JP2009038316A - 反射防止膜成膜方法、および反射防止膜成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、低温での処理を行うことで高いＨ₂パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の前処理としてＮ₂ガスを用いたプラズマ処理を行うことで、イオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去し、この自然酸化膜の除去によって半導体表面での熱拡散を促進させ、これによって低温での成膜を可能とするものであり、成膜温度を低温とすることで、Ｈ₂パッシベーション効果の高い反射防止膜を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、反射防止膜の成膜方法および反射防止膜成膜装置に関し、特に、表面波プラズマ処理による太陽電池の反射防止膜の成膜に関する。

基板上に成膜を行って薄膜等を製造する成膜装置が知られている。このような成膜装置として、プラズマＣＶＤ装置があり、太陽電池用薄膜、感光ドラム、液晶ディスプレイ等に用いられるＴＦＴアレイ等の種々の半導体製造に使用されている。

太陽電池は、一般にｎ型シリコンとｐ型シリコンの積層構成の半導体で構成され、この半導体に光が当たると光電効果により電気が発生する。太陽電池は、太陽光を効率よく吸収するために、通常、太陽電池の受光面を反射防止膜で被覆している。従来、この種の反射防止膜として、ＰＶＤ法及び蒸着法によって作成する方法、スピンオン法，スプレー法，ディップ法で塗布し堆積させた後、熱処理によって作成する方法の他、プラズマＣＶＤ法により、水素を含有する窒化シリコン膜を太陽電池の受光面に形成する技術が知られている（特許文献１）。プラズマＣＶＤ法では、平行平板プラズマＣＶＤによって、半導体基板を例えば５５０℃で加熱して反射防止膜用の窒化シリコン膜（ＳｉＮ_x）を形成している。

また、太陽電池の反射防止膜である窒化シリコン膜中の水素が太陽電池のシリコン基板に拡散され、太陽電池の効率が上がるパッシベーション効果が知られている（特許文献２）。

平行板プラズマＣＶＤ装置を用いて窒化シリコン膜を成膜することで反射防止膜に形成することが一般的であるが、大面積に基板を処理する場合には、この大面積用に対応した電極では、異常放電が発生しやすいという問題があり、また、電極構造が複雑となるため、高密度プラズマに適した周波数領域を得ることが困難である。

特許文献１および特許文献２の窒化シリコン膜は、プラズマＣＶＤ法による成膜時の成膜条件によって窒化シリコン中の水素の濃度を調節する。このため、Ｈ₂パッシベーション効果を高めるために窒化シリコン中の水素の含有量を大きくしようとすると、成膜時の反応ガス使用量が増加したり、成膜条件の制御が困難になるなど、生産性の低下をもたらすという問題点があった。また特許文献２では、Ｈ₂パッシベーション効果を高めるために３５０℃以上の温度で成膜しなくてはならない。このため、プラズマＣＶＤ装置の内部に付着する生成物が多くなり、プラズマＣＶＤ装置内のクリーニング頻度が高くなるという問題点があった。

また、低周波数で処理することによって、Ｈ₂パッシベーション効果が高い窒化シリコン膜（ＳｉＮ_x）が得られることが知られている。

また、緻密な膜を作成するには、良好な熱拡散によって均一な温度分布を形成する必要である。良好な熱拡散は高温とすることで得ることができるが、高温処理とした場合には、上述したように、プラズマＣＶＤ装置の内部に付着する生成物が多くなり、メンテナンス頻度が高まるという問題点が発生する。

プラズマを用いて窒化シリコン膜（ＳｉＮ_x）の成膜において、プラズマＣＶＤ装置の温度を上げずに、また、Ｈ₂パッシベーション効果の高い窒化シリコン膜を形成するために、本発明の発明者は、表面波プラズマを用いた成膜方法を提案している（特許文献３）。

特開２０００−２９９４８２号公報 特開２００３−２７３３８２号公報 特開２００５−３４０３５８号公報

表面波プラズマ処理によって太陽電池の反射防止膜用の窒化シリコン膜（ＳｉＮ_x）を作成する場合、例えば４５０℃以上の高温成膜が必要である。表面波プラズマ処理において、低温成膜（例えば、４００℃）以下、では、成膜レートが上昇した場合、目標成膜膜厚８００Åに対してＨ₂パッシベーション効果が不十分となるという問題がある。

このような問題に対して、前記した特許文献３では、結晶性シリコン基板の受光面側に窒化シリコン膜の反射防止膜を形成して成る太陽電池の製造において、窒化シリコン膜を表面波プラズマ処理等の高密度プラズマＣＶＤ法により成膜し、成膜した窒化シリコン膜を水素を含む雰囲気中で熱処理することで、処理温度を低下させている。

この処理によれば、処理温度を低下させることができるものの、窒化シリコン膜を高密度プラズマＣＶＤ法により形成する成膜工程や成膜手段に加えて、窒化シリコン膜を水素を含む雰囲気中で熱処理するための熱処理工程や熱処理手段を要するため、工程および構成要素が増えることになる。

そこで、本発明は上記課題を解決して、表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、低温での処理を行うことで高いＨ₂パッシベーション効果を得ることを目的とする。

また、表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の後に行う熱処理を不要とすることを目的とする。

本発明は、表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の前処理としてＮ₂ガスを用いたプラズマ処理を行うことで、イオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去し、この自然酸化膜の除去によって半導体表面での熱拡散を促進させ、これによって低温での成膜を可能とするものであり、成膜温度を低温とすることで、Ｈ₂パッシベーション効果の高い反射防止膜を形成するものである。

本発明は成膜方法の態様、成膜装置の態様、および、成膜方法で形成された太陽電池の態様の各態様とすることができる。

本発明の成膜方法の態様は、太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、成膜工程とこの成膜工程の前処理を行う工程とを備え、前処理工程によって成膜工程における熱拡散を向上させて、低温での成膜を可能とする。

前処理工程は、半導体表面をＮ₂ガスを用いてプラズマ処理を行う。このＮ₂ガスを用いてプラズマ処理は、イオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去する。

成膜処理工程は、前処理工程によって酸化膜を除去した半導体表面に表面波プラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜を成膜する。前処理工程は半導体表面の自然酸化膜を除去するため、自然酸化膜で低減されていた半導体表面の熱拡散は良好となる。

本発明の成膜方法を適用する太陽電池の半導体表面として、多結晶の結晶性シリコンの表面、あるいは単結晶の結晶性シリコンの表面とすることができる。

本発明の成膜装置の態様は、太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜の反射防止膜を形成する成膜装置において、半導体表面に表面波プラズマ処理を施す成膜室と、この成膜室にプロセスガスを導入するプロセスガス導入部と材料ガスを導入する材料ガス導入部とを備える。

プロセスガス導入部は、成膜室内に窒素ガス（Ｎ₂）を導入してプラズマ処理を行い、この窒素ガス（Ｎ₂）によるプラズマ処理によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去する。

また、材料ガス導入部は、窒素ガス（Ｎ₂）のプラズマ処理によって自然酸化膜を除去した後、成膜室内に材料ガスを導入して表面波プラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜を成膜する。この成膜処理において、半導体表面の熱拡散は良好であるため、低温でＨ₂パッシベーション効果の高い反射防止膜を成膜することが可能となる。

本発明によれば、表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、低温での処理を行うことにより、高いＨ₂パッシベーション効果を得ることができる。

また、本発明によれば、表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の後に行う熱処理を不要とすることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図を参照しながら詳細に説明する。

はじめに、本発明の実施の形態による太陽電池について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態による太陽電池の断面図である。太陽電池２０は、ｐ型シリコン基板層２１、ｎ型拡散層２２、ｐ⁺裏面側不純物拡散層２３、反射防止膜２４、表面電極２５、裏面電極２６および半田層２７、２８から構成される。ｐ型シリコン基板層２１は、ホウ素などの３価元素を微量に加えて作製されたシリコン基板により形成される。ｐ型シリコン基板層は単結晶でも多結晶でもよい。ｎ型拡散層２２は、ｐ型シリコン基板の表面にｎ型のドーパントとしてリンを拡散することによって形成され、ｐ型シリコン基板層２１とｎ型拡散層２２によってｐｎ結合が形成される。ｐ⁺裏面側不純物拡散層２３は、ｐ型シリコン基板の表面にｐ型のドーパントとしてアルミニウムを拡散することによって形成される。反射防止膜２４は、ｐ型シリコン基板層２１の表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）を成膜して形成される。ここでは、ｐ型シリコン基板層２１の表面に形成したｎ型拡散層２２の表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）を成膜する。また、ｎ型拡散層２２の表面およびｐ⁺裏面側不純物拡散層２３には、表面電極２５および裏面電極２６はＡｇ電極が用いられる。

以下、本実施の形態の太陽電池の製造方法について、図２のフローチャートを参照しながら説明する。

はじめに、ｐ型シリコン基板２１の表面に微細凹凸構造を形成するために表面処理を行う。この表面処理は、例えば、アルカリ水溶液でエッチングする方法や反応性イオンエッチング法による方法などを用いることができる。シリコン基板の表面に微細凹凸構造を形成することによってシリコン基板表面の光の反射を抑えることができる（Ｓ１）。

ｎ型ドーパントをｐ型シリコン基板２１の表面から拡散させ、ｎ型拡散層２２を形成する。ｎ型ドーパントとして例えばリン（Ｐ）を使用する。ｐ型シリコン基板の表面にリンを拡散させる方法として、例えば、ＰＯＣｌ₃を用いた気相拡散法、Ｐ₂Ｏ₅を用いた塗布拡散法、Ｐイオンを直接拡散させるイオン打ち込み法等がある（Ｓ２）。

ｎ型ドーパントを拡散したｐ型シリコン基板２１の一方の面のｎ型拡散層を除去するためにエッチング処理を行う（Ｓ３）。

エッチングしたｐ型シリコン基板２１の表面からｐ型のドーパントを拡散させ、ｐ⁺裏面側不純物拡散層２３を形成する。ｐ型のドーパントとして例えばアルミニウム（Ａｌ）を使用する。エッチングしたｐ型シリコン基板２１の表面にＡｌペーストを塗布し、熱処理することによってアルミニウムをｐ型シリコン基板２１の表面に拡散させる（Ｓ４）。

ｎ型拡散層２２の表面に反射防止膜２４を形成する。反射防止膜として窒化シリコン膜（ＳｉＮ_x）を使用し、表面波プラズマによる高密度プラズマＣＶＤ装置を使用して形成する（Ｓ５）。

表面電極２５および裏面電極２６のパターニングを行う。パターニングは、Ａｇ粉、バインダ、フリットからなるＡｇペーストをスクリーン印刷することによって行う。太陽電池の効率を高めるために電極はくし型パターンに形成される（Ｓ６）。

印刷されたＡｇペーストが焼成され、電極が形成される（Ｓ７）。半田層２７、２８は半田ディップ法で形成される（Ｓ８）。

上記したＳ５の工程により、反射防止膜形成装置においてＳ４までの製造工程で完了した太陽電池の半導体面上に反射防止膜２４が形成される。

Ｓ２の製造工程までに完了した太陽電池を、ここでは便宜上、反射防止膜形成前基板と呼ぶ。反射防止膜形成装置１は、チャンバー２、表面波励起プラズマＣＶＤ装置１３から構成される。チャンバー２は、反射防止膜形成前基板を反射防止膜形成装置１に搬送した際に、雰囲気を外気から反射防止膜形成装置１内部の雰囲気に置換する装置であり、チャンバー内は真空排気装置による真空引きによって真空雰囲気となる。

表面波励起プラズマＣＶＤ装置１３は、反射防止膜形成前基板の表面に窒化シリコン膜を形成する装置である。なお、搬送装置を設けて、反射防止膜形成前基板１をチャンバー２内の表面波プラズマＣＶＤ装置１３への搬入、表面波励起プラズマＣＶＤ装置１３により窒化シリコン膜を形成した基板をチャンバー外への搬出等を行うことができる。

表面波励起プラズマＣＶＤ装置（以下、ＳＷＰ−ＣＶＤ装置という）は、表面波を利用して大面積で高密度のプラズマを容易に発生させることができ、このプラズマは、表面波励起プラズマ（ＳＷＰ：Surface Wave Plasma）と呼ばれる。なお、上記した符号は図３に基づくものである。

以下、反射防止膜成膜装置の構成について、図３に示す概略図を用いて説明する。図３において、反射防止膜成膜装置１は、チャンバー２、誘電体板３、マイクロ波導波管４、プロセスガス導入管５、材料ガス導入管６、真空排気管７、ステージ８、ヒータ９を備える。

誘電体板３にはマイクロ波導波管４を通してマイクロ波発生源１４からマイクロ波が供給され、誘電体板３の表面近傍にプラズマを励起する表面波励起プラズマ装置１３の一部を構成している。誘電体板３の上面に接して、マイクロ波導波管４が設置され、誘電体板３と接するマイクロ波導波管４の底板には、開口で形成されるスロットアンテナが複数個設けられ、このスロットアンテナを通してマイクロ波が導入される。誘電体板３は、例えば、石英、アルミナまたはジルコニアなどで作製することができる。また、誘電体板３は、複数の部分から構成してもよい。

また、マイクロ波導波管４には、マイクロ波の波端を整合して定在波が安定して形成されるように端整合器や側面反射板等を設けることができる。

また、チャンバー２は、その内部空間に生成する表面波励起プラズマを利用して、ステージ８上に載置した基板の表面に成膜を施す密閉容器であり、内部を真空排気するための真空排気管７が設けられ、図示しない真空ポンプによって真空引きされる。ステージ８は、上下方向の移動と回転が可能であり、内部に設けたヒータ９によって成膜対象である基板を加熱することが可能である。また、必要に応じて、冷却する構成や、電界を印加する構成としてもよい。

また、誘電体板３にはプロセスガス導入管５が設けられ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１５から調整バルブ１２を介して例えば、Ａｒガス等のプロセスガスと、自然酸化膜の除去に用いる窒素ガスが導入される。窒素ガスは、プラズマ処理によるイオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去する。

誘電体板３には、複数のマイクロ波導波管４が設けられ、各マイクロ波導波管４は複数のマイクロ波発生源１４からそれぞれマイクロ波電力の供給を受ける。また、誘電体板３には、複数のプロセスガス導入管５が設けられ、各プロセスガス導入管５はそれぞれプロセスガスあるいは窒素ガスが導入される。

マイクロ波導波管４からマイクロ波を誘電体板３に導入することによって、チャンバー２内にはプラズマが励起されるが、このように誘電体板３に複数のマイクロ波導波管４および複数のプロセスガス導入管５を設けることによって、チャンバー２内に放電領域を均一に励起させることができる。なお、図３では、マイクロ波導波管４および複数のプロセスガス導入管５をそれぞれ２組示していているが、設ける個数は２組に限られるものではなく、誘電体板３の大きさや形状に合わせて定めることができる。

また、チャンバー２内には、材料ガスを導入する材料ガス導入管６が複数設けられる。図３では、チャンバー２の中央部分に第１材料ガス導入管６ａを配置し、チャンバー２の側面側に第２材料ガス導入管６ｂおよび第３材料ガス導入管６ｃを配置する構成を示している。第１材料ガス導入管６ａは、チャンバー２の中央部分の領域１０ａに材料ガスを導入し、第２材料ガス導入管６ｂおよび第３材料ガス導入管６ｃは、チャンバー２の側部分の領域１０ｂ、１０ｃに材料ガスを導入する。なお、第１材料ガス導入管６ａ〜第３材料ガス導入管６ｃには、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）１６ａ〜１６ｃから材料ガスが供給される。

なお、図３では、材料ガス導入管６を３組示していているが、設ける個数は３組に限られるものではなく、チャンバー２やステージ８の大きさや形状に合わせて定めることができる。

また、ステージ８に設けるヒータ９についても、上記した各領域１０に応じて複数箇所に設けることができる。図３では、領域１０ａに対応する位置にヒータ９ａを設け、領域１０ｂに対応する位置にヒータ９ｂを設け、領域１０ｃに対応する位置にヒータ９ｃを設ける例を示している。

成膜ガスのうち、プロセスガス導入管５からチャンバー２内へ導入されるプロセスガスは、Ｎ₂ガス、Ｏ₂ガス、Ｈ₂ガス、ＮＯ₂ガス、ＮＯガス、ＮＨ₃ガス等の反応性活性種の原料となるガスの他に、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス等の希ガスである。成膜ガスのうち材料ガス導入管６からチャンバー２内へ導入される材料ガスは、ＳｉＨ₄ガス、Ｓｉ₂Ｈ₆ガス等のシリコン薄膜或いはシリコン化合物薄膜の成分であるＳｉ元素を含むガスである。

チャンバー２の底板には、図示しない真空排気ポンプに接続される真空排気管７が配設されている。プロセスガス導入管５、材料ガス導入管６を通してそれぞれ所定のガスを所定流量でチャンバー２内に導入しながら排気を行うことによって、チャンバー２内を所定圧力に保持することができる。

上記のように構成された表面波プラズマ装置１３では、マイクロ波発生源１４から周波数２．４５ＧＨｚのマイクロ波をマイクロ波導波管５内に伝搬させ、終端整合器（図示していない）によってＴＥ１０モードの電磁波の定在波Ｔを発生させる。そして定在波Ｔは、定在波Ｔの波長の間隔に設置したスロットアンテナ（図示していない）から誘電体板３へ放射される。スロットアンテナ（図示していない）から放射された電磁波は誘電体板３の内部を伝播し、側面反射板（図示していない）で囲われた範囲で固有の定在波を発生させ、誘電体板３の表面に表面波（ＳＷ）を発生させる。この表面波（ＳＷ）によって誘電体板３の直下の成膜ガスが電離、解離されて表面波励起プラズマＰが生成する。

表面波励起プラズマはマイクロ波のカットオフ密度以上の電子密度となり、プラズマ境界面で電磁波を全反射し、プラズマ内へ電磁波が吸収されないため、電磁波によるイオン、電子の加熱が生じることがなく、イオンエネルギーは１０ｅＶ以下の低温を維持する。表面波励起プラズマは、誘電体板３の表面とプラズマ境界面の間でエネルギーの授受が行われ、誘電体板３の表面近傍のみに高エネルギーのプラズマが分布し、誘電体表面から離れるにしたがって指数関数的にエネルギーレベルが減少する。誘電体板３から２００ｍｍ程度の距離ではイオンエネルギーは２０ｅｖ以下となる。このように表面波励起プラズマには高エネルギー領域と低エネルギー領域が発生するので、高エネルギー領域でラジカル生成を行い、低エネルギー領域に材料ガスを導入することによって、高効率ラジカル生成と、低ダメージ高速成膜が可能となる。

表面波（ＳＷ）は、誘電体板３の内面全域に拡がるので、表面波励起プラズマもチャンバー２内でそれに対応した領域に拡がる。したがって、誘電体板３を拡張することで大面積対応が可能となる。この表面波励起プラズマを利用して、反射防止膜形成前基板上に反射防止膜を成膜する。

本発明は、この反射防止膜の成膜において、表面波励起プラズマの高エネルギー領域にプロセスガス導入管４から窒素ガスを導入してラジカルを生成させ、このプラズマ処理によるイオンボンバードメント作用によって基板の半導体表面に存在する自然酸化膜を除去する。

その後、表面波励起プラズマの高エネルギー領域にプロセスガス導入管４からＡｒガスを導入してラジカルを生成させるとともに、表面波励起プラズマの低エネルギー領域に材料ガス導入管６から材料ガスを導入することによって、低ダメージの高速成膜を行う。

図４は、Ｓ５の反射防止膜の成膜工程の詳細を説明するためのフローチャートである。反射防止膜の成膜工程では、はじめにチャンバー１内を真空排気しておき（Ｓ５ａ）、プロセスガス導入管４から窒素ガス（Ｎ₂）を導入するとともに（Ｓ５ｂ）、マイクロ波電力を供給してラジカルを生成させ、このプラズマ処理によるイオンボンバードメント作用によって基板の半導体表面の自然酸化膜を除去する（Ｓ５ｃ）。

その後、プロセスガス導入管４から導入するガスを窒素ガス（Ｎ₂）からプロセスガス（Ａｒガス）に切り替えて導入して表面波励起プラズマを励起し（Ｓ５ｄ）、材料ガス導入管６から材料ガス（例えば、ＳｉＨ₄ガス）を導入することによって（Ｓ５ｅ）、自然酸化膜を除去した基板の表面に反射防止膜を成膜する（Ｓ５ｆ）。

なお、窒素ガスによるプラズマ処理の条件は、例えば、窒素ガスのガス量を１４４ｓｃｃｍ／５０ｓｃｃｍ、マイクロ波電力を２．０ｋｗ、チャンバー内の圧力を４．０Ｐａ、処理時間を１ｍｉｎ、誘電体板とのギャップ間隔を５０ｍｍである。

また、屈折率２．１１の反射防止膜を成膜する反射防止膜の成膜条件は、例えば、成膜温度を３５０℃、ＳｉＨ₄ガスのガス量を５０ｓｃｃｍ、ＮＨ₃ガスのガス量を６０ｓｃｃｍ、ＳｉＨ₄のマイクロ波電力を２．０ｋｗ、チャンバー内の圧力を４．０Ｐａである。

本実施の形態では、高密度プラズマＣＶＤ装置によって反応ガスは完全に解離するので、高密度プラズマＣＶＤ装置の内部に付着する生成物の量は少ない。このため、高密度プラズマＣＶＤ装置のクリーニングの頻度は少なくなる。また、高密度プラズマＣＶＤ装置の内部の温度を低温とすることができるため、クリーニング作業が可能となる温度に下がるまでに要する時間が短い。このためクリーニングをするために高密度プラズマＣＶＤ装置を停止させる時間を短くすることができる。

本発明は、太陽電池用薄膜に限らず、同様な成膜要求を有する基板上への薄膜の成膜に適用することができる。

本発明の実施の形態による太陽電池の断面図である。 本実施の形態の太陽電池の製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の反射防止膜成膜装置の構成を説明するための概略図である。 本発明の反射防止膜の成膜工程の詳細を説明するためのフローチャートである。

符号の説明

１…反射防止膜成膜装置、２…チャンバー、３…誘導体板、４…マイクロ波導入管、５，５ａ，５ｂ…プロセスガス導入管、６，６ａ，６ｂ，６ｃ…材料ガス導入管、７…真空排気管、８…ステージ、９ａ，９ｂ，９ｃ…ヒータ、１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ…領域、１１…放電領域、１２…調整バルブ、１３…表面波励起プラズマ装置、１４…マイクロ波発生源、１５…マスフローコントローラ、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ…マスフローコントローラ、２０…太陽電池、２１…ｎ型ドーパントをｐ型シリコン基板、２２…ｎ型拡散層、２３…ｐ⁺裏面側不純物拡散層、２４…反射防止膜、２５…表面電極、２６…裏面電極、２７，２８…半田層。

Claims (4)

1. 太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜の反射防止膜を形成する成膜方法において、
   前記半導体表面をＮ₂ガスを用いてプラズマ処理を行う前処理工程と、
   前記前処理工程によって半導体表面の酸化膜を除去した後、当該半導体表面に表面波プラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜を成膜する成膜工程と備えることを特徴とする太陽電池の反射防止膜成膜方法。
2. 前記太陽電池の半導体表面は、多結晶および／又は単結晶の結晶性シリコンの表面であることを特徴とする、請求項１に記載の反射防止膜成膜方法。
3. 請求項１又は２に記載の反射防止膜成膜方法により成膜された太陽電池。
4. 太陽電池の半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜の反射防止膜を形成する成膜装置において、
   前記半導体表面に表面波プラズマ処理を施す成膜室と、当該成膜室にプロセスガスを導入するプロセスガス導入部と材料ガスを導入する材料ガス導入部とを備え、
   前記プロセスガス導入部により成膜室内に窒素ガス（Ｎ₂）ガスを導入してプラズマ処理を行った後、前記材料ガス導入部により成膜室内に材料ガスを導入して表面波プラズマ処理により窒化シリコン（ＳｉＮ_x）膜を成膜することを特徴とする反射防止膜成膜装置。

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