TW202240602A - 電路連接用接著劑薄膜、以及連接結構體及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種電路連接用接著劑薄膜，其為熱固化性的電路連接用接著劑薄膜，其含有平均粒徑為1～30μm並且粒徑的C.V.值為20%以下的焊料粒子，電路連接用接著劑薄膜的厚度與焊料粒子的平均粒徑之比超過1.0且小於1.5，若將焊料粒子的熔點設為T m℃，則在氮氣氛下以10℃/分鐘的升溫速度進行加熱時的T m℃下的固化率為80%以上。

Description

電路連接用接著劑薄膜、以及連接結構體及其製造方法
本發明係有關一種電路連接用接著劑薄膜、以及連接結構體及其製造方法。
在液晶顯示用玻璃面板上安裝液晶驅動用IC之方式能夠大致分為COG（Chip-on-Glass：覆晶玻璃構裝）安裝和COF（Chip-on-Flex：覆晶軟板構裝）安裝這兩種。在COG安裝中，例如，使用薄膜狀的電路連接用接著劑（以下，稱為“電路連接用接著劑薄膜”）將液晶驅動用IC直接接合於玻璃面板上。另一方面，在COF安裝中，例如，將液晶驅動用IC接合於具有金屬配線之可撓性膠帶，使用電路連接用接著劑薄膜將該等接合於玻璃面板。
然而，隨著近年來液晶顯示的高精細化，作為液晶驅動用IC的電路電極的金屬凸塊的間距及面積逐漸變窄。因此，有接著劑中的導電粒子在相鄰之電路電極之間流出而發生短路之虞。特別是在COG安裝中該傾向係顯著的。又，若導電粒子在相鄰之電路電極之間流出，則在金屬凸塊與玻璃面板之間捕獲之導電粒子數減少，有引起對置之電路電極之間的連接電阻增加之連接不良之虞。
作為解決該等問題之方法，提出了一種使複數個絕緣粒子（子粒）附著於導電粒子（母粒）的表面而形成複合粒子（絕緣被覆導電粒子）之方法。例如，在專利文獻1中提出了一種使球狀的樹脂粒子附著於導電粒子的表面之方法。
[專利文獻1]日本專利第4773685號公報
本發明的主要目的為提供一種電路連接用接著劑薄膜，其中，即使不使用如上述般的絕緣被覆導電粒子，亦能夠確保導電粒子的足夠的捕獲率的同時確保相鄰之電極之間的足夠的絕緣性。
本發明的一方面係有關一種下述[1]中所示之電路連接用接著劑薄膜。
[1]一種電路連接用接著劑薄膜，其為熱固化性的電路連接用接著劑薄膜，其含有平均粒徑為1～30μm並且粒徑的C.V.值為20%以下的焊料粒子，前述電路連接用接著劑薄膜的厚度與前述焊料粒子的平均粒徑之比超過1.0且小於1.5，若將前述焊料粒子的熔點設為T m℃，則在氮氣氛下以10℃/分鐘的升溫速度進行加熱時的T m℃下的固化率為80%以上。
依據上述方面的電路連接用接著劑薄膜，能夠確保導電粒子（焊料粒子）的足夠的捕獲率的同時確保相鄰之電極之間的足夠的絕緣性之電路連接用接著劑薄膜。在此，“捕獲率”係指在連接部位的每單位面積捕獲到之導電粒子的數量與電路連接用接著劑薄膜的每單位面積的導電粒子（焊料粒子）的數量的比例。
然而，近年來，隨著稱為微型LED之新技術的開發等，使用電極的高度低的電路構件。在使用這樣的電路構件之情形下，連接之電極的高度的合計值有時會變得比電路連接用接著劑中所使用之導電粒子的粒徑小。依據本發明人等的探討得知，但是即使在製造這樣的連接結構體之情形下使用如上述般的含有絕緣被覆導電粒子之電路連接用接著劑（例如電路連接用接著劑薄膜），亦難以兼具足夠的捕獲率和足夠的絕緣性。另一方面，依據上述方面的電路連接用接著劑薄膜，即使在連接之電極的高度的合計值比導電粒子的粒徑小的情形下，亦能夠確保導電粒子（焊料粒子）的足夠的捕獲率的同時確保相鄰之電極之間的足夠的絕緣性。
上述方面的電路連接用接著劑薄膜可以為下述[2]至[6]中所示之電路連接用接著劑薄膜。
[2]如[1]所述之電路連接用接著劑薄膜，其含有聚合性化合物和熱聚合起始劑。
[3]如[2]所述之電路連接用接著劑薄膜，其中 前述聚合性化合物為陽離子聚合性化合物，前述熱聚合起始劑為熱陽離子聚合起始劑。
[4]如[3]所述之電路連接用接著劑薄膜，其中 前述聚合性化合物包含選自由脂環式環氧化合物及氧雜環丁烷化合物組成的組中之至少一種。
[5]如[1]至[4]之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜，其中 前述焊料粒子的熔點為280℃以下。
[6]如[1]至[5]之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜，其用於將具有第1電極之第1電路構件與具有第2電極之第2電路構件接著，並且將前述第1電極與前述第2電極相互電連接，前述第1電極的高度和前述第2電極的高度的合計比前述焊料粒子的平均粒徑小。
本發明的另一方面係有關一種下述[7]中所示之連接結構體。
[7]一種連接結構體，其具備：第1電路構件，具有第1電極；第2電路構件，具有與前述第1電極電連接之第2電極；及連接部，將前述第1電極與前述第2電極經由焊料層相互電連接並且將前述第1電路構件與前述第2電路構件接著，前述連接部包含[1]至[6]之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜的固化物。
上述方面的連接結構體可以為下述[8]中所示之連接結構體。
[8]如[7]所述之連接結構體，其中 前述第1電極的高度和前述第2電極的高度的合計比前述焊料粒子的平均粒徑小。
本發明的另一方面係有關一種下述[9]中所示之連接結構體之製造方法。
[9]一種連接結構體之製造方法，其包括如下步驟：在具有第1電極之第1電路構件的設置有前述第1電極之面與具有第2電極之第2電路構件的設置有前述第2電極之面之間配置[1]至[6]所述之電路連接用接著劑薄膜；及將包含前述第1電路構件、前述電路連接用接著劑薄膜及前述第2電路構件之積層體在前述積層體的厚度方向上按壓之狀態下進行加熱，藉此將前述第1電極與前述第2電極經由焊料層相互電連接並且將前述第1電路構件與前述第2電路構件接著。
上述方面的連接結構體之製造方法可以為下述[10]中所示之方法。
[10]如[9]所述之連接結構體之製造方法，其中 前述第1電極的高度和前述第2電極的高度的合計比前述焊料粒子的平均粒徑小。 [發明效果]
依據本發明，能夠提供一種能夠確保導電粒子（焊料粒子）的足夠的捕獲率的同時確保相鄰之電極之間的足夠的絕緣性之電路連接用接著劑薄膜。
以下，對本發明的實施形態進行說明。但是，本發明並不限定於以下實施形態。另外，關於以下例示之材料，只要無特別說明，則可以單獨使用一種，亦可以組合使用兩種以上。關於組成物中的各成分的含量，在組成物中存在複數種相當於各成分之物質之情形下，只要無特別說明，則係指存在於組成物中之該複數種物質的總量。使用“～”示出之數值範圍表示將記載於“～”的前後之數值分別作為最小值及最大值而包括之範圍。在本說明書中階段性地記載之數值範圍內，某一階段的數值範圍的上限值或下限值可以替換為其他階段的數值範圍的上限值或下限值。在本說明書中所記載之數值範圍內，該數值範圍的上限值或下限值可以替換為實施例中所示之值。在本說明書中，“（甲基）丙烯酸酯”係指丙烯酸酯及與其相對應之甲基丙烯酸酯中的至少一者。在“（甲基）丙烯醯基”等其他近似的表述中亦相同。
＜電路連接用接著劑薄膜＞ 一實施形態的電路連接用接著劑薄膜為熱固化性接著劑薄膜，作為導電粒子，含有平均粒徑為1～30μm並且粒徑的C.V.值為20%以下的焊料粒子。在此，電路連接用係指用於電路構件的連接（例如發光元件的安裝）。電路連接用接著劑薄膜可以具有各向異性導電性，亦可以不具有各向異性導電性。亦即，電路連接用接著劑薄膜可以為各向異性導電性的接著劑薄膜，亦可以為非各向異性導電性（例如各向同性導電性）的接著劑薄膜。另外，在此所說之“各向異性導電性”係指在加壓方向上導通，在非加壓方向上保持絕緣性。以下，使用圖1，對一實施形態的電路連接用接著劑薄膜進行說明。
圖1係示意性地表示一實施形態的電路連接用接著劑薄膜的縱截面之圖。“縱截面”係指與電路連接用接著劑薄膜的主表面大致正交之截面（厚度方向的截面）。圖1中所示之電路連接用接著劑薄膜10由熱固化性接著劑薄膜1和配置於該接著劑薄膜1中之焊料粒子2構成。
接著劑薄膜1具備第1接著劑層3和設置於該第1接著劑層3上之第2接著劑層4。第1接著劑層3為在後述之電路連接用接著劑薄膜10之製造方法中焊料粒子2被轉印之層。
焊料粒子2配置於第1接著劑層3與第2接著劑層4的邊界S的附近，邊界S位於相鄰之焊料粒子2、2的分開部分。在圖1中，焊料粒子2的表面（第2接著劑層4側的表面）從第1接著劑層3的表面露出，但是焊料粒子2的整體亦可以埋入第1接著劑層3中。
在電路連接用接著劑薄膜10的縱截面中，相鄰之焊料粒子彼此以相互分離之狀態沿著橫向排列。換言之，電路連接用接著劑薄膜10由在其縱截面中與相鄰之焊料粒子分離之狀態的焊料粒子2沿著橫向形成列之中央區域10a和實質上不存在焊料粒子2的表面側區域10b、10c構成。在此，“橫向”係指與電路連接用接著劑薄膜的主表面大致平行的方向（圖1中的左右方向）。相鄰之焊料粒子彼此以相互分離之狀態沿著橫向排列，例如，能夠藉由利用掃描型電子顯微鏡等觀察電路連接用接著劑薄膜的縱截面來確認。
從焊料粒子2的表面到電路連接用接著劑薄膜10的表面（第1接著劑層3的與第2接著劑層4側相反的一側的面3a及第2接著劑層4的與第1接著劑層3側相反的一側的面4a）的最短距離（圖1中的d11及d21）可以為0.05～1.5μm。若最短距離d11、d21為0.05μm以上，則壓接之後能夠將接著劑樹脂良好地填充到電路構件之間，因此電路的絕緣性趨於提高，若最短距離d11、d21為1.5μm以下，則壓接時的導電粒子的流動受到抑制，趨於可獲得高粒子捕獲性。最短距離d11、d21可以為0.1μm以上或0.2μm以上，可以為1.4μm以下或1.2μm以下。最短距離d11與最短距離d21可以相同，亦可以不同。
圖2及圖3係示意性地表示電路連接用接著劑薄膜10中的焊料粒子2的配置例之俯視圖。如圖2及圖3所示，複數個焊料粒子2的至少一部分可以在俯視電路連接用接著劑薄膜時以既定的圖案排列。在圖2中，在電路連接用接著劑薄膜10的整個區域中以規則且大致均等的間隔配置有焊料粒子2，但是例如，如圖3所示，亦可以以在俯視電路連接用接著劑薄膜時，規則地形成規則地配置有複數個焊料粒子2之區域10d和實質上不存在焊料粒子2之區域10e之方式，配置有焊料粒子2。焊料粒子2的位置及個數例如能夠依據應連接之電極的形狀、尺寸及圖案等來設定。關於複數個焊料粒子2的至少一部分以既定的圖案排列，例如，能夠藉由使用電子顯微鏡等從電路連接用接著劑薄膜的主表面上方觀察該電路連接用接著劑薄膜來確認。
焊料粒子2以與其他焊料粒子2分開之狀態（單分散狀態）存在之比率（單分散率）較佳為90.0%以上，可以為93.0%以上、95.0%以上、97.0%以上或98.0%以上。單分散率的上限值為100%。單分散率越高，則越容易獲得絕緣可靠性優異的連接結構體。關於這樣的分散狀態，在後述之電路連接用接著劑薄膜10之製造方法中，能夠藉由使用以既定的排列配置有焊料粒子2之基體來形成。
電路連接用接著劑薄膜10具有大於焊料粒子2的平均粒徑的1.0倍且小於1.5倍的厚度。亦即，電路連接用接著劑薄膜10的厚度與焊料粒子2的平均粒徑之比超過1.0且小於1.5。就對置之電極之間的焊料粒子2的捕獲率進一步提高，相鄰之電極之間的絕緣電阻進一步提高之觀點而言，電路連接用接著劑薄膜10的厚度與焊料粒子2的平均粒徑之比可以為1.4以下、1.3以下、1.2以下或1.1以下。亦即，電路連接用接著劑薄膜10的厚度與焊料粒子2的平均粒徑之比可以超過1.0且為1.4以下、超過1.0且為1.3以下、超過1.0且為1.2以下或超過1.0且為1.1以下。另外，電路連接用接著劑薄膜10的厚度與接著劑薄膜1的厚度相等。
電路連接用接著劑薄膜10的厚度例如可以為2.0μm以上、3.0μm以上或4.0μm以上，可以為10.0μm以下、8.0μm以下或6.0μm以下，可以為2.0～10.0μm、3.0～8.0μm或4.0～6.0μm。
關於電路連接用接著劑薄膜10，若將焊料粒子的熔點設為T m℃，則在氮氣氛下以10℃/分鐘的升溫速度進行加熱時的T m℃下的固化率為80%以上。通常，在使用了焊料粒子之連接結構體的製造中，使焊料熔融而使電路構件彼此連接之後使密封樹脂固化。因此，通常，焊料粒子的熔點比接著劑成分的固化溫度低。但是，若電路連接用接著劑薄膜10的厚度小於導電粒子的平均粒徑的1.5倍，則接著劑成分的量相對於導電粒子的量減少，因此在作為導電粒子使用了焊料粒子之情形下，有時會因藉由連接時的熱壓接而擴散到接著劑薄膜1中之焊料而使絕緣性下降（例如容易發生短路）。另一方面，在具有上述固化性之電路連接用接著劑薄膜10中，藉由連接時的熱壓接而使焊料粒子2熔融之前接著劑薄膜1固化，焊料的擴散受到抑制，因此即使電路連接用接著劑薄膜10的厚度小於導電粒子的平均粒徑的1.5倍，亦可確保相鄰之電極之間的足夠的絕緣性。就相鄰之電極之間的絕緣性變得更良好的觀點而言，上述條件下的T m℃下的固化率可以為85%以上、90%以上或95%以上，亦可以為100%。
關於上述電路連接用接著劑薄膜10的固化率（在氮氣氛下以10℃/分鐘的升溫速度進行加熱時的T m℃下的固化率），能夠利用使用示差掃描熱量儀（Differential Scanning Calorimeter）測量之發熱量來求出。具體而言，使用示差掃描熱量儀，在氮（N 2）氣氛下，以10℃/分鐘的升溫速度測量電路連接用接著劑薄膜10的發熱量，並求出從50℃到電路連接用接著劑薄膜10完全固化為止的發熱量（Q 1）和從50℃到焊料粒子的熔點T m℃為止的發熱量（Q 2）之後，將所求出之值代入下述式（A）中，藉此能夠計算固化率。求出Q 1時，在藉由測量獲得之DSC曲線的微分曲線（DDSC曲線）的變化率成為0.01[W•g℃]以下之情形下，判斷為電路連接用接著劑薄膜10完全固化。 固化率（%）=Q 2/Q 1×100  （A）
本領域技術人員例如能夠藉由將具有環狀醚基之化合物等用作熱固化性成分、聚合起始劑的種類的選擇、摻合量的調整等而容易製作具有上述固化率之電路連接用接著劑薄膜10。
具備上述之特徵之電路連接用接著劑薄膜10適用於將具有第1電極之第1電路構件與具有第2電極之第2電路構件接著，並且將第1電極與第2電極相互電連接之用途。尤其，電路連接用接著劑薄膜10含有焊料粒子作為導電粒子，並且厚度大於焊料粒子2的平均粒徑的1.0倍且小於1.5倍，因此適用於低壓（例如以第1電路構件或第2電路構件中接著面積小的電路構件的面積為基準，為5MPa以下）下的安裝。
依據電路連接用接著劑薄膜10，能夠確保導電粒子（焊料粒子）的足夠的捕獲率的同時確保相鄰之電極之間的足夠的絕緣性之電路連接用接著劑薄膜。尤其，在連接之電極的高度的合計值（第1電極的高度和第2電極的高度的合計值）比焊料粒子的平均粒徑小的情形下，上述效果變得顯著。又，依據電路連接用接著劑薄膜10，趨於可獲得充分低的連接電阻。
以下，對接著劑薄膜1及焊料粒子2的詳細內容進行說明。
（接著劑薄膜） 接著劑薄膜1例如為由不具有導電性之材料（絕緣性樹脂等）構成之絕緣性接著劑薄膜。構成接著劑薄膜1之第1接著劑層3及第2接著劑層4分別由熱固化性接著劑組成物構成。以下，依情形，將構成第1接著劑層3之接著劑組成物稱為“第1接著劑組成物”，將構成第2接著劑層4之接著劑組成物稱為“第2接著劑組成物”。
接著劑組成物（第1接著劑組成物及第2接著劑組成物）至少包含熱固化性成分。熱固化性成分為在連接時能夠流動並且藉由加熱固化之成分。接著劑組成物可以包含聚合性化合物及熱聚合起始劑作為熱固化性成分。就減少連接電阻的效果更優異的觀點而言，可以為聚合性化合物係陽離子聚合性化合物，熱聚合起始劑係熱陽離子聚合起始劑。
[陽離子聚合性化合物] 作為陽離子聚合性化合物，就減少連接電阻的效果進一步提高，連接可靠性更優異的觀點而言，可以為具有環狀醚基之化合物。在具有環狀醚基之化合物中，使用選自由脂環式環氧化合物及氧雜環丁烷化合物組成的組中之至少1種之情形下，減少連接電阻的效果趨於進一步提高。就容易獲得所期望的熔融黏度之觀點而言，陽離子聚合性化合物可以包含脂環式環氧化合物及氧雜環丁烷化合物雙方。
關於脂環式環氧化合物，只要係具有脂環式環氧基（例如，環氧環己基）之化合物，則能夠沒有特別限制地使用。作為脂環式環氧化合物的市售品，除了CELLOXIDE8010（商品名稱，雙-7-氧雜雙環[4.1.0]庚烷，Daicel Corporation製造）以外，例如，還可舉出EHPE3150、EHPE3150CE、CELLOXIDE2021P、CELLOXIDE2081（商品名稱，Daicel Corporation製造）等。該等可以單獨使用1種化合物，亦可以組合使用複數種。
關於氧雜環丁烷化合物，只要係具有氧雜環丁烷基之化合物，則能夠沒有特別限制地使用。作為氧雜環丁烷化合物的市售品，例如，可舉出ETERNACOLL OXBP（商品名稱，4,4’-雙[（3-乙基-3-氧雜環丁烷基）甲氧基甲基]聯苯，UBE INDUSTRIES,LTD.製造）、OXSQ、OXT-121、OXT-221、OXT-101、OXT-212（商品名稱，TOAGOSEI CO.,LTD.製造）等。該等可以單獨使用1種化合物，亦可以組合使用複數種。
作為具有環狀醚基之化合物，可以使用除了脂環式環氧化合物以外的環氧化合物。具體而言，例如，還能夠使用雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等具有芳香族系烴基之環氧化合物（例如，Mitsubishi Chemical Corporation製造的商品名稱“jER1010”等）。就減少連接電阻的效果進一步提高，連接可靠性更優異的觀點而言，具有芳香族系烴基之環氧化合物可以與脂環式環氧化合物組合使用。
[熱陽離子聚合起始劑] 熱陽離子聚合起始劑例如為藉由加熱產生酸等而能夠開始聚合之化合物（熱潛伏性陽離子產生劑）。熱陽離子聚合起始劑可以為由陽離子和陰離子構成之鹽化合物。關於熱陽離子聚合起始劑，例如，可舉出具有BF 4 -、BR 4 -（R表示被2個以上的氟原子或2個以上的三氟甲基取代之苯基。）、PF 6 -、SbF 6 -、AsF 6 -等陰離子之锍鹽、鏻鹽、銨鹽、重氮鹽、碘鹽、苯胺鹽、吡啶鹽等鎓鹽等。該等可以單獨使用1種，亦可以組合使用複數種。
就快速固化性的觀點而言，熱陽離子聚合起始劑例如可以為具有包含硼作為構成元素之陰離子之鹽化合物。作為這樣的鹽化合物，例如，可舉出具有BF 4 -或BR 4 -（R表示被2個以上的氟原子或2個以上的三氟甲基取代之苯基。）之鹽化合物。包含硼作為構成元素之陰離子可以為BR 4 -，更具體而言，可以為四（五氟苯基）硼酸鹽。
就保存穩定性的觀點而言，熱陽離子聚合起始劑可以為由下述式（I）或下述式（II）表示之具有陽離子之鹽化合物。 【化學式1】
Figure 02_image001
【化學式2】
Figure 02_image003
式（I）中，R 1及R 2分別獨立地表示氫原子、碳數1～20的烷基或者包含具有取代基或未經取代的芳香族系烴基之有機基團，R 3表示碳數1～6的烷基。
就兼具保存穩定性和低溫活性之觀點而言，由式（I）表示之具有陽離子之鹽化合物可以為芳香族锍鹽化合物（芳香族锍鹽型熱酸產生劑）。亦即，式（I）中的R 1及R 2中的至少一者可以為包含具有取代基或未經取代的芳香族系烴基之有機基團。由式（I）表示之具有陽離子之鹽化合物中的陰離子可以為包含銻作為構成元素之陰離子，例如，可以為六氟銻酸鹽（六氟銻酸）。
作為由式（I）表示之具有陽離子之化合物的具體例，可舉出1-萘基甲基-對羥基苯基锍六氟銻酸鹽（SANSHIN CHEMICAL INDUSTRY CO.,LTD.製造，SI-60主劑）等。
式（II）中，R 4及R 5分別獨立地表示氫原子、碳數1～20的烷基或者包含具有取代基或未經取代的芳香族系烴基之有機基團，R 6及R 7分別獨立地表示碳數1～6的烷基。
由式（II）表示之具有陽離子之鹽化合物（四級銨鹽型熱酸產生劑）具有針對可能會引起對陽離子固化的固化阻礙之物質的耐性，因此例如可以為苯胺鹽化合物。亦即，式（II）中的R 4及R 5中的至少一者可以為包含具有取代基或未經取代的芳香族系烴基之有機基團。作為苯胺鹽化合物，例如，可舉出N,N-二甲基苯胺鹽、N,N-二乙基苯胺鹽等N,N-二烷基苯胺鹽等。由式（II）表示之具有陽離子之鹽化合物中的陰離子可以為包含硼作為構成元素之陰離子，例如，可以為四（五氟苯基）硼酸鹽。
由式（II）表示之具有陽離子之化合物可以為具有包含硼作為構成元素之陰離子之苯胺鹽。作為這樣的鹽化合物的市售品，例如，可舉出CXC-1821（商品名稱，King Industries,Inc.製造）等。
就確保接著劑薄膜的形成性及固化性之觀點而言，相對於陽離子聚合性化合物100質量份，熱陽離子聚合起始劑的含量例如可以為0.1～20質量份、1～18質量份、3～15質量份或5～12質量份。另外，第1接著劑組成物中的熱陽離子聚合起始劑的含量（以第1接著劑組成物中的陽離子聚合性化合物100質量份為基準）可以在上述範圍內，第2接著劑組成物中的熱陽離子聚合起始劑的含量（以第2接著劑組成物中的陽離子聚合性化合物100質量份為基準）可以在上述範圍內。
就確保接著劑薄膜的固化性之觀點而言，以接著劑組成物的總質量為基準，熱固化性成分的含量（例如聚合性化合物和熱聚合起始劑的總含量）例如可以為5質量%以上、10質量%以上、15質量%以上或20質量%以上。就確保接著劑薄膜的形成性之觀點而言，以接著劑組成物的總質量為基準，熱固化性成分的含量例如可以為70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下或40質量%以下。就該等觀點而言，以接著劑組成物的總質量為基準，熱固化性成分的含量例如可以為5～70質量%、10～60質量%、15～50質量%或20～40質量%。另外，第1接著劑組成物中的熱固化性成分的含量（以第1接著劑組成物的總質量為基準）可以在上述範圍內，第2接著劑組成物中的熱固化性成分的含量（以第2接著劑組成物的總質量為基準）可以在上述範圍內。以下，同樣地，接著劑組成物中所包含之各成分的含量（以接著劑組成物的總質量為基準）能夠改稱為第1接著劑組成物中的熱固化性成分的含量（以第1接著劑組成物的總質量為基準），還能夠改稱為第2接著劑組成物中的熱固化性成分的含量（以第2接著劑組成物的總質量為基準）。
[其他成分] 接著劑組成物（第1接著劑組成物及第2接著劑組成物）除了熱固化性成分以外，例如還可以包含熱塑性樹脂、填充材料、偶合劑等。
熱塑性樹脂有助於提高接著劑薄膜的薄膜形成性。作為熱塑性樹脂，例如，可舉出苯氧基樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚胺酯樹脂、聚酯胺酯樹脂、丙烯酸橡膠、環氧樹脂（在25℃下為固態）等。作為上述苯氧基樹脂，例如，可舉出茀型苯氧基樹脂、雙酚A/雙酚F共聚型苯氧基樹脂等。該等可以單獨使用1種，亦可以組合使用複數種。
就安裝時的樹脂排除性的觀點而言，熱塑性樹脂的重量平均分子量（Mw）例如可以為5000～200000、10000～100000、20000～80000或40000～60000。另外，Mw係指藉由凝膠滲透層析法（GPC）進行測量並使用基於標準聚苯乙烯之検量線進行換算之值。
以接著劑組成物的總質量為基準，熱塑性樹脂的含量例如可以為1質量%以上、5質量%以上、10質量%以上或20質量%以上，可以為70質量%以下、60質量%以下、50質量%以下或40質量%以下，可以為1～70質量%、5～60質量%、10～50質量%或20～40質量%。
作為填充材料，例如，可舉出非導電性填料（例如，非導電粒子）。填充材料可以為無機填料及有機填料中的任一種。作為無機填料，例如，可舉出二氧化矽微粒、氧化鋁微粒、二氧化矽-氧化鋁微粒、氧化鈦微粒、氧化鋯微粒等金屬氧化物微粒；金屬氮化物微粒等無機微粒。作為有機填料，例如，可舉出矽酮微粒、甲基丙烯酸酯-丁二烯-苯乙烯微粒、丙烯酸-矽酮微粒、聚醯胺微粒、聚醯亞胺微粒等有機微粒。該等可以單獨使用1種，亦可以組合使用複數種。填充材料例如可以為二氧化矽微粒。以接著劑組成物的總質量為基準，填充材料的含量例如可以為0.1～10質量%。
作為偶合劑，例如，可舉出具有（甲基）丙烯醯基、巰基、胺基、咪唑基、環氧基等有機官能基之矽烷偶合劑（γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷等）、四烷氧基矽烷等矽烷化合物、四烷氧基鈦酸酯衍生物、聚二烷基鈦酸酯衍生物等。該等可以單獨使用1種，亦可以組合使用複數種。藉由接著劑組成物含有偶合劑，能夠進一步提高接著性。以接著劑組成物的總質量為基準，偶合劑的含量例如可以為0.1～10質量%。
接著劑組成物（第1接著劑組成物及第2接著劑組成物）還可以包含軟化劑、促進劑、劣化抑制劑、著色劑、阻燃劑、觸變減黏劑等其他添加劑作為其他成分。以接著劑組成物的總質量為基準，其他添加劑的含量例如可以為0.1～10質量%。
第1接著劑組成物和第2接著劑組成物可以包含相互相同的成分，亦可以包含互不相同的成分。
就製造電路連接用接著劑薄膜10時的焊料粒子2的轉印性的觀點而言，第1接著劑層3的厚度d1（圖1中的d1所表示之距離）例如可以為0.5μm以上、1.0μm以上或2.0μm以上。就在連接時能夠進一步有效率地捕獲焊料粒子之觀點而言，第1接著劑層3的厚度d1例如可以為5.0μm以下、4.0μm以下或3.0μm以下。該等觀點而言，第1接著劑層3的厚度d1例如可以為0.5～5.0μm、1.0～4.0μm或2.0～3.0μm。
第2接著劑層4的厚度d2（圖1中的d2所表示之距離）可以依據連接之電路構件的電極的高度等而適當地設定就能夠充分地填充電極之間的空間而密封電極，可獲得更良好的連接可靠性之觀點而言，第2接著劑層4的厚度d2例如可以為0.5μm以上、1.0μm以上或2.0μm以上，可以為10μm以下、5.0μm以下、4.0μm以下或3.0μm以下，可以為0.5～10μm、0.5～5.0μm、1.0～4.0μm或2.0～3.0μm。
第1接著劑層3的厚度d1及第2接著劑層的厚度d2例如藉由如下方式來求出：用2個玻璃（厚度：1mm左右）夾持電路連接用接著劑薄膜10，用由雙酚A型環氧樹脂（商品名稱：jER811，Mitsubishi Chemical Corporation製造）100g和固化劑（商品名稱：Epomount固化劑，Refine Tec Ltd.製造）10g組成的樹脂組成物注型之後，使用研磨機進行截面研磨，並使用掃描型電子顯微鏡（SEM，商品名稱：SE-8020，Hitachi High-Tech Science Corporation製造）進行測量。
（焊料粒子） 焊料粒子例如具有比連接溫度低的熔點。因此，焊料粒子藉由連接時的熱壓接而熔融並固著於電極上。藉此，將對置之電極彼此電連接。就能夠在低溫下安裝之觀點而言，焊料粒子的熔點例如可以為280℃以下、220℃以下、180℃以下、160℃以下或140℃以下。焊料粒子的熔點例如為100℃以上。
就兼具連接強度和低熔點之觀點而言，焊料粒子可以包含選自由錫、錫合金、銦及銦合金組成的組中之至少一種。
作為錫合金，例如，能夠使用In-Sn合金、In-Sn-Ag合金、Sn-Au合金、Sn-Bi合金、Sn-Bi-Ag合金、Sn-Ag-Cu合金、Sn-Cu合金等。作為該等錫合金的具體例，可舉出下述例。 •In-Sn（In52質量%、Sn48質量%，熔點118℃） •In-Sn-Ag（In20質量%、Sn77.2質量%、Ag2.8質量%，熔點175℃） •Sn-Bi（Sn43質量%、Bi57質量%，熔點138℃） •Sn-Bi-Ag（Sn42質量%、Bi57質量%、Ag1質量%，熔點139℃）•Sn-Ag-Cu（Sn96.5質量%、Ag3質量%、Cu0.5質量%，熔點217℃） •Sn-Cu（Sn99.3質量%、Cu0.7質量%，熔點227℃） •Sn-Au（Sn21.0質量%、Au79.0質量%，熔點278℃）
作為銦合金，例如，能夠使用In-Bi合金、In-Ag合金等。作為該等銦合金的具體例，可舉出下述例。 •In-Bi（In66.3質量%、Bi33.7質量%，熔點72℃） •In-Bi（In33.0質量%、Bi67.0質量%，熔點109℃） •In-Ag（In97.0質量%、Ag3.0質量%，熔點145℃） 另外，上述之包含錫之銦合金被分類為錫合金。
就在高溫高濕試驗時及熱衝擊試驗時可獲得更高的可靠性之觀點而言，焊料粒子可以包含選自由In-Bi合金、In-Sn合金、In-Sn-Ag合金、Sn-Au合金、Sn-Bi合金、Sn-Bi-Ag合金、Sn-Ag-Cu合金及Sn-Cu合金組成的組中之至少一種。
上述錫合金或銦合金可以依據焊料粒子的用途（使用時的溫度）等來選擇。例如，在將焊料粒子用於低溫下的熔接之情形下，若採用In-Sn合金、Sn-Bi合金，則能夠使其在150℃以下的溫度下進行熔接。在採用Sn-Ag-Cu合金、Sn-Cu合金等熔點高的材料之情形下，即使在高溫放置之後亦能夠保持高的可靠性。
焊料粒子可以包含選自Ag、Cu、Ni、Bi、Zn、Pd、Pb、Au、P及B中之一種以上。在焊料粒子包含Ag或Cu之情形下，能夠使焊料粒子的熔點降低到220℃左右，並且與電極的接合強度進一步提高，因此容易獲得更良好的導通可靠性。
焊料粒子的Cu含有率例如為0.05～10質量%，可以為0.1～5質量%或0.2～3質量%。若Cu含有率為0.05質量%以上，則容易實現更良好的焊料連接可靠性。又，若Cu含有率為10質量%以下，則熔點低，容易成為潤濕性優異的焊料粒子，其結果，基於焊料粒子之接合部的連接可靠性容易變得良好。
焊料粒子的Ag含有率例如為0.05～10質量%，可以為0.1～5質量%或0.2～3質量%。若Ag含有率為0.05質量%以上，則容易實現更良好的焊料連接可靠性。又，若Ag含有率為10質量%以下，則熔點低，容易成為潤濕性優異的焊料粒子，其結果，基於焊料粒子之接合部的連接可靠性容易變得良好。
可以在焊料粒子的表面的一部分具有平面部。在使用這樣的焊料粒子之情形下，焊料粒子所具有之平面部與電極接觸，藉此能夠在該平面部與電極之間確保大的接觸面積。又，在連接由焊料容易潤濕擴展的材料形成之電極和由焊料不易潤濕擴展的材料形成之電極時，調整成在後者的電極側配置焊料粒子的平面部，藉此能夠適當地進行兩個電極之間的連接。焊料粒子中的上述平面部以外的表面可以為球冠狀。亦即，焊料粒子可以為具有平面部和球冠狀的曲面部者。具體而言，焊料粒子可以具有在具有直徑A之球的表面的一部分形成有直徑B的平面部之形狀。在使用這樣的焊料粒子之情形下，容易獲得更優異的導通可靠性和絕緣可靠性。
在焊料粒子具有在具有直徑A之球的表面的一部分形成有直徑B的平面部之形狀之情形下，就實現更優異的導通可靠性及絕緣可靠性之觀點而言，平面部的直徑B與焊料粒子的直徑A之比（B/A）例如可以超過0.01且小於1.0（0.01＜B/A＜1.0），亦可以為0.1～0.9。焊料粒子的直徑A及平面部的直徑B例如能夠藉由掃描型電子顯微鏡等來觀察。具體而言，藉由掃描型電子顯微鏡來觀察任意的焊料粒子，並拍攝圖像。依據所獲得之圖像測量焊料粒子的直徑A及平面部的直徑B，並求出該粒子的B/A。對300個焊料粒子進行該作業並計算平均值，作為焊料粒子的B/A。
在由兩對平行線製作與焊料粒子的投影像外接之四邊形之情形下，若將對置之邊之間的距離分別作為X及Y（其中，Y＜X），則Y與X之比（Y/X）可以超過0.8且為1.0以下（0.8＜Y/X≤1.0），亦可以超過0.8且小於1.0或0.81～0.99。這樣的焊料粒子能夠稱為更接近圓球之粒子。若焊料粒子具有接近圓球的形狀，則在後述之製造方法中趨於容易將焊料粒子收納於基體的凹部。又，藉由焊料粒子具有接近圓球之形狀，在使對置之複數個電極之間經由焊料層電連接時，在焊料粒子與電極的接觸中不易產生不均，趨於可獲得穩定之連接。關於焊料粒子的投影像，例如，能夠藉由掃描型電子顯微鏡來觀察任意的焊料粒子而獲得。在求出Y/X時，對所獲得之投影像繪製兩對平行線，一對平行線配置於平行線的距離最小的位置，另一對平行線配置於平行線的距離最大的位置。對300個焊料粒子進行該作業並計算Y/X的平均值，將其作為焊料粒子的Y/X。
焊料粒子的平均粒徑為1～30μm。就容易獲得優異的導電性之觀點而言，焊料粒子的平均粒徑可以為2μm以上或4μm以上。就容易獲得與微小尺寸的電極的更良好的連接可靠性之觀點而言，焊料粒子的平均粒徑可以為25μm以下或20μm以下。就該等觀點而言，焊料粒子的平均粒徑可以為2～25μm或4～20μm。
焊料粒子的平均粒徑能夠使用與尺寸相對應之各種方法來測量。例如，能夠利用動態光散射法、雷射繞射法、離心沉降法、電檢測帶法、共振式質量測量法等方法。進而，能夠利用依據藉由光學顯微鏡、電子顯微鏡等獲得之圖像測量粒子尺寸之方法。作為具體的裝置，可舉出流式粒子像分析裝置、Microtrac、庫爾特計數器等。另外，非圓球形的焊料粒子的粒徑可以為SEM的圖像中的與焊料粒子外接之圓的直徑。
焊料粒子的粒徑的C.V.值為20%以下。粒徑的C.V.值為藉由對將焊料粒子的粒徑的標準偏差除以平均粒徑而得之值乘以100來計算之值，並且為表示焊料粒子的粒徑的偏差程度之參數。焊料粒子的粒徑的C.V.值小表示焊料粒子的粒徑的偏差少。關於焊料粒子的粒徑的標準偏差，藉由與上述之焊料粒子的平均粒徑之測量方法相同的方法來測量。就能夠實現更優異的導電可靠性及絕緣可靠性之觀點而言，焊料粒子的粒徑的C.V.值可以為10%以下、9%以下、8%以下、7%以下或5%以下。焊料粒子的粒徑的C.V.值的下限並無特別限定，例如，可以為0.1%以上、1%以上或2%以上。亦即，焊料粒子的粒徑的C.V.值可以為0.1～20%、1～10%、2～9%、2～8%等。
就能夠進一步提高導電性之觀點而言，以電路連接用接著劑薄膜的總質量為基準，焊料粒子的含量例如可以為40質量%以上、50質量%以上或60質量%以上。就容易抑制短路之觀點而言，以電路連接用接著劑薄膜的總質量為基準，焊料粒子的含量例如可以為80質量%以下、75質量%以下或70質量%以下。就該等觀點而言，以電路連接用接著劑薄膜的總質量為基準，焊料粒子的含量例如可以為40～80質量%、50～75質量%或60～70質量%。
就可獲得穩定之連接電阻之觀點而言，電路連接用接著劑薄膜10中的焊料粒子的粒子密度可以為100個/mm 2以上、1000個/mm 2以上、3000個/mm 2以上或5000個/mm 2以上。就提高相鄰之電極之間的絕緣性之觀點而言，電路連接用接著劑薄膜10中的焊料粒子的粒子密度可以為100000個/mm 2以下、70000個/mm 2以下、50000個/mm 2以下或30000個/mm 2以下。
＜電路連接用接著劑薄膜之製造方法＞ 上述電路連接用接著劑薄膜10例如能夠藉由包括如下步驟之方法來製造：準備在表面配置有複數個焊料粒子2之基體（例如，在表面具有複數個凹部並且在該複數個凹部的至少一部分配置有焊料粒子2之基體）之步驟（準備步驟）；藉由在該基體的該表面（例如形成有凹部之面）上設置第1接著劑層3，將焊料粒子轉印到第1接著劑層3之步驟（轉印步驟）；及在第1接著劑層3的一個面上設置第2接著劑層4之步驟（積層步驟）。依據該方法，藉由使用預先以既定的排列配置有焊料粒子之基體，能夠獲得具有既定的排列並且單分散率亦優異的電路連接用接著劑薄膜10。
以下，參閱圖4～圖8，對電路連接用接著劑薄膜10之製造方法進行說明。圖4係示意性地表示電路連接用接著劑薄膜10之製造方法中所使用之基體的縱截面之圖，圖5係表示圖4的基體的凹部的截面形狀的變形例之圖，圖6係示意性地表示在圖4的基體的凹部配置有焊料粒子2之狀態之剖視圖，圖7係示意性地表示準備步驟的一例之剖視圖，圖8係示意性地表示轉印步驟的一例之剖視圖。另外，在以下說明之方法中，作為基體，使用在表面具有複數個凹部並且在該複數個凹部的至少一部分配置有焊料粒子2之基體，但是並不限於這樣的基體，例如，還能夠使用在表面具備能夠固定焊料粒子之支撐部（針等）之基體等。
（準備步驟） 在準備步驟中，首先，準備在表面具有複數個凹部7之基體6（參閱圖4）。基體6具有複數個凹部7。關於複數個凹部7，例如，以既定的圖案（例如，與電路構件的電極圖案相對應之圖案）規則地配置。在以既定的圖案配置有凹部7之情形下，將焊料粒子2以既定的圖案轉印到第1接著劑層。因此，可獲得以既定的圖案（如圖2及圖3所示之圖案）規則地配置有焊料粒子2之電路連接用接著劑薄膜10。
如圖4所示，基體6的凹部7例如可以形成為開口面積從凹部7的底部7a側朝向基體6的表面6a側擴大之錐形。亦即，凹部7的底部7a的寬度（圖4中的寬度a）可以比凹部7的開口的寬度（圖4中的寬度b）窄。凹部7的尺寸（寬度a、寬度b、容積、錐角及深度等）能夠依據目標焊料粒子的尺寸、電路連接用接著劑薄膜中的焊料粒子的位置來設定。例如，凹部7的開口的寬度（寬度b）可以比焊料粒子2的最大粒徑大，亦可以小於焊料粒子的最大粒徑的2倍。
基體6的縱截面中的凹部7的形狀（凹部7的截面形狀）例如可以為如圖5（a）～（h）所示之形狀。圖5（a）～（h）中所示之任意截面形狀均係凹部7的開口的寬度（寬度b）成為截面形狀中的最大寬度。藉此，容易取出配置在凹部7中之焊料粒子，作業性得到提高。
凹部7的開口的形狀可以為圓形、橢圓形、三角形、四邊形、多邊形等。
基體6的凹部7能夠藉由微影術、機械加工等公知的方法來形成。在該等方法中，能夠自由地設計凹部的尺寸及形狀。
作為構成基體6之材料，例如，能夠使用矽、各種陶瓷、玻璃、不鏽鋼等金屬等無機材料、以及各種樹脂等有機材料。如後述，在本實施形態之製造方法中，藉由在基體6的凹部7內形成焊料粒子2而能夠在基體6的凹部7配置焊料粒子2，但是此時，基體6可以具有在用於形成焊料粒子2之微粒的熔融溫度下不會變質之耐熱性。
接著，在基體6的複數個凹部7的至少一部分（一部分或全部）配置（收納）焊料粒子2（參閱圖6）。
焊料粒子2之配置方法並無特別限定。配置方法可以為乾式、濕式中的任一種。例如，將焊料粒子2配置於基體6的表面6a上，使用刮板或微黏結輥，刮擦基體6的表面6a，藉此能夠去除多餘的焊料粒子2的同時，在凹部7配置焊料粒子2。在凹部7的開口的寬度b比凹部7的深度大的情形下，焊料粒子有時會從凹部7的開口飛出。若使用刮板，則從凹部7的開口飛出之焊料粒子被去除。作為去除多餘的焊料粒子之方法，還可舉出噴吹壓縮空氣、用不織布或纖維束刮擦基體6的表面6a之方法。該等方法與刮板相比物理力弱，因此在處理作為焊料粒子之容易變形之粒子（例如焊料粒子）之方面為較佳。
在電路連接用接著劑薄膜10之製造方法中，可以藉由在基體6的凹部7內形成焊料粒子2來將焊料粒子2配置於凹部7。具體而言，例如，如圖7所示，將用以形成焊料粒子2之微粒8收納於凹部7內之後，使收納於凹部7之微粒8熔融，藉此能夠在凹部7內形成焊料粒子2。收納於凹部7內之微粒8藉由熔融而合而為一，藉由表面張力而球狀化，但是此時，在與凹部7的底部7a的接觸部中，熔融之金屬呈追隨底部7a之形狀。因此，例如，在凹部7的底部7a為如圖7所示之平坦的形狀的情形下，焊料粒子2成為在表面的一部分具有平面部2a者。
關於微粒8，只要能夠收納於凹部7內即可，粒度分佈的偏差大亦可以，形狀變形亦可以。
作為使收納於凹部7之微粒8熔融之方法，可舉出將微粒8加熱至形成該微粒之材料（焊料）的熔點以上之方法。關於微粒8，因氧化被膜的影響，即使在熔點以上的溫度下進行加熱，有時亦不會熔融、不會潤濕擴展或不會合而為一。因此，將微粒8暴露在還原氣氛下，去除微粒8的表面氧化皮膜之後，加熱至微粒8的熔點以上的溫度，藉此能夠使微粒8熔融，潤濕擴展，使其合而為一。就相同的觀點而言，微粒8的熔融可以在還原氣氛下進行。
關於設為還原氣氛之方法，只要係可獲得上述效果之方法，則並無特別限定，例如有使用氫氣、氫自由基、甲酸氣體等之方法。例如，藉由使用氫還原爐、氫自由基還原爐、甲酸還原爐或該等的輸送爐或連續爐，能夠在還原氣氛下使微粒8熔融。該等裝置可以在爐內具備加熱裝置、填充惰性氣體（氮氣、氬氣等）之腔室、將腔室內設為真空之機構等，藉此更容易控制還原氣體。又，若能夠將腔室內設為真空，則能夠在微粒8熔融及合而為一之後，藉由減壓去除空隙，能夠獲得連接穩定性進一步優異的焊料粒子2。
關於微粒8的還原、溶解條件、溫度、爐內氣氛調整等配置文件，可以考慮微粒8的熔點、粒度、凹部的尺寸、基體6的材質等適當地設定。
依據上述方法，能夠與微粒8的材質及形狀無關地，形成大致均勻的尺寸的焊料粒子2。又，焊料粒子2的尺寸及形狀取決於收納於凹部7之微粒8的量、凹部7的形狀等，因此藉由凹部7的設計（凹部的尺寸、形狀等的調整）能夠自由地設計焊料粒子2的尺寸及形狀，能夠容易準備具有目標粒度分佈之焊料粒子（平均粒徑為1～30μm並且粒徑的C.V.值為20%以下的焊料粒子）。
上述方法尤其適於焊料粒子2為銦系焊料粒子之情形。亦即，銦系焊料能夠藉由鍍敷析出，但是不易以粒子狀析出，為柔軟且不易處理之材料。但是，在上述方法中，藉由將銦系焊料微粒用作原料，能夠容易製造具有大致均勻的粒徑之銦系焊料粒子。
在將焊料粒子2配置於凹部7之後，能夠在焊料粒子2配置（收納）於凹部7之狀態下操作基體6。例如，在將基體6在焊料粒子2配置（收納）於凹部7之狀態下進行傳送/保管等之情形下，能夠防止焊料粒子2的變形。又，在焊料粒子2配置（收納）於凹部7之狀態下，容易取出焊料粒子2，因此還容易防止對焊料粒子2進行回收/表面處理等時的變形。
（轉印步驟） 在轉印步驟中，藉由在基體6的表面（形成有凹部7之面）上設置第1接著劑層3，將焊料粒子2轉印到第1接著劑層3（參閱圖8）。
具體而言，首先，在支撐體11上形成第1接著劑層3而獲得積層薄膜12之後，使基體6的形成有凹部7之面（基體6的表面）6a與積層薄膜12的第1接著劑層3側的面（第1接著劑層3的與支撐體11相反的一側的面）對置，使基體6與第1接著劑層3靠近（參閱圖8（a））。接著，藉由將積層薄膜12與基體6貼合而使第1接著劑層3與基體6的表面（形成有凹部7之面）6a接觸，將焊料粒子2轉印到第1接著劑層3。藉此，可獲得具備第1接著劑層3和至少一部分被埋入第1接著劑層3中之焊料粒子2之粒子轉印層13（參閱圖8（b））。此時，如圖8（b）所示，在凹部7的底部係平坦的情形下，焊料粒子2與凹部7的底部的形狀相對應地具有平面部2a，並以該平面部2a朝向與支撐體11相反的一側之狀態配置於第1接著劑層3中。
第1接著劑層3能夠使用清漆組成物（清漆狀的第1接著劑組成物）來形成，該清漆組成物藉由將第1接著劑層3的構成成分在有機溶劑中進行攪拌混合、混練等而使其溶解或分散來製備。具體而言，例如，使用氣刀塗佈機、輥塗機、敷贴器、缺角輪塗佈機、模塗佈機等，在支撐體11（例如實施了脫模處理之基材）上塗佈清漆組成物之後，藉由加熱而使有機溶劑揮發，藉此能夠形成第1接著劑層3。此時，藉由調整清漆組成物的塗佈量，能夠調整最終獲得之第1接著劑層的厚度。
關於在清漆組成物的製備中使用之有機溶劑，只要係具有能夠大致均勻地溶解或分散各成分之特性者，則並無特別限制。作為這樣的有機溶劑，例如，可舉出甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯等。該等有機溶劑能夠單獨使用或組合使用2種以上。製備清漆組成物時的攪拌混合或混練，例如能夠使用攪拌機、研磨機、3個輥、球磨機、珠磨機、均質分散器等來進行。
關於支撐體11，只要係具有能夠承受使有機溶劑揮發時的加熱條件之耐熱性者，則並無特別限制。支撐體11可以為塑膠薄膜，亦可以為金屬箔。作為支撐體11，例如，可以使用將拉伸聚丙烯（OPP）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚萘二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚烯烴、聚乙酸酯、聚碳酸酯、聚苯硫醚、聚醯胺、聚醯亞胺、纖維素、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、合成橡膠系、液晶聚合物等作為構成材料之基材（例如，薄膜）等。
使有機溶劑從塗佈於基材上之清漆組成物中揮發時的加熱條件能夠依據所使用之有機溶劑等而適當地設定。加熱條件例如可以為40～120℃且0.1～10分鐘。
一部分溶劑可以不被去除而殘留於第1接著劑層3中。以第1接著劑層3的總質量為基準，第1接著劑層3中的溶劑的含量例如可以為10質量%以下。
作為貼合積層薄膜12與基體6之方法，例如，可舉出熱壓、輥層壓、真空層壓等方法。關於層壓，例如能夠在0～80℃的溫度條件下進行。
在轉印步驟中，可以藉由將清漆組成物直接塗佈於基體6而形成第1接著劑層3，但是藉由如上述方法般使用積層薄膜12，容易獲得支撐體11、第1接著劑層3及焊料粒子2形成為一體之粒子轉印層13。
（積層步驟） 在積層步驟中，在第1接著劑層3的與支撐體11相反的一側（焊料粒子2被轉印之側）的面上設置第2接著劑層4。藉此，可獲得圖1中所示之電路連接用接著劑薄膜10。
第2接著劑層4使用藉由將第2接著劑層4的構成成分在有機溶劑中進行攪拌混合、混練等而使其溶解或分散來製備之清漆組成物（清漆狀的第2接著劑組成物）來代替清漆狀的第1接著劑組成物，除此以外，能夠以與將第1接著劑層3設置於基體6上之方法相同的方式，設置於第1接著劑層3上。亦即，可以藉由將在支撐體上形成第2接著劑層4而獲得之積層薄膜與第1接著劑層3貼合而在第1接著劑層3上設置第2接著劑層4，亦可以藉由將清漆狀的第2接著劑組成物直接塗佈於第1接著劑層3而在第1接著劑層3上設置第2接著劑層4。
在積層步驟中，可以在剝離支撐體11之後在設置有該支撐體11之側的面上設置第2接著劑層4，但是藉由如上述方法般在與支撐體11相反的一側的面上設置第2接著劑層4，能夠期待提高電路連接用接著劑薄膜對電路構件的貼合性及抑制連接時的剝離。
以上，例舉電路連接用接著劑薄膜10及其製造方法，對本發明的電路連接用接著劑薄膜之製造方法進行了說明，但是本發明並不限定於上述實施形態。
例如，電路連接用接著劑薄膜10中的接著劑薄膜1可以僅由第1接著劑層3組成，還可以具備除了第1接著劑層3及第2接著劑層4以外的其他接著劑層。
＜連接結構體及其製造方法＞ 以下，對作為連接材料而使用了上述電路連接用接著劑薄膜10之連接結構體（電路連接結構體）及其製造方法進行說明。
圖9係表示連接結構體的一實施形態之示意剖面圖。如圖9所示，連接結構體100具備：第1電路構件23，具有第1電路基板21及形成於第1電路基板21的主表面21a上之第1電極22；第2電路構件26，具有第2電路基板24及形成於第2電路基板24的主表面24a上之第2電極25；及連接部27，將第1電極22與第2電極25經由焊料層30相互電連接並且將第1電路構件23與第2電路構件26接著。
第1電路構件23及第2電路構件26可以相互相同，亦可以相互不同。第1電路構件23及第2電路構件26可以為形成有電路電極之玻璃基板或塑膠基板；印刷配線板；陶瓷配線板；可撓性配線板；驅動用IC等IC晶片等。第1電路基板21及第2電路基板24可以由半導體、玻璃、陶瓷等無機物、聚醯亞胺、聚碳酸酯等有機物、玻璃/環氧等複合物等形成。第1電路基板21可以為塑膠基板。第1電路構件23例如可以為形成有電路電極之塑膠基板（將聚醯亞胺、聚碳酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環烯烴聚合物等有機物作為構成材料之塑膠基板），第2電路構件26例如可以為驅動用IC等IC晶片。形成有電極之塑膠基板可以為藉由在塑膠基板上例如以矩陣狀規則排列有機TFT等像素驅動電路或複數個有機EL元件R、G、B而形成顯示區域者。
第1電極22及第2電極25可以為包含金、銀、錫、釕、銠、鈀、鋨、銥、鉑、銅、鋁、鉬、鈦等金屬、銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、銦鎵鋅氧化物（IGZO）等氧化物等之電極。第1電極22及第2電極25可以為積層該等金屬、氧化物等中的2種以上而成之電極。積層2種以上而成之電極可以為2層以上，亦可以為3層以上。第1電極22及第2電極25可以為電路電極，亦可以為凸塊電極。在圖9中，第1電極22為電路電極，第2電極25為凸塊電極。
第1電極22的高度和第2電極25的高度的合計值可以比用於形成連接部27之電路連接用接著劑薄膜中的焊料粒子2的平均粒徑小。合計值例如可以為30μm以下、20μm以下、15μm以下、10μm以下、5μm以下、小於4μm、小於3μm、小於2μm或小於1μm。第1電極22的高度（例如電路電極的高度）例如可以為0.05～5.0μm、0.1～4.0μm或0.5～3.0μm。第2電極25的高度（例如凸塊電極的高度）例如可以為0.5～25.0μm、2.0～15.0μm或5.0～10.0μm。
連接部27為電路連接用接著劑薄膜10的固化物。連接部27例如具有：第1區域28，位於第1電路構件23與第2電路構件26相互對置之方向（以下為“對置方向”）上的第1電路構件23側，且包含第1接著劑層3的固化物；第2區域29，位於對置方向上的第2電路構件26側，且包含第2接著劑層4的固化物；焊料層30，介於第1電極22及第2電極25之間而將第1電極22與第2電極25相互電連接；及焊料粒子2，位於相鄰之電極之間。焊料粒子2可以在連接部27中處於熔融之狀態。連接部27可以不在第1區域28與第2區域29之間具有2個明確的區域，例如，可以包括在混合有第1接著劑層3和第2接著劑層4之狀態下固化之區域。
作為連接結構體，例如，可舉出將規則地配置有精細的LED元件（發光元件）之塑膠基板與作為影像顯示用驅動器之驅動電路元件連接而成之彩色顯示器、將規則地配置有精細的LED元件之塑膠基板與觸控板等位置輸入元件連接而成之觸控面板等微型LED顯示裝置。連接結構體可以為LED元件為有機EL元件之有機EL顯示裝置。連接結構體還能夠應用於智慧手機、平板電腦、電視機、交通工具的導航系統、可穿戴式終端等各種監視器；家具；家電；日用品等。
圖10係表示連接結構體100之製造方法的一實施形態之示意剖面圖。圖10（a）及圖10（b）係表示各步驟之示意剖面圖。如圖10所示，連接結構體100之製造方法包括如下步驟：在第1電路構件23的設置有第1電極22之面與第2電路構件26的設置有第2電極25之面之間配置上述電路連接用接著劑薄膜10；及將包含第1電路構件23、電路連接用接著劑薄膜10及第2電路構件26之積層體在該積層體的厚度方向上按壓之狀態下進行加熱，藉此將第1電極22與第2電極25經由焊料層30相互電連接並且將第1電路構件23與第2電路構件26接著。
具體而言，首先，準備具備形成於第1電路基板21及第1電路基板21的主表面21a上之第1電極22之第1電路構件23和具備形成於第2電路基板24及第2電路基板24的主表面24a上之第2電極25之第2電路構件26。
接著，以第1電極22及第2電極25相互對置之方式配置第1電路構件23及第2電路構件26，在第1電路構件23與第2電路構件26之間配置電路連接用接著劑薄膜10。例如，如圖10（a）所示，使第1接著劑層3側與第1電路基板21的主表面21a對置而將電路連接用接著劑薄膜10層壓於第1電路構件23上。接著，以第1電路基板21上的第1電極22與第2電路基板24上的第2電極25相互對置之方式，在層壓有電路連接用接著劑薄膜10之第1電路構件23上配置第2電路構件26。
並且，如圖10（b）所示，藉由將依次積層第1電路構件23、電路連接用接著劑薄膜10及第2電路構件26而成之積層體在該積層體的厚度方向上按壓之狀態下進行加熱，將第1電路構件23與第2電路構件26相互熱壓接。此時，如圖10（b）中的箭頭所示，第1接著劑層3及第2接著劑層4中所包含之可流動之未固化的熱固化性成分流動以填埋相互相鄰之電極的空隙（第1電極22彼此之間的空隙及第2電極25彼此之間的空隙），並且藉由上述加熱進行固化。又，藉由在按壓之狀態下進行加熱而使焊料粒子2熔融，聚集在第1電極22與第2電極25之間，形成焊料層30，然後，進行冷却，藉此焊料層30被固著於第1電極22與第2電極25之間。藉此，第1電極22及第2電極25經由焊料層30（焊料粒子2的熔融固化物）相互電連接，且第1電路構件23及第2電路構件26相互接著，從而可獲得圖9中所示之連接結構體100。
關於連接時的加熱溫度，只要係焊料粒子能夠熔融之溫度（例如，比焊料粒子的熔點高的溫度）即可，例如，可以為130～260℃。關於加壓，只要在不損壞被黏體之範圍內，則並無特別限制，但是例如晶片的面積換算壓力可以為0.1～50MPa，亦可以為40MPa以下，還可以為0.1～40MPa。該等加熱及加壓時間可以在0.5～300秒鐘的範圍內。 [實施例]
以下，使用實施例及比較例對本發明的內容更詳細地進行說明，但是本發明並不限定於以下實施例。
＜材料的準備＞ 在實施例及比較例中，作為接著劑薄膜的材料，使用了以下所示之材料。
（A：陽離子聚合性化合物） A1：CELLOXIDE8010（雙-7-氧雜雙環[4.1.0]庚烷，Daicel Corporation製造） A2：ETERNACOLL OXBP（4,4’-雙[（3-乙基-3-氧雜環丁烷基）甲氧基甲基]聯苯，UBE INDUSTRIES,LTD.製造） A3：jER1010（雙酚A型固態環氧樹脂，Mitsubishi Chemical Corporation製造）
（B：熱陽離子聚合起始劑（熱潛伏性陽離子產生劑）） B1：CXC-1821（四級銨鹽型熱酸產生劑，King Industries公司製造）
（C：熱塑性樹脂） C1：P-1（藉由後述方法合成之茀型苯氧基樹脂） C2：YP-70（雙酚A/雙酚F共聚型苯氧基樹脂，NIPPON STEEL Chemical & Material Co.,Ltd.製造）
[P-1的合成] 將4,4’-（9-亞茀基）-二酚45g（Sigma-Aldrich Japan K.K.製造）及3,3’,5,5’-四甲基雙酚二環氧丙醚50g（YX-4000H，Mitsubishi Chemical Corporation製造）在安裝有戴氏冷却管、氯化鈣管及與攪拌馬達連接之PTFE製攪拌棒之3000mL的三口燒瓶中溶解於N-甲基吡咯啶酮1000mL中而作為反應液。在其中加入碳酸鉀21g，一邊使用加熱包加熱至110℃一邊進行了攪拌。攪拌3小時之後，將反應液滴加到裝有1000mL的甲醇之燒杯中，藉由對所生成之沉澱物進行抽吸過濾來進行了濾取。進而使用300mL的甲醇將濾取之沉澱物清洗3次，獲得了75g苯氧基樹脂P-1。
其後，使用TOSOH CORPORATION製造的高效液相層析儀GP8020來測量了苯氧基樹脂P-1的分子量（管柱：Hitachi Chemical Company,Ltd.製造的Gelpak GL-A150S及GLA160S，溶析液：四氫呋喃，流速：1.0ml/分鐘）。其結果，以聚苯乙烯換算計Mn=15769、Mw=38045、Mw/Mn=2.413。
（D：填充劑） D1：AEROSIL R805（三甲氧基辛基矽烷和二氧化矽的水解產物（二氧化矽微粒），Evonik Industries AG製造，使用由有機溶劑稀釋成不揮發成分為10質量%者） D2：經表面處理之二氧化矽粒子（二氧化矽與雙（三甲基矽基）胺的水解產物）
（E：偶合劑） E1：KBM-403（γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.製造）
＜基體的準備＞ 準備了在表面具有複數個凹部之基體（A）（PET薄膜，厚度：55μm）、基體（B）（PET薄膜，厚度：54μm）及基體（C）（PET薄膜，厚度：57μm）。
基體（A）的凹部設為開口面積朝向基體的表面側擴大之圓錐梯形（若從開口部上面觀察，則底部的中心與開口部的中心相同），開口直徑設為4.3μmφ，底部直徑設為4.0μmφ，深度設為4.0μm。又，基體（A）的複數個凹部以6.2μm的間隔（各底部的中心間距離）以三向排列規則地形成為每1mm見方中有29,000個。
基體（B）的凹部設為開口面積朝向基體的表面側擴大之圓錐梯形（若從開口部上面觀察，則底部的中心與開口部的中心相同），開口直徑設為3.3μmφ，底部直徑設為3.0μmφ，深度設為3.0μm。又，複數個凹部以6.2μm的間隔（各底部的中心間距離）以三向排列規則地形成為每1mm見方中有29,000個。
基體（C）的凹部設為開口面積朝向基體的表面側擴大之圓錐梯形（若從開口部上面觀察，則底部的中心與開口部的中心相同），開口直徑設為5.3μmφ，底部直徑設為5.0μmφ，深度設為5.0μm。又，複數個凹部以6.2μm的間隔（各底部的中心間距離）以三向排列規則地形成為每1mm見方中有29,000個。
＜實施例1～實施例8、比較例1～比較例6＞ 藉由以下所示之方法，製作了具備具有表1中所示之組成之接著劑薄膜和配置於該接著劑薄膜中之導電粒子之實施例1～實施例8及比較例1～比較例6的各向異性導電性接著劑薄膜。另外，作為步驟（a），在實施例1～實施例5、比較例1～比較例3及比較例5中實施步驟（a1），在實施例6中實施步驟（a2），在實施例7及比較例4中實施步驟（a3），在實施例8中實施步驟（a4），在比較例6中實施了步驟（a5）。
（步驟（a）：準備步驟） [步驟（a1）：焊料粒子（種類：F1，平均粒徑：4.0μm）的製作及配置] 將Sn-Bi焊料微粒（5N Plus Inc.製造，熔點為138℃，類型8）100g浸漬於蒸餾水中，進行超音波分散之後，進行整平，從而回收了漂浮在上清液中之焊料微粒。重複進行該操作，回收了10g焊料微粒。所獲得之焊料微粒的平均粒徑為1.0μm，粒徑的C.V.值為42%。接著，將所獲得之焊料微粒（平均粒徑：1.0μm，粒徑的C.V.值：42%）配置於基體（A）的形成有凹部之面上。接著，藉由使用微黏結輥刮擦基體（A）的形成有凹部之面來去除多餘的焊料微粒，僅在凹部內配置了焊料微粒。接著，將在凹部配置有焊料微粒之基體投入到氫自由基還原爐（SHINKO SEIKI CO.,LTD.製造，氫電漿回焊裝置）中，抽真空之後，將氫氣導入到爐內，使爐內充滿了氫氣。其後，將爐內調整為120℃，照射了氫自由基5分鐘。其後，藉由抽真空去除爐內的氫氣，加熱至145℃之後，將氮氣導入到爐內而恢復到大氣壓之後將爐內的溫度降低至室溫，藉此形成了焊料粒子。藉此，準備了在步驟（b2）中使用之在凹部配置有導電粒子（焊料粒子）之基體。
另外，藉由相同的操作製造焊料粒子，藉由敲擊基體的凹部的背側而從凹部回收了所獲得之焊料粒子。確認到，在焊料粒子的表面的一部分具有平面部，平面部的直徑B與焊料粒子的直徑A之比（B/A）為0.35。又，確認到，在由兩對平行線製作與焊料粒子的投影像外接之四邊形時，將對置之邊之間的距離作為X及Y（其中，Y＜X）時，Y/X為0.93。又，測量焊料粒子的平均粒徑及粒徑的C.V.值時，平均粒徑為4.0μm，粒徑的C.V.值為7.9%。另外，焊料粒子的平均粒徑、B/A、Y/X為如下值，亦即，將在步驟（b）中製作之粒子轉印層切成10cm×10cm，對配置有焊料粒子之面實施Pt濺射之後，對300個焊料粒子進行SEM觀察而測量出之值。
[步驟（a2）：焊料粒子（種類：F1，平均粒徑：3.0μm）的製作及配置] 使用了基體（B）來代替基體（A），除此以外，以與步驟（a1）相同的方式，形成焊料粒子，準備了在步驟（b2）中使用之、在凹部配置有導電粒子（焊料粒子）之基體。
另外，藉由相同的操作製造焊料粒子，藉由敲擊基體的凹部的背側而從凹部回收了所獲得之焊料粒子。確認到，在焊料粒子的表面的一部分具有平面部，平面部的直徑B與焊料粒子的直徑A之比（B/A）為0.40。又，確認到，在由兩對平行線製作與焊料粒子的投影像外接之四邊形時，將對置之邊之間的距離作為X及Y（其中，Y＜X）時，Y/X為0.93。又，測量焊料粒子的平均粒徑及粒徑的C.V.值時，平均粒徑為3.0μm，粒徑的C.V.值為8.8%。另外，焊料粒子的平均粒徑、B/A、Y/X為如下值，亦即，將在步驟（b）中製作之粒子轉印層切成10cm×10cm，對配置有焊料粒子之面實施Pt濺射之後，對300個焊料粒子進行SEM觀察而測量出之值。
[步驟（a3）：焊料粒子（種類：F1，平均粒徑：5.0μm）的製作及配置] 使用了基體（C）來代替基體（A），除此以外，以與步驟（a1）相同的方式，形成焊料粒子，準備了在步驟（b2）中使用之、在凹部配置有導電粒子（焊料粒子）之基體。
另外，藉由相同的操作製造焊料粒子，藉由敲擊基體的凹部的背側而從凹部回收了所獲得之焊料粒子。確認到，在焊料粒子的表面的一部分具有平面部，平面部的直徑B與焊料粒子的直徑A之比（B/A）為0.44。又，確認到，在由兩對平行線製作與焊料粒子的投影像外接之四邊形時，將對置之邊之間的距離作為X及Y（其中，Y＜X）時，Y/X為0.93。又，測量焊料粒子的平均粒徑及粒徑的C.V.值時，平均粒徑為5.0μm，粒徑的C.V.值為7.6%。另外，焊料粒子的平均粒徑、B/A、Y/X為如下值，亦即，將在步驟（b）中製作之粒子轉印層切成10cm×10cm，對配置有焊料粒子之面實施Pt濺射之後，對300個焊料粒子進行SEM觀察而測量出之值。
[步驟（a4）：焊料粒子（種類：F2，平均粒徑：4.0μm）的製作及配置] 使用了Sn-Ag-Cu焊料微粒（MITSUI MINING & SMELTING CO.,LTD.製造，熔點為219℃，ST-3）來代替Sn-Bi焊料微粒、將照射氫自由基還原爐的氫自由基之前的溫度設為200℃來代替120℃、及將去除爐內的氫氣之後的加熱溫度設為225℃來代替145℃，除此以外，以與步驟（a1）相同的方式，形成焊料粒子，準備了在步驟（b2）中使用之、在凹部配置有導電粒子（焊料粒子）之基體。
另外，藉由相同的操作製造焊料粒子，藉由敲擊基體的凹部的背側而從凹部回收了所獲得之焊料粒子。確認到，在焊料粒子的表面的一部分具有平面部，平面部的直徑B與焊料粒子的直徑A之比（B/A）為0.35。又，確認到，在由兩對平行線製作與焊料粒子的投影像外接之四邊形時，將對置之邊之間的距離作為X及Y（其中，Y＜X）時，Y/X為0.93。又，測量焊料粒子的平均粒徑及粒徑的C.V.值時，平均粒徑為4.0μm，粒徑的C.V.值為7.9%。另外，焊料粒子的平均粒徑、B/A、Y/X為如下值，亦即，將在步驟（b）中製作之粒子轉印層切成10cm×10cm，對配置有焊料粒子之面實施Pt濺射之後，對300個焊料粒子進行SEM觀察而測量出之值。
[步驟（a5）：導電粒子（種類：F3，平均粒徑：3.9μm）的準備及配置] 作為導電粒子，準備在由塑膠（交聯聚苯乙烯）組成的核（粒子）的表面形成厚度為0.15μm的鎳層而成之導電粒子（種類：F3，平均粒徑：3.9μm，粒徑的C.V.值：3.0%，比重：2.7），將其配置於基體（A）的形成有凹部之面上。接著，藉由使用微黏結輥刮擦基體（A）的形成有凹部之面來去除多餘的導電粒子，僅在凹部內配置了導電粒子。導電粒子的平均粒徑及粒徑的C.V.值為如下值，亦即，將在步驟（b）中製作之粒子轉印層切成10cm×10cm，對配置有導電粒子之面實施Pt濺射之後，對300個導電粒子進行SEM觀察而測量出之值。
（步驟（b）：轉印步驟） [步驟（b1）：第1接著劑層的製作] 將在表1中作為X1或X2示出之成分以表1中所示之摻合量（單位：質量份，固體成分量）與有機溶劑（2-丁酮）一起進行混合，獲得了樹脂溶液。接著，將該樹脂溶液塗佈於經矽酮脫模處理之厚度為38μm的PET薄膜上，在60℃下進行3分鐘熱風乾燥，藉此在PET薄膜上製作了表2～4中所示之厚度的第1接著劑層。
[步驟（b2）：導電粒子的轉印] 將在步驟（b1）中製作之形成於PET薄膜上之上述第1接著劑層與在步驟（a）中製作之在凹部配置有導電粒子之基體相對配置，將導電粒子轉印到第1接著劑層。藉此，獲得了粒子轉印層。
（步驟c：積層步驟） [步驟（c1）：第2接著劑層的製作] 將在表1中作為X1或X2示出之成分以表1中所示之摻合量（單位：質量份，固體成分量）與有機溶劑（2-丁酮）一起進行混合，獲得了樹脂溶液。接著，將該樹脂溶液塗佈於經矽酮脫模處理之厚度為50μm的PET薄膜上，在60℃下進行3分鐘熱風乾燥，藉此在PET薄膜上製作了表2～4中所示之厚度的第2接著劑層。
[步驟（c2）：第2接著劑層的積層] 一邊施加50℃的溫度一邊將在步驟（b）中製作之粒子轉印層與在步驟（c1）中製作之第2接著劑層進行了貼合。藉此，獲得了各向異性導電性接著劑薄膜。將各向異性導電性接著劑薄膜的厚度及各向異性導電性接著劑薄膜的厚度與導電粒子的平均粒徑之比r示於表2～4中。
（從接著劑薄膜表面到導電粒子的距離的測量） 使用環氧樹脂系注型樹脂（Refine Tec Ltd.製造，商品名稱：Epomount）注型各向異性導電性接著劑薄膜之後，切出了導電性接著劑薄膜的截面。其後，使用Nikon Solutions Co.,Ltd.製造的金屬FPD/LSI檢查顯微鏡L300ND觀察截面，在10處測量從各向異性導電性接著劑薄膜的第1接著劑層側的表面到導電粒子的表面的最短距離及從各向異性導電性接著劑薄膜的第2接著劑層側的表面到導電粒子的表面的最短距離，將10處的測量值的平均分別作為最短距離d11及最短距離d21。將結果示於表2～4中。
【表1】
接著劑薄膜組成 X1 X2
第1接著劑層 聚合性化合物 A1 25 0
A2 40 65
熱聚合起始劑 B1 10 10
熱塑性樹脂 C1 35 35
填充劑 D1 10 10
D2 40 40
偶合劑 E1 5 5
第2接著劑層 聚合性化合物 A1 25 0
A2 25 50
A3 40 40
熱聚合起始劑 B1 10 10
熱塑性樹脂 C2 10 10
填充劑 D1 5 5
D2 60 60
偶合劑 E1 5 5
【表2】
  實施例 1 實施例 2 實施例 3 實施例 4 實施例 5
接著劑薄膜組成 X1 X1 X1 X1 X1
導電粒子 種類 F1 F1 F1 F1 F1
平均粒徑[μm] 4.0 4.0 4.0 4.0 4.0
第1接著劑層的厚度[μm] 1.1 1.1 2.1 3.1 4.1
第2接著劑層的厚度[μm] 3.1 4.1 3.1 2.1 1.1
接著劑薄膜的厚度[μm] 4.2 5.2 5.2 5.2 5.2
比r 1.05 1.30 1.30 1.30 1.30
最短距離d11[μm] 0.1 0.3 0.5 0.8 1.1
最短距離d21[μm] 0.1 0.9 0.7 0.4 0.1
【表3】
  實施例 6 實施例 7 實施例 8
接著劑薄膜組成 X1 X1 X2
導電粒子 種類 F1 F1 F2
平均粒徑[μm] 3.0 5.0 4.0
第1接著劑層的厚度[μm] 1.1 1.1 1.1
第2接著劑層的厚度[μm] 2.1 6.1 4.1
接著劑薄膜的厚度[μm] 3.2 7.2 5.2
比r 1.07 1.44 1.30
最短距離d11[μm] 0.1 0.4 0.3
最短距離d21[μm] 0.1 0.8 0.9
【表4】
  比較例 1 比較例 2 比較例 3 比較例 4 比較例 5 比較例 6
接著劑薄膜組成 X1 X1 X1 X1 X2 X1
導電粒子 種類 F1 F1 F1 F1 F1 F3
平均粒徑[μm] 4.0 4.0 4.0 5.0 4.0 3.9
第1接著劑層的厚度[μm] 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1 1.1
第2接著劑層的厚度[μm] 2.1 5.1 6.1 7.1 4.1 4.1
接著劑薄膜的厚度[μm] 3.2 6.2 7.2 8.2 5.2 5.2
比r 0.80 1.55 1.80 1.64 1.30 1.33
最短距離d11[μm] - 0.4 0.5 0.6 0.3 0.3
最短距離d21[μm] - 1.8 2.7 2.6 0.9 0.8
＜評價＞ （各向異性導電性接著劑薄膜的固化率的測量） 對於實施例1～實施例8及比較例1～比較例6的各向異性導電性接著劑薄膜，使用PerkinElmer,Inc.製造的示差掃描熱量儀（商品名稱：DSC Q1000）在氮（N 2）氣氛下以10℃/分鐘的升溫速度實施DSC測量，求出從50℃加熱至130℃時的發熱量Q A、從50℃加熱至160℃時的發熱量Q B、從50℃加熱至210℃時的發熱量Q C及從50℃加熱至300℃時的發熱量Q D。在任一各向異性導電性接著劑薄膜中，在300℃以上的溫度下均未觀察到發熱量的增加（DSC曲線的微分曲線（DDSC曲線）的變化率為0.01[W•g℃]以下），因此判斷為在300℃下完全固化（固化率為100%）。依據所獲得之發熱量Q A、Q B、Q C及Q D，分別求出了130℃下的固化率A（Q A/Q D×100）、160℃下的固化率B（Q B/Q D×100）、210℃下的固化率C（Q C/Q D×100）。將結果示於表5及表6中。
（各向異性導電性接著劑薄膜中的導電粒子的單分散率的測量） 使用金屬顯微鏡，以200倍的倍率從第1接著劑層側觀察實施例1～實施例8及比較例1～比較例6的各向異性導電性接著劑薄膜，實際測量各向異性導電性接著劑薄膜中的導電粒子數，並依據下述式求出導電粒子的單分散率。實施例1～實施例8及比較例1～比較例6的各向異性導電性接著劑薄膜中的導電粒子的單分散率為98%。 單分散率（%）=（2500μm 2中的單分散狀態的導電粒子數/2500μm 2中的導電粒子數）×100
（連接電阻及絕緣電阻的評價） [電路構件的準備] 作為第1電路構件，準備了在無鹼玻璃基板（OA-11，Nippon Electric Glass Co.,Ltd.製造，外形：76mm×28mm，厚度：0.3mm）的表面形成有Cr（20nm）/Au（200nm）的電極（電極尺寸為22μm×22μm，電極間空間：8μm）之帶電極之基板（A）。作為第2電路構件，準備了排列有凸塊電極之藍寶石晶片（外形：0.5mm×0.5mm，厚度：0.2mm，凸塊電極的大小：20μm×20μm，凸塊電極間空間：10μm，凸塊電極厚度：1.5μm）。
[連接結構體（A）的製作] 使用實施例1～實施例8及比較例1～比較例6的各各向異性導電性接著劑薄膜來製作了連接結構體（A）。具體而言，首先，將各向異性導電性接著劑薄膜配置於第1電路構件上。接著，使用由包括陶瓷加熱器之載台和工具（8mm×50mm）構成之熱壓接裝置（LD-06，OHASHI ENGINEERING Co.,Ltd.製造），在50℃、0.98MPa（10kgf/cm 2）的條件下加熱及加壓2秒鐘，將各向異性導電性接著劑薄膜貼合於第1電路構件，剝離了各向異性導電性接著劑薄膜的與第1電路構件側相反的一側的脫模薄膜（PET薄膜）。接著，在進行了第1電路構件的凸塊電極與第2電路構件的電路電極的位置對準之後，在加熱至30℃之底座上在溫度為50℃、壓力為1MPa的條件下開始加熱/加壓，在將加壓力保持為大致恆定（1MPa）之狀態下在1℃/秒的條件下升溫至160℃或230℃，藉此將各向異性導電性接著劑薄膜貼合於第2電路構件而製作了連接結構體（A）。另外，溫度表示各向異性導電性接著劑薄膜的實測最高達到溫度，壓力表示對第2電路構件的晶片面積計算出之值。在實施例1～實施例7及比較例1～比較例6中將升溫達到溫度設為160℃，在實施例8中將升溫達到溫度設為230℃。
[連接電阻的評價] 藉由四端點測量法來實施，在剛製作連接結構體（A）之後及在溫度85℃濕度85%RH的高溫高濕槽中進行250小時處理之後，使用在4處測量之連接電阻值的平均值來對連接電阻進行了評價。作為電流產生裝置使用ADC CORPORATION製造的6240B（商品名稱），數位萬用表使用了ADC CORPORATION製造的7461A（商品名稱）。將連接電阻小於0.2Ω的情形作為“S”判定，將連接電阻為0.2Ω以上且小於0.5Ω的情形作為“A”判定，將連接電阻為0.5Ω以上的情形作為“D”判定。將結果示於表5及表6中。
[絕緣電阻的評價] 在剛製作連接結構體（A）之後及在溫度85℃濕度85%RH的高溫高濕槽中進行250小時處理之後，使用在4處測量之絕緣電阻值的最小值來對絕緣電阻進行了評價。絕緣電阻計使用了HIOKI E.E.CORPORATION製造的SM7120（商品名稱）。將絕緣電阻值為1.0×10 10Ω以上的情形評價為“S”判定，將絕緣電阻值為1.0×10 9Ω以上且小於1.0×10 10Ω的情形評價為“A”判定，將絕緣電阻值小於1.0×10 9Ω的情形評價為“D”判定。將結果示於表5及表6中。
（粒子捕獲率的評價） [連接結構體（B）的製作] 使用實施例1～實施例8及比較例1～比較例6的各各向異性導電性接著劑薄膜來製作了連接結構體（B）。關於連接結構體（B）的製作，作為第1電路構件，準備在無鹼玻璃基板（OA-11，Nippon Electric Glass Co.,Ltd.製造，外形：76mm×28mm，厚度：0.3mm）的表面形成有ITO（220nm）的電極（電極尺寸為22μm×22μm，電極間空間：8μm）之帶電極之基板（B），使用了帶電極之基板（B）來代替帶電極之基板（A），除此以外，以與連接結構體（A）的製作相同的方式來進行。
[粒子捕獲率的評價] 使用Nikon Solutions Co.,Ltd.製造的金屬FPD/LSI檢查顯微鏡L300ND從帶電極之基板（B）側觀察連接結構體（B）的連接部位，在25個連接部位，測量捕獲到之導電粒子數（在ITO電極與凸塊電極之間（凸塊電極上）捕獲到之導電粒子數），求出每1個凸塊電極（電極面積：20μm×20μm=400μm）捕獲到之導電粒子數的平均值（平均捕獲粒子數）。使用所獲得之平均捕獲粒子數和各向異性導電性接著劑薄膜中的導電粒子的密度（29000個/mm 2），並依據下述式來計算出在電極之間捕獲到之導電粒子的捕獲率。將導電粒子的捕獲率為70%以上的情形評價為“S”判定，將導電粒子的捕獲率為60%以上且小於70%的情形評價為“A”判定，將導電粒子的捕獲率為50%以上且小於60%的情形評價為“B”判定，將導電粒子的捕獲率小於50%的情形評價為“D”判定。將結果示於表5及表6中。 導電粒子的捕獲率（%）=（平均捕獲粒子數/（凸塊電極面積×各向異性導電性接著劑薄膜中的導電粒子的密度））×100
【表5】
  實施例1 實施例2 實施例3 實施例4 實施例5 實施例6 實施例7 實施例8
焊料熔點（℃） 138 138 138 138 138 138 138 219
固化率A（130℃）[%] 81 81 81 81 81 81 81 54
固化率B（160℃）[%] 90 90 90 90 90 90 90 77
固化率C（210℃）[%] ＞99 ＞99 ＞99 ＞99 ＞99 ＞99 ＞99 ＞99
連接電阻 初期測量值[Ω] 0.14 0.18 0.18 0.19 0.16 0.25 0.21 0.15
判定 S S S S S A A S
高溫高濕試驗之後[Ω] 0.14 0.24 0.22 0.24 0.22 0.27 0.27 0.21
判定 S A A A A A A A
絕緣電阻 初期的判定 S A A A A S S A
高溫高濕試驗之後的判定 A A A A A A A A
粒子捕獲率 計算值（[%]） 69 51 52 51 50 72 62 50
判定 A B B B B S A B
【表6】
  比較例1 比較例2 比較例3 比較例4 比較例5 比較例6
焊料熔點（℃） 138 138 138 138 138 -
固化率A（130℃）[%] 81 81 81 81 54 81
固化率B（160℃）[%] 90 90 90 90 77 90
固化率C（210℃）[%] ＞99 ＞99 ＞99 ＞99 ＞99 ＞99
連接電阻 初期測量值[Ω] 0.16 0.13 0.25 0.27 0.26 ＞10
判定 S S A A A D
高溫高濕試驗之後[Ω] 0.16 0.17 0.30 0.33 0.32 ＞10
判定 S S A A A D
絕緣電阻 初期的判定 D D D D D D
高溫高濕試驗之後的判定 D D D D D D
粒子捕獲率 計算值（[%]） 74 29 29 30 51 71
判定 S D D D B S
1:接著劑薄膜 2:焊料粒子 3:第1接著劑層 4:第2接著劑層 6:基體 7:凹部 10:電路連接用接著劑薄膜 21:第1電路基板 22:第1電極（電路電極） 23:第1電路構件 24:第2電路基板 25:第2電極（凸塊電極） 26:第2電路構件 27:連接部 30:焊料層 100:連接結構體
圖1係表示電路連接用接著劑薄膜的一實施形態之示意剖面圖。 圖2係表示圖1的電路連接用接著劑薄膜中的導電粒子的配置例之示意俯視圖。 圖3係表示圖1的電路連接用接著劑薄膜中的導電粒子的配置例之示意俯視圖。 圖4係用於製造圖1的電路連接用接著劑薄膜之基體的示意剖面圖。 圖5係表示圖4的基體的凹部的截面形狀的變形例之圖。 圖6係表示在圖4的基體的凹部配置有焊料粒子之狀態之圖。 圖7係表示圖1的電路連接用接著劑薄膜之製造方法的一個步驟之示意剖面圖。 圖8係表示圖1的電路連接用接著劑薄膜之製造方法的一個步驟之示意剖面圖。 圖9係表示連接結構體的一實施形態之示意剖面圖。 圖10係表示連接結構體之製造方法的一實施形態之示意剖面圖。
1:接著劑薄膜
2:焊料粒子
3:第1接著劑層
3a:第1接著劑層3的與第2接著劑層4側相反的一側的面
4:第2接著劑層
4a:第2接著劑層4的與第1接著劑層3側相反的一側的面4a
10:電路連接用接著劑薄膜
10a:中央區域
10b:表面側區域
10c:表面側區域
d1:第1接著劑層3的厚度
d2:第2接著劑層4的厚度d2
d11:最短距離
d21:最短距離
S:邊界

Claims (10)

  1. 一種電路連接用接著劑薄膜，其為熱固化性的電路連接用接著劑薄膜，其含有平均粒徑為1～30μm並且粒徑的C.V.值為20%以下的焊料粒子， 前述電路連接用接著劑薄膜的厚度與前述焊料粒子的平均粒徑之比超過1.0且小於1.5， 若將前述焊料粒子的熔點設為T m℃，則在氮氣氛下以10℃/分鐘的升溫速度進行加熱時的T m℃下的固化率為80%以上。
  2. 如請求項1所述之電路連接用接著劑薄膜，其含有聚合性化合物和熱聚合起始劑。
  3. 如請求項2所述之電路連接用接著劑薄膜，其中 前述聚合性化合物為陽離子聚合性化合物，前述熱聚合起始劑為熱陽離子聚合起始劑。
  4. 如請求項3所述之電路連接用接著劑薄膜，其中 前述聚合性化合物包含選自由脂環式環氧化合物及氧雜環丁烷化合物組成的組中之至少一種。
  5. 如請求項1至請求項4之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜，其中 前述焊料粒子的熔點為280℃以下。
  6. 如請求項1至請求項5之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜，其用於將具有第1電極之第1電路構件與具有第2電極之第2電路構件接著，並且將前述第1電極與前述第2電極相互電連接， 前述第1電極的高度和前述第2電極的高度的合計比前述焊料粒子的平均粒徑小。
  7. 一種連接結構體，其具備：第1電路構件，具有第1電極；第2電路構件，具有與前述第1電極電連接之第2電極；及連接部，將前述第1電極與前述第2電極經由焊料層相互電連接並且將前述第1電路構件與前述第2電路構件接著， 前述連接部包含請求項1至請求項6之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜的固化物。
  8. 如請求項7所述之連接結構體，其中 前述第1電極的高度和前述第2電極的高度的合計比前述焊料粒子的平均粒徑小。
  9. 一種連接結構體之製造方法，其包括如下步驟： 在具有第1電極之第1電路構件的設置有前述第1電極之面與具有第2電極之第2電路構件的設置有前述第2電極之面之間配置請求項1至請求項6之任一項所述之電路連接用接著劑薄膜；及 將包含前述第1電路構件、前述電路連接用接著劑薄膜及前述第2電路構件之積層體在前述積層體的厚度方向上按壓之狀態下進行加熱，藉此將前述第1電極與前述第2電極經由焊料層相互電連接並且將前述第1電路構件與前述第2電路構件接著。
  10. 如請求項9所述之連接結構體之製造方法，其中 前述第1電極的高度和前述第2電極的高度的合計比前述焊料粒子的平均粒徑小。
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