JP2007150143A - 太陽電池の反射防止膜成膜方法、太陽電池および成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】Ｈ_２パッシベーション効果の高い太陽電池の反射防止膜の成膜方法、太陽電池および成膜装置を提供する。
【解決手段】反射防止膜を形成する前の基板３１１を基板ホルダ５１０にセットした後、基板ホルダ５１０を上方に移動して誘電体板５０５に近づける。そして、プロセスガス導入管５０７を通してＨ_２ガスとＡｒガスとをチャンバ５０１内に導入し、表面波励起プラズマＰにより基板３１１の表面を１分間プラズマ処理する。プラズマ処理後、基板ホルダ５１０を下方に移動し、プロセスガス導入管５０７を通してＮＨ_３ガス、Ａｒガスをそれぞれチャンバ５０１内に導入し、材料ガス導入管５０８を通してＳｉＨ_４ガスをチャンバ５０１内に導入する。そして、表面波励起プラズマＰにより基板３１１の表面に窒化シリコン層を形成する。
【選択図】図５

Description

本発明は、太陽電池の反射防止膜成膜方法、太陽電池および太陽電池の反射防止膜を成膜する成膜装置に関する。

太陽電池は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する電子デバイスであり、人工衛星や腕時計、電卓の電源などに実用化されている。太陽電池は、基本的には、ｎ型シリコンとｐ型シリコンという積層構成の半導体で構成されており、この半導体に光が当たると光電効果により電気が発生する。太陽電池は、太陽光を効率よく吸収するために、太陽電池の受光面を反射防止膜で被覆している。従来、この種の反射防止膜として、プラズマＣＶＤ法により、水素を含有する窒化シリコン膜を太陽電池の受光面に形成する技術が知られている（特許文献１）。また、太陽電池の反射防止膜である窒化シリコン膜中の水素が、太陽電池のシリコン基板に発生しているダングリングボンドを終端して太陽電池の効率を上げるＨ_２パッシベーション効果が知られている（特許文献２）。

特開２０００−２９９４８２号公報 特開２００３−２７３３８２号公報

特許文献１および特許文献２では、プラズマＣＶＤ法による成膜時の成膜条件によって窒化シリコン中の水素の濃度を調節する。このため、Ｈ_２パッシベーション効果を高めるために窒化シリコン中の水素の含有量を大きくしようとすると、成膜時の反応ガス使用量が増加したり、成膜条件の制御が困難になるなど、生産性の低下をもたらすという問題点があった。

（１）請求項１の発明の太陽電池の反射防止膜成膜方法は、アルゴンガスおよび水素ガスのプラズマ、または窒素ガスのプラズマをシリコン基板表面に照射するプラズマ処理工程と、プラズマを照射したシリコン基板表面にプラズマを用いて窒化シリコン膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法において、プラズマ処理工程におけるアルゴンガスおよび水素ガスのプラズマ、または窒素ガスのプラズマは表面波励起プラズマであることを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項１または２に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法において、プラズマ処理工程は、シリコン基板を２８０℃以上４５０℃以下で行うことを特徴とする。
（４）請求項４の発明の太陽電池は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法によって反射防止膜を形成することを特徴とする。
（５）請求項５の発明の成膜装置は、チャンバ内に希ガスおよび反応性活性種となるガス、または希ガスを導入するプロセスガス導入手段と、チャンバ内に材料ガス、または材料ガスおよび反応性活性種となるガスを導入する材料ガス導入手段と、チャンバに設けられ、表面波を発生してプロセスガス導入手段によって導入されたガスの表面波励起プラズマを生成する誘電体板と、チャンバに設けられ、基板を保持する基板ホルダと、プロセスガス導入手段によって導入されたガスの表面波励起プラズマによって基板の表面をプラズマ処理するときは、基板ホルダと誘電体板との間の距離を第１の値とし、プロセスガス導入手段によって導入したガスの表面波励起プラズマと材料ガス導入手段によって導入した材料ガスとによって基板の表面に成膜しているときは、ホルダと誘電体板との間の距離を、第１の値より大きな値とする位置変更手段とを備えていることを特徴とする。
（６）請求項６の発明は、請求項５に記載の成膜装置において、基板の表面をプラズマ処理するときは、プロセスガス導入手段によってアルゴンガスおよび水素ガス、または窒素ガスを導入し、基板の表面に成膜しているときは、基板の表面に成膜しているときは、材料ガス導入手段およびプロセスガス導入手段によってＳｉ元素を含む材料ガス、材料ガスを窒化するガスおよび希ガスを導入することを特徴とする。

本発明によれば、反射防止膜の成膜前に、ＡｒガスおよびＨ_２ガスのプラズマ、またはＮ_２ガスのプラズマによるプラズマ処理を行うので、Ｈ_２パッシベーション効果を高めることができる。

以下、本発明の実施形態の太陽電池について、図１を参照しながら説明する。図１は、太陽電池の断面図である。太陽電池１は、ｐ型シリコン基板層１１、ｎ型拡散層１２、ｐ^＋裏面側不純物拡散層１３、反射防止膜１４、表面電極１５、裏面電極１６および半田層１７，１８から構成される。

ｐ型シリコン基板層１１は、ホウ素などの３価元素を微量に加えたシリコンからなる。ｐ型シリコン基板層は単結晶でも多結晶でもよい。ｎ型拡散層１２は、ｎ型のドーパントとしてリンをｐ型シリコン基板の表面に拡散することによって形成される。ｐ型シリコン基板層１１とｎ型拡散層１２とによってｐｎ結合を形成している。ｐ^＋裏面側不純物拡散層１３は、ｐ型のドーパントとしてアルミニウムをｐ型シリコン基板の表面に拡散することによって形成される。反射防止膜１４には窒化シリコンが用いられ、表面電極１５および裏面電極１６にはＡｇ電極が用いられる。

次に、本実施の形態の太陽電池の製造方法について、図２を参照しながら説明する。
ステップＳ２０１では、ｐ型シリコン基板の表面に微細凹凸構造を形成するために表面処理を行う。アルカリ水溶液でエッチングする方法や反応性イオンエッチング法による方法などによって表面処理を行う。シリコン基板の表面に微細凹凸構造を形成することによってシリコン基板表面の光の反射を抑えることができる。ステップＳ２０２では、ｎ型ドーパントをｐ型シリコン基板の表面から拡散し、ｎ型拡散層１２を形成する。ｎ型ドーパントとしてリン（Ｐ）を使用する。ＰＯＣｌ_３を用いた気相拡散法、Ｐ_２Ｏ_５を用いた塗布拡散法、Ｐイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法などにより、リンをｐ型シリコン基板の表面に拡散する。

ステップＳ２０３では、ｎ型ドーパントを拡散したｐ型シリコン基板の一方の面のｎ型拡散層を除去するためにエッチング処理を行う。ステップＳ２０４では、エッチングしたｐ型シリコン基板の表面からｐ型のドーパントを拡散し、ｐ^＋裏面側不純物拡散層１３を形成する。ｐ型のドーパントとしてアルミニウム（Ａｌ）を使用する。エッチングしたｐ型シリコン基板の表面にＡｌペーストを塗布し、熱処理することによってアルミニウムをｐ型シリコン基板の表面に拡散する。

ステップＳ２０５では、水素雰囲気中で熱処理する。ステップＳ２０６では、表面波励起プラズマ装置を使用してｎ型拡散層１２の表面をプラズマ処理する。ステップＳ２０７では、ｎ型拡散層１２の表面に反射防止膜１４を形成する。反射防止膜は、表面波励起プラズマ装置を使用して形成する。ステップＳ２０８では、表面電極１５および裏面電極１６のパターニングを行う。パターニングは、Ａｇ粉、バインダ、フリットからなるＡｇペーストをスクリーン印刷することによって行う。太陽電池の効率を高めるために電極はくし型パターンに形成される。ステップＳ２０９では、印刷したＡｇペーストを焼成し、電極を形成する。ステップＳ２１０で、半田ディップ法で半田層１７、１８を形成する。

次に反射防止膜１４の成膜について詳細に説明する。
ステップＳ２０４の工程まで完了した太陽電池は、図３に示す反射防止膜形成装置３０１に搬送される。この太陽電池を、便宜上、単に基板３１１と呼ぶ。反射防止膜形成装置３０１では、基板３１１を熱処理した後、基板３１１をプラズマ処理し、その後、基板３１１の表面に反射防止膜１４を形成する。

反射防止膜形成装置３０１は、チャンバ３０２、加熱室３０３、表面波励起プラズマ装置３０４、搬送室３０５から構成される。チャンバ３０２は、基板３１１の雰囲気を外気雰囲気から所定の雰囲気に置換する容器である。基板３１１が搬入されると、チャンバ内は真空排気され、その後、所定のガスが導入される。加熱室３０３は、基板３１１に窒化シリコン膜を形成する工程の前工程における熱処理装置である。表面波励起プラズマ装置３０４は、基板３１１の表面をプラズマ処理したり、表面に窒化シリコン膜を形成する装置である。搬送室３０５には、反射防止膜形成装置内で基板３１１を移動するための不図示の搬送装置が格納されている。この搬送装置は、チャンバ３０２から加熱室３０３へ、加熱室３０３から表面波励起プラズマ装置３０４へ、表面波励起プラズマ装置３０４からチャンバ３０２へ基板３１１を搬送する。図３中の矢印Ａ〜Ｃは、基板３１１の移動を順に示す。

図３に示される加熱室３０３の詳細を、図４を参照しながら説明する。図４は、加熱室３０３の概略構成を示す断面図である。加熱室３０３は、ランプヒータ４０１、基板ホルダ４０２、プロセスガス導入管４０３および真空排気管４０４を備える。ランプヒータ４０１は、ランプヒータ４０１から発せられる赤外線によって試料ホルダ４０２に搭載された基板３１１を３００℃〜４５０℃で約３０分間加熱する。プロセスガス導入管４０３から加熱室３０３へＨ_２ガスなどのプロセスガスが導入される。加熱室３０３の底板には真空排気管４０４が配設され、不図示の真空排気ポンプに接続している。プロセスガス導入管４０３を通して加熱室３０３内にガスを導入しながら真空排気管４０４により排気することによって、加熱室３０３内を一定の圧力に保持する。

図３に示される表面波励起プラズマ装置３０４の詳細を、図５を参照しながら説明する。図５は、表面波励起プラズマ装置の概略構成を示す断面図である。表面波励起プラズマ装置（以下、ＳＷＰ装置という）は、表面波を利用して大面積に高密度のプラズマを容易に発生することができ、このプラズマは、表面波励起プラズマ（ＳＷＰ：Surface Wave Plasma）と呼ばれる。

図５において、ＳＷＰ装置３０４は、チャンバ５０１、マイクロ波導波管５０２、終端整合器５０３、スロットアンテナ５０４、誘電体板５０５、側面反射板５０６、プロセスガス導入管５０７、材料ガス導入管５０８、真空排気管５０９、基板ホルダ５１０および回転昇降装置５１１を備える。このＳＷＰ装置３０４は、その内部空間に生成する表面波励起プラズマＰを利用して、基板ホルダ５１０に保持された基板３１１の表面に成膜する。基板ホルダ５１０は、回転昇降装置５１１により上下方向の移動と回転が可能であり、必要に応じて、成膜対象である基板の加熱、冷却、電界印加などが可能に構成される。

チャンバ５０１の上部には、石英、アルミナまたはジルコニアなどで作製された誘電体板５０５が設けられている。誘電体板５０５の上面に接して、マイクロ波導波管５０２が載置されている。誘電体板５０５と接するマイクロ波導波管５０２の底板には、長矩形の開口であるスロットアンテナ５０４が複数個設けられている。

プロセスガス導入管５０７および材料ガス導入管５０８から成膜ガスがチャンバ５０１内に導入される。成膜ガスのうち、プロセスガス導入管５０７から希ガスおよび反応性活性種の原料となるガス、または希ガスが導入され、材料ガス導入管５０８から材料ガス、または材料ガスおよび反応性活性種の原料となるガスが導入される。反応性活性種の原料となるガスとしては、Ｎ_２ガス、Ｏ_２ガス、Ｈ_２ガス、ＮＯ_２ガス、ＮＯガス、ＮＨ_３ガスなどが用いられ、希ガスとしては、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｋｒガス、Ｘｅガスなどが用いられる。また、材料ガスとしては、ＳｉＨ_４ガス、Ｓｉ_２Ｈ_６ガスなどのシリコン薄膜あるいはシリコン化合物薄膜の成分であるＳｉ元素を含むガスが用いられる。

チャンバ５０１の底板には真空排気管５０９が配設され、不図示の真空排気ポンプに接続している。プロセスガス導入管５０７、材料ガス導入管５０８からガスをチャンバ５０１内に導入しながら真空排気ポンプによる排気を行うことによって、チャンバ５０１内を所定圧力に保持することができる。

上記のように構成されたＳＷＰ装置３０４では、マイクロ波発生源から周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波導波管５０２内に伝搬させ、終端整合器５０３によってＴＥ１０モードの定在波Ｔを発生させる。そして定在波Ｔは、定在波Ｔの波長の間隔に設置したスロットアンテナ５０４から誘電体板５０５へ放射される。スロットアンテナ５０４から放射されたマイクロ波は誘電体板５０５の内部を伝播し、側面反射板５０６で囲われた範囲で固有の定在波を発生させる。そして表面波ＳＷが誘電体板５０５表面に発生する。この表面波ＳＷによって誘電体板５０５直下の成膜ガスが電離、解離されて表面波励起プラズマＰが生成する。

表面波励起プラズマＰは、誘電体板５０５表面とプラズマ境界面の間でエネルギーの授受が行われ、誘電体板５０５表面近傍のみに高エネルギーのプラズマが分布し、誘電体表面から離れるにしたがって指数関数的にエネルギーレベルが減少する。誘電体板５０５から２００ｍｍ程度の距離ではイオンエネルギーは２０ｅｖ以下となる。このように表面波励起プラズマＰには高エネルギー領域と低エネルギー領域が発生するので、高エネルギー領域でラジカル生成を行い、低エネルギー領域に材料ガスを導入することによって、高効率ラジカル生成と、低ダメージ高速成膜が可能となる。

表面波ＳＷは、誘電体板５０５の内面全域に拡がるので、表面波励起プラズマＰもチャンバ５０１内で誘電体板５０５に対応した領域に拡がる。よって誘電体板５０５を拡張することで大面積対応が可能となる。この表面波励起プラズマＰを利用して、反射防止膜形成前の基板３１１の表面をプラズマ処理したり、基板３１１上に反射防止膜１４を成膜する。

次に、本発明の実施形態である太陽電池の反射防止膜の成膜方法を説明する。本発明の実施形態である太陽電池の反射防止膜成膜方法は図２のステップＳ２０６のプラズマ処理とステップＳ２０７の反射防止膜形成の工程とに対応する。
（１）プラズマ処理
反射防止膜形成前の基板３１１を、搬送室３０５の搬送装置によってＳＷＰ装置３０４の基板ホルダ５１０にセットして、チャンバ５０１内を０．０１Ｐａ程度の高真空に排気した。次に、図６に示すように、回転昇降装置５１１により基板ホルダ５１０を上方に移動して誘電体板５０５に近づけた。このときの誘電体板５０５と基板３１１の表面との間の距離を１００ｍｍ以下とした。この距離内の領域は高エネルギー領域である。そして、真空排気しながらプロセスガス導入管５０７を通してＨ_２ガスとＡｒガスとを導入し、チャンバ５０１内の圧力を４．０Ｐａに保持した。反射防止膜形成前の基板３１１の基板温度を２８０℃以上、４５０℃以下のうちの所定温度に設定した後、マイクロ波電力２．０ｋＷのマイクロ波により表面波励起プラズマＰを生成し、表面波励起プラズマＰを基板３１１の表面に照射して１分間プラズマ処理した。このとき、Ｈ_２ガスのガス流量を５０ｓｃｃｍとし、Ａｒガスのガス流量を１４４ｓｃｃｍとした。

（２）窒化シリコン層の形成
プラズマ処理完了後、基板ホルダ５１０を下方に移動し、図５に示す位置に戻した。そして、チャンバ５０１内を再び０．０１Ｐａ程度の高真空に排気した。その後、真空排気しながら、プロセスガス導入管５０７を通してＡｒガスを導入し、材料ガス導入管５０８を通してＳｉＨ_４ガスおよびＮＨ_３ガスを導入し、チャンバ５０１内の圧力を４．０Ｐａに保持した。基板温度を２８０℃以上、４５０℃以下の所定温度に設定した後、マイクロ波電力２．０ｋＷのマイクロ波により生成した表面波励起プラズマＰを反射防止膜形成前の基板３１１の表面に照射して約４分間の成膜を行い、厚さ約８００オングストロームの窒化シリコン層１４を形成した。このとき、ＳｉＨ_４ガスのガス流量は５０ｓｃｃｍ、ＮＨ_３ガスのガス流量を６０ｓｃｃｍ、Ａｒガスのガス流量を１４４ｓｃｃｍとした。これより、反射防止膜１４を形成した基板３１１が得られた。

以上のように作製した窒化シリコン膜のＨ_２パッシベーション効果を調べるために、反射防止膜を形成した基板３１１に光輻射を行い、キャリヤのライフタイム試験を行った。Ｈ_２パッシベーション効果の高い基板５１１では、シリコンのダングリングボンドの多くが水素と結合するため欠陥密度が小さくなるため、光照射によって生成した電子と正孔のライフタイムが長い。一方、Ｈ_２パッシベーション効果の低い基板では、ダングリングボンドが多く存在するため欠陥密度が高く、光照射によって生成した電子と正孔はこれらの欠陥によってすぐに捕捉されるため、ライフタイムが短くなる。このため、ライフタイムを測定することによって、Ｈ_２パッシベーション効果の程度を調べることができる。

プラズマ処理を行った反射防止膜形成後の基板３１１のライフタイムは１００μｓであった。一方、プラズマ処理を行わずに反射防止膜を形成した基板のライフタイムは５０〜７０μｓであった。以上の結果より、窒化シリコンの反射防止膜を形成する前に、プラズマ処理を行うことによって、Ｈ_２パッシベーション効果が高くなることがわかった。

反射防止膜形成前にプラズマ処理を行うとＨ_２パッシベーション効果が高くなる理由として、次のことが考えられる。プラズマ処理を行うと、基板３１１の表面の温度が上昇する。このため、窒化シリコンに含有している水素の熱拡散が促進され、Ｈ_２パッシベーション効果が高くなったものと考えられる。なお、窒化シリコンの成膜でＮＨ_３ガスが用いられているので、窒化シリコンは水素を含有している。また、アルゴンガスと水素ガスのプラズマによってプラズマ処理するため、反射防止膜形成前の基板３１１の表面の水素濃度が非常に高くなる。そして、この表面の水素のアニーリングによってＨ_２パッシベーション効果が高くなったものと考えられる。

以上の実施形態による太陽電池の反射防止膜の成膜方法は次のような作用効果を奏する。
（１）表面波励起プラズマ装置３０４を使用して、Ｈ_２ガスとＡｒガスとのプラズマでシリコン基板（反射防止膜形成前の基板３１１）の表面をプラズマ処理した後、シリコン基板の表面に窒化シリコンの反射防止膜１４を形成することによって、Ｈ_２ハッシベーション効果を高めることができる。また、４５０℃以下の低温でＨ_２のパッシベーション効果の高い窒化シリコン膜を形成することができる。さらに、約２００オングストローム／分の速い成膜速度で反射防止膜を形成することができる。

（２）表面波励起プラズマ装置３０４の基板ホルダ５１０は上下方向に可動であるため、シリコン基板のプラズマ処理時にシリコン基板を高エネルギーのプラズマが分布している誘電体板５０５の表面に近づけることができる。したがって、効率よくプラズマ処理を行うことができる。そして、その後、誘電体板５０５からシリコン基板を離すことができるので、低ダメージ高速成膜が可能となる。

（３）表面波励起プラズマ装置３０４によって反応ガスは完全に解離するので、表面波励起プラズマ装置３０４の内部に付着する生成物の量は少ない。このため、表面波励起プラズマ装置３０４のクリーニングの頻度は少なくなる。また、表面波励起プラズマ装置３０４の内部の温度が低いので、クリーニング作業が可能となる温度に下がるまでに要する時間が短い。このためクリーニングをするために表面波励起プラズマ装置３０４を停止させる時間を短くすることができる。

（４）プラズマ処理に使用したプラズマ装置をそのまま用いて窒化シリコンを成膜するので、プラズマ処理と窒化シリコン層の形成とを効率よく行うことができる。

以上の実施の形態の太陽電池の反射防止膜の成膜方法を次のように変形することができる。
（１）プラズマ処理に表面波励起プラズマを使用したが、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）プラズマ、平行平板型プラズマまたは誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）などのプラズマを使用してもよい。

（２）プラズマ処理のときＨ_２ガスとＡｒガスをチャンバ５０１内に導入したが、窒素ガスを導入してもよい。窒素ガスのプラズマによっても窒化シリコンに含有している水素の熱拡散が促進され、Ｈ_２パッシベーション効果が高くなる。

（３）表面波励起プラズマ装置３０４で窒化シリコン膜を形成する際、ＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ａｒガスを使用したが、ＳｉＨ_４、ＮＨ_３、Ｎ_２ガスを使用してもよい。

（４）加熱室３０３で熱処理をする際、基板３１１の加熱にランプヒータ４０１を使用したが、ランプヒータ４０１の代わりにホットプレートやシースヒータを使用してもよい。

（５）平行平板型プラズマでプラズマ処理をする際、基板を電極に近づけるようにしてもよい。たとえば、プラズマ処理をする際は基板と電極との間の距離を５０ｍｍとしてもよい。

本発明の太陽電池の断面図である。 本発明の太陽電池の製造工程を示すフローチャートである。 本願発明の一実施形態である反射防止膜形成装置を説明する図である。 本願発明の一実施形態である加熱室を説明する図である。 本願発明の一実施形態である表面波励起プラズマ装置を説明する図である。 プラズマ処理をするときの表面波励起プラズマ装置を説明するための図である。

符号の説明

１ 太陽電池
１１ ｐ型シリコン基板層
１２ ｎ型拡散層
１３ ｐ^＋裏面側不純物拡散層
１４ 反射防止膜
１５ 表面電極
１６ 裏面電極
１７，１８ 半田層
３０１ 反射防止膜形成装置
３０２ チャンバ
３０３ 加熱室
３０４ 表面波励起プラズマ装置
３０５ 搬送室
３１１ 基板
５０１ チャンバ
５０５ 誘電体基板
５０７ プロセスガス導入管
５０８ 材料ガス導入管
５１０ 基板ホルダ
５１１ 回転昇降装置
Ｐ 表面波励起プラズマ
ＳＷ 表面波

Claims (6)

1. アルゴンガスおよび水素ガスのプラズマ、または窒素ガスのプラズマをシリコン基板表面に照射するプラズマ処理工程と、
   前記プラズマを照射したシリコン基板表面にプラズマを用いて窒化シリコン膜を形成する成膜工程とを有することを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。
2. 請求項１に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法において、
   前記プラズマ処理工程におけるアルゴンガスおよび水素ガスのプラズマ、または窒素ガスのプラズマは表面波励起プラズマであることを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。
3. 請求項１または２に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法において、
   前記プラズマ処理工程は、前記シリコン基板を２８０℃以上４５０℃以下で行うことを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の太陽電池の反射防止膜成膜方法によって反射防止膜を形成することを特徴とする太陽電池。
5. チャンバ内に希ガスおよび反応性活性種となるガス、または希ガスを導入するプロセスガス導入手段と、
   前記チャンバ内に材料ガス、または材料ガスおよび反応性活性種となるガスを導入する材料ガス導入手段と、
   前記チャンバに設けられ、表面波を発生して前記プロセスガス導入手段によって導入されたガスの表面波励起プラズマを生成する誘電体板と、
   前記チャンバに設けられ、基板を保持する基板ホルダと、
   前記プロセスガス導入手段によって導入されたガスの表面波励起プラズマによって前記基板の表面をプラズマ処理するときは、前記基板ホルダと前記誘電体板との間の距離を第１の値とし、前記プロセスガス導入手段によって導入したガスの表面波励起プラズマと前記材料ガス導入手段によって導入したガスとによって前記基板の表面に成膜しているときは、前記ホルダと前記誘電体板との間の距離を、第１の値より大きな値とする位置変更手段とを備えていることを特徴とする成膜装置。
6. 請求項５に記載の成膜装置において、
   前記基板の表面をプラズマ処理するときは、前記プロセスガス導入手段によってアルゴンガスおよび水素ガス、または窒素ガスを導入し、
   前記基板の表面に成膜しているときは、前記材料ガス導入手段および前記プロセスガス導入手段によってＳｉ元素を含む材料ガス、前記材料ガスを窒化するガスおよび希ガスを導入することを特徴とする成膜装置。

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