成（図４（ｂ））および欠陥の修復（図４
（ｄ））を達成することができる。
の工程は、高濃度不純物層が形成されている基板の表面
に対して水素ラジカルを照射する。この第２工程によ
り、水素ラジカルがエッチングにより高濃度不純物層２
を除去し、図２（ｂ）に示すように、凹凸構造４を形成
し、また、水素ラジカルによりシリコン粒界欠陥５が修
復され、修復後の粒界６が得られる。修復後の粒界６に
付着している粒は、水素ラジカルにより水素終端した部
分を示し、粒界不活性化の様子を示している。したがっ
て、本発明の第２工程により、従来法における表面凹凸
構造の形成（図４（ｂ））および欠陥の修復（図４
（ｄ））を達成することができる。
【００１８】水素ラジカルを基板表面に照射する工程
は、ＣＡＴＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により行な
うことが好ましいが、ＣＡＴＣＶＤ法の方がプラズマＣ
ＶＤ法よりも、水素ラジカルによるシリコンなどの基板
表面のエッチングが顕著である点でより好ましい。ＣＡ
ＴＣＶＤ法よれば、プラズマＣＶＤ法に比べて、ガスの
分解効率が高く、より高濃度の水素ラジカルを生成し、
エッチングの作用がより大きいからであると考えられ
る。
は、ＣＡＴＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により行な
うことが好ましいが、ＣＡＴＣＶＤ法の方がプラズマＣ
ＶＤ法よりも、水素ラジカルによるシリコンなどの基板
表面のエッチングが顕著である点でより好ましい。ＣＡ
ＴＣＶＤ法よれば、プラズマＣＶＤ法に比べて、ガスの
分解効率が高く、より高濃度の水素ラジカルを生成し、
エッチングの作用がより大きいからであると考えられ
る。
【００１９】水素ラジカルのエッチングによりシリコン
などの基板表面に凹凸構造が形成され、基板表面におけ
る光の反射を低減することができるが、効果的に光の反
射を低減するためには、凹凸形成後の凹凸の振幅は１０
ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５０ｎｍ〜１
００ｎｍであることがより好ましい。水素ラジカルのエ
ッチングにより、凹凸の振幅を５０ｎｍ〜１００ｎｍに
容易に調整することができる。
などの基板表面に凹凸構造が形成され、基板表面におけ
る光の反射を低減することができるが、効果的に光の反
射を低減するためには、凹凸形成後の凹凸の振幅は１０
ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、５０ｎｍ〜１
００ｎｍであることがより好ましい。水素ラジカルのエ
ッチングにより、凹凸の振幅を５０ｎｍ〜１００ｎｍに
容易に調整することができる。
【００２０】水素ラジカルの基板表面への照射により、
水素ラジカルは基板上のダングリングボンドを終端して
欠陥を不活性化し、修復する。基板表面に凹凸構造が形
成される条件で水素ラジカルを照射することにより、キ
ャリアの拡散長の２割程度を改善することができる。
水素ラジカルは基板上のダングリングボンドを終端して
欠陥を不活性化し、修復する。基板表面に凹凸構造が形
成される条件で水素ラジカルを照射することにより、キ
ャリアの拡散長の２割程度を改善することができる。
【００２１】水素ラジカルのエッチングにより、太陽電
池に不可欠なｐｎ接合をも除去してしまわないようにす
るため、あらかじめリンなどの不純物拡散層の厚さを大
きくしておくことが必要である。すなわち、水素ラジカ
ルの照射工程と、その前工程である不純物導入工程との
間で、処理条件をマッチングさせておくことが重要であ
る。したがって、不純物元素を導入する第１の工程は、
基板温度および拡散炉温度が８００℃〜１０００℃であ
り、拡散時間が１０分〜４時間で熱拡散を行なう。拡散
時間が１０分以下であるときは、ｐｎ接合を安定した深
さで形成することが困難になる。また、拡散時間が４時
間を超えると、拡散表面に荒れが生じ、水素ラジカルの
照射による基板表面の凹凸形成が困難になる。水素ラジ
カルを照射する第２の工程をＣＡＴＣＶＤ法により行な
うときは、キャタライザ温度１６５０℃〜２０００℃、
基板温度３００℃〜６００℃、圧力０．３Ｐａ〜１０Ｐ
ａおよび照射時間３０分〜３時間で行なうことが好まし
い。また、第２工程をプラズマＣＶＤ法により行なうと
きは、入射ＲＦ電力密度０．１ｗ／ｃｍ2〜１．０ｗ／
ｃｍ2、基板温度３００℃〜６００℃、圧力１３３Ｐａ
〜１３３０Ｐａおよび照射時間３０分〜１０時間で行な
うことが好ましい。
池に不可欠なｐｎ接合をも除去してしまわないようにす
るため、あらかじめリンなどの不純物拡散層の厚さを大
きくしておくことが必要である。すなわち、水素ラジカ
ルの照射工程と、その前工程である不純物導入工程との
間で、処理条件をマッチングさせておくことが重要であ
る。したがって、不純物元素を導入する第１の工程は、
基板温度および拡散炉温度が８００℃〜１０００℃であ
り、拡散時間が１０分〜４時間で熱拡散を行なう。拡散
時間が１０分以下であるときは、ｐｎ接合を安定した深
さで形成することが困難になる。また、拡散時間が４時
間を超えると、拡散表面に荒れが生じ、水素ラジカルの
照射による基板表面の凹凸形成が困難になる。水素ラジ
カルを照射する第２の工程をＣＡＴＣＶＤ法により行な
うときは、キャタライザ温度１６５０℃〜２０００℃、
基板温度３００℃〜６００℃、圧力０．３Ｐａ〜１０Ｐ
ａおよび照射時間３０分〜３時間で行なうことが好まし
い。また、第２工程をプラズマＣＶＤ法により行なうと
きは、入射ＲＦ電力密度０．１ｗ／ｃｍ2〜１．０ｗ／
ｃｍ2、基板温度３００℃〜６００℃、圧力１３３Ｐａ
〜１３３０Ｐａおよび照射時間３０分〜１０時間で行な
うことが好ましい。
【００２２】本発明の方法により得られた半導体を用い
て太陽電池を製造することができる。従来の太陽電池
は、図４に示すとおり、（ａ）〜（ｆ）の合計６工程か
らなる方法により製造されているが、本発明の太陽電池
は、図１に示すとおり、（ｇ）、（ｈ）、（ｅ）および
（ｆ）の合計４工程からなる方法により製造される。し
たがって、製造工程を短縮し、製造コストを削減するこ
とができる。この例では、ｐ型半導体基板に、不純物と
してリンを熱拡散法により導入している。反射防止膜の
形成および電極の形成は、通常の方法を使用することが
できる。たとえば、反射防止膜は、弗化マグネシウム、
硫化亜鉛または酸化チタンを真空蒸着法により形成する
ことができる。また、電極は、たとえば、Ａｌペースト
または銀ペーストを印刷し、乾燥し、焼成することによ
り形成することができる。
て太陽電池を製造することができる。従来の太陽電池
は、図４に示すとおり、（ａ）〜（ｆ）の合計６工程か
らなる方法により製造されているが、本発明の太陽電池
は、図１に示すとおり、（ｇ）、（ｈ）、（ｅ）および
（ｆ）の合計４工程からなる方法により製造される。し
たがって、製造工程を短縮し、製造コストを削減するこ
とができる。この例では、ｐ型半導体基板に、不純物と
してリンを熱拡散法により導入している。反射防止膜の
形成および電極の形成は、通常の方法を使用することが
できる。たとえば、反射防止膜は、弗化マグネシウム、
硫化亜鉛または酸化チタンを真空蒸着法により形成する
ことができる。また、電極は、たとえば、Ａｌペースト
または銀ペーストを印刷し、乾燥し、焼成することによ
り形成することができる。
【００２３】
【実施例】実施例１
ｐ型多結晶シリコン基板（厚さ３５０μｍ、抵抗率１Ω
ｃｍ）をＲＣＡ法で洗浄し、リンの熱拡散により厚さ
１．０μｍ、不純物濃度１．２×１０20ｃｍ-3のｎ型シ
リコン層を形成した。熱拡散時のシリコン基板の温度お
よび拡散炉の温度は９５０℃とし、拡散時間は１時間に
設定した。
ｃｍ）をＲＣＡ法で洗浄し、リンの熱拡散により厚さ
１．０μｍ、不純物濃度１．２×１０20ｃｍ-3のｎ型シ
リコン層を形成した。熱拡散時のシリコン基板の温度お
よび拡散炉の温度は９５０℃とし、拡散時間は１時間に
設定した。
【００２４】つぎに、図３に模式的に示すＣＡＴＣＶＤ
装置８に、多結晶シリコン基板７を搬送し、処理室の内
部を１０-5Ｐａまで減圧した。つづいて、ガス導入路９
よりＨ2を１００ＳＣＣＭ（標準状態下ｃｍ3／分）導入
し、ガス排出路１０からのガス排出量を調整することに
よりＣＡＴＣＶＤ装置８内の圧力を４Ｐａとした。基板
温度を５００℃に設定し、０．４ｍｍ径のタングステン
ワイヤーからなるキャタライザ１１に直流電流（１１
Ａ）を流し、ワイヤー温度を１６５０℃とした。ワイヤ
ーに接触したＨ2は分解し、水素ラジカルとなって多結
晶シリコン基板７に照射された。水素ラジカルの照射は
３０分行なった。その後、多結晶シリコン基板７の表面
における凹凸を接触段差計（東京精密株式会社製サーフ
コム１４００）を用いて測定した。その結果を図５に示
す。図５における左側のグラフは、水素ラジカルの照射
中にマスクをし、水素ラジカルが照射しないようにした
部分の測定結果である。一方、図５における右側のグラ
フは、水素ラジカルを照射した部分の測定結果である。
図５の結果から明らかなとおり、水素ラジカルを照射し
た部分は、水素ラジカルを照射しなかった部分に比べ
て、基板の表面から平均１７０ｎｍエッチングされてお
り、凹凸構造が形成され、凹凸の振幅は５０ｎｍ〜１０
０ｎｍであることがわかった。
装置８に、多結晶シリコン基板７を搬送し、処理室の内
部を１０-5Ｐａまで減圧した。つづいて、ガス導入路９
よりＨ2を１００ＳＣＣＭ（標準状態下ｃｍ3／分）導入
し、ガス排出路１０からのガス排出量を調整することに
よりＣＡＴＣＶＤ装置８内の圧力を４Ｐａとした。基板
温度を５００℃に設定し、０．４ｍｍ径のタングステン
ワイヤーからなるキャタライザ１１に直流電流（１１
Ａ）を流し、ワイヤー温度を１６５０℃とした。ワイヤ
ーに接触したＨ2は分解し、水素ラジカルとなって多結
晶シリコン基板７に照射された。水素ラジカルの照射は
３０分行なった。その後、多結晶シリコン基板７の表面
における凹凸を接触段差計（東京精密株式会社製サーフ
コム１４００）を用いて測定した。その結果を図５に示
す。図５における左側のグラフは、水素ラジカルの照射
中にマスクをし、水素ラジカルが照射しないようにした
部分の測定結果である。一方、図５における右側のグラ
フは、水素ラジカルを照射した部分の測定結果である。
図５の結果から明らかなとおり、水素ラジカルを照射し
た部分は、水素ラジカルを照射しなかった部分に比べ
て、基板の表面から平均１７０ｎｍエッチングされてお
り、凹凸構造が形成され、凹凸の振幅は５０ｎｍ〜１０
０ｎｍであることがわかった。
【００２５】続いて、光入射面となる表側のｎ型拡散層
を樹脂マスクで保護し、裏側のｎ型拡散層を化学エッチ
ングにより除去した。つぎに、表側のｎ型拡散層の上に
ＴｉＯ2からなる反射防止膜を形成した後、裏側にはＡ
ｌペーストを、また、表側には銀ペーストを印刷し、ベ
ルト焼成炉で乾燥し、温度７００℃で焼成し、電極を形
成し、半田用Ｓｎ溶融液にディップし、電極を厚くし
た。最後に、電極にリード線を付けて、太陽電池を得
た。得られた太陽電池の特性および製造に要した時間に
ついて、従来法によるものと比較した結果を表１に示
す。
を樹脂マスクで保護し、裏側のｎ型拡散層を化学エッチ
ングにより除去した。つぎに、表側のｎ型拡散層の上に
ＴｉＯ2からなる反射防止膜を形成した後、裏側にはＡ
ｌペーストを、また、表側には銀ペーストを印刷し、ベ
ルト焼成炉で乾燥し、温度７００℃で焼成し、電極を形
成し、半田用Ｓｎ溶融液にディップし、電極を厚くし
た。最後に、電極にリード線を付けて、太陽電池を得
た。得られた太陽電池の特性および製造に要した時間に
ついて、従来法によるものと比較した結果を表１に示
す。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１の結果から明らかなとおり、太陽電池
の特性について大幅な向上は見られなかったが、工程の
短縮により製造時間を７０％程度に短縮することができ
た。
の特性について大幅な向上は見られなかったが、工程の
短縮により製造時間を７０％程度に短縮することができ
た。
【００２８】実施例２
ｐ型多結晶シリコン基板（厚さ３５０μｍ、抵抗率１Ω
ｃｍ）をＲＣＡ法で洗浄し、リンの熱拡散により厚さ
１．０μｍ、不純物濃度１．２×１０20ｃｍ-3のｎ型シ
リコン層を形成した。熱拡散時のシリコン基板の温度お
よび拡散炉の温度は９５０℃とし、拡散時間は１時間に
設定した。
ｃｍ）をＲＣＡ法で洗浄し、リンの熱拡散により厚さ
１．０μｍ、不純物濃度１．２×１０20ｃｍ-3のｎ型シ
リコン層を形成した。熱拡散時のシリコン基板の温度お
よび拡散炉の温度は９５０℃とし、拡散時間は１時間に
設定した。
【００２９】つぎに、プラズマＣＶＤ装置に、多結晶シ
リコン基板を搬送し、処理室の内部を１０-5Ｐａまで減
圧した。つづいて、ガス導入路よりＨ2を１００ＳＣＣ
Ｍ（標準状態下ｃｍ3／分）導入し、ガス排出路からの
ガス排出量を調整することによりプラズマＣＶＤ装置内
の圧力を１３３Ｐａとした。基板温度を５００℃に設定
し、０．５ｗ／ｃｍ2のＲＦ電力を平行平板間に導入し
た。プラズマ中の電子との衝突によりＨ2は分解し、水
素ラジカルとなって多結晶シリコン基板に照射された。
水素ラジカルの照射は２．５時間行なった。その後、多
結晶シリコン基板の表面における凹凸を接触段差計（東
京精密株式会社製サーフコム１４００）を用いて測定し
た。基板の表面から平均１５０ｎｍエッチングされてお
り、凹凸構造が形成され、凹凸の振幅は７０ｎｍ〜１０
０ｎｍであることがわかった。
リコン基板を搬送し、処理室の内部を１０-5Ｐａまで減
圧した。つづいて、ガス導入路よりＨ2を１００ＳＣＣ
Ｍ（標準状態下ｃｍ3／分）導入し、ガス排出路からの
ガス排出量を調整することによりプラズマＣＶＤ装置内
の圧力を１３３Ｐａとした。基板温度を５００℃に設定
し、０．５ｗ／ｃｍ2のＲＦ電力を平行平板間に導入し
た。プラズマ中の電子との衝突によりＨ2は分解し、水
素ラジカルとなって多結晶シリコン基板に照射された。
水素ラジカルの照射は２．５時間行なった。その後、多
結晶シリコン基板の表面における凹凸を接触段差計（東
京精密株式会社製サーフコム１４００）を用いて測定し
た。基板の表面から平均１５０ｎｍエッチングされてお
り、凹凸構造が形成され、凹凸の振幅は７０ｎｍ〜１０
０ｎｍであることがわかった。
【００３０】続いて、光入射面となる表側のｎ型拡散層
を樹脂マスクで保護し、裏側のｎ型拡散層を化学エッチ
ングにより除去した。つぎに、表側のｎ型拡散層の上に
ＴｉＯ2からなる反射防止膜を形成した後、裏側にはＡ
ｌペーストを、また、表側には銀ペーストを印刷し、ベ
ルト焼成炉で乾燥し、温度７００℃で焼成し、電極を形
成し、半田用Ｓｎ溶融液にディップし、電極を厚くし
た。最後に電極にリード線を付けて太陽電池を得た。得
られた太陽電池の特性および製造時間について、従来法
によるものと比較した結果を表１に示す。
を樹脂マスクで保護し、裏側のｎ型拡散層を化学エッチ
ングにより除去した。つぎに、表側のｎ型拡散層の上に
ＴｉＯ2からなる反射防止膜を形成した後、裏側にはＡ
ｌペーストを、また、表側には銀ペーストを印刷し、ベ
ルト焼成炉で乾燥し、温度７００℃で焼成し、電極を形
成し、半田用Ｓｎ溶融液にディップし、電極を厚くし
た。最後に電極にリード線を付けて太陽電池を得た。得
られた太陽電池の特性および製造時間について、従来法
によるものと比較した結果を表１に示す。
【００３１】表１の結果から明らかなとおり、太陽電池
の特性について大幅な向上は見られなかったが、工程の
短縮により製造時間を８６％程度に短縮することができ
た。
の特性について大幅な向上は見られなかったが、工程の
短縮により製造時間を８６％程度に短縮することができ
た。
【００３２】今回開示された実施の形態および実施例は
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
すべての点で例示であって制限的なものではないと考え
られるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではな
くて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と
均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれるこ
とが意図される。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、半導体基板表面に凹凸
を形成するための工程を短縮し、製造コストを削減する
ことができるから、容易かつ安価に太陽電池を提供する
ことができる。
を形成するための工程を短縮し、製造コストを削減する
ことができるから、容易かつ安価に太陽電池を提供する
ことができる。
【図１】 本発明の太陽電池の製造方法を示す工程図で
ある。
ある。
【図２】 本発明の各工程における半導体基板の内部の
状態を示す模式図であり、（ａ）は半導体基板に表面か
ら元素を導入した直後の状態を示し、（ｂ）は水素ラジ
カルを照射した直後の状態を示す。
状態を示す模式図であり、（ａ）は半導体基板に表面か
ら元素を導入した直後の状態を示し、（ｂ）は水素ラジ
カルを照射した直後の状態を示す。
【図３】 ＣＡＴＣＶＤ装置の構造を示す模式図であ
る。
る。
【図４】 従来の太陽電池の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図５】 接触段差計による測定結果を示す図である。
１ 半導体基板、２ 高濃度不純物層、３ ｐｎ接合、
４ 凹凸構造、５ 粒界欠陥、６ 修復後の粒界、７
多結晶シリコン基板、８ ＣＡＴＣＶＤ装置、９ Ｈ2
ガス導入路、１０ ガス排出路、１１ キャタライザ。
４ 凹凸構造、５ 粒界欠陥、６ 修復後の粒界、７
多結晶シリコン基板、８ ＣＡＴＣＶＤ装置、９ Ｈ2
ガス導入路、１０ ガス排出路、１１ キャタライザ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F045 AA08 AF12 BB08 CA13 DA61
DA67
5F051 AA03 CB20 CB22 CB29 CB30
DA03 GA04 GA15 HA03
Claims (9)
- 【請求項１】 半導体基板に表面から元素を導入する工
程と、基板の表面に水素ラジカルを照射する工程とを含
むことを特徴とする半導体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板は、純度６−ｎｉｎｅ以
上のシリコン基板であることを特徴とする請求項１に記
載の半導体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項３】 半導体基板にその表面から元素を導入す
る前記工程は、熱拡散法により行なうことを特徴とする
請求項１に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項４】 前記熱拡散法は、基板温度および拡散炉
温度が８００℃〜１０００℃であり、拡散時間が１０分
〜４時間で行なうことを特徴とする請求項３に記載の半
導体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項５】 基板の表面に水素ラジカルを照射する前
記工程は、ＣＡＴＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法によ
り行なうことを特徴とする請求項１に記載の半導体基板
表面の凹凸形成方法。 - 【請求項６】 前記ＣＡＴＣＶＤ法は、キャタライザ温
度１６５０℃〜２０００℃、基板温度３００℃〜６００
℃、圧力０．３Ｐａ〜１０Ｐａおよび照射時間３０分〜
３時間で行なうことを特徴とする請求項５に記載の半導
体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項７】 前記プラズマＣＶＤ法は、入射ＲＦ電力
密度０．１ｗ／ｃｍ 2〜１．０ｗ／ｃｍ2、基板温度３０
０℃〜６００℃、圧力１３３Ｐａ〜１３３０Ｐａおよび
照射時間３０分〜１０時間で行なうことを特徴とする請
求項５に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項８】 凹凸形成後の半導体基板表面の凹凸の振
幅が、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることを特徴とする請
求項１に記載の半導体基板表面の凹凸形成方法。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかの方法により得
られた半導体を用いて製造される太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140026A JP4518731B2 (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 多結晶シリコン基板表面の凹凸形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002140026A JP4518731B2 (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 多結晶シリコン基板表面の凹凸形成方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003332605A true JP2003332605A (ja) | 2003-11-21 |
| JP2003332605A5 JP2003332605A5 (ja) | 2005-09-08 |
| JP4518731B2 JP4518731B2 (ja) | 2010-08-04 |
Family
ID=29701005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002140026A Expired - Fee Related JP4518731B2 (ja) | 2002-05-15 | 2002-05-15 | 多結晶シリコン基板表面の凹凸形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4518731B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340643A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sharp Corp | 太陽電池用半導体基板の製造方法 |
| JP2007150143A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Shimadzu Corp | 太陽電池の反射防止膜成膜方法、太陽電池および成膜装置 |
| KR100964153B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2010-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지 |
| JP2011199277A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理方法及び太陽電池セルの製造方法 |
| RU2449226C2 (ru) * | 2010-06-18 | 2012-04-27 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Подложка панели солнечной батареи и способ ее изготовления |
| KR101453086B1 (ko) * | 2007-11-27 | 2014-10-27 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196772A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 太陽電池用半導体基板の表面処理方法 |
| JPH02143467A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPH03283471A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Tonen Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPH05206491A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-08-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPH05267698A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPH07142749A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
| JPH0927632A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Canon Inc | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JPH11274535A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置の製造装置 |
| JP2000150379A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 結晶質半導体層を有する積層体の製造方法 |
| JP2001352082A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体薄膜光電変換装置の製造方法 |
| JP2002009312A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 非単結晶薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2002075877A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 多結晶半導体薄膜の形成方法およびその形成装置およびその多結晶半導体薄膜を用いた太陽電池 |
-
2002
- 2002-05-15 JP JP2002140026A patent/JP4518731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6196772A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Toshiba Corp | 太陽電池用半導体基板の表面処理方法 |
| JPH02143467A (ja) * | 1988-11-24 | 1990-06-01 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPH03283471A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Tonen Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JPH05206491A (ja) * | 1991-11-25 | 1993-08-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPH05267698A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPH07142749A (ja) * | 1993-11-15 | 1995-06-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 太陽電池とその製造方法 |
| JPH0927632A (ja) * | 1995-07-13 | 1997-01-28 | Canon Inc | 光起電力素子及びその製造方法 |
| JPH11274535A (ja) * | 1998-03-26 | 1999-10-08 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | シリコン系薄膜光電変換装置の製造装置 |
| JP2000150379A (ja) * | 1998-11-09 | 2000-05-30 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 結晶質半導体層を有する積層体の製造方法 |
| JP2001352082A (ja) * | 2000-06-05 | 2001-12-21 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体薄膜光電変換装置の製造方法 |
| JP2002009312A (ja) * | 2000-06-16 | 2002-01-11 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 非単結晶薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP2002075877A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Kyocera Corp | 多結晶半導体薄膜の形成方法およびその形成装置およびその多結晶半導体薄膜を用いた太陽電池 |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005340643A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Sharp Corp | 太陽電池用半導体基板の製造方法 |
| JP2007150143A (ja) * | 2005-11-30 | 2007-06-14 | Shimadzu Corp | 太陽電池の反射防止膜成膜方法、太陽電池および成膜装置 |
| JP4715474B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2011-07-06 | 株式会社島津製作所 | 太陽電池の反射防止膜成膜方法、および太陽電池反射防止膜成膜装置 |
| KR100964153B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2010-06-17 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 및 그에 의해 제조되는 태양전지 |
| US7838761B2 (en) | 2006-11-22 | 2010-11-23 | Lg Electronics Inc. | Method for manufacturing solar cell and solar cell manufactured by the method |
| US8426723B2 (en) | 2006-11-22 | 2013-04-23 | Lg Electronics Inc. | Solar cell |
| KR101453086B1 (ko) * | 2007-11-27 | 2014-10-27 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지의 제조방법 |
| JP2011199277A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理方法及び太陽電池セルの製造方法 |
| JP2011199276A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-10-06 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理方法及び太陽電池セルの製造方法 |
| RU2449226C2 (ru) * | 2010-06-18 | 2012-04-27 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнёва" | Подложка панели солнечной батареи и способ ее изготовления |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4518731B2 (ja) | 2010-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6818104B2 (en) | Anodizing apparatus | |
| US4751191A (en) | Method of fabricating solar cells with silicon nitride coating | |
| US9023682B2 (en) | Method for producing a photovoltaic solar cell | |
| JP4829211B2 (ja) | 結晶シリコンからなる太陽電池への高速水素パッシベーションの方法 | |
| JP3647191B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US10840395B2 (en) | Deposition approaches for emitter layers of solar cells | |
| TW201140866A (en) | Method of cleaning and forming a negatively charged passivation layer over a doped region | |
| US8198115B2 (en) | Solar cell, and method and apparatus for manufacturing the same | |
| US20070128761A1 (en) | Manufacturing Method of Solar Cell Element | |
| AU609424B2 (en) | Manufacture of solar cells with anti-reflection coating | |
| JP2004172271A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
| JP2000101111A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2006156646A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP4518731B2 (ja) | 多結晶シリコン基板表面の凹凸形成方法 | |
| JP2009290013A (ja) | 太陽電池の製造方法および太陽電池 | |
| JP7264673B2 (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
| JP7264674B2 (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
| JP2958203B2 (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JP2005136062A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| GB2175137A (en) | Hydrogen passivation of polysilicon | |
| JP2006128391A (ja) | 結晶質シリコン基板のその処理方法および光電変換素子 | |
| JP2003303980A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| JP2009283558A (ja) | 太陽電池およびその製造方法、それを備えた太陽電池システム | |
| JPH0918037A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
| JPS63211684A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050322 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050322 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081006 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090605 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090825 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091023 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100511 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100518 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |