TW202243297A - 傳感裝置 - Google Patents

傳感裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW202243297A
TW202243297A TW111115378A TW111115378A TW202243297A TW 202243297 A TW202243297 A TW 202243297A TW 111115378 A TW111115378 A TW 111115378A TW 111115378 A TW111115378 A TW 111115378A TW 202243297 A TW202243297 A TW 202243297A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
diaphragm
sound
gel
liquid
sensing device
Prior art date
Application number
TW111115378A
Other languages
English (en)
Inventor
袁永帥
鄧文俊
周文兵
黃雨佳
廖風雲
齊心
Original Assignee
大陸商深圳市韶音科技有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 大陸商深圳市韶音科技有限公司 filed Critical 大陸商深圳市韶音科技有限公司
Publication of TW202243297A publication Critical patent/TW202243297A/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/08—Mouthpieces; Microphones; Attachments therefor
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/097—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by vibratory elements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
    • H04R1/222—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only  for microphones
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
    • G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
    • G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
    • G01H11/08—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means using piezoelectric devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/02—Analysing fluids
    • G01N29/036—Analysing fluids by measuring frequency or resonance of acoustic waves
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/24—Probes
    • G01N29/2406—Electrostatic or capacitive probes, e.g. electret or cMUT-probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
    • G01N29/22—Details, e.g. general constructional or apparatus details
    • G01N29/24—Probes
    • G01N29/2437—Piezoelectric probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P1/00—Details of instruments
    • G01P1/02—Housings
    • G01P1/023—Housings for acceleration measuring devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/0802—Details
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/09—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by piezoelectric pick-up
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/125—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by capacitive pick-up
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H04R17/02—Microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00—Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers
    • H04R17/10—Resonant transducers, i.e. adapted to produce maximum output at a predetermined frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/04—Microphones
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/01—Indexing codes associated with the measuring variable
    • G01N2291/014—Resonance or resonant frequency
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2291/00—Indexing codes associated with group G01N29/00
    • G01N2291/02—Indexing codes associated with the analysed material
    • G01N2291/022—Liquids
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/08—Mouthpieces; Microphones; Attachments therefor
    • H04R1/083—Special constructions of mouthpieces

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Abstract

本說明書實施例可以提供一種傳感裝置，所述傳感裝置包括：傳感結構，所述傳感結構具有第一諧振頻率；以及拾音結構，被配置為通過進聲孔與所述傳感裝置的外部聲音連通。所述拾音結構與所述傳感結構之間形成聲學腔體。當所述拾音結構響應於經由所述進聲孔傳遞的氣導聲音而產生振動時，所述振動引起所述聲學腔體內的聲壓發生變化，所述傳感結構基於所述聲學腔體內的聲壓變化將所述氣導聲音轉為電信號。其中，所述拾音結構為所述傳感裝置提供第二諧振頻率，所述第二諧振頻率與所述第一諧振頻率的差值在1000 Hz–10000 Hz的範圍內。

Description

傳感裝置
本申請案涉及聲學技術領域，特別涉及傳感裝置。
本申請案主張於2021年4月23日提交之申請號為202110445739.3的中國專利申請案的優先權，於2021年8月11日提交之申請號為202110919761.7的中國專利申請案的優先權，以及於2021年8月11日提交之申請號PCT/CN2021/112030的國際專利申請案的優先權，其全部內容通過引用的方式併入本文。
傳感裝置（例如，麥克風）接收外部的振動信號，在傳感裝置的諧振頻率附近，由於諧振作用，振動信號會產生較大的振幅。但是，在傳感裝置的非諧振頻率處，振動信號產生的振幅相對較小，由此導致傳感裝置只能在較窄的頻段範圍內具有較高的靈敏度。因此，希望提供一種在更寬的頻段範圍內都具有較高靈敏度的傳感裝置。
本說明書實施例可以提供一種傳感裝置，所述傳感裝置包括：傳感結構，所述傳感結構具有第一諧振頻率；以及拾音結構，被配置為通過進聲孔與所述傳感裝置的外部聲音連通，所述拾音結構與所述傳感結構之間形成聲學腔體，當所述拾音結構回應於經由所述進聲孔傳遞的氣導聲音而產生振動時，所述振動引起所述聲學腔體內的聲壓發生變化，所述傳感結構基於所述聲學腔體內的聲壓變化將所述氣導聲音轉為電信號，其中，所述拾音結構為所述傳感裝置提供第二諧振頻率，所述第二諧振頻率與所述第一諧振頻率的差值在1000–10000 Hz的範圍內。
在一些實施例中，所述拾音結構包括液體或凝膠；且所述液體或所述凝膠與所述聲學腔體內的氣體共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統。
在一些實施例中，所述拾音結構還包括支撐件，所述支撐件用於限定所述液體或所述凝膠的運動。
在一些實施例中，所述支撐件包括連接於或接觸所述傳感結構的管柱；且所述管柱包括直型管柱或曲型管柱。
在一些實施例中，所述傳感結構包括印刷電路板；且所述拾音結構包括振膜，所述振膜連接於所述印刷電路板。
在一些實施例中，所述拾音結構包括振膜、液體和支撐件或包括振膜、凝膠和支撐件；所述液體和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統或所述凝膠和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統；且所述振膜和所述支撐件用於限定所述液體或所述凝膠的運動。
在一些實施例中，所述拾音結構包括振膜和液體或包括振膜和凝膠；且所述液體和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統或者所述凝膠和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統。
在一些實施例中，所述拾音結構包括振膜、液體、支撐件和質量塊或者包括振膜、凝膠、支撐件和質量塊；所述液體、所述振膜和所述質量塊共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統或所述凝膠、所述振膜和所述質量塊共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統；所述振膜和所述支撐件用於限定所述液體或所述凝膠的運動；且所述質量塊置於所述液體或所述凝膠中。
在一些實施例中，所述拾音結構包括振膜、支撐件和質量塊；所述振膜和所述質量塊共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統；且所述支撐件用於支撐所述振膜和所述質量塊。
在一些實施例中，所述振膜的模量為100 MPa - 300 GPa。
在一些實施例中，所述振膜的模量為5 GPa - 50 GPa。
在一些實施例中，所述傳感結構包括第二振膜；以及所述振膜的模量為所述第二振膜的模量的1/100 - 1/10。
在一些實施例中，所述振膜呈圓形；以及所述振膜的半徑為500 um - 3 mm。
在一些實施例中，所述液體的密度為0 g/cm3 - 3 g/cm3。
在一些實施例中，所述液體的黏度為1 cst - 3000 cst。
在一些實施例中，所述第二諧振頻率低於所述第一諧振頻率。
在一些實施例中，所述第二諧振頻率為2000 Hz - 10000 Hz。
附加的特徵將在下面的描述中部分地闡述，並且對於所屬技術領域中具有通常知識者來說，通過查閱以下內容和附圖將變得顯而易見，或者可以通過實例的產生或操作來瞭解。本說明書的特徵可以通過實踐或使用以下詳細實例中闡述的方法、工具和組合的各個方面來實現和獲得。
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單的介紹。顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些示例或實施例，對於所屬技術領域中具有通常知識者來講，在不付出進步性努力的前提下，還可以根據這些附圖將本發明應用於其它類似情景。應當理解，給出這些示例性實施例僅僅是為了使所屬技術領域中具有通常知識者能夠更好地理解進而實現本說明書，而並非以任何方式限制本說明書的範圍。除非從語言環境中顯而易見或另做說明，圖式中相同的元件符號代表相同結構或操作。
如本說明書和申請專利範圍中所示，除非上下文明確提示例外情形，“一”、“一個”、“一種”和/或“該”等詞並非特指單數，也可包括複數。一般說來，術語“包括”與“包含”僅提示包括已明確標識的步驟和元素，而這些步驟和元素不構成一個排它性的羅列，方法或者設備也可能包含其他的步驟或元素。術語“基於”是“至少部分地基於”。術語“一個實施例”表示“至少一個實施例”；術語“另一實施例”表示“至少一個另外的實施例”。
在本說明書的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“高度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“後”、“左”、“右”、“豎直”、“垂直”、“水準”、“頂”、“底”、“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關係為基於附圖所示的方位或位置關係，僅是為了便於描述本說明書和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本說明書的限制。
此外，術語“第一”、“第二”僅用於描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特徵的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特徵可以明示或者隱含地包括至少一個該特徵。在本說明書的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩個、三個等，除非另有明確具體的限定。
在本說明書中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關係，除非另有明確的限定。對於所屬技術領域中具有通常知識者而言，可以根據具體情況理解上述術語在本說明書中的具體含義。
在本說明書中，除非另有明確的規定和限定，第一特徵在第二特徵“上”或“下”可以是第一和第二特徵直接接觸，或第一和第二特徵通過中間媒介間接接觸。而且，第一特徵在第二特徵“之上”、“上方”和“上面”可是第一特徵在第二特徵正上方或斜上方，或僅僅表示第一特徵水準高度高於第二特徵。第一特徵在第二特徵“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特徵在第二特徵正下方或斜下方，或僅僅表示第一特徵水準高度小於第二特徵。
本說明書中一些實施例提供了傳感裝置。該傳感裝置可以包括傳感結構和拾音結構。該傳感結構具有第一諧振頻率。該拾音結構可以通過進聲孔與傳感裝置的外部聲音連通（如氣導聲音）並與傳感結構之間形成聲學腔體。當拾音結構回應於經由該進聲孔傳遞的氣導聲音而產生振動時，該振動可以引起聲學腔體內的聲壓發生變化。傳感結構可以基於聲學腔體內的聲壓變化將氣導聲音轉為電信號。其中，拾音結構可以為傳感裝置提供第二諧振頻率。在一些實施例中，第二諧振頻率小於第一諧振頻率。當第二諧振頻率與第一諧振頻率差值滿足一定的條件，例如，在1000 Hz – 10000 Hz之間時，相比於傳感結構，含拾音結構的傳感裝置的靈敏度在更寬的頻率範圍內都能有所提升。
在一些實施例中，拾音結構可以包括液體、凝膠、支撐件（如管柱）、振膜（如高分子膜）、質量塊等或其任意組合。液體、凝膠或質量塊可以與上述聲學腔體內的氣體共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統），又或者，液體、凝膠或質量塊可以與振膜共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。支撐件可以用於限制液體、凝膠、振膜或質量塊的運動。在一些實施例中，可以通過調整形成所述拾音結構的物質的參數（例如，液體或凝膠的黏度、液體或凝膠的密度、振膜的模量、振膜的尺寸、質量塊的重量等），改變第二諧振頻率的大小以及第一諧振頻率和第二諧振頻率之間的大小關係，從而達到，例如，提高傳感裝置的靈敏度、可靠性或使傳感裝置的輸出增益在所需頻段（例如，中低頻）更加穩定、傳感裝置的頻率響應曲線更加平坦等目的。
在一些實施例中，傳感結構可以包括基體結構和疊層結構。在一些實施例中，基體結構可以為內部具有中空部分的規則或不規則的立體結構，例如，可以是中空的框架結構體，包括但不限於矩形框、圓形框、正多邊形框等規則形狀，以及任何不規則形狀。疊層結構可以位於基體結構的中空部分或者至少部分懸空設置在基體結構中空部分的上方。在一些實施例中，疊層結構的至少部分結構與基體結構通過物理方式進行連接。例如，疊層結構可以為懸臂梁，該懸臂梁可以為板狀結構體，懸臂梁的一端與基體結構的上表面、下表面或基體結構中中空部分所在的側壁連接，懸臂梁的另一端不與基體結構連接或接觸，使得懸臂梁的另一端懸空設置於基體結構的中空部分。又例如，疊層結構可以包括振膜層（也稱為懸膜結構），懸膜結構與基體結構固定連接，疊層結構設置於懸膜結構的上表面或下表面。再例如，疊層結構可以包括質量元件（如質量塊）和支撐臂，質量元件通過支撐臂與基體結構固定連接，該支撐臂的一端與基體結構連接，支撐臂的另一端與質量元件連接，使得質量元件和支撐臂的部分區域懸空設置於基體結構中空部分。需要知道的是，本說明書中所說的“位於基體結構的中空部分”或“懸空設置於基體結構的中空部分”可以表示懸空設置於基體結構中空部分的內部、下方或者上方。
在一些實施例中，疊層結構可以包括振動單元和聲學換能單元。具體地，基體結構可以基於外部振動信號產生振動，振動單元回應於基體結構的振動發生形變；聲學換能單元基於振動單元的形變產生電信號。需要知道的是，這裡對振動單元和聲學換能單元的描述只是出於方便介紹疊層結構工作原理的目的，並不限制疊層結構的實際組成和結構。事實上，振動單元可以不是必須的，其功能完全可以由聲學換能單元實現。例如，對聲學換能單元的結構做一定改變後可以由聲學換能單元直接回應於基體結構的振動而產生電信號。需要注意的是，基體結構不限於相對傳感結構的殼體獨立的結構，在一些實施例中，基體結構還可以為傳感結構殼體的一部分。
在一些實施例中，傳感結構可以基於外部信號，例如力學信號（如壓力、機械振動）、聲信號（如聲波）、電信號、光信號、熱信號等，產生形變和/或位移。所述形變和/或位移可以通過傳感結構的換能部件進一步轉換為目標信號。所述目標信號可以是電信號、力學信號（如機械振動）、聲信號（如聲波）、電信號、光信號、熱信號等。在一些實施例中，傳感結構可以是麥克風（例如，氣傳導麥克風或以骨傳導為聲音主要傳播方式之一的麥克風）、加速度計、壓力傳感結構、水聽器、能量收集器、陀螺儀等。氣傳導麥克風是指可以接收空氣傳導聲波並將其轉換成電信號的麥克風，以骨傳導為聲音主要傳播方式之一的麥克風是指至少可以接收固體振動並將其轉換成電信號的麥克風。為了便於說明，本說明書實施例以傳感結構為氣導麥克風為例，其並不意圖限制本說明書的保護範圍。
圖1是根據本說明書一些實施例所示的電容式氣導麥克風的結構示意圖。圖2是根據本說明書一些實施例所示的壓電式氣導麥克風的結構示意圖。
在一些實施例中，傳感結構可以包括電容式麥克風。以圖1所示的電容式麥克風100為例，電容式麥克風100可以包括換能元件110、處理器120、印刷電路板（printed circuit board, PCB）130、殼體150、和進聲孔160。在一些實施例中，換能元件110可以將外部振動信號（如氣導聲音140）轉換為電信號。如圖1所示，換能元件110可以包括振膜111和背板112。振膜111與背板112可以構成電容。例如，振膜111和背板112可以平行放置且距離較近，分別構成該電容的兩極。當氣導聲音140經由進聲孔160引起振膜111產生振動時，振膜111與背板112之間的距離會發生改變，從而改變了電容器的電容。在電壓維持不變的情況下，電容器內的電量發生變化，從而產生電信號，實現聲音的採集。
在一些實施例中，處理器120可以從換能元件110獲取該電信號並進行信號處理。在一些實施例中，該信號處理可以包括調頻處理、調幅處理、濾波處理、降噪處理等。處理器120可以包括微控制器、微處理器、專用積體電路（application specific integrated circuit, ASIC）、專用指令集處理器（application specific instruction-set processor, ASIP）、中央處理單元（central processing unit, CPU）、物理運算處理單元（physics processing unit, PPU）、數位訊號處理器（digital signal processing, DSP）、現場可程式閘陣列（field-programmable gate array, FPGA）、高級精簡指令集電腦（advanced RISC machine, ARM）、可程式邏輯裝置（programmable logic device，PLD）或其他類型的處理電路或處理器。
在一些實施例中，PCB 130上可以設置（例如，通過雷射刻蝕、化學刻蝕等方式）電路及電容式麥克風100的其他元件（如換能元件110、處理器120）。在一些實施例中，換能元件110和/或處理器120可以通過導電膠（例如，導電銀膠、銅粉導電膠、鎳碳導電膠、銀銅導電膠等）固定連接於PCB 130上。所述導電膠可以是導電膠水、導電膠膜、導電膠圈、導電膠帶等。在一些實施例中，換能元件110和/或處理器120可以分別通過PCB 130上設置的電路與其他元器件電連接。在一些實施例中，換能元件110和處理器120之間可以通過導線（例如金線、銅線、鋁線等）直接連接。
在一些實施例中，PCB 130可以是酚醛PCB紙基板、複合PCB基板、玻纖PCB基板、金屬PCB基板、積層法多層板PCB基板等。例如，PCB 130可以是環氧玻纖布製成的FR-4等級的玻纖PCB基板。在一些實施例中，PCB 130也可以是柔性印刷電路板（Flexible Printed Circuit board，FPC）。
在一些實施例中，殼體150可以為內部具有腔體（即中空部分）的規則或不規則的立體結構，例如，可以是中空的框架結構體，包括但不限於矩形框、圓形框、正多邊形框等規則形狀，以及任何不規則形狀。在一些實施例中，可以對換能元件110、處理器120和PCB 130及其上設置的電路和其他元器件進行密封。在一些實施例中，殼體150上可以包括進聲孔，通過該進聲孔，可以使得換能元件110與外部聲音連通。
在一些實施例中，殼體150可以採用金屬（例如，不銹鋼、銅等）、塑膠（例如，聚乙烯（polyethylene, PE）、聚丙烯（polypropylene, PP）、聚氯乙烯（polyvinyl chloride, PVC）、聚苯乙烯（polystyrene, PS）、丙烯腈─丁二烯─苯乙烯共聚合物（acrylonitrile butadiene styrene, ABS）、複合材料（如金屬基複合材料或非金屬基複合材料）等。僅作為示例，殼體150所用的材料可以為黃銅。
在一些實施例中，傳感結構可以包括壓電式麥克風，壓電式麥克風可以包括上述基體結構和上述疊層結構（如懸臂梁、支撐臂或質量單元）。以圖2所示壓電式麥克風200為例，壓電式麥克風200可以包括換能元件、處理器220、PCB 230、殼體250和進聲孔260。換能元件可以包括振膜211和壓電元件（未在圖2中示出）。振膜211可以與壓電元件（未在圖2中示出）連接或接觸。在一些實施例中，壓電元件（未在圖2中示出）可以貼附在振膜211上，當氣導聲音240經由進聲孔260引起殼體250或振膜211產生振動時，可以帶動壓電元件（未在圖2中示出）產生形變，進而通過壓電元件（未在圖2中示出）在形變時的壓電效應產生電信號，實現聲音的採集。在一些實施例中，壓電式麥克風200與電容式麥克風100不同之處在於換能元件，其他元件如，處理器、PCB、殼體、進聲孔等，是相同或相似的。更多關於處理器220、PCB 230、殼體250和進聲孔260的描述可參考關於處理器120、PCB 130、殼體150和進聲孔160的描述。
需要說明的是，以上對壓電式麥克風（如壓電式麥克風200）中的換能元件的描述僅是示例，不意圖限制本說明書的範圍。在一些實施例中，壓電式麥克風中的換能元件可以僅包括振膜，且該振膜是壓電薄膜。氣導聲音經由進聲孔引起振膜振動形變，進而通過振膜形變時的壓電效應產生的電信號實現聲音的採集。
在一些實施例中，為了改善傳感結構對氣導聲音的回應能力，可以將傳感結構與一個或多個額外的拾音結構進行組合形成傳感裝置。該傳感結構的結構可以與前述的傳感結構（如電容式麥克風100、壓電式麥克風200）結構相同或類似。
在一些實施例中，拾音結構可以設置於傳感結構的換能元件和進聲孔之間。該拾音結構可以被配置為通過所述進聲孔與傳感裝置的外部聲音連通（如氣導聲音）且與傳感結構之間形成聲學腔體。當拾音結構回應於經由該進聲孔傳遞的氣導聲音而產生振動時，該振動可以引起聲學腔體內的聲壓發生變化，傳感結構基於聲學腔體內的聲壓變化將氣導聲音轉為電信號，從而實現聲音的採集。
在一些實施例中，傳感結構可以為傳感裝置提供第一諧振頻率，拾音結構可為傳感裝置提供第二諧振頻率。在一些實施例中，第一諧振頻率與第二諧振頻率的差值可以在1000 Hz - 10000 Hz的範圍內。在一些實施例中，第一諧振頻率與第二諧振頻率的差值可以在2000 Hz - 8000 Hz之間。在一些實施例中，第一諧振頻率與第二諧振頻率的差值可以在3000 Hz - 7000 Hz之間。在一些實施例中，第一諧振頻率與第二諧振頻率的差值可以在4000 Hz - 6000 Hz之間。在一些實施例中，該第一諧振頻率與傳感結構本身的屬性（如形狀、材料、結構）相關。在一些實施例中，該第一諧振頻率可以在10000 Hz以上。在一些實施例中，該第一諧振頻率可以在12000 Hz以上。在一些實施例中，該第一諧振頻率可以在15000 Hz以上。
在一些實施例中，該第二諧振頻率小於第一諧振頻率。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在2000 Hz - 10000 Hz之間。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在2000 Hz - 8000 Hz之間。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在3000 Hz - 4000 Hz之間。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在3200 Hz - 3800 Hz之間。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在3400 Hz - 3600 Hz之間。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在2000 Hz - 4000 Hz之間。在一些實施例中，第二諧振頻率可以在4000 Hz - 10000 Hz之間。相比於未組合拾音結構的傳感結構，含拾音結構的傳感裝置在較寬的頻率範圍的靈敏度有所提升。
在一些實施例中，拾音結構由與傳感結構連接或接觸的固體結構（如支撐件、質量塊、振膜）、液體、凝膠等或其組合形成。該液體、凝膠或質量塊可以與上述拾音結構與傳感結構之間形成的聲學腔體內的氣體共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統，又或者，液體、凝膠或質量塊可以與振膜共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。支撐件可用於限定液體、凝膠、振膜或質量塊的運動。在一些實施例中，第二諧振頻率的大小以及第二諧振頻率和第一諧振頻率的大小關係可以與拾音結構的參數和/或傳感結構的參數相關。在一些實施例中，為獲得傳感裝置的理想的輸出頻率響應或滿足實際應用要求的輸出頻率響應，可以通過電腦模擬、模體實驗等方式確定拾音結構的參數和/或傳感結構的參數的範圍。在一些實施例中，可以基於仿真模擬，通過控制變數的方式，逐個確定各因素分別對傳感裝頻率響應的影響。
在一些實施例中，不同因素之間對傳感裝置頻率響應的影響存在關聯，因此可以以相應的參數對或者參數組的方式，確定參數對或參數組對傳感裝置頻率響應的影響。僅僅出於說明的目的，以質量塊、振膜和支撐件組合形成拾音結構為例，傳感裝置的第二諧振頻率以及靈敏度與拾音結構的參數和/或傳感結構的參數的關係如下公式（1）所示：
Figure 02_image001
(1) 其中，S表示傳感裝置的靈敏度，f表示第二諧振頻率，K 1表示振膜的模量（如楊氏模量），K 2表示支撐件的模量（如楊氏模量），V表示聲學腔體的體積，R表示質量塊的半徑，h表示質量塊的高度，以及ρ表示質量塊的密度。
在一些實施例中，第二諧振頻率可隨著振膜的模量的增大而增大。在一些實施例中，第二諧振頻率可隨著支撐件的模量的增大而增大。在一些實施例中，第二諧振頻率可隨著質量塊在垂直於振膜振動方向的尺寸（如半徑、面積）的增大而先減小後增大。在一些實施例中，第二諧振頻率可隨著質量塊沿著振膜振動方向的高度的增大而減小。在一些實施例中，第二諧振頻率可隨著質量塊的密度的增大而減小。
在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度可隨著振膜的模量的增大而減小。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度可隨著支撐件的模量的增大而減小。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度可隨著腔體體積的增大而先增大後減小。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度可隨著質量塊的半徑（如沿垂直於振膜振動方向）的增大而先增大後減小。傳感裝置的靈敏度可隨著質量塊的高度（如沿振膜振動方向）的增大而增大。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度可隨著質量塊的密度的增大而增大。
在一些實施例中，拾音結構可以包括液體、凝膠或其組合物。該液體、凝膠或其組合物可以與上述聲學腔體內的氣體共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。例如，可以將液體、凝膠或其組合物當成該諧振系統中的質量，並將聲學腔體內的氣體當成該諧振系統中的彈簧。在一些實施例中，該液體、凝膠或其組合物構成的拾音結構可以與傳感結構中的振膜（也稱之為第二振膜）基本平行。此處使用的“基本平行”表示拾音結構的表面（如上表面、下表面）與第二振膜的表面（如上表面、下表面）平行或二者之間偏差小於3度、5度、8度、10度等。
在一些實施例中，傳感結構中的PCB可以用於限制該液體、凝膠或其組合物的運動。例如，液體、凝膠或其組合物被限定在PCB中的一個有限空間內，從而使其只能在該有限空間內運動。若液體、凝膠或其組合物的黏度達到一定閾值，液體、凝膠或其組合物可以黏附在該有限空間的內壁上。
為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，液體的密度可以在0 g/cm 3– 3 g/ cm 3之間。在一些實施例中，液體的密度可以在0 g/cm 3– 2 g/ cm 3之間。在一些實施例中，液體的密度可以在0 g/cm3 – 1 g/ cm3之間。在一些實施例中，液體的密度可以在1 g/cm 3– 3 g/ cm 3之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在1 厘斯托克斯（cst）– 3000 厘斯托克斯（cst）之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在1 cst– 1000cst之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在50 cst – 900 cst之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在100 cst –700 cst之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在200 cst – 500 cst之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在300 cst – 400 cst之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在1 cst –500 cst之間。在一些實施例中，凝膠的黏度可以在500 cst –3000 cst之間。
在一些實施例中，在選擇液體或凝膠的種類時，還可以考慮其安全性(如不易燃不易爆)、穩定性(如不易揮發、不發生高溫變質等)等。例如，液體可以包括油（例如矽油、甘油、蓖麻油、機油、潤滑油、液壓油（例如航空液壓油）等）、水（包括純水、其他無機物或有機物的水溶液等（例如鹽水））、油水乳化液等或其任意組合。凝膠可以包括天然水凝膠（如瓊脂糖、甲基纖維素、透明質酸、明膠、殼聚糖）、合成水凝膠（如聚丙烯醯胺、聚乙烯醇、聚丙烯酸鈉、丙烯酸酯聚合物）氣凝膠或其組合物。
在一些實施例中，可以通過調液體、凝膠或其組合物的屬性或傳感結構的參數來調整第二諧振頻率的大小以及第二諧振頻率和第一諧振頻率的大小關係。僅作為示例，液體、凝膠或其組合物的屬性可以包括液體、凝膠或其組合物的密度、液體、凝膠或其組合物的黏度、液體、凝膠或其組合物體積、是否有氣泡、氣泡體積、氣泡位置、氣泡數量等。傳感結構的參數可以包括其殼體的內部結構、尺寸、模量（如楊氏模量）、傳感結構的質量和/或其換能元件的尺寸、模量（如楊氏模量）等。在一些實施例中，液體、凝膠或其組合物的密度越大，相同體積下液體、凝膠或其組合物的質量越大，第二諧振頻率越小。在一些實施例中，液體、凝膠或其組合物的黏度越大，更不易產生特定方向（如縱向）的振動，第二諧振頻率越大。
在一些實施例中，可以根據所需第二諧振頻率的大小來選擇液體、凝膠或其組合物的密度或黏度。例如，如果需要第二諧振頻率處在較大的頻率區域（如4000 Hz – 10000 Hz），可選擇黏度較大（如500 cst – 3000 cst）的液體、凝膠或其組合物或者選擇密度較小（如0 g/cm3 –1 g/cm3）的液體、凝膠或其組合物；如果需要第二諧振頻率處在較小的頻率區域（如2000 Hz – 4000 Hz），可選擇黏度較小（如1 cst – 500 cst）的液體、凝膠或其組合物或者選擇密度較大（如1 g/cm3 – 3 g/cm3）的液體、凝膠或其組合物。
在一些實施例中，該拾音結構可以包括液體（或凝膠或其組合物）和支撐件。該液體（或凝膠或其組合物）可以與上述聲學腔體內的氣體共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。該支撐件用於限定液體（或凝膠或其組合物）的運動，進而確保傳感裝置的頻率響應的穩定性。在一些實施例中，支撐件的橫截面可以為矩形、圓形、環形、方形、五邊形六邊形等。在一些實施例中，支撐件可以包括連接於或接觸傳感結構的管柱（如直型管柱、曲型管柱）。例如，該管柱可連接或接觸於傳感結構中的PCB的一側。為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，該管柱的高度可以在0.1 mm - 50 mm之間。在一些實施例中，該管柱的高度可以在1 mm - 40 mm之間。在一些實施例中，該管柱的高度可以在5 mm - 30 mm之間。在一些實施例中，該管柱的高度可以在10 - 20 mm之間。在一些實施例中，該管柱的直徑（沿垂直於振膜振動方向）可以大於或等於聲學腔體的直徑（沿垂直於振膜振動方向）。在一些實施例中，該管柱的直徑在0.01 mm – 5 mm之間。在一些實施例中，該管柱的直徑在0.1 mm – 6 mm之間。在一些實施例中，該管柱的直徑在1 mm – 10 mm之間。在一些實施例中，該管柱的直徑在5 mm – 20 mm之間。
需要說明的是，包含液體（或凝膠或其組合物）和支撐件的拾音結構來產生第二諧振頻率的原理和上述包含液體、凝膠或其組合物的拾音結構相同或類似，更多相關描述可參考上述包含液體、凝膠或其組合物的拾音結構處的描述，在此不再贅述。
在一些實施例中，除了上述可以通過調整液體、凝膠或其組合物的屬性或傳感結構的參數來調整第二諧振頻率的大小，還可以通過調整支撐件的屬性（如支撐件的模量）來調整第二諧振頻率的大小。在一些實施例中，支撐件的模量越大，第二諧振頻率越大。
需要說明的是，具有第二諧振頻率的諧振系統是通過振膜在縱向上的振動形成的，振膜在其他方向上的振動可能會對具有第二諧振頻率的諧振系統有不利的影響（如造成頻率響應曲線不穩定）。在一些實施例中，該支撐件可以置於液體（或凝膠或其組合物）的左側和/或右側，以抑制振膜在其他方向上的振動。此外，如果支撐件易在外界聲音的作用下產生振動，可能會導致振膜在其他方向上發生振動。為避免這個問題，支撐件的模量需要大於特定閾值。僅作為示例，支撐件的材料可以包括紫外光固化膠（又稱為光敏膠、無影膠）、聚二甲矽氧烷（Polydimethyloxane, PDMS）、泡棉等或其任意組合。
在一些實施例中，拾音結構可以包括振膜。該振膜可以形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。在一些實施例中，振膜可以與傳感結構中PCB連接。例如，振膜可以通過膠黏劑、卡扣、螺栓等方式固定連接於PCB，從而可以限制振膜沿著特定方向（非縱向，如橫向）的運動。在一些實施例中，振膜的數量不限，如2個、3個、4個等。
為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，振膜的模量（如楊氏模量）可以在100 MPa - 300 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在1 GPa - 200 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在5 GPa - 50 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在1 GPa - 10 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在2GPa - 8 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在3 GPa - 7 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在4 GPa -6 GPa之間。在一些實施例中，振膜的模量可以是1 GPa。在一些實施例中，振膜的模量可以在第二振膜的模量的1/100 - 1/10之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在第二振膜的模量的1/50 - 1/5之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在第二振膜的模量的1/25 - 2/5之間。在一些實施例中，振膜的模量可以在第二振膜的模量的1/20 - 1/2之間。僅作為示例，振膜可以為聚四氟乙烯薄膜、聚二甲基矽氧烷薄膜、塑膠薄膜（如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯和聚酯等）、玻璃紙、紙張、金屬箔等或其任意組合物。
在一些實施例中，振膜橫截面（如沿垂直於振膜振動方向）的形狀可以是圓形、三角形、四邊形、多邊形等。在一些實施例中，振膜的橫截面形狀可以與拾音結構和傳感結構限定的聲學腔體的徑向截面（如沿垂直於振膜振動方向）形狀相適應。在一些實施例中，該聲學腔體可以為圓柱形，相應地，振膜橫截面的形狀可以為圓形。在一些實施例中，振膜的半徑可以根據聲學腔體的尺寸而定。例如，振膜的半徑可以與該聲學腔體的半徑相同或接近。為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，振膜的半徑可以在500 um - 3 mm之間。在一些實施例中，振膜的半徑可以在800 um – 2.5 mm之間。在一些實施例中，振膜的半徑可以在1mm - 2 mm之間。在一些實施例中，振膜的半徑可以在1.2 mm - 1.6 mm之間。在一些實施例中，振膜的厚度可以在500 nm – 100 um之間。在一些實施例中，振膜的厚度可以在800 nm – 80 um之間。在一些實施例中，振膜的厚度可以在1000 nm – 50 um之間。在一些實施例中，振膜的厚度可以在2000 nm – 30 um之間。在一些實施例中，振膜的厚度可以在5000 nm – 10 um之間。
在一些實施例中，可以通過調整振膜的屬性或傳感結構的參數來調整第二諧振頻率的大小。僅作為示例，振膜的屬性可以包括振膜的模量、振膜的尺寸（如長度、寬度、厚度）等。傳感結構的參數可以包括其殼體的內部結構、尺寸、模量、傳感結構的質量和/或其換能元件的尺寸、模量等。在一些實施例中，振膜的模量越大，第二諧振頻率越大。可以根據所需第二諧振頻率的大小來選擇振膜的模量。例如，如果需要第二諧振頻率處在較大的頻率區域（如4000 Hz –10000 Hz），可選擇模量較大（如5 Gpa – 300 Gpa、 5 Gpa –50 Gpa）的振膜；如果需要第二諧振頻率處在較小的頻率區域（如2000 Hz – 4000 Hz），可選擇模量較小（如100 MPa – 5 GPa）的振膜。
在一些實施例中，拾音結構可以包括振膜和液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）。該液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）和振膜共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。例如，可以將液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）當成該諧振系統中的質量，並將振膜當成該諧振系統中的彈簧。
在一些實施例中，振膜和傳感結構中PCB可以用於限制該液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的運動。例如，振膜可以置於液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的第一側端（上側、下側），液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的第二側端與傳感結構中PCB連接（左側、右側），以限制液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的運動。需要說明的是，為了確保液體或凝膠不會從振膜處滲出，振膜的滲透率需要小於閾值。在一些實施例中，振膜的數量不限，如2個、3個、4個等。
在一些實施例中，可以通過調整液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的屬性、振膜的屬性或傳感結構的參數來調整第二諧振頻率的大小，更多相關說明請參見上述含液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）或含振膜的拾音結構處的描述，在此不再贅述。
在一些實施例中，拾音結構可以包括振膜、液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）和支撐件。該液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）和振膜共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。例如，可以將液體、凝膠或其組合物當成該諧振系統中的質量，並將振膜當成該諧振系統中的彈簧。
在一些實施例中，振膜和支撐件可以用於限制該液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的運動。例如，振膜可以置於液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的第一側端（上側、下側），支撐件可以位於液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的第二側端（左側、右側），以限制液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的運動。在一些實施例中，振膜可以與支撐件連接。振膜可以通過其周側固定於支撐件的內壁。僅作為示例，該連接方式可以包括膠粘劑粘合，卡箍、卡扣、螺栓等。在一些實施例中，振膜或支撐件的數量不限，如2個、3個、4個等。
在一些實施例中，可以通過調整液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的屬性、振膜的屬性、支撐件的屬性或傳感結構的參數來調整第二諧振頻率的大小，更多相關說明請參見上述含液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）、振膜或支撐件的拾音結構處的描述，在此不再贅述。
在一些實施例中，拾音結構可以包括振膜、液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）、支撐件和質量塊。該液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）、該振膜和該質量塊共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。例如，可以將液體和質量塊當成該諧振系統中的質量，並將振膜當成該諧振系統中的彈簧。
在一些實施例中，質量塊可以置於液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）中。振膜和支撐件用於限定液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的運動。在一些實施例中，振膜可位於液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的第一側端（如上側、下側），支撐件可位於液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的第二側端（左側、右側），以限制液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）的運動。在一些實施例中，振膜或支撐件的數量不限，如2個、3個、4個等。更多關於支撐件、液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）、或振膜的描述可參考上述含支撐件、液體（或凝膠、或液體和凝膠的組合物）、或振膜的拾音結構處的描述，在此不再贅述。
在一些實施例中，質量塊可以為方塊、長方體、圓柱、圓環等形狀。為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，質量塊的厚度（沿振膜振動方向）在1 um -5000 um之間。在一些實施例中，質量塊的厚度為1 um - 3000 um之間。在一些實施例中，質量塊的厚度為1 um -1000 um之間。在一些實施例中，質量塊的厚度為1 um - 500 um之間。在一些實施例中，質量塊的厚度為1 um - 200 um之間。在一些實施例中，質量塊的厚度為1 um - 50 um之間。
為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，質量塊的面積（如沿垂直於振膜振動方向上的截面積或底面積）為0.1 mm 2- 100 mm 2。在一些實施例中，質量塊的面積為0.1 mm 2- 50 mm 2。在一些實施例中，質量塊的面積為0.1 mm 2- 10 mm 2。在一些實施例中，質量塊的面積為0.1 mm 2-6 mm 2。在一些實施例中，質量塊的面積為0.1 mm 2- 3 mm 2。在一些實施例中，質量塊的面積為0.1-1 mm 2。
為了使得拾音結構提供的第二諧振頻率在目標頻率範圍內，在一些實施例中，質量塊的材料密度為2 g/cm 3- 100 g/cm 3。在一些實施例中，質量塊的材料密度為2 g/cm 3- 70g/cm 3。在一些實施例中，質量塊的材料密度為5 g/cm 3- 50g/cm 3。在一些實施例中，質量塊的材料密度為5 g/cm 3- 30g/cm 3。在一些實施例中，質量塊可以採用鉛、銅、銀、錫等金屬或至少兩種金屬的合金等。
在一些實施例中，拾音結構包含的質量塊數量不限，如，一個、兩個或以上。當拾音結構包括兩個或以上質量塊時，該兩個或兩個以上的質量塊可以分別固定於振膜的上下表面。在一些實施例中，質量塊位於高分子膜下表面或者上下表面都有時，傳感裝置的靈敏度會進一步提高。
在一些實施例中，除了上述可以通過調整液體、凝膠或其組合物的屬性、振膜的屬性、支撐件的屬性或傳感結構的參數來調整第二諧振頻率的大小，還可以通過調整質量塊的屬性（如厚度、密度、半徑）來調整第二諧振頻率的大小。在一些實施例中，同等面積下質量塊越厚，其總質量越大，第二諧振頻率越小。在一些實施例中，同等體積下，質量塊的密度越大，其質量越大，傳感裝置的第二諧振頻率越小。
在一些實施例中，拾音結構可以包括振膜、支撐件和質量塊。振膜和質量塊共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統（如彈簧-質量系統）。例如，可以將質量塊當成該諧振系統中的質量，並將振膜當成該諧振系統中的彈簧。在一些實施例中，質量塊可以位於振膜的上方。支撐件可以與傳感結構中PCB連接，用於支撐振膜和質量塊。更多關於振膜、支撐件、質量塊或調整第二諧振頻率大小的描述可參見上述含振膜、支撐件、質量塊的拾音結構處的描述，在此不再贅述。
通過在傳感裝置中加入拾音結構，為傳感裝置提供小於第一諧振頻率的第二諧振頻率。當第二諧振頻率與第一諧振頻率差值滿足一定的條件，例如，在1000 Hz – 10000 Hz之間時，相比於傳感結構，含拾音結構的傳感裝置的靈敏度在更寬的頻率範圍內（如0 Hz – 15000 Hz、2000 Hz – 13000 Hz、3000 Hz – 12000 Hz）都能有所提升，尤其可以提升傳感裝置在第二諧振頻率（如2000 Hz – 10000 Hz、3000 Hz – 4000 Hz）附近的靈敏度。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度在更寬的頻率範圍內可以提升3 dB – 30 dB。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度在更寬的頻率範圍內可以提升3 dB – 45 dB。在一些實施例中，傳感裝置的靈敏度可以在更寬的頻率範圍內提升6 dB – 30 dB。
需要說明書的是，上述描述的傳感裝置包括一個拾音結構，僅用於說明的目的，並不意圖限制本說明書的保護範圍。在一些實施例中，傳感裝置可以包括兩個或以上拾音結構，其中每一個拾音結構與上述描述的拾音結構相同或類似。以傳感裝置包括傳感結構和兩個拾音結構為例，傳感結構可以為傳感裝置提供第一諧振頻率，兩個拾音結構可以分別為傳感裝置提供第二諧振頻率和第三諧振頻率。第二諧振頻率和第三諧振頻率可根據傳感裝置的實際應用場景滿足不同的關係。示例性地，第三諧振頻率為低頻、中低頻、中高頻（如小於7000 Hz、5000 Hz、4000 Hz、3000 Hz、1000 Hz或500 Hz的頻段內），第二諧振頻率可以大於第三諧振頻率，為更高頻段（如2000 Hz以上、4000 Hz以上、5000 Hz以上、8000 Hz以上）。又例如，第二諧振頻率和第三諧振頻率均為中低頻。當傳感裝置在低頻或者中低頻範圍內具有諧振頻率時，其在低頻的靈敏度相較於傳感結構（如電容式麥克風100、壓電式麥克風200）會更高；當傳感裝置進一步在高頻或中高頻具有諧振頻率時，其頻率響應曲線在中低頻範圍內也更為平坦，更有利於實現對該頻段內有效語音信號的獲取。
需要說明的是，上述將拾音結構應用於氣導麥克風描述僅用於說明的目的，並不意圖限制本說明書的保護範圍，上述拾音結構還可應用於其他設備，如以骨傳導為聲音主要傳播方式之一的麥克風、加速度計、壓力傳感結構、水聽器、能量收集器、陀螺儀等。僅作為示例，上述拾音結構可以應用於以骨傳導為聲音主要傳播方式之一的麥克風中。結合上文所述，具有第二諧振頻率的諧振系統是通過振膜在縱向上的振動形成的，振膜在其他方向上的振動可能會對具有第二諧振頻率的諧振系統有不利的影響（如造成頻率響應曲線不穩定）。在一些實施例中，骨導的輸入信號強度較大，為避免拾音結構中的振膜產生不利於第二諧振頻率的振動，拾音結構中振膜的模量（如楊氏模量）需要大於一定閾值，如5 GPa、10 GPa、20 GPa等。除此之外，當上述拾音結構應用於骨傳到麥克風時，可參考其應用於氣導麥克風的情況，通過調整拾音結構的參數，調整第二諧振頻率的大小。
圖3是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖4是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖3所示，傳感裝置300可以包括傳感結構300A（電容式麥克風）和拾音結構300B。傳感結構300A可以包括換能元件310、處理器320、PCB 330和殼體350。換能元件310可以包括振膜311和背板312。傳感結構300A與圖1所示的電容式麥克風100相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構300A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔370、殼體350上的進聲孔（未在圖3中示出））。拾音結構300B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖3中所示的氣導聲音340）。在一些實施例中，拾音結構300B與傳感結構300A之間形成聲學腔體360。外部氣導聲音340可通過該進聲孔作用於拾音結構300B，並引起拾音結構300B振動變形，進而使得聲學腔體360內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件310可以基於聲學腔體360內的聲壓變化將所述氣導聲音340轉為電信號。在這個過程中，傳感結構300A可以為傳感裝置300提供第一諧振頻率。拾音結構300B可以為傳感裝置300提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述，在此不再贅述。
如圖3所示，拾音結構300B可以設置於傳感結構300A的換能元件310和進聲孔370之間。例如，拾音結構300B可以設置在進聲孔370處。拾音結構300B可以包括液體、凝膠或其組合物。該液體、凝膠或其組合物與聲學腔體360中的氣體可以共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。該液體、凝膠或其組合物構成的拾音結構300B可以與振膜311基本平行。此處使用的“基本平行”表示液體、凝膠或其組合物的表面（如上表面、下表面）與振膜311表面（如上表面、下表面）平行或偏差小於3度、5度、8度、10度等。
如圖3所示，該液體、凝膠或其組合物可以與PCB 330連接。在一些實施例中，液體、凝膠或其組合物可以具有一定的黏度，從而可以相對於PCB 330保持固定。通過調整液體、凝膠或其組合物的屬性（如黏度、密度），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中包含液體、凝膠或其組合物的拾音結構處的描述，在此不再贅述。
在一些實施例中，拾音結構300B也可與圖4中所示的傳感結構400A（壓電式麥克風）構成傳感裝置400。其中，傳感結構400A可以包括換能元件411、處理器420、PCB 430、殼體450和進聲孔470。傳感結構400A與圖2所示的壓電式麥克風200相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置400和傳感裝置300類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖3中關於傳感裝置300的描述，在此不再贅述。
圖5是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖6是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖5所示，傳感裝置500可以包括傳感結構500A（電容式麥克風）和拾音結構500B。傳感結構500A可以包括換能元件510、處理器520、PCB 530和殼體550。換能元件510可以包括振膜511和背板512。傳感結構500A與圖1所示的電容式麥克風100或圖3所示的傳感結構300A相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構500A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔570、殼體550上的進聲孔（未在圖5中示出）。拾音結構500B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖5中所示的氣導聲音540）。在一些實施例中，拾音結構500B與傳感結構500A之間形成聲學腔體560。外部聲音540可通過該進聲孔作用於拾音結構500B，並引起拾音結構500B振動變形，進而使得聲學腔體560內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件510可以基於聲學腔體560內的聲壓變化將所述氣導聲音540轉為電信號。在這個過程中，傳感結構可以為傳感裝置500提供第一諧振頻率。拾音結構500B可以為傳感裝置500提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述。
如圖5所示，拾音結構500B可以設置於傳感結構500A的換能元件510和進聲孔570之間。例如，拾音結構500B可以設置在進聲孔570處。拾音結構500B可以包括液體（或凝膠或其組合物）582和支撐件584。液體（或凝膠或其組合物）582與聲學腔體560中的氣體可以共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。支撐件584用於限制液體（或凝膠或其組合物）582的運動。支撐件584可以和PCB 530固定連接，並位於液體（或凝膠或其組合物）582的左側和右側。在一些實施例中，通過調整液體（或凝膠或其組合物）582的屬性（如黏度、密度）和/或支撐件584的屬性（如模量），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中含液體（或凝膠或其組合物）或支撐件的拾音結構處的描述。
在一些實施例中，拾音結構500B也可與圖6中所示的傳感結構600A（壓電式麥克風）構成傳感裝置600。其中，傳感結構600A可以包括換能元件611、處理器620、PCB 630、殼體650和進聲孔670。傳感結構600A與圖2所示的壓電式麥克風200或圖4所示的傳感結構400A相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置600和傳感裝置500類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖5中關於傳感裝置500的描述。
圖7是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖8是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖7所示，傳感裝置700可以包括傳感結構700A（電容式麥克風）和拾音結構700B。傳感結構700A可以包括換能元件710、處理器720、PCB 730和殼體750。換能元件710可以包括振膜711和背板712。傳感結構700A與圖1所示的電容式麥克風100或圖3或圖5所示的傳感結構300A或500A相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構700A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔770、殼體750上的進聲孔（未在圖7中示出））。拾音結構700B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖7中所示的氣導聲音740）。在一些實施例中，拾音結構700B與傳感結構700A之間形成聲學腔體760。外部聲音740可通過該進聲孔作用於拾音結構700B，並引起拾音結構700B振動變形，進而使得聲學腔體760內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件710可以基於聲學腔體760內的聲壓變化將所述氣導聲音740轉為電信號。在這個過程中，傳感結構可以為傳感裝置700提供第一諧振頻率。拾音結構700B可以為傳感裝置700提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述。
如圖7所示，拾音結構700B可以設置於傳感結構700A的換能元件710和進聲孔770之間。例如，拾音結構700B可以設置在進聲孔770處。拾音結構700B可以包括振膜。該振膜可以形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。振膜可以與PCB 730連接。在一些實施例中，通過調整振膜的屬性（如模量），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於振膜或調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中包含振膜的拾音結構處的描述。
在一些實施例中，拾音結構700B也可與圖8中所示的傳感結構800A（壓電式麥克風）構成傳感裝置800。其中，傳感結構800A可以包括換能元件811、處理器820、PCB 830、殼體850和進聲孔870。傳感結構800A與圖2所示的壓電式麥克風200或圖4或6所示的傳感結構400A或600A相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置800和傳感裝置700類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖7中關於傳感裝置700的描述。
圖9是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖10是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖9所示，傳感裝置900可以包括傳感結構900A（電容式麥克風）和拾音結構900B。傳感結構900A可以包括換能元件910、處理器920、PCB 930和殼體950。換能元件910可以包括振膜911和背板912。傳感結構900A與圖1所示的電容式麥克風100或圖3、圖5或圖7所示的傳感結構300A、500A或700A相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構900A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔970、殼體950上的進聲孔（未在圖9中示出）。拾音結構900B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖9中所示的氣導聲音940）。在一些實施例中，拾音結構900B與傳感結構900A之間形成聲學腔體960。外部聲音940可通過該進聲孔作用於拾音結構900B，並引起拾音結構900B振動變形，進而使得聲學腔體960內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件910可以基於聲學腔體960內的聲壓變化將所述氣導聲音940轉為電信號。在這個過程中，傳感結構可以為傳感裝置900提供第一諧振頻率。拾音結構900B可以為傳感裝置900提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述。
如圖9所示，拾音結構900B可以設置於傳感結構900A的換能元件910和進聲孔970之間。例如，拾音結構900B可以設置在進聲孔970處。拾音結構900B可以包括液體（或凝膠或其組合物）982和振膜984。液體（或凝膠或其組合物）982和振膜984可以共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。振膜984和PCB 930用於限制液體（或凝膠或其組合物）982的運動。PCB 930可以與液體（或凝膠或其組合物）982和振膜984固定連接，並位於液體（或凝膠或其組合物）982和振膜984的左側和右側。振膜984位於液體（或凝膠或其組合物）982的上側和下側。
如圖10所示，液體（或凝膠或其組合物）982和振膜984與振膜911基本平行。此處使用的“基本平行”表示液體（或凝膠或其組合物）982或振膜984的表面（如上表面、下表面）與振膜911表面（如上表面、下表面）平行或偏差小於3度、5度、8度、10度等。在一些實施例中，通過調液體（或凝膠或其組合物）982的屬性（如黏度、密度）和/或振膜984的屬性（如模量），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中包含液體（或凝膠或其組合物）或振膜的拾音結構處的描述。
在一些實施例中，拾音結構900B也可與圖10中所示的傳感結構1000A（壓電式麥克風）構成傳感裝置1000。其中，傳感結構1000A可以包括換能元件1011、處理器1020、PCB 1030、殼體1050和進聲孔1070。傳感結構1000A與圖2所示的壓電式麥克風200或圖4、6或8所示的傳感結構400A、600A或800A相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置1000和傳感裝置900類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖9中關於傳感裝置900的描述。
圖11是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖12是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖11所示，傳感裝置1100可以包括傳感結構1100A（電容式麥克風）和拾音結構1100B。傳感結構1100A可以包括換能元件1110、處理器1120、PCB 1130和殼體1150。換能元件1110可以包括振膜1111和背板1112。傳感結構1100A與圖1所示的電容式麥克風100或圖3、5、7或9所示的傳感結構300A、500A、700A或900A相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構1100A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔1170、殼體1150上的進聲孔（未在圖11中示出））。拾音結構1100B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖11中所示的氣導聲音1140）。在一些實施例中，拾音結構1100B與傳感結構1100A之間形成聲學腔體1160。外部聲音1140可通過該進聲孔作用於拾音結構1100B，並引起拾音結構1100B振動變形，進而使得聲學腔體1160內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件1110可以基於聲學腔體1160內的聲壓變化將所述氣導聲音1140轉為電信號。在這個過程中，傳感結構1100A可以為傳感裝置1100提供第一諧振頻率。拾音結構1100B可以為傳感裝置1100提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述。
如圖11所示，拾音結構1100B可以設置於傳感結構1100A的換能元1110和進聲孔1170之間。例如，拾音結構1100B可以設置在進聲孔1170處且位於PCB 1130的上方。拾音結構1100B可以包括振膜1182、液體（或凝膠或其組合物）1184和支撐件1186。振膜1182和液體（或凝膠或其組合物）1184可以共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。振膜1182可以通過其周側固定於支撐件1186的內壁，振膜1182和支撐件1186可用於限制液體（或凝膠或其組合物）1184的運動。支撐件1186可以和PCB 1130固定連接，並位於液體（或凝膠或其組合物）1184的左側和右側。振膜1182可分別位於液體（或凝膠或其組合物）1184的上側和下側。
如圖11所示，振膜1182或液體（或凝膠或其組合物）1184與振膜1111基本平行。此處使用的“基本平行”表示振膜1182或液體（或凝膠或其組合物）1184的表面（如上表面、下表面）與振膜1111表面（如上表面、下表面）平行或偏差小於3度、5度、8度、10度等。
在一些實施例中，通過調整振膜1182的屬性（如模量）、液體（或凝膠或其組合物）1184的屬性（如黏度、密度）、和/或支撐件1186的屬性（如模量），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中包含振膜、液體（或凝膠或其組合物）和/或支撐件的拾音結構的描述。
在一些實施例中，拾音結構1100B也可與圖12中所示的傳感結構1200A（壓電式麥克風）構成傳感裝置1200。其中，傳感結構1200A可以包括換能元件1211、處理器1220、PCB 1230、殼體1250和進聲孔1270。傳感結構1200A與圖2所示的壓電式麥克風200或圖4、6、8或10所示的傳感結構400A、600A、800A或1000A相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置1200和傳感裝置1100類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖11中關於傳感裝置1100的描述。
圖13是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖14是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖13所示，傳感裝置1300可以包括傳感結構1300A（電容式麥克風）和拾音結構1300B。傳感結構1300A可以包括換能元件1310、處理器1320、PCB 1330和殼體1350。換能元件1310可以包括振膜1311和背板1312。傳感結構1300A與圖1所示的電容式麥克風100或圖3、5、7、9或11所示的傳感結構300A、500A、700A、900A或1100A相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構1300A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔1370、殼體1350上的進聲孔（未在圖13中示出））。拾音結構1300B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖13中所示的氣導聲音1340）。在一些實施例中，拾音結構1300B與傳感結構1300A之間形成聲學腔體1360。外部聲音1340可通過該進聲孔作用於拾音結構1300B，並引起拾音結構1300B振動變形，進而使得聲學腔體1360內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件1310可以基於聲學腔體1360內的聲壓變化將所述氣導聲音1340轉為電信號。在這個過程中，傳感結構1300A可以為傳感裝置1300提供第一諧振頻率。拾音結構1300B可以為傳感裝置1300提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述。
如圖13所示，拾音結構1300B可以設置於傳感結構1300A的換能元件1310和進聲孔1370之間。例如，拾音結構1300B可以設置在進聲孔1370處且位於PCB 1330的上方。拾音結構1300B可以包括質量塊1382、振膜1384和支撐件1386。質量塊1382和振膜1384可以共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。支撐件1386可以和PCB 1330固定連接，並位於振膜1384的左側和右側且與振膜1384固定連接。質量塊1382位於振膜1384的上側。
如圖13所示，質量塊1382和振膜1384與振膜1311基本平行。此處使用的“基本平行”表示質量塊1382或振膜1384的表面（如上表面、下表面）與振膜1311表面（如上表面、下表面）平行或偏差小於3度、5度、8度、10度等。
在一些實施例中，通過調整質量塊1382的屬性（如質量、高度、密度、半徑）、振膜1384的屬性（如模量）和/或支撐件1386的屬性（如模量），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中包含振膜、質量塊、和/或支撐件的拾音結構處的描述。
在一些實施例中，拾音結構1300B也可與圖14中所示的傳感結構1400A（壓電式麥克風）構成傳感裝置1400。其中，傳感結構1400A可以包括換能元件1411、處理器1420、PCB 1430、殼體1450和進聲孔1470。傳感結構1400A與圖2所示的壓電式麥克風200或圖4、6、8或12所示的傳感結構400A、600A、800A或1200A相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置1400和傳感裝置1300類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖13中關於傳感裝置1300的描述。
圖15是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。圖16是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
如圖15所示，傳感裝置1500可以包括傳感結構1500A（電容式麥克風）和拾音結構1500B。傳感結構1500A可以包括換能元件1510、處理器1520、PCB 1530和殼體1550。換能元件1510可以包括振膜1511和背板1512。傳感結構1500A與圖1所示的電容式麥克風100或圖3、5、7、9、11或13所示的傳感結構300A、500A、700A、900A、1100A或1300A相同或類似，在此不再贅述。
在一些實施例中，傳感結構1500A可以包括進聲孔（如虛線框所示的進聲孔1570、殼體1550上的進聲孔（未在圖15中示出））。拾音結構1500B可以通過該進聲孔與傳感結構的外部聲音連通（如圖15中所示的氣導聲音1540）。在一些實施例中，拾音結構1500B與傳感結構1500A之間形成聲學腔體1560。外部聲音1540可通過該進聲孔作用於拾音結構1500B，並引起拾音結構1500B振動變形，進而使得聲學腔體1560內的聲壓發生變化。進一步地，換能元件1510可以基於聲學腔體1560內的聲壓變化將所述氣導聲音1540轉為電信號。在這個過程中，傳感結構1500A可以為傳感裝置1500提供第一諧振頻率。拾音結構1500B可以為傳感裝置1500提供第二諧振頻率。更多關於第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述請參考上文中對第一諧振頻率和第二諧振頻率的描述。
如圖15所示，拾音結構1500B可以設置於傳感結構1500A的換能元件1510和進聲孔1570之間。例如，拾音結構1500B可以設置在進聲孔1570處且位於PCB 1530的上方。拾音結構1500B可以包括振膜1582、質量塊1584、液體（或凝膠或其組合物）1586和支撐件1588。振膜1582、質量塊1584和液體（或凝膠或其組合物）1586可以共同形成具有上述第二諧振頻率的諧振系統。振膜1582和支撐件1588用於限制液體（或凝膠或其組合物）1586和/或質量塊1584的運動。支撐件1588可以和PCB 1530固定連接，並位於液體（或凝膠或其組合物）1586和振膜1582的左側和右側。振膜1582可分別位於液體（或凝膠或其組合物）1586的上側和下側。質量塊1584的外側被液體（或凝膠或其組合物）1586包裹。
如圖15所示，振膜1582、質量塊1584或液體（或凝膠或其組合物）1586與振膜1511基本平行。此處使用的“基本平行”表示振膜1582、質量塊1584或液體（或凝膠或其組合物）1586的表面（如上表面、下表面）與振膜1511表面（如上表面、下表面）平行或偏差小於3度、5度、8度、10度等。
在一些實施例中，通過調整振膜1582的屬性（如模量）、質量塊1584的屬性（如質量、高度、密度、半徑）、液體（或凝膠或其組合物）1586的屬性（如黏度、密度）、和/或支撐件1588的屬性（如模量），可以調整第二諧振頻率的大小。更多關於調整第二諧振頻率的大小的描述請參見上文中包含振膜、質量塊、液體（或凝膠或其組合物）和/或支撐件的拾音結構處的描述。
在一些實施例中，拾音結構1500B也可與圖16中所示的傳感結構1600A（壓電式麥克風）構成傳感裝置1600。其中，傳感結構1600A可以包括換能元件1611、處理器1620、PCB 1630和殼體1650。傳感結構1600A與圖2所示的壓電式麥克風200或圖4、6、8、12或14所示的傳感結構400A、600A、800A、1200A或1400A相同或類似，在此不再贅述。傳感裝置1600和傳感裝置1500類似，只是包含的傳感結構的種類不同，更多相關描述請參考圖15中關於傳感裝置1500的描述。
圖17是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的頻率響應曲線。
在一些實施例中，傳感裝置可以包括氣導麥克風和拾音結構（如圖3-16所示的拾音結構）。如圖17所示，頻率響應曲線1710為該氣導麥克風的頻率響應曲線，頻率響應曲線1720為該拾音結構的頻率響應曲線。頻率響應曲線1710或1720的橫坐標表示頻率，單位為赫茲Hz，縱坐標表示靈敏度，單位為伏特分貝dB。頻率響應曲線1710包括共振峰1712，其對應氣導麥克風的諧振頻率（也可稱之為第一諧振頻率）（如圖17中f_0）。頻率響應曲線1720包括共振峰1722，其對應拾音結構的諧振頻率（也可稱之為第二諧振頻率）（如圖17中f_1）。在一些實施例中，第一諧振頻率和第二諧振頻率的差值（如圖17中∆f）為1000 Hz – 10000 Hz之間。
如圖17所示，第二諧振頻率小於第一諧振頻率，從而可以提升傳感裝置在小於第一諧振頻率的頻率範圍內，尤其是第二諧振頻率附近的靈敏度。在一些實施例中，相比於沒有拾音結構的傳感裝置（如傳感裝置100、傳感裝置200），含拾音結構的傳感裝置在語音資訊較為豐富的中低頻段（如3000 Hz – 4000 Hz）有較高的靈敏度。例如，二者靈敏度差值（如圖17中∆v）在3 dB – 30 dB之間。又例如，二者靈敏度差值（如圖17中∆v）在3 dB – 45 dB之間。又例如，二者靈敏度差值（如圖17中∆v）在6 dB – 30 dB之間。
圖18是根據本說明書一些實施例所示的示例性傳感裝置的示意圖。
在一些實施例中，傳感裝置可以包括傳感結構（以骨傳導為聲音主要傳播方式之一的麥克風）和拾音結構（如圖13或14所述的拾音結構）。如圖18所示，頻率響應曲線1810為該傳感結構的頻率響應曲線，頻率響應曲線1820為該拾音結構的頻率響應曲線。頻率響應曲線1810包括共振峰1812，其對應傳感結構的諧振頻率（也可稱之為第一諧振頻率）（如圖18中f 0）。頻率響應曲線1820包括共振峰1822，其對應拾音結構的諧振頻率（也可稱之為第二諧振頻率）（如圖18中f 1）。第二諧振頻率小於第一諧振頻率，從而可以提升傳感結構的靈敏度。
需要說明的是，圖17中所示的傳感裝置（其中傳感結構為氣導麥克風）的頻率響應曲線為理想情況下的頻率響應曲線。當傳感結構為氣導麥克風時，其實際頻率響應曲線的變化趨勢可以與圖18中所示的頻率響應曲線的變化趨勢相同或相似。
上文已對基本概念做了描述，顯然，對於所屬技術領域中具有通常知識者來說，上述詳細揭露內容僅僅作為示例，而並不構成對本說明書的限定。雖然此處並沒有明確說明，所屬技術領域中具有通常知識者可以對本說明書進行各種修改、改進和修正。該類修改、改進和修正在本說明書中被建議，所以該類修改、改進、修正仍屬於本說明書示範實施例的精神和範圍。
同時，本說明書使用了特定詞語來描述本說明書的實施例。如“一個實施例”、“一實施例”“一實施例”、和/或“一些實施例”意指與本說明書至少一個實施例相關的某一特徵、結構或特點。因此，應強調並注意的是，本說明書中在不同位置兩次或多次提及的“一實施例”或“一個實施例”或“一個替代性實施例”並不一定是指同一實施例。此外，本說明書的一個或多個實施例中的某些特徵、結構或特點可以進行適當的組合。
此外，除非申請專利範圍中明確說明，本說明書所述處理元素和序列的順序、數字字母的使用、或其他名稱的使用，並非用於限定本說明書流程和方法的順序。儘管上述揭露內容中通過各種示例討論了一些目前認為有用的發明實施例，但應當理解的是，該類細節僅起到說明的目的，附加的申請專利範圍並不僅限於揭露的實施例，相反，申請專利範圍旨在覆蓋所有符合本說明書實施例實質和範圍的修正和均等組合。例如，雖然以上所描述的系統元件可以通過硬體設備實現，但是也可以只通過軟體的解決方案得以實現，如在現有的伺服器或移動設備上安裝所描述的系統。
同理，應當注意的是，為了簡化本說明書揭露內容的表述，從而幫助對一個或多個發明實施例的理解，前文對本說明書實施例的描述中，有時會將多種特徵歸併至一個實施例、附圖或對其的描述中。但是，這種揭露方式並不意味著本說明書物件所需要的特徵比申請專利範圍中提及的特徵多。實際上，實施例的特徵要少於以上揭露的單個實施例的全部特徵。
一些實施例中使用了描述成分、屬性數量的數位，應當理解的是，此類用於實施例描述的數字，在一些示例中使用了修飾詞“大約”、“近似”或“大體上”來修飾。除非另外說明，“大約”、“近似”或“大體上”表明所述數字允許有±20%的變化。相應地，在一些實施例中，說明書和申請專利範圍中使用的數值參數均為近似值，該近似值根據個別實施例所需特點可以發生改變。在一些實施例中，數值參數應考慮規定的有效位數並採用一般位數保留的方法。儘管本說明書一些實施例中用於確認其範圍廣度的數值域和參數為近似值，在具體實施例中，此類數值的設定在可行範圍內盡可能精確。
針對本說明書引用的每個專利、專利申請案、專利申請案的公開本和其他材料，如文章、書籍、說明書、出版物、文件等，特此將其全部內容併入本說明書作為參考。與本說明書內容不一致或產生衝突的申請歷史文件除外，對本說明書申請專利範圍最廣範圍有限制的文件（當前或之後附加於本說明書中的）也除外。需要說明的是，如果本說明書附屬材料中的描述、定義、和/或術語的使用與本說明書所述內容有不一致或衝突的地方，以本說明書的描述、定義和/或術語的使用為準。
最後，應當理解的是，本說明書中所述實施例僅用以說明本說明書實施例的原則。其他的變形也可能屬於本說明書的範圍。因此，作為示例而非限制，本說明書實施例的替代配置可視為與本說明書的教導一致。相應地，本說明書的實施例不僅限於本說明書明確介紹和描述的實施例。
100:電容式麥克風 110:換能元件 111:振膜 112:背板 120:處理器 130:印刷電路板(PCB) 140:氣導聲音 150:殼體 160:進聲孔 200:壓電式麥克風 211:振膜 220:處理器 230:印刷電路板(PCB) 240:氣導聲音 250:殼體 260:進聲孔 300:傳感裝置 300A:傳感結構 300B:拾音結構 310:換能元件 311:振膜 312:背板 320:處理器 330:印刷電路板(PCB) 340:氣導聲音 350:殼體 360:聲學腔體 370:進聲孔 400:傳感裝置 400A:傳感結構 411:換能元件 420:處理器 430:印刷電路板(PCB) 450:殼體 470:進聲孔 500:傳感裝置 500A:傳感結構 500B:拾音結構 510:換能元件 511:振膜 512:背板 520:處理器 530:印刷電路板(PCB) 540:氣導聲音 550:殼體 560:聲學腔體 570:進聲孔 582:液體（或凝膠或其組合物） 584:支撐件 600:傳感裝置 611:換能元件 600A:傳感結構 620:處理器 630:印刷電路板(PCB) 650:殼體 670:進聲孔 700:傳感裝置 700A:傳感結構 700B:拾音結構 710:換能元件 711:振膜 712:背板 720:處理器 730:印刷電路板(PCB) 740:氣導聲音 750:殼體 760:聲學腔體 770:進聲孔 800:傳感裝置 800A:傳感結構 811:換能元件 820:處理器 830:印刷電路板(PCB) 850:殼體 870:進聲孔 900:傳感裝置 900A:傳感結構 900B:拾音結構 910:換能元件 911:振膜 912:背板 920:處理器 930:印刷電路板(PCB) 940:氣導聲音 950:殼體 960:聲學腔體 970:進聲孔 982:液體（或凝膠或其組合物） 984:振膜 1000:傳感裝置 1000A:傳感結構 1011:換能元件 1020:處理器 1030:印刷電路板(PCB) 1050:殼體 1070:進聲孔 1100:傳感裝置 1100A:傳感結構 1100B:拾音結構 1110:換能元件 1111:振膜 1112:背板 1120:處理器 1130:印刷電路板(PCB) 1140:氣導聲音 1150:殼體 1160:聲學腔體 1170:進聲孔 1182:振膜 1184:液體（或凝膠或其組合物） 1186:支撐件 1200:傳感裝置 1200A:傳感結構 1211:換能元件 1220:處理器 1230:印刷電路板(PCB) 1250:殼體 1270:進聲孔 1300:傳感裝置 1300A:傳感結構 1300B:拾音結構 1310:換能元件 1320:處理器 1311:振膜 1312:背板 1330:印刷電路板(PCB) 1340:氣導聲音 1350:殼體 1360:聲學腔體 1370:進聲孔 1386:支撐件 1382:質量塊 1384:振膜 1400:傳感裝置 1400A:傳感結構 1411:換能元件 1420:處理器 1430:印刷電路板(PCB) 1450:殼體 1470:進聲孔 1500:傳感裝置 1500A:傳感結構 1500B:拾音結構 1510:換能元件 1511:振膜 1512:背板 1520:處理器 1530:印刷電路板(PCB) 1540:氣導聲音 1550:殼體 1560:聲學腔體 1570:進聲孔 1582:振膜 1584:質量塊 1586:液體（或凝膠或其組合物） 1588:支撐件 1600:傳感裝置 1600A:傳感結構 1611:振膜 1620:處理器 1630:印刷電路板(PCB) 1650:殼體 1670:進聲孔 1710:頻率響應曲線 1712:共振峰 1720:頻率響應曲線 1722:共振峰 1810:頻率響應曲線 1812:共振峰 1820:頻率響應曲線 1822:共振峰
本發明將以示例性實施例的方式進一步說明，這些示例性實施例將通過附圖進行詳細描述。這些實施例並非限制性的，在這些實施例中，相同的元件符號表示相同的結構，其中：
[圖1]係根據本說明書一些實施例所示的電容式氣導麥克風的結構示意圖；
[圖2]係根據本說明書一些實施例所示的壓電式氣導麥克風的結構示意圖；
[圖3]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖4]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖5]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖6]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖7]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖8]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖9]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖10]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖11]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖12]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖13]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖14]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖15]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖16]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的結構示意圖；
[圖17]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的頻率響應曲線；
[圖18]係根據本說明書一些實施例所示的示例性的傳感裝置的頻率響應曲線。
1710:頻率響應曲線
1712:共振峰
1720:頻率響應曲線
1722:共振峰

Claims (10)

  1. 一種傳感裝置，包括： 傳感結構，所述傳感結構具有第一諧振頻率；以及 拾音結構，被配置為通過進聲孔與所述傳感裝置的外部聲音連通，所述拾音結構與所述傳感結構之間形成聲學腔體，當所述拾音結構回應於經由所述進聲孔傳遞的氣導聲音而產生振動時，所述振動引起所述聲學腔體內的聲壓發生變化，所述傳感結構基於所述聲學腔體內的聲壓變化將所述氣導聲音轉為電信號，其中，所述拾音結構為所述傳感裝置提供第二諧振頻率，所述第二諧振頻率與所述第一諧振頻率的差值在1000 Hz – 10000 Hz的範圍內。
  2. 如請求項1之傳感裝置，其中， 所述拾音結構包括液體或凝膠；且 所述液體或所述凝膠與所述聲學腔體內的氣體共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統。
  3. 如請求項2之傳感裝置，其中，  所述拾音結構還包括支撐件，所述支撐件用於限定所述液體或所述凝膠的運動。
  4. 如請求項1之傳感裝置，其中， 所述傳感結構包括印刷電路板；且 所述拾音結構包括振膜，所述振膜連接於所述印刷電路板。
  5. 如請求項1之傳感裝置，其中， 所述拾音結構包括振膜、液體和支撐件或包括振膜、凝膠和支撐件； 所述液體和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統，或所述凝膠和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統；且 所述振膜和所述支撐件用於限定所述液體或所述凝膠的運動。
  6. 如請求項1之傳感裝置，其中， 所述拾音結構包括振膜和液體或包括振膜和凝膠；且 所述液體和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統，或者所述凝膠和所述振膜共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統。
  7. 如請求項1之傳感裝置，其中， 所述拾音結構包括振膜、液體、支撐件和質量塊或者包括振膜、凝膠、支撐件和質量塊； 所述液體、所述振膜和所述質量塊共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統，或所述凝膠、所述振膜和所述質量塊共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統； 所述振膜和所述支撐件用於限定所述液體或所述凝膠的運動；且 所述質量塊置於所述液體或所述凝膠中。
  8. 如請求項1之傳感裝置，其中， 所述拾音結構包括振膜、支撐件和質量塊； 所述振膜和所述質量塊共同形成具有所述第二諧振頻率的諧振系統；且 所述支撐件用於支撐所述振膜和所述質量塊。
  9. 如請求項4至8中任一項之傳感裝置，其中， 所述傳感結構包括第二振膜；且 所述振膜的模量為所述第二振膜的模量的1/100 - 1/10。
  10. 如請求項1至8中任一項之傳感裝置，其中，所述第二諧振頻率低於所述第一諧振頻率。
TW111115378A 2021-04-23 2022-04-22 傳感裝置 TW202243297A (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110445739 2021-04-23
CN202110445739.3 2021-04-23
CN202110919761.7A CN115243151A (zh) 2021-04-23 2021-08-11 传感装置
WOPCT/CN2021/112030 2021-08-11
CN202110919761.7 2021-08-11
PCT/CN2021/112030 WO2022222316A1 (zh) 2021-04-23 2021-08-11 传感装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW202243297A true TW202243297A (zh) 2022-11-01

Family

ID=83665786

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111110567A TW202242846A (zh) 2021-04-23 2022-03-22 傳感裝置
TW111115378A TW202243297A (zh) 2021-04-23 2022-04-22 傳感裝置
TW111115399A TW202245484A (zh) 2021-04-23 2022-04-22 振動傳感裝置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111110567A TW202242846A (zh) 2021-04-23 2022-03-22 傳感裝置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111115399A TW202245484A (zh) 2021-04-23 2022-04-22 振動傳感裝置

Country Status (4)

Country Link
US (5) US20230319458A1 (zh)
CN (14) CN115243150A (zh)
TW (3) TW202242846A (zh)
WO (6) WO2022222316A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115243150A (zh) * 2021-04-23 2022-10-25 深圳市韶音科技有限公司 一种传感装置
US11711653B2 (en) 2021-05-11 2023-07-25 xMEMS Labs, Inc. Sound producing cell and manufacturing method thereof
JP2023002319A (ja) * 2021-06-22 2023-01-10 株式会社デンソー Ｍｅｍｓデバイス
WO2024108334A1 (zh) * 2022-11-21 2024-05-30 深圳市韶音科技有限公司 一种声学输出装置
US12063470B1 (en) * 2023-02-10 2024-08-13 xMEMS Labs, Inc. Acoustic package structure and covering structure
CN116804561B (zh) * 2023-04-27 2024-02-06 中国人民解放军国防科技大学 一种基于附加损耗的谐振子阻尼修调装置及方法
CN117381763B (zh) * 2023-10-18 2024-05-31 芜湖藦卡机器人科技有限公司 一种机器人工具手自动标定检测机构及检测方法
CN117560611B (zh) * 2024-01-11 2024-04-16 共达电声股份有限公司 麦克风

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4211898A (en) * 1977-07-11 1980-07-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Headphone with two resonant peaks for simulating loudspeaker reproduction
JPH02155400A (ja) * 1988-12-08 1990-06-14 Tamura Electric Works Ltd 圧電形受話器
JPH04102029U (ja) * 1991-02-13 1992-09-03 ユピテル工業株式会社 振動センサ
JP2928861B2 (ja) * 1996-02-22 1999-08-03 株式会社日立製作所 音響センサ
WO2005024367A2 (en) * 2003-09-08 2005-03-17 Microsense Cardiovascular Systems 1996 A method and system for calibrating resonating pressure sensors and calibratable resonating pressure sensors
DE102006002350A1 (de) * 2006-01-18 2007-07-19 Robert Bosch Gmbh Inertialsensoranordnung
JP2009069006A (ja) * 2007-09-13 2009-04-02 Fujifilm Corp カンチレバー型センサ、それを用いる物質検知システム及び物質検査方法
US7626316B2 (en) * 2007-09-28 2009-12-01 Robert Bosch Gmbh Passive self-tuning resonator system
CN101871951B (zh) * 2010-06-07 2011-11-30 瑞声声学科技(深圳)有限公司 微加速度传感器
CN101871952B (zh) * 2010-06-11 2012-07-11 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Mems加速度传感器
JP5118785B2 (ja) * 2011-04-12 2013-01-16 パナソニック株式会社 Ｍｅｍｓ圧力センサ
US9872111B2 (en) * 2013-03-06 2018-01-16 Infineon Technologies Austria Ag Acoustic sensor package
NL1040505C2 (en) * 2013-11-19 2015-05-26 Beethoven Marine Systems B V Sensor for detecting pressure waves in a fluid, provided with static pressure compensation.
US9683968B2 (en) * 2014-06-17 2017-06-20 Nxp B.V. Combination sensor
EP3186979A4 (en) * 2014-08-27 2018-02-28 Goertek. Inc Mems device with valve mechanism
US9439002B2 (en) * 2014-11-13 2016-09-06 Invensense, Inc. Integrated package forming wide sense gap micro electro-mechanical system microphone and methodologies for fabricating the same
CN104393736A (zh) * 2014-11-25 2015-03-04 北京交通大学 采用磁性液体和永磁铁组合结构的平面振动能量采集器
CN204681585U (zh) * 2015-06-12 2015-09-30 西安康弘新材料科技有限公司 一种用于骨传导受话器听觉装置的压电振子
CN105158511B (zh) * 2015-06-29 2018-11-30 歌尔股份有限公司 一种mems三轴加速度计
CN204887455U (zh) * 2015-08-13 2015-12-16 深圳市韶音科技有限公司 一种改善骨传导扬声器音质的骨传导扬声器
US20170111731A1 (en) * 2015-10-20 2017-04-20 Sonion Nederland B.V. Microphone assembly with suppressed frequency response
US9661411B1 (en) * 2015-12-01 2017-05-23 Apple Inc. Integrated MEMS microphone and vibration sensor
WO2018099635A1 (de) * 2016-11-30 2018-06-07 Kistler Holding Ag Messwertaufnehmer zum messen einer kraft
CN206728276U (zh) * 2017-01-09 2017-12-08 声佗医疗科技（上海）有限公司 一种口腔内器具和口腔内麦克风
US10231061B2 (en) * 2017-04-28 2019-03-12 Infineon Technologies Ag Sound transducer with housing and MEMS structure
CN107995570B (zh) * 2017-11-23 2024-06-07 苏州逸巛科技有限公司 一种受话器
CN108337617A (zh) * 2018-03-02 2018-07-27 上海微联传感科技有限公司 压电式麦克风
KR102461608B1 (ko) * 2018-07-30 2022-11-02 삼성전자주식회사 스피커에 포함된 진동판을 이용하여 하우징 내부 공간의 액체를 외부로 배출하는 전자 장치, 및 그 전자 장치의 제어 방법
CN210065158U (zh) * 2018-12-20 2020-02-14 歌尔科技有限公司 多功能传感器
CN209589100U (zh) * 2019-03-04 2019-11-05 嘉贺恒德科技有限责任公司 填充树脂式振动传感器及传感系统
CN209526861U (zh) * 2019-03-27 2019-10-22 歌尔科技有限公司 一种骨声纹传感器及电子设备
CN209659621U (zh) * 2019-03-27 2019-11-19 歌尔科技有限公司 振动传感器和音频设备
DE102020113974A1 (de) * 2019-05-28 2020-12-03 Apple Inc. Entlüftete akustische wandler und verwandte verfahren und systeme
JP7226154B2 (ja) * 2019-07-10 2023-02-21 株式会社デンソー 超音波センサ
CN110631759A (zh) * 2019-09-29 2019-12-31 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 差压传感器封装结构及电子设备
CN110988395B (zh) * 2019-12-02 2022-08-19 青岛歌尔智能传感器有限公司 加速度传感器及其制备方法
CN111031424B (zh) * 2019-12-06 2021-11-16 潍坊歌尔微电子有限公司 振动感测装置、耳机以及电子设备
CN211702391U (zh) * 2020-03-25 2020-10-16 歌尔微电子有限公司 Mems麦克风和电子产品
CN211630374U (zh) * 2020-03-30 2020-10-02 歌尔微电子有限公司 音频模组和电子设备
CN111510834B (zh) * 2020-05-27 2024-07-19 潍坊歌尔微电子有限公司 骨声纹传感器模组和电子设备
CN111556419A (zh) * 2020-05-27 2020-08-18 潍坊歌尔微电子有限公司 骨声纹传感器和电子设备
CN211930820U (zh) * 2020-05-28 2020-11-13 青岛歌尔智能传感器有限公司 振动传感器和音频设备
CN212572961U (zh) * 2020-06-30 2021-02-19 瑞声声学科技(深圳)有限公司 振动传感器及具有其的音频设备
CN212785847U (zh) * 2020-06-30 2021-03-23 瑞声声学科技(深圳)有限公司 振动传感器
CN212748031U (zh) * 2020-08-18 2021-03-19 洛阳大工检测技术有限公司 一种含有谐振腔的振动检测传感器
CN111970615A (zh) * 2020-09-30 2020-11-20 广东汉泓医疗科技有限公司 一种声音传感器振膜及一种听诊器
CN112565995B (zh) * 2020-11-16 2022-09-20 歌尔微电子有限公司 传感器芯片、骨声纹传感器和电子设备
CN112601169B (zh) * 2020-12-15 2021-09-24 武汉大学 一种宽频带高灵敏度谐振式压电mems麦克风
CN115243150A (zh) * 2021-04-23 2022-10-25 深圳市韶音科技有限公司 一种传感装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN115243176A (zh) 2022-10-25
TW202245484A (zh) 2022-11-16
WO2022222557A1 (zh) 2022-10-27
CN116635699A (zh) 2023-08-22
CN115243133A (zh) 2022-10-25
CN115243149A (zh) 2022-10-25
TW202242846A (zh) 2022-11-01
CN115243169A (zh) 2022-10-25
CN116547992A (zh) 2023-08-04
US20230353932A1 (en) 2023-11-02
CN115243178A (zh) 2022-10-25
WO2022223032A1 (zh) 2022-10-27
CN218920578U (zh) 2023-04-25
CN117044239A (zh) 2023-11-10
WO2022222316A1 (zh) 2022-10-27
CN116491129A (zh) 2023-07-25
US20230349862A1 (en) 2023-11-02
CN218162856U (zh) 2022-12-27
US20230319458A1 (en) 2023-10-05
WO2022223041A1 (zh) 2022-10-27
WO2022222315A1 (zh) 2022-10-27
CN115243150A (zh) 2022-10-25
CN116530094A (zh) 2023-08-01
US20230362524A1 (en) 2023-11-09
US20230358601A1 (en) 2023-11-09
CN115243151A (zh) 2022-10-25
WO2022222317A1 (zh) 2022-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW202243297A (zh) 傳感裝置
Aliev et al. Underwater sound generation using carbon nanotube projectors
JPS63120269A (ja) 音響トランスジューサ
JP2010245797A (ja) コンデンサーマイクロフォン
CA2491829A1 (en) Underwater sound projector system and method of producing same
JP2014508461A (ja) 低周波電気音響変換器及び音響波を生成する方法
JP6174159B2 (ja) 圧力補償エレメントを有するラウドスピーカ
CN210351591U (zh) 音膜结构及扬声器
Ohga A flat piezoelectric polymer film loudspeaker as a multi-resonance system
CN108322864A (zh) 一种音腔装置和移动终端
WO2022142291A1 (zh) 一种振动传感器
JPH10277484A (ja) 音響を再生および／または記録するための素子
BE1011559A4 (nl) Element voor het weergeven en/of opnemen van geluid.
TW202322638A (zh) 傳聲器
CN209949410U (zh) 声学装置及电子设备
CN101662718A (zh) 薄膜扬声器
WO2023092420A1 (zh) 传声器
WO2023272906A1 (zh) 一种振动传感器
JP2023547160A (ja) 振動センサ
JP2023544074A (ja) マイクロフォン
TW202242418A (zh) 加速度感測裝置
TW202316868A (zh) 揚聲器
KR101225552B1 (ko) 압전스피커
TWM459648U (zh) 電聲換能器