KR101453086B1 - 태양전지의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층이 형성된 기판의 전면과 후면을 프라즈마 처리하는 단계, 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이로 인해, 태양광의 반사도가 줄어들고, 단락 전류 및 개방 전압의 상승을 통해 고효율 태양 전지의 제조가 가능해진다.
태양전지, 플라즈마, 에미터층, BSF, 에지 아이솔레이션

Description

태양전지의 제조방법{Method for manufacturing solar cell}
본 발명은 태양전지에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목받고 있다. 태양 에너지의 이용 방법으로는 태양열을 이용하여 터빈을 회전시키는데 필요한 증기를 발생시키는 태양열 에너지와, 반도체의 성질을 이용하여 태양광(photons)을 전기 에너지로 변환시키는 태양광 에너지가 있으며, 태양광 에너지라고 하면 일반적으로 태양광 전지(이하, '태양전지'라 함)를 일컫는다.
태양전지의 기본적인 구조를 나타낸 도 1을 참조하면, 태양전지는 다이오드와 같이 p형 반도체(101)와 n형 반도체(102)의 접합 구조를 가지며, 태양전지에 빛이 입사되면 빛과 태양전지의 반도체를 구성하는 물질과의 상호 작용으로 (-) 전하 를 띤 전자와 전자가 빠져나가 (+) 전하를 띤 정공이 발생하여 이들이 이동하면서 전류가 흐르게 된다. 이를 광기전력효과(光起電力效果, photovoltaic effect)라 하는데, 태양전지를 구성하는 p형(101) 및 n형 반도체(102) 중 전자는 n형 반도체(102) 쪽으로, 정공은 p형 반도체(101) 쪽으로 끌어 당겨져 각각 n형 반도체(101) 및 p형 반도체(102)와 접합된 전극(103, 104)으로 이동하게 되고, 이 전극(103, 104)들을 전선으로 연결하면 전기가 흐르므로 전력을 얻을 수 있다.
태양전지의 출력 특성은 태양전지의 출력전류-전압곡선을 측정하여 평가한다. 출력전류-전압 곡선 상에서 출력전류(Ip)와 출력전압(Vp)의 곱(Ip×Vp)이 최대가 되는 점을 최대출력(Pm)이라 정의하고, 최대출력 Pm을 태양전지로 입사하는 총 광에너지(S×I: S는 소자면적, I는 태양전지에 조사되는 광의 강도)로 나눈 값을 변환효율 η로 정의한다. 변환효율(η)을 높이기 위해서는 단락전류(출력전류-전압 곡선 상에서 V=0 일 때의 출력전류)(Jsc) 또는 개방전압(출력전류-전압 곡선 상에서 I=0일 때의 출력전압)(Voc)을 높이거나 출력전류-전압곡선의 사각형에 가까운 정도를 나타내는 충실도(fill factor)를 높여야 한다. 충실도의 값이 1에 가까울수록 출력전류-전압곡선이 이상적인 사각형에 근접하게 되고, 변환효율 η도 높아지는 것을 의미하게 된다.
태양전지 제조 시 주로 사용되는 실리콘 기판은 경면(鏡面) 연마 되어 있어 태양광에 대한 반사도가 높다. 따라서, 태양광 입사면 측에서 태양광의 반사도를 저감시킬 수 있는 공정을 적용하여 태양전지를 제조해야만 원하는 광전변환 효율을 갖는 태양전지의 제조가 가능하다.
또한, 태양전지 기판의 p-n 접합은 p형 또는 n형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판을 확산로(diffusion furnace)에 넣고 기판과 다른 도전형을 형성할 수 있는 가스를 확산로에 주입한 후 이를 태양전지 기판의 표면에 확산시켜 에미터층을 형성함에 의해 이루어진다.
종래에는 p-n 접합 형성 시에 빛의 입사면쪽에 형성된 전면 전극과 기판 간의 접촉 특성을 향상시키고, 높은 전류 수집율을 얻을 수 있는 쉘로우(shallow) 접합을 형성하기 위하여 불순물을 과도하게 도핑하는 경향이 있었다. 이러한 경우, 에미터층의 최상부(이하, '데드 레이어(dead layer)'라 함)는 도핑된 불순물의 농도가 실리콘 반도체 내에서의 고체 용해도 이상으로 증가하게 된다. 참고로, 데드 레이어는 대략 50㎚ 내지 200 ㎚ 정도의 두께를 갖는다. 그 결과, 에미터층 표면 부근에서 캐리어의 이동도가 감소하고 과도한 불순물로 인한 산란 영향으로 인해 캐리어의 재결합 속도가 증가하여 캐리어의 라이프 타임(life time)이 감소하는 문제가 발생하였다.
또한, 불순물의 확산을 통해 p-n 접합이 형성되면 태양전지 기판의 표면 전체에 동일한 도전형이 형성되고, 이후 형성되는 전극이 에미터층이나 태양전지 기판과 전기적으로 연결되어 태양전지의 효율감소의 원인이 된다. 이를 막기 위해, 에미터층을 형성할 때 태양전지 기판의 측면에 형성된 불순물 주입층을 기계적인 스크라이빙(scribing)이나, 레이저(laser)를 이용하여 제거하였다. 그런데, 기계적인 스크라이빙을 이용할 경우, 공정시간이 오래 걸리는 문제가 있고, 레이저를 이용할 경우, 공정시간이 오래 걸릴 뿐만 아니라 고온의 레이저에 의해 용융되었다가 다시 굳어진 부위가 효율 손실의 원인이 되기 때문에 레이저 공정을 적용한 후에는 별도의 에칭 공정으로 레이저로 인한 손상부위를 제거해주어야 하는 번거로움이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 태양 전지의 효율을 향상시키는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 태양 전지의 제조 공정을 간소화하는 것이다.
본 발명의 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은 제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계, 상기 에미터층이 형성된 기판의 전면과 후면을 프라즈마 처리하는 단계, 상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고 상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 플라즈마 처리 단계는 상기 에미터층이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 위치시키는 단계, 상기 챔버 내에 플라즈마 소스 가스를 주입하는 단계, 그리고 상기 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 단계를 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 소스 가스는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합 가스일 수 있다.
상기 챔버는 진공 또는 대기압 분위기를 가질 수 있다.
상기 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은 상기 에미터층 형성 단계 전에, 상기 기판의 한 면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 플라즈마 처리된 기판 면은 빛이 입사되는 입사면인 것이 좋다.
상기 특징에 따른 태양 전지의 제조 방법은 상기 에미터층 형성 단계 후, 상기 에미터층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 형성 단계는 상기 반사 방지막 위에 제1 전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계 그리고 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 연결되는 상기 제1 전극으로 형성되는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제2 전극 형성 단계는 상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 BSF를 형성하는 단계를 포함할 수 있고, 상기 제2 전극은 상기 BSF를 통해 상기 기판과 연결될 수 있다.
상기 기판은 실리콘 기판일 수 있고, 상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 및 비정질 실리콘 기판 중 하나일 수 있다.
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이러한 본 발명의 특징에 따르면, 태양광의 반사도가 줄어들고, 단락 전류 및 개방 전압의 상승을 통해 고효율 태양 전지의 제조가 가능해진다.
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이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시 예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
그러면, 도 2 내지 도 7을 참고로 하여, 본 발명의 한 실시예에 따른 태양 전지의 제조 방법에 대하영 설명한다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 순서도이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은, 먼저, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 도전형의 불순물이 도핑된 태양전지 기판(201)을 준비한다. 바람직하게, 태양전지 기판(201)은 단결정이나 다결정 실리콘 기판 또는 비정질 실리콘 기판이다. 하지만, 본 실시예는 이에 한하는 것은 아니다. 태양전지 기판(201)은 전처리 공정으로 웨이퍼의 슬라이싱 가공으로 인해 태양전지 기판(201)의 표면에 발생된 소우 데미지(saw damage)를 습식 식각하여 제거하였다.
그런 다음, 도 3에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(201)을 플라즈마 챔버에 위치시킨 후 태양전지 기판(201) 전면(front surface)인 빛이 입사되는 면을 플라즈마 처리하여 태양광의 반사도를 저감시킨다. 태양광의 반사도 저감은 플라즈마의 미세한 식각 작용으로부터 기인한다. 플라즈마 표면 처리에 의해 태양광의 반사도가 저감되면, 단락 전류(Js)c가 상승하여 그 만큼 태양전지 효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명에서, 플라즈마(plasma)는 중성가스 분자를 전자(electron), 이온(ion), 자유기(free radical) 등이 포함된 고에너지 활성물질로 여기시킨 상태를 말한다. 플라즈마 챔버 내에서 전자는 전장 중에서 전위차로 인하여 가속되는데, 전자가 가속되는 과정 중 가스 분자와 충돌되면서 여기되는 에너지를 방사하게 되고, 충격을 받은 원자가 여기되면서 또 다시 전자를 방출하게 된다. 이렇게 과정이 반복되면서, 전자, 이온, 자유기 및 중성분자가 동시에 존재하는 상태가 되는데, 이를 플라즈마 상태라고 부른다. 그리고 기본적으로 플라즈마 가스는 부분적으로 해리된 가스 및 동일한 양의 양전하와 음전하를 띠는 입자로 구성되며, 그 중 상기 해리된 가스는 높은 활성을 지니게 된다.
도 3에 도시된 공정에서 사용되는 플라즈마의 형성을 위한 소스 가스로는, CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합가스가 사용된다. 하지만 본 발명이 이에 한하는 것은 아니다. 플라즈마는 진공 또는 대기압 조건 하에서 형성된다.
이어서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 도전형과 반대 도전형인 제2 도전형의 불순물을 상기 태양전지 기판(201)의 전면에 주입하여 에미터층(202)을 형성한다. 에미터층(202)이 형성되면, 태양전지 기판(201)에는 p-n 접합이 형성된다. 여기서, 태양전지 기판(201)은 p형 및 n형이 모두 사용될 수 있으며, 그 중 p형 기판은 소수 캐리어의 수명 및 이동도(mobility)가 커서(p형의 경우 전자가 소수 캐리어임) 가장 바람직하게 사용될 수 있다. p형 기판에는 대표적으로 B, Ga, In 등의 3족 원소들이 도핑되어 있다. 기판이 p형인 경우, n형 에미터층은 P, As, Sb 등의 5족 원소들을 확산시켜 형성한다.
제2 도전형의 에미터층(202)을 형성할 때에는, 먼저 태양전지 기판(201)을 확산로(diffusion furnace)에 넣고, 산소 가스와 제2 도전형의 불순물 가스를 주입하여 태양전지 기판(201) 상에 불순물이 유입된 산화막을 형성한다. 여기서, 태양전지 기판(201)이 p형인 경우, 불순물 가스로는 POCl3가 사용될 수 있다. 그런 다음, 고온에서의 열처리를 통해 산화막 내의 불순물을 태양전지 기판(201) 표면으로 드라이브-인(drive-in) 시킨다. 그리고 나서, 태양전지 기판(201)의 표면에 잔류하는 산화막인 PSG막을 제거한다. 그러면 태양전지 기판(201)에는 소정 두께의 에미터층(202)이 형성된다.
상술한 불순물 확산 공정을 통해 에미터층(202)에 주입된 n형 불순물의 농도는 에미터층(202)의 표면에서 가장 높고 에미터층(202)의 내부로 들어갈수록 가우시안(Gaussian) 분포 또는 에러 함수(error function)에 따라 감소된다. 그리고 확산 공정의 진행 시 충분한 양의 n형 불순물이 확산될 수 있도록 공정 조건이 조절되었으므로 에미터층(202)의 최상부에는 고체 용해도 이상의 농도로 n형 불순물이 도핑된 데드 레이어(202')가 존재하게 된다. 또한, 상술한 불순물 확산 공정을 거친 태양전지 기판(201)은 전면에 형성된 에미터층(202) 외에도 측면(side surface)과 후면(rear surface)에도 제2 도전형의 불순물 주입층(207)을 구비하므로 이를 제거하는 공정이 수반되어야 한다.
이러한 공정을 거쳐 에미터층(202)이 형성되면, 도 5에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(201)의 전면(제1 면)과 후면(제2 면)에 대해서 플라즈마를 이용한 표면 처리를 진행한다.
구체적으로, 태양전지 기판(201)의 전면과 후면에 대해서 그 표면을 플라즈마 처리할 때에는, 먼저, 플라즈마 처리를 위한 진공 또는 대기압 분위기의 플라즈마 챔버 내에 태양전지 기판(201)의 전면이 표면 처리될 수 있도록 위치시킨 상태에서 챔버 내에 플라즈마 소스 가스를 주입시킨다. 이때 주입되는 소스 가스로는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합가스가 사용된다. 그리고, 주입된 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시켜 태양전지 기판(201)의 전면을 플라즈마 표면 처리한다.
태양전기 기판(201)의 전면에 대한 플라즈마 표면 처리가 완료되면, 다시 태양전지 기판(201)의 후면이 표면 처리될 수 있도록 진공 또는 대기압 분위기의 플라즈마 챔버 내에 태양전지 기판(201)을 위치시킨 상태에서 플라즈마 소스 가스를 주입시킨다. 이때 주입되는 소스 가스로는 태양전지 기판(201)의 전면을 처리할 때 사용한 플라즈마 소스 가스를 사용할 수 있지만, 태양전지 기판(201)의 후면을 처리할 때에는 O2가스를 더 첨가하는 것이 바람직하다. 플라즈마 소스 가스가 주입되면, 주입된 소스 가스를 플라즈마로 여기시켜 태양전지 기판(201)의 후면을 플라즈마로 표면 처리한다. 바람직하게, 태양전지 기판(201)의 후면을 처리할 때의 식각율(etching rate)이 태양전지 기판(201)의 전면을 처리할 때보다 크도록 제어한다. 한편, 본 실시예는 태양전지 기판(201)의 전면과 후면의 플라즈마 처리 순서에 의해 한정되지 않으므로, 그 반대의 순서로 플라즈마 처리를 시행할 수 있을 것임은 자명하다.
이런 공정을 거쳐 태양전지 기판(201)의 전면과 후면에 대한 플라즈마 처리가 완료되면, 도 6에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(201)의 전면의 플라즈마 처리로 인한 식각 작용에 의해, 에미터층(202)의 데드 레이어(202')가 제거된다. 또한, 태양전지 기판(201) 후면의 플라즈마 처리로 인한 식각 작용에 의해 에미터층(202)을 형성하기 위한 불순물 확산 공정 시 태양전지 기판(201)의 후면에 형성된 불순물 주입층(207)이 제거되고 동시에 태양전지 기판(201) 후면의 표면 조직이 평탄화를 이루게 된다. 이러한 경우, 태양전지 제조 과정에서 태양전지 기판(201)의 측면에 형성된 불순물 주입층(207)을 제거하기 위한 별도의 에지 아이솔레이션(edge isolation) 공정이 생략되므로, 태양전지 제조 과정이 단순해지는 이점이 있을 것임은 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다.
이와 같이, 에미터층(202)으로부터 데드 레이업(202')를 제거하면서 동시에 표면 결함을 제거하여 단락 전류와 개방 전압을 상승시킨다.
그리고 나서, 도 7에 도시된 바와 같이, 태양전지 기판(201)의 전면에 형성된 에미터층(202) 상에 반사 방지막(203)을 형성한다. 반사 방지막(203)은 태양광에 대한 반사율을 낮추기 위해 형성되는 것으로, 대표적으로 실리콘나이트라이드(silicon nitride)를 포함하여 이루어질 수 있으며, 플라즈마 화학기상증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition, PECVD), 화학기상증착법(CVD, chemical vapor deposition) 및 스퍼터링(sputtering)으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 형성될 수 있다. 그리고, 반사 방지막(203)을 관통하며 에미터층(202)과 연결되는 제1 전극인 전면 전극(206)을 형성하고, 태양전지 기판(201)의 반사 방지막(203)이 형성된 면과 반대 면인 후면에 제2 전극인 후면 전극(204)을 형성한다. 전면 전극(206) 및 후면 전극(204)의 형성 순서는 제한되지 않아, 전면 전극(206)과 후면 전극(204) 중 어느 전극을 먼저 형성하여도 무방하다. 이미 설명한 것처럼, 플라즈마 표면 처리에 의해 태양전지 기판(201)의 후면에 형성된 불순물 주입층(207)이 제거되므로, 전면 전극(206)과 후면 전극(204)이 전기적으로 연결될 우려가 사라지게 된다.
전면 전극(206)은 은(Ag)과 글라스 프릿(glass frit)을 포함하는 전면 전극 형성용 페이스트(paste)를 정해진 패턴에 따라 반사 방지막(203) 위에 스크린 인쇄한 후 열처리하여 형성될 수 있으며, 이때 열처리를 통해 전면 전극(206)은 반사 방지막(203)을 관통하여 에미터층(202)과 연결된다(punch through). 전면 전극(206)은 은(Ag)을 포함하고 있어 전기 전도성이 우수하다.
후면 전극(204)은 알루미늄(Al)을 포함하는 후면 전극 형성용 페이스트를 태양전지 기판(201)의 후면에 스크린 인쇄한 후 열처리하여 형성될 수 있으며, 열처리에 의해 태양전지 기판(201)은 후면 전극(204)과 접하는 면으로부터 소정 깊이까지 전극 형성 물질인 알루미늄(Al)이 도핑되어 BSF(back surface field)(205)가 형성된다. 후면 전극(204)은 알루미늄(Al)을 포함하고 있으므로 전기 전도성이 우수할 뿐만 아니라 실리콘과의 친화력이 좋아서 태양전지 기판(201)과의 접합성이 우수하다. 또한, 이미 설명한 것처럼, 알루미늄(Al)은 3족 원소로서 태양전지 기판(201)과의 접합면에서 P+층인 BSF(205)을 형성하므로, 캐리어들이 표면에서 소멸되지 않고 BSF(205) 방향으로 모이도록 한다. 본 실시예에서는 태양전지 기판(201)의 후면을 플라즈마 표면 처리를 통해 평탄화시킴으로써, 상기 BSF(205)의 형성에 있어 종래보다 균일한 형성이 가능하여 개방 전압이 향상되는 것과 같이, BSF(205)에 의한 효과가 향상되어 태양전지의 효율을 증대시킬 수 있다.
또한, 별도의 에지 아이솔레이션 공정을 행하지 않으므로 태양전지 제조 과정이 단순해진다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되지 않아야 한다.
도 1은 태양전지의 기본적인 구조를 도시한 개략도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 한 실시예에 따른 태양전지의 제조방법을 순차적으로 도시한 공정 순서도이다.

Claims (11)

  1. 제1 도전형을 갖는 기판에 상기 제1 도전형과 반대인 제2 도전형을 갖는 에미터층을 형성하는 단계,
    상기 에미터층 형성 단계에 의해 상기 에미터층 내의 최상부에 데드 레이어(dead layer)를 형성하는 단계,
    상기 에미터층 형성 단계에 의해 상기 기판의 후면에 상기 제2 도전형의 불순물 주입층이 형성되는 단계,
    상기 에미터층이 형성된 상기 기판의 전면을 플라즈마처리하여 상기 데드 레이어를 제거하는 단계,
    상기 기판의 후면을 플라즈마 처리하여 상기 제2 도전형의 불순물 주입층을 제거함과 동시에 상기 기판의 후면을 평탄화하는 단계,
    상기 에미터층과 연결되는 제1 전극을 형성하는 단계, 그리고
    상기 제1 전극과 분리되어 있고, 상기 기판과 연결되는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 에미터층 형성 단계 전에, 상기 기판의 전면을 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 플라즈마 처리 단계는,
    상기 에미터층이 형성된 상기 기판을 챔버 내에 위치시키는 단계,
    상기 챔버 내에 플라즈마 소스 가스를 주입하는 단계, 그리고
    상기 플라즈마 소스 가스를 플라즈마 상태로 여기시키는 단계
    를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 플라즈마 소스 가스는 CF4, SF6, Cl 및 O2 중 선택된 하나 또는 이들의 혼합 가스인 태양 전지의 제조 방법.
  4. 제2항에서,
    상기 챔버는 진공 또는 대기압 분위기를 가지는 태양 전지의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제1항에서,
    상기 에미터층 형성 단계 후, 상기 에미터층 위에 반사 방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 제1 전극 형성 단계는 상기 반사 방지막 위에 제1 전극 형성용 페이스트를 도포하는 단계 그리고 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 도포된 상기 기판을 열처리하여, 상기 제1 전극 형성용 페이스트가 상기 반사 방지막을 관통하여 상기 에미터층과 연결되는 상기 제1 전극으로 형성되는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법.
  9. 제1항에서,
    상기 제2 전극 형성 단계는 상기 기판과 상기 제2 전극 사이에 BSF를 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 전극은 상기 BSF를 통해 상기 기판과 연결되는
    태양 전지의 제조 방법.
  10. 제1항에서,
    상기 기판은 실리콘 기판인 태양 전지의 제조 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 기판은 단결정 실리콘 기판, 다결정 실리콘 기판 및 비정질 실리콘 기판 중 하나인 태양 전지의 제조 방법.
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