TW202216816A - 介電膜形成用組成物 - Google Patents

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Abstract

本揭示有關於一種介電膜形成用組成物，其包括至少一種環化聚二烯樹脂，及至少一種反應性官能化合物及至少一種催化劑中之一或二者。

Description

介電膜形成用組成物
相關申請案之交叉引用
本申請案主張提申日期為2020年7月2日之美國臨時申請序列號63/047,560之優先權，其完整內容在此併入本案以為參考。
本發明係有關於介電膜形成用組成物。
發明背景
具有平衡的電氣性質(如，介電常數Dk小於2.8及耗散因子Df小於0.007)、低熱膨脹係數(如，小於100 ppm)、低吸濕性及對銅有良好附著力之介電材料，是優異的天線性能及提供傑出的訊號傳輸以確保5G通訊設備之高速、低延遲所必備的。目前正在開發各種用於新興5G網路與具此性質之高功率設備的工程塑料。然而，基於平衡的電氣、機械和熱性質來設計介電材料是一項重大挑戰。
已有各種各樣的材料，如有及無填料情況下之聚四氟乙烯(PTFE)、環氧樹脂、聚環烯烴及氰酸酯樹脂，被提出用於需要良好絕緣性質之應用。雖然PTFE或填充PTFE是很好的介電材料種類，但不良的機械性質及使用常規塗膜技術時在大部分基材上缺少成膜能力，使得其等無法在製造環境下實行。
填充或未填充環氧樹脂廣泛用於PCB產業。然而，由於該材料中存在大量的極性基團導致的不良電氣特性及低玻璃轉移溫度(Tg)，限制了環氧樹脂於高速通訊中之使用。
氰酸酯樹脂在高溫下固化時會產生聚三嗪，為熱固性材料。其等具有良好的耐熱性、硬度、電氣性質、尺寸安定性、耐腐蝕性及化學抗性。氰酸酯樹脂可用作黏著劑及用作基材的塗層。但此等材料不是很適合用於良好機械性質對材料性能至關重要的介電膜。已有將氰酸酯樹脂與熱塑性及彈性體摻合以形成摻合樹脂。不利地，發現此等摻合物會產生半互穿網路，而不是均勻的樹脂。此半互穿網路常導致氰酸酯與修飾域間的相分離。再者，各種彈性體修飾的氰酸酯表現出低Tg及高膠黏性，因此被認為是不合適的。
環化聚二烯樹脂如環化聚異戊二烯具有合意的電氣性質。然而，環化聚異戊二烯具有低Tg及不良的機械性質，此防礙其等用作封裝應用中的介電材料。
因此，具備適當電氣、熱及機械性質平衡之材料的設計仍然是一項挑戰。
發明概要
本揭示是基於意外地發現某些含有環化聚二烯(如，環化聚異戊二烯)與反應性官能化合物，或環化聚二烯與氰酸酯，或環化聚二烯與氰酸酯和反應性官能化合物二者之介電膜，能克服上述問題。與不含氰酸酯或反應性官能化合物之環化聚二烯相比，本揭示中所述之所產生的“混成”介電膜具有較高的Tg及較低的CTE。
在一個態樣中，本揭示之特徵在於一種介電膜形成用組成物，其包括： a)至少一種環化聚二烯樹脂，其具有取代或未取代的烯基； b)至少一種反應性官能化合物，其具有至少二個能夠與該環化聚二烯樹脂上之取代或未取代的烯基反應之官能基；及 c)至少一種催化劑，其能夠誘發該環化聚二烯樹脂與該反應性官能化合物之反應。
在另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種介電膜形成用組成物，其包括： a)至少一種環化聚二烯樹脂；及 b)至少一種氰酸酯化合物，其含有至少二個氰酸酯基團(即，在一個分子中)。
在又另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種介電膜形成用組成物，其包括： a)至少一種環化聚二烯樹脂，其具有取代或未取代的烯基； b)至少一種反應性官能化合物，其具有至少二個能夠與該環化聚二烯樹脂上之取代或未取代的烯基反應之官能基； c)至少一種氰酸酯化合物，其含有至少二個氰酸酯基團(即，在一個分子中)； d)至少一種催化劑，其能夠誘發該環化聚二烯樹脂與該反應性官能化合物之反應；及 e)任擇地，至少一種溶劑。
在又另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種製備介電膜之方法。該方法可包括 a)將本文所述的介電膜形成用組成物塗佈在一基材上以形成一膜； b)任擇地在從約50℃至約150℃之溫度下烘烤該膜約20秒至約240秒；及 c)在無遮罩(如，圖案化遮罩)之情況下，將該膜曝露於輻射、熱或其等之組合下。
在又另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種乾膜之方法。該方法可包括 a)用本文所述的介電膜形成用組成物塗佈一載體基材； b)乾燥該塗佈的介電膜形成用組成物，以形成一乾膜；及 c)任擇地，於該乾膜上施塗一保護層。
在又另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種沈積導電金屬層之方法。該方法可包括 a)將本文所述的介電膜形成用組成物沈積在一基材上，以形成一介電膜； b)將該介電膜曝露於輻射或熱或輻射與熱之組合中； c)圖案化該介電膜，以形成具有開口之一圖案化介電膜； d)任擇地在該圖案化介電膜上沈積一晶種層； e)在該圖案化介電膜之至少一個開口中沈積一導電金屬層；及 f)任擇地重複步驟a)至e)至少一次。
在又另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種在基材上形成介電膜之方法。該方法可包括 a)提供一基材，其含有形成該基材上之線路及互連網路之導電金屬線結構； b)在該基材上沈積本文所述的介電膜形成用組成物，以形成一介電膜； c)將該介電膜曝露於輻射或熱或輻射與熱之組合中；及 d)任擇地，重複步驟a)至c)至少一次。
在又另一個態樣中，本揭示之特徵在於一種三維物件，其包括至少一個導電金屬層及使用本揭示之介電膜形成用組成所形成的一交聯介電膜。
本揭示之詳細說明
在一些實施例中，本揭示有關於一種介電膜形成用組成物(如，光敏性介電膜形成用組成物)，其包括： a)至少一種(如，二、三或四種)環化聚二烯樹脂，其具有取代或未取代的烯基； b)至少一種(如，二、三或四種)反應性官能化合物，其具有至少二個能夠與該環化聚二烯樹脂上的取代或未取代的烯基或烯烴基團反應之官能基；及 c)至少一種(如，二、三或四種)催化劑，其能誘發該環化聚二烯樹脂與該反應性官能化合物之反應。
在一些實施例中，該取代或未取代的環化聚二烯可包括共軛二烯如異戊二烯、丁二烯、戊二烯等之均聚物。在其它實施例中，該環化聚二烯包括此共軛二烯與烯烴(如，乙烯或丙烯)、苯乙烯或丙烯酸酯之共聚物。聚二烯之環化會在熱、光、紫外線或核輻射之影響下，或在陽離子供體催化劑(如，礦酸、有機酸或路易士酸)之存在下發生。例如，二個鄰近的聚合物結構單元可參與順式烯烴催化的環化反應，其可經由除去一個雙鍵而生成單環結構。當環化反應持續進行時，可在後續階段中生成二-或三-環結構。漸漸地，因順式雙鍵的連續環化，聚二烯之不飽和度及彈性降低，及該聚二烯之韌性增加。在一些實施例中，該環化在聚異成二烯中可能比在聚丁二烯中更高效。藉由控制溫度、催化劑濃度及/或反應時間，可達到約50%至約95%之環化程度。此環化方法之例子在如美國專利案第4,678,841號及第4,248,986號及歐洲專利案第0063043號中已有描述，其等之內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該環化聚二烯樹脂於二甲苯中(含26%固體)之黏度，可從至少約400 cSt (如，至少約450 cSt、至少約500 cSt、至少約550 cSt或至少約600 cSt)至最多約900 cSt (如，最多約850 cSt、最多約800 cSt、最多約750 cSt或最多約700 cSt)。
取決於特定的產品應用、使用的溶劑及施塗於底層基材之方法，該環化聚二烯樹脂可具有任何合適的重量平均分子量(Mw)。例如，該環化聚二烯樹脂可具有至少約5,000道爾頓(如，至少約25,000道爾頓、至少約50,000道爾頓、至少約75,000道爾頓、至少約100,000道爾頓、至少約125,000道爾頓或至少約150,000道爾頓)及/或最多約500,000道爾頓(如，最多約400,000道爾頓、最多約300,000道爾頓或最多約200,000道爾頓)之重量平均分子量。
在一些實施例中，本文所述的介電膜形成用組成物可包括環化聚二烯樹脂之混合物。該混合物可包括： a)至少一個重量平均分子量從約5,000道爾頓至約20,000道爾頓之環化聚二烯樹脂； b)至少一個重量平均分子量從約25,000道爾頓至約60,000道爾頓之環化聚二烯樹脂；及 c)至少一個重量平均分子量從約70,000道爾頓至約200,000道爾頓之環化聚二烯樹脂。
不欲受理論之約束，但一般認為包含具有不同分子量的環化聚二烯樹脂之混合物之介電膜形成用組成物，可產生具優越塗料品質及膜性質的介電膜。
在一些實施例中，未環化聚異戊二烯之雙鍵含量為每1克聚異戊二烯中有14.7毫莫耳的不飽和度，即異戊二烯單元之分子量的倒數(即，68 g/mol)。通常，環化聚異戊二烯中雙鍵含量會隨著環化程度增加而減少。在一些實施例中，環化反應後，環化聚二烯樹脂(如，二甲苯)中雙鍵或不飽和度的數量範圍，可從每1克聚異戊二烯中有至少約1毫莫耳(如，至少約2毫莫耳、至少約3毫莫耳、至少約4毫莫耳或至少約5毫莫耳)至最多約12毫莫耳(如，最多約11毫莫耳、最多約10毫莫耳、最多約9毫莫耳或最多約8毫莫耳)。
通常，環化聚二烯樹脂中二環及三環結構的增加，會提高該聚二烯樹脂的玻璃轉移溫度(Tg)。在一些實施例中，本文所揭示的環化聚二烯樹脂之Tg可為至少0℃ (如，至少約5℃、至少約10℃、至少約15℃、至少約20℃或至少約25℃)及/或最多約100℃(如，最多約90℃、最多約80℃、最多約70℃、最多約60℃或最多約50℃)。在一些實施例中，在本文所述的介電膜形成用組成物中，可使用二或多種具有不同特性的環化聚二烯樹脂(如，不同的飽和度或Tg)。
在一些實施例中，本文所述的環化聚二烯樹脂可包括一或多種取代或未取代的烯基。如本文所用，取代的基團(如，取代的烷基、烯基、伸烷基、環烷基、環伸烷基、芳基、芳烷基或雜芳基)或取代的化合物上之可能的取代基包括C 1-C 10烷基(如，甲基、乙基或丙基)、鹵素(F、Cl、Br或I)、氰基及苯基。
在一些實施例中，本文所述的環化聚二烯樹脂之數量可為該介電膜形成用組成物之總重量的至少約2重量% (如，至少約3重量%、至少約4重量%、至少約5重量%、至少約8重量%或至少約10重量%)至最多約40重量% (如，最多約35重量%、最多約30重量%、最多約25重量%、最多約20重量%或最多約15重量%)。不欲受理論之約束，但一般認為從環化聚二烯樹脂製得的介電膜可具有合意的電氣性質(如，低介電損耗正切或耗散因子)。
在一些實施例中，本文所述的反應性官能化合物可包括至少二個(如，三或四個)能夠與該環化聚二烯樹脂上之取代或未取代的烯基反應之官能基，以形成交聯的介電膜。反應性官能化合物之例子是含有至少二個(甲基)丙烯酸酯基團、至少二個烯烴基團、至少二個環烯烴基團或至少二個炔基基團之化合物。本文中使用的術語“(甲基)丙烯酸酯”包括丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯二者。含有至少二個環烯烴基團之化合物的例子包括，但不限於，二環戊二烯、降莰二烯等等。含有二個烯烴基團之化合物的例子包括二乙烯苯、乙烯降莰烯等等。在一些實施例中，含有至少二個(甲基)丙烯酸酯基團之化合物包括未取代或取代的直鏈、支鏈或環狀C 1-C 10烷基之二(甲基)丙烯酸酯，及未取代或取代的芳族基團之二(甲基)丙烯酸酯。此化合物之例子包括，但不限於，1,3-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、環己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三環癸二甲醇二丙烯酸酯、1,4-伸苯基二(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙[4-(2-羥基-3-甲基丙烯醯氧基)苯基]丙烷、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯及三羥甲基丙烷乙氧基化三(甲基)丙烯酸酯。反應性官能化合物之其它例子在如美國專利案第10,036,952號；第10,563,014號及美國申請公開案第2015219990號中已有說明，其等之內容在此併入本案以為參考。在一些實施例中，二或多種反應性官能化合物可一起用於本文所述的介電膜形成用組成物中。
在一些實施例中，該至少一種反應性官能化合物之數量可為本文所述的介電膜形成用組成物之總重量的至少約1重量% (如，至少約2重量%、至少約3重量%、至少約4重量%或至少約5重量%)至最多約25重量% (如，最多約20重量%、最多約15重量%、最多約10重量%或最多約8重量%)。不欲受理論之約束，但一般認為該反應性官能化合物可導致介電膜中之交聯(如，曝露於輻射或熱時)，其有助於在曝露前後形成溶解度對比。此外，不欲受理論之約束，但一般認為含有相對大量的反應性官能化合物之介電膜形成用組成物，可產生具相對高Tg的介電膜。
在一些實施例中，此揭示有關於一種介電膜形成用組成物，其包括： a) 至少一種(如，二、三或四種)環化聚二烯樹脂；及 b) 至少一種(如，二、三或四種)具有至少二個氰酸酯基團(即，在一個分子中)之氰酸酯化合物。
在一些實施例中，該氰酸酯化合物可具有結構(I)： A-(O-C≣N) m(I)， 其中m是至少2 (即，m ≥ 2)之整數及A是含取代或未取代的芳族基團之二價有機基團(如，該氰酸酯基團-O-C≣N直接鍵結至該取代或未取代的芳族有機基團)。在一些實施例中，該芳族基團可包括芳基及雜芳基。本文所述的術語“芳基”意指具有一或多個芳族環之烴部分。芳基部分之例子包括苯基(Ph)、伸苯基、萘基、伸萘基、芘基、蒽基及菲基。本文所述的術語“雜芳基”意指具有一或多個含至少一個雜原子(如，N、O或S)之芳族環之部分。雜芳基部分之例子包括呋喃基、伸呋喃基、茀基、吡咯基、噻吩基、㗁唑基、咪唑基、噻唑基、吡啶基、嘧啶基、喹唑啉基、喹啉基、異喹啉基及吲哚基。
在一些實施例中，具結構(I)之氰酸酯化合物可為具結構(II)之化合物：
Figure 02_image001
(II)， 其中R是氫原子、C 1-C 3烷基、完全或部分鹵素(F、Cl、Br或I)取代的C 1-C 3烷基(如，被1、2或3個鹵素取代)或鹵素原子；及X是單鍵、-O-、-S-、-(C=O)-、-(C=O)-O-、-O-(C=O)-、-(S=O)-、-(SO 2)-、-CH 2CH 2-O-、取代或未取代的C 1-C 10伸烷基、氟取代的(如，部分或完全) C 1-C 4伸烷基(如，被1、2或3個氟基取代)、取代或未取代的C 3-C 10環伸烷基或下列基團之一：
Figure 02_image003
。
在一些實施例中，該氰酸酯化合物可具有結構(III)：
Figure 02_image005
(III) 其中n 1是至少2之整數(即，n 1≥ 2 )，n 2及n 3獨立地為0或從1至100之整數，R 1是C 1-C 10烷基或C 1-C 20芳烷基(如，酸敏性/分解性之取代的烷基或芳烷基)，R 2是取代或未取代的C 1-C 10烷基、取代或未取代的C 3-C 10環烷基、取代或未取代的芳基或–(C=O)-OR 4基團，在此R 4是非酸敏性之取代的烷基或芳烷基；R 3是取代或未取代的C 1-C 10烷基或氟基(如，部分或完全)取代的C 1-C 4烷基。
合適的氰酸酯化合物之具體例子包括2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、六氟雙酚A二氰酸酯、雙(4-氰酸酯-3,5-二甲基苯基)甲烷、1,3-雙(4-氰酸酯苯基-1-(甲基亞乙基))苯、雙(4-氰酸酯苯基)硫醚及雙(4-氰酸酯苯基)醚；從苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆或含二環戊二烯結構之苯酚樹脂衍生的多官能氰酸酯等等。氰酸酯化合物之其它例子於如美國專利案第3,595,900號、第4,894,414號及第4,785,034號中已有說明，其等之內容在此併入本案以為參考。在一些實施例中，二或多種氰酸酯化合物可一起用於本文所述的介電膜形成用組成物。
通常，該氰酸酯化合物之重量平均分子量沒有特別限制。在一些實施例中，該氰酸酯化合物可具有範圍從至少約500道爾頓(如，至少約600道爾頓或至少約1,000道爾頓)至最多約4,500道爾頓(如，最多約4,000道爾頓或最多約3,000道爾頓)之重量平均分子量。
在一些實施例中，本文所述的氰酸酯化合物之數量可為本文所述的介電膜形成用組成物之總重量的至少約1重量% (如，至少約2重量%、至少約3重量%、至少約4重量%或至少約5重量%)至最多約25重量% (如，最多約20重量%、最多約15重量%、最多約10重量%或最多約8重量%)。
不欲受理論之約束，但一般認為在本文所述的介電膜形成用組成物中包括一或多種氰酸酯化合物，可(如，在加熱時，像是在顯影後烘焙步驟中)聚合，與該環化聚二烯樹脂形成互穿聚合物網路，從而產生具有提高機械及熱性質(如，較高的Tg及較低CTE)之介電膜，其併入微電子裝置時可產生優越的可靠性。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物可包括至少一種(如，二、三或四種)催化劑(如，引發劑)。當曝露於熱(熱引發劑)及/或輻射來源(光引發劑)時，該催化劑能夠誘發交聯或聚合反應。熱引發劑之具體例子包括，但不限於，過氧化苯甲醯、過氧化二異丙苯、2,2-偶氮雙(2-甲基丁腈)等等。熱引發劑之其它例子已在美國專利案第10,563,014號中有所描述，其內容在此併入本案以為參考。光引發劑之具體例子包括，但不限於，2-(苯甲醯氧基亞胺基)-1-[4-(苯硫基)苯基]-1-辛酮(BASF之Irgacure OXE-01)、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙醯肟) (BASF之Irgacure OXE-2)、乙氧基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)苯基氧化膦(BASF之Lucerin TPO-L)、NCI-831 (ADEKA Corp.)、NCI-930 (ADEKA Corp.)、N-1919 (ADEKA Corp.)等等。光引發劑之其它例子已在美國專利案第10,036,952號及第10,563,014號及美國專利申請案第2015/0219990號及第2019/0018321號中有所描述，其等之內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該催化劑之數量為該介電膜形成用組成物之總重量的至少約0.2重量% (如，至少約0.5重量%、至少約0.8重量%、至少約1.0重量%或至少約1.5重量%)及/或最多約3.0重量% (如，最多約2.8重量%、最多約2.6重量%、最多約2.4重量%或最多約2.0重量%)。不欲受理論之約束，但一般認為該催化劑能夠誘發該環化聚二烯樹脂上的烯基與該反應性官能化合物上的官能基反應，以形成交聯的介電膜。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物可包括至少一種(如，二、三或四種)溶劑(如，有機溶劑)。
有機溶劑之例子包括，但不限於，碳酸伸烷酯類，如碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、碳酸伸丁酯及碳酸甘油酯；內酯類，如γ-丁內酯、ε-己內酯、γ-己內酯及δ-戊內酯；環酮類，如環戊酮及環己酮；直鏈酮類，如甲乙酮(MEK)及甲基異丁酮(MIBK)；酯類，如醋酸正丁酯；酯醇類，如乳酸乙酯；醚醇類，如四氫糠醇；二醇酯類，如丙二醇甲醚醋酸酯；二醇醚類，如丙二醇甲醚(PGME)；環醚類，如四氫呋喃(THF)；芳族烴類，如甲苯、二甲苯、對稱三甲苯、四氫萘；及吡咯啶酮類，N-甲基-2-吡咯啶酮。較佳的溶劑是環己酮、二甲苯、甲苯及四氫萘及其等之混合物。
在一些實施例中，該溶劑之數量為該介電膜形成用組成物之總重量的至少約40重量% (如，至少約45重量%、至少約50重量%、至少約55重量%、至少約60重量%或至少約65重量%)及/或最多約98重量% (如，最多約95重量%、最多約90重量%、最多約85重量%、最多約80重量%或最多約75重量%)。
在一些實施例中，在該介電膜形成用組成物中可使用光敏劑，其中該光敏劑可吸收193至405nm波長範圍的光。光敏劑之例子包括，但不限於，9-甲蒽、蒽甲醇、苊、氧硫𠮿
Figure 02_image007
、甲基-2-萘基酮、4-乙醯聯苯及1,2-苯并茀。
在一些實施例中，本文所述的介電膜形成用組成物可包括至少一種填料。此等填料通常可為無機或有機性質。在一些實施例中，該填料係選自於由下列所構成之群組：二氧化矽、氧化鋁、二氧化鈦、氧化鋯、氧化鉿、CdSe、CdS、CdTe、CuO、氧化鋅、氧化鑭、氧化鈮、氧化鎢、碳黑、石墨烯、碳納米管(CNT)等等。較佳地，該無機填料是平均尺寸從約0.1微米至2.0微米之顆粒形式。在一些實施例中，該填料是含鐵磁材料之無機粒子。合適的鐵磁材料包括元素金屬(如，鐵、鎳及鈷)或其等之氧化物、硫化物及羥基氧化物，及介金屬化合物，如Awaruite (Ni 3Fe)、Wairaruite (CoFe)、Co 17Sm 2及Nd 2Fe 14B。在另一實施例中，該有機填料係選自於由下列所構成之群組：橡膠粒子、聚醯亞胺粒子、聚酯粒子等等。在一些實施例中，該介電膜形成用組成物可包括選自於由下列所構成之群組之導熱填料：Cu粒子、鑽石粒子、金粒子等等。在一些實施例中，二或多種填料可一起用於本文所述的介電膜形成用組成物中。
在一些實施例中，該填料(如，有機填料)之數量可為該介電膜形成用組成物之總重量的至少約1重量% (如，至少約2重量%、至少約3重量%、至少約4重量%或至少5重量%)及/或最多約50重量% (如，最多約40重量%、最多約30重量%、最多約20重量%或最多約10重量%)。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物可任擇地進一步包括一或多種(如，二、三或四種)助黏劑(如，含烷氧基的矽烷)。合適的助黏劑在“Silane Coupling Agent” Edwin P. Plueddemann, 1982 Plenum Press, New York；及美國專利案第9,519,216號中已有敘述，其等之內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該任擇的助黏劑之數量可為本揭示之介電膜形成用組成物之總重量的至少約0.5重量% (如，至少約0.8重量%、至少約1重量%或至少約1.5重量%)及/或最多約4重量% (如，最多約3.5重量%、最多約3重量%、最多約2.5重量%或最多約2重量%)。
本揭示之介電膜形成用組成物可任擇地包括一或多種(如，二、三或四種)界面活性劑(如，離子性或非離子性界面活性劑)。合適的界面活性劑之例子包括，但不限於，如美國專利案第9,519,216號及第10,036,952號中所述的界面活性劑；其等之內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該任擇的界面活性劑之數量可為該介電膜形成用組成物之總重量的至少約0.005重量% (如，至少約0.01重量%或至少約0.1重量%)及/或最多約1重量% (如，最多約0.5重量%或最多約0.2重量%)。
本揭示之介電膜形成用組成物可任擇地包含一或多種(如，二、三或四種)銅鈍化劑。合適的銅鈍化劑之例子包括三唑化合物、咪唑化合物及四唑化合物。三唑化合物可包括三唑、苯并三唑、取代的三唑及取代的苯并三唑。此銅鈍化三唑類及四唑類之例子在如美國專利申請案第2019/016999號及第2020/173013號已有說明，其等之內容在此併入本案以為參考。
若有使用，該任擇的銅鈍化劑之數量為本揭示之介電膜形成用組成物之總重量的至少約0.05重量% (如，至少約0.1重量%、至少約0.2重量%或至少約0.5重量%)及/或最多約3.0重量% (如，最多約2.0重量%或最多約1.0重量%)。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物可任擇地包含一或多種(如，二、三或四種)染料及/或一或多種著色劑。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物可任擇地包含一或多種(如，二、三或四種)低介電損耗樹脂。合適的低介電損耗樹脂之例子包括，但不限於，聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚四氟乙烯、聚環烯烴、官能化聚環烯烴等等。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物可任擇地包括一或多種(如，二、三或四種)氰酸酯固化催化劑，用以降低該介電膜之固化溫度。該氰酸酯固化催化劑可選自於由下列所構成之群組：金屬羧酸鹽、金屬乙醯丙酮酸鹽、酚類衍生物或醇。該金屬羧酸鹽及金屬乙醯丙酮酸鹽中之金屬可選自於由下列所構成之群組：鋅、銅、錳、鈷、鐵、鎳、鋁、鈦、鋯及其等之混合物。氰酸酯固化催化劑之例子包括辛酸鋅、環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸銅、環烷酸銅、辛酸錳和乙酼丙酮鐵；酚類化合物，如辛酚及壬酚；醇類，如1-丁醇及2-乙己醇；咪唑衍生物，如2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑、苯并三唑衍生物，如2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并三唑、2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-甲基-6-(2-丙烯基)酚、2-叔-丁基-6-(5-氯基-2H-苯并三唑-2-基)-4-甲酚及2-[3-2H-苯并三唑-2-基)-4-羥苯基]乙基甲基丙烯酸酯。合適的氰酸酯固化催化劑之其它例子在如美國專利申請案第2018/0105488號及美國專利案第9,822,226號中已有描述，其等之內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，由該介電膜形成用組成物形成的膜於交聯前可具有至少約25℃ (如，至少約30℃、至少約40℃或至少約50℃)及/或最多約100℃ (如，最多約90℃、最多約80℃或最多約70℃)之玻璃轉移溫度(Tg)。
在一些實施例中，可藉由下列製得一介電膜： a)將目前揭示的介電膜形成用組成物塗佈在一基材上(如，半導體基材)，以形成一膜(如，介電膜)； b)任擇地在提高的溫度(如，從約50℃至約150℃)下烘烤該膜一段時間(如，從約20秒至約240秒)；及 c)將該膜曝露於(如，整片曝露，沒有使用遮罩，像是圖案化遮罩)輻射、熱或輻射與熱二者之組合中。在一些實施例中，由以上方法製得的介電膜(其使用廣泛曝露，沒有使用遮罩)可為交聯的，但不包括圖案或凸紋影像。
在一些實施例中，由本文所述的介電膜形成用組成物(如，含氰酸酯)形成的交聯介電膜可具有相對高的Tg。例如，本文所述的交聯介電膜可具有至少約120℃之Tg (如，至少約140℃、至少約150℃、至少約160℃、至少約180℃或至少約200℃)及/或最多約300℃ (如，至少約290℃、至少約280℃、至少約270℃、至少約260℃或、至少約250℃)。
在一些實施例中，由本文所述的介電膜形成用組成物(如，含氰酸酯)形成的交聯介電膜可具有相對低的熱膨脹係數(CTE)。例如，本文所述的交聯介電膜可具有在50℃至150℃之溫度範圍內測得的CTE為最多約100 ppm/℃ (如，最多約95 ppm/℃、最多約90 ppm/℃、最多約85 ppm/℃、最多約80 ppm/℃、最多約75 ppm/℃、最多約70 ppm/℃、最多約65 ppm/℃、最多約60 ppm/℃、最多約55 ppm/℃或最多約50 ppm/℃)及至少約10 ppm/℃ (如，至少約20 ppm/℃、至少約30 ppm/℃或至少約40 ppm/℃)。
在一些實施例中，由本文所述的介電膜形成用組成物(如，含氰酸酯)形成的交聯介電膜可具有相對低的透濕性。例如，本文所述的交聯介電膜可具有最多約3 WVT/μm之透濕性(如，最多約2.5 WVT/μm、最多約2 WVT/μm、最多約1.5 WVT/μm、最多約1 WVT/μm或最多約0.8 WVT/μm)及至少約0.01 WVT/μm (如，至少約0.02 WVT/μm、至少約0.03 WVT/μm、至少約0.04 WVT/μm或至少約0.05 WVT/μm)。
在一些實施例中，本揭示之特徵在於一種用於沈積導電金屬層之方法(如，用於製造包埋銅軌跡結構)。該方法可包括下列步驟： a)將本文所述的介電膜形成用組成物沈積在一基材上(如，半導體基材)，以形成一介電膜； b)將該介電膜曝露於輻射源或熱源或輻射源與熱源之組合(如，透過遮罩，像是圖案化遮罩)； c)圖案化該介電膜以形成具有開口之一圖案化介電膜； d)任擇地，在該圖案化介電膜上沈積一晶種層； e)在該圖案化介電膜中的至少一個開口中沈積一導電金屬層；及 f)任擇地，重複步驟a)至e)至少一次(如，二、三或四次)。
用於製備該介電膜之塗佈方法包括，但不限於，旋塗法、噴塗法、輥塗法、棒塗法、轉塗法、狹縫塗佈、擠壓塗佈、簾塗佈、剛模塗料、線棒塗佈、刮刀塗佈及乾膜層壓。半導體基材可為圓形如晶圓或可為平板。在一些實施例中，半導體基材可為矽基材、銅基材、鋁基材、氧化矽基材、氮化矽基材、玻璃基材、有機基材、敷銅層板或介電材料基材。
本揭示之介電膜的膜厚度沒有特別限制。在一些實施例中，該介電膜具有至少約1微米之厚度(如，至少約2微米、至少約3微米、至少約4微米、至少約5微米、至少約7微米、至少約10微米、至少約15微米、至少約20微米、至少約25微米、至少約50微米、至少約100微米)及/或最多約5000微米(5 mm) (如，最多約4000微米、最多約3000微米、最多約2000微米、最多約1000微米、最多約500微米、最多約400微米、最多約300微米或最多約200微米)。
在一些實施例中，本揭示之介電膜形成用組成物是可光圖案化的。在此實施例中，製備圖案化介電膜之方法，包括利用光刻法將從該介電膜形成用組成物製得的介電膜轉換成一圖案化介電膜。在此情況下，該轉換可包括使用一圖案化遮罩，將該介電膜曝露於高能輻射(如電子束、紫外線及X射線)中。
曝光後，可任擇地在至少約50℃ (如，至少約55℃、至少約60℃或至少約65℃)至最多約100℃ (如，最多約95℃或最多約90℃、最多約85℃、最多約80℃、最多約75℃或最多約70℃)之溫度下熱處理該介電膜至少約60秒(如，至少約80秒或至少約100秒)至最多約240秒(如，最多約180秒、最多約120秒或最多約90秒)。該熱處理通常是使用熱板或烤箱完成。
在該曝光及/或熱處理後，可使用顯影劑使該介電膜顯影，除去未曝光的部分，以便在該基材上形成開口或凸紋影像。顯影可通過例如浸沒法或噴霧法進行。顯影後，可在該層壓基材上的介電膜中產生微孔及細線。
在一些實施例中，可使用有機顯影劑使該介電膜顯影。此顯影劑之例子包括，但不限於，環己酮、二甲苯、甲苯、四氫萘、γ-丁內酯(GBL)、二甲基亞碸(DMSO)、N,N-二乙基乙醯胺、甲乙酮(MEK)、甲基異丁酮(MIBK)、2-庚酮、環戊酮(CP)、環己酮、醋酸正丁酯(nBA)、丙二醇甲醚醋酸酯(PGMEA)、丙二醇甲醚(PGME)、乳酸乙酯(EL)、乳酸丙酯、3-甲基-3-甲氧丁醇、四氫萘、異佛爾酮、乙二醇單丁醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單乙醚醋酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇甲乙醚、三乙二醇單乙醚、二丙二醇單甲醚、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸乙酯、丙二酸二乙酯、乙二醇、1,4:3,6-雙脫水山梨糖醇、異山梨醇二甲醚、1,4:3,6-雙脫水山梨糖醇、2,5-二乙醚(2,5-二乙基異山梨醇)及其等之混合物。較佳的顯影劑是環己酮、二甲苯、甲苯及四氫萘。此等顯影劑可個別使用或二或多個組合使用，以便針對特別組成物及光刻法優化影像品質。
在一些實施例中，本揭示之組成物不是可光圖案化的。在此情況下，圖案化可藉由機械雷射鑽孔或藉由雙層法完成。雷射鑽孔通常涉及一固定雷射束，其使用其高功率密度熔化或蒸發來自標的基材或工件上的材料。原則上，雷射鑽孔受制於從雷射束照射的能量與進入基材的傳導熱間之能量平衡、流失到環境中之能量及工件中相變所需的能量。機械雷射鑽孔之例子在如美國專利案第6,353, 999號中已有說明；其內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該圖案化係使用雙層法完成。在此情況下，可在本揭示之介電膜上沈積一光阻膜。可將該光阻膜圖案化，及可利用蝕刻將該圖案轉移至本揭示之介電膜上。合適的光阻之例子在如美國專利案第6,803,434號及第6,830,870號及美國申請公開案第2003/022097號及第2019/018321號中已有描述；其等之內容在此併入本案以為參考。
在一個較佳實施例中，該雙層之頂層是含矽光阻層。
在一些實施例中，本文所述的含矽光阻層可由含有下列之光阻形成用組成物製得：a)至少一種含矽聚合物；b)至少一種溶劑(如本文中所述的)；及c)至少一種光酸產生劑(PAG)。
在來自電子束、ArF準分子雷射及KrF準分子雷射範圍之曝光源的活性輻射作用下會產生酸之任何合適的光酸產生劑(特別是硝苄酯及磺酸鎓鹽)，均可與本文所述的含矽聚合物一起使用，製備輻射敏感性光阻組成物。
合適的磺酸鎓鹽可包括芳基磺酸鋶及錪，特別是三芳基磺酸鋶及錪。該鋶及錪部分之芳基可為取代或未取代的芳基，如苯基或萘基，其中的每個任擇地被一或多種取代基如鹵素、C 1-4烷基、C 1-4烷氧基、-OH及/或硝基取代。該芳基或每個芳基上之取代基可為相同或相異的。
該光酸產生劑中之陰離子可為合適的有機磺酸，如脂族、環脂族、碳環芳族、雜環芳族或芳脂族磺酸，之任一合適的陰離子。此等陰離子可被取代或未取代。部分氟化或全氟化磺酸衍生物或各個酸基團之相鄰位置被取代的磺酸衍生物是較佳的。取代基的例子包括鹵素(如，F或Cl)、烷基(如，甲基、乙基或正丙基)及烷氧基(如，甲氧基、乙氧基或正丙氧基)。
較佳地，該光酸產生劑中之陰離子是來自部分氟化或全氟化磺酸的單價陰離子，如氟化烷基磺酸根陰離子。
合適的鎓鹽之具體例子包括三苯基溴化鋶、三苯基氯化鋶、三苯基碘化鋶、三苯基鋶甲烷磺酸鹽、三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、三苯基鋶六氟丙烷磺酸鹽、三苯基鋶九氟丁烷磺酸鹽、三苯基鋶苯基磺酸鹽、三苯基鋶4-甲基苯基磺酸鹽、三苯基鋶4-甲氧苯基磺酸鹽、三苯基鋶4-氯苯基磺酸鹽、三苯基鋶樟腦磺酸鹽、4-甲基苯基-二苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、雙(4-甲基苯基)-苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、三-4-甲基苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、4-叔-丁苯基-二苯鋶三氟甲烷磺酸鹽、4-甲氧苯基-二苯鋶三氟甲烷磺酸鹽、2,4,6-三甲苯基-二苯鋶三氟甲烷磺酸鹽、4-氯苯基二苯基-鋶三氟甲烷磺酸鹽、雙-(4-氯苯基)-苯鋶三氟-甲烷磺酸鹽、三-(4-氯苯基)鋶三氟甲烷磺酸鹽、4-甲基-苯基-二苯鋶六氟丙烷磺酸鹽、雙(4-甲基苯基)-苯基-鋶六氟丙烷磺酸鹽、三-4-甲基苯基鋶六氟-丙烷磺酸鹽、4-叔-丁苯基-二苯鋶六氟丙烷磺酸鹽、4-甲氧苯基-二苯鋶六氟丙烷磺酸鹽、2,4,6-三甲苯基-二苯基-鋶六氟丙烷磺酸鹽、2,4,6-三甲苯基-二苯鋶九氟辛烷磺酸鹽、2,4,6-三甲苯基-二苯鋶全氟丁烷磺酸鹽、4-氯苯基-二苯鋶六氟丙烷磺酸鹽、雙-(4-氯苯基)-苯鋶六氟丙烷磺酸鹽、三-(4-氯苯基)鋶六氟丙烷磺酸鹽、二苯基錪三氟甲烷磺酸鹽、二苯基錪六氟丙烷磺酸鹽、二苯基錪4-甲基苯基磺酸鹽、雙-(4-叔-丁苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽、雙-(4-叔-丁基-苯基)錪六氟丙烷磺酸鹽、雙-(4-環己苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽、三(4-叔-丁苯基)鋶全氟辛烷磺酸鹽及雙-(4-環己基苯基)錪六氟丙烷磺酸鹽。較佳的例子是三苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽(三苯基鋶三氟甲磺酸鹽)。
在一些實施例中，該PAG之數量為該光阻形成用組成物之總重量的至少約0.1重量% (如，至少約0.2重量%、至少約0.5重量%、至少約1重量%、至少約2重量%或至少約3重量%)及/或最多約10重量% (如，最多約9重量%、最多約8重量%、最多約7重量%、最多約6重量%或最多約5重量%)。
該含矽聚合物之例子為含下列四種單體重複單元之四聚物：
Figure 02_image009
其中n是1至5之整數，R 5是甲基或三甲基矽氧基；R 6是叔丁基；及R 7及R 8各獨立地選自氫或甲基。較佳地，n等於1。
在一些實施例中，該含矽聚合物可通過下列單體中之一或多個之聚合而製得：
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
及
Figure 02_image015
。
合適的含矽聚合物之其它例子在美國專利案第6929897號、第6916543號及第6165682號中已有描述，其等在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該含矽聚合物之數量為該光阻形成用組成物之總重量的至少約1重量% (如，至少約2重量%、至少約5重量%、至少約8重量%、至少約10重量%或至少約12重量%)及/或最多約30重量% (如，最多約27重量%、最多約25重量%、最多約23重量%、最多約20重量%或最多約15重量%)。
在一些實施例中，該溶劑之數量為該光阻形成用組成物之總重量的至少約60重量% (如，至少約65重量%、至少約70重量%、至少約75重量%、至少約80重量%或至少約85重量%)及/或最多約98重量% (如，最多約96重量%、最多約94重量%、最多約92重量%、最多約90重量%或最多約85重量%)。
本揭示之一些實施例說明一種在半導體基材上沈積金屬層(如，導電銅層，用以製造包埋銅軌跡結構)之方法。在一些實施例中，為達到此，先在該圖案化介電膜上沈積與該圖案化介電膜共形之一晶種層(如，在該膜中之開口的外面)。晶種層可含一障壁層及一金屬晶種層(如，銅晶種層)。在一些實施例中，該障壁層係使用能夠防止導電金屬(如，銅)擴散至該介電層之材料製成。可用於該障壁層之合適的材料包括，但不限於，鉭(Ta)、鈦(Ti)、氮化鉭(TiN)、氮化鵭(WN)及Ta/TaN。形成該障壁層之合適的方法是濺鍍(如，PVD或物理氣相沈積法)。濺鍍沈積用作金屬沈積技術具有一些優點，因為其可用於沈積許多導電材料、沈積速率高、具良好均勻度及擁有成本低。習用濺鍍填充在較深、較窄(高長寬比)特徵方面產生相對差的結果。通過準直該濺鍍通量可提高濺鍍沉積的填充因子。通常，此係藉由在該標的與基材之間插入一個具有六角網眼陣列之準直板實現。
該方法之下一步驟是金屬晶種沈積。可於該障壁層上面形成一薄金屬(如，導電金屬，如銅)晶種層，以便改善在後續步驟中形成的金屬層(如，銅層)之沈積。
該方法之下一步驟是在該圖案化介電膜之開口中的金屬晶種層上面沈積一導電金屬層(如，銅層)，其中該金屬層厚度足夠填充該圖案化介電膜中之開口。用以填充該圖案化介電膜中之開口的金屬層，可通過電鍍(如無電極或電解電鍍)、濺鍍、電漿氣相沈積(PVD)及化學氣相沈積(CVD)進行沈積。電化學沈積通常是較好的塗銅方法，因為其比其它沈積方法經濟且可完美地將銅填入互連特徵中。銅沈積方法通常應符合半導體產業之嚴苛的要求。例如，銅沈積物應均勻且能夠完美地填充該元件之小型互連特徵，例如100 nm 以下的開口。此技術在美國專利案第5,891,804號(Havemann et al.)、第6,399,486號(Tsai et al.)及第7,303,992號(Paneccasio et al.)中已有說明，其等之內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，沈積導電金屬層之方法進一步包括除去導電金屬之超覆層或除去該晶種層(如，該障壁層及該金屬晶種層)。在一些實施例中，導電金屬層之超覆層(如，銅層)最多約3微米(如，最多約2.8微米、最多約2.6微米、最多約2.4微米、最多約2.2微米、最多約2.0微米或最多約1.8微米)及至少約0.4微米(如，至少約0.6微米、至少約0.8微米、至少約1.0微米、至少約1.2微米、至少約1.4微米或至少約1.6微米)。用於除去銅超覆層之銅蝕刻劑包括含氯化銅與鹽酸之水溶液，或硝酸鐵與鹽酸之水性混合物。其它合適的銅蝕刻劑之例子包括，但不限於，美國專利案第4,784,785號、第3,361,674號、第3,816,306號、第5,524,780號、第5,650,249號、第5,431,776號及第5,248,398號及美國申請公開案第2017175274號中所述的銅蝕刻劑，其等之內容在此併入本案以為參考。
一些實施例描述一種以本揭示之介電膜包圍含有形成線路或互連網路之導電金屬(如銅)線結構之金屬結構基材之方法。該方法可包括下列步驟： a)提供一基材，其含有形成該基材上之線路及互連網路之導電金屬線結構； b)將本揭示之介電膜形成用組成物沈積在該基材上以形成一介電膜(如，其蓋住該導電金屬線路及互連)； c)將該膜曝露於輻射或熱或輻射與熱之組合來源(其可交聯該膜)； d)任擇地，重複步驟a)至c)至少一次(如，二、三或四次)。
在一些實施例中，以上方法可進一步包括通過合適的方法如，光刻法、雷射剝蝕法或鑽孔法或雙層法(如本文中所述的)，圖案化該介電膜。
在一些實施例中，本揭示之特徵在於一種製備乾膜結構之方法。該方法可包括： a)用本文所述的介電膜形成用組成物塗佈一載體基材(如，包括至少一種塑料膜之基材)； b)乾燥該塗佈的介電膜形成用組成物，以形成一乾膜；及 c)任擇地，於該乾膜上施塗一保護層。
在一些實施例中，該載體基材是單或多層塑料膜，其可包括一或多種聚合物(如，聚對苯二甲酸乙二酯)。在一些實施例中，該載體基材具有優異的光學透明度，其對用於在該聚合物層中形成凸紋圖案之光化照射基本上是透明的。該載體基材之厚度較佳地在至少約10微米(如，至少約15微米、至少約20微米、至少約30微米、至少約40微米、至少約50微米或至少約60微米)至最多約150微米(如最多約140微米、最多約120微米、最多約100微米、最多約90微米、最多約80微米或最多約70微米)之範圍內。
在一些實施例中，該保護層是單或多層膜，其可包括一或多種聚合物(如，聚乙烯或聚丙烯)。載體基材及保護層之例子在美國申請公開案第2016/0313642號中已有說明，其內容在此併入本案以為參考。
在一些實施例中，該乾膜中之介電膜可與載體層分開成為一自立乾膜。自立乾膜是可在不使用任何支撐層如載體層之情況下維持其物理完整性之膜。在一些實施例中，自立介電乾膜不是交聯或固化的，且可包括本文所述的介電膜形成用組成物中溶劑除外的組份。
在一些實施例中，從本文所述的介電膜形成用組成物製成的介電膜可具有相對低的介電損耗正切。例如，從本揭示之介電膜形成用組成物製成的介電膜(如，交聯或非交聯介電膜)在10 GHz下測得的介電損耗正切，可在從至少約0.001 (如，至少約0.005、至少約0.01或至少約0.05)至最多約0.1 (如，最多約0.08、最多約0.06、最多約0.05、最多約0.04或最多約0.020)之範圍內。
在一些實施例中，本揭示之特徵在於一種三維物件，其包括至少一個導電金屬層及使用本揭示之膜形成用組成物形成的一介電膜(如，交聯圖案化介電膜)。在一些實施例中，該三維物件可包括至少二個疊層(如，至少三個疊層)的介電膜。
本文中引用之所有的公開文獻(如，專利、專利申請公開案及技術論文)之完整內容在此併入本案以為參考。
下列範例提供用於更清楚地說明本揭示之原理及實施。應理解，本揭示並不限於所述的範例。 範例 範例1 ：介電膜形成用組成物1 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合SC橡膠(其是Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的環化聚異戊二烯，62.60 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(7.14 g)及過氧化二異丙苯(0.53 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，過氧化二異丙苯用作熱引發劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物1施塗在35微米厚的PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜10分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、150℃下烘烤該膜1小時，獲得具有130微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、200℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。此範例之介電膜具有120℃之Tg及在50℃至150℃之範圍內測得的88 ppm/℃之CTE。 範例2 ：介電膜形成用組成物2 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(其是Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，43.6 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(5.0 g)及過氧化二異丙苯(0.37 g)、二氧化矽(46.9 g，二氧化矽奈米粒子SUPSIL™ PREMIUM，分散於20%二甲苯中，單分散，電荷穩定，由Superior Silica提供)及二甲苯(3.5g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，過氧化二異丙苯用作熱引發劑，二氧化矽用作填料，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物2施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜10分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、150℃下烘烤該膜1小時，獲得具有130微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、200℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。此範例之介電膜具有120℃之Tg及在50℃至150℃之範圍內測得的58 ppm/℃之CTE。 範例3 ：介電膜形成用組成物3 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，57.90 g的28.5%二甲苯溶液)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(8.25 g)、過氧化二異丙苯(0.50 g)及二甲苯(1.75 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯；2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯化合物；過氧化二異丙苯用作熱引發劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物3施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜10分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、150℃下烘烤該膜1小時，獲得具有120微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、200℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例4 ：介電膜形成用組成物4 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，57.90 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(6.60 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(8.25 g)、過氧化二異丙苯(0.50 g)及二甲苯(1.75g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯；三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物；2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯化合物；過氧化二異丙苯用作熱引發劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物4施塗在30微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜12分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、200℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有250微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。此範例之介電膜具有167℃之Tg及在50℃至150℃之範圍內測得的76 ppm/℃之CTE。 範例5 ：介電膜形成用組成物5 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，57.90 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.1 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(11.0 g)、過氧化二異丙苯(0.50 g)及二甲苯(1.75g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯；三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物；2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯化合物；過氧化二異丙苯用作熱引發劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物5施塗在30微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜12分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、200℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有250微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。此範例之介電膜具有175℃之Tg及在50℃至150℃之範圍內測得的67 ppm/℃之CTE。 範例6 ：介電膜形成用組成物6 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，57.90 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(6.60 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(8.25 g)、二氧化矽(12.0 g，二氧化矽奈米粒子SUPSIL™ PREMIUM，單分散，電荷穩定，由Superior Silica提供)、過氧化二異丙苯(0.50 g)及二甲苯(1.75g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，二氧化矽奈米粒子用作無機粒子填料，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯化合物，過氧化二異丙苯用作熱引發劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物6施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在105℃下烘烤該膜7分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、160℃下烘烤該膜185分鐘，獲得具有350微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、210℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。
此範例之介電膜具有173℃之Tg及在50℃至150℃之範圍內測得的67 ppm/℃之CTE。 範例7 ：介電膜形成用組成物7 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，57.90 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(6.60 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(8.25 g)、過氧化二異丙苯(0.50 g)、2-羥基-5-丙烯醯氧基苯基-2H-苯并三唑(0.11 g)及二甲苯(1.75 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯；三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物；2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯化合物；過氧化二異丙苯用作熱引發劑；2-羥基-5-丙烯醯氧基苯基-2H-苯并三唑用作Cu腐蝕抑制劑及氰酸酯固化催化劑；及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物7施塗在30微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜12分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、200℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有250微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例8 ：介電膜形成用組成物8 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，62.60 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(7.14 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(4.46 g)、2-(苯甲醯氧基亞胺基)-1-[4-(苯硫基)苯基]-1-辛酮(BASF之Irgacure OXE-01) (0.53 g)及二甲苯(0.25 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯；三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物；2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯化合物；Irgacure® OXE01用作光引發劑；及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物8施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜10分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、150℃下烘烤該膜1小時，獲得具有130微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、200℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例9 ：介電膜形成用組成物9 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.2 g的28.5%二甲苯溶液)、己烷二丙烯酸酯(4.40 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(11.00 g)、Irgacure® OXE01 (0.66 g)、5-甲基苯并三唑(MBTA，0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)及二甲苯(6.5 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，己烷二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯，Irgacure® OXE01用作光引發劑、5-甲基苯并三唑用作銅鈍化劑，甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物9施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在90℃下烘烤該膜8分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、175℃下烘烤該膜90分鐘，獲得具有100微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、220℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例10 ：介電膜形成用組成物10 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(11.00 g)、Mitsubishi二氧化矽(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、2-[3-2H-苯并三唑-2-基)-4-羥苯基]乙基甲基丙烯酸酯(BTZ-AC，0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)及二甲苯(6.7 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯；三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物；2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯；Mitsubishi二氧化矽用作填料、Irgacure® OXE01用作光引發劑，2-[3-2H-苯并三唑-2-基)-4-羥苯基]乙基甲基丙烯酸酯用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物10施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在85℃下烘烤該膜15分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、180℃下烘烤該膜75分鐘，獲得具有150微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤30分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例11 ：介電膜形成用組成物11 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g), 2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(11.00 g)、Mitsubishi二氧化矽(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷用作氰酸酯，Mitsubishi二氧化矽用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物11施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在100℃下烘烤該膜12分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、160℃下烘烤該膜80分鐘，獲得具有200微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、240℃下再烘烤45分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例12 ：介電膜形成用組成物12 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、AroCy®XU366 (11.00 g)、Mitsubishi二氧化矽(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(6.7 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，AroCy®XU366用作氰酸酯化合物，Mitsubishi二氧化矽用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物12施塗在35微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在80℃下烘烤該膜15分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、190℃下烘烤該膜50分鐘，獲得具有130微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、210℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例13 ：介電膜形成用組成物13 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Novolac (AroCy®XU371) (11.00 g)、Mitsubishi二氧化矽(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(6.7 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Novolac (AroCy®XU371)用作氰酸酯化合物，Mitsubishi二氧化矽用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物13施塗在50微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在100℃下烘烤該膜12分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、250℃下烘烤該膜1小時，獲得具有320微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤70分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例14 ：介電膜形成用組成物14 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Novolac (Product Primaset® DT-4000) (11.00 g)、Mitsubishi二氧化矽(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(6.7 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Novolac (Product Primaset® DT-4000)用作氰酸酯化合物，Mitsubishi二氧化矽用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物14施塗在45微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在75℃下烘烤該膜12分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、160℃下烘烤該膜55分鐘，獲得具有100微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、210℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例15 ：介電膜形成用組成物15 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚二烯(Resiprene，11.00 g)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Novolac (Product Primaset® DT-4000) (11.00 g)、Mitsubishi二氧化矽(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(72.9 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，Resiprene用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Novolac (Product Primaset® DT-4000)用作氰酸酯化合物，Mitsubishi二氧化矽用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物15施塗在40微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在115℃下烘烤該膜8分鐘，除去大部分的溶劑。在氮氣、170℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有120微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、210℃下再烘烤80分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例16 ：介電膜形成用組成物16 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，38.60 g的28.5%二甲苯溶液)、Resiprene (11.00 g，由ESINE ITALIANE S.r.l.提供)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(2.2 g)、己烷二丙烯酸酯(2.2 g)、Novolac (AroCy®XU371) (11.00 g)、Prismaset PT-3 (5.5 g)、Mitsubishi二氧化矽(3.30 g)、電荷穩定二氧化矽(2.20 g)、Irgacure® OXE01 (0.33 g)、過氧化二異丙苯(3.30 g)、5-甲基苯并三唑(BTZ-AC，0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、二甲苯(27.60 g)及環戊酮(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠及Resiprene用作二種不同的環化聚二烯聚合物，三環癸二甲醇二丙烯酸酯及己烷二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Novolac (AroCy®XU371)及Primaset® PT-3用作氰酸酯化合物，Mitsubishi二氧化矽及電荷穩定二氧化矽用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，過氧化二異丙苯用作熱引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，及二甲苯及環戊酮用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物16施塗在40微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在100℃下烘烤該膜9分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、160℃下烘烤該膜75分鐘，獲得具有130微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤75分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例17 ：介電膜形成用組成物17 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，38.60 g的28.5%二甲苯溶液)、Resiprene 35 (11.00 g，由ESINE ITALIANE S.r.l.提供)、ALPEX CK 514/PAST (5.5 g，由Allnex提供)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(2.2 g)、己烷二丙烯酸酯(2.2 g)、Novolac (AroCy®XU371，11.00 g)、電荷穩定二氧化矽(2.20 g)、過氧化二異丙苯(3.30 g)、5-甲基苯并三唑(BTZ-AC，0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)及環己酮(26.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠、Resiprene及ALPEX CK 514/PAST用作三種不同的環化聚二烯聚合物，三環癸二甲醇二丙烯酸酯及己烷二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Novolac (AroCy®XU371)用作氰酸酯化合物，電荷穩定二氧化矽用作填料，過氧化二異丙苯用作熱引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，及環己酮用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物17施塗在40微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在100℃下烘烤該膜9分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、160℃下烘烤該膜75分鐘，獲得具有130微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤75分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例18 ：介電膜形成用組成物18 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，38.60 g的28.5%二甲苯溶液)、b-階段甲基丙烯酸酯官能化環烯烴熱固性樹脂(Proxima®) (11.00 g)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(2.20 g)、己烷二丙烯酸酯(2.20 g)、Primaset® DT-4000 (11.00 g)、Prismaset PT-3 (5.50 g)、碳黑(3.30 g)、電荷穩定二氧化矽(2.20 g)、Irgacure® OXE01 (0.33 g)、過氧化二異丙苯(DCP，3.30 g)、5-甲基苯并三唑(BTZ-AC，0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、二甲苯(27.60 g)及環戊酮(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠及b-階段甲基丙烯酸酯官能化環烯烴熱固性樹脂(聚烯烴介電聚合物)用作二種不同的環化聚二烯聚合物、三環癸二甲醇二丙烯酸酯及己烷二丙烯酸酯用作反應性官能化合物、Primaset® DT-4000及Prismaset PT-3用作氰酸酯化合物、碳黑及電荷穩定二氧化矽用作填料、Irgacure® OXE01用作光引發劑、過氧化二異丙苯用作熱引發劑、BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，及二甲苯及環戊酮用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物18施塗在55微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在90℃下烘烤該膜15分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、170℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有220微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、220℃下再烘烤70分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例19 ：介電膜形成用組成物19 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Primaset® DT-4000 (11.00 g)、聚二烯粒子(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，Primaset® DT-4000用作氰酸酯化合物，聚二烯粒子用作填料，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑及催化劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物19施塗在60微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在120℃下烘烤該膜6分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、200℃下烘烤該膜50分鐘，獲得具有350微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤50分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例20 ：介電膜形成用組成物20 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Primaset® DT-4000 (11 g)、碳黑(CNT) (5.5 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)及二甲苯(6.7 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，Novolac (Product Primaset® DT-4000)用作氰酸酯化合物，碳奈米管用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物20施塗在40微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在85℃下烘烤該膜11分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、200℃下烘烤該膜1小時，獲得具有400微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、250℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例21 ：介電膜形成用組成物21 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Primaset® DT-4000 (11.00 g)、Mitsubishi粒子(Fe 3O 4，5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鋯(0.11 g)及二甲苯(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯聚合物，Primaset® DT-4000用作氰酸酯化合物，Mitsubishi粒子用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鋯用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物21施塗在50微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在85℃下烘烤該膜13分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、160℃下烘烤該膜1小時，獲得具有180微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、220℃下再烘烤75分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例22 ：介電膜形成用組成物22 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.20 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Primaset® DT-4000 (11.00 g)、氧化鋁(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187，0.33 g)、羧乙基丙烯酸鋯(0.11 g)及二甲苯(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Primaset® DT-4000用作氰酸酯化合物，氧化鋁用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鋯用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物22施塗在45微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在95℃下烘烤該膜10分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、180℃下烘烤該膜1小時，獲得具有100微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、225℃下再烘烤65分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例23 ：介電膜形成用組成物23 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，77.2 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(4.40 g)、Novolac (AroCy®XU371) (11.00 g)、銅粒子(5.50 g)、Irgacure® OXE01 (0.67 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.33 g)、羧乙基丙烯酸鋯(0.11 g)及二甲苯(6.70 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠用作環化聚二烯，三環癸二甲醇二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，Novolac (AroCy®XU371)用作氰酸酯化合物，銅粒子用作填料，Irgacure® OXE01用作光引發劑，BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鋯用作固化催化劑，及二甲苯用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物23施塗在50微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在100℃下烘烤該膜12.5分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、175℃下烘烤該膜75分鐘，獲得具有180微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、225℃下再烘烤75分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例24 ：介電膜形成用組成物24 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，38.60 g的28.5%二甲苯溶液)、Resiprine (5.50 g)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(2.20 g)、己烷二丙烯酸酯(2.20 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(3.60 g)、Primaset® DT-4000 (3.66 g)、Primaset® PT30 (3.66 g)、Irgacure® OXE01 (0.33 g)、過氧化二異丙苯(DCP，3.30 g)、5-甲基苯并三唑(MBTA，0.11 g)、BTZ-AC (0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(0.11 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(Silquest A-187，0.22 g)、羧乙基丙烯酸鈦(0.11 g)、0.5% Polyfox 3260環戊酮溶液(0.11 g)、0.015%維多利亞藍染料萘磺酸鹽之環戊酮溶液(1.00 g溶液)、聚(雙酚A碳酸酯) (1.00 g)、二甲苯(6.70 g)、對稱三甲苯(20.00 g)及環己酮(7.60 g)以獲得均勻溶液而製得。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，SC橡膠及Resiprene用作二種不同的環化聚二烯聚合物，三環癸二甲醇二丙烯酸酯及己烷二丙烯酸酯用作反應性官能化合物，2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷、Primaset® DT-4000及Primaset® PT30用作氰酸酯化合物，Irgacure® OXE01用作光引發劑，過氧化二異丙苯用作熱引發劑，MBTA及BTZ-AC用作銅腐蝕抑制劑，甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷及甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷用作助黏劑，羧乙基丙烯酸鈦用作固化催化劑，Polyfox 3260 用作界面活性劑，維多利亞藍之萘磺酸鹽用作染料，聚(雙酚A碳酸酯)用作結合材料以降低介電損耗，及二甲苯、對稱三甲苯及環己酮用作溶劑。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物24施塗在40微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在100℃下烘烤該膜10分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、175℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有140微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、220℃下再烘烤1小時。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例25 ：介電膜形成用組成物25 之製備及施用
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚二烯(Resiprene，11.00 g)及AroCy®L-10 (11.00 g)且加溫至50℃以獲得均勻溶液而製得。冷卻至室溫後，使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
在此範例中，Resiprene用作環化聚二烯聚合物，及AroCy®L-10用作氰酸酯化合物。
使用塗佈器將該介電膜形成用組成物25施塗在40微米厚PET膜上，形成一膜。使用熱板在115℃下烘烤該膜8分鐘，除去大部分的溶劑。之後在氮氣、170℃下烘烤該膜70分鐘，獲得具有120微米厚的安定介電膜。從該PET膜上拿起該介電膜，將其置於25微米KAPTON膜上，然後在氮氣、210℃下再烘烤80分鐘。
冷卻至室溫後，將該介電膜從KAPTON膜上移開並切成3 mm寬的膜，然後用TMA分析其熱機械性質。 範例26 ：在聚烯烴氰酸酯介電質中製備細及超細Cu 線
藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，57.90 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(3.30 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(8.25 g)、過氧化二異丙苯(0.50 g)及二甲苯(25.20 g)以獲得均勻溶液而製得介電膜形成用組成物。使用5.0微米PTFE濾器過濾該溶液。
將該溶液旋塗至100 mm PVD-銅晶圓上，以形成一膜。之後使用熱板在115℃下烘烤此膜6分鐘。之後在氮氣、250℃下烘烤此膜2小時，形成厚約3微米之介電膜。
將Fujifilm Electronic Materials USA提供的TIS193IL-A01旋塗在此範例之介電膜上面，形成含矽阻劑層。在熱板上以135℃烘烤該含矽阻劑層90秒，除去大部分的溶劑及完成介電層與含矽阻劑層之疊層的製備。
用Canon 248-nm步進式曝光機(NA 0.65, SIGMA 2 (Annular))，透過溝槽測試圖案標線1，以77 mJ/cm²之固定劑量及0μm定焦，曝光該TIS193L-A01層。之後在125℃下烘烤該曝光的含矽阻劑層90秒，及用2.38N TMAH顯影60秒，以解析大小10μm以下的溝槽，包括光學顯微鏡觀察到的超細 2μm溝槽圖案。將該晶圓劈成2吋x2吋平方的試片。利用氧電漿，在250 W之Rf及氧氣流率15 sccm下蝕刻5分鐘，將該超細溝槽圖案轉移至該介電膜。 範例27 ：乾膜之製備
此範例之介電膜形成用組成物係藉由混合環化聚異戊二烯(由Fujifilm Electronic Materials U.S.A.提供的SC橡膠，360 g的28.5%二甲苯溶液)、三環癸二甲醇二丙烯酸酯(20.52 g)、2,2-雙(4-氰氧基苯基)丙烷(51.30 g)、過氧化二異丙苯(3.08 g)、甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷(3.08 g)、BTZ-AC (1.03g)及二甲苯(162.1 g)以獲得均勻溶液而製得。使用0.2微米PTFE濾器過濾該溶液。
使用Fujifilm USA (Greenwood, SC)之狹縫式塗佈器，以2呎/分(61公分/分)之線速，60微米之間隙，將以上介電膜形成用組成物施塗到具有寬16.2"厚36微米用作載體基材之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜(TCH21，DuPont Teijin Films USA製)上，然後在194℉下乾燥，獲得厚度大約32.3微米之膜(乾膜-1)。利用輥壓，在此聚合層上鋪設一個寬16"、厚30微米之雙軸取向聚丙烯膜(BOPP，Impex Global, Houston,TX製造)用作保護層。
利用剝除法除去該保護層後，將二個乾膜(乾膜-1) (6”x 6”)疊在一起，然後置於12 x12”鋼板上。利用直空層壓(0.2 – 0.4托) 20秒，接著壓力40 psi與真空0.2 – 0.4托二者處理180秒，成功地將該等膜層壓在一起。層壓溫度為60℃。層壓過程係使用OPTEK, NJ製造的DPL-24A差壓疊合機完成。重複此過程11次。
層壓12層的乾膜-1獲得一厚膜。之後將該膜於氮氣、150℃下烘烤1小時，獲得具有350微米厚的安定介電膜。從該PET膜上取下該介電膜後，將其置於25微米之KAPTON膜上，之後在氮氣、200℃下再烘烤1小時。
用此厚膜進行介電特性的測量(Dk及Df)。 範例28 ：三維物件之形成
將範例4之介電膜形成用組成物以1200 rpm旋塗於氧化矽晶圓上，該晶圓具有鍍銅線/空間/高度圖案之範圍從8/8/6微米至15/15/6微米。使用熱板在95℃下烘烤該塗佈膜5分鐘，形成約13微米厚的膜。之後使用i-line曝光工具，以500 mJ/cm²使該光敏性組成物全面曝光。將該光敏組成物於YES烤箱中以170℃固化2小時。因此製得介電膜圍繞個別的銅結構之三維物件。 範例29 ：銅沈積
將範例4之介電膜形成用組成物以1200 rpm旋塗於PVD-銅晶圓上。之後使用熱板在95℃下烘烤該膜6分鐘，產生8微米厚的光敏性組成物膜。使用Canon i-line步進式曝光機(NA 0.45, SIGMA 0.7)，透過溝槽測試圖案標線，以500 mJ/cm²固定劑量及-1微米定焦下，曝光該光敏性組成物膜。之後使用環戊酮動態顯影進行該曝光的光敏層之顯影，歷時40秒，以解析50微米大小以下的溝槽，包括光學顯微鏡觀察到的超細4微米溝槽圖案(且經橫截面掃描電子顯微鏡(SEM)確認)。使該光敏組成物於YES烤箱中170℃下固化2個小時。
之後對該晶圓進行電鍍，及用SEM觀察時在所有的溝槽中均產生3.0微米高的銅線。銅之電鍍是使用包含銅離子(30 g/L)、硫酸(50 g/L)、氯離子(40 ppm)、聚(丙二醇) (500 ppm)、3,3-二硫代雙(1-丙磺酸)二鈉(200 ppm)及雙(鈉磺丙基)二硫化物(100 pm)之電解質組成物達成。電鍍係在燒杯中伴隨攪拌，同時使用下列條件進行：陽極：銅；電鍍溫度：25℃；電流密度：10 mA/cm 2；及時間：2分鐘。電鍍後，將細溝槽切開，使用光學及掃描式電子顯微鏡檢查銅填充情況，確認銅完全充滿，沒有任何空隙。還要控制沈積時間，避免超覆層形成。 範例30 ：透濕性測試
將25 g乾燥劑(CaCl 2)置於EZ-杯中，然後用從範例1、4或8中所製得，直徑為63.5 mm之介電膜蓋住。之後用二個新平橡膠墊片間的螺紋凸緣環將該EZ-杯封住，並置於人工氣候室(40℃；90%RH)中24小時。在貯存於氣候室之前及之後，測量與介電膜組裝在一起的EZ-杯之重量。依下式計算水蒸氣穿透率(WVT)：WVT = G/(t × A)，其中G是重量變化(g)；t是時間(h)及A是介電膜面積(m 2)； G/t= 直線之斜率，格令/h；WVT = 水蒸氣穿透率，格令/h·m 2。 表2：膜之透濕性
樣本編號 WVT/um 水蒸氣穿透率(WVT)
膜範例1 0.075
膜範例4 0.05
膜範例8 0.03
如表2所示，範例1、4及8製得的膜表現出低水蒸氣傳輸或透濕性。

Claims (22)

  1. 一種介電膜形成用組成物，其包含： a)       至少一種環化聚二烯樹脂，其具有取代或未取代的烯基； b)      至少一種反應性官能化合物，其具有至少二個能夠與該環化聚二烯樹脂上之取代或未取代的烯基反應之官能基；及 c)       至少一種催化劑，其能夠誘發該環化聚二烯樹脂與該反應性官能化合物之反應。
  2. 如請求項1之組成物，其中該至少一種環化聚二烯樹脂包含環化聚異戊二烯、環化聚丁二烯、環化聚戊二烯或其等之共聚物。
  3. 如請求項1之組成物，其中該至少一種環化聚二烯樹脂具有至少約5,000道爾頓至最多約500,000道爾頓之重量平均分子量(Mw)。
  4. 如請求項1之組成物，其中該至少一種環化聚二烯樹脂是下列之混合物： a)       重量平均分子量從約5,000道爾頓至約20,000道爾頓之環化聚二烯樹脂； b)      重量平均分子量從約25,000道爾頓至約60,000道爾頓之環化聚二烯樹脂；及 c)       重量平均分子量從約70,000道爾頓至約200,000道爾頓之環化聚二烯樹脂。
  5. 如請求項1之組成物，其中該至少一種環化聚二烯樹脂之數量為該組成物之約2重量%至約40重量%。
  6. 如請求項1之組成物，其中該介電膜形成用組成物能夠形成具有Tg為至少約120℃之介電膜。
  7. 如請求項1之組成物，其中該反應性官能化合物中之至少一個包含含有至少二個選自於由下列所構成之群組之官能基之化合物：(甲基)丙烯酸酯基團、烯烴基團、環烯烴基團、炔基及其等之組合。
  8. 如請求項1之組成物，其中該至少一種反應性官能化合物之數量為該組成物之約1重量%至約25重量%。
  9. 如請求項1之組成物，其中該至少一種催化劑之數量為該組成物之約0.2重量%至約3重量%。
  10. 一種製備介電膜之方法，其包含： a)       將如請求項1之介電膜形成用組成物塗佈在一基材上以形成一膜； b)      任擇地在約50℃至約150℃之溫度下烘烤該膜約20秒至約240秒；及 c)       在無遮罩之情況下，將該膜曝露於輻射、熱或其等之組合下。
  11. 一種製備乾膜之方法，其包含： a)       用如請求項1之介電膜形成用組成物塗佈一載體基材； b)      乾燥該塗佈的介電膜形成用組成物，以形成一乾膜；及 c)       任擇地，於該乾膜上施塗一保護層。
  12. 一種乾膜，其係由如請求項11之方法製得。
  13. 一種沈積導電金屬層之方法，其包含： a)       將如請求項1之組成物沈積在一基材上，以形成一介電膜； b)      將該介電膜曝露於輻射或熱或輻射與熱之組合中； c)       圖案化該介電膜，以形成具有開口之一圖案化介電膜； d)      任擇地在該圖案化介電膜上沈積一晶種層； e)       在該圖案化介電膜之至少一個開口中沈積一導電金屬層； f)    任擇地重複步驟a)至e)至少一次。
  14. 一種在基材上形成介電膜之方法，其包含下列步驟： a)       提供一基材，其含有形成該基材上之線路及互連網路之導電金屬線結構； b)      在該基材上沈積如請求項1之組成物，以形成一介電膜； c)       將該介電膜曝露於輻射或熱或輻射與熱之組合中；及 d)      任擇地，重複步驟a)至c)至少一次。
  15. 一種三維物件，其係由如請求項14之方法形成。
  16. 如請求項15之物件，其包含至少二個疊層的介電膜。
  17. 一種介電膜形成用組成物，其包含： a)       至少一種環化聚二烯樹脂，及 b)      至少一種氰酸酯化合物，該至少一種氰酸酯化合物包含至少二個氰酸酯基團。
  18. 如請求項17之組成物，其中該至少一種氰酸酯化合物具有結構(I)： A-(O-C≣N)m    (I)， 其中m是至少2之整數及A是含取代或未取代的芳族基團之二價有機基團。
  19. 如請求項18之組成物，其中該至少一種氰酸酯化合物具有結構(II)：
    Figure 03_image001
    (II)， 其中R是氫原子、C 1-C 3烷基、完全或部分鹵素取代的C 1-C 3烷基或鹵素原子；及X是單鍵、-O-、-S-、-(C=O)-、-(C=O)-O-、-O-(C=O)-、-(S=O)-、-(SO 2)-、-CH 2CH 2-O-、取代或未取代的C 1-C 10伸烷基、完全或部分氟取代的C 1-C 4伸烷基、取代或未取代的C 3-C 10環伸烷基或下列基團之一：
    Figure 03_image003
    。
  20. 如請求項17之組成物，其中該至少一種氰酸酯化合物具有結構(II)：
    Figure 03_image005
    (III)， 其中n 1是至少2之整數，n 2及n 3獨立地為0或從1至100之整數，R 1是C 1-C 10烷基或C 1-C 20芳烷基，R 2是取代或未取代的C 1-C 10烷基、取代或未取代的C 3-C 10環烷基、取代或未取代的芳基或–(C=O)-OR 4基團，其中R 4是非酸敏性之取代的烷基或芳烷基；R 3是取代或未取代的C 1-C 10烷基或氟基取代的C 1-C 4烷基。
  21. 如請求項17之組成物，其中該至少一種氰酸酯化合物之數量為該組成物之約1重量%至約25重量%。
  22. 一種介電膜形成用組成物，其包含： a)       至少一種環化聚二烯樹脂，其具有取代或未取代的烯基； b)      至少一種反應性官能化合物，其具有至少二個能夠與該環化聚二烯樹脂上之取代或未取代的烯基反應之官能基；及 c)       至少一種氰酸酯化合物，該至少一種氰酸酯化合物包含至少二個氰酸酯基團； d)      至少一種催化劑，其能夠誘發該環化聚二烯樹脂與該反應性官能化合物之反應； e)       任擇地，至少一種溶劑。
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