JPH10277484A - 音響を再生および/または記録するための素子 - Google Patents

音響を再生および/または記録するための素子

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JPH10277484A
JPH10277484A JP8989498A JP8989498A JPH10277484A JP H10277484 A JPH10277484 A JP H10277484A JP 8989498 A JP8989498 A JP 8989498A JP 8989498 A JP8989498 A JP 8989498A JP H10277484 A JPH10277484 A JP H10277484A
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membrane
housing
wall
wall portion
damping
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Application number
JP8989498A
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Inventor
Hugo Michiels
ユーゴー ミシェルズ
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Sonitron NV
Original Assignee
Sonitron NV
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/22Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only 
    • H04R1/222Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired frequency characteristic only  for microphones
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04RLOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R17/00Piezoelectric transducers; Electrostrictive transducers

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Piezo-Electric Transducers For Audible Bands (AREA)
  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 15Hzから20kHzのフルレンジで最適
な音響再生ができる圧電スピーカを可能にする素子を提
供する。 【解決手段】 音響を再生および/または記録するため
の素子。圧電素子(5)を備えた膜(3)と、圧電素子
(5)と共同して動作する電気的接続手段(6)と、膜
(3)のためのハウジング(2)とから成る音響を再生
および/または記録するための素子であって、素子
(1)が、膜によって生成される音響振動がダンピング
されるように膜(3)から短い距離(D1)だけ離れて
配置された壁部分(17)を含むことを特徴とする素
子。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、音響を再生および
/または記録するための素子に関し、特に、スピーカお
よび/またはマイクロホンに関する。
【0002】特に、本発明は、圧電素子を使用する、音
響を再生および/または記録するための素子に関係す
る。
【0003】
【従来の技術】種々の種類の再生装置により電気信号を
可聴音響振動に変換することができ、また逆に、音響振
動を電気信号に変換することができることが知られてい
る。
【0004】第1のタイプの既知の音響再生装置は、ダ
イナミックスピーカから成る。
【0005】通常、紙コーンを使用するそのようなスピ
ーカは、以下のような大きな欠点がある。
【0006】− 比較的大きな容積を占める; − 多くの電力を必要とする; − 消費電力が多いので、太い接続電線を必要とする; − 磁石の高さのためにかなりの奥行きがある; − 高音の再生能力が劣る; − 温度および大気湿気に敏感である; − 低出力である; − 「フルレンジ」再生のために大きな寸法を必要とす
る; − 電磁界(EMC)を発生する; − コイルが一定負荷の下で加熱されて破損することに
なるので、信頼性が低い; − 非常に脆弱な紙コーンのために特別な保護を必要と
する; − 設計が複雑である。
【0007】別のタイプの既知の音響再生装置は、静電
再生装置から成る。
【0008】しかしながら、これらの再生装置も、かな
りの数の欠点を呈する。すなわち、 − 非常に高価である; − 「フルレンジ」再生のために大きな寸法を必要とす
る; − 高電圧を必要とする; − 設計がクリチカルで複雑である; − 湿気に対して非常に敏感である; − 干渉に対して敏感である; − しかしそれらの出力は妥当である; − 適合させられた空間を必要とする。
【0009】第3のタイプの既知の音響再生装置は、圧
電再生装置から成る。
【0010】後者のタイプの再生装置は、通常は薄い金
属ディスクである支持体と、この支持体に固定されたピ
エゾセラミックディスクとから成る振動膜を使用する。
【0011】この膜は、膜が可撓性接着剤によりハウジ
ングに節で固定される節懸架、あるいは、硬質あるいは
可撓性の接着剤による周囲全体にわたる懸架のいずれか
により懸架される。
【0012】この膜とピエゾディスクに可変電圧を供給
することによって、金属支持体自身は伸縮できないの
で、ピエゾセラミックディスクの材料は、全体が可変電
圧の関数として湾曲するように伸縮し、供給された可変
電圧の周波数および振幅に比例した音声信号が生成され
る。
【0013】圧電気の効果は相互的であること、言い換
えれば、膜とピエゾディスクが、たとえば音響振動によ
って動かされる時に、膜によって行われた移動およびそ
の結果としてピエゾセラミックディスクで生成された圧
力変化に比例する電圧が生成され、支持体および圧電素
子から成る全体がマイクロホンとして機能する素子を形
成するということも知られている。
【0014】そのような圧電再生装置の一般的な利点
は、 − 非常に薄く、かなり平坦な設計となる; − 簡単ではあるが頑丈な設計となる; − 耐震、耐水、および、耐熱である; − マイクロホンとして使用できる; − 電界(EMC)を生じない; − 軽量である; − エネルギーをほとんど必要としない; − スピーカへの電線に電流をあまり必要としない; − 非常に小さなスピーカであるにもかかわらず、非常
に大きな音響出力を有する。
【0015】しかしながら、今までに知られていたその
ような圧電再生装置の実施態様の欠点は、それらは比較
的高音を再生するのに適しているだけであって、15H
zから20kHzの十分な可聴周波数範囲については使
用することができないことにある。
【0016】特に、1,000Hzより下の音について
は、再生できないか、あるいは、非常に劣った再生しか
できない。このように会話および音楽のスペクトルの大
部分は、今までのところ、圧電気の膜によっては再生す
ることができない。同様に、そのような圧電再生装置
は、今までのところ、ブザー、トランスデューサ、およ
び、ツイータのために、または、良い音質で再生する必
要がない分野でのマイクロホンおよびスピーカのために
のみ使用されていた。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、圧電の原理
を使用するが、既知の実施態様の上記の欠点が除外され
るか最小にされる、音響を再生および/または記録する
ための素子に関する。
【0018】特に、本発明は、15Hzから20kHz
のフルレンジの最適な音響再生を提供する圧電スピーカ
に関する。
【0019】本発明は、ここで、特に10mmより小さ
な設計から1メートルの直径を有する設計までの、小型
の実施態様および大型の実施態様の両方に適する素子を
目指すものである。
【0020】
【課題を解決するための手段】この目的のため、本発明
は、圧電素子を備えた膜と、圧電素子と共同して動作す
る電気的接続手段と、膜のためのハウジングとから成る
音響を再生および/または記録するための素子であっ
て、素子が、膜によって生成される音響振動がダンピン
グされるように膜から短い距離だけ離れて配置された壁
部分を含むことを特徴とする素子に関する。
【0021】特に、上記の壁部分は、音響振動の発生の
期間中に動かされる空気が上記の壁部分で反射され、反
射された振動が膜でダンピングを生じるように、膜から
短い距離だけ離れて配置される。
【0022】好ましくは、膜と上記の壁部分の間の距離
は、0.5mmから10mmの間に、更に好ましくは、
0.5mmから5mmの間に配置される。
【0023】このようにして、非常に良好な音響再生が
フルレンジで得られる。
【0024】これは、とりわけ、上記のダンピングの結
果として高次高調波のQファクタが減少することで、ま
た、共振周波数が低下することで説明される。
【0025】上記の壁の部分においては、および/また
は、その周囲においては、好ましくは、空気の流出を可
能とする孔が備わっており、上記の壁部分のダンピング
効果が失われることなく、音響が容易に出てくることが
できる。
【0026】本発明の特定の実施態様によれば、上記の
壁部分は、とりわけ、この壁部分の寄生振動が除去する
か、あるいは、少なくとも最小化されるという利点を提
供する肉付け材から成る。
【0027】大きな直径に対して特に有益である別の実
施態様によれば、上記の壁部分は、比較的大きな重量を
有する本体を備えており、上記のダンピング効果が増強
され、とりわけ、寄生振動が防止される。
【0028】本発明による素子の一つの、あるいは、い
くつかの構成部品は、ダンピング層、好ましくは、とり
わけ、分割振動の場合の振動エネルギを吸収することが
でき、また、高い周波数の鋭い共振ピークを確実にダン
ピングするシリコーンのようなダンピング弾性材料を備
えることができる。その結果として、良好な品質の再生
が得られる。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明の特性を一層よく説明する
ために、以下の好適な実施態様は、添付の図面を参照し
て、どのような意味においても限定的ではなく、単なる
例として説明される。
【0030】音を再生および/または記録するための本
発明による素子1は、ハウジング2と、少なくとも膜支
持体4とこれに固定された圧電素子5から成る膜3と、
電気的な接続手段6とから成る。
【0031】ハウジング2は、この場合、前面壁8と円
筒状側壁9を備えたハウジング部分7を含む。このハウ
ジング部分7は、好ましくは合成材料で作られる。
【0032】膜3は、好ましくは、弾性あるいは可撓性
接着剤11により、ハウジング部分7に設けられたカラ
ー10にその縁が固定される。
【0033】膜3の支持体4は、非常に薄い厚みの、た
とえば、真鍮で作られた金属ディスクから成る。
【0034】圧電素子5は、たとえば接着剤で支持体4
に対して固定された、たとえば30マイクロメートルの
オーダーの厚みを有するピエゾセラミックディスクから
成る。
【0035】電気的な接続手段6は、電位が圧電素子5
で発生するようなやり方で、膜3に接続された導体12
〜13から成る。
【0036】これらの導体12〜13は、たとえばハウ
ジング2の後方側部を形成するカバープレート16に固
定された端子ピン14〜l5に接続される。
【0037】本発明は、素子1が、ダンピング効果を生
じる、D1の距離だけ離れて膜3に沿って伸延する壁部
分17を備えている。
【0038】距離D1は、非常に短い割合であり、好ま
しくは、10mm以下である。通常、この距離D1は、
スピーカのサイズに応じて、0.5mmから5mmの間
に配置される。
【0039】輪郭上において、膜3と壁部分17の回り
の間に、距離D1より深いチャンバ18が形成される。
【0040】前面壁8は肉付け材19を有するので、距
離D1とチャンバ18の深さの間の差が得られる。
【0041】ここに表されていない変形例によれば、壁
部分17の高さの前面壁8は内側に曲げることができ、
前面壁を厚くする必要はないということに注意すべきで
ある。しかしながら、肉付け材および/または強化材1
9の使用は、以下に説明するように、前面壁8の振動に
起因する寄生振動の発生が防止されるということを確実
にする。
【0042】ここに表されていない別の変形例によれ
ば、前面壁8の内部は全体的に平坦であり、その全体の
表面の上に膜3から短い距離D1だけ離れて配置され
る。
【0043】ハウジング2内には、音が外側に伝搬する
ことができるようにする孔20が設けられており、これ
により、これらの孔20はチャンバ18内に開口し、ま
たこれらの孔は、空気の流出を保証し、且つ、可能性の
あるフィルタ効果を排除して大幅に最小化するために十
分に大きい。
【0044】図1によれば、膜3は、好ましくは、シリ
コーン、シリコーンゴム、あるいは、エラストマーのよ
うな可撓性材料で作られた前側部の上に設けられてお
り、これにより、このダンピング層21は、膜の分割振
動の期間中に生成された振動エネルギーを吸収するよう
になり、高い周波数の鋭い共振ピークが確実にダンピン
グされるようになる。
【0045】上記のカバープレート16は、その上に電
子部品を設けることができるプリント配線基板から構成
することができ、取り囲まれた空気によって余分な歪み
が膜3に作用しないことを確実にするこのカバープレー
ト16に孔22も設けられている。
【0046】上記のハウジング部分7と壁部分17は、
好ましくは、合成材料で作られる。ハウジング2は、内
部に固定孔23が設けられたフランジを更に有する。
【0047】素子1の作用は、電気信号が端子ピン14
〜15に与えられるときに、膜3がこの信号の関数とし
て振動し始めるという原理に基づいている。これは空気
の移動を引き起こし、音が生成される。短い距離D1に
起因してばかりでなく、前面壁8は肉厚19を備えてい
るという事実に起因して、上記のダンピング効果が生成
される。
【0048】図3、図4、および図5は、三つの変形例
を示しており、上記の壁部分17は、ダンピング効果を
増強するために、重り本体すなわち塊24を備えてお
り、この本体は、高密度材料、たとえば銅あるいは鉛の
ような金属で作られたディスクから成り、このディスク
はハウジング2内に設けられる。
【0049】ダンピング層21が膜3の支持体4上に既
に設けられているが、図3に示されるように、ダンピン
グ層25は他の場所、すなわち、壁部分17上に、ある
いは、膜3に向けられた本体24の側部上に設けること
もできる。
【0050】図4による変形例においては、本体24は
前面壁8の外側側部上に配置され、ダンピング層25は
ハウジング2と本体24との間に取り囲まれる。
【0051】図5は変形例を示し、その上に設けられた
本体24とダンピング層25を備えており、チャンバ1
8は本体24の背後に続くように大幅に拡大され、これ
により後者は中央支持体26に固定される。
【0052】図1、図3、図4、および図5において、
支持体4、圧電素子5、および層21は、それらがほぼ
等しい厚みであるように概略的に示されているが、実際
には、図6に一層実際的に示されているように、層21
は膜3よりも大幅に厚く、たとえば、10倍の厚みであ
り、1mmのオーダーである。同様に、層25は、好ま
しくは1mmのオーダーの厚みを有する。
【0053】本発明を更に示すために、本発明の幾つか
の原理および特定の特性の両方についての次の理論的な
アプローチが以下に与えられる。
【0054】図7および図8は、一方の節懸架(図7)
と他方の膜3(図8)の縁懸架の間の違いを図式的に表
す。
【0055】そのような膜は、共振周波数を表す。
【0056】これらの共振周波数では、音の品質に対し
て負の影響を有する不要な作用が生じる。
【0057】本発明によれば、とりわけ、これらの共振
周波数を可聴スペクトルの下限に下げること、言い換え
れば、30Hzから20kHzまでほぼ平坦とすること
ができる周波数再生を行うことができるような一種のダ
ンピングを生じさせて、どのような共振周波数も生じさ
せることなくフルレンジをカバーすることを試みる。円
形の節で支持されたプレートの共振周波数Frnは、以下
の式に従って表すことができる。
【0058】
【数1】
【0059】ここで、 t=膜3の全体の厚み; S=膜の表面; y=ヤング率(N/m2); d=少なくとも2.5kg/dm3である支持体4の密
度; r=ポアソン比 これは、共振周波数が、厚みと表面に、言い換えれば、
膜3の直径に強く依存していることを明らかに示してい
る。膜3が薄くなると共振周波数は低下する。共振周波
数を最小にするために、支持体4および/または素子5
の厚みを最小にすることにより、膜3の厚みを減少させ
ることを試みることができる。
【0060】しかしながら、物理的な理由のために、支
持体4の厚みは20マイクロメートル未満とすることは
できない。更に、生成された振動ができるだけ同心とな
るようにするために、支持体4と素子5は同じ厚みを有
することが望ましい。その結果として、支持体4と素子
5の厚みを選択することにより、共振周波数を限定され
た範囲に最小化することができる。
【0061】縁での懸架の場合には、素子5の直径D2
と支持体4の直径D3の間の割合は、0.85と0.5
の間になければならないことに注意すべきである。支持
体4を大きくすると、表面Sが大きくなると共に共振周
波数が低くなり、素子5を大きくすることが必要になる
ので、コストが大幅に上昇することが明らかである。
「ユニモルフ」と呼ばれるものを形成する、金属支持体
4上に接着されたセラミックディスクから成る圧電膜3
の共振は、膜3が懸架されている方法に依存している。
縁上での懸架の場合には、共振周波数を計算するため
に、通常0.7である取り付けファクターK(通常0.
7である)を考慮に入れなければならない。
【0062】縁上の懸架については、これは、
【0063】
【数2】
【0064】である。
【0065】図9に表されるように、その自由端が重り
Gにより重くされている金属ストリップでの理論的なア
プローチから始めると、このストリップは、その静止位
置では最初は位置エネルギーと運動エネルギーを有して
いない。
【0066】重りが力Fにより位置P1から位置P2に
移動されるとき、重りGは最大の位置エネルギーと最小
の運動エネルギーを有することになる。
【0067】力Fが位置P2で取り除かれるとき、重り
は、その静止位置P1に戻り、この移動の期間に速度と
運動エネルギーが増加する。この運動エネルギーは、重
りGが位置P1を通る瞬間に最大値を有するが、その瞬
間に位置エネルギーはゼロに等しい。
【0068】最大の運動エネルギーは、重りGが、運動
エネルギーがその最小値に再び到達し位置エネルギーが
再び最大になる位置P3に戻ることを確実にする。エネ
ルギーが失われない場合には、無限に続く振動が作り出
される。
【0069】この振動周波数は、ストリップの長さL、
重りGの質量、および、ストリップの弾性係数によって
決定される。原理的には、振動周波数に関してのこれら
の量の間の比は次の通りである。
【0070】Fosc=Y/(L×G) ここで、 y=ヤング率 L=ストリップの長さ G=ストリップの端部の重さ このように、重り有りと重り無しのときの振動が表され
ている図10および図11にそれぞれ表されているよう
に、重りGの質量が増加するときには振動周波数は低下
すると言える。
【0071】上記共振周波数の式においては、周波数が
重さに逆比例することを考慮すると、これは次の結果を
与える。
【0072】
【数3】
【0073】これを平坦な円形膜3で得るために、それ
は、たとえばシリコーンゴムのような可撓性接着剤11
で縁上に接着することができ、ハウジング2は重りとし
て機能することになり、ピッチは膜3がその縁上に接着
された可撓性区域に正確に配置される。
【0074】これは、図12に図式的に表されており、
膜3の外側折り曲げ形態は誇張されている。
【0075】曲げは、次の寸法によって特徴づけられ
る。
【0076】A=たとえば、100Hzでは1mm、3
00Hzでは0.3mm、そして、10kHzでは0.
01mmである中心における膜の偏向; B=振動膜3の自由部分の半径; a=縁上に接着された部分の偏向; b=支持縁の、言い換えれば、上記のカラー10の幅。
【0077】概略的に比a/bは比A/Bに等しいと言
うことができ、したがって、 a=(A×b)/B である。
【0078】半径Bが12.5mmであり、支持体の幅
が2mmである場合には、 100Hzでa=0.16mm 300Hzでa=0.04mm 10kHzのa=0.0008mm であることが判った。
【0079】このように、振動プレートの端部は、最大
で、100Hzで0.16mm 300Hzで0.04
mm 10kHzで0.0008mmだけ移動する。
【0080】たとえば35,000のmPa−sの粘度
の可撓性のシリコーン接着剤が使用されるときには、膜
3の端部の移動は抑圧されないが、周囲のハウジング2
の重さと協同して、上述した原理に従って、それを低下
させ、また、ダンピングする。この共振は、このような
設計でダンピングされ、他の設計のものより鋭くない。
【0081】これは、それぞれ、膜3が縁上に接着され
るか留められる支持体、および、膜3が可撓性接着剤1
1により縁上に接着される支持体である場合の節支持体
の場合の共振周波数を表す曲線Frn、Fri、および、F
rrによって図13に図式的に表される。
【0082】上記のファクターKを次の通りに表現する
ことができる。
【0083】K=(b/D4)×v ここで、 b=カラー10の幅; D4=カラー10の間で測定した膜の直径; v=接着剤11の粘度 である。
【0084】したがって、共振周波数の式は、
【0085】
【数4】
【0086】である。
【0087】プレートの密度d(体積当たりの重さ)が
共振周波数に対する影響を有しており、反力を形成する
ので、密度による振動の生成の慣性は、共振に対する影
響を有することになる。密度が高くなるに従って、共振
周波数は低下する。
【0088】応答慣性は、高周波の共振のダンピングに
対する影響も有する。膜3が音響振動を作りだし、これ
らが短い距離で反射されるとき、膜3はその全体の表面
で一層多くの抵抗を受けることになり、したがって、そ
れは一層ゆっくり移動し始めることになる。その結果と
して、高次高調波のQファクターは減少することにな
り、膜3は明らかに重くなり、共振周波数が低下する。
【0089】更に、一層高次の鋭い高調波は減衰するこ
とになる。
【0090】上記のことから、膜3が前面壁8の内側側
部の近くに、すなわち短い距離D1だけ離れて取り付け
られるとき、密度dは明らかに上昇することになり、共
振現象はダンピングされ、更に平滑にされることを結論
付けることができる。
【0091】上記のことから、上記の距離D1が小さく
なるにしたがって、また、膜3から距離D1だけ離れて
配置された部分である壁部分17の表面S1が大きくな
るに従って、密度dは明らかに上昇することが導かれ
る。共振周波数Frrの式におけるこの影響を考慮する
と、次の通りになる。
【0092】
【数5】
【0093】ここで、 S1=膜3から短い距離D1だけ離れて配置された壁部
分17の表面; D1=膜3と壁部分17との間の距離 である。
【0094】できるだけ小さな距離D1を選択すること
によって、共振周波数を下げることができることは明ら
かである。
【0095】違いは、添付の図4に示されており、10
mmの距離D1だけ離れている場合の共振周波数の変動
が曲線Clによって表されているが、2mmの距離D1
だけ離れている場合の共振周波数の変動が曲線C2によ
って表されている。
【0096】更に、圧電膜は高速で応答することがで
き、実際、帯域および応答速度に関しては制限がないこ
とは注意すべきである。話声や音楽のような複雑な信号
の場合には、無限の数の高調波が一時的に存在する。膜
3は、この場合には、これらの周波数で振動して応答せ
ざるをえない。このように、ある周波数の内容が膜3の
或る複数の場所で共振するような状況が存在し、したが
って、一層高い周波数での分割振動が存在する。したが
って、或る特定の周波数の内容と特定の干渉を生じるの
で避けるべきである高い周波数の鋭いピークが、周波数
分析において検知される。これらの鋭いピークは、図1
5の曲線で図式的に表される。
【0097】上記したように、シリコーンのような可撓
性の材料の層21で膜3を覆うことによって、これは本
発明により防止される。この層21は、分割振動の場合
の振動エネルギーを吸収し、図16の曲線によって図式
的に表されるように、高周波の鋭い共振ピークがダンピ
ングされる。
【0098】図17は、局部的な分割振動の期間中に生
成された振動Tが、どのようにして層21によって吸収
されるかを図式的に表す。警報機能のために一層高い周
波数が必要である、あるいは、特定の一層高い周波数の
ために強い音圧が必要である用途においては、このダン
ピング層は、全く設けられないか、あるいは、部分的に
のみ設けられることがある。
【0099】上記の前面壁8は、少なくとも対策が取ら
れないときには、膜3によって前面壁8の内側側面の上
に放射される音響振動のために振動し始めることが明ら
かである。このように、膜3によって作り出された所望
の振動に対して同期していない前面壁8上の寄生振動が
生成され、孔20を通って放射され、音響信号の可聴歪
みが作り出される場合がある。
【0100】同様に、この理由のために、寄生振動を防
止および/または最小化するために前面壁8をダンピン
グする本発明にしたがって対策がとられる。
【0101】上述されたように、これらの対策は、前面
壁8が、特に壁部分17が、肉厚19によって、および
/または、本体24を使用することによって、剛性が増
加し、および/または、強化される。
【0102】ダンピング層25の効果は、次の説明から
明らかになるであろう。
【0103】移動する前面壁8の運動エネルギーは次の
通りに表現することができる。
【0104】Ek=0.5×m×v2+0.5×I×w2 ここで、 m=質量; v=速度; I=慣性モーメント; w=角速度あるいは振動周波数 である。
【0105】臨界的なダンピングを妨げるために、圧力
mは、前面壁8の或る点で、次の条件にしたがって、
音響振動によって前面壁上に作用しなければならない。
【0106】Pm≦0.5×m×v2 前面壁8が振動し始めると、次の条件が満たされなけれ
ばならない。
【0107】Pm≦0.5×m×v2+0.5×I×w2 これを実現するために、層25は重りの上にこうして設
けられる。この層25が作られる弾性材料は、衝撃波を
ダンピングし、生成された力を一つの正面力といくつか
の横方向の力に分解する。この層25は、いわばショッ
クアブソーバとして機能し、膜3の音響振動によって生
成された力Kはダンピングされ、図18および図19に
それぞれ表されるように、干渉がない横方向の力に分解
される。弾性材料の弾性率Eを次の通りに表現すること
ができることに注意すべきである。
【0108】E=3×k×(1−2×u) E=2×g×(1+u) ここで、 k=体積弾性係数; u=横方向収縮係数; g=滑り係数 である。
【0109】ほとんどの材料について、体積弾性係数
は、1,000気圧において、1010ニュートン/m2
あるいは1%体積縮小である。N/mm2で表現された
100%伸び率のときの弾性材料の体積弾性係数kは、
本発明によれば、好ましくは、0.1から1の間である
か、あるいは、これに等しい。言い換えれば、 0.1≦k≦1 である。
【0110】使用される弾性材料の横方向の収縮係数u
は、 0≦u≦0.5 を満足する。
【0111】最後に、既知のダイナミック再生装置によ
り、あるいは、本発明にしたがった圧電再生装置により
生成された音響の多数の曲線は、添付の図20、図2
1、および図22に表される。EDの印が付けられた曲
線は、ここではダイナミック再生装置に関連している
が、PEの印が付けられた曲線は圧電再生装置に関連し
ている。
【0112】更に、図20、図21、および図22は、
三つの異なった直径を有する、すなわち、それぞれ25
mm、35mm、および57mmの実施態様に関連して
いる。
【0113】曲線PEと曲線EDの比較は、本発明によ
る素子1による再生は、音圧に関する 限りは、同様な
寸法のダイナミック型の実施態様による再生よりも大幅
に良好で強力であることを明瞭に示している。
【0114】本発明は、例として説明され、また、添付
の図面に表された実施態様に決して限定されるものでは
なく、逆に、そのような音響を再生および/または記録
するための素子は、本発明の範囲内に残しながらあらゆ
る種類の形と寸法で作ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による素子の断面を示す。
【図2】図1の線II−IIによる断面を示す。
【図3】図1のものと同様であるが変形例の断面を示
す。
【図4】図1のものと同様であるが変形例の断面を示
す。
【図5】図1のものと同様であるが変形例の断面を示
す。
【図6】図4においてF6によって示される部分の拡大
スケールの図を示す。
【図7】多数の概略表現の一つを表す。
【図8】多数の概略表現の一つを表す。
【図9】多数の概略表現の一つを表す。
【図10】多数の概略表現の一つを表す。
【図11】多数の概略表現の一つを表す。
【図12】多数の概略表現の一つを表す。
【図13】多数の概略表現の一つを表す。
【図14】多数の概略表現の一つを表す。
【図15】多数の概略表現の一つを表す。
【図16】多数の概略表現の一つを表す。
【図17】多数の概略表現の一つを表す。
【図18】多数の概略表現の一つを表す。
【図19】多数の概略表現の一つを表す。
【図20】多数の概略表現の一つを表す。
【図21】多数の概略表現の一つを表す。
【図22】多数の概略表現の一つを表す。
【符号の説明】
1 素子 2 ハウジング 3 膜 4 膜支持体 5 圧電素子 6 電気的な接続手段 7 ハウジング部分 8 前面壁 9 円筒状側壁 10 カラー 11 接着剤 12〜13 導体 14〜l5 端子ピン 16 カバープレート 17 壁部分 18 チャンバ 19 肉付け材 20 孔 21 ダンピング層 22 孔 23 孔

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 圧電素子(5)を備えた膜(3)と、圧
    電素子(5)と共同して動作する電気的接続手段(6)
    と、膜(3)のためのハウジング(2)とから成る音響
    を再生および/または記録するための素子であって、素
    子(1)が、膜によって生成される音響振動がダンピン
    グされるように膜(3)から短い距離(D1)だけ離れ
    て配置された壁部分(17)を含むことを特徴とする音
    響を再生および/または記録するための素子。
  2. 【請求項2】 膜(3)と壁部分(17)の間の距離
    (D1)が、10mm以下であることを特徴とする請求
    項1に記載の素子。
  3. 【請求項3】 膜(3)と壁部分(17)との間の距離
    (D1)が、0.5mmと5mmの間にあることを特徴
    とする請求項2に記載の素子。
  4. 【請求項4】 上記の壁部分(17)が、局所的に厚く
    されることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいず
    れか1項に記載の素子。
  5. 【請求項5】 チャンバ(18)が、周囲に沿って形成
    されることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいず
    れか1項に記載の素子。
  6. 【請求項6】 孔(20)が、ハウジング(2)に設け
    られることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいず
    れか1項に記載の素子。
  7. 【請求項7】 孔(20)が、上記のチャンバ(18)
    に開口されることを特徴とする請求項5または請求項6
    に記載の素子。
  8. 【請求項8】 上記の壁部分(17)が、ハウジング
    (2)の一部分であることを特徴とする請求項1ないし
    請求項7のいずれか1項に記載の素子。
  9. 【請求項9】 上記の壁部分(17)が、重りが付けら
    れた本体あるいは重り(24)を備えていることを特徴
    とする請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載の
    素子。
  10. 【請求項10】 上記の壁部分(17)が、膜(3)と
    これに対して平行なハウジング(2)の間に設けられる
    本体(17)から成り、これにより、この本体(4)は
    この壁から離れて好ましくは、中央支持体(26)に取
    り付けられる請求項9に記載の素子。
  11. 【請求項11】 本体(24)が、高い密度の材料で作
    られたディスク、好ましくは、金属、特に、銅、真鍮、
    鉛、あるいは、合金で作られたディスクから成ることを
    特徴とする請求項9または請求項10に記載の素子。
  12. 【請求項12】 一つのあるいはいくつかの構成部品
    が、ダンピング層(21〜25)を備えていることを特
    徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1項に記
    載の素子。
  13. 【請求項13】 上記のダンピング層(21〜25)
    が、次の可能性のいずれか、あるいは、二つ以上の次の
    可能性の組み合わせにしたがって実現されることを特徴
    とする請求項12に記載の素子。 − 膜(3)の、上記の壁部分(17)に向けられた側
    のダンピング被覆(21)として; − 一層高い周波数を促進するために膜の上の部分的な
    被覆で、あるいは、全く被覆なしで; − 上記の壁部分(17)の上の膜(3)に向けられた
    側に設けられたダンピング被覆(25)として、 − 壁部分(17)が、膜(3)に向けられたこの本体
    (24)の側に配置されたダンピング層(25)として
    重り本体(24)を備えている場合。
  14. 【請求項14】 ダンピング層(21〜25)が、好ま
    しくは1mmのオーダーの厚みを有し、弾性材料、特
    に、シリコーン、シリコーンゴム、あるいは、エラスト
    マーで作られていることを特徴とする請求項12または
    請求項13に記載の素子。
  15. 【請求項15】 膜(3)が、薄い金属プレートから形
    成された支持体(4)と、その上に固定されたピエゾ結
    晶の形態の圧電素子(5)とから成ることを特徴とする
    請求項1ないし請求項14のいずれか1項に記載の素
    子。
  16. 【請求項16】 膜(3)の縁部が、ハウジング(2)
    に設けられたカラー(10)に接着剤により固定される
    ことを特徴とする請求項1ないし請求項15のいずれか
    1項に記載の素子。
  17. 【請求項17】 ハウジング(2)が、膜(3)から短
    い距離(D1)だけ離れて配置された強化されたおよび
    /または肉付けされた壁部分(17)を有する前面壁
    (8)を備えたハウジング部分(7)と、その上に膜
    (3)が固定されるカラー(10)を備えた側壁(9)
    とを含んでおり、上記の距離(D1)より深いチャンバ
    (18)が少なくともこの壁部分(17)の周囲に形成
    され、これにより開口が前面壁(8)にこのチャンバ
    (18)の高さで設けられ、ダンピング層(21)が膜
    (3)の上に設けられ、ハウジング(2)が接続手段
    (6)を備えた後方側部の上にカバープレート(16)
    を備えていることを特徴とする請求項1、請求項2、ま
    たは、請求項3のいずれか1項に記載の素子。
JP8989498A 1997-04-03 1998-04-02 音響を再生および/または記録するための素子 Pending JPH10277484A (ja)

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