JP2003282509A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
シリコンウェーハの製造方法Info
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表
面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可
能にする。 【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程１０と、ウェーハを面
取りする面取り工程１１と、ウェーハを平面化するラッ
ピング工程１２と、ウェーハ表面の加工歪みを除去する
エッチング工程１３と、ウェーハの表面を鏡面研磨する
表面研磨工程１６と、ウェーハを洗浄する洗浄工程１７
とを含むウェーハの製造方法の改良である。この特徴あ
る構成は、エッチング工程が酸エッチングする第１エッ
チング工程１３ａとこの第１エッチング工程の後にアル
カリエッチングする第２エッチング工程１３ｂとを含
み、第１エッチング工程と第２エッチング工程との間に
第１エッチング工程で形成されたウェーハ裏面の凹凸の
一部を研磨する裏面軽研磨工程１４を含む。
面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視により識別可
能にする。 【解決手段】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程１０と、ウェーハを面
取りする面取り工程１１と、ウェーハを平面化するラッ
ピング工程１２と、ウェーハ表面の加工歪みを除去する
エッチング工程１３と、ウェーハの表面を鏡面研磨する
表面研磨工程１６と、ウェーハを洗浄する洗浄工程１７
とを含むウェーハの製造方法の改良である。この特徴あ
る構成は、エッチング工程が酸エッチングする第１エッ
チング工程１３ａとこの第１エッチング工程の後にアル
カリエッチングする第２エッチング工程１３ｂとを含
み、第１エッチング工程と第２エッチング工程との間に
第１エッチング工程で形成されたウェーハ裏面の凹凸の
一部を研磨する裏面軽研磨工程１４を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウェーハ両面が高
精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの
表裏面を目視により識別可能にするシリコンウェーハの
製造方法を提供することにある。
精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの
表裏面を目視により識別可能にするシリコンウェーハの
製造方法を提供することにある。
【０００２】
【従来の技術】一般に半導体シリコンウェーハの製造工
程は、引上げたシリコン単結晶インゴットから切出し、
スライスして得られたウェーハを、面取り、機械研磨
（ラッピング）、エッチング、鏡面研磨（ポリッシン
グ）及び洗浄する工程から構成され、高精度の平坦度を
有するウェーハとして生産される。これらの工程は目的
により、その一部の工程が入替えられたり、複数回繰返
されたり、或いは熱処理、研削等他の工程が付加、置換
されたりして種々の工程が行われる。ブロック切断、外
径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセ
スを経たシリコンウェーハは表面に加工歪み即ち加工変
質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセス
においてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発したり、ウェ
ーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響
を及ぼすので完全に除去しなければならない。この加工
変質層を取除くため、エッチング処理が行われる。エッ
チング処理には、混酸等の酸エッチング液を用いる酸エ
ッチングと、ＮａＯＨ等のアルカリエッチング液を用い
るアルカリエッチングとがある。
程は、引上げたシリコン単結晶インゴットから切出し、
スライスして得られたウェーハを、面取り、機械研磨
（ラッピング）、エッチング、鏡面研磨（ポリッシン
グ）及び洗浄する工程から構成され、高精度の平坦度を
有するウェーハとして生産される。これらの工程は目的
により、その一部の工程が入替えられたり、複数回繰返
されたり、或いは熱処理、研削等他の工程が付加、置換
されたりして種々の工程が行われる。ブロック切断、外
径研削、スライシング、ラッピング等の機械加工プロセ
スを経たシリコンウェーハは表面に加工歪み即ち加工変
質層を有している。加工変質層はデバイス製造プロセス
においてスリップ転位等の結晶欠陥を誘発したり、ウェ
ーハの機械的強度を低下させ、また電気的特性に悪影響
を及ぼすので完全に除去しなければならない。この加工
変質層を取除くため、エッチング処理が行われる。エッ
チング処理には、混酸等の酸エッチング液を用いる酸エ
ッチングと、ＮａＯＨ等のアルカリエッチング液を用い
るアルカリエッチングとがある。
【０００３】酸エッチングは、そのエッチングレートが
エッチング溶液中のウェーハ面上での反応種や反応生成
物の濃度勾配に大きく依存し、エッチング溶液の不均一
な流れ等の原因による拡散層厚さの不均一によって、エ
ッチングレートが面内でばらつき、ラッピングで得られ
た平坦度が損なわれ、エッチング表面にｍｍオーダーの
うねりやピールと呼ばれる凹凸が発生する。
エッチング溶液中のウェーハ面上での反応種や反応生成
物の濃度勾配に大きく依存し、エッチング溶液の不均一
な流れ等の原因による拡散層厚さの不均一によって、エ
ッチングレートが面内でばらつき、ラッピングで得られ
た平坦度が損なわれ、エッチング表面にｍｍオーダーの
うねりやピールと呼ばれる凹凸が発生する。
【０００４】一方、アルカリエッチングは、そのエッチ
ングレートがエッチング溶液の反応種や生成物の濃度勾
配等に依存せず、エッチング後のウェーハの平坦度は高
レベルのまま保持される。従って、高平坦度を得るため
には、酸エッチングよりもアルカリエッチングの方が優
れている。しかし、アルカリエッチングでは、ウェーハ
の結晶方位に依存して出現する局所的な深さが数μｍ
で、大きさが数〜数十μｍ程度のピット（以下、これを
ファセットという。）が発生する。ファセットとは、結
晶方位＜１００＞や結晶方位＜１１０＞と結晶方位＜１
１１＞とでエッチングレートが極端に異なり、＜１００
＞や＜１１０＞と＜１１１＞とのエッチングレートの比
（結晶異方性）が大きくなることに起因して発生する凹
みである。またファセットだけでなく、大きさが数μｍ
以下で深さが十〜数十μｍ程度の深いピットも同時に発
生する。深いピットとは、シリコンウェーハの表面に局
所的なダメージや汚染源等の異常点が残っている場合、
その箇所だけ異常反応して生じる深い孔である。
ングレートがエッチング溶液の反応種や生成物の濃度勾
配等に依存せず、エッチング後のウェーハの平坦度は高
レベルのまま保持される。従って、高平坦度を得るため
には、酸エッチングよりもアルカリエッチングの方が優
れている。しかし、アルカリエッチングでは、ウェーハ
の結晶方位に依存して出現する局所的な深さが数μｍ
で、大きさが数〜数十μｍ程度のピット（以下、これを
ファセットという。）が発生する。ファセットとは、結
晶方位＜１００＞や結晶方位＜１１０＞と結晶方位＜１
１１＞とでエッチングレートが極端に異なり、＜１００
＞や＜１１０＞と＜１１１＞とのエッチングレートの比
（結晶異方性）が大きくなることに起因して発生する凹
みである。またファセットだけでなく、大きさが数μｍ
以下で深さが十〜数十μｍ程度の深いピットも同時に発
生する。深いピットとは、シリコンウェーハの表面に局
所的なダメージや汚染源等の異常点が残っている場合、
その箇所だけ異常反応して生じる深い孔である。
【０００５】エッチング工程により形成された裏面状態
はデバイス製造に至る迄維持されるため、以下のような
問題が発生していた。即ち、酸エッチングされたウェー
ハ裏面を、デバイス製造時のフォトリソグラフィー工程
において吸着盤に吸着すると、酸エッチングによりウェ
ーハ裏面に形成されたｍｍオーダーのうねりが表面側に
転写されて表面にそのまま現われ、このｍｍオーダーの
うねりが露光の解像度を低下させ、結果的にデバイスの
歩留りを低下させる原因となる。
はデバイス製造に至る迄維持されるため、以下のような
問題が発生していた。即ち、酸エッチングされたウェー
ハ裏面を、デバイス製造時のフォトリソグラフィー工程
において吸着盤に吸着すると、酸エッチングによりウェ
ーハ裏面に形成されたｍｍオーダーのうねりが表面側に
転写されて表面にそのまま現われ、このｍｍオーダーの
うねりが露光の解像度を低下させ、結果的にデバイスの
歩留りを低下させる原因となる。
【０００６】一方、アルカリエッチングされたウェーハ
裏面を吸着盤に吸着すると、表面粗さの大きなウェーハ
裏面のファセットや深いピット等の凹凸の鋭利な先部が
チッピングによって欠けて発塵し、多数のパーティクル
が発生してデバイスの歩留りが低下するという問題が発
生する。アルカリエッチング後のウェーハでは４０００
〜５０００個程度のパーティクルによる発塵、酸エッチ
ング後のウェーハでは２０００個程度のパーティクルに
よる発塵があるのに対して、両面を鏡面研磨されたウェ
ーハではパーティクルは殆ど発生せず、発塵は認められ
ない。従って、ウェーハの表裏両面を鏡面研磨すれば、
ウェーハ裏面には大きな粗さの凹凸が存在しないために
発塵が抑えられ、またｍｍオーダーのうねりも存在しな
いため高い平坦度が得られ、前記エッチングによる諸問
題が解消されることになるが、ウェーハの表裏両面を鏡
面研磨すると、ウェーハ表面だけでなく裏面も鏡面とな
るため、一般的に普及している光の散乱によってウェー
ハの存在を検知するウェーハ検知センサーがウェーハを
検知し得ないという問題が発生する。
裏面を吸着盤に吸着すると、表面粗さの大きなウェーハ
裏面のファセットや深いピット等の凹凸の鋭利な先部が
チッピングによって欠けて発塵し、多数のパーティクル
が発生してデバイスの歩留りが低下するという問題が発
生する。アルカリエッチング後のウェーハでは４０００
〜５０００個程度のパーティクルによる発塵、酸エッチ
ング後のウェーハでは２０００個程度のパーティクルに
よる発塵があるのに対して、両面を鏡面研磨されたウェ
ーハではパーティクルは殆ど発生せず、発塵は認められ
ない。従って、ウェーハの表裏両面を鏡面研磨すれば、
ウェーハ裏面には大きな粗さの凹凸が存在しないために
発塵が抑えられ、またｍｍオーダーのうねりも存在しな
いため高い平坦度が得られ、前記エッチングによる諸問
題が解消されることになるが、ウェーハの表裏両面を鏡
面研磨すると、ウェーハ表面だけでなく裏面も鏡面とな
るため、一般的に普及している光の散乱によってウェー
ハの存在を検知するウェーハ検知センサーがウェーハを
検知し得ないという問題が発生する。
【０００７】このような上記問題点を解決する方法とし
て、エッチング工程におけるエッチングをアルカリエッ
チングとするとともに、エッチング工程と表面研磨工程
との間にアルカリエッチングによってウェーハの裏面に
形成された凹凸の一部を除去する裏面研磨工程を組み込
んだ半導体ウェーハの製造方法が提案されている（特許
番号第２９１０５０７号）。この方法を用いてウェーハ
を製造することによりウェーハ検知センサによるウェー
ハ表裏面の検知が可能となり、高い平坦度を確保すると
ともに裏面のチッピングによる発塵を抑制し、デバイス
の歩留まりを高めることができる。
て、エッチング工程におけるエッチングをアルカリエッ
チングとするとともに、エッチング工程と表面研磨工程
との間にアルカリエッチングによってウェーハの裏面に
形成された凹凸の一部を除去する裏面研磨工程を組み込
んだ半導体ウェーハの製造方法が提案されている（特許
番号第２９１０５０７号）。この方法を用いてウェーハ
を製造することによりウェーハ検知センサによるウェー
ハ表裏面の検知が可能となり、高い平坦度を確保すると
ともに裏面のチッピングによる発塵を抑制し、デバイス
の歩留まりを高めることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、特許番号第２
９１０５０７号公報に示された方法では、エッチング工
程を結晶異方性が大きいアルカリエッチングのみで行う
ため、ウェーハ表面に形状の小さいファセットが数多く
形成され、また深いピットも形成するおそれがある。形
状の小さいファセットが数多く形成されたり、深いピッ
トが形成されると続く鏡面研磨工程での研磨取り代を大
きく取る必要があり、ラッピングで得られた平坦度が損
なわれる問題があった。また、図１０（ａ）に示すよう
に、端面等に欠けや局所的なダメージや汚染源等の異常
点が残っているウェーハの表面をエッチングする場合、
図１０（ｂ）に示すように、結晶異方性が小さい酸エッ
チングでは、欠けの箇所を中心として丸味を生じたエッ
チング面となるが、図１０（ｃ）に示すように、結晶異
方性が大きいアルカリエッチングでは、深いピットが形
成されるように欠けの箇所から異常反応して、端面より
ウェーハの一部に割れや欠けを生じてパーティクルを発
生するおそれがあった。
９１０５０７号公報に示された方法では、エッチング工
程を結晶異方性が大きいアルカリエッチングのみで行う
ため、ウェーハ表面に形状の小さいファセットが数多く
形成され、また深いピットも形成するおそれがある。形
状の小さいファセットが数多く形成されたり、深いピッ
トが形成されると続く鏡面研磨工程での研磨取り代を大
きく取る必要があり、ラッピングで得られた平坦度が損
なわれる問題があった。また、図１０（ａ）に示すよう
に、端面等に欠けや局所的なダメージや汚染源等の異常
点が残っているウェーハの表面をエッチングする場合、
図１０（ｂ）に示すように、結晶異方性が小さい酸エッ
チングでは、欠けの箇所を中心として丸味を生じたエッ
チング面となるが、図１０（ｃ）に示すように、結晶異
方性が大きいアルカリエッチングでは、深いピットが形
成されるように欠けの箇所から異常反応して、端面より
ウェーハの一部に割れや欠けを生じてパーティクルを発
生するおそれがあった。
【０００９】本発明の目的は、ウェーハ両面が高精度の
平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面
を目視により識別可能にするシリコンウェーハの製造方
法を提供することにある。
平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面
を目視により識別可能にするシリコンウェーハの製造方
法を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図１に示すように、単結晶インゴットをスライスして薄
円板状のウェーハを得るスライス工程１０と、スライス
工程１０によって得られたウェーハを面取りする面取り
工程１１と、面取りされたウェーハを平面化するラッピ
ング工程１２と、面取り工程１１及びラッピング工程１
２により導入されたウェーハ表面の加工歪みを除去する
エッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの表
面を鏡面研磨する表面研磨工程１６と、表面研磨された
ウェーハを洗浄する洗浄工程１７とを含むシリコンウェ
ーハの製造方法の改良である。この特徴ある構成は、エ
ッチング工程１３がウェーハを酸エッチングする第１エ
ッチング工程１３ａとこの第１エッチング工程１３ａの
後にウェーハをアルカリエッチングする第２エッチング
工程１３ｂとを含み、第１エッチング工程１３ａと、前
記第２エッチング工程１３ｂとの間に前記第１エッチン
グ工程１３ａで形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を
研磨する裏面軽研磨工程１４を含むところにある。
図１に示すように、単結晶インゴットをスライスして薄
円板状のウェーハを得るスライス工程１０と、スライス
工程１０によって得られたウェーハを面取りする面取り
工程１１と、面取りされたウェーハを平面化するラッピ
ング工程１２と、面取り工程１１及びラッピング工程１
２により導入されたウェーハ表面の加工歪みを除去する
エッチング工程１３と、エッチングされたウェーハの表
面を鏡面研磨する表面研磨工程１６と、表面研磨された
ウェーハを洗浄する洗浄工程１７とを含むシリコンウェ
ーハの製造方法の改良である。この特徴ある構成は、エ
ッチング工程１３がウェーハを酸エッチングする第１エ
ッチング工程１３ａとこの第１エッチング工程１３ａの
後にウェーハをアルカリエッチングする第２エッチング
工程１３ｂとを含み、第１エッチング工程１３ａと、前
記第２エッチング工程１３ｂとの間に前記第１エッチン
グ工程１３ａで形成されたウェーハ裏面の凹凸の一部を
研磨する裏面軽研磨工程１４を含むところにある。
【００１１】請求項１に係る発明では、エッチング工程
１３を酸エッチングによる第１エッチング工程１３ａと
アルカリエッチングによる第２エッチング工程１３ｂと
し、第１エッチング工程１３ａの後に裏面軽研磨工程１
４を施して酸エッチング起因のｍｍオーダーのうねりや
ピールの一部を取除き、その後にアルカリエッチングを
施すことにより、エッチング後のウェーハ裏面に形成さ
れるファセットの形状を大きくかつ少なくでき、深いピ
ットの発生も抑制できるため、鏡面研磨工程での取り代
を小さくできるので、ラッピングで得られた高い表面平
坦度を維持することができる。また、ラッピング工程を
終えた後のウェーハ端面等に欠けや局所的なダメージや
汚染源等の異常点が残っている場合でも、アルカリエッ
チングを施す前に結晶異方性の小さい酸エッチングを施
すことにより、欠けの箇所を中心として丸味を生じたエ
ッチング面となるため、従来アルカリエッチングのみ施
すことにより生じていたチッピング等による発塵を抑制
することができる。
１３を酸エッチングによる第１エッチング工程１３ａと
アルカリエッチングによる第２エッチング工程１３ｂと
し、第１エッチング工程１３ａの後に裏面軽研磨工程１
４を施して酸エッチング起因のｍｍオーダーのうねりや
ピールの一部を取除き、その後にアルカリエッチングを
施すことにより、エッチング後のウェーハ裏面に形成さ
れるファセットの形状を大きくかつ少なくでき、深いピ
ットの発生も抑制できるため、鏡面研磨工程での取り代
を小さくできるので、ラッピングで得られた高い表面平
坦度を維持することができる。また、ラッピング工程を
終えた後のウェーハ端面等に欠けや局所的なダメージや
汚染源等の異常点が残っている場合でも、アルカリエッ
チングを施す前に結晶異方性の小さい酸エッチングを施
すことにより、欠けの箇所を中心として丸味を生じたエ
ッチング面となるため、従来アルカリエッチングのみ施
すことにより生じていたチッピング等による発塵を抑制
することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。先ず、図１に示すように、育成され
たシリコン単結晶インゴットは、先端部及び終端部を切
断してブロック状とし、インゴットの直径を均一にする
ためにインゴットの外径を研削してブロック体とする。
特定の結晶方位を示すために、このブロック体にオリエ
ンテーションフラットやオリエンテーションノッチを施
す。このプロセスの後、ブロック体は棒軸方向に対して
所定角度をもってスライスされる（工程１０）。スライ
スされたウェーハは、ウェーハの周辺部の欠けやチップ
を防止するためにウェーハ周辺に面取り加工する（工程
１１）。この面取りを施すことにより、例えば面取りさ
れていないシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル成
長するときに周辺部に異常成長が起こり環状に盛り上が
るクラウン現象を抑制することができる。
基づいて説明する。先ず、図１に示すように、育成され
たシリコン単結晶インゴットは、先端部及び終端部を切
断してブロック状とし、インゴットの直径を均一にする
ためにインゴットの外径を研削してブロック体とする。
特定の結晶方位を示すために、このブロック体にオリエ
ンテーションフラットやオリエンテーションノッチを施
す。このプロセスの後、ブロック体は棒軸方向に対して
所定角度をもってスライスされる（工程１０）。スライ
スされたウェーハは、ウェーハの周辺部の欠けやチップ
を防止するためにウェーハ周辺に面取り加工する（工程
１１）。この面取りを施すことにより、例えば面取りさ
れていないシリコンウェーハ表面上にエピタキシャル成
長するときに周辺部に異常成長が起こり環状に盛り上が
るクラウン現象を抑制することができる。
【００１３】次いで、スライス工程１０で生じたウェー
ハ表面の凹凸層を機械研磨（ラッピング）してウェーハ
表面の平坦度とウェーハの平行度を高める（工程１
２）。ラッピング工程１２を施したウェーハは洗浄され
て次工程へと送られる。面取り工程１１やラッピング工
程１２により導入された機械的なウェーハ表面の加工歪
み層を化学エッチングによって完全に除去する（工程１
３）。
ハ表面の凹凸層を機械研磨（ラッピング）してウェーハ
表面の平坦度とウェーハの平行度を高める（工程１
２）。ラッピング工程１２を施したウェーハは洗浄され
て次工程へと送られる。面取り工程１１やラッピング工
程１２により導入された機械的なウェーハ表面の加工歪
み層を化学エッチングによって完全に除去する（工程１
３）。
【００１４】本発明の特徴ある構成は、エッチング工程
１３がウェーハを酸エッチングする第１エッチング工程
１３ａとこの第１エッチング工程１３ａの後にウェーハ
をアルカリエッチングする第２エッチング工程１３ｂと
を含み、第１エッチング工程１３ａと、第２エッチング
工程１３ｂとの間に第１エッチング工程１３ａで形成さ
れたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工
程１４を含むところにある。エッチング工程１３を第１
エッチング工程１３ａ、第２エッチング工程１３ｂに分
割することにより、酸エッチング及びアルカリエッチン
グを施すことにより生じるそれぞれの欠点を最小限に抑
えることができる。第１エッチング工程１３ａ及び第２
エッチング工程１３ｂでの合計取り代をシリコンウェー
ハの表面と裏面を合わせた合計で２５〜３０μｍとす
る。好ましくは２５〜２８μｍである。
１３がウェーハを酸エッチングする第１エッチング工程
１３ａとこの第１エッチング工程１３ａの後にウェーハ
をアルカリエッチングする第２エッチング工程１３ｂと
を含み、第１エッチング工程１３ａと、第２エッチング
工程１３ｂとの間に第１エッチング工程１３ａで形成さ
れたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工
程１４を含むところにある。エッチング工程１３を第１
エッチング工程１３ａ、第２エッチング工程１３ｂに分
割することにより、酸エッチング及びアルカリエッチン
グを施すことにより生じるそれぞれの欠点を最小限に抑
えることができる。第１エッチング工程１３ａ及び第２
エッチング工程１３ｂでの合計取り代をシリコンウェー
ハの表面と裏面を合わせた合計で２５〜３０μｍとす
る。好ましくは２５〜２８μｍである。
【００１５】第１エッチング工程１３ａを施すことによ
り、ラッピング工程等の機械的な工程を経ることにより
ウェーハ表裏面に生じた加工変質層とも呼ばれる加工歪
みの一部を取除く。第１エッチング工程１３ａにおける
酸エッチングのエッチング液はフッ酸及び硝酸をそれぞ
れ含み、酢酸、硫酸又はリン酸を少なくとも１種更に含
むことが好ましい。第１エッチング工程１３ａにおける
酸エッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と
裏面を合わせた合計で２０〜２５μｍとする。第１エッ
チング工程での合計取り代を２０〜２２μｍとすること
が好ましい。第１エッチング工程での合計取り代が２０
μｍ未満であると、エッチング後のラフネス低減効果が
小さくなり、２５μｍを越えるとナノトポグラフィーの
悪化が懸念される。酸エッチング工程１３ａを終えたウ
ェーハ表裏面は、図２（ａ）に示すように、加工変質層
が一部残留し、更にｍｍオーダーのうねりやピール等の
凹凸が形成される。
り、ラッピング工程等の機械的な工程を経ることにより
ウェーハ表裏面に生じた加工変質層とも呼ばれる加工歪
みの一部を取除く。第１エッチング工程１３ａにおける
酸エッチングのエッチング液はフッ酸及び硝酸をそれぞ
れ含み、酢酸、硫酸又はリン酸を少なくとも１種更に含
むことが好ましい。第１エッチング工程１３ａにおける
酸エッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と
裏面を合わせた合計で２０〜２５μｍとする。第１エッ
チング工程での合計取り代を２０〜２２μｍとすること
が好ましい。第１エッチング工程での合計取り代が２０
μｍ未満であると、エッチング後のラフネス低減効果が
小さくなり、２５μｍを越えるとナノトポグラフィーの
悪化が懸念される。酸エッチング工程１３ａを終えたウ
ェーハ表裏面は、図２（ａ）に示すように、加工変質層
が一部残留し、更にｍｍオーダーのうねりやピール等の
凹凸が形成される。
【００１６】次に、酸エッチング工程１３ａで形成され
たウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程
を行う（工程１４）。図２（ｂ）に示すように、この裏
面軽研磨をウェーハ裏面に施すことにより裏面の粗さを
低減する。本発明の裏面軽研磨工程１４及び後に続く表
面鏡面研磨工程１６では片面研磨方法が用いられる。図
３に基づいて片面研磨方法について述べる。この研磨装
置２０は回転定盤２１とウェーハ保持具２２を備える。
回転定盤２１は大きな円板であり、その底面中心に接続
されたシャフト２３によって回転する。回転定盤２１の
上面には研磨布２４が貼付けられる。ウェーハ保持具２
２は加圧ヘッド２２ａとこれに接続して加圧ヘッド２２
ａを回転させるシャフト２２ｂからなる。加圧ヘッド２
２ａの下面には研磨プレート２６が取付けられる。研磨
プレート２６の下面には複数枚のシリコンウェーハ２７
が貼付けられる。回転定盤２１の上部には研磨液２８を
供給するための配管２９が設けられる。この研磨装置２
０によりシリコンウェーハ２７を研磨する場合には、加
圧ヘッド２２ａを下降してシリコンウェーハ２７に所定
の圧力を加えてウェーハ２７を押さえる。配管２９から
研磨液２８を研磨布２４に供給しながら、加圧ヘッド２
２ａと回転定盤２１とを同一方向に回転させて、ウェー
ハ２７の表面を平坦に研磨する。
たウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工程
を行う（工程１４）。図２（ｂ）に示すように、この裏
面軽研磨をウェーハ裏面に施すことにより裏面の粗さを
低減する。本発明の裏面軽研磨工程１４及び後に続く表
面鏡面研磨工程１６では片面研磨方法が用いられる。図
３に基づいて片面研磨方法について述べる。この研磨装
置２０は回転定盤２１とウェーハ保持具２２を備える。
回転定盤２１は大きな円板であり、その底面中心に接続
されたシャフト２３によって回転する。回転定盤２１の
上面には研磨布２４が貼付けられる。ウェーハ保持具２
２は加圧ヘッド２２ａとこれに接続して加圧ヘッド２２
ａを回転させるシャフト２２ｂからなる。加圧ヘッド２
２ａの下面には研磨プレート２６が取付けられる。研磨
プレート２６の下面には複数枚のシリコンウェーハ２７
が貼付けられる。回転定盤２１の上部には研磨液２８を
供給するための配管２９が設けられる。この研磨装置２
０によりシリコンウェーハ２７を研磨する場合には、加
圧ヘッド２２ａを下降してシリコンウェーハ２７に所定
の圧力を加えてウェーハ２７を押さえる。配管２９から
研磨液２８を研磨布２４に供給しながら、加圧ヘッド２
２ａと回転定盤２１とを同一方向に回転させて、ウェー
ハ２７の表面を平坦に研磨する。
【００１７】裏面軽研磨工程１４によるウェーハ裏面の
研磨時間を３０〜４５秒又は裏面軽研磨後のウェーハ裏
面光沢度を１２０〜１４０％とする。研磨時間が３０秒
未満又はウェーハ裏面光沢度が１２０％未満であると、
ウェーハ裏面に大きな凹凸が残留するため、後工程のデ
バイス工程において吸着盤に吸着させると裏面の凹凸が
転写する不具合を生じる。研磨時間が４５秒を越える又
はウェーハ裏面光沢度が１４０％を越えると、表面鏡面
研磨工程１６を終えたウェーハでは、表裏面の区別がつ
かなくなる。この裏面軽研磨１４によりウェーハ裏面の
形状は図２（ｂ）に示すように、裏面の粗さが所定の範
囲に抑えられる。
研磨時間を３０〜４５秒又は裏面軽研磨後のウェーハ裏
面光沢度を１２０〜１４０％とする。研磨時間が３０秒
未満又はウェーハ裏面光沢度が１２０％未満であると、
ウェーハ裏面に大きな凹凸が残留するため、後工程のデ
バイス工程において吸着盤に吸着させると裏面の凹凸が
転写する不具合を生じる。研磨時間が４５秒を越える又
はウェーハ裏面光沢度が１４０％を越えると、表面鏡面
研磨工程１６を終えたウェーハでは、表裏面の区別がつ
かなくなる。この裏面軽研磨１４によりウェーハ裏面の
形状は図２（ｂ）に示すように、裏面の粗さが所定の範
囲に抑えられる。
【００１８】次に、第２エッチング工程１３ｂを施すこ
とにより、ウェーハ表面の加工変質層を除去するととも
に、ウェーハ裏面では裏面軽研磨１４で制御した表面粗
さを維持しつつ残りの加工変質層を取除く。第２エッチ
ング工程１３ｂにおけるアルカリエッチングのエッチン
グ液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。第
２エッチング工程１３ｂにおけるアルカリエッチングの
合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた
合計で５〜１０μｍとする。第２エッチング工程での合
計取り代を５〜８μｍとすることが好ましい。第２エッ
チング工程での合計取り代が５μｍ未満であると、エッ
チング後のウェーハ光沢度低減効果が小さくなり、１０
μｍを越えるとラフネス悪化が懸念される。
とにより、ウェーハ表面の加工変質層を除去するととも
に、ウェーハ裏面では裏面軽研磨１４で制御した表面粗
さを維持しつつ残りの加工変質層を取除く。第２エッチ
ング工程１３ｂにおけるアルカリエッチングのエッチン
グ液は水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムである。第
２エッチング工程１３ｂにおけるアルカリエッチングの
合計取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた
合計で５〜１０μｍとする。第２エッチング工程での合
計取り代を５〜８μｍとすることが好ましい。第２エッ
チング工程での合計取り代が５μｍ未満であると、エッ
チング後のウェーハ光沢度低減効果が小さくなり、１０
μｍを越えるとラフネス悪化が懸念される。
【００１９】裏面軽研磨工程１４を終えたウェーハは、
その表面を機械的ないし物理的研磨と化学的研磨とを組
合わせた鏡面研磨をすることにより、光学的光沢をもち
加工歪みのない鏡面ウェーハにされる（工程１６）。表
面鏡面研磨を終えたウェーハは洗浄され（工程１７）、
デバイス製造プロセスへと送られる。このように本発明
の各工程１０〜１７を経ることにより、ウェーハ両面が
高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハ
の表裏面を目視により識別可能なシリコンウェーハを得
ることができる。
その表面を機械的ないし物理的研磨と化学的研磨とを組
合わせた鏡面研磨をすることにより、光学的光沢をもち
加工歪みのない鏡面ウェーハにされる（工程１６）。表
面鏡面研磨を終えたウェーハは洗浄され（工程１７）、
デバイス製造プロセスへと送られる。このように本発明
の各工程１０〜１７を経ることにより、ウェーハ両面が
高精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハ
の表裏面を目視により識別可能なシリコンウェーハを得
ることができる。
【００２０】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞先ず、シリコン単結晶インゴットをスライ
スし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を経た加工変質
層を有するシリコンウェーハを用意した。フッ酸、硝
酸、酢酸及び水を体積比（ＨＦ：ＨＮＯ3：ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ：Ｈ2Ｏ）が１：５：５：１となるように混合して酸
エッチング液を調製した。調製した酸エッチング液をエ
ッチング槽に貯え、液温を９０℃に維持した。４８重量
％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング液を調製
し、このアルカリエッチング液をエッチング槽に貯え、
液温を９０℃に維持した。次いで、酸エッチング槽内の
エッチング液を撹拌しながら上記ウェーハを浸漬してウ
ェーハの取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わ
せた合計で２０μｍを目安にして３分間浸漬してエッチ
ングを行った。酸エッチングを終えたウェーハを超純水
に浸漬してリンスを行った。乾燥したウェーハ裏面を図
３に示す片面研磨装置により研磨圧力７．８４×１０3
Ｐａ、スラリー流量２．８ｌ／分で裏面光沢度が１２０
〜１５０％となるように裏面軽研磨を行った。次に、ア
ルカリエッチング槽内のエッチング液を撹拌しながら上
記ウェーハを浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェ
ーハの表面と裏面を合わせた合計で１０μｍを目安にし
て３分間浸漬してエッチングを行った。アルカリエッチ
ングを終えたウェーハを超純水に浸漬してリンスした
後、乾燥した。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、
表面研磨されたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
説明する。 ＜実施例１＞先ず、シリコン単結晶インゴットをスライ
スし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を経た加工変質
層を有するシリコンウェーハを用意した。フッ酸、硝
酸、酢酸及び水を体積比（ＨＦ：ＨＮＯ3：ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ：Ｈ2Ｏ）が１：５：５：１となるように混合して酸
エッチング液を調製した。調製した酸エッチング液をエ
ッチング槽に貯え、液温を９０℃に維持した。４８重量
％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング液を調製
し、このアルカリエッチング液をエッチング槽に貯え、
液温を９０℃に維持した。次いで、酸エッチング槽内の
エッチング液を撹拌しながら上記ウェーハを浸漬してウ
ェーハの取り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わ
せた合計で２０μｍを目安にして３分間浸漬してエッチ
ングを行った。酸エッチングを終えたウェーハを超純水
に浸漬してリンスを行った。乾燥したウェーハ裏面を図
３に示す片面研磨装置により研磨圧力７．８４×１０3
Ｐａ、スラリー流量２．８ｌ／分で裏面光沢度が１２０
〜１５０％となるように裏面軽研磨を行った。次に、ア
ルカリエッチング槽内のエッチング液を撹拌しながら上
記ウェーハを浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェ
ーハの表面と裏面を合わせた合計で１０μｍを目安にし
て３分間浸漬してエッチングを行った。アルカリエッチ
ングを終えたウェーハを超純水に浸漬してリンスした
後、乾燥した。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、
表面研磨されたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
【００２１】＜比較例１＞先ず、シリコン単結晶インゴ
ットをスライスし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を
経た加工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。
４８重量％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング
液を調製し、このアルカリエッチング液をエッチング槽
に貯え、液温を６５℃に維持した。次に、アルカリエッ
チング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハ
を浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面
と裏面を合わせた合計で３０μｍを目安にして３０分間
浸漬してエッチングを行った。アルカリエッチングを終
えたウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥し
た。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、表面研磨さ
れたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
ットをスライスし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を
経た加工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。
４８重量％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング
液を調製し、このアルカリエッチング液をエッチング槽
に貯え、液温を６５℃に維持した。次に、アルカリエッ
チング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハ
を浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面
と裏面を合わせた合計で３０μｍを目安にして３０分間
浸漬してエッチングを行った。アルカリエッチングを終
えたウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥し
た。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、表面研磨さ
れたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
【００２２】＜比較例２＞先ず、シリコン単結晶インゴ
ットをスライスし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を
経た加工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。
４８重量％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング
液を調製し、このアルカリエッチング液をエッチング槽
に貯え、液温を９０℃に維持した。次に、アルカリエッ
チング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハ
を浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面
と裏面を合わせた合計で３０μｍを目安にして８分間浸
漬してエッチングを行った。アルカリエッチングを終え
たウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥し
た。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、表面研磨さ
れたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
ットをスライスし、面取り、ラッピングに続いて洗浄を
経た加工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。
４８重量％の水酸化カリウムを含むアルカリエッチング
液を調製し、このアルカリエッチング液をエッチング槽
に貯え、液温を９０℃に維持した。次に、アルカリエッ
チング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハ
を浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面
と裏面を合わせた合計で３０μｍを目安にして８分間浸
漬してエッチングを行った。アルカリエッチングを終え
たウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥し
た。乾燥したウェーハの表面を鏡面研磨し、表面研磨さ
れたウェーハを洗浄してウェーハを得た。
【００２３】＜比較例３＞先ず、シリコン単結晶インゴ
ットをスライスし、面取り、ラッピングを施し、ウェー
ハ端面をアルカリ薬液を研磨液として用いながらウェー
ハ端面を研磨し、続いて洗浄を経た加工変質層を有する
シリコンウェーハを用意した。４８重量％の水酸化カリ
ウムを含むアルカリエッチング液を調製し、このアルカ
リエッチング液をエッチング槽に貯え、液温を６５℃に
維持した。次に、アルカリエッチング槽内のエッチング
液を撹拌しながら上記ウェーハを浸漬してウェーハの取
り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で
３０μｍを目安にして３０分間浸漬してエッチングを行
った。アルカリエッチングを終えたウェーハを超純水に
浸漬してリンスした後、乾燥した。乾燥したウェーハの
表面を鏡面研磨し、表面研磨されたウェーハを洗浄して
ウェーハを得た。
ットをスライスし、面取り、ラッピングを施し、ウェー
ハ端面をアルカリ薬液を研磨液として用いながらウェー
ハ端面を研磨し、続いて洗浄を経た加工変質層を有する
シリコンウェーハを用意した。４８重量％の水酸化カリ
ウムを含むアルカリエッチング液を調製し、このアルカ
リエッチング液をエッチング槽に貯え、液温を６５℃に
維持した。次に、アルカリエッチング槽内のエッチング
液を撹拌しながら上記ウェーハを浸漬してウェーハの取
り代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で
３０μｍを目安にして３０分間浸漬してエッチングを行
った。アルカリエッチングを終えたウェーハを超純水に
浸漬してリンスした後、乾燥した。乾燥したウェーハの
表面を鏡面研磨し、表面研磨されたウェーハを洗浄して
ウェーハを得た。
【００２４】＜評価１＞実施例１及び比較例１，２で得
られたウェーハ表面の直径１９６ｍｍの円内におけるパ
ーティクルの数を検出下限値が０．１０μｍのレーザパ
ーティクルカウンタを用いて調べた。実施例１及び比較
例１，２のウェーハにおける散乱欠陥(Light Point Def
ect、以下、ＬＰＤという。)の数及びサイズを図４に示
す。
られたウェーハ表面の直径１９６ｍｍの円内におけるパ
ーティクルの数を検出下限値が０．１０μｍのレーザパ
ーティクルカウンタを用いて調べた。実施例１及び比較
例１，２のウェーハにおける散乱欠陥(Light Point Def
ect、以下、ＬＰＤという。)の数及びサイズを図４に示
す。
【００２５】図４より明らかなように、アルカリエッチ
ングのみの比較例１及び２では、検出下限値が０．１０
６μｍや０．１２μｍ、０．１６μｍで測定したときに
数多くのパーティクルが検出された。これに対して実施
例１では、各検出下限値でのパーティクルの検出数が非
常に少なく、本発明の方法によりウェーハを製造するこ
とによりパーティクルの発生を抑制できることが判る。
ングのみの比較例１及び２では、検出下限値が０．１０
６μｍや０．１２μｍ、０．１６μｍで測定したときに
数多くのパーティクルが検出された。これに対して実施
例１では、各検出下限値でのパーティクルの検出数が非
常に少なく、本発明の方法によりウェーハを製造するこ
とによりパーティクルの発生を抑制できることが判る。
【００２６】＜評価２＞実施例１の製造方法において、
各工程を終えた後のウェーハ裏面の状態を光沢度計と原
子間力顕微鏡により測定し、ウェーハ裏面の光沢度と平
方根平均ラフネス（root-mean-square roughness；
Ｒms）をそれぞれ求めた。測定対象は酸エッチングを終
えた後、裏面軽研磨を終えた後、アルカリエッチングに
おいて３μｍエッチングした後、アルカリエッチングに
おいて５μｍエッチングした後、及びアルカリエッチン
グにおいて７μｍエッチングした後とした。得られた結
果から光沢度とラフネスＲmsとの関係を図５に示す。
各工程を終えた後のウェーハ裏面の状態を光沢度計と原
子間力顕微鏡により測定し、ウェーハ裏面の光沢度と平
方根平均ラフネス（root-mean-square roughness；
Ｒms）をそれぞれ求めた。測定対象は酸エッチングを終
えた後、裏面軽研磨を終えた後、アルカリエッチングに
おいて３μｍエッチングした後、アルカリエッチングに
おいて５μｍエッチングした後、及びアルカリエッチン
グにおいて７μｍエッチングした後とした。得られた結
果から光沢度とラフネスＲmsとの関係を図５に示す。
【００２７】図５より明らかなように、酸エッチングを
終えた後の裏面の状態に比べて裏面軽研磨を終えた後の
裏面の状態は、光沢度が上昇するとともに、ラフネスＲ
msが低下している。続く工程であるアルカリエッチング
においてエッチングを施すことにより取り代が増えると
再び光沢度が低下し、ラフネスＲmsが上昇することが判
る。
終えた後の裏面の状態に比べて裏面軽研磨を終えた後の
裏面の状態は、光沢度が上昇するとともに、ラフネスＲ
msが低下している。続く工程であるアルカリエッチング
においてエッチングを施すことにより取り代が増えると
再び光沢度が低下し、ラフネスＲmsが上昇することが判
る。
【００２８】＜評価３＞実施例１及び比較例１〜３で得
られたウェーハ端面を走査型電子顕微鏡（Scanning Ele
ctoron Microscope；ＳＥＭ）を用いて倍率２００倍、
４００倍及び８００倍の各倍率で測定した。倍率２００
倍のウェーハ端面を図６（ａ）〜図６（ｄ）に、倍率４
００倍のウェーハ端面を図７（ａ）〜図７（ｄ）に、倍
率８００倍のウェーハ端面を図８（ａ）〜図８（ｄ）に
それぞれ示す。また実施例１及び比較例１〜３で得られ
たウェーハ端面をＣＣＤイメージセンサーを用いて倍率
１７５倍で測定した。測定結果を図９（ａ）〜（ｄ）に
それぞれ示す。
られたウェーハ端面を走査型電子顕微鏡（Scanning Ele
ctoron Microscope；ＳＥＭ）を用いて倍率２００倍、
４００倍及び８００倍の各倍率で測定した。倍率２００
倍のウェーハ端面を図６（ａ）〜図６（ｄ）に、倍率４
００倍のウェーハ端面を図７（ａ）〜図７（ｄ）に、倍
率８００倍のウェーハ端面を図８（ａ）〜図８（ｄ）に
それぞれ示す。また実施例１及び比較例１〜３で得られ
たウェーハ端面をＣＣＤイメージセンサーを用いて倍率
１７５倍で測定した。測定結果を図９（ａ）〜（ｄ）に
それぞれ示す。
【００２９】図６〜図９より明らかなように、比較例１
〜３のウェーハ端面である図６（ｂ）〜（ｄ）、図７
（ｂ）〜（ｄ）、図８（ｂ）〜（ｄ）及び図９（ｂ）〜
（ｄ）では、ウェーハ端面に割れやひび、欠けにより生
じた凹み等が表れている。これに対して実施例１により
得られたウェーハ端面である図６（ａ）、図７（ａ）、
図８（ａ）及び図９（ａ）では、滑らかな表面を有して
おり、割れやかけ等の不具合は見られなかった。
〜３のウェーハ端面である図６（ｂ）〜（ｄ）、図７
（ｂ）〜（ｄ）、図８（ｂ）〜（ｄ）及び図９（ｂ）〜
（ｄ）では、ウェーハ端面に割れやひび、欠けにより生
じた凹み等が表れている。これに対して実施例１により
得られたウェーハ端面である図６（ａ）、図７（ａ）、
図８（ａ）及び図９（ａ）では、滑らかな表面を有して
おり、割れやかけ等の不具合は見られなかった。
【００３０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の各工程１０
〜１７を経ることにより、ウェーハ表面がウェーハ裏面
より光沢度が高くなり、ウェーハ両面が高精度の平坦度
及び小さい表面粗さを有し、デバイスプロセスの搬送系
でのウェーハ有無の検知における検知困難や誤検知など
の問題を生じず、ウェーハの表裏面を目視により識別可
能な程度に差別化することができる。
〜１７を経ることにより、ウェーハ表面がウェーハ裏面
より光沢度が高くなり、ウェーハ両面が高精度の平坦度
及び小さい表面粗さを有し、デバイスプロセスの搬送系
でのウェーハ有無の検知における検知困難や誤検知など
の問題を生じず、ウェーハの表裏面を目視により識別可
能な程度に差別化することができる。
【図１】本発明の処理方法を示す工程図。
【図２】(a) エッチング工程を終えたウェーハの状態を
示すウェーハ裏面部分拡大断面図。 (b) 裏面軽研磨工程を終えたウェーハの状態を示すウェ
ーハ裏面部分拡大断面図。
示すウェーハ裏面部分拡大断面図。 (b) 裏面軽研磨工程を終えたウェーハの状態を示すウェ
ーハ裏面部分拡大断面図。
【図３】裏面軽研磨工程及び表面鏡面研磨工程に用いる
片面研磨装置の概略図。
片面研磨装置の概略図。
【図４】実施例１及び比較例１，２のＬＰＤサイズに応
じたＬＰＤ数を示す図。
じたＬＰＤ数を示す図。
【図５】実施例１の各工程を終えた光沢度と平方根平均
ラフネスＲmsとの関係を示す図。
ラフネスＲmsとの関係を示す図。
【図６】(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率２０
０倍走査型電子顕微鏡写真図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率２００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率２００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (d) 比較例３のウェーハ端面における倍率２００倍走査
型電子顕微鏡写真図。
０倍走査型電子顕微鏡写真図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率２００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率２００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (d) 比較例３のウェーハ端面における倍率２００倍走査
型電子顕微鏡写真図。
【図７】(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率４０
０倍走査型電子顕微鏡写真図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率４００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率４００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (d) 比較例３のウェーハ端面における倍率４００倍走査
型電子顕微鏡写真図。
０倍走査型電子顕微鏡写真図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率４００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率４００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (d) 比較例３のウェーハ端面における倍率４００倍走査
型電子顕微鏡写真図。
【図８】(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率８０
０倍走査型電子顕微鏡写真図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率８００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率８００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (d) 比較例３のウェーハ端面における倍率８００倍走査
型電子顕微鏡写真図。
０倍走査型電子顕微鏡写真図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率８００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率８００倍走査
型電子顕微鏡写真図。 (d) 比較例３のウェーハ端面における倍率８００倍走査
型電子顕微鏡写真図。
【図９】(a) 実施例１のウェーハ端面における倍率１７
５倍ＣＣＤイメージセンサー図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣ
Ｄイメージセンサー図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣ
Ｄイメージセンサー図。(d) 比較例３のウェーハ端面に
おける倍率１７５倍ＣＣＤイメージセンサー図。
５倍ＣＣＤイメージセンサー図。 (b) 比較例１のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣ
Ｄイメージセンサー図。 (c) 比較例２のウェーハ端面における倍率１７５倍ＣＣ
Ｄイメージセンサー図。(d) 比較例３のウェーハ端面に
おける倍率１７５倍ＣＣＤイメージセンサー図。
【図１０】(a) 端面に欠けを生じたウェーハの部分拡大
断面図。 (b) 図１０(a)に示すウェーハを酸エッチングした後の
ウェーハ端面の部分拡大断面図。 (c) 図１０(a)に示すウェーハをアルカリエッチングし
た後のウェーハ端面の部分拡大断面図。
断面図。 (b) 図１０(a)に示すウェーハを酸エッチングした後の
ウェーハ端面の部分拡大断面図。 (c) 図１０(a)に示すウェーハをアルカリエッチングし
た後のウェーハ端面の部分拡大断面図。
１０ スライス工程
１１ 面取り工程
１２ ラッピング工程
１３ エッチング工程
１３ａ 第１エッチング工程
１３ｂ 第２エッチング工程
１４ 裏面軽研磨工程
１６ 表面鏡面研磨工程
１７ 洗浄工程
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年３月２２日（２００２．３．２
２）
２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図８】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 谷口 徹
東京都港区芝浦一丁目２番１号 三菱住友
シリコン株式会社内
(72)発明者 藤巻 一夫
東京都港区芝浦一丁目２番１号 三菱住友
シリコン株式会社内
(72)発明者 工藤 明弘
東京都港区芝浦一丁目２番１号 三菱住友
シリコン株式会社内
(72)発明者 則本 雅史
東京都港区芝浦一丁目２番１号 三菱住友
シリコン株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 単結晶インゴットをスライスして薄円板
状のウェーハを得るスライス工程(10)と、 前記スライス工程(10)によって得られたウェーハを面取
りする面取り工程(11)と、 前記面取りされたウェーハを平面化するラッピング工程
(12)と、 前記面取り工程(11)及びラッピング工程(12)により導入
されたウェーハ表面の加工歪みを除去するエッチング工
程(13)と、 前記エッチングされたウェーハの表面を鏡面研磨する表
面研磨工程(16)と、 前記表面研磨されたウェーハを洗浄する洗浄工程(17)と を含むシリコンウェーハの製造方法において、 前記エッチング工程(13)が前記ウェーハを酸エッチング
する第１エッチング工程(13a)とこの第１エッチング工
程(13a)の後に前記ウェーハをアルカリエッチングする
第２エッチング工程(13b)とを含み、 前記第１エッチング工程(13a)と前記第２エッチング工
程(13b)との間に前記第１エッチング工程(13a)で形成さ
れたウェーハ裏面の凹凸の一部を研磨する裏面軽研磨工
程(14)を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造
方法。 - 【請求項２】 裏面軽研磨工程(14)によるウェーハ裏面
の研磨時間を３０〜４５秒又は裏面軽研磨後のウェーハ
裏面光沢度を１２０〜１４０％とする請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項３】 エッチング工程(13)における第１エッチ
ング工程(13a)及び第２エッチング工程(13b)の合計取り
代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で２
５〜３０μｍとし、第１エッチング工程(13a)における
酸エッチングの合計取り代をシリコンウェーハの表面と
裏面を合わせた合計で２０〜２５μｍとし、第２エッチ
ング工程(13b)におけるアルカリエッチングの合計取り
代をシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で５
〜１０μｍとする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】 第１エッチング工程(13a)における酸エ
ッチングのエッチング液がフッ酸及び硝酸をそれぞれ含
む請求項１又は３記載の製造方法。 - 【請求項５】 第１エッチング工程(13a)における酸エ
ッチングのエッチング液が酢酸、硫酸又はリン酸を少な
くとも１種更に含む請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】 第２エッチング工程(13b)におけるアル
カリエッチングのエッチング液が水酸化ナトリウム又は
水酸化カリウムである請求項１又は３記載の製造方法。
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| CN112233967A (zh) * | 2020-10-15 | 2021-01-15 | 扬州扬杰电子科技股份有限公司 | 一种改善背面金属与衬底Si脱落异常的加工方法 |
| WO2023047683A1 (ja) * | 2021-09-24 | 2023-03-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 研磨方法および基板処理装置 |
-
2002
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